JP2008041297A - 発光装置およびその製造方法並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】発光装置の構造に支障をきたすことなく電圧降下を抑制し、且つ、補助電極の形成に用いるマスクの強度を確保する。
【解決手段】発光部Ｅは共通電極２２と画素電極２１との間に挟まれた発光層２３を有する。共通電極２２は、光透過性の材料から形成される。共通電極２２の上層には、非発光領域Ａ２と重なる位置において、補助電極４２としての電極帯４２ａが複数の列に並ぶように形成される。各列においては、複数の電極帯４２ａが間隙４２ｂをおいて配置される。補助電極４２および画素電極２１は遮光性および導電性を有する。
【選択図】図３

Description

本発明は、有機発光ダイオード素子のように電流量に応じた大きさの光を発光する発光素子を用いた発光装置およびその製造方法、並びに発光装置を備えた電子機器に関する。

基板上に多数の発光素子が配列された発光装置が広く用いられている。各発光素子は、画素電極（例えば、陽極）と共通電極（例えば、陰極）との間に挟まれた発光層を有する。共通電極は基板上において発光素子が配列される領域（以下、「有効領域」という）全体にわたって設けられる。しかしながら、電極自体が有する抵抗により電極の面内において電圧降下が発生し、基板における位置によって発光素子に供給される電位がばらついて発光素子の輝度が位置によってばらつくおそれがある。

この種の発光装置としては、発光層で発した光を基板から放出させるボトムエミッション型と、基板の反対側の射出面から放出させるトップエミッション型が知られている。トップエミッション型では、共通電極に光透過性の部材が用いられる。ところが一般的に、光透過性の部材は遮光性の部材と比較して抵抗率が高いため、発光素子に供給される電位のバラツキが特に顕著となるといった問題がある。そこで、従来から、共通電極と電気的に接続された補助電極を設け、共通電極の抵抗を下げることが行われている。例えば、特許文献１および特許文献２に記載の技術では、帯状、格子状、放射線状など種々のパターンで形成された補助配線が提案されている。また、特許文献３に記載の技術では、マトリクス状に配置された発光素子の間隙に一行おきに補助配線が形成される。
特開２００１−２３００８６号公報 特開２００２−３１８５５６号公報 特開２００４−１３９９７０号公報

ところで、補助電極はマスクを利用した堆積法（例えば、真空蒸着）によって形成されることが多い。マスクは補助電極に相当する部分を開口部とし、それ以外の領域を覆う形状に形成される。上記特許文献１〜３には各種の補助電極のパターンが開示されている。しかし、実際には、多数の細片としてマスクを配置するのは極めて困難なので、長尺状の開口部を有するマスクを形成する必要がある。このようなマスクを小さい撓みで配置するために張力をかけると、マスク自体が変形して、結果として補助電極の位置の精度が劣る。また、長い距離にわたって補助電極と他の層が接合されると、補助電極の応力や温度変化による熱応力が他の層にかかり破損する。以上の事情を考慮して、本発明は、発光装置の構造に支障をきたすことなく電圧降下を抑制し、且つ、装置の製造に用いるマスクの強度を確保するという課題の解決を目的としている。

以上の課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、第１電極（例えば、図１における画素電極２１）と発光層（例えば、発光層２３）と第２電極（例えば、共通電極２２）とが順に積層された発光部（発光素子。例えば、図２における発光部Ｅ）が複数配列された有効領域（例えば、有効領域Ａ）と、前記第２電極より抵抗率が低い材料から形成され、前記第２電極に電気的に接続される補助電極（例えば、補助電極４２）とを具備し、前記第２電極は前記複数の発光部に共通して設けられた共通電極であって、前記有効領域は前記発光部が発光可能な発光領域（例えば、発光部Ｅ。図３における発光領域Ａ１）と、当該発光領域を除く部分である非発光領域（例えば、非発光領域Ａ２）とを有し、前記共通電極は前記発光領域と前記非発光領域とにわたって形成され、前記補助電極は、ほぼ同じ方向（例えば、図２・図６・図８におけるＸ方向、図９〜図１４におけるＹ方向）に延びる複数の帯状の電極帯（例えば、図２・図６・図８〜図１４における電極帯４２ａ）を有しており、前記複数の電極帯は、前記非発光領域に重なるように配置されているとともに、前記方向に延びる複数の列（図２・図６におけるＬ１〜Ｌ４、図８〜図１４におけるＬ）を構成し、各列には間隙（例えば、図２・図６・図８〜図１４における間隙４２ｂ）をおいて複数の電極帯が配置されている。

本発明においては、補助電極としての電極帯が複数列に配置され、各列において電極帯は間隙をおいて形成される。これらの電極帯を形成する際には、各電極帯に対面する部分を開口部とするマスクが用いられる。これらの開口部は電極帯の各列における間隙に対面する部分を介してつながっているので、間隙を設けることなしに長尺の電極帯を形成する場合と比較して、マスクの強度が高い。よって、補助電極の形成に際してマスクに張力をかけても、マスクの変形が抑制され、結果として、各電極帯の寸法や位置の誤差が低減される。

また、本発明においては、補助電極と共通電極とが接合される距離が短いので、長尺の補助電極を用いる場合と比較して、接合されている層にかかる膜応力や熱応力が解放されやすい。よって、膜応力や熱応力により発光装置が破損するといった事態の発生を低減することができ、温度変化に対する発光装置の寿命が向上する。

くわえて、発光装置を出射面側から人間の目で見た場合、ブラックマトリクス（例えば、図３における遮光層５２）の奥に位置する補助電極からの反射光が迷光となって画像の認識の妨げとなることがある。本発明においては、補助電極は一方向に複数列形成され、各列においては、短尺の電極帯が間隙をおいて形成されるので、間隙を設けることなく連続した長尺の電極帯を形成する場合と比較して、反射光が認識されにくく、迷光が低減される。

本発明の好適な態様において、前記電極帯の各列に直交する方向（例えば、図２・図６・図８におけるＹ方向、図９〜図１４におけるＸ方向）において、１つの列における間隙に、その列の隣の列に属しこの間隙と同一あるいはこの間隙より長い電極帯が並んでいることにより、隣り合う２つの列における間隙が前記電極帯の各列に直交する方向に並んでいない。この態様によれば、反射光が視認されない部分（すなわち、間隙に相当する部分）が連続して並ばないので、反射光が視認される部分と視認されない部分との境界が曖昧となる。よって、反射光の分布が曖昧となり迷光が低減される。

さらには、電極帯の各列に直交する方向に２つの間隙が連続して並んでいない（すなわち、１つの列における間隙に、その列の隣の列に属する電極帯が並んでいる）ことにより、マスクの開口部の長手方向に直交する方向には電極帯の間隙に対面する部分としての接続部分が並んでいる。よって、隣り合う２つの列において２つの開口部が並んでいる場合と比較して、マスクの強度が向上し、結果として、補助電極の寸法や位置の精度が向上する。

