JP2002363742A - 成膜方法および成膜のためのスパッタ装置 - Google Patents
成膜方法および成膜のためのスパッタ装置Info
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- JP2002363742A JP2002363742A JP2001177098A JP2001177098A JP2002363742A JP 2002363742 A JP2002363742 A JP 2002363742A JP 2001177098 A JP2001177098 A JP 2001177098A JP 2001177098 A JP2001177098 A JP 2001177098A JP 2002363742 A JP2002363742 A JP 2002363742A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ディスク基板にスパッタリングにより成膜
する際、必要とする膜厚分布を得る。 【解決手段】 排気手段およびガス供給手段を有する真
空容器１内に、光ディスク基板４が対向してセットされ
るようにターゲット３が配置されている。ターゲットの
背部に、それぞれ移動可能な中心部ヨーク７および外周
部ヨーク８を有する電磁石と、その中心部ヨーク７を移
動させる第１の駆動手段１３および外周部ヨーク８を移
動させる第２の駆動手段１８とを備えている。第１の駆
動手段１３および第２の駆動手段１８により中心部ヨー
ク７と外周部ヨーク８のターゲット３の背面からの距離
を個別に変化させ、電磁石が形成する磁力線の形状を変
化させてプラズマの状態を調節し、光ディスク基板上の
膜厚分布を制御する。
する際、必要とする膜厚分布を得る。 【解決手段】 排気手段およびガス供給手段を有する真
空容器１内に、光ディスク基板４が対向してセットされ
るようにターゲット３が配置されている。ターゲットの
背部に、それぞれ移動可能な中心部ヨーク７および外周
部ヨーク８を有する電磁石と、その中心部ヨーク７を移
動させる第１の駆動手段１３および外周部ヨーク８を移
動させる第２の駆動手段１８とを備えている。第１の駆
動手段１３および第２の駆動手段１８により中心部ヨー
ク７と外周部ヨーク８のターゲット３の背面からの距離
を個別に変化させ、電磁石が形成する磁力線の形状を変
化させてプラズマの状態を調節し、光ディスク基板上の
膜厚分布を制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板、例えば光デ
ィスク基板への成膜時における膜厚分布制御に関し、さ
らに詳しくは、成膜方法および成膜のためのスパッタ装
置に関するものである。
ィスク基板への成膜時における膜厚分布制御に関し、さ
らに詳しくは、成膜方法および成膜のためのスパッタ装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光ディスクの成膜には、スパッ
タリング法が用いられている。ここで、成膜を行うスパ
ッタリング装置の概要について、図６を参照して説明す
る。１は真空容器であり、図示しない真空ポンプに接続
された排気部およびスパッタガス導入部を有している。
２はカソード電極、３は成膜材料であるターゲット、４
は被成膜材料である光ディスク基板（以下単に基板とい
う）で、ターゲット３に対向してセットされる。５はコ
イルであり、中心部ヨーク７および外周部ヨーク８とと
もに電磁石を構成している。
タリング法が用いられている。ここで、成膜を行うスパ
ッタリング装置の概要について、図６を参照して説明す
る。１は真空容器であり、図示しない真空ポンプに接続
された排気部およびスパッタガス導入部を有している。
２はカソード電極、３は成膜材料であるターゲット、４
は被成膜材料である光ディスク基板（以下単に基板とい
う）で、ターゲット３に対向してセットされる。５はコ
イルであり、中心部ヨーク７および外周部ヨーク８とと
もに電磁石を構成している。
【０００３】このような構成において、真空容器１内に
スパッタガスとしてのアルゴンガスを導入し、電極であ
るターゲット３に直流または高周波電圧を印加すること
で電子をターゲット３表面付近に閉じ込め、基板４とカ
ソード電極２との間に高密度のプラズマを発生させる。
プラズマ内のアルゴンイオンは磁力線６による磁場によ
って加速され、ターゲット３に衝突して、ターゲット物
質が原子状態で真空中に飛び出す。そして、この原子が
