KR100915103B1 - 액티브 매트릭스형 표시 장치 - Google Patents

액티브 매트릭스형 표시 장치

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모리다카오
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Abstract

액티브 매트릭스형 표시 장치는 글래스 기판상에 회로층과 소자층을 포함하고, 상기 층들 사이에는 평탄화층을 갖는다. 회로층은 화소 단위들을 규정하는 화소 회로들을 가지며, 소자층은 화소 단위들을 규정하는 유기 EL 소자들을 갖는다. 유기 EL 소자들은 접촉부들에 의해 각각의 화소 회로들과 전기적으로 접속된다. 접촉부들은 소자층의 각 화소 단위의 발광 영역(emitting area) 또는 유기층을 포함하는 발광층(luminescent layer)의 외부에 각각 위치된다.

Description

액티브 매트릭스형 표시 장치{Active matrix display}
본 발명은 표시 장치를 제어하도록 화소 단위들을 제어하는 능동 소자들을 포함하는 액티브 매트릭스형 표시 장치들에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 화소 단위들에 대한 발광 소자들 또는 전기-광학 소자들로서 작용하는 유기 전자발광 소자들(organic electroluminescence(EL) devices)을 포함하는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치에 관한 것이다.
화소 단위에 각각 포함된 발광 소자들로서 유기 EL 소자들을 사용하는 유기 EL 표시 장치들은, 최근 평판 표시장치들(flat-panel displays)용으로 인식되어 왔다. 유기 EL 소자들은 수백 내지 수만 cd/m2 의 휘도를 나타내므로, 발광 소자들로서 유기 EL 소자들을 사용하는 유기 EL 표시 장치들은 다음 세대에도 평판 표시 장치로 기약될 것이다.
유기 EL 표시 장치는 패시브 매트릭스 시스템(passive matrix system) 또는 액티브 매트릭스 시스템(active matrix system)으로 작동될 수 있다. 패시브 매트릭스 시스템은 주사 라인들의 수가 증가함에 따라 화소들의 발광 기간을 감소한다. 따라서, 대형화된 고정밀의 디스플레이를 달성하기 위해서는, 각 유기 소자가 고휘도로 순간적으로 발광할 필요가 있다. 한편, 액티브 매트릭스는 한 프레임에 걸쳐 화소들이 발광을 지속할 수 있게 하며, 그에 따라 대형화된 고정밀의 디스플레이를 용이하게 한다.
유기 EL 소자는 발광층을 포함하는 유기층이 투명 애노드와 금속 캐소드 사이에 놓이게 되는 구조를 갖는다. 액티브 매트릭스 유기 표시 장치에 있어서, 박막 트랜지스터들(TFTs)이 유기 EL 소자들을 구동하기 위한 능동 소자로서 통상 이용된다. TFTs 를 포함하는 화소 구동 회로(이후, 화소 회로라 칭함)들은 한 층에 형성되며, 또 다른 층에 형성되는 유기 EL 소자들과 대응하여 결합되어 화소 단위들을 형성한다.
구체적으로는, TFT 들을 포함하는 화소 회로들이 글래스 기판상에 제작되어 회로층을 형성한다. 평탄화된 층이 회로층 상에 형성되고, 화소 회로들을 유기 EL 소자들과 전기적으로 접속하는 접촉부(contact)들이 평탄화층에 제공된다. 발광층을 포함하는 유기층이 두 전극들 사이에 놓이는 유기 EL 소자들이 평탄화층 상에 형성되어 소자층을 형성한다. 유기층은 일반적으로, 수μm이하, 예컨대 수십 nm 내지 수백 nm 의 매우 얇은 두께를 갖기 때문에, 유기층이 형성되는 하부 전극의 평탄성이 대단히 중요하게 된다.
