KR100987542B1 - 경화성 수지 조성물 및 이를 이용한 인쇄 배선판과 반사판 - Google Patents

경화성 수지 조성물 및 이를 이용한 인쇄 배선판과 반사판 Download PDF

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다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 경화물의 반사율을 더욱 향상시킬 수 있는 경화성 수지 조성물과, 이를 이용한 솔더 레지스트를 갖는 인쇄 배선판 및 해당 수지 조성물을 이용한 반사판을 제공한다.
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지와, 광 중합 개시제와, 광 중합성 단량체와, 알루미나로 표면 처리된 산화티탄과, 황산바륨 및 탈크, 또는 황산바륨 또는 탈크와, 유기 용제를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

경화성 수지 조성물 및 이를 이용한 인쇄 배선판과 반사판 {CURABLE RESIN COMPOSITION, AND PRINTED CIRCUIT BOARD AND REFLECTION PLATE USING THE SAME}
본 발명은 경화성 수지 조성물 및 이를 이용한 인쇄 배선판과 반사판에 관한 것이다. 특히, 인쇄 배선판의 영구 마스크로서의 사용에 적합하고, 고반사율의 솔더 레지스트를 형성할 수 있는 경화성 수지 조성물에 관한 것이다. 또한, 회로 형성된 기재의 표면에, 이 경화성 수지 조성물을 이용하여 솔더 레지스트 패턴을 형성하여 이루어지는 인쇄 배선판 및 기재에 이 경화성 수지 조성물을 이용하여 반사 패턴(경화물)을 형성하여 이루어지는 반사판에 관한 것이다.
인쇄 배선판은, 일반적으로 적층판에 접합시킨 동박의 불필요한 부분을 에칭에 의해 제거하여 회로 배선을 형성한 것이고, 전자 부품이 납땜에 의해 소정의 장소에 배치되어 있다. 이러한 인쇄 배선판에는 전자 부품을 납땜할 때의 회로의 보호막으로서, 기재에 도포하여 경화시켜 형성하는 솔더 레지스트가 사용되고 있다.
이 솔더 레지스트는, 납땜시에 땜납이 인쇄 배선판의 불필요한 부분에 부착되는 것을 방지함과 동시에, 회로 도체가 공기에 직접 노출되는 것에 의한, 산소나 습분(濕分)에 의한 열화를 방지한다. 또한, 솔더 레지스트는 인쇄 배선판의 영구 보호막으로서도 기능한다. 이 때문에, 솔더 레지스트에는 밀착성, 전기 절연성, 땜납 내열성, 내용제성, 내약품성 등의 여러가지 특성이 요구된다.
또한, 인쇄 배선판은 고밀도화 실현을 위해, 미세화(파인화), 다층화 및 원보드화(one board)화의 일로를 걷고 있고, 그 실장 방식도 표면 실장 기술(SMT)로 추이하고 있다. 이 때문에, 솔더 레지스트도 파인화, 고해상성, 고정밀도, 고신뢰성의 요구가 높아지고 있다.
이러한 솔더 레지스트의 패턴을 형성하는 기술로는, 미세한 패턴을 정확하게 형성할 수 있는 포토리소그래피법이 이용되고 있다. 특히 환경면의 배려 등으로부터, 알칼리 현상형의 포토리소그래피법이 주류를 이루고 있다(특허 문헌 1, 2 참조).
한편, 최근 휴대용 단말기, 개인용 컴퓨터, 텔레비젼 등의 액정 디스플레이의 백 라이트, 또한 조명 기구의 광원 등, 저전력으로 발광하는 발광 다이오드(LED)를, 솔더 레지스트를 갖는 인쇄 배선판에 직접 실장하는 용도가 늘어나고 있다.
이에 대해서는, LED의 광을 효율적으로 이용하기 위해서, 여러가지 고반사율의 솔더 레지스트가 제안되어 있다. 예를 들면, 특정한 산화티탄을 이용함으로써, 열화 특성을 향상시킨 솔더 레지스트가 제안되어 있다(특허 문헌 3 참조).
그러나, 특허 문헌 3에 기재된 수지 조성물은 열화 특성의 개선을 목적으로 한 것으로, 추가적인 반사율의 향상에는 한계가 있었다.
또한, 이러한 반사 특성을 개선한 도막 패턴은 디스플레이 용도 등의 반사판 용도로서도 기대된다.
일본 특허 공고 (평)1-54390호 일본 특허 공고 (평)7-17737호 일본 특허 공개 제2007-322546호
본 발명의 목적은, 그 경화물의 반사율을 더욱 향상시킬 수 있는 경화성 수지 조성물과, 이를 이용한 솔더 레지스트를 갖는 인쇄 배선판과 반사판을 제공하는 것에 있다.
발명자들은, 상기 목적의 실현을 위해 예의 연구한 결과, 알루미나로 표면 처리된 산화티탄과, 황산바륨 및 탈크, 또는 황산바륨 또는 탈크를 병용함으로써, 수지 조성물의 경화물의 반사율을 더욱 향상시킬 수 있는 것을 발견하여 본 발명에 상도하였다.
즉, 본 발명의 경화성 수지 조성물은 1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지와, 광 중합 개시제와, 광 중합성 단량체와, 알루미나로 표면 처리된 산화티탄과, 황산바륨 및 탈크, 또는 황산바륨 또는 탈크와, 유기 용제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 그의 경화물의 반사율을 더욱 향상시킬 수 있는 경화성 수지 조성물을 제공할 수 있다. 따라서 그 결과, 본 발명의 경화성 수지 조성물은 고반사율의 솔더 레지스트나 반사판의 용도에 유용하다.
