JP2012199567A - プラズマ反応装置部品の製造方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】固形イットリアサンプルが処理開始時に用意される。固形イットリアサンプルを高温環境に曝露することでイットリアサンプルを焼結し、機械加工して部品を形成し、部品を既定の加熱速度で加熱してアニーリングする。部品を一定のアニーリング温度で維持し、部品を既定の冷却速度で冷却することを含む。この方法を用いて製造したバルクイットリア部品は、例えば応力の軽減や強化された耐化学薬品性を含む、特性の改善を示すことが判明した。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は概してプラズマ処理法及び装置に係り、更に詳細には、改良されたコンポーネント部品を用いたプラズマ処理方法及び装置に関する。
マイクロエレクトロニクス又は集積回路デバイスの製造は、典型的には、半導体、誘電性、導電性基板に施す数百もの個別工程を必要とする複雑な処理シーケンスを伴う。これらの処理工程の例には酸化、拡散、イオン注入、薄膜蒸着、洗浄、エッチング、リソグラフィーが含まれる。
ニーリング時間は数日、例えば4日から約7日にもわたる場合がある。
に焼結しただけのサンプルNo1が続き、機械加工のみのサンプルNo2の侵食が最も大きいことが判明した。
名、Enabler)エッチングチャンバ等の誘電体エッチングシステム、イーマックス(eMax)エッチングチャンバ、プロデューサエッチングチャンバが挙げられ、全てカリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアル社から入手可能である。イネーブラ(商標名)チャンバの詳細は米国特許第6853141号「磁気プラズマ制御を備えた容量結合プラズマ反応装置」に開示されている。エッチング反応装置の別の実施形態の詳細は、米国特許出願第10/882084号(代理人整理番号9400)の「フォトマスクプラズマエッチングの方法及び装置」に開示されている。その他の製造業者によるものを含め、本発明はその他のプラズマ反応装置を適合させても有益である。
222を支持し、別の処理対象基板を受け取る準備に入る。
Claims (12)
- 少なくとも約99.5%のイットリアを含み、焼結後に機械加工してアニーリングし、単相の微小結晶構造を有する、プラズマ反応装置内で使用される部品。
- 部品が、蓋部、リング、イオンシールドプレート、イオンシールド脚部、ノズル、ガス分散プレート、チャンバ裏装材の1つである請求項1記載の部品。
- 部品が、バルクイットリアから作られる請求項1記載の部品。
- 部品が、99.9%を超える純度レベルを有する請求項1記載の部品。
- (a)イットリアサンプルを提供する工程と、
(b)イットリアサンプルを焼結する工程と、
(c)焼結させたイットリアサンプルを機械加工して部品を形成する工程と、
(d)部品をアニーリングして単相の微細結晶構造を得る工程であって、アニーリングは、
(d1)部品をエンクロージャー内でアニーリングガスに曝露する工程と、
(d2)部品を第1期間にわたって第1温度から第2温度まで加熱する工程であって、部品内の温度勾配が10ジュール/キログラム・ケルビン(J/kg−K)を超えないように加熱速度を制御する工程と、
(d3)部品を第2温度で第2期間にわたって維持する工程と、
(d4)部品を第2温度から第1温度まで第3期間にわたって冷却する工程を更に含む工程を含むプロセスによって作られる請求項1記載の部品。 - アニーリングガスが、酸素含有混合物、空気、不活性ガス、形成ガス、還元ガス組成物、及び酸化ガス組成物から成る群から選択されたガス組成物を有する請求項5記載の部品。
- アニーリングガスが、酸素含有混合物、空気、窒素、アルゴン、及びそれらの混合物のうちの1つであり、静的又は流動状のいずれかで供給される請求項5記載の部品。
- チャンバ本体部と、
少なくとも約99.5%のイットリアを含み、焼結後に機械加工してアニーリングし、単相の微小結晶構造を有する部品と、
チャンバ本体部内に配置され、基板を上部で受けるように用いられる支持台座と、
チャンバ内にプラズマを形成するための電源とを含むプラズマ処理チャンバ。 - 部品が、バルクイットリアから作られる請求項8記載のプラズマ処理チャンバ。
- 部品が、99.9%を超える純度レベルを有する請求項8記載のプラズマ処理チャンバ。
- 部品が、蓋部、リング、イオンシールドプレート、イオンシールド脚部、ノズル、ガス分散プレート、チャンバ裏装材の1つである請求項8記載のプラズマ処理チャンバ。
- 部品が、
(a)イットリアサンプルを提供する工程と、
(b)イットリアサンプルを焼結する工程と、
(c)焼結させたイットリアサンプルを機械加工して部品を形成する工程と、
(d)部品をアニーリングして単相の微細結晶構造を得る工程であって、アニーリングは、
(d1)部品をエンクロージャー内でアニーリングガスに曝露する工程と、
(d2)部品を第1期間にわたって第1温度から第2温度まで加熱する工程であって、部品内の温度勾配が10ジュール/キログラム・ケルビン(J/kg−K)を超えないように加熱速度を制御する工程と、
(d3)部品を第2温度で第2期間にわたって維持する工程と、
(d4)部品を第2温度から第1温度まで第3期間にわたって冷却する工程を更に含む工程を含むプロセスによって作られる請求項1記載のプラズマ処理チャンバ。
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