KR20210002008A - 스퍼터링 장치 - Google Patents

스퍼터링 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210002008A
KR20210002008A KR1020200077884A KR20200077884A KR20210002008A KR 20210002008 A KR20210002008 A KR 20210002008A KR 1020200077884 A KR1020200077884 A KR 1020200077884A KR 20200077884 A KR20200077884 A KR 20200077884A KR 20210002008 A KR20210002008 A KR 20210002008A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
opening
distribution
target
predetermined
regulation plate
Prior art date
Application number
KR1020200077884A
Other languages
English (en)
Inventor
테루아키 이와하시
권순업
정병화
심창민
원용현
Original Assignee
한국알박(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국알박(주) filed Critical 한국알박(주)
Publication of KR20210002008A publication Critical patent/KR20210002008A/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3447Collimators, shutters, apertures

Abstract

소정의 막 두께 분포를 획득할 수 있다는 기능을 해치지 않고, 메인터넌스 주기를 길게 할 수 있는 스퍼터링 장치를 제공한다. 타겟(21)이 설치되는 진공챔버(1)를 구비하고, 진공챔버 내에 타겟에 대향 배치되어 피처리 기판(Sw)을 회전 가능하도록 유지하는 유지수단(3)과, 피처리 기판에 정면으로 대향되고, 타겟에서 소정의 코사인측을 따라 비산하는 스퍼터 입자의 일부만 통과를 허용하는 통과개구(51)가 형성되는 분포 조정판(5)이 설치되는 본 발명의 스퍼터링 장치(SM)는, 분포 조정판의 타겟측에 배치되고, 통과개구를 소정의 분포개구(61)로 규제하는 규제판(62a, 62b, 63)과, 규제판에 스퍼터 입자가 부착한 경우에 분포개구의 개구면적이 일정하게 유지되도록 규제판을 이동시키는 이동수단(7a, 7b, 7c)을 더 구비한다.

Description

스퍼터링 장치{SPUTTERING APPARATUS}
본 발명은 타겟이 설치되는 진공챔버를 구비하고, 진공챔버 내에 타겟에 대향 배치되어 피처리 기판을 회전 가능하도록 유지하는 유지수단과, 피처리 기판에 정면으로 대향하고, 타겟에서 소정의 코사인측을 따라 비산하는 스퍼터 입자의 일부만 통과를 허용하는 통과개구가 형성되는 분포 조정판이 설치되는 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
이런 종류의 스퍼터링 장치는 예를 들면, 특허문헌 1에 알려져 있다. 이는, 진공챔버 내 타겟에 대향시켜 피처리 기판을 유지하는 스테이지가 설치되고, 이 스테이지를 회전시킴으로써, 피처리 기판을 그 중심을 회전중심으로 하여 회전할 수 있게 된다. 또한, 진공챔버 내에는 피처리 기판에 정면으로 대향시키고, 피처리 기판보다 큰 윤곽을 가지는 분포 조정판(셔터)이 설치되며, 분포 조정판에는 타겟에서 소정의 코사인측을 따라 비산하는 스퍼터 입자의 일부만 통과를 허용하는 통과개구(개구부)가 개설되어 있다. 통과개구의 형상이나 개구면적은 사전의 실험 등에 의해 타겟의 스퍼터링에 따라 피처리 기판 표면에 성막했을 때의 기판면 내의 막 두께 분포가 소정 범위 내가 되도록 결정된다.
여기서, 타겟의 스퍼터링에 따른 성막 시, 타겟에서 비산한 스퍼터 입자는 규제판의 표면에도 부착, 퇴적해 간다. 그리고, 통과개구의 주연(周緣)부에 부착한 것이 성장하면, 통과개구의 개구면적이 좁아지고, 이로는 소망하는 막 두께 분포를 획득할 수 없는 경우가 있다. 근래에는 ±1 내지 3% 이내의 막 두께 분포가 요구되는 경우가 있고, 이러한 막 두께 분포의 요구를 만족하려면 통과개구의 주연부에서의 스퍼터 입자의 성장은 무시할 수 없다. 이 때문에, 짧은 주기로 정기적으로 분포 조정판이나 규제판에 퇴적한 스퍼터 입자를 제거하는 것, 즉, 메인터넌스 주기를 짧게 하는 것이 필요하게 되나, 이로는 양산성이 나빠진다.