이하, 본 발명의 경화성 수지 조성물(이하, 간단히 "수지 조성물"이라고도 함)의 각 구성 성분에 대해서 구체적으로 설명한다.
1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지로는, 1 분자 내에 광 경화성을 위한 에틸렌성 불포화기와 약 알칼리 수용액에 의한 현상을 가능하게 하는 카르복실기를 갖는 수지이면 사용 가능하고, 특정한 것으로 한정되지 않는다. 이러한 1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지로는, 이하에 열거하는 수지(올리고머 또는 중합체 중 어느 하나일 수도 있음)를 바람직하게 사용할 수 있다. 즉,
(1) 카르복실기 함유 (메트)아크릴계 공중합 수지에, 1 분자 내에 옥시란환과 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 감광성의 카르복실기 함유 수지,
(2) 1 분자 내에 각각 1개의 에폭시기 및 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과의 공중합체에, 불포화 모노카르복실산을 반응시켜 생성된 제2급의 수산기에 대하여, 포화 또는 불포화 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 감광성의 카르복실기 함유 수지,
(3) 수산기 함유 중합체에 대하여 포화 또는 불포화 다염기산 무수물을 반응시킨 후, 이 반응에 의해 생성된 카르복실산에 대하여 1 분자 내에 각각 1개의 에폭시기 및 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 감광성의 수산기 및 카르복실기 함유 수지이다.
이들 중에서도, 상기 (1)에 기재된 감광성의 카르복실기 함유 수지이고, (a) 카르복실기 함유 (메트)아크릴계 공중합 수지와, (b) 1 분자 내에 옥시란환과 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기를 갖는 공중합계 수지가 바람직하다.
이 경우, 특히 (b) 1 분자 내에 옥시란환과 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물로서, 지방족 중합성 단량체로부터 생성되는 화합물을 이용하면, 상기 수지의 방향환으로부터 기인하는 광에 의한 열화도 억제되기 때문에 바람직하다.
(a) 카르복실기 함유 (메트)아크릴계 공중합 수지는 (메트)아크릴산에스테르와, 1 분자 내에 1개의 불포화기와 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 화합물을 공중합시켜 얻어진다. 상기 (a)를 구성하는 (메트)아크릴산에스테르로는 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산알킬에스테르류, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트 등의 수산기 함유 (메트)아크릴산에스테르류, 메톡시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 이소옥틸옥시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트 등의 글리콜 변성 (메트)아크릴레이트류 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용할 수도, 2종 이상을 혼합하여 이용할 수도 있다. 또한, 본 명세서 중에서 (메트)아크릴레이트란, 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 총칭하는 용어이고, 다른 유사한 표현에 대해서도 마찬가지이다.
또한, 상기 (a)를 구성하는 1 분자 내에 1개의 불포화기와 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 화합물로는 아크릴산, 메타크릴산, 불포화기와 카르복실산 사이가 쇄연장된 변성 불포화 모노카르복실산, 예를 들면 β-카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 2-아크릴로일옥시에틸숙신산, 2-아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈산, 락톤 변성 등에 의해 에스테르 결합을 갖는 불포화 모노카르복실산, 에테르 결합을 갖는 변성 불포화 모노카르복실산, 또한 말레산 등의 카르복실기를 분자 중에 2개 이상 포함하는 것 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용할 수도, 2종 이상을 혼합하여 이용할 수도 있다.
(b) 1 분자 내에 옥시란환과 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물로는, 특히 지방족 단량체로부터 생성되는 화합물을 이용하는 것이 바람직하다. 그의 구체예로는 글리시딜(메트)아크릴레이트, α-메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실에틸(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실부틸(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸아미노아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용할 수도 2종 이상을 혼합하여 이용할 수도 있다.
1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지는, 그의 산가가 50 내지 200 mgKOH/g의 범위에 있는 것이 필요하다. 해당 산가가 50 mgKOH/g 미만인 경우에는, 약 알칼리 수용액에서의 수지 조성물의 미노광 부분의 제거가 어렵다. 또한, 해당 산가가 200 mgKOH/g를 초과하면, 수지 조성물의 경화물의 내수성, 전기 특성이 떨어지는 등의 문제가 있다.
또한, 해당 수지의 중량 평균 분자량은 5,000 내지 100,000의 범위에 있는 것이 바람직하다. 해당 중량 평균 분자량이 5,000 미만이면 수지 조성물의 도막의 지촉 건조성이 현저히 떨어지는 경향이 있다. 또한, 해당 중량 평균 분자량이 100,000을 초과하면 수지 조성물의 현상성, 저장 안정성이 현저히 악화되는 문제를 일으키기 때문에 바람직하지 않다.
본 발명에 이용되는 광 중합 개시제로는 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 등의 벤조인과 벤조인알킬에테르류; 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 1,1-디클로로아세토페논, 2-히드록시-1-{4-(2-히드록시-2-메틸-프로피오닐)-2-메틸-프로판-1-온 등의 아세토페논류; 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, N,N-디메틸아미노아세토페논, 2-(디메틸아미노)-2-{(4-메틸페닐)메틸}-1-{4-(4-모르포닐)페닐}-1-부타논 등의 아미노아세토페논류; 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논 등의 안트라퀴논류; 2,4-디메틸티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤류; 아세토페논디메틸케탈, 벤질디메틸케탈 등의 케탈류; 벤조페논, 4,4'-비스디에틸아미노벤조페논 등의 벤조페논류 또는 크산톤류; 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드나, 2-트리클로로메틸-5-스티릴-1,3,4-옥사디아졸, 2-트리클로로메틸-5-(p-시아노스티릴)-1,3,4-옥사디아졸 등의 할로메틸옥사디아졸계 화합물; 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(p-메톡시-페닐비닐)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-p-메톡시스티릴-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(1-p-디메틸아미노페닐-1,3-부타디에닐)-s-트리아진 등의 할로메틸-s-트리아진계 화합물, 1,2-옥탄디온, 1-[-4-(페닐티오)-, 2-(O-벤조일옥심)], 에타논, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 등을 들 수 있다.
