KR100958757B1 - 플라즈마 반응기 부품을 제조하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

플라즈마 반응기 부품을 제조하기 위한 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100958757B1
KR100958757B1 KR1020070108776A KR20070108776A KR100958757B1 KR 100958757 B1 KR100958757 B1 KR 100958757B1 KR 1020070108776 A KR1020070108776 A KR 1020070108776A KR 20070108776 A KR20070108776 A KR 20070108776A KR 100958757 B1 KR100958757 B1 KR 100958757B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
temperature
time period
gas
yttrium
annealing
Prior art date
Application number
KR1020070108776A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080039265A (ko
Inventor
엘미라 랴보바
리차드 레윙톤
마드하비 알. 찬드라츄드
아미타브 사브할왈
다린 비벤스
제니퍼 선
지에 유안
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US11/554,482 external-priority patent/US7964818B2/en
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20080039265A publication Critical patent/KR20080039265A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100958757B1 publication Critical patent/KR100958757B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
    • C04B35/505—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds based on yttrium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32467—Material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
    • C04B2235/661—Multi-step sintering
    • C04B2235/662—Annealing after sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
    • C04B2235/661—Multi-step sintering
    • C04B2235/662—Annealing after sintering
    • C04B2235/663—Oxidative annealing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

산화이트륨 제조 방법이 본 명세서에서 제공된다. 일실시예에서, 상기 방법은, 산화이트륨 샘플을 소결하는 단계, 부품을 형성하기 위하여 소결된 샘플을 머시닝하는 단계 및 미리 정해진 가열 속도로 부품을 가열함으로써 부품을 어닐링하는 단계, 일정한 어닐링 온도로 부품을 유지시키는 단계 및 미리 정해진 냉각 속도로 부품을 냉각시키는 단계를 포함한다.

