KR101011746B1 - 집적회로 모듈들의 역 교번 적층구조체 - Google Patents

집적회로 모듈들의 역 교번 적층구조체 Download PDF

Info

Publication number
KR101011746B1
KR101011746B1 KR1020090071929A KR20090071929A KR101011746B1 KR 101011746 B1 KR101011746 B1 KR 101011746B1 KR 1020090071929 A KR1020090071929 A KR 1020090071929A KR 20090071929 A KR20090071929 A KR 20090071929A KR 101011746 B1 KR101011746 B1 KR 101011746B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
modules
alternating stack
module
flat structure
reverse alternating
Prior art date
Application number
KR1020090071929A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100131336A (ko
Inventor
유 홍-치
Original Assignee
왈톤 어드밴스드 엔지니어링 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 왈톤 어드밴스드 엔지니어링 인크. filed Critical 왈톤 어드밴스드 엔지니어링 인크.
Publication of KR20100131336A publication Critical patent/KR20100131336A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101011746B1 publication Critical patent/KR101011746B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/144—Stacked arrangements of planar printed circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/105—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1017—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
    • H01L2225/1023—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the support being an insulating substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1047—Details of electrical connections between containers
    • H01L2225/1052—Wire or wire-like electrical connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/143—Digital devices
    • H01L2924/1433—Application-specific integrated circuit [ASIC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/1533—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/15331—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
    • H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
    • H01R13/2442—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted with a single cantilevered beam
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0302—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0311—Metallic part with specific elastic properties, e.g. bent piece of metal as electrical contact
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/097—Alternating conductors, e.g. alternating different shaped pads, twisted pairs; Alternating components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10189—Non-printed connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10424—Frame holders
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Push-Button Switches (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

집적회로(IC) 모듈들의 역 교번 적층구조체는 최소한 하나의 IC 모듈 및 최소한 하나의 스프링 스트립 세트를 포함한다. IC 모듈은 기판, 최소한 IC 칩, 성형체를 가지며, 기판은 내면 및 외면을 가지고, 최소한 외부 접촉패드가 외면 일단에 제공되며, 최소한 스위치 접촉패드가 외면 타단에 제공되고, 외부 접촉패드 및 스위치 접촉패드는 역 대칭패턴으로 배치된다. 스프링 스트립 세트는 최소한 비-평탄구조체를 가진다. 하나의 IC 모듈 외부 접촉패드는 스프링 스트립 세트의 비-평탄구조체의 전기적 접촉에 의해 다른 IC 모듈의 스위치 접촉패드와 전기적으로 연결되어, IC 모듈들은 역 교번 적층구조체를 형성하도록 일체된다.
IC 역 교번 적층 구조체