TFT들을 포함하는 화소 회로들이 화소들에 따라 배열되는 회로층은 평탄화층을 형성함으로써 평탄화된다. 하지만, 접촉부의 형성은 필연적으로 수μm의 요철(roughness)이나 단차(step)를 야기하게 되며, 그에 따라 하부 전극의 평탄성을 떨어뜨린다. 결과적으로, 상부 전극과 하부 전극들 간의 단락이 나타나게 된다. 또한, 전계를 집중시켜 소자를 열화시키는 유기층의 두께 변화가 표면 방향에서 나타나게 될 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 평탄한 기판상에 형성될 수 있는 발광 소자를 포함하며 개선된 신뢰성을 갖는 액티브 매트릭스형 표시 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 한 특징에 따른 액티브 매트릭스형 표시 장치가 제공된다. 상기 액티브 매트릭스형 표시 장치는 기판과, 상기 기판 위에 놓이며, 매트릭스 형태로 배열된 화소 단위들을 규정하는 발광 소자들을 포함하는 소자층을 포함한다. 상기 화소 단위들을 규정하고 각 발광 소자들을 구동하는 화소 회로들을 포함하는 회로층이 기판상에 구비된다. 상기 액티브 매트릭스형 표시 장치는 또한 접촉부들을 포함하며, 각각의 접촉부들은 소자층내의 각 화소 단위의 발광 영역(emitting area) 외부에 위치되어, 대응하는 발광 소자를 대응하는 화소 회로와 전기적으로 접속시킨다.
본 발명의 또 다른 특징에 따라, 기판과, 상기 기판 위에 놓여 있는 소자층 및 회로층을 포함하는 액티브 매트릭스형 표시 장치가 제공된다. 소자층은 화소 단위들을 규정하는 발광 소자들을 포함한다. 각각의 발광 소자는 하부 전극, 상부 전극, 및 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이에 놓이며 발광층을 포함하는 유기층을 포함한다. 회로층은 각 발광 소자들을 구동하는 화소 회로들을 포함한다. 화소 회로들은 화소 단위들을 규정한다. 각각의 하부 전극은 대응하는 발광 소자를 대응하는 화소 회로와 전기적으로 접속하는 접촉부를 가지며, 상기 상부 전극은 상기 접촉부 위에 놓이지 않는다.
액티브 매트릭스형 표시 장치에 있어서, 회로층내 접촉부들의 형성은 필연적으로 그 위에 수μm의 요철이나 단차를 야기하게 된다. 따라서, 각각의 접촉부가 소자층내의 각 화소 단위의 발광 영역 외부에 위치된다. 따라서, 회로층의 요철은 발광층에 대응하는 그 영역에서 최소화되며, 회로층 위에 놓여있는 발광 소자의 하부 전극의 평탄성이 개선된다. 또한, 하부 전극 위에 놓이지 않도록 상부 전극을 제공함으로써, 접촉부들에서의 상부 전극과 하부 전극 사이의 단락이 방지된다. 그에 따라, 발광 소자들은 그 신뢰성이 개선된다.
이하, 본 발명의 실시예들이 도면을 참조하여 상세히 설명된다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 표시 장치, 예컨대 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치의 구성을 도시하는 회로도이다.
액티브 매트릭스형 표시 장치의 디스플레이 영역은 매트릭스 형태로 배열된 많은 화소 회로들(11)을 포함하며, 도 1은 설명을 간략히 하기 위해 i 행 내지 i+2행 및 i 열 내지 i+2열의 3행 3열의 단편적인 화소 배열을 도시한다. 행 i 내지 i+2 에 대응하여, 화소 회로들(11)은 화소에 전송되는 주사 신호(scanning signal) x(i) 내지 x(i+2)에 따라 행 단위로 화소들을 선택하는 주사 라인들 12i 내지 12i+2 을 갖는다. 화소 회로들(11)은 또한 휘도 데이터 Y(i) 내지 Y(i+2) 와 같은 화상 데이터를 화소들에 공급하는 데이터 라인들 13i 내지 13i+2 을 갖는다.
모든 화소 회로들(11)은 동일한 구성을 가지며, 이제 실례로서, 화소(i, I)를 참조하여 구체적으로 설명한다. 본 실시예에 있어서, 유기 EL 소자들 ELii 가 표시 소자들로서 이용되고, TFT 들이 화소 트랜지스터들로서 이용된다. 화소 회로(11)는 본 실시예들에서 설명된 구성에 제한되지 않는다.
화소 회로(11)는 화소를 선택하기 위한 선택 트랜지스터 TRiia와, 데이터 전압을 보유하기 위한 보유 커패시터 Cii와, 유기 EL 소자 ELii를 구동하기 위한 구동 트랜지스터 TRiib를 갖는다. 휘도 데이터에 따른 전압은 화소 회로(11)에 인가되고, 전류 Ie1 이 데이터 전압에 따라 유기 EL 소자 ELii 에 흐른다.
