JPH083741A - スパッタ装置及びスパッタ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 金属薄膜等を成膜するためのスパッタ装置に
関し、電極周辺の凹凸を少なくして逆スパッタする際の
プラズマを安定させることにより、面内均一性に優れた
逆スパッタが可能で、試料との密着性に優れた薄膜を成
膜できるスパッタ装置を提供する。 【構成】 試料１２を支持するためのサセプター１４
と、サセプター１４に対向して配置され、試料１２に堆
積すべき材料により形成されたターゲット１６と、サセ
プター１４とターゲット１６との間に挿入自在で、サセ
プター１４との間にプラズマを発生するための補助電極
となる遮蔽板２２とにより構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、金属薄膜等を成膜する
ためのスパッタ装置及びスパッタ方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程において、Ａｌな
どの電極材料を成膜する際には、主にスパッタ装置が用
いられている。図１０に、従来のスパッタ装置の概略図
を示す。成膜を行うスパッタ室１０には、試料１２を保
持するためのサセプター（回転板）１４が設けられてい
る。サセプター１４と対向する位置には、堆積する膜の
材料であるターゲット１６が設けられている。また、タ
ーゲット１６とサセプター１４との間には、シャッター
１８が設けられている。

【０００３】試料１２上に成膜する際には、まず、堆積
する膜と試料１２との密着性を高めるために逆スパッタ
を行う。すなわち、スパッタ室１０内にスパッタガスを
導入した後、シャッター１８を閉じた状態でサセプター
１４とシャッター１８間に高周波を印加してプラズマを
発生する（図１０（ａ））。次いで、プラズマ中のイオ
ンにより試料１２の表面をスパッタして表面汚染物や自
然酸化膜等を除去することにより、その後に堆積するス
パッタ膜との密着性を高めるものである。

【０００４】逆スパッタが終了した後、シャッター１８
を開き、サセプター１４とターゲット１６との間でプラ
ズマを発生する（図１０（ｂ））。次いで、プラズマ中
のイオンによりターゲット１６をスパッタし、スパッタ
されたターゲット材料を試料１２表面に堆積する。この
ようにして、試料１２上への成膜が行われていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のスパッタ装置では、逆スパッタの際にプラズマを発生
するための一方の電極であるシャッター１８の周辺に
は、試料１２を加熱するためのヒーター２６等、装置特
有のさまざまな凹凸があったり、スパッタ室１０の内壁
とシャッター１８との間に電位差が生じたりするので、
ターゲット１６側の領域ではプラズマが安定せずに異常
放電が生じる問題があった。

【０００６】また、その結果として試料１２の逆スパッ
タの面内均一性が劣化し、スパッタ膜の密着性が悪くな
るといった問題があった。本発明の目的は、電極周辺の
凹凸を少なくして逆スパッタする際のプラズマを安定さ
せることにより、面内均一性に優れた逆スパッタが可能
で、試料との密着性に優れた薄膜を成膜できるスパッタ
装置及びスパッタ方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的は、試料を支持
するためのサセプターと、前記サセプターに対向して配
置され、前記試料に堆積すべき材料により形成されたタ
ーゲットと、前記サセプターと前記ターゲットとの間に
挿入自在で、前記サセプターとの間にプラズマを発生す
るための補助電極とを有することを特徴とするスパッタ
装置により達成される。

【０００８】また、試料を支持するためのサセプター
と、前記サセプターに対向して配置され、前記試料に堆
積すべき材料により形成されたターゲットと、前記ター
ゲットを覆うシャッターと、前記シャッターの周辺に設
けられ、前記シャッターとほぼ等しい高さに位置する補
助電極とを有し、前記シャッターと前記補助電極は、逆
スパッタ時に前記サセプターとの間にプラズマを発生す
るための電極として機能することを特徴とするスパッタ
装置により達成される。

【０００９】また、試料を支持するためのサセプター
と、前記サセプターに対向して配置され、前記試料に堆
積すべき材料により形成されたターゲットと、前記ター
ゲットの高さを調整する上下機構と、前記サセプターと
前記ターゲットとの間に挿入自在で、前記サセプターと
の間にプラズマを発生するための補助電極とを有するこ
とを特徴とするスパッタ装置により達成される。