基板４に付着して、薄膜を形成する。
スパッタガスとしてのアルゴンガスを導入し、電極であ
るターゲット３に直流または高周波電圧を印加すること
で電子をターゲット３表面付近に閉じ込め、基板４とカ
ソード電極２との間に高密度のプラズマを発生させる。
プラズマ内のアルゴンイオンは磁力線６による磁場によ
って加速され、ターゲット３に衝突して、ターゲット物
質が原子状態で真空中に飛び出す。そして、この原子が
基板４に付着して、薄膜を形成する。
【０００４】従来、成膜に使用される電磁石は、ターゲ
ット３の背部の大気中に設置され、磁力線６の形状はコ
イル５の形状、中心部ヨーク7および外周部ヨーク８の
形状によって制御されてきた。
ット３の背部の大気中に設置され、磁力線６の形状はコ
イル５の形状、中心部ヨーク7および外周部ヨーク８の
形状によって制御されてきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、１つの
ターゲットを用いて成膜を継続すると、スパッタリング
によってターゲット表面が侵蝕され、形状が変化する。
その結果、ターゲット使用初期時からターゲット寿命時
において、そのターゲット形状の変化に伴い、基板に成
膜される膜厚分布が変化し、外周膜厚が内周膜厚に対し
厚くなる。
ターゲットを用いて成膜を継続すると、スパッタリング
によってターゲット表面が侵蝕され、形状が変化する。
その結果、ターゲット使用初期時からターゲット寿命時
において、そのターゲット形状の変化に伴い、基板に成
膜される膜厚分布が変化し、外周膜厚が内周膜厚に対し
厚くなる。
【０００６】これにより、ターゲット使用初期時には良
好であった膜厚均一性が、ターゲット使用による経時変
化に伴って変化するという問題を有している。
好であった膜厚均一性が、ターゲット使用による経時変
化に伴って変化するという問題を有している。
【０００７】本発明は、上記従来の問題点を解決しよう
とするもので、ディスク基板に成膜する際、膜厚の分布
に影響を与えるターゲット側磁場の形状を経時変化とと
もに制御し、必要とする膜厚分布および膜厚均一性を得
るようにした成膜方法および成膜のためのスパッタ装置
を提供することを目的とする。
とするもので、ディスク基板に成膜する際、膜厚の分布
に影響を与えるターゲット側磁場の形状を経時変化とと
もに制御し、必要とする膜厚分布および膜厚均一性を得
るようにした成膜方法および成膜のためのスパッタ装置
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の発明は、基板とスパッタ用ターゲ
ットとを対向させた真空容器内にスパッタガスを導入
し、前記ターゲットの背部の大気中に配置した電磁石に
より前記真空容器内にプラズマを発生させて、スパッタ
リングにより前記基板に成膜する成膜方法であって、前
記電磁石が形成する磁力線の形状を変化させてプラズマ
の状態を調節し、前記基板上の膜厚分布を制御すること
を特徴とするものである。
に、請求項１に記載の発明は、基板とスパッタ用ターゲ
ットとを対向させた真空容器内にスパッタガスを導入
し、前記ターゲットの背部の大気中に配置した電磁石に
より前記真空容器内にプラズマを発生させて、スパッタ
リングにより前記基板に成膜する成膜方法であって、前
記電磁石が形成する磁力線の形状を変化させてプラズマ
の状態を調節し、前記基板上の膜厚分布を制御すること
を特徴とするものである。
【０００９】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
記載の成膜方法において、磁力線の形状を変化させる方
法として、ターゲットの背部に設置した電磁石の中心部
ヨークと外周部ヨークの前記ターゲットの背面からの距
離をそれぞれ独立して調節することを特徴とするもので
ある。
記載の成膜方法において、磁力線の形状を変化させる方
法として、ターゲットの背部に設置した電磁石の中心部
ヨークと外周部ヨークの前記ターゲットの背面からの距
離をそれぞれ独立して調節することを特徴とするもので
ある。
【００１０】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
または請求項２記載の成膜方法において、同一ターゲッ
トを繰り返し使用して、基板上の膜厚分布が経時変化し
た場合、ターゲット背部に設置した電磁石が形成する磁
力線の形状を変化させることを特徴とするものである。
または請求項２記載の成膜方法において、同一ターゲッ
トを繰り返し使用して、基板上の膜厚分布が経時変化し
