JP2019019376A - 成膜方法及びスパッタリング装置 - Google Patents
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- 真空チャンバ内にターゲットと基板とを対向配置し、予め設定された処理時間でターゲットに所定電力を投入して真空チャンバ内に発生させたプラズマによりターゲットをスパッタリングし、基板表面に薄膜を成膜する成膜方法であって、
ターゲットの基板との背面側に配置された磁石ユニットによりターゲットの中心と外周部との間の所定領域にプラズマを偏在させると共に、この磁石ユニットを回転させることでターゲットの仮想円周上をプラズマが周回するようにしたものにおいて、
ターゲットのスパッタリングによる基板への成膜に及ぼすプラズマの損失量が所定値以上となるか否を判定する判定工程と、プラズマの損失量が所定値以上となったときのプラズマの位相を特定する位相特定工程とを含み、
処理時間経過後、位相特定工程で特定されたプラズマの位相にてプラズマの損失で生じた膜厚を補填する補正成膜を行うことを特徴とする成膜方法。 - ターゲットと基板とが対向配置される真空チャンバと、ターゲットに電力投入して真空チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備え、プラズマによりターゲットをスパッタリングして基板表面に薄膜を成膜するスパッタリング装置であって、
ターゲットの基板との背面側に配置されてターゲットの中心と外周部との間の所定領域に偏在する漏洩磁場を発生させる磁石ユニットと、この磁石ユニットをターゲットの中心を回転中心として回転させる駆動手段とを備え、ターゲットの仮想円周上をプラズマが周回するようにしたものにおいて、
基板への成膜に及ぼすプラズマの損失量が所定値以上となったときのプラズマの位相を特定する位相特定手段と、
位相特定手段で特定されたプラズマの位相にてプラズマの損失で生じた膜厚を補填する補正成膜制御を行う制御手段とを更に備えることを特徴とするスパッタリング装置。
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