Description

집적회로 모듈들의 역 교번 적층구조체{INVERSELY ALTERNATE STACKED STRUCTURE OF INTEGRATED CIRCUIT MODULES}
본 발명은 집적회로(IC) 모듈들의 적층구조체에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 단일-면 역 교번 적층구조체에 관한 것이다.
도 1을 참조하면, 종래 적층-타입 IC 모듈구조체는, 다수의 연결체(312)와 납땜되고 전기적으로 연결되는, 기판 (31)(또는 칩 운반체라고 함) 상면 및 하면에 배치되어 상, 하면들을 전도시키는 다수의 패드 (311)를 가져, IC 모듈 구조체(3)는 길이방향으로 적층되고 전도된다. 일반적으로, 이러한 연결체(312)는 대만특허번호 I240394호 '3D 패키지에 적용되는 반도체 패키지 구조체‘ 및 대만특허번호 I245385호 ’다중-칩 모듈의 적층성 볼 그리드 어레이 패키지 구조체‘에서 개시된 솔더 볼, 범프, 금속칼럼 및 리드에서 선택될 수 있다. 그러나 기능 확장에 따라 길이방향 적층 개수(count)가 가변되고, 총 적층구조체 두께가 불일치하여 이러한 구조체는 예를들면 마이크로 메모리기구와 같이 경량의 얇고 짧고도 작은 전자 제품에 적합하지 못하다. 그밖에도, 종래 길이방향 적층된 IC 모듈은 패드들 (311)을 연결하는 연결체 (312)를 이용하여 도전된다. 따라서 제조공정에서 연결체 (312)를 통한 연결 단계들로 인하여 조립공정 및 생산 단가를 줄이는 것은 불가능하다. 또한 길이방향 적층구조체가 응력을 받으면 충격으로 연결체 (312)는 쉽게 파손된다. 이로 인하여 이들 IC 모듈 간 내부 신호연결 품질에 영향을 미친다. 무엇보다도, 칩 동작으로 인한 고온으로 인하여, 종래 IC 모듈구조체 (3)는 방열이 불량하다.
상기 관점에서, 본 발명의 일 측면에 의하면, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체가 제공된다. IC 모듈 기판은 성형체에 의해 덮이지 않은 외면을 가진다. 최소한 외부접촉패드가 외면 일단에 형성되고, 최소한 하나의 스위치 접촉패드가 외면의 타단에 형성되며, IC 모듈의 외부 접촉패드는 다른 접촉패드의 스위치 접촉패드와 전기적으로 접촉되어 IC 모듈들은 역 교번 적층구조체를 형성하고, 즉 IC모듈들은 단일-면 역 교번 접촉패턴 형태를 가져, 역 교번 적층구조체를 가지는 두-층 IC모듈을 형성하여, 수평적 연장 및 다수의 IC 모듈들을 연결할 수 있어 한정 높이에서도 메모리 용량을 확장시킬 수 있다.
본 발명의 제2 측면에 의하면, 최소한 하나의 IC 모듈 및 최소한 하나의 스프링 스트립 세트를 포함하는 IC 모듈들의 역 교번 적층구조체가 제공된다. IC 모듈 기판은 성형체에 의해 덮이지 않은 외면을 가진다. 최소한 외부 접촉패드는 외면 일단에 형성되고 최소한 스위치 접촉패드는 외면 타단에 형성된다. 스프링 세트는 최소한 피-평탄 구조체를 가진다. IC 모듈의 외부 접촉패드는, 스프링 스트립 세트의 비-평탄 구조체의 전기적 접촉을 통하여 다른 IC 모듈의 스위치 접촉패드와 전기적으로 접촉되어 IC 모듈은 역 교번 적층구조체를 형성한다. 그 결과, 장착 스프링 스트립 세트는, 적층구조체가 응력을 받을 때 흡수를 보조하고 버퍼일 수 있다. 따라서 IC 모듈은 개선된 충격-흡수 능력을 가지며 양호한 신호 연결품질을 유지할 수 있다.
본 발명의 제3측면에 의하면, 최소한 하나의 IC 모듈 및 최소한 하나의 스프링 스트립 세트를 포함하는 IC 모듈들의 역 교번 적층구조체가 제공된다. IC 모듈 기판은 성형체에 의해 덮이지 않은 외면을 가진다. 최소한 외부 접촉패드는 외면 일단에 형성되고 최소한 스위치 접촉패드는 외면 타단에 형성된다. 스프링 세트는 최소한 피-평탄 구조체를 가진다. IC 모듈의 외부 접촉패드는, 스프링 스트립 세트의 비-평탄 구조체의 전기적 접촉을 통하여 다른 IC 모듈의 스위치 접촉패드와 전기적으로 접촉되어 IC 모듈은 역 교번 적층구조체를 형성한다. 그 결과, 스프링 스트립 세트 장착에 의해 IC 모듈은 개선된 방열 효과를 가질 수 있다.