Description

플라즈마 반응기 부품을 제조하기 위한 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING PLASMA REACTOR PARTS}
본 발명은 일반적으로 플라즈마 처리를 위한 방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 개선된 구성 부품들을 이용한 플라즈마 처리를 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
마이크로 전자장치 또는 집적 회로 소자들의 제조는 일반적으로 반도전성, 유전성 및 도전성 기판상에 실행되는 수백 개의 개별적인 단계들을 요구하는 복잡한 공정 시퀀스를 수반한다. 이러한 공정 단계들의 예로는 산화, 확산, 이온 주입, 박막 증착, 세정, 에칭 및 리소그래피를 들 수 있다.
리소그래피 및 에칭(종종 패턴 전사 단계로 참조되는)을 사용함으로써, 원하는 패턴이 먼저 감광성 물질층, 예를 들어 포토레지스트에 전사되고, 그 후, 후속의 에칭 단계 동안에 하부에 놓인 물질층에 전사된다. 리소그래피 단계에서, 블랭킷(blanket) 포토레지스트층이 패턴을 포함하는 포토마스크 또는 레티클을 통해 발광 소스에 노출되어, 패턴의 이미지가 포토레지스트에 형성된다. 적절한 화학 용액에서 포토레지스트를 현상함으로써, 포토레지스트의 부분들이 제거되어, 포토레 지스트층이 패터닝된다. 마스크로서 작용하는 이러한 포토레지스트 패턴을 이용하여, 하부에 놓인 물질층이 예를 들어, 습식 또는 건식 에칭을 사용하여 반응성 환경에 노출되고, 하부에 놓인 물질층에 패턴이 전사된다. "마스크", "포토마스크" 또는 "레티클"이라는 용어들은 일반적으로 패턴을 포함하는 기판을 나타내기 위하여 호환성 있게 사용될 것이다.
일반적으로 유리 또는 석영 기판상에 지지되는 금속 함유층에 형성되는 포토마스크상의 패턴은 또한 포토레지스트 패턴을 통한 에칭에 의하여 발생된다. 그러나, 이러한 경우, 레티클을 통해 포토레지스트를 노출시키는 것과 대조적으로, 포토레지스트 패턴은 예를 들어, 전자 빔 또는 다른 적절한 방사 빔을 사용하여 직접 기록 기술에 의해 생성된다. 마스크로서 패터닝된 포토레지스트로, 패턴은 플라즈마 에칭을 사용하여 하부에 놓인 금속 함유층에 전사될 수 있다.
플라즈마 공정들은 종종 플라즈마 챔버에서 수행되는 박막 증착 및 에칭을 위해 사용된다. 화학 기상 증착에서, 반응성 종들은 적절한 공정 가스들에 전압을 인가함으로써 발생되며, 후속의 화학 반응들은 기판상에 박막의 형성을 초래한다. 플라즈마 에칭에서, 이전에 증착된 막은 종종 앞선 리소그래피 단계에서 형성된 패터닝된 마스크층을 통해 플라즈마에서 반응성 종들에 노출된다. 반응성 종들과 증착된 막 사이의 반응은 증착된 막의 제거 또는 에칭을 초래한다.
챔버 부품들 또는 공정 키트들이 연장된 기간 동안 플라즈마 환경에 노출될 때, 플라즈마 종들과의 반응으로 인한 저하가 일어날 수 있다. 예를 들어, 현재의 공정 키트들 또는 플라즈마 챔버의 구성 부품들은 종종 알루미늄(알루미늄 산화물)로 만들어진다. 할로겐 포함 가스들, 예를 들어, 불소 포함 또는 염소 포함 가스들이 회로 제조에서 다양한 물질층들을 에칭하는데 사용된다. 알루미나는 불소 종들에 의한 공격에 취약하며, 구성 부품들의 표면상에 AlxFyOz의 형성을 초래하는 것으로 여겨진다. 그러한 에칭 부산물은 공정 동안의 입자들로서 실행될 수 있으며, 마스크 기판상에 오염 및 결함을 초래한다. 또한, 몇몇 알루미나 부품들은 머시닝(machining) 동안에 생성된 기계적 스트레스의 결과로서 파손될 여지가 있는 것으로 보인다. 따라서, 플라즈마 애플리케이션을 위한 구성 부품들로서의 사용에 적합한 대안적인 세라믹 물질들 및 그러한 물질들을 제조하기 위한 개선된 공정들이 요구된다.
본 발명은 산화이트륨 부품을 제조하는 방법을 제공하며, 상기 방법은 (a) 산화이트륨 샘플을 제공하는 단계, (b) 산화이트륨 샘플을 소결시키는 단계, (c) 부품을 형성하기 위하여 소결된 산화이트륨 샘플을 머시닝하는 단계 및 (d) 부품을 어닐링하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예는 플라즈마 반응기에서 사용하기 위하여 적어도 약 99.5 퍼센트 산화이트륨을 포함하는 부품을 제공한다.
본 발명의 또 다른 실시예는 플라즈마 공정 챔버를 제공하며, 상기 플라즈마 공정 챔버는 챔버 몸체, 챔버 몸체에 배치되며 적어도 약 99.5 퍼센트의 산화이트륨으로 만들어진 부품, 챔버 몸체에 배치되며 그 위에 기판을 수용하도록 구성되는 지지 받침대; 및 챔버내에 플라즈마를 형성하기 위한 전력원을 포함한다.
위에서 간략히 요약된 본 발명의 상기 개시된 특징들이 보다 상세히 이해될 수 있는 방식으로 본 발명의 보다 상세한 설명이 실시예들을 참조로 하여 개시될 수 있으며, 몇몇 실시예들은 첨부 도면들에 도시된다. 그러나, 첨부 도면들은 본 발명의 전형적인 실시예들만을 도시하는 것으로서, 본 발명의 범위를 제안하기 위한 것이 아니며, 본 발명은 동일한 효과를 내는 다른 실시예들 또한 허용할 수 있다는 것에 유념해야 한다.
이해를 용이하게 하기 위하여, 도면들에 공통적인 동일한 엘리먼트를 지시하기 위해서 가능하다면 동일한 참조 번호들이 사용된다. 일실시예의 엘리먼트들 및 특징들은 추가의 상술 없이 다른 실시예들에서 바람직하게 통합될 수 있을 것이다.
그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 예시적인 실시예들만을 도시하는 것으로, 본 발명의 범위를 제안하는 것으로 여겨져서는 안 되고, 동일한 효과를 내는 다른 실시예들 또한 허용할 수 있다는 것에 유념해야 한다.
본 발명의 특정 실시예들은 감소된 스트레스 및 강화된 화학 저항력과 같은 개선된 특성들을 갖는 벌크 또는 고체 산화이트륨으로 구성된 부품들을 제조하기 위한 방법을 제공한다. 다른 특정 실시예들은 개선된 특성들을 갖는 벌크 또는 고체 산화이트륨으로 만들어진 챔버 구성들 및 이와 동일한 것을 이용하는 공정 챔버들을 포함한다. 특히, 그러한 개선된 특성들은 부품이 머시닝된 후에 고온 어닐링된다면 획득될 수 있는 것으로 밝혀졌다. 또한, 그러한 특성들은 부품이 산소 포함 환경에서 소결되거나 어닐링된다면 더욱 개선될 수 있다.
도 1은 이러한 개선된 산화이트륨 부품들을 제조하기 위하여 사용될 수 있는 방법(100)의 일실시예를 도시한다. 고체 산화이트륨 샘플은 방법(100)의 블럭(102)에서 공정의 시작 단계에 제공된다. 고체 산화이트륨 샘플은 본 기술 분야의 당업자들에게 공지된 다양한 기술들로 만들어질 수 있다. 예를 들어, 파우더 형태의 산화이트륨(이트륨 산화물, Y2O3)은 시작 물질로서 사용될 수 있고, 슬러리(slurry)는 물, 바인더(binder)와 같은 다른 구성들 및 부품들의 특성을 강화시키거나 제조 공정을 용이하게 하도록 사용될 수 있는 적절한 첨가물들을 부가함으로써 형성된다. 건조 후에, 슬러리는 고체 산화이트륨 샘플을 형성하기 위하여 블 럭으로 가압-성형(press-mold)된다.
블럭(104)에서, 고체 산화이트륨 샘플은 고온 환경에 노출시킴으로써 소결되고, 이는 산화 이트륨 입자들이 함께 용융되도록 한다. 특정 애플리케이션 요구에 따라, 소결은 다양한 기체 분위기 또는 환경에 산화이트륨 고체 샘플을 노출시킴으로써 수행될 수 있다. 일실시예에서, 소결은 약 0.001 기압(atm.) 내지 약 1atm 범위의 O2 부분 압력을 갖는 산소 포함 분위기, 예를 들어, 산소(O2) 및 질소(N2)를 포함하는 혼합물하에서 수행된다. 다른 압력이 또한 사용될 수 있으나, 어닐링은 어닐링 동안 약 1atm의 전체 압력으로 수행될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 소결 혼합물은 체적당 약 2 퍼센트의 O2 농도를 갖는다. 다른 실시예에서, 소결은 비활성 또는 비산화 분위기, 예컨대 질소(N2) 또는 다른 비활성 가스들 분위기에서 수행된다.
소결 이후, 산화이트륨 샘플은 블럭(106)에 도시된 바와 같이, 부품으로 머시닝된다. 일반적으로, 부품은 상이한 장비 또는 기계의 임의의 구성 부품일 수 있으며, 다양한 형태 또는 치수를 가질 수 있다. 일실시예에서, 머시닝된 부품은 약 99.9 퍼센트보다 높은 순도 레벨을 갖는 플라즈마 공정 챔버의 부품이다. 다른 실시예들에서, 약 99.5 퍼센트 산화이트륨보다 높은 순도 레벨을 갖는 샘플들은 또한 플라즈마 공정 챔버들에서 사용하기에 적합하다.