또한 광 중합 개시제로는, 특히 비스아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제와 모노아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제를 병용하는 것이 바람직하다.
비스아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제로는 비스-(2,6-디클로로벤조일)페닐포스핀옥사이드, 비스-(2,6-디클로로벤조일)-2,5-디메틸페닐포스핀옥사이드, 비스-(2,6-디클로로벤조일)-4-프로필페닐포스핀옥사이드, 비스-(2,6-디클로로벤조일)-1-나프틸포스핀옥사이드, 비스-(2,6-디메톡시벤조일)페닐포스핀옥사이드, 비스-(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥사이드, 비스-(2,6-디메톡시벤조일)-2,5-디메틸페닐포스핀옥사이드, 비스-(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, (2,5,6-트리메틸벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥사이드 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 비스-(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드(시바 재팬(주)(Ciba Japan K. K.) 제조, 상품명; 이르가큐어(IRGACURE) 819)가 입수하기 쉬워 실용적이다.
모노아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제로는 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 2,6-디메톡시벤조일디페닐포스핀옥사이드, 2,6-디클로로벤조일디페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일페닐포스핀산메틸에스테르, 2-메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 피발로일페닐포스핀산이소프로필에스테르 등을 들 수 있다. 그 중에서도 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드(시바 재팬(주) 제조, 상품명; 다로큐어(DAROCUR) TPO)가 입수하기 쉬워 실용적이다.
상기 비스아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제와 상기 모노아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제를 병용함으로써, 산화티탄을 배합한 고반사율의 도막에서도 필요한 광을 흡수할 수 있고, 고정밀한 패턴 형성이 가능해진다. 또한, 이들 배합 비율을 변경함으로써, 수지 조성물의 감광성의 미조정이 가능해진다. 즉, 패턴의 단면 형상으로 기재면측의 심부의 경화성이 부족하여 언더컷이 나오기 쉬울 때에는, 상기 비스아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제의 비율을 크게 한다. 또한, 도막의 표면 경화성이 부족했기 때문에, 현상 후에 도막의 표면 상태가 나쁠 때에는, 상기 모노아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제의 비율을 크게 한다.
광 중합 개시제의 배합량은, 1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 1 내지 30 질량부, 보다 바람직하게는 2 내지 25 질량부이다. 해당 배합량이 1 질량부 미만인 경우, 수지 조성물의 광 경화성이 저하되고, 노광·현상 후의 패턴 형성이 곤란해지기 때문에 바람직하지 않다. 한편, 해당 배합량이 30 질량부를 초과하는 경우, 광 중합 개시제 유래의 도막의 착색이 커지고, 또한 단가 상승의 원인이 되기 때문에 바람직하지 않다.
본 발명에 이용되는 광 중합성 단량체로는 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시부틸아크릴레이트 등의 히드록시알킬아크릴레이트류; 에틸렌글리콜, 메톡시테트라에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 글리콜의 모노 또는 디아크릴레이트류; N,N-디메틸아크릴아미드, N-메틸올아크릴아미드 등의 아크릴아미드류; N,N-디메틸아미노에틸아크릴레이트 등의 아미노알킬아크릴레이트류; 헥산디올, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨, 트리스-히드록시에틸이소시아누레이트 등의 다가 알코올 또는 이들 에틸렌옥사이드 또는 프로필렌옥사이드 부가물의 다가 아크릴레이트류; 페녹시아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트 및, 이들 페놀류의 에틸렌옥사이드 또는 프로필렌옥사이드 부가물 등의 아크릴레이트류; 글리세린디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르 등의 글리시딜에테르의 아크릴레이트류; 멜라민아크릴레이트; 및/또는 상기 아크릴레이트류에 대응하는 메타크릴레이트류 등을 들 수 있다.
이들 광 중합성 단량체의 배합량은, 1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 10 내지 100 질량부, 보다 바람직하게는 20 내지 80 질량부이다. 해당 배합량이 100 질량부를 초과하면 경화물의 솔더 레지스트로서의 물성이 저하되어 바람직하지 않다. 한편, 해당 배합량이 10 질량부 미만이면 수지 조성물에 충분한 광 경화성이 없어, 고정밀한 패턴이 얻어지지 않는다.
알루미나로 표면 처리된 산화티탄은 아나타제형 산화티탄, 루틸형 산화티탄 중 어느 것도 사용할 수 있다. 특히 루틸형 산화티탄이 바람직하다. 아나타제형 산화티탄은, 루틸형 산화티탄과 비교하여 자외선 영역의 단파장측에서의 반사율이 높기 때문에, 백색도와 반사율의 관점에서는 백색 안료로서 바람직하다. 그러나, 아나타제 산화티탄은 광 촉매 활성을 갖기 때문에, 이 광활성에 의해 수지 조성물 중 수지의 변색을 야기하는 경우가 있다. 이에 대하여, 루틸형 산화티탄은 아나타제형 산화티탄과 비교하여, 자외선 영역의 단파장측에서의 반사율이 떨어지지만, 광활성을 거의 갖지 않기 때문에, 수지 조성물 중 수지의 열화를 억제할 수 있어, 안정된 경화물을 얻을 수 있다.