본 발명의 제4측면에 의하면, 최소한 하나의 IC 모듈 및 최소한 하나의 스프링 스트립 세트를 포함하는 IC 모듈들의 역 교번 적층구조체가 제공된다. IC 모듈 기판은 성형체에 의해 덮이지 않은 외면을 가진다. 최소한 외부 접촉패드는 외면 일단에 형성되고 최소한 스위치 접촉패드는 외면 타단에 형성된다. 스프링 세트는 최소한 피-평탄 구조체를 가진다. IC 모듈의 외부 접촉패드는, 스프링 스트립 세트의 비-평탄 구조체의 전기적 접촉을 통하여 다른 IC 모듈의 스위치 접촉패드와 전기적으로 접촉되어 IC 모듈은 역 교번 적층구조체를 형성한다. 그 결과, 조립공정에서 연결체의 접촉점들을 통한 관련 단계들이 필요하지 않아, 기능 승인 또는 사이즈 개선 과정이 더욱 단순화되고 편리하고 제조단가를 낮출 수 있다.
상기 측면들을 달성하기 위하여, 본 발명의 주요 기술적 수단은 다음 기술적 해결책을 구현하는 것이다. 본 발명은, 기판, 최소한 IC 칩, 성형체를 가지는 최소 한 하나의 IC 모듈; 및 최소한 비-평탄 구조체를 가지는 최소한 스프링 스트립 세트를 포함하는 IC 모듈들의 역 교번 적층구조체에 있어서, 기판은 내면 및 외면을 가지고, 최소한 외부 접촉패드가 외면 일단에 제공되며, 최소한 스위치 접촉패드가 외면 타단에 제공되고, 외부 접촉패드 및 스위치 접촉패드는 역 대칭패턴으로 배치되며 전기적으로 연결되고, 성형체는 IC 칩을 밀폐하기 위하여 기판의 내면 상에 형성되며, 하나의IC 모듈 외부 접촉패드는 스프링 스트립 세트의 비-평탄구조체와 전기적으로 접촉되어 다른 IC 모듈의 스위치 접촉패드와 전기적으로 접촉되어, IC 모듈은 역 교번 적층구조체를 형성한다.
바람직하게는, IC 모듈은 메모리 모듈이다.
바람직하게는, IC 모듈은 열경화성 성형화합물로 제조된다.
바람직하게는, 스프링 스트립 세트는 스위치 접촉패드 근위부에 IC 모듈 일면과 체결수단에 의해 결합되어 비-평탄구조체는 스위치 접촉패드와 접촉된다.
바람직하게는, 스프링 스트립 세트는 외부 접촉패드 근위부에 IC 모듈 일면과 체결수단에 의해 결합되어 비-평탄구조체는 외부 접촉패드와 접촉된다.
바람직하게는, 비-평탄구조체는 단일 (odd) 돌출부를 포함한다.
바람직하게는, 비-평탄구조체는 다수의 사각 톱날을 포함한다.
바람직하게는, 비-평탄구조체는 다수의 아치를 포함한다.
바람직하게는, 비-평탄구조체는 다수의 원형 톱날을 포함한다.
바람직하게는, 비-평탄구조체는 다수의 범프를 포함한다.
바람직하게는, 스프링 스트립 세트는 IC 모듈과 삽입 상태 또는 분리 (detached) 상태로 연결된다.
바람직하게는, 외부 접촉패드 및 스위치 접촉패드는 금속 접촉부이다.
바람직하게는, 스프링 스트립 세트의 비-평탄구조체는 구리로 제조된다.
바람직하게는, 스프링 스트립 세트의 비-평탄구조체는 알루미늄으로 제조된다.
본 발명의 상기 및 기타 특징 및 이점들은 도면을 참조한 하기 설명으로부터 더욱 명백하여질 것이다.
종래와는 달리, 본 발명의 효과는, IC 모듈의 외부 접촉패드를 다른 IC 모듈 스위치 접촉패드에 전기적으로 접촉시켜 두-층의 IC 모듈들이 역 교번 적층구조체를 형성하도록 하는 단일-면 역 교번 접촉패턴을 보이는 IC 모듈들에 기초한다. 이에 다라 수평적 연장 및 IC 모듈들의 연결이 가능하여 한정 높이 내에서도 메모리 공간이 확장될 수 있다. 또한, 본 발명이 적용하는, IC 모듈들 간 전도를 위하여 IC 모듈과 접촉하는 스프링 스트립 세트의 비-평탄구조체는 종래 길이방향 적층구조체가 패드들과 결합되는 연결체를 사용하여 전도하는 방식과는 전적으로 차별된 것이다. 따라서 본 발명에 의하면 IC 모듈의 연결 표면에 솔더 스폿(spot)이 존재할 필요가 없어 기능 승인 또는 사이즈 개선 과정이 더욱 단순화되고 편리하며 제조단가가 더욱 저렴할 수 있다. 적층구조체가 응력을 받을 때, IC 모듈들 간 개선된 충격-흡수 능력이 제공되어 양호한 신호연결 품질이 유지된다. 또한, IC 모듈들은 스프링 스트립 세트가 설치됨으로써 개선된 방열효과를 가진다.
하기 본 발명의 바람직한 실시예의 상세한 설명은 예시적 목적이므로 개시된 형태로 전적으로 한정되지 않는다는 것을 이해하여야 한다.
본 발명은 하기 실시예들을 참조하여 더욱 상세하게 기술될 것이다.