블럭(108)에서, 머시닝된 부품은 제어 환경하에서 높아진 온도에서 어닐링 처리된다. 예를 들어, 어닐링 가스, 가열 또는 냉각 속도와 같은 하나 이상의 어 닐링 조건의 선택은 산화이트륨 샘플을 준비하는데 사용되는 특정한 소결 분위기에 의존할 수 있다. 본 발명의 일실시예에 따라, 소결 단계 또는 어닐링 단계 중 적어도 하나는 산소-포함 분위기하에서 수행된다. 어닐링 단계 동안의 가열 또는 냉각 속도의 선택은 또한 사용되는 소결 분위기에 의존한다. 어닐링 단계 이후, 부품은 필요에 따라 사용 또는 설치를 위해 그것을 준비하도록 추가의 공정을 거칠 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따라, 블럭(108)에서 어닐링 공정은 3개 단계를 포함한다. 제1 단계 동안, 부품은 어닐링 가스에 노출되고, 제1 온도, 예를 들어, 주변 온도로부터 미리 정해진 제2 온도로 램프-업(ramp-up) 가열된다. 제2 단계에서, 부품은 이전의 머시닝 동작에 의해 생성되거나 유도될 수 있는 임의의 스트레스를 실질적으로 완화시키고 원하는 화학 저항력을 제공하기에 충분한 시간 주기 동안 제2 온도(어닐링 온도)에서 유지된다. 제3 단계에서, 부품은 다시 제1 온도로 램프-다운(ramp-down) 냉각된다.
앞서 언급된 바와 같이, 소결 온도는 하나 이상의 어닐링 조건들의 선택에 영향을 미칠 수 있다. 예를 들어, 블럭(104)에서 소결 공정이 N2 또는 다른 비활성 가스들와 같은 비활성 또는 비산화 분위기에서 수행된다면, 산화이트륨 부품은 어닐링 공정 중 적어도 일부분 동안 산소-포함 가스에 노출될 것이다. 일실시예에서, 어닐링 가스는 체적당 약 10 퍼센트의 O2 농도를 갖는 혼합물이며, N2 또는 다른 비활성 가스들인 발란스를 갖는다.
한편, 소결이 산소-포함 분위기에서 수행되면, 그 후, 어닐링 동안 산소-포함 분위기에 부품을 노출시킬 필요가 없다.
또한, 비활성 또는 비산화 분위기하에서 소결되는 산화이트륨 샘플들에 대하여, 어닐링 조건들의 보다 섬세한 제어가 요구될 수 있는데, 이는 샘플들로부터의 배기(outgassing)가 샘플들 주변의 가스 환경을 변화시킬 수 있기 때문이다. 따라서, 어닐링 가스의 순환은 온도, 압력 및 가스 조성과 같은 다양한 파라미터들의 주기적 모니터링으로, 어닐링 분위기로의 산화이트륨의 보다 균일한 노출을 확보하도록 제공될 수 있다.
일실시예에서, 블럭(108)에서 어닐링 공정은 기압에서의 공기를 갖는 오븐에서 수행된다. 어닐링 가스로서 공기를 사용하는 것은 편리함 및 상대적으로 낮은 가격의 장점을 제공한다. 적어도 약 99.5 퍼센트 산화이트륨의 순도 레벨을 갖는 산화이트륨 부품과 같은 몇몇 해당 산화이트륨 부품들에 대하여, 공기중에서의 어닐링은 완성된 부품들에 원하는 특성을 제공하기에 충분하며, 환원(reducing) 또는 산화 분위기와 같은 보다 활성화된 구성들을 갖는 가스 혼합물에 특별히 필요치 않다. 다른 비활성 또는 비반응성 분위기들은 또한 예를 들어, 특히 질소, 아르곤 또는 그들의 혼합물들 또는 공기의 산소 농도와 상이한 산소 농도를 갖는 다른 상대적인 비활성 혼합물들과 같은 산화이트륨 부품들을 어닐링하기 위하여 사용될 수 있다. 특정 애플리케이션들에 따라, 특정 부품들은 성형 가스(forming gas)(예를 들어, 질소에서 수소의 체적당 10 퍼센트 미만 또는 4 퍼센트의 혼합물), 또는 상이한 농도의 수소를 포함하는 가스 혼합물들, 또는 환원 또는 산화 가스들의 사용 으로부터 이익을 얻을 수 있다. 예를 들어, 화학적 변경 또는 패시베이션(passivation)과 같은 표면 변경이 필요하다면, 그 후 어닐링은 적절하게 환원 또는 산화 환경에서 수행될 수 있다.
고체 산화이트륨 샘플의 소결이 비산화 또는 비활성 분위기하에서 수행되는 다른 실시예에서, 어닐링 가스는 예를 들어, 체적당 적어도 약 10 퍼센트의 산소 농도의 산소-포함 분위기를 포함한다.
어닐링은 고정(static) 또는 가스 유동 환경하에서 수행될 수 있다. 고정 조건은 비용 감소의 장점을 제공하나, 가스 유동 구성은 신선한 어닐링 가스의 공급이 유지될 수 있도록 샘플과의 화학적 반응을 수반하는 어닐링에 바람직하다. 홈(groove)들과 같은 특정한 기하학적인 형태들 또는 특징들을 갖는 부품들에 있어서, 얇은 판(laminar) 흐름 조건들과 대조적으로 난류(turbulent flow)를 사용하는 것이 또한 바람직할 수 있다.
어닐링 공정 동안의 램프-업 가열 및 램프-다운 냉각 속도는 불균일한 열 팽창 또는 수축으로부터 일어날 수 있는 스트레스를 최소화할 만큼 충분히 느리지만, 공정에 대한 실용적인 작업 처리량을 제공할만큼 충분히 높도록 제어된다. 따라서, 각각의 램프-업 가열 및 램프-다운 냉각 단계들은 특정 부품들에 따른 특정 시간으로, 약 8 시간 내지 약 48 시간의 시간 주기에 걸쳐 발생할 수 있다.
열 팽창 계수 및 열 용량과 같은 부품의 열 특성, 표면 영역 대 체적 비율, 형태, 크기에 더하여, 산화이트륨 샘플 형성에 사용되는 소결 분위기는 어닐링 동안에 가열 또는 냉각 속도의 선택에 영향을 미친다. 따라서, 일실시예에 따라, 가 열 및 냉각 속도는 적어도 소결 동안에 사용되는 소결 분위기에 기초하여 선택된다. 소결 환경은 산화이트륨 샘플의 표면 특성에 특정한 변화를 일으켜, 적절한 벌크 특성 천이(transition)를 확보하기 위하여 어닐링 조건에 대한 대응되는 조정이 요구될 수 있는 것으로 여겨진다. 일반적으로, 높은 국부적 스트레스 또는 스트레인(strain) 농도를 갖는 샘플들은 느린 가열 및 냉각 속도를 요구할 것이다. 따라서, 샘플의 두께 및 형태와 같은 파라미터들은 램프-업 가열 또는 램프-다운 냉각 속도를 판단하는데 중요하다.
일실시예에서, 안정된 또는 일정한 가열 속도가 사용되고, 외부 온도 기울기(gradient)가 부품 표면 주변에 약 1 켈빈 퍼 센티미터(1 K/cm)를 초과하지 않도록 제어된다. 본 명세서에서, 외부 온도 기울기는 예를 들어, 부품과 어닐링 가스 사이의 접점에 가까운 영역에서 부품의 표면에 가까운 온도 기울기로 참조된다. 다른 실시예에서, 가열 속도는 내부 온도 또는 부품 내부의 열적 기울기가 약 10 줄 퍼 킬로그램 퍼 켈빈(J/kg-K)을 초과하지 않도록 제어된다. 또 다른 실시예에서, 가열 속도는 제1 시간 주기 전반에 걸쳐 상대적 제한값들 아래로 외부 및 내부 열적 기울기를 유지시키도록 제어된다.
산소-포함 분위기에서 소결되는 산화이트륨 샘플들에 대하여, 예를 들어, 유사한 기하학적 형태 및 두께를 갖지만 비활성 또는 비산화 분위기에서 소결되는 다른 샘플들보다 약 3 내지 5배 느린 원치 않는 열적 스트레스를 방지하기 위하여 램프-업 가열 단계 동안 낮은 가열 속도가 요구될 수 있다. 따라서, 가열 속도는 외부 온도 기울기가 약 0.2 내지 약 0.3 K/cm 사이이고, 내부 온도 기울기가 약 2 내지 약 3 J/kg-K 사이이도록 제어될 수 있다. 일실시예에서, 가열 속도는 외부 온도 기울기가 약 0.3 K/cm을 초과하지 않도록 제어된다. 대안적으로, 가열 속도는 내부 온도 기울기가 약 3 J/kg-K를 초과하지 않도록 제어된다.
제2 단계에서 사용되는 어닐링 온도는 특정 산화이트륨 부품에 좌우되며, 또한 부품들에 사용되는 첨가물들에 좌우될 수 있다. 일반적으로, 어닐링 온도는 물질 조성에 대한 공융점보다 적어도 약 200 켈빈만큼 낮아야 한다. 해당 산화이트륨 부품들에 대하여, 약 섭씨 200도 내지 약 섭씨 1000도의 범위가 사용될 수 있으며, 일실시예에서, 어닐링 온도는 약 섭씨 800도 내지 약 섭씨 100도 사이이다. 제2 단계의 시간 주기는 특정 부품, 예를 들어, 치수, 형태 또는 조성 등에 좌우된다. 상대적으로 큰 부품들 또는 기계적 스트레스를 받기 쉬울 수 있는 형태를 갖는 부품들은 일반적으로 더 긴 어닐링 주기를 요구할 것이다. 몇몇 실시예들에 있어서, 어닐링 주기는 수일, 예를 들어, 4 내지 약 7일에 이를 수 있다.
램프-다운 냉각 단계에서, 부품은 지나치게 높은 냉각 속도에서 다르게 상승할 수 있는 열적 스트레스를 최소화하기 위하여 유사한 조건에 따라 제어된 속도로 냉각된다. 일실시예에서, 부품은 램프-업 가열 동안 사용되는 것과 대략적으로 동일한 안정된 또는 일정한 속도로 냉각된다.
어닐링 이후에, 부품은 필요에 따라 사용 또는 설치를 위해 부품을 준비하기 위한 추가의 공정을 겪을 수 있다.