他の態様において、前記各発光部に供給される電流を制御する複数の駆動トランジスタ（例えば、図６・図７における駆動トランジスタＴdr）と、前記複数の駆動トランジスタを被覆する絶縁層（例えば、図７における第２絶縁層Ｆ2）とをさらに具備し、前記第１電極は、前記絶縁層の面上に配置され、前記絶縁層に形成されたコンタクトホール（例えば、コンタクトホールＣＨ）を介して前記駆動トランジスタと電気的に接続され、前記コンタクトホールは、前記補助電極の各電極帯に重ならない位置に形成される。コンタクトホールの凹部に重なる部分は段差が生じやすい。このため、補助電極をコンタクトホールに重なる位置に形成すると補助電極に亀裂が生じる場合があり、結果として、亀裂部分における抵抗が却って増大する。この態様によれば、補助電極はコンタクトホールと重ならない位置に形成されるので、補助電極に亀裂が生じるといった事態の発生が防止され、補助電極の抵抗が増大しない。補助電極の役割は共通電極の導電性を補助することであるから、その役割が阻害されない。

他の態様においては、前記発光部が千鳥状に配置（例えば、デルタ配列）されており、隣り合う２つの列に属する複数の電極帯が千鳥状に配置されている。発光部がマトリクス状に整列する構成においては、隣り合う２個（あるいは３個）の発光部おきに電極帯を一方向（例えば、Ｙ方向）に延在するように形成すると、電極帯の方向に直交する方向（例えば、Ｘ方向）の解像度が低下するように見える場合がある。この態様によれば、発光部が千鳥状に配列されているので、電極帯を介在させても解像度が低下して見えず、ひいては高品位な画質が実現される。くわえて、電極帯も千鳥状に配列されているので、反射光が分散され、結果として上述したような迷光が低減される。

本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。この電子機器の典型例は、発光装置を表示装置として利用した機器である。この種の電子機器としては、パーソナルコンピュータや携帯電話機などがある。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置（露光ヘッド）、液晶装置の背面側に配置されてこれを照明する装置（バックライト）、あるいは、スキャナなどの画像読取装置に搭載されて原稿を照明する装置など各種の照明装置など、様々な用途に本発明の発光装置を適用することができる。

本発明は、以上の各態様に係る発光装置を製造する方法としても特定される。この製造方法は、前記有効領域のうち、前記補助電極の各電極帯が形成される領域を開口部（例えば、図４（ａ）における４３ａ）とするマスク（例えば、４３Ａ）を用意する第１工程と、前記マスクの前記開口部が前記発光領域に重ならないように、前記第２電極の前記表面に前記マスクを対向させる第２工程と、前記第２電極に前記マスクを対向させた状態で導電性材料を堆積させることにより、前記補助電極を形成する第３工程とを含む。

以上の方法に使用されるマスクは、開口部が短尺に形成される。また、開口部の長手方向（例えば、図４（ａ）のＸ方向）と同じ方向において、複数の開口部が間隙（電極帯の間隙に対面する部分としての間隙）をおいて配置される。したがって、例えば、長尺の補助電極の形成に使用されるマスク（例えば、図４（ｂ）のマスク４３Ｂ）と比較して、強度が高い。くわえて、開口部の間隙（電極帯の間隙に対面する部分としての間隙）は、開口部の長手方向（すなわち、電極帯の長手方向。例えば、図４（ａ）のＸ方向）に直交する方向（例えば、図４（ａ）のＹ方向）において並んでいないので、この直交する方向（例えば、図４（ａ）の方向）におけるマスクの強度が高い。したがって、マスクの変形（撓み）に起因した補助配線の誤差やマスクの破損を抑制することが可能である。

＜Ａ：第１実施形態＞
＜発光装置の構成＞
図１は、本発明に係る発光装置Ｄの電気的な構成を示す回路図である。発光装置Ｄは、複数の画素回路Ｕが配列された有効領域Ａを具備する。有効領域Ａには、Ｘ方向に延在する複数の走査線１２と、Ｘ方向と直交するＹ方向に延在する複数のデータ線１４とが形成される。各画素回路Ｕは、走査線１２とデータ線１４との各交差に対応した位置に配置される。したがって、複数の画素回路Ｕは、Ｘ方向およびＹ方向にわたってマトリクス状に配列する。

ひとつの画素回路Ｕは、電源線１６（電源電圧ＶEL）から接地線１８（接地電圧Ｇnd）に至る経路上に配置された駆動トランジスタＴdrと発光部Ｅとを含む。発光部Ｅは、相互に対向する画素電極（陽極）２１と共通電極（陰極）２２との間に有機ＥＬ（Electro Luminescence）材料の発光層２３を介在させた有機発光ダイオード素子である。発光部Ｅは、発光層２３に流れる電流（以下「駆動電流」という）Ｉelに応じた輝度に発光する。画素電極２１は発光部Ｅごとに相互に離間して形成される。共通電極２２は、複数の発光部Ｅにわたって連続に形成されて接地線１８に導通する。ただし、接地電位Ｇndを基準として負極性の電圧が共通電極２２に供給される構成としてもよい。

駆動トランジスタＴdrは、駆動電流Ｉelの電流量をゲートの電圧に応じて制御するｐチャネル型のトランジスタである。駆動トランジスタＴdrのドレインは発光部Ｅの画素電極２１に接続される。各画素回路Ｕにおける駆動トランジスタＴdrのソースは電源線１６に対して共通に接続される。駆動トランジスタＴdrのゲートとソース（電源線１６）との間には容量素子Ｃが介挿される。また、駆動トランジスタＴdrのゲートとデータ線１４との間には両者の電気的な接続を制御する選択トランジスタＴslが介在する。

以上の構成において、走査線１２に供給される走査信号Ｇに応じて選択トランジスタＴslがオン状態に変化すると、発光部Ｅに指定された階調に応じたデータ電圧Ｓがデータ線１４から選択トランジスタＴslを経由して駆動トランジスタＴdrのゲートに供給される。このときにデータ電圧Ｓに応じた電荷が容量素子Ｃに蓄積されるから、選択トランジスタＴslがオフ状態に変化しても、駆動トランジスタＴdrのゲートはデータ電圧Ｓに維持される。したがって、発光部Ｅにはデータ電圧Ｓに応じた駆動電流Ｉelが継続的に供給される。

次に、図２および図３を参照して有効領域Ａの具体的な構成を説明する。図２は、有効領域Ａの構成を示す平面図であり、図３は、図２におけるIII−III線からみた断面図である。なお、図２や図３においては、走査線１２やデータ線１４や選択トランジスタＴslといった各要素の図示が適宜に省略されている。また、以下で参照する各図においては、説明の便宜のために、各要素の寸法の比率を実際の装置から適宜に異ならせてある。