일본 공개특허 공보 제6456010호
본 발명은 이상의 점을 감안하여, 소정의 막 두께 분포를 획득할 수 있다는 기능을 해치지 않고, 메인터넌스 주기를 길게 할 수 있는 스퍼터링 장치를 제공하는 것을 그 과제로 하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 타겟이 설치되는 진공챔버를 구비하고, 진공챔버 내에 타겟에 대향 배치되어 피처리 기판을 회전 가능하도록 유지하는 유지수단과, 피처리 기판에 정면으로 대향되고, 타겟에서 소정의 코사인측을 따라 비산하는 스퍼터 입자의 일부만 통과를 허용하는 통과개구가 형성되는 분포 조정판이 설치되는 본 발명의 스퍼터링 장치는, 분포 조정판의 타겟측에 배치되고, 통과개구를 소정의 분포개구로 규제하는, 소정의 지름방향 길이를 가지는 제1 규제판과, 제1 규제판에 스퍼터 입자가 부착한 경우에 분포개구의 개구면적이 일정하게 유지되도록 제1 규제판을 이동시키는 제1 이동수단을 더욱 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 분포 조정판에 형성되는 통과개구를 기판면 내의 막 두께 분포를 소정 범위내로 조정하는 것은 하지 않고, 타겟측에서 통과개구 일부를 제1 규제판으로 덮어 소정의 분포개구로 규제하고, 이 분포개구를 기판면 내의 막 두께 분포를 소정 범위내로 조정하는 것으로 한다. 그리고, 타겟을 스퍼터링하면, 타겟에서 비산한 스퍼터 입자가 분포개구의, 예를 들면, 지름방향 주연부에도 부착하여 성장해 가지만, 그 성장에 대응시켜 제1 규제판을 이동시키면, 분포개구의 개구면적을 일정하게 유지할 수 있다. 이로 인해, 소정의 막 두께 분포를 획득할 수 있다는 기능을 해치지 않고 메인터넌스 주기를 길게 할 수 있다.
본 발명에 있어서, 분포개구의 예를 들면, 지름방향의 주연부에도 스퍼터 입자가 부착하여 성장하는 경우에는 상기 분포 조정판의 타겟측에 배치되고, 통과개구를 소정의 분포개구로 규제하는, 소정의 둘레방향 폭을 가지는 제2 규제판과, 제2 규제판에 스퍼터 입자가 부착한 경우, 분포개구의 개구면적이 일정하게 유지되도록 제2 규제판을 이동시키는 제2 이동수단을 더욱 구비하는 것이 바람직하다. 이에 따르면, 상기 제1 규제판과 함께 제2 규제판을 이동시킴으로써, 분포개구의 개구면적을 일정하게 유지할 수 있고, 소정의 막 두께 분포를 보다 확실히 획득할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 분포개구가 소정의 둘레방향 폭 및 지름방향 길이를 가지는 경우, 상기 제1 규제판은 통과개구의 둘레방향 양측에 각각 배치되어 지름방향으로 통과개구를 넘는(跨) 길이를 가지며, 상기 제2 규제판은 통과개구의 지름방향 내방 및 외방의 적어도 하나의 모서리부를 덮고, 상기 제1 이동수단은 제1 규제판을 이동시켜 분포개구의 둘레방향 폭을 가변하고, 상기 제2 이동수단은 상기 제2 규제판을 지름방향으로 진퇴시켜 분포개구의 지름방향 길이를 가변하는 구성을 채용할 수 있다. 이에 따르면, 제1 이동수단에 의해 제1 규제판을 이동시키면, 분포개구의 둘레방향 폭이 변경되고, 제2 이동수단에 의해 제2 규제판을 이동시키면, 분포개구의 지름방향 길이가 변경되므로, 스퍼터 입자가 부착하여 성장하는 분포개구 주연부의 개소에 대응시키면서, 분포개구의 개구면적을 일정하게 유지할 수 있다. 또한, 상기 제1 이동수단은 상기 제1 규제판을 회전시키는 회전모터, 또는 통과개구의 둘레방향의 모서리부와 직교하는 방향으로 상기 제1 규제판을 이동시키는 직동 모터를 가지는 것이 바람직하다.