본 방법을 사용하여 제조된 벌크 산화이트륨 부품은 예컨대 스트레스 감소 및 화학적 저항력 향상을 포함하는 개선된 특성들을 보인다는 것으로 밝혀졌다. 본 발명의 일실시예에 따른 어닐링을 통해 처리된 이후, 벌크 산화이트륨 샘플의 개선된 특성을 증명하기 위한 비교 연구가 수행되었다. 특히, 산화이트륨 쿠폰들 또는 샘플들의 3개 뱃치(batch)들로부터 나오는 표면 거칠기, 휘도 및 X-레이 회절이 비교된다. 3개 샘플들은 다음의 상이한 제조 단계들을 통해 처리된다: 1) 애즈-소결(as-sintered); 2) 머시닝; 및 3) 머시닝 및 어닐링. 샘플들은 그 후 불소-포함 및 산소-포함 플라즈마에 약 12시간 동안 노출된다. 표면 거칠기 측정값들은 샘플 #3이 소결된 직후 샘플(샘플 #1)의 표면 거칠기보다 낮으나, 샘플 #2의 거칠기와는 거의 동일함을 보인다.
X-레이 회절 결과값들은 소결된 직후(as-sintered) 샘플 #1이 마이크로미결정(microcrystallite) 구조물을 갖는 2개의 상이한 상(phase)들을 포함한다는 것을 보인다. 머시닝 이후, 샘플의 표면은 이중-상(dual-phase) 샘플보다 더욱 바람직한 단일-상이 된다. 머시닝되고 어닐링된 샘플은 단일-상으로 남아있지만, 스트레스는 샘플 #2와 비교하여 감소된다.
마지막으로, 플라즈마 노출 이후의 침식 저항력이 또한 비교되고, 샘플 #3은 소결된 직후 샘플 #1에 이어, 침식이 최소화되는 것으로 밝혀지는 한편, 단지 머시닝만된 샘플 #2는 침식이 최대화되는 것을 보인다.
이러한 결과값들은 머시닝되고 어닐링된 부품(샘플 #3)이 감소된 스트레스로 인하여 플라즈마 환경에서 사용하기에 최상으로 맞춰지는 것을 제안한다. 스무더(smoother) 마무리는 또한 처리 동안에 증착된 물질들로부터 일어나는 입자 발생을 감소시킨다.
본 방법은 일반적으로 상이한 치수 또는 형태의 다양한 산화이트륨 부품들을 제조하는데 사용될 수 있으나, 예를 들어, 개구부들 또는 각진 부분들 또는 형태들을 갖는 부품들과 같은 기계적 스트레스를 받기 더욱 쉬운 특정 머시닝 부품들에 대해 특히 바람직하다.
본 발명의 실시예들은 다양한 애플리케이션들을 위한 산화이트륨 부품들을 제조하는데 사용될 수 있다. 이러한 개선된 부품들은 또한 플라즈마 공정들에서 부딪히는 것들과 같은 부식성 환경에서 사용하기에 적합하다. 예를 들어, 특히 AdvantEdge Metal 및 DPS Metal 챔버들과 같은 컨덕터 에칭 챔버들뿐만 아니라, CENTURA® 시스템, eMax 에칭 챔버, Producer 에칭 챔버와 같은 반도체 웨이퍼 처리 시스템의 일부분일 수 있는 ENABLER®와 같은 유전체 에칭 챔버들, Tetra Ⅰ Tetra Ⅱ Photomask 에칭 시스템들, Decoupled Plasma Source(DPS®) Ⅱ 반응기와 같은 다양한 플라즈마 증착 및 에칭 챔버들은 본 명세서에 개시된 내용으로부터 이익을 얻을 수 있으며, 이 모두는 캘리포니아 산타클라라에 위치한 어플라이드 머티리얼스사로부터 이용가능하다. ENABLER® 챔버의 세부 사항들은 미국 특허 제6,853,141호 "자기 플라즈마 제어부와 용량성 결합된 플라즈마 반응기"에 개시된다. 에칭 반응기의 다른 실시예의 세부 사항들은 "포토마스크 플라즈마 에칭을 위한 방법 및 장치"라는 제목의 미국 특허 출원 S/N 10/882,084호(Attorney Docket No.9400)에 개시된다. 다른 제조자들로부터 제공되는 것들을 포함하는 다른 플라즈마 반응기들 또한 본 발명으로 이익을 얻도록 구성될 수 있다.
도 2는 벌크 산화이트륨으로 만들어진 특정 구성 부품들을 갖는 에칭 반응기(200)의 개략도를 도시한다. 본 명세서에 도시된 반응기(200)의 실시예는 설명을 목적으로 제공되는 것이며, 본 발명의 범위를 제한하도록 사용되어서는 안 된다.
반응기(200)는 일반적으로 전도성 몸체(벽)(204)내에 기판 받침대(224)를 갖는 공정 챔버(202) 및 제어부(246)를 포함한다. 챔버(202)는 실질적으로 평탄한 천장 또는 챔버 리드(lid)(208)를 갖는다. 챔버(202)의 다른 변경은 다른 타입의 천장들, 예를 들어, 돔-형태의 천장을 가질 수 있다. 리드(208)위에 배치된 안테나(210)는 플라즈마 전력원(212)에 결합된 제1 매칭 네트워크(214)를 통해 선택적으로 제어될 수 있는 하나 이상의 유도성 코일 엘리먼트들(두 개의 동축 엘리먼트들(210a 및 210b)이 도2에 도시된다)을 포함한다. 플라즈마 전력원(212)은 일반적으로 약 50kHz 내지 약 13.56 MHz 범위의 조정가능한 주파수에서 약 300W까지 생성할 수 있다.
기판 받침대(캐소드)(224)는 바이어싱 전력원(240)에 제2 매칭 네트워크(242)를 통해 결합된다. 바이어싱 소스(240)는 일반적으로 연속형 또는 펄스형(pulsed) 전력 중 하나를 생성할 수 있는 약 13.56 MHz의 주파수에서 약 500W까지의 소스이다. 대안적으로, 소스(240)는 DC 또는 펄스형 DC 소스일 수 있다.
일실시예에서, 기판 지지 받침대(224)는 전형적인 기판, 예를 들어, 사각형 기판의 형태 및 치수와 실질적으로 매칭되는 형태 및 치수를 갖는 중앙 돌출부를 갖는다. 상기 개시된 공정(100)에 의해 벌크 산화이트륨으로 만들어지는 커버 링(300) 및 캡쳐 링(400)는 기판 지지 받침대(224)위에 배치된다. 환형(annular) 절연체(290)가 기판 지지 받침대(224)의 외부 부분과 커버 링(300) 사이에 제공된다.
도 3a 및 도 3b는 커버 링(300)의 상부 및 단면의 개략도이다. 커버 링(300)은 기판(222)을 실질적으로 매칭하기 위한 형태 및 크기의 중앙 개구부(304)를 형성하는 내부 경계선(302) 및 개구부(304)에 인접하게 배치된 두 개의 상부 돌출부들(306 및 308)을 갖는다. 도 3a에서 도시된 바와 같이, 돌출부(306)는 내부 경계선(302)의 일부분을 실질적으로 매칭하는 절두된(truncated) 내부 부분을 갖는 환형 링의 세그먼트의 형태이다. 다른 돌출부(308)는 실질적으로 형태가 직사각형이다. 립(lip) 부분들(310 및 312)은 각각 돌출부들(306 및 308)에 인접하게 제공된다.
도 4a 및 4b에 상부도 및 단면도가 개략적으로 도시되는 캡쳐 링(400)은 예를 들어, 제거된 세그먼트를 갖는 환형 링과 유사한 C자 형태를 갖는다. 받침대(224)로의 그리고 받침대로부터의 전송 동안에 기판을 수용하고 지지하기 위해 사용되는 립 부분들(404 및 406)이 제공된다(예를 들어, 포토마스크 또는 레티클). 캡쳐 링(400)은 커버 링(300)의 돌출부들(306) 및 내부 경계선(302)을 실질적으로 매칭하는 크기 및 형태인 내부 경계선(402)을 갖는다. 캡쳐 링(400)은 승강 메커니즘(238)(도 2에 도시된)에 의해 두 개 부분들 사이로 이동하도록 설계되고, 개별적인 가이딩 홀들(236)을 통해 이동하는 복수의 승강 핀들(230)(하나의 승강핀만이 도시됨)을 포함한다. 제1 위치에서, 캡쳐 링(400)은 받침대(224)의 상부 표면 아래로 낮춰지고, 기판(222)은 처리를 위해 받침대(224)에 의해 지지된 채로 남겨진다. 이러한 제1 위치에서, 캡쳐 링(400)은 본질적으로 커버 링(300)과 캡쳐 링(400)의 상부 표면이 실질적으로 동일한 수평 평면상에 있도록 완전한 환형 링을 형성하기 위하여 커버 링(300)의 돌출부들(306, 308)과 결합한다. 즉, 커버 링(300)과 캡쳐 링(400)의 적어도 특정 부분들이 상보적으로 형성된다. 기판 처리가 완료된 후, 캡쳐 링(400)은 챔버(202)의 외부 전송을 위해 기판(222)을 지지하는 그것의 제2 위치로 위를 향해 승강되고, 처리를 위해 다른 기판을 수용하도록 준비된다.
처리 동안에, 기판(222)의 온도는 받침대(224)에 제공된 하나 이상의 채널들(미도시)을 통해 냉각제가 흐르게 하여 기판 받침대(224)의 온도를 안정화시킴으로써 제어된다.
일실시예에서, 이온-라디칼(ion-radical) 차폐물(270)이 받침대(224)위의 챔버(202)에 배치된다. 이온-라디칼 차폐물(270)은 받침대(224) 및 챔버 벽(204)으로부터 전기적으로 절연되고, 일반적으로 받침대(224)위의 복수의 레그(leg)들(276)에 의해 지지된 실질적으로 평탄한 플레이트(272)를 포함한다. 플레이트(272)는 고정 챔버(202)의 상부 처리 체적(278)에 형성된 플라즈마로부터 이온-라디칼 차폐물(270)과 기판(222) 사이에 위치된 낮은 공정 체적으로 이동하는 이온의 양을 제어하기 위하여 플레이트(272)의 표면에 원하는 개방 영역을 제공하는 하나 이상의 개구부들 또는 구멍들(274)을 형성한다. 복수의 레그들(276)은 일반적 으로 커버 링(300)의 외부 경계선 주변에 위치되고, 플레이트(272)와 동일한 물질로 제조될 수 있다. 레그들(276)은 다양한 방법을 사용하여 커버 링(300)의 외부 경계선 아래에 제공되는 스크린(292) 및 플레이트(272)에 결합되거나 고정될 수 있다. 적어도 하나의 레그들(276), 링(300) 또는 플레이트(272)는 상기 개시된 방법(100)을 사용하여 제조될 수 있다.