도 2 및 3을 참조하면, IC 모듈의 역 교번 적층구조체는 기판 (11), 최소한 IC 칩 (12) 및 성형체 (13)을 가지는 최소한 하나의 IC 모듈 (10) 및 최소한 스프링 스트립 세트 (20)를 포함한다. 기판 (11)은 칩 운반체 및 전송 인터페이스로 기능한다. 내면 (111) 및 외면 (112)을 가지는 기판 (11)은 고밀도-다층 인쇄기판일 수 있으며 양면들을 통하여 전도하고 회로 (미도시)가 일체적으로 형성될 수 있다. 내면 (111)은 캡슐화 된 표면이며, 외면 (112)은 IC 모듈 구조체 외부에 위치된 노출 표면이고 내면 (111) 반대 측에 배치된다. 최소한 외부 접촉패드 (113)는 외면 (112) 일단에 형성되고, 최소한 스위치 접촉패드 (114)는 외면 (112)의 타단에 형성된다.
외부 접촉패드 (113) 및 스위치 접촉패드 (114)는 역 대칭방식으로 배치되고, 외부 접촉패드 (113)는 기판 (11) 회로 (미도시)에 의해 전기적으로 스위치 접촉패드 (114)와 연결되며, 외부 접촉패드 (113) 및 스위치 접촉패드 (114)는 금촉 접촉부일 수 있다. IC 칩 (12)은 기판 (11) 내면 (111)에 장착되며 전기적으로 외부 접촉패드 (113)와 연결된다. 와이어 본딩 또는 플립 칩 본딩 기술로 형성된 솔더 와이어 (121)가 IC 칩 (12)를 기판 (11)과 전기적으로 연결시키는 데 사용될 수 있다. 통상, IC 칩 (12)은 FLASH 메모리, SRAM (정적-랜덤-액세스-메모리), ASIC (주문형-집적회로) 또는 SDRAM (동기식-동적-액세스-메모리)일 수 있다.
본 바람직한 실시예에서, 기판 (11) 내면(111)에 배치된 소자들은 액세스 제어칩 (14) 및 최소한 능동소자(15)를 더욱 포함하고, 액세스 제어칩(14)은 전기적으로 IC 칩 (12), 외부 접촉패드 (113) 및 스위치 접촉패드 (114)와 연결되며, IC 칩 (12)의 저장 및 독취 동작을 제어하고 스위치 접촉패드 (114)가 다른 IC 모듈 (10‘)과 접촉되어 있는지를 감지하며 제어신호를 IC 모듈 (10’)로 전송할 수 있다. 능동소자(15)는 액세스 제어칩 (14) 및 IC 칩 (12)을 보호하거나 전기적 기능을 개선시키는데 이용될 수 있다. 성형체 (13)는 성형 또는 프린트 기법에 의해 기판 (11)의 내면 (111) 상에 형성되어 IC 칩 (12) 및 액세스 제어칩 (14)을 실장시킨다.
다른 바람직한 실시예에서, 액세스 제어칩 (14)은 IC 칩 (12)과 일체되어 SOC (시스템-온-칩)을 형성할 수 있다. 스프링 스트립 세트 (20)는 최소한 비-평탄 구조체 (21)를 가진다. 본 발명의 적층구조체에서, IC 모듈 (10)의 외부 접촉패드 (113)는 전기적으로 IC 모듈 (10‘)의 스위치 접촉패드 (114’)와 파스너 (20)의 비-평탄 구조체 (21)를 통하여 전기적으로 연결된다. 그 결과, IC 모듈들 (10, 10‘)은 단일-면 역 교번 연결방식을 보이며, 역 교번 적층구조체를 가지는 두-층 IC 모듈들을 형성한다. 적층 후, 총 두께는 유지되고 두 IC 모듈들 (10) 두께 정도로 제어될 수 있어 메모리 확장이 요청될 때 수평방향으로 IC 모듈들의 더 많은 역 교번 적층구조체 (1)가 무제한적으로 연결될 수 있다.
스프링 스트립 세트 (20)는 체결수단 (미도시)에 의해 외부 접촉패드 (113) 근위부에서 IC 모듈 일면에 연결되어, 비-평탄 구조체 (21)는 외부 접촉패드 (113)와 접촉된다 (도 4a에 도시). 달리, 접속될 때 (plugged) 전도를 위하여 스프링 스트립 세트 (20)는 체결수단 (미도시)에 의해 스위치 접촉패드 (114) 근위부에서 IC 모듈 일면에 연결된다 (도 4b에 도시). 그러나 연결방법은 체결수단에 제한되지 않는다. 통상 IC 산업에서 적용되는 선회방법, 장부 연결, 스냅식 연결, 록킹 및 임베딩 방식에 무관하게, 스프링 스트립 세트 (20)를 연결시킬 수 있는 임의 수단들이 원하는 대로 적용될 수 있다. 또한 비-평탄구조체 (21) 형상은 단일 돌출부 (도 5에 도시), 다수 사각 톱날들 (도 6에 도시), 다수 아치들 (도 7에 도시), 다수 둥근 톱날들 (도 8), 다수 범프들 (도 9a 및 9b) 또는 기타 예시되지 않은 단수 또는 복수의 형태들의 랜덤 조합일 수 있다. 