KR100972769B1 - 광학 막 두께 제어 방법, 광학 막 두께 제어 장치, 유전체 다층막 제조 장치, 및 이러한 제어 장치 또는 제조 장치로 제조된 유전체 다층막 - Google Patents
광학 막 두께 제어 방법, 광학 막 두께 제어 장치, 유전체 다층막 제조 장치, 및 이러한 제어 장치 또는 제조 장치로 제조된 유전체 다층막 Download PDFInfo
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Abstract
Description
17, 70, 100 : 8-채널 A/D 컨버터 (A/D 컨버터)
바람직한 실시형태의 상세한 설명
회귀 방식 | H: 바닥에서의 회귀 |
HH: 피크에서의 회귀 |
||
실시예 1 | 제곱 역투과율 |
평균오차 표준편차 |
2.4nm 3.5nm |
2.6nm 0.1nm |
비교예 1 | 제곱 투과율 |
평균오차 표준편차 |
1.8nm 3.1nm |
4.2nm 2.5nm |
굴절율의 설계치는 저굴절율층에 대하여는 1.444, 고굴절율층에 대하여는 2.08로 설정하고 제품 기판 (BK7) 에 대하여는 1.5로 설정되었다.
굴절율의 설계치는 저굴절율층에 대하여는 1.444, 고굴절율층에 대하여는 2.08로 설정하고 제품 기판 (BK7) 에 대하여는 1.5로 설정되었다.
굴절율의 설계치는 저굴절율층에 대하여는 1.444, 고굴절율층에 대하여는 2.08로 설정하고 제품 기판 (BK7) 에 대하여는 1.5로 설정되었다.
반사방지코팅된 유리 제품 기판 (BK7)|0.35H, 1.288L|공기
굴절율의 설계치는 저굴절율층에 대하여는 1.444, 고굴절율층에 대하여는 2.08로 설정하고, 제품 기판 (BK7) 에 대하여는 1.5로 설정되었다.
Claims (16)
- 광학 막 두께 제어 방법으로서,한 종류 이상의 유전체로 제조된 단층 또는 다층 구조를 갖는 광학 박막의 막형성 기간에, 상기 광학 박막의 투과율을 측정하고 역투과율로서 투과율의 역수를 계산하기 위해 입사된 단색 광이 상기 단층 또는 다층 구조를 통하여 투과되고,2개의 변수의 측정된 데이터군을, 상기 측정된 데이터군이 최고치 또는 최저치에 도달하기 전에, 최소 자승법에 의해 2차 함수로 회귀시키고,상기 2개의 변수는 최후 표면층막의 막 두께의 증가에 따라 적층되는 상기 최후 표면층막의 막 성장 시간과 상기 역투과율이며,상기 2차 회귀 함수의 최고점 또는 최저점에서의 막 성장 시간은, 상기 역투과율의 최고치 또는 최저치에서 광학 막 두께가 달성될 때 상기 막 성장 시간의 예측치로서 사용되며, 상기 역투과율의 최고치 또는 최저치는 간섭이론에 기초하여 상기 단색 광 파장의 1/4 에 일치하는 광학 막 두께의 매 간격마다 주기적 분포를 갖고,상기 최후 표면층막의 성장에 따라 상기 단색 광 파장의 1/4 에 일치하는 광학 막 두께의 매 간격마다 주기적 분포를 갖는 상기 역투과율로부터 계산된 광학 막 두께의 시간 미분 또는 시간 차이가, 상기 최후 표면층막의 적층율로서 계산되고,상기 최후 표면층막의 광학 막 두께의 목표치에 도달할 때의 상기 최후 표면층막의 막 성장 시간은, 상기 적층율에 기초하여 예측되는, 광학 막 두께 제어 방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 광학 박막이 성장함에 따라, 상기 투과율이 제품 기판에서 측정되며, 상기 최후 표면층막의 광학 막 두께가 직접 모니터링 방법에 의해 측정되는, 광학 막 두께 제어 방법.