또한, 루틸형 산화티탄 중에서도 염소법으로 제조한 것이, 수지의 열화를 더욱 억제하기 때문에 특히 바람직하다.
알루미나로 표면 처리된 루틸형 산화티탄으로는 타이페크(TIPAQUE) R-820, 타이페크 R-830, 타이페크 R-930, 타이페크 R-550, 타이페크 R-630, 타이페크 R-680, 타이페크 R-670, 타이페크 R-680, 타이페크 R-670, 타이페크 R-780, 타이페크 R-850, 타이페크 CR-50, 타이페크 CR-57, 타이페크 CR-80, 타이페크 CR-90, 타이페크 CR-93, 타이페크 CR-95, 타이페크 CR-97, 타이페크 CR-60, 타이페크 CR-63, 타이페크 CR-67, 타이페크 CR-58, 타이페크 CR-85, 타이페크 UT771(이시하라 산교(주)(Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd.) 제조), 타이퓨어(Ti-Pure) R-100, 타이퓨어 R-101, 타이퓨어 R-102, 타이퓨어 R-103, 타이퓨어 R-104, 타이퓨어 R-105, 타이퓨어 R-108, 타이퓨어 R-900, 타이퓨어 R-902, 타이퓨어 R-960, 타이퓨어 R-706, 타이퓨어 R-931(듀퐁(주)(Du Pont Kabushiki Kaisha) 제조), 티톤(TITON) R-25, 티톤 R-21, 티톤 R-32, 티톤 R-7E, 티톤 R-5N, 티톤 R-61N, 티톤 R-62N, 티톤 R-42, 티톤 R-45M, 티톤 R-44, 티톤 R-49S, 티톤 GTR-100, 티톤 GTR-300(사카이 가가꾸 고교(주)(Sakai Chemical Industry Co., Ltd.) 제조), 티타닉스(TITANIX) JR-300, 티타닉스 JR-403, 티타닉스 JR-405, 티타닉스 JR-600A, 티타닉스 JR-600E, 티타닉스 JR-602, 티타닉스 JR-602S, 티타닉스 JR-603, 티타닉스 JR-805(태이카(주)(Tayca Corporation) 제조) 등을 사용할 수 있다.
또한, 알루미나로 표면 처리된 아나타제형 산화티탄으로는, 타이페크 A-220(이시하라 산교(주) 제조), 티타닉스 JA-4(태이카(주) 제조) 등을 들 수 있다.
알루미나로 표면 처리된 산화티탄은, 알루미나로 표면 처리한 후에 또 다른 물질로 표면 처리를 할 수도 있다. 본 발명에서는, 특히 알루미나로 표면 처리된 산화티탄을, 추가로 지르코니아로 표면 처리함으로써 산화티탄의 반사율을 한층 향상시킬 수 있다.
상기 산화티탄 중에서, 알루미나로 표면 처리한 후에 지르코니아로 표면 처리한 산화티탄으로는 타이페크 CR-57, 타이페크 CR-97, 타이페크 CR-67(이시하라 산교(주) 제조), R-61N, GTR-100, GTR-300(사카이 가가꾸 고교(주) 제조), 티타닉스 JR-603(태이카(주) 제조)을 들 수 있다.
알루미나로 표면 처리된 산화티탄(추가로 지르코니아로 표면 처리된 것을 포함함)의 배합량은, 수지 조성물에 포함되는 불휘발분 100 질량부에 대하여 바람직하게는 30 내지 80 질량부, 보다 바람직하게는 30 내지 70 질량부이다. 해당 배합량이 80 질량부를 초과하면, 수지 조성물의 광 경화성이 저하되고, 경화 심도가 낮아져 바람직하지 않다. 한편, 해당 배합량이 30 질량부 미만이면, 수지 조성물의 은폐력이 작아 고반사율의 도막을 얻을 수 없다.
본 발명에서 사용되는 황산바륨 및 탈크, 또는 황산바륨 또는 탈크는 알루미나로 표면 처리된 산화티탄과의 병용으로, 수지 조성물의 반사율의 향상에 기여하는 것이다.
이러한 황산바륨으로는, 침강성 황산바륨 #100, 침강성 황산바륨 #300, 침강성 황산바륨 SS-50, 바리에이스(BARIACE) B-30, 바리에이스 B-31, 바리에이스 B-32, 바리에이스 B-33, 바리에이스 B-34, 바리파인(BARIFINE) BF-1, 바리파인 BF-10, 바리파인 BF-20, 바리파인 BF-40(사카이 가가꾸 고교(주) 제조), W-1, W-6, W-10, C-300(다케하라 가가꾸 고교 (주)(Takehara Kagaku Kogyo Co., Ltd.) 제조) 등을 들 수 있다.
황산바륨의 배합량은 1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.5 내지 50 질량부, 보다 바람직하게는 1 내지 30 질량부이다. 해당 배합량이 0.5 질량부 미만이면, 알루미나로 표면 처리된 산화티탄과의 병용에 의한 반사율의 향상에 기여하지 않는다. 또한 해당 배합량이 50 질량부를 초과하면, 상대적으로 해당 산화티탄의 농도가 적어지기 때문에 반사율이 저하되어 간다.
탈크로는 LMS-100, LMS-200, LMS-300, LMS-3500, LMS-400, LMP-100, PKP-53, PKP-80, PKP-81(후지 탈크 고교(주)(FUJI TALC INDUSTRIAL CO., LTD.) 제조), D-600, D-800, D-1000, P-2, P-3, P-4, P-6, P-8, SG-95(닛본 탈크(주)(Nippon Talc Co., Ltd.) 제조) 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 복수개 조합하여 사용할 수 있다.