【００１０】また、成膜を行うスパッタ室と、逆スパッ
タを行う逆スパッタ室と、前記スパッタ室及び前記逆ス
パッタ室に移動自在で、試料を支持するためのサセプタ
ーと、前記サセプターと対向するように前記スパッタ室
内に配置され、前記試料に堆積すべき材料により形成さ
れたターゲットとを有することを特徴とするスパッタ装
置により達成される。

【００１１】また、試料を支持するためのサセプター
と、前記試料に堆積すべき材料により形成されたターゲ
ットとの間に、プラズマを発生するための補助電極を挿
入し、前記補助電極と前記サセプターとの間に高周波電
界を印加してプラズマを発生し、前記試料表面を逆スパ
ッタする逆スパッタ工程と、前記補助電極を前記サセプ
ター及び前記ターゲットとの間から退避し、前記サセプ
ターと前記ターゲットとの間に高周波電界を印加してプ
ラズマを発生し、前記ターゲットをスパッタして前記試
料表面に所定の材料を堆積するスパッタ工程とを有する
ことを特徴とするスパッタ方法により達成される。

【００１２】また、試料に堆積すべき材料により形成さ
れたターゲットを覆うシャッター及び前記シャッターの
周辺に設けられ、前記シャッターとほぼ等しい高さに位
置する補助電極と、前記ターゲットに対向して配置され
た試料を支持するためのサセプターとの間に高周波電界
を印加してプラズマを発生し、前記試料表面を逆スパッ
タする逆スパッタ工程と前記シャッターを前記サセプタ
ーと前記ターゲットとの間から退避し、前記ターゲット
と前記サセプターとの間に高周波電界を印加してプラズ
マを発生し、前記ターゲットをスパッタして前記試料表
面に所定の前記材料を堆積するスパッタ工程とを有する
ことを特徴とするスパッタ方法により達成される。

【００１３】また、試料を支持するためのサセプター
と、前記試料に堆積すべき材料により形成されたターゲ
ットとの間に、プラズマを発生するための補助電極を挿
入し、前記補助電極と前記サセプターとの間に高周波電
界を印加してプラズマを発生し、前記試料表面を逆スパ
ッタする逆スパッタ工程と、前記補助電極を前記サセプ
ター及び前記ターゲットとの間から退避し、前記ターゲ
ットと前記サセプターとの間を所定の間隔に調整し、前
記ターゲットと前記サセプターとの間に高周波電界を印
加してプラズマを発生し、前記ターゲットをスパッタし
て前記試料表面に所定の材料を堆積するスパッタ工程と
を有することを特徴とするスパッタ方法により達成され
る。

【００１４】また、試料を支持するためのサセプター
を、逆スパッタを行う逆スパッタ室に移動し、前記サセ
プターと前記逆スパッタ室内壁との間に高周波電界を印
加してプラズマを発生し、前記試料表面を逆スパッタす
る逆スパッタ工程と、成膜を行うスパッタ室に前記サセ
プターを移動し、前記サセプターと、前記スパッタ室内
に設けられ、前記試料に堆積すべき材料により形成され
たターゲットとの間に高周波電界を印加してプラズマを
発生し、前記ターゲットをスパッタして前記試料表面に
所定の材料を堆積するスパッタ工程とを有することを特
徴とするスパッタ方法により達成される。

【００１５】

【作用】本発明によれば、逆スパッタの際に補助電極を
挿入し、補助電極とサセプターとの間でプラズマを発生
するので、スパッタ装置内部の凹凸に起因した異常放電
は発生しない。これにより安定して逆スパッタを行うこ
とができるので、試料との密着性に優れた薄膜を成膜で
きる。

【００１６】また、逆スパッタをする際にシャッターの
周辺に設けた補助電極をシャッターと同じ高さまで移動
して凹凸の少ない電極面を形成するので、スパッタ装置
内部の凹凸に起因した異常放電は発生しない。これによ
り安定して逆スパッタを行うことができるので、試料と
の密着性に優れた薄膜を成膜できる。また、ターゲット
の高さを自在に調整できるので、補助電極を用いて逆ス
パッタを行う場合でも、スパッタの際の電極間距離を容
易に変化することができる。