결과적으로, 일 IC 모듈의 외부 접촉패드가 다른 IC 모듈의 스위치 접촉패드와 스프링 스트립 세트의 비-평탄구조체의 전기적 접촉에 의해 접촉되고 IC 모듈의 역 교번 적층구조체 (1)가 응력을 받을 때, 비-평탄 구조체 (21)의 변형에 의해 충격이 흡수되어 응력-댑핑 효과를 제공한다. 이에 따라 IC 모듈 (10)은 개선된 충격-흡수 능력을 가지며 양호한 신호연결 품질을 유지할 수 있다. 한편, 솔더 스폿이 IC 모듈 (10)의 연결 표면에 없으므로, 기능 승인 또는 사이즈 개선 과정이 더욱 단순하고 편리하게 되고 연결체 (312)(도 1에 도시) 접촉점들에 대한 관련 공정을 거칠 필요가 없기 때문에 제조단가를 더욱 내릴 수 있다. 또한, 비-평탄구조의 스프링 스트립 세트는 구리, 알루미늄 또는 기타 금속으로 제조될 수 있어 IC 모듈 (10) 동작 동안 발생되는 열을 방출할 수 있는 개선된 방열 효과를 제공한다. 스프링 스트립 세트 (20)는 탈착식으로 삽입 또는 분 리 상태에서 IC 모듈 (10)과 연결될 수 있다. 본 발명에서 기수된 IC 모듈 (10)은 열경화성 성형화합물로 제조된 모듈일 수 있고 메모리 모듈일 수 있고 및 메모리 모듈은 또한 열경화성 성형화합물로 제조될 수 있다.
정리하면, 일 IC 모듈의 외부 접촉패드 및 다른 IC 모듈의 스위치 접촉패드 사이 전기적 접촉이 제공되도록, 본 발명에서의 IC 모듈은 단일-면 역 교번 접촉방식으로 정렬되어 역 교번 적층 구조체를 가지는 두-층 IC 모듈들을 형성하여, 다수의 IC 모듈들은 연결되고 수평방향으로 연장되어 한정 높이 내에서 메모리 용량을 확장시킬 수 있다. 또한, 일 IC 모듈의 외부 접촉패드는 다른 IC 모듈의 스위치 접촉패드와 비-평탄구조의 스프링 스트립 세트에 의해 전기적으로 연결되므로, IC 모듈들 사이에 개선된 충격-흡수 능력이 제공되어 적층구조체가 응력을 받을 때 양호한 신호연결 품질이 유지될 수 있다. 이러한 IC 모듈들은 비-평탄 구조의 스프링 스트립 세트 장착 및 형상 설계에 의해 개선된 방열 효과를 가진다. 또한 IC 모듈들 연결 표면에 솔더 스폿이 없으므로, 기능 승인 또는 사이즈 개선과정이 더욱 단순하고 편리하며 제조비용이 더욱 절감된다.
따라서 본 발명이 IC 모듈을 접촉시키는 스프링 스트립 세트를 이용하여 IC 모듈들 사이 전도를 제공하는 방식은 종래 패드와의 연결체를 이용하여 전도를 제공한 길이방향 적층구조체 방식과는 전혀 상이한 것이고, 기능 역시 종래 길이방향 적층구조체와는 다르다. 본 발명은 산업에 실제적인 획기적 가치를 제공하며 이에 특허법에 의거 본 출원이 제출된다.
본 발명은 현재 가장 실제적이고 바람직한 실시예들로 간주되는 것을 기술하 였으나, 본 발명은 기재된 실시예에 제한되지 않는다는 것을 이해하여야 한다. 이와는 반대로, 첨부된 청구범위의 사상 및 범위 내에 포함된 다양한 변경 및 유사한 배치들을 포함하는 것이며, 이에 따라 이러한 변경 및 유사 구조체를 포함하도록 광의적으로 해석되어야 한다.
도 1은 종래 IC 모듈의 길이방향 적층구조체를 보이는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 의한 스프링 스트립 사시도이다.
도 3은 본 발명에 의한 IC 모듈의 역 교번 적층구조체를 보이는 단면도이다.
도 4a는 본 발명에 의한 외부 접촉패드와 접촉된 비-평탄 구조의 스프링 스트립을 보이는 단면도이다.
도 4b는 본 발명에 의한 스위치 접촉패드와 접촉된 비-평탄 구조의 스프링 스트립을 보이는 단면도이다.
도 5는 본 발명에 의한 단일 돌출부 형태의 비-평탄 구조체를 보이는 단면도이다.
도 6은 본 발명에 의한 다수의 사각 톱날 형태의 비-평탄 구조체를 보이는 단면도이다.
도 7은 본 발명에 의한 다수의 아치 형태의 비-평탄 구조체를 보이는 단면도이다.
도 8은 본 발명에 의한 다수의 둥근 톱날 형태의 비-평탄 구조체를 보이는 단면도이다.
도 9a는 본 발명에 의한 다수의 범프 형태의 비-평탄 구조체를 보이는 단면도이다.
도 9b는 본 발명에 의한 도 9-1에서의 A-A 단면도이다.