하나 이상의 고정 가스들은 기판 받침대(224)위에 위치되는 하나 이상의 유입구들(216)(예를 들어, 개구부들, 주입기들, 노즐들 등)을 통해 가스 패널(220)로부터 공정 챔버(202)로 제공된다. 도 2에 도시된 실시예에서, 공정 가스들은 챔버 리드(208) 주변에 배치된 환형 가스 주입 링(294)에 형성된 환형 가스 채널(218)을 통해 유입구들(216)로 제공된다. 일실시예에서, 챔버 리드(208)는 약 20 인치의 지경을 갖는 블랭크(blank) 원형 리드이고, 가스 유입구(216)는 1 인치 미만의 최대 수직 및 측면 치수를 갖고, 둘 모두는 본 발명의 제조 방법(100)에 따른 고체 산화이트륨으로 만들어진다. 대안적으로, 환형 가스 주입 링(294)은 단일 구성으로서 챔버 리드(208)가, 예를 들어, 통합 가스 주입 리드가 제공된다.
도 5는 노즐(500)로서 도시된 가스 유입구의 일실시예의 개략적인 단면도이다. 노즐(500)은 노즐(500)의 수직 방향을 따라 배향된 도관(conduit)(502)을 포함한다. 도관(502)은 공정 가스들이 챔버(202)로 빠져나가는 제2 단부(506) 및 가스 채널(218)에 결함된 제1 단부(504)를 갖는다. 노즐(500)은 상기 개시된 방법(100)을 사용하여 제조될 수 있다. 노즐(500)은 특히 가스 주입 링(294)에 결합하기 위하여 제1 원통부(508)를 더 포함한다. 일실시예에서, 원통부(508)는 스레 딩되고(threaded), 평탄부(510)는 가스 주입 링(294)에서 대응하는 구멍에 대한 원통부(508)의 결합을 용이하게 하기 위하여 제2 단부(506) 근처에 제공된다. 에칭 반응기(200)의 이러한 예시적 실시예에서 특정 구성 부품들만이 벌크 산화이트륨으로 만들어졌으나, 특히 현재 양극처리된 알루미늄 또는 산화이트륨으로 스프레이 코팅된 알루미늄 중 하나로 만들어지는 레그들(276) 및 가스 주입 링(294)과 같은 다른 구성 부품들 또한 방법(100)에 따라 벌크 산화이트륨 부품으로서 제조될 수 있다. 또한, 다른 플라즈마 처리 챔버들에서 사용되는 구성 부품들(예를 들어, 가스 분배 플레이트, 샤워헤드, 챔버 라이너, 섀도우 링 등) 또한 방법(100)에 따라 제조될 수 있다.
에칭 공정 동안, 플라즈마 소스(212)로부터의 전력은 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키기 위하여 안테나(210)에 인가된다. 챔버(202)에서의 압력은 쓰로틀 밸브(throttle valve)(262) 및 진공 펌프(264)를 사용하여 제어된다. 벽(204)의 온도는 벽(204)을 관류하는(run through) 액체포함 도선들(미도시)을 사용하여 제어될 수 있다. 일반적으로, 챔버 벽(204)은 금속(예를 들어, 특히 알루미늄, 스테인레스 스틸)으로부터 형성되고, 전기 접지(206)에 결합된다. 공정 챔버(202)는 또한 공정 제어, 내부 진단, 종점 검출 등을 위한 편리한 시스템들을 포함한다. 그러한 시스템들은 총괄적으로 지원 시스템(254)으로서 도시된다.
제어부(246)는 중앙 처리 장치(CPU)(250), 메모리(248) 및 CPU(250)를 위한 지원 회로들(252)을 포함하고, 아래에서 보다 상세히 논의되는 바와 같이, 에칭 공정의 공정 챔버(202)의 구성들의 제어를 용이하게 한다. 제어부(246)는 다양한 챔 버들 및 서브-프로세서들을 제어하기 위한 산업 셋팅에 사용될 수 있는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서들 중 하나일 수 있다. 메모리 또는 CPU(250)의 컴퓨터-판독가능 수단들은 랜덤 액세스 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM), 플로피 디스크, 하드 디스크 또는 로컬 또는 원격의 다른 임의의 형태의 디지털 저장부와 같은 하나 이상의 이미 이용가능한 메모리일 수 있다. 지원 회로들(252)은 전통적 방식으로 프로세서를 지원하기 위하여 CPU(250)에 결합된다. 이러한 회로들은 캐시 기억 장치(cache), 전력 공급부, 클럭 회로들, 입력/출력 회로 및 서브시스템들 등을 포함한다. 본 발명의 방법은 일반적으로 소프트웨어 루틴으로서 메모리(248)에 저장된다. 대안적으로, 그러한 소프트웨어 루틴은 또한 CPU(250)에 의해 제어되는 하드웨어로부터 원거리에 위치되는 제2 CPU(미도시)에 의해 저장되고/저장되거나 실행될 수 있다.
일실시예에서, 예컨대, 불소-포함 또는 염소-포함 가스 등의 적어도 하나의 할로겐-포함 가스를 포함하는 하나 이상의 공정 가스들은 가스 유입구들(216)을 통해 챔버(202)로 주입된다. 일반적으로, 예를 들어, 특히 CHF3, CH4 등의 불소-포함 가스는 기판(222)상에 석영 또는 MoSi를 에칭하기 위하여 사용되는 한편, 염소(Cl2)와 같은 염소-포함 가스는 크로뮴을 에칭하기 위하여 사용된다. 플라즈마는 예를 들어, 약 350W의 전력 레벨 및 약 13.56 MHz의 주파수에서 안테나(210)에 RF 전력을 인가함으로써 공정 가스들로부터 형성된다. 이온-중성(ion-neutral) 차폐물(270)은 구멍들(274)을 통해 이동하는 이온의 양을 제어하는 한편, 기판(222)을 에칭하기 위하여 낮은 공정 체적(280)으로 플라즈마에서 현저한 중성 종들을 허용한다.
그러한 에칭 공정은 감소된 유지 및 입자 오염을 야기하는 개선된 부품들의 특성으로 인하여 본 발명에 따라 제장된 산화이트륨 부품들의 사용으로부터 이득을 얻을 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예들로부터 이득을 얻을 수 있는 도식적인 플라즈마 공정 챔버(602)의 개략적인 단면도를 도시한다. 본 명세서에 도시된 반응기의 실시예는 설명을 목적으로 제공되며, 본 발명의 범위를 제한하도록 사용되어서는 안 되고, 본 명세서에 도시된 방법(100)을 사용하여 제조된 부품들은 다른 제조자들로부터의 다른 공정 챔버들에서 바람직하게 이용될 수 있다.
본 실시예에서, 챔버(602)는 예를 들어, 기판(614)의 에칭과 같은 플라즈마 처리를 위해 사용된다. 공정 균일성은 컨덕턴스에 대한 보상 또는 비대칭 공정을 야기하는 다른 챔버 속성들, 즉, 기판의 중앙선에 대칭적으로 비례하지 않는 처리 결과값들을 가능하게 하도록 설계되는 가스 확산기(632)를 사용함으로써 조정될 수 있다.
일실시예에서, 챔버(602)는 전도성 챔버 벽(630) 및 하부(608)를 갖는 진공 챔버 몸체(610)를 포함한다. 챔버 벽(630)은 전기 접지(634)에 접속된다. 리드(670)는 챔버 몸체(610)내에 형성된 내부 체적(678)을 에워싸기 위하여 챔버 벽(630)상에 배치된다. 적어도 하나의 솔레노이드 세그먼트(612)는 챔버 벽(630) 외부에 위치된다. 솔레노이드 세그먼트(들)(612)은 공정 챔버(602) 내부에 형성된 플라즈마 공정들을 위한 제어 노브(knob)를 제공하도록 적어도 5B를 생성할 수 있는 DC 전력원(654)에 의해 선택적으로 전압이 공급될 수 있다.
세라믹 라이너(631)는 챔버(602)의 세정을 용이하게 하기 위하여 내부 체적(678)내에 배치된다. 에칭 공정의 부산물들 및 잔류물은 선택된 시간 간격으로 라이너(631)로부터 쉽게 제거될 수 있다.
기판 지지 받침대(616)는 가스 확산기(632) 아래에 공정 챔버(602)의 하부(608)상에 배치된다. 처리 영역(680)은 기판 지지 받침대(616)와 확산기(632) 사이에 내부 체적(678) 내에 형성된다. 기판 지지 받침대(616)는 공정 동안에 가스 확산기(632)밑에 받침대(616)의 표면(640)상에 기판(614)을 보유하기 위하여 정전 척(626)을 포함할 수 있다. 정전 척(626)은 DC 전력 공급부(620)에 의해 제어된다.
지지 받침대(616)는 매칭 네트워크(624)를 통해 RF 바이어스 소스(622)에 결합될 수 있다. 바이어스 소스(622)는 일반적으로 1 내지 5000 와트 사이의 전력 및 50 kHz 내지 13.56 MHz의 조정가능한 주파수를 갖는 RF 신호를 생성할 수 있다. 선택적으로, 바이어스 소스(622)는 DC 또는 펄스 DC 소스일 수 있다.