탈크의 배합량은 1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.5 내지 50 질량부, 보다 바람직하게는 1 내지 30 질량부이다. 해당 배합량이 0.5 질량부 미만이면, 알루미나로 표면 처리된 산화티탄과의 병용에 의한 반사율의 향상에 기여하지 않는다. 또한 해당 배합량이 50 질량부를 초과하면, 상대적으로 해당 산화티탄의 농도가 적어지기 때문에 반사율이 저하되어 간다.
본 발명에서 사용되는 유기 용제는, 경화성 수지 조성물을 도포하기 쉬운 상태로 하고, 기재에 도포한 후 이를 건조시켜 도막을 형성하기 위해서 이용된다. 이러한 유기 용제로는 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; 톨루엔, 크실렌, 테트라메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소류; 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 메틸카르비톨, 부틸카르비톨, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디프로프렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 글리콜에테르류; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 및 상기 글리콜에테르류의 에스테르화물 등의 에스테르류; 에탄올, 프로판올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알코올류; 옥탄, 데칸 등의 지방족 탄화수소류; 석유 에테르, 석유 나프타, 수소 첨가 석유 나프타, 용매 나프타 등의 석유계 용제 등을 들 수 있다.
상기 유기 용제는 단독으로 또는 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수 있다. 유기 용제의 배합량은 1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지 100 질량부에 대하여 20 내지 300 질량부가 바람직하다.
본 발명의 경화성 수지 조성물은, 인쇄 배선판의 솔더 레지스트 용도와 같이 경화물에 내열성이 필요한 경우에는, 수지 조성물에 에폭시 화합물을 배합하여 열 경화성을 부여함으로써 내열성을 얻을 수 있다.
이러한 에폭시 화합물로는 비스페놀 S형 에폭시 수지, 디글리시딜프탈레이트 수지, 트리글리시딜이소시아누레이트(예를 들면 닛산 가가꾸(주)(Nissan Chemical Industries, Ltd.) 제조의 TEPIC-H(S-트리아진환 골격면에 대하여 3개의 에폭시기가 동일한 방향으로 결합한 구조를 갖는 β체)나, TEPIC(β체와, S-트리아진환 골격면에 대하여 1개의 에폭시기가 다른 2개의 에폭시기와 다른 방향으로 결합한 구조를 갖는 α체와의 혼합물) 등) 등의 복소환식 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 테트라글리시딜크실레노일에탄 수지 등의 희석제에 난용성의 에폭시 수지나, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 또는 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 비스페놀 A의 노볼락형 에폭시 수지, 킬레이트형 에폭시 수지, 글리옥살형 에폭시 수지, 아미노기 함유 에폭시 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔페놀릭형 에폭시 수지, 실리콘 변성 에폭시 수지, ε-카프로락톤 변성 에폭시 수지 등의 희석제에 가용성인 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 에폭시 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
이러한 에폭시 화합물의 배합량은 1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 5 내지 70 질량부, 보다 바람직하게는 5 내지 60 질량부이다. 에폭시 화합물의 배합량이 70 질량부를 초과하면, 수지 조성물의 현상액에서의 미노광 부분의 용해성이 저하되고, 현상 잔여물이 발생하기 쉬워지기 때문에, 실용상 사용하는 것이 어렵다. 한편, 해당 배합량이 5 질량부 미만이면, 1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지의 카르복실기가 미반응된 상태로 경화물에 잔존하기 때문에, 솔더 레지스트로서 사용하는 경우는, 경화물의 내열성이 충분히 얻기 어려워지는 경향이 있다.
1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지의 카르복실기와 에폭시 화합물의 에폭시기는 개환 중합에 의해 반응한다. 이 경우, 유기 용제나 수지 조성물 중 다른 물질에 대하여 용해 용이성의 에폭시 수지를 수지 조성물에 이용한 경우, 수지 조성물의 도막을 형성할 때의 건조시의 열에 의해, 상기 카르복실기와 에폭시기의 가교가 진행되기 쉽다. 이 때문에, 해당 가교 반응을 억제하여 건조 시간을 길게 잡고자 하는 경우에는, 유기 용제나 수지 조성물의 다른 물질에 대하여 난용성의 에폭시 수지를 단독으로, 또는 용해 용이성의 에폭시 수지와 함께 이용하는 것이 바람직하다.
본 발명에서는, 수지 조성물의 도막에 가해진 열이 원인인 열화에 의한 변색을 적게 할 목적으로, 산화 방지제를 배합할 수 있다. 상기 산화 방지제로는 힌더드 페놀계 화합물이 바람직하지만, 특별히 한정되는 것은 아니다. 힌더드 페놀계 화합물로는, 예를 들면 노크락(NOCRAC) 200, 노크락 M-17, 노크락 SP, 노크락 SP-N, 노크락 NS-5, 노크락 NS-6, 노크락 NS-30, 노크락 300, 노크락 NS-7, 노크락 DAH(오우치 신꼬 가가꾸 고교(주)(OUCHI SHINKO CHEMICAL INDUSTRIAL CO., LTD) 제조); MARK AO-30, MARK AO-40, MARK AO-50, MARK AO-60, MARK AO-616, MARK AO-635, MARK AO-658, MARK AO-15, MARK AO-18, MARK 328, MARK AO-37(아데카 아거스 가가꾸(주)(Adeka Argus Chemical Co., Ltd.) 제조); 이르가녹스(IRGANOX) 245, 이르가녹스 259, 이르가녹스 565, 이르가녹스 1010, 이르가녹스 1035, 이르가녹스 1076, 이르가녹스 1081, 이르가녹스 1098, 이르가녹스 1222, 이르가녹스 1330, 이르가녹스 1425WL(시바 재팬(주) 제조) 등을 들 수 있다.