図２に示されるように、本実施形態では、複数の発光部Ｅは有効領域Ａにおいてマトリクス状に整列させられている。説明の簡易のため、本実施形態では、図中Ｘ方向を「列」、Ｙ方向を「行」とした場合に各列８個（行ａ〜ｈ）の発光部Ｅが３列（列１〜３）に整列されている例を用いるが、実際には、多数の発光部Ｅが多数行多数列にわたって配列されている。また、図２においては、本実施形態の理解を容易にする目的で、発光部Ｅと後段で説明する補助電極４２のみが実線で示されているが、実際には、有効領域Ａは様々な層が幾重にも重なり合った積層構造を有し、発光部Ｅと補助電極４２は他の層に覆われている。このため、まず図３を主に参照してこの積層構造の具体例を説明する。

図３に示すように、駆動トランジスタＴdrや発光部Ｅといった図１の各要素は基板１０の面上に形成される。基板１０は、ガラスやプラスチックなど各種の絶縁材料からなる板材である。なお、本実施形態の発光装置Ｄは発光部Ｅからの放射光が基板１０とは反対側に出射するトップエミッション型であるから、基板１０に光透過性は要求されない。

基板１０の面上には駆動トランジスタＴdrが配置される。駆動トランジスタＴdrは、基板１０の表面に半導体材料によって形成された半導体層３１と、ゲート絶縁層Ｆ0を挟んで半導体層３１（チャネル領域）に対向するゲート電極３２とを含む。ゲート電極３２は第１絶縁層Ｆ1に覆われる。駆動トランジスタＴdrのソース電極３３およびドレイン電極３５は、第１絶縁層Ｆ1の面上に形成されるとともに第１絶縁層Ｆ1のコンタクトホールを介して半導体層３１（ソース領域・ドレイン領域）に導通する。駆動トランジスタＴdrが形成された基板１０の表面は第２絶縁層Ｆ2に覆われる。第１絶縁層Ｆ1や第２絶縁層Ｆ2はＳｉＯ₂などの絶縁材料で形成された膜体である。

第２絶縁層Ｆ2の面上には画素電極２１が発光部Ｅごとに相互に離間して形成される。画素電極２１は、Ｙ方向を長手とする長方形状の電極であり、有機発光ダイオードの陽極として機能させるのであれば、共通電極２２よりも仕事関数が高い光反射性の導電材料によって形成される。画素電極２１は、第２絶縁層Ｆ2を厚さ方向に貫通するコンタクトホールＣＨを介して駆動トランジスタＴdrのドレイン電極３５に電気的に接続される。

画素電極２１が形成された第２絶縁層Ｆ2の表面には隔壁層４０が形成される。図３に示すように、隔壁層４０は絶縁性の膜体であり、開口部４０ａを有する。開口部４０ａの各々の全体は、画素電極２１に重なる。より詳細には、発光層２３が形成される前の段階では、開口部４０ａを通して画素電極２１が露出している。開口部４０ａは画素電極２１よりも狭く、画素電極２１の端部は隔壁層４０により部分的に覆われている。隔壁層４０は、画素電極２１とその後に形成される共通電極２２との間を絶縁するとともに、複数の画素電極２１同士の間を絶縁する。隔壁層４０は、例えば、アクリルもしくはポリイミド等の透明樹脂が隔壁層４０の材料である。

発光層２３は、白色の有機材料から成り、隔壁層４０が形成された第２絶縁層Ｆ2の全域を被覆するように複数の発光部Ｅにわたって連続に形成される。この発光層２３は開口部４０ａの内側に入り込んで画素電極２１に接触する部分（すなわち実際に発光する部分）と隔壁層４０の面上に位置する部分とを含む。すなわち、発光層２３は隔壁層４０により区画されている。よって、隔壁層４０を設けることにより画素電極２１の各々を独立して制御することができ、複数の発光部Ｅの各々に独立して電流を流すことができる。発光層２３は、例えば、真空蒸着などの、有機材料を表面に堆積させる堆積法により形成される。発光層２３は、白色の有機材料を全面に形成する代わりに、Ｒ・Ｇ・Ｂ各色に対応する有機材料を画素ごとにパターニングする方法を用いて形成してもよい。この場合、後述するカラーフィルタ５４は必ずしも設けずともよい。画素ごとに有機材料をパターニングする場合には、堆積法あるいはインクジェットにより有機材料を吐出させる方法が用いられる。なお、発光層２３による発光を促進または効率化するための各種の機能層（正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層）が発光層２３に積層された構成としてもよい。

共通電極２２は、複数の発光部Ｅにわたって連続に形成されて発光層２３と隔壁層４０とを覆う電極であり、開口部４０ａ各々の内部にも配置される。すなわち、共通電極２２は、開口部４０ａの内側にて発光層２３を挟んで画素電極２１に対向する部分と隔壁層４０の面上に位置する部分とを含む。図２および図３に示すように、画素電極２１と共通電極２２と発光層２３との積層のうちＺ方向からみて開口部４０ａの内周縁の内側に位置する部分（すなわち画素電極２１から共通電極２２に駆動電流Ｉelが流れる領域）が発光部Ｅである。発光層２３のうち隔壁層４０と重なり合う領域は、画素電極２１と共通電極２２との間に介在する隔壁層４０によって電流が遮断されるから発光しない。すなわち、隔壁層４０は、各発光部Ｅの輪郭線を確定する手段として機能する。

共通電極２２は、光透過性の導電材料によって形成される。共通電極２２は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）といった酸化導電材料や、光透過性を有する程度の膜厚で形成されたＭｇＡｇやＡｌなどの導電材料が用いられる。共通電極２２を陰極として機能させるため、共通電極２２はアルカリ金属やアルカリ土類金属などの仕事関数が３．５ｅＶ以下の材料を含んでいてもよい。したがって、発光層２３から基板１０とは反対側に出射した光と発光層２３から基板１０側に出射して画素電極２１の表面で反射した光とは共通電極２２を透過して出射する。すなわち、本実施形態の発光装置Ｄはトップエミッション型である。トップエミッション型の発光装置Ｄでは、発光層２３が画素電極２１と接する領域（隔壁層４０に囲まれた領域、図２における発光部Ｅ）から発光した光は駆動トランジスタＴdrなどの素子に遮られることなく出射するから、発光部Ｅは発光領域（以下、「発光領域Ａ１」という）として把握され、隔壁層４０に覆われる領域（図２において発光部Ｅを除く領域）は非発光領域（以下、「非発光領域Ａ２」という）として把握される。共通電極２２は発光領域Ａ１と非発光領域Ａ２とにわたって形成される。