- 제 1 항에 기재된 광학 막 두께 제어 방법에 의해 목적하는 광학 막 두께에 도달할 때의 최후 표면층막의 막 성장 시간을 예측하기 위한 광학 막 두께 제어 장치로서,서로 마주보는 회전가능한 기판과 막형성원을 갖는 막형성 디바이스와,상기 회전가능한 기판의 반경을 따라 소정의 간격으로 상기 회전가능한 기판에 가해진 복수의 단색 광빔을 검출하는 광전자 변환 디바이스를 구비하며,상기 기판상의 막형성을 차단하기 위해 상기 회전가능한 기판의 반경 방향으로 이동하는 가동 셔터가, 상기 기판과 상기 막형성원 사이에 제공되며,상기 광전자 변환 디바이스에 의해 검출된 단색 광빔에 의해 예측된 상기 막 성장 시간의 각 예측치에 기초하여 셔터의 운동을 지시하는 제어기에 응답하여, 상기 가동 셔터가 이동하는, 광학 막 두께 제어 장치.
- 유전체 다층막의 제조를 위해 사용되며 막형성원과 반응원을 갖는 진공 챔버를 구비하고 또한, 상기 각 막형성원과 반응원은 회전가능한 기판과 마주하도록 나란히 배열된 유전체 다층막 제조 장치로서,상기 회전가능한 기판의 원의 반경을 따라, 상기 회전가능한 기판에 형성된 상기 유전체 다층막의 막적층율에 구배를 부여하는 개구부를 갖는 막적층율 제어 부재와,상기 회전가능한 기판에 형성된 상기 유전체 다층막의 막 두께를 보정하는 막 두께 보정 부재와,상기 회전가능한 기판의 반경을 따라 복수의 모니터링점들을 통과하는 모니터링 단색 광의 강도를 측정하는 광도 측정 수단과,광플럭스가 상기 각 모니터링점들을 통과하게 하도록, 상기 반경에 따른 모니터링점의 위치와 관련된 상기 단색 광플럭스의 파장의 오름차순 또는 내림차순으로 하나 이상의 파장의 모니터링 단색 광플럭스를 배열하고, 상기 광도 측정 수단에 의해 측정된 광도의 변동에 응답하여 상기 막 두께 보정 부재를 이동시킬 수 있게 하는 제어 시스템을 구비하며,상기 막적층율 제어 부재와 상기 막 두께 보정 부재는, 상기 회전가능한 기판과 상기 막형성원 사이에 제공되는, 유전체 다층막 제조 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 막 두께 보정 부재는 상기 회전가능한 기판의 반경 방향으로 이동할 수 있는 가동 셔터를 구비하고, 상기 회전가능한 기판에서의 막형성이 상기 가동 셔터의 운동에 의해 상기 반경을 따라 상기 오름차순 또는 내림차순으로 차단되는, 유전체 다층막 제조 장치.
- 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 유전체 다층막 제조 장치의 상기 제어 시스템은, 광도의 변동을 측정하며, 상기 광도의 변동은, 상기 회전가능한 기판에서 유전체 다층막의 형성기간 동안, 하나 이상의 파장을 포함하는 모니터링 단색 광플럭스가 복수의 각 모니터링점을 통과할 때, 투과율의 변동이 역투과율로서 투과율의 역수를 계산적으로 규정하면서, 상기 광도 측정 수단에 의해 측정되고,상기 제어 시스템은, 2개의 변수의 측정된 데이터군을, 상기 측정된 데이터군이 최고치 또는 최저치에 도달하기 전에, 최소 자승법에 의해 2차 함수로 회귀시키며, 상기 2개의 변수는 적층되는 최후 표면층막의 막 두께의 증가에 요구되는 막 성장 시간과 상기 역투과율이고,상기 제어 시스템은, 상기 2차 회귀 함수의 최고점 또는 최저점과 일치하는 막 성장 시간을, 상기 역투과율의 최고치 또는 최저치에서의 상기 최후 표면층막의 광학 막 두께 도달 예측 시간으로서 사용하며, 상기 역투과율의 최고치 또는 최저치는 간섭이론에 기초하여 상기 단색 광 파장의 1/4 에 일치하는 광학 막 두께의 매 간격마다 주기적 분포를 갖는, 유전체 다층막 제조 장치.
- 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,최후 표면층막의 막 두께가 성장함에 따라, 상기 단색 광 파장의 1/4 에 일치하는 광학 막 두께의 매 간격마다 주기적 분포를 갖는 역투과율로부터 계산된 광학 막 두께의 시간 미분 또는 시간 차이가, 상기 최후 표면층막의 막적층율로서 계산되며,상기 최후 표면층막이 소정의 광학 막 두께에 도달하는 데 요구되는 막 성장 시간은, 상기 계산된 막적층율에 기초하여 예측되는, 유전체 다층막 제조 장치.