【００１７】更に、逆スパッタをするチャンバーと、ス
パッタをするチャンバーとを別に設けたので、スパッタ
装置内部の凹凸に起因した異常放電は発生しない。これ
により安定して逆スパッタを行うことができるので、試
料との密着性に優れた薄膜を成膜できる。

【００１８】

【実施例】本発明の第１の実施例によるスパッタ装置を
図１乃至図３を用いて説明する。図１は本実施例による
スパッタ装置の概略図、図２は本実施例によるスパッタ
装置の動作を説明する図、図３は本実施例の変形例を示
す図である。本実施例によるスパッタ装置の概略を説明
する。

【００１９】スパッタ室１０には、試料１２を保持する
ためのサセプター１４が設けられている。サセプター１
４と対向する位置には、堆積する膜の材料であるターゲ
ット１６が設けられている。ターゲット１６上には、逆
スパッタの際にターゲット１６を覆うためのシャッター
１８が設けられている。スパッタ室１０の側面にはサブ
チャンバー２０が設けられており、サブチャンバー２０
の内部には、スパッタ室１０に移動可能な遮蔽板２２が
設けられている。

【００２０】次に本実施例によるスパッタ装置の動作を
説明する。まず、サブチャンバー２０にある遮蔽板２２
を、スパッタ室１０に移動する。次いで、Ａｒ（アルゴ
ン）等のスパッタ用ガスをスパッタ室１０に導入した後
にサセプター１４と遮蔽板２２との間に高周波を印加
し、プラズマ２４を発生する。次いで、発生したプラズ
マ２４中のイオンにより、試料１２表面をスパッタ（逆
スパッタ）する（図２（ａ））。

【００２１】逆スパッタが終了し、遮蔽板２２をサブチ
ャンバー２０に戻した後、シャッター１８を開き、ター
ゲット１６とサセプター１４との間でプラズマを発生
し、ターゲット材料をスパッタして試料表面に堆積する
（図２（ｂ））。上記手順により、試料１２上への成膜
を行う。このように、本実施例によれば、逆スパッタを
する際に電極となる遮蔽板２２をサブチャンバー２０か
ら移動し、遮蔽板２２とサセプター１４との間でプラズ
マ２４を発生するので、スパッタ装置内部の凹凸に起因
した異常放電は発生せず、安定して逆スパッタを行うこ
とができた。

【００２２】なお、本実施例では、遮蔽板２２をスパッ
タ室１０内に挿入してプラズマ２４の安定を図ったが、
遮蔽板２２は、対向する２枚の電極の周辺に凹凸が発生
しない様な形状であればよいので、例えば図３（ａ）又
は（ｂ）に示すようなシャッター形状を有する遮蔽板２
２ａを設け、遮蔽板２２を出し入れする代わりにシャッ
ター形状の遮蔽板２２ａを開閉してもよい。

【００２３】次に、本発明の第２の実施例によるスパッ
タ装置を図４及び図５を用いて説明する。図４は本実施
例によるスパッタ装置の概略図、図５は本実施例による
スパッタ装置の動作を説明する図である。本実施例によ
るスパッタ装置の概略を説明する。

【００２４】スパッタ室１０には、試料１２を保持する
ためのサセプター１４が設けられている。サセプター１
４と対向する位置には、堆積する膜の材料であるターゲ
ット１６が設けられている。ターゲット１６上には、逆
スパッタの際にターゲット１６を覆うためのシャッター
１８が設けられている。また、ターゲット１６周辺に
は、電極面の高さを調整できる補助電極２８が設けられ
ている。

【００２５】次に本実施例によるスパッタ装置の動作を
説明する。まず、シャッター１８を閉じ、周囲の補助電
極２８をシャッター１８と等しい高さまで移動する。こ
れによりターゲット１６側には、シャッター１８及び補
助電極２８により平らな電極面３０が形成される。次い
で、Ａｒ等のスパッタ用ガスをスパッタ室１０に導入し
た後にサセプター１４と、シャッター１８及び補助電極
２８との間に高周波を印加し、プラズマを発生する。次
いで、発生したプラズマ中のイオンにより、試料１２表
面をスパッタする（図５（ａ））。