도 1은, 본 발명의 실시형태의 스퍼터링 장치를 나타내는 모식도.
도 2는, 분포 조정판의 통과개구를 분포개구로 규제하는 규제판을 나타내는 모식도.
이하, 도면을 참조하여 피처리 기판을 실리콘 웨이퍼나 유리 기판(이하 "기판(Sw)"이라고 한다)으로 하고, 기판(Sw)의 표면에 Cu막을 성막하는 경우를 예로, 본 발명의 실시형태의 스퍼터링 장치에 대해서 설명한다. 이하에서, "상" "하"라는 방향을 나타내는 용어는 도 1에 나타내는 스퍼터링 장치(SM)의 설치자세를 기준으로 하여 설명한다.
도 1을 참조하여, 스퍼터링 장치(SM)는 진공챔버(1)를 구비한다. 진공챔버(1)의 측벽 하부에는 터보분자 펌프나 로터리 펌프 등으로 구성되는 진공 펌프(Pu)에 통하는 배기관(11)이 접속되고, 진공챔버(1) 내를 소정 압력(예를 들면, 1×10-5Pa)까지 진공 배기할 수 있도록 한다. 진공챔버(1)의 측벽 상부에는 아르곤 가스 등의 희가스나 산소가스나 질소가스 등의 반응성 가스로 이루어지는 스퍼터 가스의 가스원(도시 생략)에 연통하는 가스 도입관(12)이 접속되어 있다. 가스 도입관(12)에는 매스 플로 컨트롤러(13)가 개설(介設)되어, 진공챔버(1) 내에 스퍼터 가스를 소정 유량으로 도입할 수 있게 된다.
진공챔버(1)의 상부에는 Cu제의 타겟(21)과, 타겟(21) 상방에서 회전 가능하도록 배치되는 자석 유닛(22)을 구비하는 캐소드 유닛(2)이 설치된다. 타겟(21)의 상면에는 인디움 등의 본딩재를 통해 접합되는, 예를 들면, Cu제의 백킹 플레이트(23)가 접합되어 있다. 그리고, 타겟(21)은 그 스퍼터면(21a)이 진공챔버(1) 내방(하방)을 향하는 자세로 절연체(14)를 통해 진공챔버(1)의 상면 개구에 장착된다. 타겟(21)에는 스퍼터 전원(E1)에서의 출력이 접속되고, 타겟(21)에 마이너스 전위를 가지는 소정 전력이 투입된다. 자석 유닛(22)은 스퍼터면(21a)의 하방 공간에 누설 자기장을 발생시켜, 스퍼터링 시 스퍼터면(21a) 하방에서 전리한 전자 등을 포착하여 타겟(21)에서 비산한 스퍼터 입자를 효율적으로 이온화 할 수 있도록 한다. 자석 유닛(22)으로는 공지의 것을 이용할 수 있으므로, 여기에서는 상세한 설명을 생략한다.
진공챔버(1) 내의 하부에는 타겟(21)에 대향시킨 자세로 기판(Sw)을 회전 가능하도록 유지하는 스테이지(3)가 설치된다. 스테이지(3)는 기판 중심이 타겟(21) 중심에서 지름방향 한편에 소정간격(이하 "오프셋량"이라 함)(d)으로 오프셋된 상태로 기판(Sw)을 유지하도록 설치된다. 오프셋량(d)은 타겟(21)이나 기판(Sw)의 직경, 타겟(21)과 기판(Sw) 사이의 거리(TS간 거리) 등을 고려하여 적절히 설정된다. 스테이지(3)는 금속제의 베이스대(基台)(31)와, 그 상면에 설치된 척 플레이트(32)를 가지며, 척 플레이트(32)에 설치된 전극에 도시되지 않은 척 전원에서 전압을 인가함으로써, 기판(Sw)을 그 성막면을 상측으로 하여 정전 흡착할 수 있게 된다. 베이스대(31)의 하면 중앙에는 도시가 생략된 진공 씰부재를 통해 진공챔버(1) 저벽을 관통하는 회전모터(4)의 회전축(41)이 접속되고, 스테이지(3) 나아가서는 기판(Sw)을 그 중심을 회전중심으로 하여 회전할 수 있게 된다. 또한, 스테이지(3)에는 고주파 전원 등으로 구성되는 바이어스 전원(E2)에서의 출력이 접속되고, 기판(Sw)에 마이너스의 바이어스 전위를 인가할 수 있게 된다.
