KR100941619B1 - 고성능 낸드 플래시 메모리 셀 스트링 및 셀 소자 및스위칭 소자 - Google Patents
고성능 낸드 플래시 메모리 셀 스트링 및 셀 소자 및스위칭 소자 Download PDFInfo
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- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
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- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
Description
Claims (25)
- 순차적으로 연결된 다수개의 셀 소자 및 상기 연결된 셀 소자들의 끝단에 배치되어 해당 셀 스트링을 선택하기 위한 적어도 하나 이상의 스위칭 소자로 이루어지는 플래시 메모리의 셀 스트링에 있어서,상기 셀 소자는반도체 기판; 상기 반도체 기판위에 형성된 투과 절연막; 상기 투과 절연막 위에 순차적으로 형성된 전하 저장 노드, 컨트롤 절연막 및 제어 전극;을 구비하며,상기 셀 소자는 소스/드레인을 포함하지 아니하며,상기 전하 저장 노드는 다수 개의 층으로 이루어지며 상기 전하 저장 노드에서 인접한 층의 면적 또는 체적은 서로 상이하며,상기 스위칭 소자는반도체 기판; 상기 반도체 기판위에 형성된 투과 절연막; 상기 투과 절연막위에 형성된 제어 전극; 및 소스/드레인;을 구비하며,상기 스위칭 소자의 소스/드레인은 셀 소자와 연결되는 쪽에는 형성되지 아니하고 셀 소자와 연결되지 않는 쪽에만 형성되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링.
- 순차적으로 연결된 다수개의 셀 소자 및 상기 연결된 셀 소자들의 끝단에 배치되어 해당 셀 스트링을 선택하기 위한 적어도 하나 이상의 스위칭 소자로 이루어지는 플래시 메모리의 셀 스트링에 있어서,상기 셀 소자는반도체 기판; 상기 반도체 기판위에 형성된 투과 절연막; 상기 투과 절연막위에 순차적으로 형성된 전하 저장 노드 및 컨트롤 절연막; 상기 컨트롤 절연막위에 형성된 제어 전극; 상기 제어 전극과 겹치지 않도록 형성되는 소스/드레인;을 구비하며,상기 전하 저장 노드는 다수 개의 층으로 이루어지며 상기 전하 저장 노드에서 인접한 층의 면적 또는 체적은 서로 상이하며,상기 스위칭 소자는반도체 기판; 상기 반도체 기판위에 형성된 투과 절연막; 상기 투과 절연막위에 형성된 제어 전극; 및 소스/드레인;을 구비하며,상기 스위칭 소자의 소스/드레인은 상기 스위칭 소자의 제어전극과 겹치지 않도록 형성되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링.
- 순차적으로 연결된 다수개의 셀 소자 및 상기 연결된 셀 소자들의 끝단에 배치되어 해당 셀 스트링을 선택하기 위한 적어도 하나 이상의 스위칭 소자로 이루어지는 플래시 메모리의 셀 스트링에 있어서,상기 셀 소자는반도체 기판; 상기 반도체 기판위에 형성된 투과 절연막; 상기 투과 절연막위에 순차적으로 형성된 전하 저장 노드 및 컨트롤 절연막; 상기 컨트롤 절연막위에 형성된 제어 전극; 상기 제어 전극과 겹치지 않도록 형성되는 소스/드레인;을 구비하며, 상기 전하 저장 노드는 다수 개의 층으로 이루어지며 상기 전하 저장 노드에서 인접한 층의 면적 또는 체적은 서로 상이하며,상기 스위칭 소자는반도체 기판; 상기 반도체 기판위에 형성된 투과 절연막; 상기 투과 절연막위에 형성된 제어 전극; 및 소스/드레인;을 구비하며,상기 스위칭 소자의 소스/드레인은 셀 소자와 연결되는 쪽 및 셀 소자와 연결되지 않는 쪽의 모두에 형성되며, 셀 소자와 연결되는 쪽의 소스/드레인은 상기 스위칭 소자의 제어전극과 겹치지 않게 형성되며, 셀 소자와 연결되지 않는 쪽의 소스/드레인은 상기 스위칭 소자의 제어전극과 겹치도록 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링.