상기 산화 방지제의 배합량은, 1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지 100 질량부에 대하여 바람직하게는 25 질량부 이하, 보다 바람직하게는 0.4 내지 15 질량부이다. 해당 배합량이 0.4 질량부 미만이면 수지 조성물의 도막에 가해진 열이 원인인 열화에 의한 변색 방지 효과가 적다. 해당 배합량이 25 질량부를 초과하면 수지 조성물의 현상성의 저하를 일으켜, 패터닝에 문제가 발생한다.
또한, 본 발명의 경화성 수지 조성물에 있어서는, 힌더드 아민계 광 안정제를 함유시킴으로써, 수지 조성물의 광열화를 감소시킬 수 있다.
힌더드 아민계 광 안정제로는, 예를 들면 티누빈(TINUVIN) 622LD, 티누빈 144; 치마솔브(CHIMASSORB) 944LD, 치마솔브 119FL(시바 재팬(주) 제조); MARK LA-57, LA-62, LA-67, LA-63, LA-68((주)아데카(ADEKA) 제조) 등을 들 수 있다.
상기 힌더드 아민계 광 안정제는 1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지 100 질량부에 대하여 0.1 내지 10 질량부 첨가하는 것이 바람직하다.
본 발명의 경화성 수지 조성물에 있어서는 분산제를 함유시킴으로써, 산화티탄의 분산성, 침강성을 개선할 수 있다. 예를 들면, 안티-테라(ANTI-TERRA)-U, 안티-테라-U100, 안티-테라-204, 안티-테라-205, 디스퍼빅(DISPERBYK)-101, 디스퍼빅-102, 디스퍼빅-103, 디스퍼빅-106, 디스퍼빅-108, 디스퍼빅-109, 디스퍼빅-110, 디스퍼빅-111, 디스퍼빅-112, 디스퍼빅-116, 디스퍼빅-130, 디스퍼빅-140, 디스퍼빅-142, 디스퍼빅-145, 디스퍼빅-161, 디스퍼빅-162, 디스퍼빅-163, 디스퍼빅-164, 디스퍼빅-166, 디스퍼빅-167, 디스퍼빅-168, 디스퍼빅-170, 디스퍼빅-171, 디스퍼빅-174, 디스퍼빅-180, 디스퍼빅-182, 디스퍼빅-183, 디스퍼빅-185, 디스퍼빅-184, 디스퍼빅-2000, 디스퍼빅-2001, 디스퍼빅-2009, 디스퍼빅-2020, 디스퍼빅-2025, 디스퍼빅-2050, 디스퍼빅-2070, 디스퍼빅-2096, 디스퍼빅-2150, BYK-P104, BYK-P104S, BYK-P105, BYK-9076, BYK-9077, BYK-220S(빅케미·재팬(주)(BYK Japan KK) 제조), 디스팔론(DISPARLON) 2150, 디스팔론 1210, 디스팔론 KS-860, 디스팔론 KS-873N, 디스팔론 7004, 디스팔론 1830, 디스팔론 1860, 디스팔론 1850, 디스팔론 DA-400N, 디스팔론 PW-36, 디스팔론 DA-703-50(구스모또 가세이(주)(Kusumoto Chemicals, Ltd.) 제조), 플로렌(FLOWLEN) G-450, 플로렌 G-600, 플로렌 G-820, 플로렌 G-700, 플로렌 DOPA-44, 플로렌 DOPA-17(교에이샤 가가꾸(주)(Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) 제조)을 들 수 있다.
분산제의 배합량은, 산화티탄 100 질량부에 대하여 0.1 내지 10 질량부, 바람직하게는 0.5 내지 5 질량부이다.
또한, 수지 조성물에는 필요에 따라서, 경화 촉진제, 열 중합 금지제, 증점제, 소포제, 레벨링제, 커플링제, 난연 보조제 등을 사용할 수 있다.
이하에 본 발명의 경화성 수지 조성물의 사용의 일례로서, 수지 조성물을 솔더 레지스트에 사용하는 경우의 인쇄 배선판의 제조에 대해서 설명한다. 또한, 본 발명이 솔더 레지스트 이외에도 반사판 등의 용도에 이용되는 것은 물론이다.
우선, 본 발명의 경화성 수지 조성물을 필요에 따라서 희석하고, 도포 방법에 알맞은 점도로 조정한다.
이어서, 이 점도 조정한 수지 조성물을 회로 형성된 인쇄 배선판에 스크린 인쇄법, 커튼 코팅법, 분무 코팅법, 롤 코팅법 등의 방법에 의해 도포한다. 그리고, 해당 도포한 수지 조성물에 포함되는 유기 용제를, 예를 들면 70 내지 90 ℃의 온도로 휘발 건조시킴으로써, 태크프리의 도막을 형성한다.
그 후, 해당 도막을 포토마스크를 통과시켜 선택적으로 활성 에너지선에 의해 노광한다. 그리고, 도막 중 미노광부를 알칼리 수용액에 의해 현상하여 레지스트 패턴을 형성한다. 추가로 이 레지스트 패턴을 100 내지 200 ℃에서 열 경화함으로써, 솔더 레지스트 패턴을 형성하여 이루어지는 본 발명의 인쇄 배선판을 제조할 수 있다.
또한, 상기 노광하기 위한 조사 광원으로는 저압 수은등, 중압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 크세논 램프 또는 메탈할라이드 램프 등을 사용할 수 있다. 기타, 레이저 광선 등도 활성 광선으로서 이용할 수 있다.