기판(Sw)과 타겟(21) 사이에는 기판(Sw)에 정면으로 대향시켜 타겟(21)에서 비산하는 스퍼터 입자의 일부만 통과를 허용하는 통과개구(51)가 형성되는 분포 조정판(5)이 설치된다. 이하에서는 도 2에 나타내는 바와 같이, 기판면 내의 막 두께 분포를 소정범위 이내(예를 들면, ±1 내지 3%)로 조정하는 후술하는 분포개구(61)는 각각 분포 조정판(5)의 중심으로 하는 2개의 원호와, 둘레방향으로 소정간격 이간한 2개의 지름방향의 선으로 구획되어, 둘레방향 폭(W1) 및 지름방향 길이(W2)의 대략 부채꼴 형상을 가지는 것으로 한다. 통과개구(51)는 도 2중, 파선으로 나타내는 바와 같이, 분포개구(61)보다 한층 큰 면적을 가지는 대략 닮은꼴인 형상의 것이며, 2개의 원호(52a, 52b)와, 2개의 지름방향의 선(53a, 53b)으로 구획되어 있다. 또한, 통과개구(51) 자체는 기판면 내의 막 두께 분포를 소정 범위내로 조정하는 것은 아니다.
분포 조정판(5)의 타겟(21)측(상면)에는 제1 규제판(62a, 62b)과, 제2 규제판(63)이 설치되며, 제1 규제판(62a, 62b)에 의해 타겟(21)측에서 통과개구(51)의 일부를 덮고, 소정의 둘레방향 폭(W1) 및 지름방향 길이(W2)를 가지는 분포개구(61)로 규제한다. 분포개구(61)의 형상이나 둘레방향 폭(W1) 및 지름방향 길이(W2)는 통상 미리 실험적으로 요구된다. 제1 규제판(62a, 62b)은 통과개구(51)의 둘레방향 양측에 각각 배치되어 지름방향에서 통과개구(51)를 넘는(跨) 길이(소정의 지름방향 길이(L2))를 가지는 소정 면적의 대략 부채꼴로 형성된다. 제2 규제판(63)은 통과개구(51)의 지름방향 내방 및 외방의 적어도 하나(본 실시형태에서는, 지름방향 외방)의 모서리부(원호)(52b)를 덮고, 소정의 둘레방향 폭(W2) 및 소정의 면적을 가지도록 형성된다.
제1 규제판(62a, 62b)은 분포 조정판(5)을 관통하는 회전축(71a, 71b)에 각각 접속되고, 분포 조정판(5)의 하면에 설치된 제1 이동수단을 구성하는 회전모터(7a, 7b)에 의해 회전축(71a, 71b)을 회전시킴으로써, 회전축(71a, 71b)을 회전중심으로 하여 제1 규제판(62a, 62b)을 둘레방향으로 회전할 수 있고, 이로 인해 둘레방향 폭(W1)을 변경할 수 있게 된다. 제2 규제판(63)은 통과개구(51)의 원호(52b)와 동등한 곡율을 가지는 측면(631)을 가지며, 이 측면(631)과 반대측 측면(632)에는 제2 이동수단을 구성하는 직동 모터(7c)의 구동축(71c)이 접속되고, 제2 규제판(63)을 통과개구(51)에 대해 진퇴할 수 있어, 이로 인해 지름방향 길이(L1)를 변경할 수 있게 된다.