Claims (27)

  1. IC 모듈들의 역 교번 적층구조체에 있어서, 기판, 최소한 하나의 IC 칩 및 하나의 성형체를 가지는 최소한 하나의 IC 모듈; 및 최소한 비-평탄 구조체를 가지는 최소한 하나의 스프링 스트립 세트를 포함하여 구성되며, 기판은 내면 및 외면을 가지고, 최소한 하나의 외부 접촉패드가 외면 일단에 제공되며, 최소한 하나의 스위치 접촉패드가 외면 타단에 제공되며, 외부 접촉패드 및 스위치 접촉패드는 역 대칭패턴으로 배치되며 전기적으로 연결되고, 성형체는 IC 칩을 밀폐하기 위하여 기판의 내면 상에 형성되며, 일 IC 모듈 외부 접촉패드는 스프링 스트립 세트의 비-평탄구조체와 전기적으로 접촉되어 다른 IC 모듈의 스위치 접촉패드와 전기적으로 연결되어 IC 모듈은 역 교번 적층구조체를 형성하는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  2. 제1항에 있어서, IC 모듈은 메모리 모듈인, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  3. 제1항에 있어서, IC 모듈은 열경화성 성형화합물로 제조되는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  4. 제2항에 있어서, IC 모듈은 열경화성 성형화합물로 제조되는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  5. 제1항에 있어서, 스프링 스트립 세트는 스위치 접촉패드 근위부에 IC 모듈 일면과 체결수단에 의해 결합되어 비-평탄구조체는 스위치 접촉패드와 접촉되는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  6. 제1항에 있어서, 스프링 스트립 세트는 외부 접촉패드 근위부에 IC 모듈 일면과 체결수단에 의해 결합되어 비-평탄구조체는 외부 접촉패드와 접촉되는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  7. 제1항에 있어서, 비-평탄구조체는 단일 돌출부를 포함하는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  8. 제5항에 있어서, 비-평탄구조체는 단일 돌출부를 포함하는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  9. 제6항에 있어서, 비-평탄구조체는 단일 돌출부를 포함하는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  10. 제1항에 있어서, 비-평탄구조체는 다수의 사각 톱날을 포함하는, IC 모듈들 의 역 교번 적층구조체.
  11. 제5항에 있어서, 비-평탄구조체는 다수의 사각 톱날을 포함하는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  12. 제6항에 있어서, 비-평탄구조체는 다수의 사각 톱날을 포함하는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  13. 제1항에 있어서, 비-평탄구조체는 다수의 아치를 포함하는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  14. 제5항에 있어서, 비-평탄구조체는 다수의 아치를 포함하는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  15. 제6항에 있어서, 비-평탄구조체는 다수의 아치를 포함하는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  16. 제1항에 있어서, 비-평탄구조체는 다수의 둥근 톱날을 포함하는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  17. 제5항에 있어서, 비-평탄구조체는 다수의 둥근 톱날을 포함하는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  18. 제6항에 있어서, 비-평탄구조체는 다수의 둥근 톱날을 포함하는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  19. 제1항에 있어서, 비-평탄구조체는 다수의 범프를 포함하는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  20. 제5항에 있어서, 비-평탄구조체는 다수의 범프를 포함하는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  21. 제6항에 있어서, 비-평탄구조체는 다수의 범프를 포함하는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  22. 제1항에 있어서, 스프링 스트립 세트는 IC 모듈과 삽입 상태 또는 분리 (detached) 상태에서 연결되는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  23. 제5항에 있어서, 스프링 스트립 세트는 IC 모듈과 삽입 상태 또는 분리 (detached) 상태에서 연결되는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  24. 제6항에 있어서, 스프링 스트립 세트는 IC 모듈과 삽입 상태 또는 분리 (detached) 상태에서 연결되는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  25. 제1항에 있어서, 외부 접촉패드 및 스위치 접촉패드는 금속 접촉부인, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  26. 제1항에 있어서, 스프링 스트립 세트의 비-평탄구조체는 구리로 제조되는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
  27. 제1항에 있어서, 스프링 스트립 세트의 비-평탄구조체는 알루미늄으로 제조되는, IC 모듈들의 역 교번 적층구조체.
KR1020090071929A 2009-06-05 2009-08-05 집적회로 모듈들의 역 교번 적층구조체 KR101011746B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW098118641 2009-06-05
TW098118641A TWI387090B (zh) 2009-06-05 2009-06-05 Reverse staggered stack structure of integrated circuit module