현상액인 알칼리 수용액으로는 0.5 내지 5 질량%의 탄산나트륨 수용액이 일반적으로 이용되지만, 다른 알칼리 수용액을 사용하는 것도 가능하다. 다른 알칼리 수용액으로는, 예를 들면 수산화칼륨, 수산화나트륨, 탄산칼륨, 인산나트륨, 규산나트륨, 암모니아, 아민류 등의 알칼리 수용액을 들 수 있다.
이상, 본 발명에 따른 인쇄 배선판이나 반사판은, 반사율이 높은 산화티탄을 함유하는 본 발명의 경화성 수지 조성물을 이용하여 제작되기 때문에, 고반사율로 고정밀한 패턴을 갖는다.
<실시예>
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 이것으로 한정되는 것이 아닌 것은 물론이다.
수지 용액 1의 합성:
교반기, 온도계, 환류 냉각기, 적하 깔때기 및 질소 도입관을 구비한 2 ℓ 세퍼러블 플라스크에, 용매로서 디에틸렌글리콜디메틸에테르 900 g 및 중합 개시제로서 t-부틸퍼옥시2-에틸헥사노에이트(노프(주)(NOF CORPORATION) 제조, 상품명; 퍼부틸(PERBUTYL) O) 21.4 g을 가하여 90 ℃로 가열하였다. 가열 후, 해당 플라스크에 메타크릴산 309.9 g과, 메타크릴산메틸 116.4 g과, 락톤 변성 2-히드록시에틸메타크릴레이트(다이셀 가가꾸 고교(주)(DAICEL CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.)) 제조, 상품명; 플락셀(PLACCEL) FM1) 109.8 g을, 중합 개시제인 비스(4-t-부틸시클로헥실)퍼옥시디카르보네이트(노프(주) 제조, 상품명; 퍼로일(PEROYL) TCP) 21.4 g과 함께 3 시간에 걸쳐 적하하여 가하였다. 그 후, 이를 추가로 6 시간 동안 숙성함으로써, 카르복실기 함유 공중합 수지를 얻었다. 또한, 해당 반응은 질소 분위기하에서 행하였다.
이어서, 얻어진 상기 카르복실기 함유 공중합 수지에 3,4-에폭시시클로헥실메틸아크릴레이트(다이셀 가가꾸(주) 제조, 상품명; 사이클로머(CYCLOMER) A200) 363.9 g, 개환 촉매로서 디메틸벤질아민 3.6 g, 중합억제제로서 하이드로퀴논모노메틸에테르 1.80 g을 가하였다. 그리고 이를 100 ℃로 가열하고, 교반함으로써 에폭시의 개환 부가 반응을 행하였다. 16 시간 후, 고형분의 산가가 108.9 mgKOH/g, 중량 평균 분자량이 25,000인, 방향환을 갖지 않는 카르복실기 함유 수지를 53.8 질량%(불휘발분) 포함하는 용액을 얻었다. 이하, 이 반응 용액을 수지 용액 1이라 부른다.
실시예 1 내지 9 및 비교예 1 내지 8의 배합:
표 1에 따라서 각 성분을 배합, 교반하여 3축 롤로 분산시킴으로써, 각각의 경화성 수지 조성물을 제작하였다. 표 중 숫자는 질량부를 나타낸다.
Figure 112010012258924-pat00001
광 중합 개시제 1: 비스-(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 이르가큐어 819(시바 재팬(주) 제조)
광 중합 개시제 2: 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드
광 중합성 단량체: 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트
산화티탄 1(알루미나로 표면 처리 루틸형): 티타닉스 JR-600E(태이카(주) 제조)
산화티탄 2(알루미나+지르코니아로 표면 처리 루틸형): 티타닉스 JR-603(태이카(주) 제조)
산화티탄 3(표면 처리 없음 루틸형): 티타닉스 JR(태이카(주) 제조)
황산바륨: 침강성 황산바륨 #100(사카이 가가꾸 고교(주) 제조)
탈크: LMS-200(후지 탈크 고교(주) 제조)
실리카: FB-3SDC(덴키 가가꾸 고교(주)(DENKI KAGAKU KOGYO KABUSHIKI KAISHA) 제조)
유기 용제: 카르비톨아세테이트
에폭시 화합물(비페닐형): YX-4000(재팬 에폭시 레진(주)(Japan Epoxy Resins Co., Ltd.) 제조)
경화제: 디시안디아미드
소포제(실리콘 오일): KS-66(신에쯔 실리콘(Shin-Etsu Silicones) 제조)
실시예 1 내지 9 및 비교예 1 내지 8의 각 경화성 수지 조성물에 대해서, 이하와 같은 솔더 레지스트의 여러가지 성질을 시험하고 평가하였다.
(1) 반사율
실시예 1 내지 9, 비교예 1 내지 8의 경화성 수지 조성물을 100 mm×150 mm의 크기로 1.6 mm 두께의 FR-4 동장 적층판에, 스크린 인쇄법으로 막 두께 40 ㎛가 되도록, 100메쉬 폴리에스테르(바이어스 제조)의 판을 사용하여 베타(기판 전체면)로 패턴을 인쇄하였다. 그리고, 이들을 80 ℃에서 30 분간에 걸쳐 열풍 순환식 건조로로 건조시켰다. 그 후, 이들을 인쇄 배선판용 노광기 HMW-680GW((주)오크 세이사꾸쇼(ORC MANUFACTURING CO., LTD.) 제조)를 이용하여, 30 mm 변(角)의 네가티브 패턴이 남도록, 700 mJ/㎠의 적산 광량으로 자외선 노광하였다. 그 후, 이들을 30 ℃에서 1 질량%의 탄산나트륨 수용액을 현상액으로서, 인쇄 배선판용 현상기로 60 초간 현상하였다. 계속해서, 이들을 150 ℃에서 60 분간, 열풍 순환식 건조로로 열 경화를 행하고, 특성 시험용의 시험편을 제작하였다.
