JPH03150359A - スパッタ蒸着方法 - Google Patents
スパッタ蒸着方法Info
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- JPH03150359A JPH03150359A JP28873789A JP28873789A JPH03150359A JP H03150359 A JPH03150359 A JP H03150359A JP 28873789 A JP28873789 A JP 28873789A JP 28873789 A JP28873789 A JP 28873789A JP H03150359 A JPH03150359 A JP H03150359A
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野》
本発明は、マグネトロンスバフ夕方法を用いてターゲッ
ト表面からの飛散物質量を部分的あるいは全体的に制御
することが可能なスパッタ蒸着方法に関するも０である
。
ト表面からの飛散物質量を部分的あるいは全体的に制御
することが可能なスパッタ蒸着方法に関するも０である
。
（従来の技術）
従来技術としては特開昭６４−４４７３号公報記載の方
法が挙げられるが、この方法は、ターゲット表面の飛散
物質量を蒸着時に導入するガスの圧力分布を調整するこ
とにより制御するものである。この方法によると極部的
にターゲット表面からの飛散物質を制御することが不可
能である。このことに起因して飛散物質量を再現性よく
制御することは困難てあった。
法が挙げられるが、この方法は、ターゲット表面の飛散
物質量を蒸着時に導入するガスの圧力分布を調整するこ
とにより制御するものである。この方法によると極部的
にターゲット表面からの飛散物質を制御することが不可
能である。このことに起因して飛散物質量を再現性よく
制御することは困難てあった。
又、特開昭６３−２８２２６２号公報記載の技術もある
が、この技術は通常マグネトロンスパッタで用い流を調
節することによりターゲット表面からの飛散物質量を制
御していた。
が、この技術は通常マグネトロンスパッタで用い流を調
節することによりターゲット表面からの飛散物質量を制
御していた。
この方法で使用するスパッタ装置は本発明で使用する装
置に比べ著しく構造が複雑となり、大規模な装置に応用
するのは困難であった。
置に比べ著しく構造が複雑となり、大規模な装置に応用
するのは困難であった。
（発明が解決しようとする課題》
その目的とするところは、ターゲットからの飛散物質の
量を、ターゲット表面の磁束密度を磁石をシールドする
ことにより、部分的あるいは全体的に低下させることに
よりターゲット表面からの飛散物質を部分的あるいは全
体的に制御することにある。
量を、ターゲット表面の磁束密度を磁石をシールドする
ことにより、部分的あるいは全体的に低下させることに
よりターゲット表面からの飛散物質を部分的あるいは全
体的に制御することにある。
（課題を解決するための手段》
本発明は真空室内にターゲットが取り付けられるカソー
ドと基板が取り付けられる治具を対向して設け、カソー
ドを直流又は交流の電源に負電位となり得るように接続
し、該ターゲットの表面にＩＩ若による磁ｉを作用させ
ながら該基板にスパッタリングによる薄膜を形成する方
法に於いて、該ターゲットの面上での磁石密度を部分的
あるいは全体的に磁石を強磁性体を用いてシールドする
ことにより、低下させるよう該磁石を制御して、該ター
ゲット表面からの飛散物質量をコントロールすることを
特徴とするスパッタ蒸着方法である。
ドと基板が取り付けられる治具を対向して設け、カソー
ドを直流又は交流の電源に負電位となり得るように接続
し、該ターゲットの表面にＩＩ若による磁ｉを作用させ
ながら該基板にスパッタリングによる薄膜を形成する方
法に於いて、該ターゲットの面上での磁石密度を部分的
あるいは全体的に磁石を強磁性体を用いてシールドする
ことにより、低下させるよう該磁石を制御して、該ター
ゲット表面からの飛散物質量をコントロールすることを
特徴とするスパッタ蒸着方法である。
（実施例１）
本発明の実施例を図１の直流（ＤＣ）電源を使用した場
合につき説明する。
合につき説明する。
符号ｌは真空排気された真空室、２は該真空室１内に設
けられたカソード、３は基板を支持しかつ温度調整する
ホルダーを示し、該基板ホルダーの前面には基板４が取
り付けられている。カソード２の前面にはターゲット５
が取り付けられ、６は該ターゲット５の表面に磁場を形
成する磁石、７はターゲット表面の磁束密度を部分的に
低下させるための強磁性体である。カソード２はアース
電位よりも低い電位となるように電源８に接続されてい
る。９はアースシールドである。図２はカソード２、磁
石６、強磁性体７を正面から見たものである。図１中の
カソード２、磁石６、強磁性体７は図２中の破線を断面
としたときの断面図に対応している。
けられたカソード、３は基板を支持しかつ温度調整する
ホルダーを示し、該基板ホルダーの前面には基板４が取
り付けられている。カソード２の前面にはターゲット５
が取り付けられ、６は該ターゲット５の表面に磁場を形
成する磁石、７はターゲット表面の磁束密度を部分的に
低下させるための強磁性体である。カソード２はアース
電位よりも低い電位となるように電源８に接続されてい
る。９はアースシールドである。図２はカソード２、磁
石６、強磁性体７を正面から見たものである。図１中の
カソード２、磁石６、強磁性体７は図２中の破線を断面
としたときの断面図に対応している。
該真空室中に例えばアルゴン（Ａ ｒ ）ガス等の不活
性ガスが導入されターゲット表面に電源８からの通電で
Ａｒグロー放電が生ずるとＡｒイオンはターゲット５に
その構成物質をスパッタすべ（突入し、スパッタされた
物質は基板上に薄膜状に付着する。以上の構成、作用は
シールド用強磁性体７を挿入することを除けば従来のス
パッタ装置と同様である。強磁性体てシールドを行わず
基板にガラスを用い、基板温度を室温で、カソード電流
を１０〜５０Ａ／ｎｒ、Ａｒ流量３０〇二５００（ＳＣ
ＣＭ）としてスパッタした時のターゲット長手方向の膜
厚分布を図３に、強磁性体でシールドを施した時の膜厚
分布を図４に示す、図４は端部を強磁性体７でシールド
し、その部分の飛散物質を極部的に低下させたことによ
り改善されていることを示す。