た場合、ターゲット背部に設置した電磁石が形成する磁
力線の形状を変化させることを特徴とするものである。
【００１１】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
または請求項２記載の成膜方法において、スパッタリン
グによる侵蝕で、ターゲット表面に部分的な凹凸が生じ
た場合、プリスパッタの際に磁力線の形状を変化させて
プラズマの状態を調節し、前記凸部分をより大きく侵蝕
させて、ターゲット表面を平坦に補正することを特徴と
するものである。
または請求項２記載の成膜方法において、スパッタリン
グによる侵蝕で、ターゲット表面に部分的な凹凸が生じ
た場合、プリスパッタの際に磁力線の形状を変化させて
プラズマの状態を調節し、前記凸部分をより大きく侵蝕
させて、ターゲット表面を平坦に補正することを特徴と
するものである。
【００１２】さらに、請求項５に記載の発明は、成膜の
ためのスパッタ装置であって、排気手段およびガス供給
手段を有する真空容器と、前記真空容器内において、被
成膜材料である基板に対向するように配置された成膜材
料であるターゲットと、前記ターゲットの背部の大気中
に設置され、それぞれ移動可能な中心部ヨークおよび外
周部ヨークを有する電磁石と、前記中心部ヨークを移動
させる第１の駆動手段および前記外周部ヨークを移動さ
せる第２の駆動手段とを備え、前記電磁石により前記真
空容器内にプラズマを発生させて、スパッタリングによ
り前記基板に成膜する際、前記第１の駆動手段および第
２の駆動手段により前記中心部ヨークと外周部ヨークの
前記ターゲットの背面からの距離を個別に変化させ、前
記電磁石が形成する磁力線の形状を変化させてプラズマ
の状態を調節し、前記基板上の膜厚分布を制御すること
を特徴とするものである。
ためのスパッタ装置であって、排気手段およびガス供給
手段を有する真空容器と、前記真空容器内において、被
成膜材料である基板に対向するように配置された成膜材
料であるターゲットと、前記ターゲットの背部の大気中
に設置され、それぞれ移動可能な中心部ヨークおよび外
周部ヨークを有する電磁石と、前記中心部ヨークを移動
させる第１の駆動手段および前記外周部ヨークを移動さ
せる第２の駆動手段とを備え、前記電磁石により前記真
空容器内にプラズマを発生させて、スパッタリングによ
り前記基板に成膜する際、前記第１の駆動手段および第
２の駆動手段により前記中心部ヨークと外周部ヨークの
前記ターゲットの背面からの距離を個別に変化させ、前
記電磁石が形成する磁力線の形状を変化させてプラズマ
の状態を調節し、前記基板上の膜厚分布を制御すること
を特徴とするものである。
【００１３】この発明によれば、必要とする膜厚分布の
成膜基板を得ることができる。
成膜基板を得ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を用いて詳細に説明する。図１は、本発明の一
実施の形態における光ディスク成膜のためのスパッタ装
置を示したものである。図１において、１は真空容器で
あり、図示しない真空ポンプに接続された排気部および
スパッタガス導入部を有している。２はカソード電極、
３は成膜材料であるターゲット、４は被成膜材料である
光ディスク基板（以下単に基板という）で、ターゲット
３に対向してセットされる。５はコイルであり、中心部
ヨーク７および外周部ヨーク８とともに電磁石を構成し
ている。中心部ヨーク７および外周部ヨーク８は、それ
ぞれ個別に移動可能となっている。
て、図面を用いて詳細に説明する。図１は、本発明の一
実施の形態における光ディスク成膜のためのスパッタ装
置を示したものである。図１において、１は真空容器で
あり、図示しない真空ポンプに接続された排気部および
スパッタガス導入部を有している。２はカソード電極、
３は成膜材料であるターゲット、４は被成膜材料である
光ディスク基板（以下単に基板という）で、ターゲット
３に対向してセットされる。５はコイルであり、中心部
ヨーク７および外周部ヨーク８とともに電磁石を構成し
ている。中心部ヨーク７および外周部ヨーク８は、それ
ぞれ個別に移動可能となっている。
【００１５】１１は中心部ヨーク７の一端に取りつけら
れたボールネジであり、電磁石を保持するフランジ２３
に取り付けたボールブッシュ１５に噛合している。１３
は駆動装置（例えばモータ）で、タイミングプーリ１２
およびベルト１４を介してボールネジ１１を回転させ、
したがって、中心部ヨーク７を移動させてターゲット３