【００２６】逆スパッタが終了後、補助電極２８を下げ
てシャッターを開き、ターゲット１６とサセプター１４
との間でプラズマを発生し、ターゲット材料をスパッタ
して試料表面に堆積する（図５（ｂ））。上記手順によ
り、試料１２上への成膜を行う。このように、本実施例
によれば、逆スパッタをする際に補助電極２８をシャッ
ター１８と同じ高さまで移動し、凹凸の少ない電極面３
０を形成するので、スパッタ装置内部の凹凸に起因した
異常放電は発生せず、安定して逆スパッタを行うことが
できた。従来装置による逆スパッタの面内均一性は約３
ｎｍであったが、本実施例のスパッタ装置により面内均
一性を約１．５ｎｍまで改善することができた。

【００２７】なお、本実施例では補助電極２８の高さを
調整し、凹凸の少ない電極面３０を形成したが、シャッ
ター１８を移動して凹凸の少ない電極面３０を形成して
もよい。本発明の第３の実施例によるスパッタ装置を図
６及び図７を用いて説明する。図６は本実施例によるス
パッタ装置の概略図、図７は本実施例によるスパッタ装
置の動作を説明する図である。

【００２８】本実施例によるスパッタ装置の概略を説明
する。スパッタ室１０には、試料１２を保持するための
サセプター１４が設けられている。サセプター１４と対
向する位置には、堆積する膜の材料であるターゲット１
６が設けられた、ターゲットユニット３２が設置されて
いる。ターゲットユニット３２には、上下に移動可能な
上下機構３４が設けられている。また、スパッタ室１０
の側面にはサブチャンバー２０が設けられており、サブ
チャンバー２０の内部には、スパッタ室１０に移動可能
な遮蔽板２２が設けられている。

【００２９】次に本実施例によるスパッタ装置の動作を
説明する。まず、上下機構３４によりターゲットユニッ
ト３２を遮蔽板２２が閉まる位置まで移動する。次いで
サブチャンバー２０にある遮蔽板２２を、スパッタ室１
０に移動する。次いで、Ａｒ等のスパッタ用ガスをスパ
ッタ室１０に導入した後にサセプター１４と遮蔽板２２
との間に高周波を印加し、プラズマを発生する。次い
で、発生したプラズマ中のイオンにより、試料１２表面
をスパッタする（図７（ａ））。

【００３０】逆スパッタが終了し、遮蔽板２２をサブチ
ャンバー２０に戻した後、上下機構３４によりターゲッ
トユニット３２を移動し、ターゲット１６とサセプター
１４との間でプラズマを発生し、ターゲット材料をスパ
ッタして試料表面に堆積する（図７（ｂ））。上記手順
により、試料１２上への成膜を行う。

【００３１】このように、本実施例によれば、逆スパッ
タをする際に電極となる遮蔽板２２をサブチャンバー２
０から移動し、遮蔽板２２とサセプター１４との間でプ
ラズマを発生するので、スパッタ装置内部の凹凸に起因
した異常放電は発生せず、安定して逆スパッタを行うこ
とができた。また、ターゲット１６の高さを自在に調整
できるので、遮蔽板２２を用いて逆スパッタを行う場合
でも、スパッタの際の電極間距離を容易に変化すること
ができる。

【００３２】なお、本実施例では、遮蔽板２２を用いて
プラズマ２４の安定を図ったが、遮蔽板２２は、対向す
る２枚の電極の周辺に凹凸が発生しない様な形状であれ
ばよいので、第１の実施例と同様、図３（ａ）又は
（ｂ）に示したシャッター状の形状を有するものでもよ
い。本発明の第４の実施例によるスパッタ装置を図８及
び図９を用いて説明する。

【００３３】図８は本実施例によるスパッタ装置の概略
図、図９は本実施例によるスパッタ装置の動作を説明す
る図である。本実施例によるスパッタ装置の概略を説明
する。本実施例によるスパッタ装置は、成膜するための
スパッタ室１０と、逆スパッタを行うための逆スパッタ
室３６の２つのチャンバーにより構成されている。スパ
ッタ室１０と逆スパッタ室３６との間には、図示する方
向に回転可能な回転軸３８が設けられている。回転軸３
８には試料１２を保持するためのサセプター１４が設け
られており、サセプター１４は回転軸３８を回転するこ
とによりスパッタ室１０及び逆スパッタ室３６に移動で
きるようになっている。