유기 EL 소자 ELii 의 애노드는 V0 의 라인 전압을 갖는 공통 전원 라인(14)에 접속되어 있다. 구동 트랜지스터 TRiib 는 유기 EL 소자 ELii의 캐소드와 공통 접지 라인(15)의 사이에 접속되어 있다. 보유 커패시터 Cii 는 구동 트랜지스터 TRiib 의 게이트와 공통 접지 라인(15)의 사이에 접속되어 있다. 선택 트랜지스터 TRiia 는 데이터 라인 13i 와 구동 트랜지스터 TRiib 의 게이트의 사이에 접속되고, 또한, 선택 트랜지스터 TRiia 의 게이트는 주사 라인 12i 에 접속되어 있다.
이제, 도 2를 참조하여, 유기 EL 소자 구조의 일례에 관해 설명한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 유기 EL 소자는 예컨대 투명 글래스로 형성된 기판(21)을 포함한다. 유기층은, 애노드가 될 수 있는 투명 도전 제 1 전극(22), 정공 수송층(23), 발광층(24), 전자 수송층(25) 및 전자 주입층(26)을 그 순서대로 적층시킴으로써 상기 기판(21)상에 형성된다. 캐소드가 될 수 있는 제 2 전극(28)은 유기층(27)상에 저 일함수(low work function)를 갖는 금속으로 형성된다.
상기 유기 EL 소자에 있어서, 제 1 전극(22)과 제 2 전극(28)의 사이에 직류 전압 E 가 인가됨으로써, 정공들은 제 1 전극(애노드)(22)으로부터 정공 수송층(23)을 통해 발광층(24)으로 주입되고, 전자들은 제 2 전극(캐소드)(28)으로부터 전자 수송층(25)을 통해 발광층(24)으로 주입된다. 주입된 포지티브 및 네가티브 캐리어들은 발광층(24)내에 포함된 형광 분자(fluorescent molecule)들을 여기(excite)시키고, 상기 분자들의 여기 상태가 완화될 때 광이 방출된다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치의 단면도이며, 표시 장치의 화소 단위로 구성된 유기 EL 소자와 화소 회로를 도시하고 있다.
도 3에 있어서, 선택 트랜지스터 TRiia 및 구동 트랜지스터 TRiib 를 포함하는 화소 회로(TFT 회로)는 글래스 기판(31)상에 형성되어 회로층(32)을 형성한다. 패턴화된 배선(33), 평탄화층(34) 및 소자층(38)은 그 순서대로 회로층(32) 상에 형성된다. 소자층(38)은 유기 EL 소자들을 포함하며, 상술된 바와 같이, 상기 소자들 각각은 하부 전극(35)과 상부 전극(36) 사이에 유기층(37)을 갖는다. 하부 전극 및 상부 전극(35 및 36)은 절연층(40)에 의해 분리된다.
하부 전극(35), 상부 전극(36) 및 유기층(37)은 도 2 에 도시된 제 1 전극(22), 제 2 전극(28) 및 발광층(24)을 포함하는 유기층(27)과 각각 대응한다. 회로층(32)의 화소 회로(11)와 소자층(38)의 유기 EL 소자는 평탄화층(34)의 접촉부(39)에서 전기적으로 접속된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 하부 전극은 접촉부에 포함되어 있다.
접촉부(39)는 회로층(32)의 표면에 수μm 의 요철이나 단차를 야기할 수 있으며, 유기 EL 소자의 유기층(37)은 통상 수십 nm 내지 수백 nm 의 매우 작은 두께를 갖는다. 따라서, 유기층(37)이 위에 형성되는 하부 전극(35)은 극도의 평탄성을 요구하게 된다. 따라서, 본 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치에서는, 접촉부(39)가 유기 EL 소자의 발광 영역 또는 발광층을 포함하는 유기층(37) 외부에 위치된다.
소자층(38)에서 유기 EL 소자의 발광 영역 외부에 접촉부(39)를 위치시킴으로써, 회로층(32)의 요철이 발광 영역에 대응하는 해당 영역, 즉 유기층(37) 아래의 해당 영역에서 최소화된다. 결과적으로, 회로층(32) 위에 놓이게 되는 하부 전극(35)의 평탄성이 개선되어, 유기 EL 소자의 신뢰성을 향상시킨다.
이후에는 유기 EL 소자들의 배열과 화소 회로들의 배열의 조합에 대하여 구체적인 예를 참조하여 설명한다.