이 얻어진 각 시험편을 색채 색차계 CR-400(코니카 미놀타 센싱(주)(Konica Minolta Sensing, Inc.) 제조)을 이용하여 XYZ 표색법의 Y값을 측정하고, 그 값을 반사율로 하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
표 2에 나타내는 결과로부터 명백한 바와 같이, 알루미나로 처리된 산화티탄과 황산바륨 또는 탈크를 병용한 실시예 1 내지 4 및 알루미나로 처리된 산화티탄과 황산바륨 및 탈크를 병용한 실시예 9에 따르면, 비교예 1과 비교하여 모두 상당한 반사율의 향상이 보였다. 또한, 산화티탄의 배합량을 변경한 실시예 5 내지 7, 알루미나로 표면 처리를 한 후에 추가로 지르코니아로 처리된 산화티탄을 사용한 실시예 8에 대해서도, 실시예 1 내지 4와 마찬가지의 효과가 보였다. 특히, 산화티탄의 지르코니아에서의 처리에 의해, 추가적인 반사율의 향상을 확인할 수 있었다. 또한, 비교예에서는 반사율의 향상에 큰 효과는 보이지 않는다.
(2) 땜납 내열성
상기 (1)과 동일한 방법으로 제작한 각 시험편에 로진계 플럭스를 도포하여, 이를 260 ℃의 땜납조로 10 초간 플로우시켰다. 그 후, 이들을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 세정하고, 건조시켰다. 그 후, 이들에 대해서 셀로판 점착 테이프에 의한 필테스트를 행하고, 도막의 박리에 대하여 평가하였다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.
(3) 내용제성
상기 (1)과 동일한 방법으로 제작한 각 시험편을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 30 분간 침지하고 건조시켰다. 그 후, 이들에 대해서 셀로판 점착 테이프에 의한 필테스트를 행하고, 도막의 박리와 변색에 대해서 평가하였다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.
(4) 연필 경도 시험
상기 (1)과 동일한 방법으로 제작한 각 시험편에, 코어의 끝이 평평해지도록 연마된 B로부터 9H의 연필을 약 45°의 각도로 가압하여, 도막의 박리가 발생하지 않는 연필의 경도를 기록하였다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.
(5) 절연 저항 시험
FR-4 동장 적층판 대신에 IPC B-25 테스트 패턴의 빗형 전극 B 쿠폰을 이용하는 것 이외에는, 상기 (1)과 동일한 조건으로 각 시험편을 제작하였다. 이 시험편에 DC500V의 바이어스를 인가하고, 절연 저항값을 측정하였다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.
상기 (3) 땜납 내열성, 상기 (4) 내용제성, 상기 (5) 연필 경도 시험의 평가 기준은 이하와 같다.
○···도막의 박리나 변색 없음
×···도막의 박리나 변색 있음
표 2에 나타내는 결과로부터 명백한 바와 같이, 본 발명의 경화성 수지 조성물은, 솔더 레지스트에 요구되는 양호한 내열성, 내용제성, 밀착성 및 전기 절연성을 갖는 것을 알 수 있었다.
Figure 112010012258924-pat00002
이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 경화성 수지 조성물은 산화티탄의 배합량의 한계(그 이상 산화티탄을 열경화성 수지에 배합하여도, 반사율이 향상되지 않음)의 경우에도, 황산바륨 또는 탈크, 또는 황산바륨 및 탈크의 배합에 의해, 추가적인 반사율의 향상이 가능하다는 것을 알 수 있었다. 또한, 본 발명의 경화성 수지 조성물을 이용하여 형성된 솔더 레지스트는 광이나 열에 의한 변색이 적고, 고반사율이 우수한 것이었다.

Claims (9)

1 분자 내에 에틸렌성 불포화기와 카르복실기를 포함하는 수지와,
광 중합 개시제와,
광 중합성 단량체와,
알루미나로 표면 처리된 산화티탄과,
황산바륨 및 탈크, 또는 황산바륨 또는 탈크와,
유기 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 경화성 수지 조성물.
제1항에 있어서, 상기 알루미나로 표면 처리된 산화티탄이 추가로 지르코니아로 표면 처리된 것을 특징으로 하는 경화성 수지 조성물.
제1항에 있어서, 상기 알루미나로 표면 처리된 산화티탄의 배합량이 조성물에 포함되는 불휘발분 100 질량부에 대하여 30 내지 80 질량부인 것을 특징으로 하는 경화성 수지 조성물.
제2항에 있어서, 상기 알루미나로 표면 처리된 산화티탄의 배합량이 조성물에 포함되는 불휘발분 100 질량부에 대하여 30 내지 80 질량부인 것을 특징으로 하는 경화성 수지 조성물.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 에폭시 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화성 수지 조성물.
회로 형성된 기재와,
이 기재 상에 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 경화성 수지 조성물을 이용하여 형성한 솔더 레지스트를 갖는 인쇄 배선판.
회로 형성된 기재와,
이 기재 상에 제5항에 기재된 경화성 수지 조성물을 이용하여 형성한 솔더 레지스트를 갖는 인쇄 배선판.
기재와,
이 기재 상에 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 경화성 수지 조성물의 경화물을 갖는 반사판.
기재와,
이 기재 상에 제5항에 기재된 경화성 수지 조성물의 경화물을 갖는 반사판.
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