の背面からの距離を変化させる。
れたボールネジであり、電磁石を保持するフランジ２３
に取り付けたボールブッシュ１５に噛合している。１３
は駆動装置（例えばモータ）で、タイミングプーリ１２
およびベルト１４を介してボールネジ１１を回転させ、
したがって、中心部ヨーク７を移動させてターゲット３
の背面からの距離を変化させる。
【００１６】１７は外周部ヨーク８の一端に取り付けら
れたボールブッシュであり、フランジ２３に回転自在に
取りつけたボールネジ２１に噛合している。１８は駆動
装置（例えばモータ）で、タイミングプーリ２２および
ベルト１９を介してボールネジ２１を回転させ、したが
って、外周部ヨーク８を移動させてターゲット３の背面
からの距離を変化させる。
れたボールブッシュであり、フランジ２３に回転自在に
取りつけたボールネジ２１に噛合している。１８は駆動
装置（例えばモータ）で、タイミングプーリ２２および
ベルト１９を介してボールネジ２１を回転させ、したが
って、外周部ヨーク８を移動させてターゲット３の背面
からの距離を変化させる。
【００１７】次に、本実施の形態における動作を説明す
る。真空容器１内にスパッタガスとしてのアルゴンガス
を導入し、電極であるターゲット３に直流または高周波
電圧を印加することで電子をターゲット３表面付近に閉
じ込め、基板４とカソード電極２との間に高密度のプラ
ズマを発生させる。プラズマ内のアルゴンイオンは磁力
線による磁場によって加速され、ターゲット３に衝突し
て、ターゲット物質が原子状態で真空中に飛び出す。そ
して、この原子が基板４に付着して、薄膜を形成する。
る。真空容器１内にスパッタガスとしてのアルゴンガス
を導入し、電極であるターゲット３に直流または高周波
電圧を印加することで電子をターゲット３表面付近に閉
じ込め、基板４とカソード電極２との間に高密度のプラ
ズマを発生させる。プラズマ内のアルゴンイオンは磁力
線による磁場によって加速され、ターゲット３に衝突し
て、ターゲット物質が原子状態で真空中に飛び出す。そ
して、この原子が基板４に付着して、薄膜を形成する。
【００１８】ここで、駆動装置１３を動作させ、ベルト
１４およびタイミングプーリ１２を介してボールネジ１
１を回転させると中心部ヨーク７が矢印方向に移動し、
ターゲット３の背面からの距離が変化する。同様に、駆
動装置１８を動作させ、ベルト１９およびタイミングプ
ーリ２２を介してボールネジ２１を回転させると外周部
ヨーク８が矢印方向に移動し、ターゲット３の背面から
の距離が変化する。そして、中心部ヨーク７と外周部ヨ
ーク８とを別々に移動させることにより電磁石が形成す
る磁力線の形状を変化させることができる。
１４およびタイミングプーリ１２を介してボールネジ１
１を回転させると中心部ヨーク７が矢印方向に移動し、
ターゲット３の背面からの距離が変化する。同様に、駆
動装置１８を動作させ、ベルト１９およびタイミングプ
ーリ２２を介してボールネジ２１を回転させると外周部
ヨーク８が矢印方向に移動し、ターゲット３の背面から
の距離が変化する。そして、中心部ヨーク７と外周部ヨ
ーク８とを別々に移動させることにより電磁石が形成す
る磁力線の形状を変化させることができる。
【００１９】図２は、中心部ヨーク７と外周部ヨーク８
とをそれぞれ移動させたときの磁力線の形状を示したも
のである。中心部ヨーク７を前進させてターゲット３の
裏面に近づけ、外周部ヨーク８を後退させてターゲット
３の裏面より遠ざけるようにすると、磁力線のターゲッ
ト表面より高くなる部分が中心寄りに移動し、逆に、中
心部ヨーク７を後退させてターゲット３の裏面より遠ざ
け、外周部ヨーク８を前進させてターゲット３の裏面に
近づけるようにすると、磁力線のターゲット表面より高
くなる部分が外周寄りに移動する。
とをそれぞれ移動させたときの磁力線の形状を示したも
のである。中心部ヨーク７を前進させてターゲット３の
裏面に近づけ、外周部ヨーク８を後退させてターゲット
３の裏面より遠ざけるようにすると、磁力線のターゲッ
ト表面より高くなる部分が中心寄りに移動し、逆に、中
心部ヨーク７を後退させてターゲット３の裏面より遠ざ
け、外周部ヨーク８を前進させてターゲット３の裏面に
近づけるようにすると、磁力線のターゲット表面より高
くなる部分が外周寄りに移動する。
【００２０】中心寄りの磁力線が高くなると、ターゲッ
ト内周部にプラズマが集中し、基板の内周部分の膜厚が
厚くなり、外周寄りの磁力線が高くなると外周部分の膜
厚が厚くなる傾向がある。したがって、このように磁力
