JPS61183464A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS61183464A JPS61183464A JP2242885A JP2242885A JPS61183464A JP S61183464 A JPS61183464 A JP S61183464A JP 2242885 A JP2242885 A JP 2242885A JP 2242885 A JP2242885 A JP 2242885A JP S61183464 A JPS61183464 A JP S61183464A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- film thickness
- target
- roller
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子部品等の表面に真空中で薄膜を形成する装
置に関し、特に電子部品等の表面に形成さｎる薄膜の膜
厚を補正する膜厚補正板を備えたスパッタ装置に関する
ものである。
置に関し、特に電子部品等の表面に形成さｎる薄膜の膜
厚を補正する膜厚補正板を備えたスパッタ装置に関する
ものである。
一般的にスパッタ法を用いた薄膜形成法では試料の移動
方向に直角の方向において試料上に形成された薄膜の膜
厚が数Ｌｓ〜２０チ程度の分布を持っており、この分布
を改善する為に従来は試料の前面に膜厚に反比例の開口
部を設けた第３図の如き１枚の膜厚補正板を設けていた
。
方向に直角の方向において試料上に形成された薄膜の膜
厚が数Ｌｓ〜２０チ程度の分布を持っており、この分布
を改善する為に従来は試料の前面に膜厚に反比例の開口
部を設けた第３図の如き１枚の膜厚補正板を設けていた
。
しかしながら上述した従来の膜厚補正板ではスパッタ中
における真空度、ガス導入量、真空槽内部からの放出ガ
ス量、スパッタ電圧、スパッタ電流等の条件の変動によ
って生ずる膜厚分布の変化には対応することが不可能で
あり、この為サイズが大きく、且つ膜厚分布のきびしい
試料への薄膜形成には使用できないという欠点がある。
における真空度、ガス導入量、真空槽内部からの放出ガ
ス量、スパッタ電圧、スパッタ電流等の条件の変動によ
って生ずる膜厚分布の変化には対応することが不可能で
あり、この為サイズが大きく、且つ膜厚分布のきびしい
試料への薄膜形成には使用できないという欠点がある。
本発明はかかる欠点を解決すべく試料の移動方向に直角
の方向に複数の膜厚補正板を配置するとともに、膜厚補
正板を試料の移動方向に平行に、且つ該膜厚補正板を個
々に移動できる駆動機構を設け、形成さｎた薄膜の膜厚
又は特性の分布に応じて個々の膜厚補正板の位置を最適
化するものである。
の方向に複数の膜厚補正板を配置するとともに、膜厚補
正板を試料の移動方向に平行に、且つ該膜厚補正板を個
々に移動できる駆動機構を設け、形成さｎた薄膜の膜厚
又は特性の分布に応じて個々の膜厚補正板の位置を最適
化するものである。
次に本発明について図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図であり、第２図は第
１図におけるターゲット及び膜厚補正板を上面からみた
図である。
１図におけるターゲット及び膜厚補正板を上面からみた
図である。
図においてターゲット６を表面に備えた陰極７の周囲に
は放電領域を限定するシールド板８が取付けである。一
方表面に薄膜を形成する試料５を支持した試料ホルダー
４がターゲット６の上方に配置しである。このターゲッ
ト６と試料ホルダー４との間には本発明の特徴である膜
厚補正板３がローラー１０を介して駆動機構９と連結さ
ｎている。
は放電領域を限定するシールド板８が取付けである。一
方表面に薄膜を形成する試料５を支持した試料ホルダー
４がターゲット６の上方に配置しである。このターゲッ
ト６と試料ホルダー４との間には本発明の特徴である膜
厚補正板３がローラー１０を介して駆動機構９と連結さ
ｎている。
これらの構成における膜厚分布の補正方法はスパッタさ
几た薄膜の膜厚又は特性の分布を測定し、作業者が手動
又は電動でｇＸ！ｇＪ機構９を操作するか、又は七〇測
足結来を駆動機構９に自励的にフィードバックすること
で、その駆動、Ｉａ構９によって駆動さｎるローラー１
０の軌跡１２を変化させる。
几た薄膜の膜厚又は特性の分布を測定し、作業者が手動
又は電動でｇＸ！ｇＪ機構９を操作するか、又は七〇測
足結来を駆動機構９に自励的にフィードバックすること
で、その駆動、Ｉａ構９によって駆動さｎるローラー１
０の軌跡１２を変化させる。
そのローラー１０の軌跡１２はそのまま膜厚補正板３の
試料の移動方向１３への変化量となり、ターゲット６か
ら飛来する物質が試料に付着する領域を自由に調整する
ことが可能となる。
試料の移動方向１３への変化量となり、ターゲット６か
ら飛来する物質が試料に付着する領域を自由に調整する
ことが可能となる。
以上説明したように不発明は従来の膜厚補正板を分割し
、七〇を個々に調整することで、膜厚分布の補正を容易
にし、サイズが大きく且つ膜厚分布を微小にする必要の
ある試料への簿膜形成が可能となる。又別の効果として
は分布が良くなる為に、完成した電子部品のバラツキが
少なくなり安定した条件で生産することが可能となる。
、七〇を個々に調整することで、膜厚分布の補正を容易
にし、サイズが大きく且つ膜厚分布を微小にする必要の
ある試料への簿膜形成が可能となる。又別の効果として
は分布が良くなる為に、完成した電子部品のバラツキが
少なくなり安定した条件で生産することが可能となる。
第１図は本発明の特徴であるスパッタ装置の膜厚補正板
近傍の概略図、第２図は第１図の上面図、第３図は従来