- 삭제
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플래시 메모리 셀 스트링은, 상기 셀 소자 및 상기 스위칭 소자의 제어 전극의 측면에 절연성 스페이서를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링.
- 제2항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스위칭 소자의 소스/드레인은 셀 소자의 소스/드레인보다 높은 농도로 도핑되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 제어전극 아래에 형성된 게이트 절연막을 더 구비하고,상기 스위칭 소자의 게이트 절연막은 셀 소자의 투과 절연막, 전하 저장노드 및 컨트롤 절연막과 동일하게 형성되거나, 한층 또는 다층의 절연막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투과 절연막은 한층 또는 다층의 절연막으로 형성되며, 상기 투과 절연막이 다층의 절연막으로 형성되는 경우 투과 절연막에서 인접한 층은 유전상수 또는 밴드갭이 다른 물질들로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전하 저장 노드는 도전성 물질로 이루어지며, 상기 전하 저장 노드에서 인접한 층은 식각 선택비가 다른 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 컨트롤 절연막은 단층 또는 다층으로 형성되며, 상기 컨트롤 절연막이 다층으로 형성되는 경우 컨트롤 절연막에서 인접한 층은 유전상수 또는 밴드갭이 다른 물질들로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어전극은 단층 또는 다층으로 형성되며, 상기 제어 전극이 다층으로 형성되는 경우 제어 전극에서 인접한 층은 일함수가 다른 물질들로 이루어지는 것을 특징으로 하며,상기 제어전극을 구성하는 물질은 고농도 도우핑된 Si, 폴리 Si, 폴리 Ge, 폴리 SiGe, 아몰퍼스 Si, 아몰퍼서 Ge, 아몰퍼스 SiGe, 금속산화물, 금속, 금속질화물, 실리사이드 중에서 하나 또는 둘 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어전극 아래에 채널이 형성되는 영역의 도우핑 농도는 채널이 형성되지 않는 영역의 도우핑 농도보다 높은 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전하 저장 노드는 워드 라인 방향을 따라 자른 단면에서 "I" 또는 "T"자형으로 이루어지거나, "I" 또는 "T"자형이 수직으로 반복 배치되는 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링.
- 제13항에 있어서, 상기 전하 저장 노드는 셀 스트링 방향을 따라 자른 단면에서 "I" 또는 "T"자형으로 이루어지거나, "I" 또는 "T"자형이 수직으로 반복 배치되는 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링.
- 다수개의 셀 소자와 상기 셀 소자들의 양 가장자리에 배치되는 스위칭 소자로 구성되는 플래시 메모리의 셀 스트링에서의 상기 스위칭 소자에 있어서,상기 스위칭 소자는반도체 기판;상기 반도체 기판위에 형성된 투과 절연막;상기 투과 절연막 위에 순차적으로 형성된 전하 저장 노드, 컨트롤 절연막 및 제어 전극; 및상기 셀 소자와 연결되는 쪽에는 형성되지 않고 셀 소자와 연결되지 않는 쪽에만 형성되는 소스/드레인;을 구비하며,상기 전하 저장 노드는 다수 개의 층으로 이루어지며 상기 전하 저장 노드에서 인접한 층의 면적 또는 체적이 상이한 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스 트링의 스위칭 소자.