線分布を規制することにより、基板上に形成される膜厚
分布を制御することができる。
ト内周部にプラズマが集中し、基板の内周部分の膜厚が
厚くなり、外周寄りの磁力線が高くなると外周部分の膜
厚が厚くなる傾向がある。したがって、このように磁力
線分布を規制することにより、基板上に形成される膜厚
分布を制御することができる。
【００２１】同一のターゲットを連続して使用すれば、
スパッタリングによってターゲット３の表面形状が変化
し、基板４の内周部膜厚が厚くなる傾向がある。そこ
で、膜厚の経時変化に伴い、電磁石の中心部ヨーク７を
後退させてターゲット３の裏面より遠ざけ、外周部ヨー
ク８を前進させてターゲット３の裏面に近づけることに
より、膜厚分布の経時変化に対応することができる。
スパッタリングによってターゲット３の表面形状が変化
し、基板４の内周部膜厚が厚くなる傾向がある。そこ
で、膜厚の経時変化に伴い、電磁石の中心部ヨーク７を
後退させてターゲット３の裏面より遠ざけ、外周部ヨー
ク８を前進させてターゲット３の裏面に近づけることに
より、膜厚分布の経時変化に対応することができる。
【００２２】図３（ａ）はターゲット初期時における膜
厚分布、図３（ｂ）は侵食時における膜厚分布をそれぞ
れ示したものである。
厚分布、図３（ｂ）は侵食時における膜厚分布をそれぞ
れ示したものである。
【００２３】また、図４はスパッタリング装置におけ
る、電磁石の中心ヨーク７および外周部ヨーク8の、タ
ーゲット３の背面からの距離ｔ1，ｔ2の変化に対する基
板３の径方向における膜厚分布の変化を示したものであ
る。
る、電磁石の中心ヨーク７および外周部ヨーク8の、タ
ーゲット３の背面からの距離ｔ1，ｔ2の変化に対する基
板３の径方向における膜厚分布の変化を示したものであ
る。
【００２４】図５は、スパッタリングによる侵蝕で、タ
ーゲット表面に部分的な凹凸が生じた場合の対応につい
て示したものである。図５の場合、ターゲット３の中心
部が侵蝕されて凹に、周辺部が残ってと凸になってい
る。そこで、中心部ヨーク７を後退させ、外周部ヨーク
８を前進させるように調節することにより、ターゲット
表面の凸部分における磁力線を高くして重点的に侵食さ
せると、ターゲット表面の形状を平坦に補正することが
でき、ターゲット侵食による膜厚分布の変化に対応する
ことができる。
ーゲット表面に部分的な凹凸が生じた場合の対応につい
て示したものである。図５の場合、ターゲット３の中心
部が侵蝕されて凹に、周辺部が残ってと凸になってい
る。そこで、中心部ヨーク７を後退させ、外周部ヨーク
８を前進させるように調節することにより、ターゲット
表面の凸部分における磁力線を高くして重点的に侵食さ
せると、ターゲット表面の形状を平坦に補正することが
でき、ターゲット侵食による膜厚分布の変化に対応する
ことができる。
【００２５】また、これを生産前の予備スパッタ時に行
えば、生産準備およびターゲットのメンテナンスが同時
に行え、コストを低減することができる。
えば、生産準備およびターゲットのメンテナンスが同時
に行え、コストを低減することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ターゲットの背部に配置した電磁石の中心部ヨークと外
周部ヨークをそれぞれ個別に移動可能とし、中心部ヨー
クと外周部ヨークのターゲット背面からの距離をそれぞ
れ変えて、電磁石が形成する磁力線の形状を変化させ、
プラズマの状態を調節することにより、基板上のスパッ
タリングの膜厚分布を制御することができ、膜厚均一性
を得ることができる。
ターゲットの背部に配置した電磁石の中心部ヨークと外
周部ヨークをそれぞれ個別に移動可能とし、中心部ヨー
クと外周部ヨークのターゲット背面からの距離をそれぞ
れ変えて、電磁石が形成する磁力線の形状を変化させ、
プラズマの状態を調節することにより、基板上のスパッ
タリングの膜厚分布を制御することができ、膜厚均一性
を得ることができる。
【図１】本発明の一実施の形態における光ディスク成膜
のためのスパッタ装置の構成図
のためのスパッタ装置の構成図
【図２】中心部ヨークと外周部ヨークを移動させたとき
の磁力線の形状を示す図
の磁力線の形状を示す図
【図３】ターゲットの初期時と侵食による経時変化時に
おけるスパッタリングの膜厚分布を示す図
おけるスパッタリングの膜厚分布を示す図
【図４】中心部ヨークと外周部ヨークのターゲット背面
からの距離の変化に対する基板の径方向における膜厚分
布の変化を示す図
からの距離の変化に対する基板の径方向における膜厚分