性ガスが導入されターゲット表面に電源８からの通電で
Ａｒグロー放電が生ずるとＡｒイオンはターゲット５に
その構成物質をスパッタすべ（突入し、スパッタされた
物質は基板上に薄膜状に付着する。以上の構成、作用は
シールド用強磁性体７を挿入することを除けば従来のス
パッタ装置と同様である。強磁性体てシールドを行わず
基板にガラスを用い、基板温度を室温で、カソード電流
を１０〜５０Ａ／ｎｒ、Ａｒ流量３０〇二５００（ＳＣ
ＣＭ）としてスパッタした時のターゲット長手方向の膜
厚分布を図３に、強磁性体でシールドを施した時の膜厚
分布を図４に示す、図４は端部を強磁性体７でシールド
し、その部分の飛散物質を極部的に低下させたことによ
り改善されていることを示す。
（実施例２）
この発明をリアクティブマグネトロンスパッタに応用し
た例としてＩＴターゲットを用いたＩＴＯスパッタを上
げることができる。ＰＥＴフィルムを基板として用い基
板温度１００〜２００℃にし、カソード電流ｔＧ 〜５
０Ａ／ｒｒｆとし、図１中Ａｒと同時に酸素（Ｏｔ）ガ
スを基板への付着物質全体の平均比抵抗が４〜８ＸＩＯ
−（ΩｃＩ１１）、透過率が８０％以上になる量だけ導
入する。図６に図１中強磁性体７を用いてシールドして
成膜した時の透過率、シート抵抗値のターゲットの長手
方向に対応した分布を、図５にシールドしていない時の
透過率、シート抵抗値の分布を示す。
た例としてＩＴターゲットを用いたＩＴＯスパッタを上
げることができる。ＰＥＴフィルムを基板として用い基
板温度１００〜２００℃にし、カソード電流ｔＧ 〜５
０Ａ／ｒｒｆとし、図１中Ａｒと同時に酸素（Ｏｔ）ガ
スを基板への付着物質全体の平均比抵抗が４〜８ＸＩＯ
−（ΩｃＩ１１）、透過率が８０％以上になる量だけ導
入する。図６に図１中強磁性体７を用いてシールドして
成膜した時の透過率、シート抵抗値のターゲットの長手
方向に対応した分布を、図５にシールドしていない時の
透過率、シート抵抗値の分布を示す。
（発明の効果）
本発明によれば装置の簡単な改造でターゲットの長手方
向に対して均一な膜質の薄膜を蒸着することが容易に可
能となる。
向に対して均一な膜質の薄膜を蒸着することが容易に可
能となる。
図１は本発明で使用するスパッタ薫発装置の概略断面図
でカソードとターゲットに囲まれた部分は図２のＡ−Ａ
線断面図に相当する。図２は図１のカソードとターゲッ
トに囲まれた部分をターゲット側から見た平面図である
。図３は従来方法及び図４は本発明の方法によるターゲ
ット長手方向のＷＸ厚分布を示すグラフであり、図５は
従来方法及び図６は本発明の方法による成膜した時の透
過率、シート抵抗値のターゲット長手方向に対応した分
布を示すグラフである。 特許出願人 住友ベークライト株式会社第３図 亀 ターゲット長手方向 第４図 鬼 ターゲット長手方向 １ 第５図 占 ＝ 一 透過率 番 ターゲット長手方向 第６図 ａ −一−１−一ノ 憾 穎 ターゲット長手方向
でカソードとターゲットに囲まれた部分は図２のＡ−Ａ
線断面図に相当する。図２は図１のカソードとターゲッ
トに囲まれた部分をターゲット側から見た平面図である
。図３は従来方法及び図４は本発明の方法によるターゲ
ット長手方向のＷＸ厚分布を示すグラフであり、図５は
従来方法及び図６は本発明の方法による成膜した時の透
過率、シート抵抗値のターゲット長手方向に対応した分
布を示すグラフである。 特許出願人 住友ベークライト株式会社第３図 亀 ターゲット長手方向 第４図 鬼 ターゲット長手方向 １ 第５図 占 ＝ 一 透過率 番 ターゲット長手方向 第６図 ａ −一−１−一ノ 憾 穎 ターゲット長手方向
Claims (1)
- （１）真空室内に、ターゲットが取り付けられるカソー
ドを設け、カソードを直流又は交流の電源で負電位とな
り得るように接続し、該ターゲットの表面に磁石による
磁場を作用させながら基板にスパッタリングによる薄膜
を形成する方法に於いて、該ターゲット面上での磁束密
度を部分的あるいは、全体的に磁石を強磁性体を用いて
シールドすることにより低下させるよう調整して該ター
ゲット表面からの飛散物質量を制御することを特徴とす
るスパッタ蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28873789A JPH03150359A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | スパッタ蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28873789A JPH03150359A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | スパッタ蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03150359A true JPH03150359A (ja) | 1991-06-26 |
Family
ID=17734041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28873789A Pending JPH03150359A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | スパッタ蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03150359A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6846396B2 (en) | 2002-08-08 | 2005-01-25 | Applied Materials, Inc. | Active magnetic shielding |
-
1989
- 1989-11-08 JP JP28873789A patent/JPH03150359A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6846396B2 (en) | 2002-08-08 | 2005-01-25 | Applied Materials, Inc. | Active magnetic shielding |
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