の一般的な膜厚補正板の形状を示す図である。 ｌ・・・・・・開口部、３・・・・・・膜厚補正板、４
・−・・・・試料ホルダー、５・・・・・・試料、６・
・・・・・ターゲット、９・・・・・・駆動機構、１０
・・・・・・ローラー、１３・・・・・・試料の移動方
向。 代理人 弁理士 内 原 晋、、−１″ど°・
近傍の概略図、第２図は第１図の上面図、第３図は従来
の一般的な膜厚補正板の形状を示す図である。 ｌ・・・・・・開口部、３・・・・・・膜厚補正板、４
・−・・・・試料ホルダー、５・・・・・・試料、６・
・・・・・ターゲット、９・・・・・・駆動機構、１０
・・・・・・ローラー、１３・・・・・・試料の移動方
向。 代理人 弁理士 内 原 晋、、−１″ど°・
Claims (1)
- 試料表面に形成される薄膜の材料から成るターゲット材
を表面に備えた陰極と、該陰極の前面に位置し、薄膜を
形成する面を該陰極面に向けた試料を支持する試料ホル
ダーと、該陰極と該試料ホルダーとの間に位置し、該陰
極面とほぼ平行な状態で試料の移動方向とほぼ直角の方
向に複数枚並べられた膜厚補正板と、該膜厚補正板を試
料の移動方向とほぼ平行に且つ複数の該膜厚補正板を個
個に移動できる駆動機構とを備えたスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2242885A JPS61183464A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2242885A JPS61183464A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61183464A true JPS61183464A (ja) | 1986-08-16 |
Family
ID=12082419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2242885A Pending JPS61183464A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61183464A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002077316A1 (fr) * | 2001-03-22 | 2002-10-03 | Nikon Corporation | Procede de formation d'un film, procede de fabrication d'un reflecteur de film multicouche, et dispositif de formation de film |
| JP2005264250A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Shincron:Kk | スパッタ装置及び薄膜形成方法 |
| US7247345B2 (en) | 2002-03-25 | 2007-07-24 | Ulvac, Inc. | Optical film thickness controlling method and apparatus, dielectric multilayer film and manufacturing apparatus thereof |
-
1985
- 1985-02-07 JP JP2242885A patent/JPS61183464A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002077316A1 (fr) * | 2001-03-22 | 2002-10-03 | Nikon Corporation | Procede de formation d'un film, procede de fabrication d'un reflecteur de film multicouche, et dispositif de formation de film |
| US7247345B2 (en) | 2002-03-25 | 2007-07-24 | Ulvac, Inc. | Optical film thickness controlling method and apparatus, dielectric multilayer film and manufacturing apparatus thereof |
| CN100398694C (zh) * | 2002-03-25 | 2008-07-02 | 爱发科股份有限公司 | 光学薄膜厚度控制方法及装置，绝缘多层薄膜及制造装置 |
| US7927472B2 (en) | 2002-03-25 | 2011-04-19 | Ulvac, Inc. | Optical film thickness controlling method, optical film thickness controlling apparatus, dielectric multilayer film manufacturing apparatus, and dielectric multilayer film manufactured using the same controlling apparatus or manufacturing apparatus |
| JP2005264250A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Shincron:Kk | スパッタ装置及び薄膜形成方法 |
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