【００３４】スパッタ室１０には、サセプター１４がス
パッタ室１０にあるときにサセプター１４と対向するよ
うに、堆積する膜の材料であるターゲット１６が設けら
れている。次に本実施例によるスパッタ装置の動作を説
明する。まず、回転軸３８を回転し、サセプター１４を
逆スパッタ室３６に移動する。次いで、Ａｒ等のスパッ
タ用ガスを逆スパッタ室３６に導入した後にサセプター
１４と逆スパッタ室３６の内壁との間に高周波を印加
し、プラズマ２４を発生する。次いで、発生したプラズ
マ２４中のイオンにより、試料１２表面をスパッタする
（図９（ａ））。

【００３５】逆スパッタが終了したら、回転軸３８を回
転し、サセプター１４をスパッタ室１０に移動する。次
いでシャッター１８を開き、ターゲット１６とサセプタ
ー１４との間でプラズマを発生し、ターゲット材料をス
パッタして試料表面に堆積する（図９（ｂ））。上記手
順により、試料１２上への成膜を行う。

【００３６】このように、本実施例によれば、逆スパッ
タをするチャンバーと、スパッタをするチャンバーとを
別に設けたので、スパッタ装置内部の凹凸に起因した異
常放電は発生せず、安定して逆スパッタを行うことがで
きた。なお、本実施例では、回転軸３８を回転すること
によりサセプター１４をスパッタ室１０と逆スパッタ室
３６に移動したが、スパッタ室１０及び逆スパッタ室３
６を設けることにより安定して逆スパッタが行えればよ
いので、サセプター１４の移動手段は上記実施例に限定
されるものではない。

【００３７】

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、逆スパッ
タの際に補助電極を挿入し、補助電極とサセプターとの
間でプラズマを発生するので、スパッタ装置内部の凹凸
に起因した異常放電は発生しない。これにより安定して
逆スパッタを行うことができるので、試料との密着性に
優れた薄膜を成膜できる。

【００３８】また、逆スパッタをする際にシャッターの
周辺に設けた補助電極をシャッターと同じ高さまで移動
して凹凸の少ない電極面を形成するので、スパッタ装置
内部の凹凸に起因した異常放電は発生しない。これによ
り安定して逆スパッタを行うことができるので、試料と
の密着性に優れた薄膜を成膜できる。また、ターゲット
の高さを自在に調整できるので、逆スパッタの際に補助
電極を挿入し、補助電極とサセプターとの間でプラズマ
を発生した場合にも、逆スパッタを行うときの電極間距
離をスパッタを行うときの電極間距離と等しくすること
ができる。

【００３９】更に、逆スパッタをするチャンバーと、ス
パッタをするチャンバーとを別に設けたので、スパッタ
装置内部の凹凸に起因した異常放電は発生しない。これ
により安定して逆スパッタを行うことができるので、試
料との密着性に優れた薄膜を成膜できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例によるスパッタ装置の概
略図である。

【図２】本発明の第１の実施例によるスパッタ装置の動
作を説明する図である。

【図３】本発明の第１の実施例によるスパッタ装置にお
ける遮蔽板の変形例を示す図である。

【図４】本発明の第２の実施例によるスパッタ装置の概
略図である。

【図５】本発明の第２の実施例によるスパッタ装置の動
作を説明する図である。

【図６】本発明の第３の実施例によるスパッタ装置の概
略図である。

【図７】本発明の第３の実施例によるスパッタ装置の動
作を説明する図である。

【図８】本発明の第４の実施例によるスパッタ装置の概
略図である。

【図９】本発明の第４の実施例によるスパッタ装置の動
作を説明する図である。

【図１０】従来のスパッタ装置の概略図である。

【符号の説明】

１０…スパッタ室 １２…試料 １４…サセプター １６…ターゲット １８…シャッター ２０…サブチャンバー ２２…遮蔽板 ２４…プラズマ ２６…ヒーター ２８…補助電極 ３０…電極面 ３２…ターゲットユニット ３４…上下機構 ３６…逆スパッタ室 ３８…回転軸