제 1 실시예
도 4는 제 1 실시예에 따른 유기 EL 소자들의 배열과 화소 회로들의 배열의 조합을 도시하는 평면도이다. RGB 광들을 방출하는 유기 EL 소자들은 도 4a에 도시된 바와 같이, 소자층(38)에서 스트라이프 배열로 배열된다. 도 4a에 도시된 점선내의 영역들은 화소들에 대한 발광 영역들이다. 화소 회로들은 또한 도 4b에 도시된 바와 같이, 회로층(32)에서 스트라이프 배열로 배열된다.
회로층(32)에서의 모든 화소 회로들은 동일한 구조를 가지고 있으므로, 각각 유기 EL 소자를 화소 회로와 접속하는 접촉부들(39)은 규칙적으로 배열된다. 예컨대, 여기에서, 접촉부들(39)은 화소 회로들 배열의 각 행마다 1차원적으로 배열되고, 화소 회로들의 중앙에 위치된다.
이러한 예에서, 각각의 유기 EL 소자가 화소 회로와 대향하도록 소자층(38)이 회로층(32)상에 위치된다면, 접촉부들(39)은 화소 단위들의 발광 영역들 외부에 위치될 수 없으며, 접촉부들(39)을 위치하기 위한 요구 조건은 만족되지 않게 된다. 따라서, 본 실시예에 있어서는, 소자층(38)은 회로층(32)에 대하여 행 방향으로 화소 간격의 절반 정도 오프셋되도록 회로층(32)상에 위치된다. 그에 따라, 도 4c에 도시된 바와 같이, 접촉부들(39)이 화소 배열의 행들 사이에 위치하여, 발광 영역들로부터 떨어져 있게 된다.
본 실시예에 있어서는, 소자층(38)이 행 방향으로 화소 간격의 절반 정도 오프셋되어 있지만, 열 방향으로 화소 간격의 절반 정도만큼 오프셋될 수도 있다. 이러한 경우에 있어서, 접촉부들(39)이 화소 배열의 열들 사이에 위치하여, 발광 영역들로부터 떨어져 있게 된다.
제 2 실시예
도 5는 제 2 실시예에 따른 유기 EL 소자들의 배열과 화소 회로의 배열의 조합을 도시하는 평면도이다. 상기 제 2 실시예에 있어서, 유기 EL 소자들 및 화소 회로들은 제 1 실시예의 경우와 마찬가지로, 소자층(38)과 회로층(32)에서 각각 스트라이프 배열로 배열되어 있다.
하지만, 상기 예의 오프셋 대신에 각각의 유기 EL 소자가 화소 회로와 대향하도록 소자층(38)이 회로층(32) 위에 놓이게 된다. 따라서, 접촉부들(39)이 소자층(38)의 화소 단위들의 발광 영역 외부에 위치되도록 화소 회로들이 회로층(32)에 제공된다.
바람직하게, 화소 배열에서 두 개의 인접하는 행들의 화소 단위들에 대한 접촉부들(39), 즉 홀수행에 대한 접촉부들(39o) 및 짝수행에 대한 접촉부들(39e)이 두 행들 사이에서 1차원적으로 배열된다. 그에 따라, 접촉부들(39)은 화소 단위들의 발광 영역들 외부에 위치하게 되어 발광 영역들의 면적 감소를 최소화한다.
본 실시예에 있어서는, 화소 배열에서 두 개의 인접하는 행들의 화소 단위들에 대한 접촉부들(39)이 1차원적으로 두 개의 행들 사이에 위치되지만, 두 개의 인접하는 열들의 화소 단위들에 대한 접촉부들(39)이 1차원적으로 두 개의 열들 사이에 위치될 수도 있다.
제 3 실시예
도 6은 제 3 실시예에 따른 유기 EL 소자들의 배열과 화소 회로들의 배열의 조합을 도시하는 평면도이다. 제 3 실시예에서는, RGB 광들을 방출하는 유기 EL 소자들이 소자층(38)에서 델타 배열(delta arrangement)로 배열되며, 화소 회로들은 회로층(32)에서 스트라이프 배열로 배열된다.
제 2 실시예와 마찬가지로, 제 3 실시예에 있어서도, 각각의 유기 EL 소자가 화소 회로와 대향하도록 소자층(38)이 회로층(32) 위에 놓여 있으며, 접촉부들(39)이 소자층(38)에서 화소 단위들의 발광 영역들 외부에 위치하도록 화소 회로들이 회로층(32)에 제공된다.