ところで、共通電極２２を光透過性を有するように形成する場合には、共通電極２２の抵抗率が高くなり、その面内における電圧降下が顕著となる。したがって、各発光部Ｅに印加される電圧が共通電極２２の面内（Ｘ−Ｙ平面内）の位置に応じて相違し、この結果として各発光部Ｅの輝度にムラが発生する場合がある。以上のような光量のバラツキを抑制するために、本実施形態においては、共通電極２２の導電性を補助するために共通電極２２の上層に補助電極４２が形成される。補助電極４２は、共通電極２２よりも抵抗率が低い遮光性の導電材料（例えばアルミニウム）によって形成されて共通電極２２に導通する。ところが、補助電極４２は遮光性の部材であるので、発光領域Ａ１と重なるように配置すると有効領域Ａのうち発光領域Ａ１が占める割合である開口率（発光面積率）が低下する。このため、図２および図３に示されるように、補助電極４２は発光領域Ａ１から出射する光を遮断しないように隔壁層４０（すなわち、非発光領域Ａ２）と重なる位置に配置される。なお、図示の形態では、共通電極２２の上層に補助電極４２が形成されているが、共通電極２２の下層に補助電極４２が形成されてもよい。

このように発光部Ｅが形成された基板１０には、キャップ封止体としての対向基板５０が取り付けられる。これらは、図示しない位置で接合されている。対向基板５０は例えばガラスまたは透明なプラスチックから形成されている。対向基板５０の下層には、ブラックマトリクスとしての遮光層５２が形成されている。遮光層５２には複数の光透過部５２ａが形成されており、発光部Ｅから発した光は光透過部５２ａを通じて図の上方に放出される。光透過部５２ａの各々には、カラーフィルタ５４（５４Ｒ，５４Ｇまたは５４Ｂ）が配置されている。遮光層５２は、Ｚ方向からみたときに、非発光領域Ａ２に重なる位置に格子状に形成される。

図２に示されるように、本実施形態の補助電極４２は、マトリクス状に整列する発光部Ｅの各行間（すなわち、非発光領域Ａ２の部分）においてＸ方向に延在する帯状の電極帯４２ａであり、複数の列Ｌ（Ｌ１〜Ｌ４）をなすように配置される。また、各列Ｌには複数の電極帯４２ａが互いに間隙４２ｂを置いて横一列に並ぶように配置される。より詳細には、補助電極４２の列Ｌ１において、電極帯４２ａはＸ方向に並ぶ３個の発光部Ｅ（１列ａ〜ｃ行目、１列ｅ〜ｇ行目に位置）の配列幅に相当する距離（ｄ１）にわたって配置される。また、列Ｌ１内において隣り合って並ぶ２つの電極帯４２ａの間隙４２ｂは１個の発光部Ｅ（１列ｄ行目とｎ行目に位置）分のＸ方向の幅（ｄ２）を有する。すなわち、幅ｄ１の電極帯４２ａと幅ｄ２の間隙４２ｂとが交互に配置される。換言すれば、１個の発光部Ｅの幅を有する間隙４２ｂが３個の発光部Ｅおきに配置される。このことは各列Ｌ２〜Ｌ４においても同様である。一方、Ｘ方向と直行するＹ方向において隣り合う列（例えば、列Ｌ１とＬ２）において間隙４２ｂは並んでいない。具体的には、例えば、１列ｄ行目に位置する発光部Ｅの図中上側には間隙４２ｂが配置されているが、下側にはこの間隙４２ｂよりも長い電極帯４２ａが配置されている。これに対し、３列ｂ行目に位置する発光部Ｅの下側には間隙４２ｂが配置されているが、上側にはこの間隙４２ｂよりも長い電極帯４２ａが配置されている。このように、上側または下側のいずれか一方に間隙４２ｂを有する発光部Ｅの他方の側には、その間隙４２ｂよりも長い電極帯４２ａが配置される。それによって、電極帯４２ａの配列する方向に直交する方向に間隙４２ｂが並んでいない。

ここで、遮光層５２は非発光領域Ａ２において格子状に形成されるから、補助電極４２は発光装置Ｄを発光側（すなわち、対向基板５０側）からみたときに遮光層５２の奥側に位置する。ところが、発光装置Ｄを特定の角度（例えば、図３に示すＶ１およびＶ２）から人間の目でみたときに、カラーフィルタ５４の向こう側に補助電極４２が視認される場合がある。補助電極４２はアルミニウムなどの金属材料であるから、人間の目には反射光として映る。このため、補助電極４２が長い距離にわたって配置されていると、この反射光が線をなして際立ってしまう。そこで、本実施形態では、補助電極４２が長い距離にわたって連続することがないように補助電極４２を短く分割し所定の間隔で間隙４２ｂを配置している。また、各列Ｌ１〜Ｌ４において間隙４２ｂを特定の行に集中配置すると（例えば、すべての列において間隙４２ｂをｄ行目とｈ行目に設けると）、反射光が視認される行の間隙に反射光が途切れる行が存在することになり反射光が却って際立って見えてしまう場合がある。そこで、本実施形態においては補助電極４２の配列方向に直交する方向において、隣り合う２つの列における間隙４２ｂが並ばないように、上側または下側のいずれか一方に間隙４２ｂを有する発光部Ｅの他方の側には電極帯４２ａが必ず配置される構成としている。

また、上述したように、本実施形態の発光装置Ｄはトップエミッション型であるので、共通電極２２はＩＴＯなどの光透過性材料から形成される。一方、補助電極は共通電極２２よりも抵抗が低い金属などの材料で形成される。このため、材質が異なる補助電極４２と共通電極２２とを互いに接合させて長い距離にわたって配置すると、補助電極の膜自体の応力（引っ張り応力、圧縮応力などのストレス）や温度変化による熱歪みの違いによる熱応力が発生し電極が変形・破損する場合が起こり得る。そこで、本実施形態では、補助電極４２の各電極帯４２ａの長手方向の距離を短くし、これにより、電極帯４２ａと共通電極２２との間で生じる応力を部分的に解放している。

ところで、発光装置Ｄの製造工程において補助電極４２を形成するに際しては、電極以外の部分をマスクで覆って材料を堆積させる堆積法（例えば、真空蒸着、スパッタ法など）を用いる場合が多い。図４（ａ）は、堆積法によって本実施形態の補助電極４２を形成する場合に用いるマスクの形状の一例を示す図であり、図４（ｂ）は、他のマスクの形状を示す比較例である。