즉, 이들 제1 규제판(62a, 62b)이 서로 마주보는 지름방향의 선(621a, 622a)과 제2 규제판(63)의 측면(631)에서, 소정의 둘레방향 폭(W1) 및 지름방향 길이(L1)를 가지는 대략 부채꼴의 분포개구(61)로 규제할 수 있다. 그리고, 제1 규제판(62a, 62b)의 면적은 제1 규제판(62a, 62b)을 회전시켜 지름방향의 선(621a, 622a)을 접촉시켰을 때, 통과개구(51)가 완전히 차폐할 수 있도록 설정된다. 이 때문에, 제1 규제판(62a, 62b)은 더미 스퍼터링을 수행할 때의 셔터로서의 기능을 겸비할 수 있다.
상기 스퍼터링 장치(SM)는 마이크로 컴퓨터나 시퀀서 등을 구비한 공지의 제어수단(Cr)를 가지며, 제어수단(Cr)에 의해 진공 펌프유닛(Pu), 매스 플로 컨트롤러(13), 각종 전원(E1, E2)이나 각종 모터(7a, 7b, 7c)의 가동 등을 통괄 관리하게 된다. 이하, 상기 스퍼터링 장치(SM)를 이용하여 기판(Sw) 표면에 Cu막을 성막하는 성막방법에 대해 설명한다.
먼저, 회전모터(7a, 7b) 및 직동 모터(7c)를 구동하고, 도 2에서 실선으로 나타내는 위치에 제1 규제판(62a, 62b) 및 제2 규제판(63)을 각각 이동시켜 타겟(21)측에서 통과개구(51)의 일부를 덮어 분포개구(61)로 규제한다. 이로 인해, 분포개구(61)가 둘레방향 폭(W1) 및 지름방향 길이(L1)를 가지며, 기판면 내의 막 두께 분포를 소정 범위내로 조정하게 된다.
이와 같이 분포개구(61)로 규제한 상태에서, 진공챔버(1) 내의 스테이지(3)에 기판(Sw)을 셋팅하고, 진공 펌프유닛(Pu)를 작동시켜 진공챔버(1) 내를 소정의 진공도(예를 들면, 1×10-5Pa)까지 진공 배기하면, 매스 플로 컨트롤러(13)를 제어하여 아르곤 가스를 소정 유량으로 도입한다(이 때, 예를 들면, 진공챔버(1) 내의 압력은 30Pa). 이와 더불어, 스퍼터 전원(E1)에서 타겟(21)으로 직류전력(예를 들면, 20kW)를 투입함과 동시에, 바이어스 전원(E2)에서 기판(Sw)으로 바이어스 전력(예를 들면, 300W)를 인가한다. 이로 인해, 진공챔버(1) 내의 타겟(21)과 기판(Sw) 사이의 공간에 플라스마 분위기가 형성되고, 플라스마 분위기 중 아르곤 이온에서 타겟(21)의 스퍼터면(21a)이 스퍼터링 되어, 타겟(21)에서 소정의 코사인측을 따라 스퍼터 입자가 비산한다. 타겟(21)에서 비산한 스퍼터 입자의 일부는 분포개구(61)를 통과하여 기판(Sw) 표면에 부착, 퇴적하여 Cu막이 성막된다. 분포개구(61)를 통과한 스퍼터 입자만을 기판(Sw)에 부착시킴으로써, 기판면 내의 막 두께 분포를 소정 범위내로 조정할 수 있다.
그런데, 타겟(21)을 스퍼터링하면, 타겟(21)에서 비산한 스퍼터 입자가 분포개구(61)의 주연부에도 부착하여 성장해 간다. 본 실시형태에 따르면, 분포개구(61)의 주연부에서의 스퍼터 입자의 성장에 대응시켜, 제1 규제판(62a, 62b) 및 제2 규제판(63)을, 예를 들면, 도 2에 가상선으로 나타내는 위치에 이동시킴으로써, 분포개구(61)의 개구면적을 일정하게 유지할 수 있다. 이로 인해, 소정의 막 두께 분포를 획득할 수 있다는 기능을 해치지 않고, 메인터넌스 주기를 길게 할 수 있다. 더구나, 회전모터(7a, 7b)에 의해 제1 규제판(62a, 62b)을 이동시키면, 분포개구(61)의 둘레방향 폭(W1)이 변경되며, 직동 모터(7c)에 의해 제2 규제판(63)을 이동시키면, 분포개구(61)의 지름방향 길이(L1)가 변경되므로, 스퍼터 입자가 부착하여 성장하는 분포개구(61)의 주연부 개소에 대응시키면서, 분포개구(61)의 개구면적을 일정하게 유지할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시형태의 것으로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한, 각 종의 변형이 가능하다. 예를 들면, 상기 실시형태에서는 Cu제의 타겟(21)을 이용하여 Cu막을 성막하는 경우를 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하지 않고, 다른 금속제의 타겟(21)을 이용하여 금속막을 성막하는 경우나, 산화 알루미늄 등의 절연물제의 타겟(21)을 이용하여 절연물막을 성막하는 경우 등에도 본 발명을 적용할 수 있다.