지지 받침대(616)는 내부 또는 외부 온도 조절 구역들(674, 676)을 더 포함할 수 있다. 각각의 구역(674, 676)은 받침대상에 배치된 기판의 방사상 온도 그래디언트가 제어될 수 있도록 순환 냉각제를 위한 저항성 히터 또는 도선과 같은 적어도 하나의 온도 조절 장치를 포함할 수 있다.
챔버(602)의 내부는 챔버 벽(630) 및/또는 챔버 하부(608)를 통해 형성된 배 출 포트(635)를 통해 진공 펌프(636)에 결합되는 고 진공 용기이다. 배출 포트(635)에 배치된 쓰로틀 밸브 공정 챔버(602) 내부에 압력을 제어하기 위하여 진공 펌프(636)와 함께 사용된다. 배출 포트(635)의 위치 및 챔버 몸체(610)의 내부 체적(678)내의 다른 흐름 제한은 공정 챔버(602) 내의 가스 흐름 분포 및 컨덕턴스에 크게 영향을 미친다.
가스 확산기(632)에는 적어도 하나의 공정 가스를 비대칭 방식으로 처리 영역(680)으로 주입하는 도관이 제공되어, 상기 도관을 다른 챔버 구성들(즉, 배출 포트의 위치, 기판 지지 받침대 또는 다른 챔버 구성의 기하학적 위치)에 의해 야기되는 상기 개시된 가스 흐름 분포 및 컨덕턴스를 조절하는데 이용하여, 가스들 및 종들의 흐름이 기판으로 균일하게 또는 선택된 분포도로 전달될 수 있다. 또한, 가스 확산기(632)는 (받침대(616)상에 같은 중심을 갖도록 배치되는) 기판(614)의 중앙선에 관하여 플라즈마를 위치시키도록 이용될 수 있다. 결과적으로, 가스 확산기(632)의 구성은 공정 균일성을 개선하고, 또는 대안적으로 공정 결과에서 미리 정의된 오프셋을 생성하도록 선택될 수 있다. 예를 들어, 가스 확산기(632)의 구성은 챔버 컨덕턴스를 보상하는 방식으로 기판 지지 받침대(616)위에 처리 영역(680)으로 들어가는 가스 흐름을 지향시키도록 선택될 수 있다. 이것은 공정 동안에 기판의 표면에 대한 플라즈마 위치상의 챔버 컨덕턴스 및/또는 이온들의 운반 및/또는 반응성 종들의 비대칭적 효과들을 상쇄시키는 비대칭성을 갖는 공정 챔버로 가스를 운반하도록 가스 확산기(632)를 구성함으로써 달성될 수 있다.
도 6에 도시된 실시예에서, 가스 확산기(632)는 적어도 두 개의 가스 분배기 들(660, 662), 마운팅 플레이트(628) 및 가스 분배 플레이트(664)를 포함한다.
가스 분배기들(660, 662)은 공정 챔버(602)의 리드(670)를 통해 하나 이상의 가스 패널들에 결합되며, 또한 적어도 하나의 마운팅 또는 가스 분배 플레이트들(628, 664)에 결합된다. 가스 분배기들(660, 662)을 통한 가스의 흐름은 독립적으로 제어될 수 있다. 가스 분배기들(660, 662)은 단일 가스 패널(638)에 결합되는 것으로 도시되며, 가스 분배기들(660, 662)은 하나 이상의 공유 및/또는 개별 가스 소스들에 결합될 수 있는 것으로 간주된다. 가스 패널(638)로부터 제공된 가스들은 플레이트들(628, 664) 사이에 형성된 영역(672)으로 운반되고, 그 후 처리 영역(680)으로 가스 분배 플레이트(664)를 통해 형성된 복수의 구멍들(668)을 통해 배출된다.
마운팅 플레이트(628)은 지지 받침대(616) 맞은편의 리드(670)에 결합된다. RF 전도성 물질로 제조되거나 또는 RF 전도성 물질로 커버되는 마운팅 플레이트(628)는 임피던스 변환기(619)(예를 들어, 쿼터(quarter) 파장 매칭 스터브(stub))를 통해 RF 소스(618)에 결합된다. 소스(618)는 일반적으로 약 0 내지 2000 와트 사이의 전력 및 약 262 MHz의 조정가능한 주파수를 갖는 RF 신호를 생성할 수 있다. 마운팅 플레이트(628) 및/또는 가스 분배 플레이트(664)는 처리 영역(680)에서 공정 가스들로부터 형성된 플라즈마를 유지시키기 위하여 RF 소스(618)에 의해 전력이 공급된다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따라 제조될 수 있는 가스 분배 플레이트(700)의 개략적인 상부도이다. 산화이트륨 가스 분배 플레이트(700)는 챔버(602) 또는 특히 에칭 또는 증착 애플리케이션들을 위한 챔버와 같은 다른 플라즈마 챔버들에서 사용될 수 있다. 가스 분배 플레이트(700)에는 공정 가스들 및/또는 플라즈마 종들의 챔버의 처리 영역으로의 통행을 허용하도록 복수의 구멍들 또는 가스 유입구들(702)이 제공된다. 구멍들(702)은 가스 분배 플레이트(700)상에 일정한 패턴으로 배열될 수 있으며, 또는 상이한 가스 분배 요구에 대하여 허용되도록 상이한 패턴들로 배열될 수도 있다. 가스 분배 플레이트(700)는 약 0.125 인치 내지 약 0.750 인치 범위의 두께를 가질 수 있으며, 구멍(702)은 약 0.01 인치 내지 약 0.03 인치 범위의 직경을 가질 수 있다.
일실시예에서, 예를 들어, 불소-포함 또는 염소-포함 가스 등의 적어도 하나의 할로겐-포함 가스를 포함하는 하나 이상의 공정 가스들이 가스 유입구들(702)을 통해 챔버(602)로 주입된다. 일반적으로, 불소-함유 가스, 특히 예컨대 CHF3, CF4는 기판(614)상에 상이한 유전체 물질을 에칭하기 위하여 사용될 수 있으며, 한편, 염소(Cl2)와 같은 염소-포함 가스는 금속과 같은 물질을 에칭하기 위하여 사용될 수 있다. 이러한 타입의 에칭 공정들은 유지 및 입자 오염 감소를 초래하는 부품들의 개선된 부식성 저항력으로 인하여 본 발명의 실시예들에 따라 제조된 산화이트륨 부품들의 사용으로 이득을 얻을 수 있다.
도 8은 부식성 환경에서 기판을 처리하기 위하여 설계되는 플라즈마 챔버 또는 챔버일 수 있는 공정 챔버(800) 내부에 다수의 구성 부품들의 개략적인 단면도이다. 챔버(800)는 기판(850)을 지지하기 위한 받침대(802)를 포함한다. 일실시 예에서, 받침대(802)의 외부 경계선(804)은 다른 챔버 구성들로부터 예컨대 웨에퍼 등의 기판을 절연시키기 위하여 사용되는 링(806)에 의해 둘러싸인다. 링(806)은 다양한 적절한 기술들을 사용하여 받침대(802)에 부착 또는 장착될 수 있다.
금속 또는 컨덕터 에칭을 위해 사용되는 챔버와 같은 특정 챔버들에 대하여, 링(806)은 본 발명의 실시예들에 따라 산화이트륨으로 만들어질 수 있다. 유전체 에칭을 위해 사용되는 것과 같은 다른 챔버들에 대하여, 본 발명의 실시예들에 따라 제조된 산화이트륨 라이너(810)는 링(806)의 외부 경계선(808) 주변에 제공될 수 있다. 라이너(810)는 원치 않는 침전물들 또는 공정 가스들로부터 챔버를 차폐시킴으로써 챔버 벽들을 보호한다. 유전체 에칭 챔버의 경우에, 링(806)은 일반적으로 다른 물질들로 만들어진다.
도 9a는 환형 형상을 갖는 링(806)의 일실시예의 개략적인 상부도이며, 도 9b는 라인(BB')을 따라 취해진 단면도를 보여준다. 일실시예에서, 링(806)은 약 0.3cm의 두께, 약 30cm의 내부 직경 및 약 35cm의 외부 직경을 갖는다. 이러한 링의 두께 및 기하학적 형상은 과도한 기계적 스트레스 또는 스트레인의 원인이 되지 않기 때문에, 어닐링 단계 동안의 램프-업 가열 및 램프-다운 냉각이 덜 엄격한 요구조건하에서, 예를 들어, 외부 온도 그래디언트가 부품의 표면 근처에 약 1 켈빈 퍼 센티미터(K/cm)를 초과하지 않고, 또는 부품 내부의 내부 온도 또는 열적 그래디언트가 약 10 줄 퍼 킬로그램 퍼 켈빈(J/kg-K)을 초과하지 않는 가열 또는 냉각 속도로 수행될 수 있다.
전술한 내용은 본 발명의 실시예들에 대한 것이며, 본 발명의 다른 추가적인 실시예들이 본 발명의 기본적인 범위를 벗어나지 않는 범위에서 고안될 수 있고, 그 범위는 다음의 청구항들에 의해 판단된다.
도 1은 본 발명에 따른 벌크(bulk) 산화이트륨 부품들을 제조하기 위한 방법의 개략적인 도면이다.
도 2는 본 발명의 방법에 따라 만들어진 적어도 하나의 벌크 산화이트륨 부품을 갖는 플라즈마 에칭 반응기의 개략적인 도면이다.
도 3a-3b는 커버 링(cover ring)의 상부도 및 단면도의 개략적인 도면이다.
도 4a-4b는 캡쳐 링(capture ring)의 상부도 및 단면도의 개략적인 도면이다.
도 5는 가스 유입구(노즐)의 일실시예의 단면도의 개략적인 도면이다.
도 6은 도 1의 방법에 따른 적어도 하나의 벌크 산화이트륨 부품을 갖는 플라즈마 에칭 반응기의 개략적인 도면이다.
도 7은 가스 분배 플레이트의 상부도의 개략적인 도면이다.
도 8은 챔버 내부의 다수의 구성 부품들의 단면도의 개략적인 도면이다.
도 9a-9b는 산화이트륨 링의 상부도 및 단면도의 개략적인 도면이다.