図４（ａ）に示されるように、マスク４３Ａは、複数の開口部４３ａを有するシート状の部材であり、金属材料から形成される。マスク４３Ａは、有効領域Ａと略一致する寸法および形状を有する。図５から理解されるように、堆積法においては、マスク４３Ａを製造中の発光装置Ｄの被堆積面（すなわち、共通電極２２）に対向させて接近させた状態において、マスク４３Ａを挟んで発光装置Ｄとは反対側から材料を吹き付けて堆積させる。この方法においては、開口部４３ａを通り抜けて共通電極２２に到達した材料だけが堆積して補助電極４２となる。このため、開口部４３ａの寸法および形状は電極帯４２ａのそれに略一致する。したがって、開口部４３ａは列Ｌ１’〜Ｌ４’の複数列をなすように並び、各列内においては補助電極４２の間隙４２ｂに相当する間隔をおくように形成される。換言すれば、マスク４３Ａの開口部４３ａは、間隙４２ｂに相当する領域において接続されている（つながっている）。

図４（ｂ）に示す形状のマスク４３Ｂには、開口部４３ａの代わりに開口部４３ｂが設けられる。すなわち、マスク４３Ｂによれば、開口部４３ｂの寸法および形状に相当する長尺の補助電極が共通電極２２の表面に形成される。

ここで、本実施形態に係る発光装置Ｄを製造する方法のうち補助電極４２を形成する工程について説明する。本実施形態の補助電極４２は、マスクを利用した蒸着（真空蒸着）によって形成される。なお、補助電極４２以外のすべての要素は公知の技術によって生成することができる。

図５は、補助電極４２を形成する工程を説明するための断面図（図３に対応する断面）であるが、図３とは天地を逆に図示してある。これは、真空蒸着においては、被蒸着面を下方に向けた上でマスクを被蒸着面に対向させ、熱により気化した材料が上昇して被蒸着面に堆積されるためである。

まず、補助電極４２の形成に先立って蒸着用のマスク４３Ａが用意される。図４（ａ）に示されるように、マスク４３Ａは、開口部４３ａが開口するとともにそれ以外の領域を遮蔽する形状に作成される。マスク４３Ａの開口部４３ａは、補助電極４２が形成される領域と対向するようにＸ方向に沿って延在するスリット状の領域（以下、「領域ＭＡ」という；図４（ａ））である。一方、マスク４３Ａの開口部４３ａ以外の領域（以下、「領域ＭＢ」という；図４（ａ））は、発光部Ｅが形成される領域（発光領域Ａ１）と、非発光領域Ａ２のうち補助電極４２を除く領域であって間隙４２ｂを含む領域と、に対面する各領域を含む。

以上のマスク４３Ａを利用した蒸着によって補助電極４２が形成される。すなわち、共通電極２２が形成された段階（対向基板５０の設置前）にある発光装置Ｄが真空中に配置され、発光層２３と対向するようにマスク４３Ａが配置される。そして、共通電極２２よりも抵抗率が低い導電材料の蒸気Ｍをマスク４３Ａ側から発光装置Ｄに吹き付ける。以上の工程において、マスク４３Ａの領域ＭＢによって遮断された蒸気Ｍは発光装置Ｄに到達せず、マスク４３Ａの領域ＭＡを通過した蒸気Ｍが選択的に発光層２３の表面に付着・堆積することで補助電極４２が図２の形状に形成される。

蒸着に際しては、マスク４３を被蒸着面に対して平行に配置することが好適であるから、マスク４３の端部を把持して張力をかける（付与する）ことにより、マスク４３の撓みを抑制するといったことが行われる。マスク４３Ａおよびマスク４３Ｂに同じ大きさの張力を付与する場合を想定する。その場合、マスク４３Ｂは有効領域ＡのＸ方向の幅全体にわたって開口する部分（開口部４３ｂ）を有するので、Ｙ方向における強度が十分でない。このため張力があるレベルを超えると開口部４３ｂの周縁部分がＹ方向に引っ張られて開口部４３ｂがＹ方向に拡がるといったことが起こり得る。結果として補助電極４２が所期の領域からズレたりはみ出した状態で形成されてしまう。つまり、補助電極４２の位置や寸法の精度が低下する。一方、付与する張力が弱すぎると自らの重みでマスクが撓んでしまうので同様のことが起こり得る。これに対し、マスク４３Ａの開口部４３ａのＸ方向の距離はマスク４３Ｂの開口部４３ｂと比較して短い。また、各列Ｌ１’〜Ｌ４’に形成された間隙（マスクにとっての接続部分）は、隣り合う列においてＹ方向に一直線に並ばないように分散して配置される。このため、マスク４３Ｂと比較してＹ方向にかかる力に対する強度が強い。したがって、マスク４３Ａの構成によれば、補助電極４２の位置や寸法の精度を損なわない程度に、マスク４３Ａを小さい撓みで配置することが可能となる。

以上説明したように、本実施形態に係る発光装置Ｄにおいては、補助電極４２は、３個の発光部ＥのＸ方向の配列幅に相当する距離を長辺とする電極帯４２ａとして一方向に複数列に並ぶように配置される。また、各列においては、複数の電極帯４２ａは間隙４２ｂをおいて配置される。上記発光装置Ｄによれば、補助電極４２と共通電極２２が接する部分においては抵抗が緩和されるので、共通電極２２の面内における電圧降下が抑制され、発光装置Ｄの発光輝度のバラツキが低減する。その結果、高品位な画質の実現が可能となる。さらには、間隙４２ｂを設けることなく連続した電極帯を形成する場合と比較して、発光装置Ｄを出射面側（対向基板５０の側）から人間の目で見て視認され得る補助電極４２からの反射光を低減することができる。本実施形態では、３個の発光部Ｅおきに１個の発光部Ｅの短辺に相当する幅（Ｘ方向）の間隙４２ｂが配置されるので、連続した電極帯を形成する場合と比較して反射光はおおよそ４分の３となる。また、間隙４２ｂはＹ方向において隣り合う列において一列に並ばないように分散して配置されるから、反射光が視認される部分（電極帯４２ａ部分）と視認されない部分（間隙４２ｂ部分）が分散し、その分布が視認される可能性が低減される。

また、電極帯４２ａと共通電極２２とを長い距離にわたって接合した場合には、温度変化により接合された層に膜応力や熱応力がかかり、発光装置Ｄが変形したり破損する場合が考えられる。しかしながら、本実施形態の発光装置Ｄによれば、各電極帯４２ａの長辺側の距離が短いので、有効領域ＡのＸ方向の幅全体にわたって連続した電極帯を形成する場合と比較して応力が緩和され、温度変化に対する発光装置Ｄの耐性が向上する。