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 試料を支持するためのサセプターと、 前記サセプターに対向して配置され、前記試料に堆積す
   べき材料により形成されたターゲットと、 前記サセプターと前記ターゲットとの間に挿入自在で、
   前記サセプターとの間にプラズマを発生するための補助
   電極とを有することを特徴とするスパッタ装置。
2. 【請求項２】 試料を支持するためのサセプターと、 前記サセプターに対向して配置され、前記試料に堆積す
   べき材料により形成されたターゲットと、 前記ターゲットを覆うシャッターと、 前記シャッターの周辺に設けられ、前記シャッターとほ
   ぼ等しい高さに位置する補助電極とを有し、 前記シャッターと前記補助電極は、逆スパッタ時に前記
   サセプターとの間にプラズマを発生するための電極とし
   て機能することを特徴とするスパッタ装置。
3. 【請求項３】 試料を支持するためのサセプターと、 前記サセプターに対向して配置され、前記試料に堆積す
   べき材料により形成されたターゲットと、 前記ターゲットの高さを調整する上下機構と、 前記サセプターと前記ターゲットとの間に挿入自在で、
   前記サセプターとの間にプラズマを発生するための補助
   電極とを有することを特徴とするスパッタ装置。
4. 【請求項４】 成膜を行うスパッタ室と、 逆スパッタを行う逆スパッタ室と、 前記スパッタ室及び前記逆スパッタ室に移動自在で、試
   料を支持するためのサセプターと、 前記サセプターと対向するように前記スパッタ室内に配
   置され、前記試料に堆積すべき材料により形成されたタ
   ーゲットとを有することを特徴とするスパッタ装置。
5. 【請求項５】 試料を支持するためのサセプターと、前
   記試料に堆積すべき材料により形成されたターゲットと
   の間に、プラズマを発生するための補助電極を挿入し、
   前記補助電極と前記サセプターとの間に高周波電界を印
   加してプラズマを発生し、前記試料表面を逆スパッタす
   る逆スパッタ工程と、 前記補助電極を前記サセプター及び前記ターゲットとの
   間から退避し、前記サセプターと前記ターゲットとの間
   に高周波電界を印加してプラズマを発生し、前記ターゲ
   ットをスパッタして前記試料表面に所定の材料を堆積す
   るスパッタ工程とを有することを特徴とするスパッタ方
   法。
6. 【請求項６】 試料に堆積すべき材料により形成された
   ターゲットを覆うシャッター及び前記シャッターの周辺
   に設けられ、前記シャッターとほぼ等しい高さに位置す
   る補助電極と、前記ターゲットに対向して配置された試
   料を支持するためのサセプターとの間に高周波電界を印
   加してプラズマを発生し、前記試料表面を逆スパッタす
   る逆スパッタ工程と前記シャッターを前記サセプターと
   前記ターゲットとの間から退避し、前記ターゲットと前
   記サセプターとの間に高周波電界を印加してプラズマを
   発生し、前記ターゲットをスパッタして前記試料表面に
   所定の前記材料を堆積するスパッタ工程とを有すること
   を特徴とするスパッタ方法。
7. 【請求項７】 試料を支持するためのサセプターと、前
   記試料に堆積すべき材料により形成されたターゲットと
   の間に、プラズマを発生するための補助電極を挿入し、
   前記補助電極と前記サセプターとの間に高周波電界を印
   加してプラズマを発生し、前記試料表面を逆スパッタす
   る逆スパッタ工程と、 前記補助電極を前記サセプター及び前記ターゲットとの
   間から退避し、前記ターゲットと前記サセプターとの間
   を所定の間隔に調整し、前記ターゲットと前記サセプタ
   ーとの間に高周波電界を印加してプラズマを発生し、前
   記ターゲットをスパッタして前記試料表面に所定の材料
   を堆積するスパッタ工程とを有することを特徴とするス
   パッタ方法。
8. 【請求項８】 試料を支持するためのサセプターを、逆
   スパッタを行う逆スパッタ室に移動し、前記サセプター
   と前記逆スパッタ室内壁との間に高周波電界を印加して
   プラズマを発生し、前記試料表面を逆スパッタする逆ス
   パッタ工程と、 成膜を行うスパッタ室に前記サセプターを移動し、前記
   サセプターと、前記スパッタ室内に設けられ、前記試料
   に堆積すべき材料により形成されたターゲットとの間に
   高周波電界を印加してプラズマを発生し、前記ターゲッ
   トをスパッタして前記試料表面に所定の材料を堆積する
   スパッタ工程とを有することを特徴とするスパッタ方
   法。