Claims (23)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 산화이트륨 부품을 제조하는 방법으로서,
    (a) 산화이트륨 샘플을 제공하는 단계;
    (b) 상기 산화이트륨 샘플을 소결하는 단계;
    (c) 부품을 형성하기 위하여 상기 소결된 산화이트륨 샘플을 머시닝하는 단계; 및
    (d) 이어서, 상기 부품을 어닐링하는 단계
    를 포함하고, 상기 (d) 단계는,
    (d1) 엔클로저(enclosure)에서 상기 부품을 어닐링 가스에 노출시키는 단계;
    (d2) 상기 부품을 제1 시간 주기에 걸쳐 제1 온도에서 제2 온도로 가열하는 단계;
    (d3) 상기 부품을 제2 시간 주기 동안 상기 제2 온도로 유지시키는 단계; 및
    (d4) 상기 부품을 제3 시간 주기에 걸쳐 상기 제2 온도에서 상기 제1 온도로 냉각시키는 단계
    를 포함하고, 상기 단계 (d2) 또는 (d4) 중 적어도 한 단계 동안에, 상기 부품의 표면 영역에서 온도의 그래디언트는 상기 제1 시간 주기 또는 제3 시간 주기 동안 1 켈빈 퍼 센티미터(K/cm) 미만으로 유지되는, 산화이트륨 부품을 제조하는 방법.
  7. 산화이트륨 부품을 제조하는 방법으로서,
    (a) 산화이트륨 샘플을 제공하는 단계;
    (b) 상기 산화이트륨 샘플을 소결하는 단계;
    (c) 부품을 형성하기 위하여 상기 소결된 산화이트륨 샘플을 머시닝하는 단계; 및
    (d) 이어서, 상기 부품을 어닐링하는 단계
    를 포함하고, 상기 (d) 단계는,
    (d1) 엔클로저(enclosure)에서 상기 부품을 어닐링 가스에 노출시키는 단계;
    (d2) 상기 부품을 제1 시간 주기에 걸쳐 제1 온도에서 제2 온도로 가열하는 단계;
    (d3) 상기 부품을 제2 시간 주기 동안 상기 제2 온도로 유지시키는 단계; 및
    (d4) 상기 부품을 제3 시간 주기에 걸쳐 상기 제2 온도에서 상기 제1 온도로 냉각시키는 단계
    를 포함하고, 상기 단계 (d2) 또는 (d4) 중 적어도 한 단계 동안에, 내부 열적 그래디언트는 상기 부품 내에서 상기 제1 시간 주기 또는 상기 제3 시간 주기 동안 10 줄 퍼 킬로그램 퍼 켈빈(J/kg-K) 미만으로 유지되는, 산화이트륨 부품을 제조하는 방법.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 산화이트륨 부품을 제조하는 방법으로서,
    (a) 산화이트륨 샘플을 제공하는 단계;
    (b) 상기 산화이트륨 샘플을 소결하는 단계;
    (c) 부품을 형성하기 위하여 상기 소결된 산화이트륨 샘플을 머시닝하는 단계; 및
    (d) 이어서, 상기 부품을 어닐링하는 단계
    를 포함하고, 상기 (d) 단계는,
    (d1) 엔클로저(enclosure)에서 상기 부품을 어닐링 가스에 노출시키는 단계;
    (d2) 상기 부품을 제1 시간 주기에 걸쳐 제1 온도에서 제2 온도로 가열하는 단계;
    (d3) 상기 부품을 제2 시간 주기 동안 상기 제2 온도로 유지시키는 단계; 및
    (d4) 상기 부품을 제3 시간 주기에 걸쳐 상기 제2 온도에서 상기 제1 온도로 냉각시키는 단계
    를 포함하고, 상기 소결 단계 및 상기 어닐링 단계 중 적어도 하나는 산소-포함 분위기에서 수행되고, 상기 단계 (d2) 또는 (d4)는 각각 미리 정해진 가열 및 냉각 속도로 수행되며, 상기 미리 정해진 가열 및 냉각 속도는 적어도 상기 소결 분위기에 기초하여 선택되는, 산화이트륨 부품을 제조하는 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 소결 분위기는 체적당 적어도 2 퍼센트의 산소 농도를 포함하는, 산화이트륨 부품을 제조하는 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 단계 (d2) 또는 (d4) 중 적어도 한 단계 동안에, 상기 부품의 표면 영역에서 온도 그래디언트는 상기 제1 시간 주기 또는 제3 시간 주기 동안 0.3 켈빈 퍼 센티미터(K/cm) 미만으로 유지되는, 산화이트륨 부품을 제조하는 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 어닐링 가스는 산소-포함 혼합물, 공기, 비활성 가스, 성형 가스, 환원 가스 조성물 및 산화 가스 조성물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 가스 조성물을 갖는, 산화이트륨 부품을 제조하는 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 어닐링 가스는 산소-포함 혼합물, 공기, 질소, 아르곤 및 그들의 혼합물들 중 하나이며, 고정(static) 상태 또는 유동 상태 중 하나로 제공되는, 산화이트륨 부품을 제조하는 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 소결 단계는 비활성 또는 비산화 분위기 중 하나의 분위기에서 수행되며, 상기 어닐링 가스는 적어도 10%의 산소 농도를 갖는, 산화이트륨 부품을 제조하는 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제2 온도는 섭씨 200도 내지 섭씨 1000도 사이인, 산화이트륨 부품을 제조하는 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 단계 (d2) 또는 (d4) 중 적어도 한 단계 동안에, 상기 부품의 표면 영역에서 온도 그래디언트는 상기 제1 시간 주기 또는 상기 제3 시간 주기 동안 1 켈빈 퍼 센티미터(K/cm) 미만으로 유지되는, 산화이트륨 부품을 제조하는 방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 부품은 플라즈마 반응기의 구성 부품인, 산화이트륨 부품을 제조하는 방법.
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
KR1020070108776A 2006-10-30 2007-10-29 플라즈마 반응기 부품을 제조하기 위한 방법 및 장치 KR100958757B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/554,482 2006-10-30
US11/554,482 US7964818B2 (en) 2006-10-30 2006-10-30 Method and apparatus for photomask etching
US11/766,626 2007-06-21
US11/766,626 US7919722B2 (en) 2006-10-30 2007-06-21 Method for fabricating plasma reactor parts