さらには、マスクを用いた堆積法により補助電極を形成する場合には、補助電極に対応する部分を開口部とするマスクが使用される。本実施形態の補助電極４２を形成する際に使用するマスク４３Ａは、比較例で挙げたマスク４３Ｂと比較して開口部４３ａの長辺の長さ（Ｘ方向の長さ）が短い。つまり、マスク４３Ａの開口部４３ａは長い距離にわたって開口することなく短尺に分割される（マスクは補助電極４２の間隙４２ｂに対応する部分でつながっている）。よって、図４（ｂ）に示すように、長尺の開口部４３ｂを有するマスク４３Ｂを使用して補助電極４２を形成する場合と比較して、マスク４３Ａの強度を充分に維持することができる。したがって、マスク４３Ａの変形（例えば張力の付加による変形や自重による撓み）に起因した補助電極４２の寸法や位置の誤差を抑制することが可能である。なお、補助電極４２は遮光性の部材であるので、補助電極４２が形成されるべき領域からズレたりはみ出して形成されると、補助電極４２が発光部Ｅと重なり、発光部Ｅから発光する光を遮ってしまう（すなわち、開口率が低下する）ことがある。発光装置Ｄの開口率が低下すると、十分な輝度が確保されず画質が劣化する。これに対し、本実施形態の発光装置Ｄにおいては、マスクの強度を確保することにより補助電極４２が適正な位置に配置されるので、開口率を低下させることがなく、ひいては、高品位な画質の実現が可能となる。

＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、本実施形態のうち第１実施形態と共通する要素については以上と同じ符号を付してその詳細な説明を適宜に省略する。

図６は、本実施形態に係る有効領域Ａの構成を示す平面図である。第１実施形態においては、補助電極４２が発光部Ｅの短辺に沿って延在する構成を例示した（図２）。これに対し、本実施形態における補助電極４２は、図６に示すように発光部Ｅの長辺に沿って延在する。なお、図６においては、各発光部ＥはＸ方向を長辺とする長方形の形状を有するが、Ｙ方向を長辺としてもよい。その場合、補助電極４２はＹ方向に沿って延在するよう配置される。

図７は、図６におけるVII−VII線からみた断面図である。図６および図７に示されるように、発光部Ｅと長辺側において隣接する非発光領域Ａ２（隣り合う発光部Ｅの長辺側の間隙）には、各発光部Ｅごとに１個の駆動トランジスタＴdrが設けられる。また、画素電極２１は非発光領域Ａ２に張り出す部分（以下、「張り出し部分」という）２１ａを有する。図７から理解されるように、この張り出し部分２１ａは隔壁層４０によって発光層２３との間が絶縁された非発光の領域である。駆動トランジスタＴdrは、非発光領域Ａ２においてＸ方向に延在し、画素電極２１の張り出し部分２１ａと重なる位置に配置される。駆動トランジスタＴdrのドレイン電極３５はコンタクトホールＣＨを介して画素電極２１の張り出し部分２１ａと電気的に接続される。

図６に示されるように、補助電極４２は、発光部Ｅの配列（１〜４列）の列間においてＸ方向に延在する複数の電極帯４２ａから成り、これらの電極帯４２ａは複数列Ｌ１〜Ｌ４に並ぶ。第１実施形態と同様に、これら複数の電極帯４２ａは各列において間隙４２ｂを置いて配列し、この間隙４２ｂはＹ方向において隣り合う２つの列（例えば、Ｌ１とＬ２）において並ばない。また、図６および図７に示されるように、電極帯４２ａはコンタクトホールＣＨと重ならない位置に形成される。すなわち、コンタクトホールＣＨの上層に電極帯４２ａは形成されない。さらに換言すれば、電極帯４２ａの配列と重ならない位置にコンタクトホールＣＨが形成される。

より詳細には、駆動トランジスタＴdrおよび画素電極２１の張り出し部分２１ａおよびコンタクトホールＣＨ（以下、単に「コンタクトホールＣＨ」という）は、非発光領域Ａ２のうち、対応する発光部Ｅの長辺の左右いずれかの一方の端部に寄せた位置に配置され、Ｘ方向において隣り合う２つの発光部Ｅで連続して同じ側（例えば、右端部側）に配置されない。例えば、１列ａ行目の発光部Ｅでは、コンタクトホールＣＨは、発光部Ｅの長辺の右端部側に配置されるが、次行の１列ｂ行目の発光部Ｅでは左端部側に配置され、さらに次行の１列ｃ行目の発光部Ｅでは右端部側に配置される。このように、各列（Ｘ方向）において、コンタクトホールＣＨは各発光部Ｅの長辺の左端部側と右端部側に交互に配置される。また、コンタクトホールＣＨは、Ｙ方向において隣り合う２つの発光部Ｅで連続して同じ側（右端部側あるいは左端部側）に形成されない。例えば、ａ行目において、１列目の発光部ＥのコンタクトホールＣＨは右端部側に形成され、２列目の発光部ＥのコンタクトホールＣＨは左端部側に形成され、３列目の発光部ＥのコンタクトホールＣＨは右端部側に形成される。その結果、発光部Ｅの列間において、隣り合う発光部Ｅの境目には、コンタクトホールＣＨが２個並ぶ領域と、コンタクトホールＣＨが一切形成されない領域とがＸ方向Ｙ方向ともに交互に形成される。そして、補助電極４２の電極帯４２ａはコンタクトホールＣＨが形成されない領域において２個の発光部Ｅの配列に沿うように形成される。結果として、間隙４２ｂはコンタクトホールＣＨが２個並ぶ領域に重なる位置にとなり、Ｙ方向の隣り合う列においてはＹ方向一直線に並ばない構成となる。具体的には、１つの列（例えば、Ｌ１）における間隙４２ｂのＹ方向において隣り合う列（例えば、Ｌ２）では、間隙４２ｂよりも長い電極帯４２ａが並ぶ。

ここで、上述したように、コンタクトホールＣＨは、駆動トランジスタＴdrのドレイン電極３５と画素電極２１とを電気的に導通させるために第２絶縁層Ｆ2に設けられた開口部である。画素電極２１は、コンタクトホールＣＨの開口部に入り込んで形成されて、ドレイン電極３５と接する。コンタクトホールＣＨと画素電極２１の上層には、隔壁層４０、発光層２３、共通電極２２が順に積層されるが、各層がコンタクトホールＣＨに重なる部分はコンタクトホールＣＨの凹部に入り込むため、段差が形成され易い（図示省略）。補助電極４２をこの段差部分に形成すると、段差により補助電極４２に亀裂が生じ、補助電極４２の抵抗が却って増大するといったことが起こり得る。このため、本実施形態では、補助電極４２の各電極帯４２ａは、コンタクトホールＣＨと重ならない位置に形成する構成としている。

以上説明したように、本実施形態においては、共通電極２２に接する補助電極４２は、非発光領域Ａ２において一方向（Ｘ方向）に延在する複数の電極帯４２ａから成り、これらの電極帯４２ａは複数列に並ぶ。また、各列において電極帯４２ａは間隙４２ｂを置いて配列される。さらには、間隙４２ｂは、Ｙ方向において隣り合う２つの列において並んでいない。したがって、本実施形態の発光装置Ｄによれば、上記第１実施形態と同様の効果が得られる。