布の変化を示す図
【図５】スパッタリングによる侵蝕で、ターゲット表面
に部分的な凹凸が生じた場合の対応について示す図
に部分的な凹凸が生じた場合の対応について示す図
【図６】一般的なスパッタリング装置の概略構成図
１ 真空容器 ２ カソード電極 ３ ターゲット ４ 光ディスク基板 ５ コイル ６ 磁力線 ７ 中心部ヨーク ８ 外周部ヨーク １３，１８ 駆動装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 早田 博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 末光 敏行 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 BD12 CA05 DC41 DC46 EA06 5D121 AA01 AA03 EE03 EE19
Claims (5)
- 【請求項１】 基板とスパッタ用ターゲットとを対向さ
せた真空容器内にスパッタガスを導入し、前記ターゲッ
トの背部の大気中に配置した電磁石により前記真空容器
内にプラズマを発生させて、スパッタリングにより前記
基板に成膜する成膜方法であって、 前記電磁石が形成する磁力線の形状を変化させてプラズ
マの状態を調節し、前記基板上の膜厚分布を制御するこ
とを特徴とする成膜方法。 - 【請求項２】 磁力線の形状を変化させる方法として、
ターゲットの背部に設置した電磁石の中心部ヨークと外
周部ヨークの前記ターゲットの背面からの距離をそれぞ
れ独立して調節することを特徴とする請求項１記載の成
膜方法。 - 【請求項３】 同一ターゲットを繰り返し使用して、基
板上の膜厚分布が経時変化した場合、ターゲット背部に
設置した電磁石が形成する磁力線の形状を変化させるこ
とを特徴とする請求項１または請求項２記載の成膜方
法。 - 【請求項４】 スパッタリングによる侵蝕で、ターゲッ
ト表面に部分的な凹凸が生じた場合、プリスパッタの際
に磁力線の形状を変化させてプラズマの状態を調節し、
前記凸部分をより大きく侵蝕させて、ターゲット表面を
平坦に補正することを特徴とする請求項１または請求項
２記載の成膜方法。 - 【請求項５】 排気手段およびガス供給手段を有する真
空容器と、前記真空容器内において、被成膜材料である
基板に対向するように配置された成膜材料であるターゲ
ットと、前記ターゲットの背部の大気中に設置され、そ
れぞれ移動可能な中心部ヨークおよび外周部ヨークを有
する電磁石と、前記中心部ヨークを移動させる第１の駆
動手段および前記外周部ヨークを移動させる第２の駆動
手段とを備え、 前記電磁石により前記真空容器内にプラズマを発生させ
て、スパッタリングにより前記基板に成膜する際、前記
第１の駆動手段および第２の駆動手段により前記中心部
ヨークと外周部ヨークの前記ターゲットの背面からの距
離を個別に変化させ、前記電磁石が形成する磁力線の形
状を変化させてプラズマの状態を調節し、前記基板上の
膜厚分布を制御することを特徴とする成膜のためのスパ
ッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001177098A JP4312400B2 (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001177098A JP4312400B2 (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | スパッタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002363742A true JP2002363742A (ja) | 2002-12-18 |
| JP4312400B2 JP4312400B2 (ja) | 2009-08-12 |
Family
ID=19017994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001177098A Expired - Fee Related JP4312400B2 (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4312400B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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