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100131336A KR20100131336A (ko) 2010-12-15
KR101011746B1 true KR101011746B1 (ko) 2011-02-07

Family

ID=42315908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090071929A KR101011746B1 (ko) 2009-06-05 2009-08-05 집적회로 모듈들의 역 교번 적층구조체

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7795720B1 (ko)
EP (1) EP2259312A1 (ko)
JP (1) JP2010283317A (ko)
KR (1) KR101011746B1 (ko)
TW (1) TWI387090B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI406390B (zh) * 2010-02-26 2013-08-21 Walton Advanced Eng Inc High density integrated circuit module structure
EP2983246B1 (de) 2014-08-05 2020-03-04 Aptiv Technologies Limited Elektrische Verbindungsanordnung
CN107785677B (zh) * 2017-10-27 2020-03-06 华勤通讯技术有限公司 一种终端和弹性连接件状态检测方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020089064A1 (en) * 2001-01-08 2002-07-11 Jiahn-Chang Wu Flexible lead surface-mount semiconductor package
KR20050031966A (ko) * 2003-09-30 2005-04-06 산요덴키가부시키가이샤 반도체 칩을 적층한 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR100480437B1 (ko) 2002-10-24 2005-04-07 삼성전자주식회사 반도체 칩 패키지 적층 모듈