- 유전체 다층막의 제조를 위해 사용되며 막형성원과 반응원을 갖는 진공 챔버를 구비하고 또한, 상기 각 막형성원과 반응원은 회전가능한 기판과 마주하도록 나란히 배열된 유전체 다층막 제조 장치로서,상기 회전가능한 기판에 형성된 상기 유전체 다층막의 막적층율을 제어하는 개구부를 갖는 막적층율 제어 부재와,상기 회전가능한 기판에 형성된 상기 유전체 다층막의 막 두께를 보정하는 개구부를 갖는 막 두께 보정 부재와,상기 회전가능한 기판의 반경을 따라 복수의 모니터링점들을 통과하는 모니터링 단색 광의 강도를 측정하는 광도 측정 수단과,하나 이상의 파장의 모니터링 단색 광플럭스의 각각이 상기 모니터링점들을 통과할 때, 상기 광도 측정 수단에 의해 측정된 광도의 변동에 응답하여 상기 막 두께 보정 부재의 개구부를 작동시키는 제어 시스템을 구비하며,상기 막적층율 제어 부재와 상기 막 두께 보정 부재는, 상기 회전가능한 기판과 상기 막형성원 사이에 제공되는, 유전체 다층막 제조 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 막 두께 보정 부재의 가동 개구부는, 상기 회전가능한 기판이 회전할 때 각 모니터링점의 궤적에 의해 그려지는 동심원의 원주를 따라 형성된 원호형상의 개구부 영역을 독립적으로 개폐하는 스플릿 셔터를 구비하는, 유전체 다층막 제조 장치.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 유전체 다층막 제조 장치의 상기 제어 시스템은, 광도의 변동을 측정하며, 상기 광도의 변동은, 상기 회전가능한 기판에서 유전체 다층막의 형성기간 동안, 하나 이상의 파장을 포함하는 모니터링 단색 광플럭스가 복수의 각 모니터링점을 통과할 때, 투과율의 변동이 역투과율로서 투과율의 역수를 계산적으로 규정하면서, 상기 광도 측정 수단에 의해 측정되고,상기 제어 시스템은, 2개의 변수의 측정된 데이터군을, 상기 측정된 데이터군이 최고치 또는 최저치에 도달하기 전에, 최소 자승법에 의해 2차 함수로 회귀시키며, 상기 2개의 변수는 적층되는 최후 표면층막의 막 두께의 증가에 요구되는 막 성장 시간과 상기 역투과율이고,상기 제어 시스템은, 상기 2차 회귀 함수의 최고점 또는 최저점과 일치하는 막 성장 시간을, 상기 역투과율의 최고치 또는 최저치에서의 상기 최후 표면층막의 광학 막 두께 도달 예측 시간으로서 이용하며, 상기 역투과율의 최고치 또는 최저치는 간섭이론에 기초하여 상기 단색 광 파장의 1/4 에 일치하는 광학 막 두께의 매 간격마다 주기적 분포를 갖는, 유전체 다층막 제조 장치.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,최후 표면층막의 막 두께가 성장함에 따라, 상기 단색 광 파장의 1/4 에 일치하는 광학 막 두께의 매 간격마다 주기적 분포를 갖는 역투과율로부터 계산된 광학 막 두께에 기초하여 상기 최후 표면층막이 소정의 광학 막 두께에 도달하였는지를 검출함으로써, 상기 막 성장이 제어되는, 유전체 다층막 제조 장치.
- 제 5 항, 제 6 항, 제 9 항, 및 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 막형성원은 2개 이상의 상이한 재료의 스퍼터링 타겟을 구비하며, 상기 스퍼터링 타켓은 타겟 중 어느 것이라도 선택될 수 있는 방식으로 제공되는, 유전체 다층막 제조 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 스퍼터링 타겟의 서로 상이한 재료는 Ta 금속과 Si 금속인, 유전체 다층막 제조 장치.
- 제 5 항, 제 6 항, 제 9 항, 및 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반응원은 반응성 중성 라디칼 가스를 방출하는, 유전체 다층막 제조 장치.
- 제 1 항에 기재된 광학 막 두께 제어 방법을 이용하거나, 또는, 제 5 항, 제 6 항, 제 9 항, 및 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 유전체 다층막 제조 장치를 사용하여 제조된, 유전체 다층막.
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