상기 실시형태에서는 통과개구(51)의 지름방향 외방의 모서리부(52b)를 덮는 제2 규제판(63)을 구비하는 것을 예를 들어 설명하였으나, 지름방향 내방의 모서리부(52a)를 덮는 제2 규제판을 구비하는 경우나, 양쪽 모두 구비하는 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다. 단, 지름방향 내방의 모서리부(52a)를 덮는 것보다 지름방향 외방의 모서리부(52b)를 덮는 것이 소정의 막 두께 분포를 보다 확실히 획득할 수 있어 유리하다.
또한, 상기 실시형태에서는 제1 이동수단으로서의 회전모터(7a, 7b)에 의해 제1 규제판(62a, 62b)을 회전시키는 경우를 예를 들어 설명하였으나, 제1 규제판(62a, 62a)을 그 선(621a, 622a)이 통과개구(51)의 선(둘레방향의 모서리부)(53a, 53b)과 평행이 되도록 각각 배치하고, 평행을 유지한 상태에서 선(53a, 53b)과 직교하는 방향으로 제1 규제판(62a, 62b)을 이동시키도록 구성해도 좋다. 이에 따르면, 제1 규제판(62a, 62b)을 회전시키는 경우보다 확실히 소정의 막 두께 분포를 획득할 수 있다. 이 경우, 제1 이동수단으로서 직동 모터(7c)와 마찬가지의 직동 모터를 이용할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는 대략 부채꼴 형상을 가지는 통과개구(51) 및 분포개구(61)를 예를 들어 설명하였으나, 대략 부채꼴 이외의 형상을 가지는 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다. 이 경우, 그 형상과 정합하도록 제1및 제2 규제판(62a, 62b, 63)의 형상을 적절히 설정하면 좋다. 또한, 각 규제판(62a, 62b, 63)을 각각 복수매로 구성할 수도 있다.
또한, 상기 실시형태에서는 분포 조정판(5)이 소정 위치에 고정되어 있으나, 도 1에 나타내는 바와 같이, 분포 조정판(5)의 측면에 직동 모터(8)의 구동축(81)을 접속하고, 직동 모터(8)를 작동시켜 분포 조정판(5)을 이동할 수 있도록 해도 좋다. 그리고, 제1및 제2의 규제판(62a, 62b, 63)을 이동시킴과 동시에, 분포 조정판(5)도 이동시켜 분포개구(61)의 형상을 대략 동일(대략 부채꼴)하게 유지하도록 해도 좋다.
SM: 스퍼터링 장치
Sw: 기판(피처리 기판)
1: 진공챔버
21: 타겟
3: 스테이지(유지수단)
4: 회전모터(유지수단)
5: 분포 조정판
51: 통과개구
61: 분포개구
W1: 분포개구(61)의 둘레방향 폭
L1: 분포개구(61)의 지름방향 길이
62a, 62b: 제1 규제판
L2: 제1 규제판(62a, 62b)의 지름방향 길이
63: 제2 규제판
W2: 제2 규제판(63)의 둘레방향 폭
7a, 7b: 회전모터(제1 이동수단)
7c: 직동 모터(제2 이동수단)

Claims (4)

  1. 타겟이 설치되는 진공챔버를 구비하고, 진공챔버 내에 타겟에 대향 배치되어 피처리 기판을 회전 가능하도록 유지하는 유지수단과, 피처리 기판에 정면으로 대향되고, 타겟에서 소정의 코사인측을 따라 비산하는 스퍼터 입자의 일부만 통과를 허용하는 통과개구가 형성되는 분포 조정판이 설치되는 스퍼터링 장치에 있어서,
    분포 조정판의 타겟측에 배치되고, 통과개구를 소정의 분포개구로 규제하는 소정의 지름방향 길이를 가지는 제1 규제판과, 제1 규제판에 스퍼터 입자가 부착한 경우에 분포개구의 개구면적이 일정하게 유지되도록 제1 규제판을 이동시키는 제1 이동수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 분포 조정판의 타겟측에 배치되고, 통과개구를 소정의 분포개구로 규제하는 소정의 둘레방향 폭을 가지는 제2 규제판과, 제2 규제판에 스퍼터 입자가 부착한 경우에 분포개구의 개구면적이 일정하게 유지되도록 제2 규제판을 이동시키는 제2 이동수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 장치.