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6320253B1 (en) * 1998-09-01 2001-11-20 Micron Technology, Inc. Semiconductor device comprising a socket and method for forming same
US6809721B2 (en) * 1999-04-22 2004-10-26 Gateway, Inc. “Mini-stick” module—new mobiles joystick input device
JP4572467B2 (ja) * 2001-01-16 2010-11-04 株式会社デンソー マルチチップ半導体装置およびその製造方法
JP3923258B2 (ja) * 2001-01-17 2007-05-30 松下電器産業株式会社 電力制御系電子回路装置及びその製造方法
DE10145468C1 (de) * 2001-09-14 2003-01-16 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zum Befestigen von Halbleitereinrichtungen auf einer Schalteinrichtung
US6882546B2 (en) * 2001-10-03 2005-04-19 Formfactor, Inc. Multiple die interconnect system
TWI245385B (en) 2004-04-19 2005-12-11 Advanced Semiconductor Eng Stackable ball grid array package for multi chip module
TWI240394B (en) 2004-10-28 2005-09-21 Advanced Semiconductor Eng Semiconductor package for 3D package
JP4036872B2 (ja) * 2005-05-18 2008-01-23 アルプス電気株式会社 半導体装置の製造方法
US20100165562A1 (en) * 2006-01-12 2010-07-01 Para Kanagasabai Segaram Memory module
TWI295496B (en) * 2006-03-30 2008-04-01 Walton Advanced Eng Inc Brick stack type semiconductor package for memory module
US7270557B1 (en) * 2006-06-12 2007-09-18 Walton Advanced Engineering, Inc. High-density storage device
KR100891516B1 (ko) * 2006-08-31 2009-04-06 주식회사 하이닉스반도체 적층 가능한 에프비지에이 타입 반도체 패키지와 이를이용한 적층 패키지

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020089064A1 (en) * 2001-01-08 2002-07-11 Jiahn-Chang Wu Flexible lead surface-mount semiconductor package
KR100480437B1 (ko) 2002-10-24 2005-04-07 삼성전자주식회사 반도체 칩 패키지 적층 모듈
KR20050031966A (ko) * 2003-09-30 2005-04-06 산요덴키가부시키가이샤 반도체 칩을 적층한 반도체 장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TWI387090B (zh) 2013-02-21
EP2259312A1 (en) 2010-12-08
JP2010283317A (ja) 2010-12-16
TW201044543A (en) 2010-12-16
KR20100131336A (ko) 2010-12-15
US7795720B1 (en) 2010-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5222509B2 (ja) 半導体装置
KR102005313B1 (ko) 반도체 장치
CN101431068B (zh) 半导体封装模块
JP3655242B2 (ja) 半導体パッケージ及び半導体実装装置
US9601450B2 (en) Semiconductor package
KR102327548B1 (ko) 반도체 패키지
US7642632B2 (en) Pad redistribution chip for compactness, method of manufacturing the same, and stacked package using the same
JP4845600B2 (ja) 積層型パッケージ
KR101828386B1 (ko) 스택 패키지 및 그의 제조 방법
US9271388B2 (en) Interposer and package on package structure
JP5709218B2 (ja) 半導体装置、３次元実装型半導体装置、半導体モジュール、電子機器、及びその製造方法
US8040682B2 (en) Semiconductor device
KR101011746B1 (ko) 집적회로 모듈들의 역 교번 적층구조체
TWI495078B (zh) 連接基板及層疊封裝結構
KR101069288B1 (ko) 반도체 패키지
JP4810235B2 (ja) 半導体装置とそれを用いた電子部品モジュール
TWI525787B (zh) 晶片立體堆疊體之散熱封裝構造
KR20220045128A (ko) 반도체 패키지
US11798873B2 (en) Semiconductor assembly
TWI423405B (zh) 具載板之封裝結構
JP2005057271A (ja) 同一平面上に横配置された機能部及び実装部を具備する半導体チップパッケージ及びその積層モジュール
CN209949522U (zh) 电路板、电路板组件以及电子装置
US8044504B2 (en) Semiconductor device including an inner conductive layer which is cut out in the vicinity of a corner
JP2006278863A (ja) 半導体装置及びその製造方法並びに半導体モジュール
KR20080029273A (ko) 스택 패키지 및 이를 이용한 고밀도 멀티 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140124

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150126

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160125

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170124

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180124

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190124

Year of fee payment: 9