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090131531A Division KR101341035B1 (ko) 2006-10-30 2009-12-28 플라즈마 반응기 부품들을 제조하기 위한 방법 및 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080039265A KR20080039265A (ko) 2008-05-07
KR100958757B1 true KR100958757B1 (ko) 2010-05-18

Family

ID=39020753

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070108776A KR100958757B1 (ko) 2006-10-30 2007-10-29 플라즈마 반응기 부품을 제조하기 위한 방법 및 장치
KR1020090131531A KR101341035B1 (ko) 2006-10-30 2009-12-28 플라즈마 반응기 부품들을 제조하기 위한 방법 및 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090131531A KR101341035B1 (ko) 2006-10-30 2009-12-28 플라즈마 반응기 부품들을 제조하기 위한 방법 및 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7919722B2 (ko)
EP (1) EP1921053A1 (ko)
JP (2) JP5005499B2 (ko)
KR (2) KR100958757B1 (ko)
TW (2) TWI500592B (ko)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7919722B2 (en) * 2006-10-30 2011-04-05 Applied Materials, Inc. Method for fabricating plasma reactor parts
KR100963287B1 (ko) * 2008-02-22 2010-06-11 주식회사 유진테크 기판처리장치 및 기판처리방법
WO2009145299A1 (ja) 2008-05-29 2009-12-03 富士フイルム株式会社 セラミド分散物
US8658541B2 (en) * 2010-01-15 2014-02-25 Applied Materials, Inc. Method of controlling trench microloading using plasma pulsing
JP6100691B2 (ja) * 2010-10-28 2017-03-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 高純度アルミニウムコーティングの硬質陽極酸化処理
WO2012177900A1 (en) 2011-06-22 2012-12-27 Research Triangle Institute, International Bipolar microelectronic device
CN103796413B (zh) * 2012-11-01 2017-05-03 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子反应器及制作半导体基片的方法
DE102011054718B4 (de) * 2011-10-21 2014-02-13 Hitachi Power Europe Gmbh Verfahren zur Erzeugung einer Spannungsverminderung in errichteten Rohrwänden eines Dampferzeugers
US9177826B2 (en) * 2012-02-02 2015-11-03 Globalfoundries Inc. Methods of forming metal nitride materials
US9034199B2 (en) * 2012-02-21 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Ceramic article with reduced surface defect density and process for producing a ceramic article
US9212099B2 (en) 2012-02-22 2015-12-15 Applied Materials, Inc. Heat treated ceramic substrate having ceramic coating and heat treatment for coated ceramics
US9090046B2 (en) 2012-04-16 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Ceramic coated article and process for applying ceramic coating
US9604249B2 (en) 2012-07-26 2017-03-28 Applied Materials, Inc. Innovative top-coat approach for advanced device on-wafer particle performance
US9343289B2 (en) 2012-07-27 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Chemistry compatible coating material for advanced device on-wafer particle performance
US10727092B2 (en) * 2012-10-17 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Heated substrate support ring
US9865434B2 (en) 2013-06-05 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Rare-earth oxide based erosion resistant coatings for semiconductor application
US9850568B2 (en) 2013-06-20 2017-12-26 Applied Materials, Inc. Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings
US9583369B2 (en) 2013-07-20 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition for rare-earth oxide based coatings on lids and nozzles
CN104701125A (zh) * 2013-12-05 2015-06-10 中微半导体设备(上海)有限公司 气体分布板
US9725799B2 (en) 2013-12-06 2017-08-08 Applied Materials, Inc. Ion beam sputtering with ion assisted deposition for coatings on chamber components
JP6515537B2 (ja) * 2014-04-08 2019-05-22 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器
US9978632B2 (en) * 2014-06-13 2018-05-22 Applied Materials, Inc. Direct lift process apparatus
US11047035B2 (en) 2018-02-23 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Protective yttria coating for semiconductor equipment parts
KR102082602B1 (ko) * 2018-03-08 2020-04-23 토토 가부시키가이샤 복합 구조물 및 복합 구조물을 구비한 반도체 제조 장치 그리고 디스플레이 제조 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63123813A (ja) * 1986-10-06 1988-05-27 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 酸化イットリウムセラミック製品
JP2004269350A (ja) * 2003-02-17 2004-09-30 Toshiba Ceramics Co Ltd Ｙ２ｏ３焼結体及びその製造方法
KR20060054358A (ko) * 2003-07-29 2006-05-22 쿄세라 코포레이션 Ｙ₂ｏ₃질 소결체, 내식성 부재 및 그 제조방법, 및반도체·액정제조장치용 부재

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4312993A (en) 1979-09-10 1982-01-26 Sws Silicones Corporation Silylated polyethers
US4732622A (en) 1985-10-10 1988-03-22 United Kingdom Atomic Energy Authority Processing of high temperature alloys
US5188676A (en) 1991-08-23 1993-02-23 General Electric Company Method for annealing zircaloy to improve nodular corrosion resistance
US5417780A (en) 1993-10-28 1995-05-23 General Electric Company Process for improving corrosion resistance of zirconium or zirconium alloy barrier cladding
JP2001244246A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Taiheiyo Cement Corp フォーカスリング
US6853141B2 (en) 2002-05-22 2005-02-08 Daniel J. Hoffman Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control
JP2002068838A (ja) 2000-08-23 2002-03-08 Toshiba Ceramics Co Ltd 耐プラズマ性部材およびその製造方法
JP2002255647A (ja) 2001-02-27 2002-09-11 Nihon Ceratec Co Ltd 酸化イットリウム焼結体およびウエハ保持具
JP4683783B2 (ja) * 2001-08-02 2011-05-18 コバレントマテリアル株式会社 半導体製造装置用耐プラズマ部材の製造方法
JP3874278B2 (ja) 2002-12-25 2007-01-31 Ｔｄｋ株式会社 誘電体磁器組成物、電子部品およびこれらの製造方法
KR100599998B1 (ko) * 2003-02-17 2006-07-13 도시바세라믹스가부시키가이샤 산화이트륨 소결체 및 그 제조방법
JP2004292270A (ja) 2003-03-27 2004-10-21 Kyocera Corp 耐食性部材及びその製造方法
JP2005170728A (ja) 2003-12-10 2005-06-30 Toshiba Ceramics Co Ltd Ｙ２ｏ３焼結体およびその製造方法
US7220497B2 (en) * 2003-12-18 2007-05-22 Lam Research Corporation Yttria-coated ceramic components of semiconductor material processing apparatuses and methods of manufacturing the components
WO2005094504A2 (en) 2004-03-23 2005-10-13 Westinghouse Electric Company, Llc Zirconium alloys with improved corrosion resistance and method for fabricating zirconium alloys with improved corrosion resistance
JP4780932B2 (ja) 2004-05-25 2011-09-28 京セラ株式会社 耐食性部材とその製造方法および半導体・液晶製造装置用部材
JP4798693B2 (ja) 2004-06-07 2011-10-19 コバレントマテリアル株式会社 プラズマ処理装置用イットリアセラミックス部品及びその製造方法
US20060000802A1 (en) 2004-06-30 2006-01-05 Ajay Kumar Method and apparatus for photomask plasma etching
US20060043067A1 (en) * 2004-08-26 2006-03-02 Lam Research Corporation Yttria insulator ring for use inside a plasma chamber
JP2006186306A (ja) * 2004-09-30 2006-07-13 Toshiba Ceramics Co Ltd ガス拡散プレートおよびその製造方法
US7919722B2 (en) * 2006-10-30 2011-04-05 Applied Materials, Inc. Method for fabricating plasma reactor parts

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63123813A (ja) * 1986-10-06 1988-05-27 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 酸化イットリウムセラミック製品
JP2004269350A (ja) * 2003-02-17 2004-09-30 Toshiba Ceramics Co Ltd Ｙ２ｏ３焼結体及びその製造方法
KR20060054358A (ko) * 2003-07-29 2006-05-22 쿄세라 코포레이션 Ｙ₂ｏ₃질 소결체, 내식성 부재 및 그 제조방법, 및반도체·액정제조장치용 부재

Also Published As

Publication number Publication date
US7919722B2 (en) 2011-04-05
KR101341035B1 (ko) 2013-12-12
US20080099148A1 (en) 2008-05-01
EP1921053A1 (en) 2008-05-14
TW201335105A (zh) 2013-09-01
KR20100012855A (ko) 2010-02-08
JP2008141181A (ja) 2008-06-19
TW200829534A (en) 2008-07-16
KR20080039265A (ko) 2008-05-07
JP5005499B2 (ja) 2012-08-22
JP2012199567A (ja) 2012-10-18
TWI397512B (zh) 2013-06-01
TWI500592B (zh) 2015-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100958757B1 (ko) 플라즈마 반응기 부품을 제조하기 위한 방법 및 장치
US7964818B2 (en) Method and apparatus for photomask etching
US7909961B2 (en) Method and apparatus for photomask plasma etching
US8568553B2 (en) Method and apparatus for photomask plasma etching
TWI390605B (zh) Processing device
KR101445153B1 (ko) 포토마스크 플라즈마 에칭시 인시츄 챔버 건식 세정을 위한 방법 및 장치
JP4979389B2 (ja) プラズマ処理装置
WO2009079285A1 (en) Silicon carbide focus ring for plasma etching system
WO2006049125A1 (ja) 成膜装置及び成膜方法
US7942965B2 (en) Method of fabricating plasma reactor parts
JP2021192425A (ja) プラズマ処理装置
CN117063617A (zh) 等离子处理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130429

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140430

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160330

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170330

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180510

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190430

Year of fee payment: 10