- 다수개의 셀 소자와 상기 셀 소자들의 양 가장자리에 배치되는 스위칭 소자로 구성되는 플래시 메모리의 셀 스트링에서의 상기 스위칭 소자에 있어서,상기 스위칭 소자는반도체 기판;상기 반도체 기판위에 형성된 투과 절연막;상기 투과 절연막 위에 순차적으로 형성된 전하 저장 노드, 컨트롤 절연막 및 제어 전극; 및상기 셀 소자와 연결되는 쪽 및 상기 셀 소자와 연결되지 않는 쪽에 모두 형성된 소스/드레인;을 구비하며,상기 전하 저장 노드는 다수 개의 층으로 이루어지며 상기 전하 저장 노드에서 인접한 층의 면적 또는 체적과 상이하며, 상기 소스/드레인은 상기 제어 전극과 겹치지 않게 형성되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링의 스위칭 소자.
- 다수개의 셀 소자와 상기 셀 소자들의 양 가장자리에 배치되는 스위칭 소자로 구성되는 플래시 메모리의 셀 스트링에서의 상기 스위칭 소자에 있어서,상기 스위칭 소자는반도체 기판;상기 반도체 기판위에 형성된 투과 절연막;상기 투과 절연막 위에 순차적으로 형성된 전하 저장 노드, 컨트롤 절연막 및 제어 전극; 및상기 셀 소자와 연결되는 쪽 및 상기 셀 소자와 연결되지 않는 쪽에 모두 형성된 소스/드레인;을 구비하며,상기 전하 저장 노드는 다수 개의 층으로 이루어지며 상기 전하 저장 노드에서 인접한 층의 면적 또는 체적과 상이하며,상기 셀 소자와 연결되는 쪽의 소스/드레인은 제어 전극과 겹치지 않게 형성되고, 상기 셀 소자와 연결되지 않는 쪽의 소스/드레인은 제어 전극과 겹치도록 형성되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링의 스위칭 소자.
- 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전하 저장 노드는 도전성 물질로 이루어지며, 상기 전하 저장 노드에서 인접한 층은 식각 선택비가 다른 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링의 스위칭 소자.
- 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전하 저장 노드는 워드 라인 방향을 따라 자른 단면에서 "I" 또는 "T"자형으로 이루어지거나, "I" 또는 "T"자형이 수직으로 반복 배치되는 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링의 스위칭 소자.
- 제19항에 있어서, 상기 전하 저장 노드는 셀 스트링 방향을 따라 자른 단면에서 "I" 또는 "T"자형으로 이루어지거나, "I" 또는 "T"자형이 수직으로 반복 배치되는 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링의 스위칭 소자.
- 다수개의 셀 소자와 상기 셀 소자들의 양 가장자리에 배치되는 스위칭 소자로 구성되는 플래시 메모리의 셀 스트링에서의 상기 셀 소자에 있어서,상기 셀 소자는반도체 기판;상기 반도체 기판위에 형성된 투과 절연막;상기 투과 절연막 위에 순차적으로 형성된 전하 저장 노드, 컨트롤 절연막 및 제어 전극;을 구비하며,상기 전하 저장 노드는 다수 개의 층으로 이루어지며 상기 전하 저장 노드에서 인접한 층의 면적 또는 체적은 서로 상이하며,상기 셀 소자는 소스/드레인을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링의 셀 소자.
- 다수개의 셀 소자와 상기 셀 소자들의 양 가장자리에 배치되는 스위칭 소자로 구성되는 플래시 메모리의 셀 스트링에서의 상기 셀 소자에 있어서,상기 셀 소자는반도체 기판;상기 반도체 기판위에 형성된 투과 절연막;상기 투과 절연막 위에 순차적으로 형성된 전하 저장 노드, 컨트롤 절연막 및 제어 전극; 및상기 제어 전극과 겹치지 않도록 형성되는 소스/드레인;을 구비하며,상기 전하 저장 노드는 다수 개의 층으로 이루어지며 상기 전하 저장 노드에서 인접한 층의 면적 또는 체적과 서로 상이한 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링의 셀 소자.
- 제21항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전하 저장 노드는 도전성 물질로 이루어지며, 상기 전하 저장 노드에서 인접한 층은 식각 선택비가 다른 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀 스트링의 셀 소자.
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