また、本実施形態の発光装置Ｄにおいては、補助電極４２の電極帯４２ａはコンタクトホールＣＨが形成されている位置を避けるように配置されるので、電極帯４２ａはコンタクトホールＣＨの凹部に重なることに起因する影響を受けることがない。このため、電極帯４２ａ自体に亀裂が生じ、却って抵抗が増大してしまうといった事態の発生を防ぐことが可能となる。

＜Ｃ：補助電極４２の配置例＞
図８〜図１４は、上記第１実施形態の変形としての、補助電極４２の様々な配置例を示す平面図である。
図８（ａ）に示す配置例においては、Ｒ・Ｇ・Ｂの３種類の発光部Ｅが縦（Ｙ方向）ストライプ状に配列する構成において、電極帯４２ａは、隣り合う２個の発光部ＥのＸ方向の配列幅に対応し、発光部Ｅの間隙（非発光領域Ａ２）においてＸ方向に延在する。この電極帯４２ａは有効領域Ａにおいて複数列Ｌをなすように並び、各列Ｌにおいて、複数の電極帯４２ａが間隙４２ｂをおいて配置される。具体的には、電極帯４２ａは、各発光部Ｅの２つの短辺のいずれか一方のみに沿って設けられる。すなわち、間隙４２ｂは、各発光部Ｅの２つの短辺のいずれか一方のみに沿って設けられる。さらに換言すれば、Ｙ方向において隣り合う２つの列Ｌの直交する位置において、１つの列Ｌには間隙４２ｂが配置され、もう一方の列Ｌには電極帯４２ａが配置される。また、発光部Ｅは、上下２つの電極帯４２ａに挟まれる４個の発光部Ｅ（２列２行の発光部Ｅ）を一単位としてＸ方向に千鳥状に配列される（Ｙ方向は直線状に配置される）。図８（ｂ）に示す配置例は、各電極帯４２ａがＸ方向に隣り合う３個の発光部Ｅの配列幅に対応する長さを有する点を除いて、図８（ａ）に示す配置例と同様である。

図９〜図１１は、Ｒ・Ｇ・Ｂの３種類の発光部Ｅが３角形をなすように略半画素分（発光部Ｅの１／２個分）ずらして配列する構成（いわゆる、デルタ配列）における補助電極４２の配置例を示す。図９に示す配置例においては、発光部Ｅが１列単位でデルタ配列される場合において、１個の発光部Ｅの長辺の幅に相当する長さを長辺とする電極帯４２ａが、Ｘ方向に隣り合う２個の発光部ＥごとにＹ方向に設けられる。発光部Ｅの配列自体が一列ごとに略半画素ずつずれているので、結果として、電極帯４２ａはＹ方向千鳥状の配置となる。つまり、この配置例においては、複数の電極帯４２ａがＹ方向に複数列Ｌに配置され、各列Ｌにおいては複数の電極帯４２ａが間隙４２ｂをおいて配置される。この間隙４２ｂは、電極帯４２ａの各列Ｌにおいて２つの電極帯４２ａの隣り合う短辺によって挟まれる領域、すなわち、１個の発光部Ｅに相当する。よって、電極帯４２ａのＹ方向における長さと間隙４２ｂのＹ方向における長さは同一である。また、各列Ｌのうち、ある間隙４２ｂが属する列ＬにＸ方向において隣り合う列Ｌには、間隙４２ｂと同じ長さの電極帯４２ａが並んでいる。これにより、Ｙ方向に直交する方向（すなわち、Ｘ方向）において間隙４２ｂが並ばない。図１０は、発光部Ｅが２列単位でデルタ配列され、２個の発光部Ｅの長辺の幅に相当する長さを長辺とする電極帯４２ａが、Ｘ方向に隣り合う２個の発光部Ｅごとに、Ｙ方向に延在する配置例を示す。すなわち、デルタ配列が２列単位である点を除いて図９と同様の構成を有する。ただし、電極帯４２ａおよび間隙４２ｂのＹ方向における長さは、発光部Ｅの長辺の長さ２個分に相当する。図１１は、発光部Ｅが３列単位でデルタ配列される点を除いて図９、図１０と同様の構成を有する。ただし、電極帯４２ａおよび間隙４２ｂのＹ方向における長さは、発光部Ｅの長辺の長さ３個分に相当するものとなる。

図１２〜図１４は、図９〜図１１の場合と同様にＲ・Ｇ・Ｂの３種類の発光部Ｅがデルタ配列された構成における補助電極４２の配置例を示すが、電極帯４２ａが２個の発光部Ｅごとに配置される代わりに、Ｒ・Ｇ・Ｂの３個の発光部Ｅごとに配置される。図１２に示す配置例では、発光部Ｅが１列単位でデルタ配列される構成において、１個の発光部Ｅの長辺の幅に相当する長さの電極帯４２ａが３個の発光部Ｅごとに設けられ、複数列Ｌをなす。各列Ｌにおいては、複数の電極帯４２ａが、各電極帯４２ａと同じ長さを有する間隙４２ｂをおいて形成される。これにより、Ｙ方向に直交する方向（すなわち、Ｘ方向）において間隙４２ｂが並ばない。図１３に示す配置例では、発光部Ｅが２列単位でデルタ配列され、各電極帯４２ａと間隙４２ｂは発光部Ｅの長辺の長さ２個分に相当する長さを有する。図１４に示す配置例では、発光部Ｅは３列単位でデルタ配列され、各電極帯４２ａと間隙４２ｂは発光部Ｅの長辺の長さ３個分に相当する長さを有する。

ところで、発光部Ｅがマトリクス状に整列した構成において、Ｘ方向に隣り合う２個以上の発光部ＥごとにＹ方向の電極帯４２ａを形成すると、Ｘ方向における発光部Ｅの間に電極帯４２ａが介在させられるため、発光部Ｅの配列がＸ方向に不均一となり、結果として、Ｘ方向の解像度が低下するように見える場合がある。そこで、図９〜図１４の配置例においては、Ｙ方向に電極帯４２ａを形成するとともに、発光部ＥをＸ方向にずらしてデルタ配列としている。逆に、図８（ａ）、（ｂ）の配置例においては、Ｘ方向に電極帯４２ａを形成し、Ｙ方向に発光部Ｅをずらして配置している。このように、電極帯４２ａを介在させることにより発光部Ｅのピッチが不均一になる方向（電極帯４２ａの配列Ｌと直交する方向）と同じ方向に発光部Ｅをずらして配置することにより、見た目の解像度の低下を防止している。

以上説明したように、図８〜図１４を参照して述べた何れの構成も第１実施形態と同様の構成を有する。よって、上記第１実施形態と同様の効果が得られる。また、発光部Ｅのピッチが不均一となる方向に揃えて、発光部Ｅをずらして配置するので、解像度の低下を防止することが可能となる。