바람직하게, 화소 배열에서 두 개의 인접하는 행들의 화소 단위들에 대한 접촉부들(39), 즉 접촉부들(39o 및 39e)이 도 6에 도시된 바와 같이, 두 개의 행들 사이에서 1차원적으로 배열된다. 그에 따라, 접촉부들(39)은 제 2 실시예에서 기술된 바와 같이, 발광 영역들 외부에 위치하게 되어 발광 영역들의 면적 감소를 최소화한다.
특히, 제 3 실시예에 따른 화소 배열은 유기 EL 소자들의 델타 배열과 화소 회로들의 스트라이프 배열의 조합을 갖는다. 결과적으로, 접촉부들(39)이 제 1 실시예에 기술된 바와 같이, 화소 회로의 중앙에 각각 형성되는 경우라도, 접촉부들(39)이 회로층(32)에 대해 오프셋되도록 소자층(38)을 형성하지 않고서 발광 영역 외부에 위치될 수 있다.
도 7은 유기 EL 소자의 상부 전극의 레이아웃을 도시하는 평면도이다. 본 실시예에서, 유기 EL 소자들의 각 발광 영역 및 하부 전극(35)은 화소 단위에 대해 형성되며, 상부 전극(36)은 접촉부(39)를 제외한 소자들을 덮고 있다.
도 3은 하부 전극(35)이 접촉부(39)에서 큰 단차를 갖는 것을 도시한다. 일반적으로 하부 전극(35)과 상부 전극(36)의 사이에는 절연층(40)이 형성되지만, 큰 단차는 하부 전극(35)과 상부 전극(36)의 사이에서 단락을 발생시키기 쉽다. 따라서, 상부 전극(36)을 접촉부(39) 위에 놓이지 않도록 형성함으로써, 하부 전극(35)과 상부 전극(36) 사이의 단락이 방지될 수 있게 되어, 유기 EL 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 8은 유기 EL 소자들의 다수의 상부 전극들의 레이아웃을 도시하는 평면도이다. 본 실시예에 있어서, 상부 전극들(36) 각각은 유기 EL 소자의 발광 영역 및 하부 전극(35)과 대향하고, 상부 전극들(36)보다 작은 저항을 갖는 보조 전극(41)이 상부 전극들(36) 주변에 형성되고 접촉부들(39)로부터 떨어져 있다. 도 9는 상기한 레이아웃에 따른 액티브 매트릭스 유기 EL 표시 장치의 구조를 도시하는 단면도이다.
대형의 유기 EL 소자가 제조될 경우, 상부 전극(36)에서는 전압 강하가 나타나게 될 수 있다. 상부 전극들(36)보다 작은 저항을 갖는 보조 전극(41)은 이러한 전압 강하를 방지하는데 기여하게 된다.
하지만, 하부 전극의 열화된 평탄화로 인하여, 보조 전극(41)이 제공되는 경우에도, 하부 전극(35)과 상부 전극(36) 사이 또는 하부 전극(35)과 보조 전극(41) 사이의 접촉부에 단락이 나타나게 될 수 있다. 따라서, 상부 전극(36)과 보조 전극(41)을 접촉부(39) 위에 놓이지 않도록 형성함으로써, 하부 전극(35)과 상부 전극(36) 또는 보조 전극(41) 사이의 단락이 방지될 수 있게 되어, 유기 EL 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시예들에 있어서는, 발광 소자들로서 작용하는 유기 EL 소자들을 포함하는 액티브 매트릭스 유기 EL 표시 장치가 이용되었지만, 본 발명의 실시예들은 상술된 바와 같은 특정 소자 및 표시 장치에 제한되지 않으며, 발광층을 포함하는 박막층들이 회로층 위에 놓이게 되는 발광 소자들을 갖는 어떠한 액티브 매트릭스 표시 장치에서도 적용될 수 있다.
본 발명에 따라, 소자층에서 각각의 화소 단위들의 발광 영역 외부에 접촉부들을 위치시키거나, 또는 상부 전극을 각 발광 소자의 하부 전극 위에 놓이지 않도록 함으로써, 회로층 위에 놓이는 하부 전극의 평탄성이 개선되고, 발광 소자의 신뢰성을 향상시킨다. 그에 따라 고 신뢰성 액티브 매트릭스 표시 장치가 달성될 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치의 구성을 도시하는 회로도.
도 2는 유기 EL 소자 구조를 도시하는 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치의 구조를 도시하는 단면도.
도 4는 제 1 실시예에 따른 유기 EL 소자들 및 화소 회로들의 배열의 조합을 도시하는 평면 패턴도.
도 5는 제 2 실시예에 따른 유기 EL 소자들 및 화소 회로들의 배열의 조합을 도시하는 평면 패턴도.