  3. 제2항에 기재된 스퍼터링 장치로서, 상기 분포개구가 소정의 둘레방향 폭 및 지름방향 길이를 가지는 것에 있어서,
    상기 제1 규제판은 통과개구의 둘레방향 양측에 각각 배치되어 지름방향으로 통과개구를 넘는 길이를 가지며, 상기 제2 규제판은 통과개구의 지름방향 내방 및 외방의 적어도 하나의 모서리부를 덮고, 상기 제1 이동수단은 제1 규제판을 이동시켜 분포개구의 둘레방향 폭을 가변하고, 상기 제2 이동수단은 상기 제2 규제판을 지름방향으로 진퇴시켜 분포개구의 지름방향 길이를 가변하는 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 이동수단은 상기 제1 규제판을 회전시키는 회전모터, 또는 통과개구의 둘레 방향의 모서리부와 직교하는 방향으로 상기 제1 규제판을 이동시키는 직동 모터를 가지는 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 장치.
KR1020200077884A 2019-06-28 2020-06-25 스퍼터링 장치 KR20210002008A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019122224A JP2021008645A (ja) 2019-06-28 2019-06-28 スパッタリング装置
JPJP-P-2019-122224 2019-06-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210002008A true KR20210002008A (ko) 2021-01-06

Family

ID=74128258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200077884A KR20210002008A (ko) 2019-06-28 2020-06-25 스퍼터링 장치

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2021008645A (ko)
KR (1) KR20210002008A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6456010B1 (ja) 2017-09-07 2019-01-23 株式会社アルバック スパッタリング装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6456010B1 (ja) 2017-09-07 2019-01-23 株式会社アルバック スパッタリング装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021008645A (ja) 2021-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100776861B1 (ko) 큰 영역 기판의 마그네트론 스퍼터링 시스템
EP1184483B1 (en) Thin-film formation system and thin-film formation process
JP2000144399A (ja) スパッタリング装置
KR102273512B1 (ko) 스퍼터링 장치
JPH07166346A (ja) マグネトロンスパッタリング装置
US20200013592A1 (en) Methods and apparatus for linear scan physical vapor deposition with reduced chamber footprint
KR20210089740A (ko) Pvd 스퍼터링 증착 챔버의 경사형 마그네트론
JPH1161401A (ja) スパッタリング方法及び装置
KR20210002008A (ko) 스퍼터링 장치
US11286554B2 (en) Sputtering apparatus
KR102597417B1 (ko) 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법
JPS63162862A (ja) スパツタ装置
JP6509553B2 (ja) スパッタリング装置
JP7262235B2 (ja) スパッタリング装置及びスパッタリング方法
CN109154076A (zh) 成膜方法和溅射装置
JP7128024B2 (ja) スパッタリング装置及びコリメータ
JP7193369B2 (ja) スパッタリング装置
JP7384735B2 (ja) スパッタリング装置
JP2018104738A (ja) 成膜方法
JP3898318B2 (ja) スパッタリング装置
KR20000014016A (ko) 진공 반응실용 어댑터
US20200051798A1 (en) Collimator for selective pvd without scanning
JP2023049164A (ja) マグネトロンスパッタリング装置用のカソードユニット及びマグネトロンスパッタリング装置
WO2017029771A1 (ja) スパッタリング装置及びその状態判別方法
JPWO2020066247A1 (ja) マグネトロンスパッタリング装置用の磁石ユニット