도 6은 제 3 실시예에 따른 유기 EL 소자들 및 화소 회로들의 배열의 조합을 도시하는 평면 패턴도.
도 7은 한 실시예에 따른 유기 EL 소자의 상부 전극의 레이아웃을 도시하는 평면 패턴도.
도 8은 다른 실시예에 따른 유기 EL 소자의 상부 전극들의 레이아웃을 도시하는 평면 패턴도.
도 9는 한 실시예에 따라 보조 전극을 갖는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치를 도시하는 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
11… 화소 회로
12i 내지 12i+2…주사 라인
13i 내지 13i+2… 데이터 라인
14… 공통 전원 라인
15… 공통 접지 라인
22… 제 1 전극
24… 발광층
27, 37… 유기층
31… 글래스 기판
32… 회로층
34… 평탄화막
35… 하부 전극
36… 상부 전극
38… 소자층
41… 상부 보조 전극
Cii… 보유 용량
ELii… 유기 EL 소자
TRiia… 선택 트랜지스터
TRiib… 구동 트랜지스터

Claims (7)

  1. 액티브 매트릭스형 표시 장치에 있어서:
    기판과;
    상기 기판 위에 놓인 소자층으로서, 매트릭스 형태로 배열된 화소 단위들을 규정하는 발광 소자들(luminescent devices)을 포함하고, 각 화소는 직사각 형상의 발광 영역을 갖고, 상기 발광 소자는 하부 전극과, 상기 하부 전극 위에 형성되어 상기 발광 영역에 대응한 개구부를 갖는 절연층과, 상기 개구부에 형성된 유기층과, 상기 유기층 위에 형성된 상부 전극, 상기 절연층 위에 형성되어 상기 상부 전극과 접속하는 보조 전극을 갖는, 상기 소자층과;
    상기 기판 위에 놓이고, 각 발광 소자들을 구동하는 화소 회로들을 포함하는 상기 회로층으로서, 상기 화소 회로들은 상기 화소 단위들을 규정하는, 상기 회로층과;
    대응하는 발광 소자와 대응하는 화소 회로를 전기적으로 접속하는 접촉부들(contacts)로서, 상기 접촉부들은 상기 절연층의 아래에 형성되고, 또한 상기 각 화소의 이웃하는 발광 영역 사이에 형성되는, 상기 접촉부들을 포함하는, 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 접촉부들은 매트릭스내의 각 행 또는 각 열마다 1차원적으로 배열되는, 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 매트릭스내의 두 개의 인접하는 행들 또는 열들에 속하는 화소 단위들에 대한 상기 접촉부들이 상기 두 개의 인접하는 행들 또는 열들 사이에 1차원적으로 배열되는, 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 소자들은 유기 전자발광 소자들(organic electroluminescence devices)이며, 각 유기 전자발광 소자는 제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 놓인 유기층을 포함하며, 상기 유기층은 발광층을 포함하는, 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소 회로들은 각각 박막 트랜지스터(thin-film transistor)를 포함하는, 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  6. 액티브 매트릭스형 표시 장치에 있어서:
    기판과;
    상기 기판 위에 놓이고, 화소 단위들을 규정하는 발광 소자들을 포함하는 소자층으로서, 각 화소는 직사각 형상의 발광 영역을 갖고, 상기 발광 소자는 하부 전극과, 상기 하부 전극 위에 형성되어 상기 발광 영역에 대응한 개구부를 갖는 절연층과, 상기 개구부에 형성된 유기층과, 상기 유기층 위에 형성된 상부 전극, 상기 절연층 위에 형성되어 상기 상부 전극과 접속하는 보조 전극을 갖는, 상기 소자층과;
    상기 기판 위에 놓이고, 각 발광 소자들을 구동하는 화소 회로들을 포함하는 상기 회로층으로서, 상기 화소 회로들은 상기 화소 단위들을 규정하는, 상기 회로층을 포함하고,
    각 하부 전극은 대응하는 발광 소자와 대응하는 화소 회로를 전기적으로 접속하는 접촉부를 갖고, 상기 상부 전극은 상기 접촉부 위에 놓이지 않으며, 상기 접촉부들은 상기 절연층의 아래에 형성되고, 또한 상기 각 화소의 이웃하는 발광 영역 사이에 형성되는, 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 화소 회로들은 각각 박막 트랜지스터를 포함하는, 액티브 매트릭스형 표시 장치.
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