＜Ｄ：変形例＞
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に述べる変形が可能である。

上記第１および第２実施形態においては、発光部Ｅの各列（行）ごとに補助電極４２を形成する構成としていたが、２列（行）ごとに補助電極４２を形成する構成としてもよい。この構成においては、マスクの開口部の数が減少するので、マスクの強度が向上する。また、マスクを被堆積面に対向させるに際しては、マスクの開口部が発光部Ｅに重ならないように（開口率を低下させないように）位置を調整する必要があるが、２列（行）ごとに開口部が設けられるので、位置の調整が簡易となり、マスク合わせ精度が向上する。

くわえて、上記第１実施形態においては、間隙４２ｂは１個の発光部Ｅに対応する位置に配置される構成としていたが、２個以上の発光部Ｅに対応する位置に配置してもよいし、逆に、２分の１個の発光部Ｅに対応する位置に配置してもよい。また、上記第１実施形態では、上下ともに電極帯４２ａで挟まれる（上下何れにも間隙４２ｂがない）発光部Ｅは１個である（つまり、２個以上並ばない）構成としていたが（図２の領域Ｂ参照）、２個以上としてもよい。なお、上述したように、補助電極４２は共通電極２２で発生する電圧の降下を抑制するために形成される。よって、解像度数や有効領域Ａの大きさ等の種々の条件によって、補助電極４２の粗密を適宜調整できることは当業者にとって自明である。

また、上記第１および第２実施形態においては、共通電極２２を陰極として説明したが、陽極であってもよい。また、共通電極２２は有効領域Ａにおける総ての発光部Ｅに共通して設けられる必要は必ずしもなく、有効領域Ａを区分されたサブ領域ごとに設けられる態様としてもよい。

また、画素電極２１を光透過性の部材で構成し、この画素電極２１の下層に反射層を形成することにより、特定波長の光が共通電極２２と反射層との間を往復することによって強められる構成としてもよい。

上述した実施形態においては、トップエミッション型の発光装置Ｄについて説明したが、ボトムエミッション型であってもよい。この場合、共通陰極２２が光透過性の部材であることは要求されないが、発光層にかかる膜応力（ストレス）の関係で、共通陰極２２を厚膜化することができない（すなわち、抵抗値が高くなる）場合がある。そこで、ボトムエミッション型の場合であっても、上記実施形態と同様に補助電極４２を用いることにより、共通電極２２の低抵抗化が可能となる。

＜Ｅ：応用例＞
次に、本発明に係る発光装置Ｄを適用した電子機器について説明する。図１５は、上記実施形態に係る発光装置Ｄを表示装置に適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての発光装置Ｄと本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。

図１６に、上記実施形態に係る発光装置Ｄを適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての発光装置Ｄを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、発光装置Ｄに表示される画面がスクロールされる。

図１７に、上記実施形態に係る発光装置Ｄを適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての発光装置Ｄを備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置Ｄに表示される。

本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図１５から図１７に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、電子写真方式を利用した画像印刷装置における像担持体に光を照射して潜像を形成するプリンタヘッドのような発光源、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

本発明の第１実施形態に係る発光装置の電気的な構成を示す回路図である。 有効領域の構成を示す平面図である。 図２におけるIII―III線からみた断面図である。 補助電極の形成に使用されるマスクの例である。 補助電極を形成する工程につい説明するための図である。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の有効領域の構成を示す平面図である。 図６におけるVII―VII線からみた断面図である。 補助電極の配置例である。 補助電極の配置例である。 補助電極の配置例である。 補助電極の配置例である。 補助電極の配置例である。 補助電極の配置例である。 補助電極の配置例である。 本発明に係る発光装置を有するパーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。 本発明に係る発光装置を有する携帯電話機の外観を示す斜視図である。 本発明に係る発光装置を有する携帯情報端末の外観を示す斜視図である。

符号の説明

１０……基板、１２……走査線、１４……データ線、１６……電源線、１８……接地線、２１……画素電極（第１電極）、２１ａ……張り出し部分、２２……共通電極（第２電極）、２３……発光層、３１……半導体層、３２……ゲート電極、３３……ソース電極、３５……ドレイン電極、４０……隔壁層、４０ａ……開口部、４２……補助電極、４２ａ……電極帯、４２ｂ……間隙、４３，４３Ａ，４３Ｂ……マスク、４３ａ，４３ｂ……開口部、５０……対向基板、５２……遮光層、５２ａ……光透過部、５４……カラーフィルタ、Ａ……有効領域、Ａ１……発光領域、Ａ２……非発光領域、ＣＨ……コンタクトホール、Ｄ…発光装置、Ｅ……発光部、Ｆ0……ゲート絶縁層、Ｆ1……第１絶縁層、Ｆ2……第２絶縁層、Ｂ，ＭＡ，ＭＢ……領域、Ｔdr……駆動トランジスタ、Ｔsl……選択トランジスタ、Ｕ……画素回路。

Claims (6)

1. 第１電極と発光層と第２電極とが順に積層された発光部が複数配列された有効領域と、
   前記第２電極より抵抗率が低い材料から形成され、前記第２電極に電気的に接続される補助電極とを具備し、
   前記第２電極は前記複数の発光部に共通して設けられた共通電極であり、
   前記有効領域は前記発光部が発光可能な発光領域と、当該発光領域を除く部分である非発光領域とを有し、前記共通電極は前記発光領域と前記非発光領域とにわたって形成され、
   前記補助電極は、ほぼ同じ方向に延びる複数の帯状の電極帯を有しており、
   前記複数の電極帯は、前記非発光領域に重なるように配置されているとともに、前記方向に延びる複数の列を構成し、各列には間隙をおいて複数の電極帯が配置されている
   発光装置。
2. 前記電極帯の各列に直交する方向において、１つの列における間隙に、その列の隣の列に属しこの間隙と同一あるいはこの間隙より長い電極帯が並んでいることにより、隣り合う２つの列における間隙が前記電極帯の各列に直交する方向に並んでいない
   請求項１に記載の発光装置。
3. 前記各発光部に供給される電流を制御する複数の駆動トランジスタと、
   前記複数の駆動トランジスタを被覆する絶縁層とをさらに具備し、
   前記第１電極は、前記絶縁層の面上に配置され、前記絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して前記駆動トランジスタと電気的に接続され、
   前記コンタクトホールは、前記補助電極の各電極帯に重ならない位置に形成される
   請求項１または請求項２に記載の発光装置。
4. 前記発光部が千鳥状に配置されており、隣り合う２つの列に属する複数の電極帯が千鳥状に配置されている
   請求項１または請求項２に記載の発光装置。
5. 請求項１から請求項４の何れかに記載の発光装置を備えた電子機器。
6. 請求項１に記載の発光装置の製造方法であって、
   前記有効領域のうち、前記補助電極の各電極帯が形成される領域を開口部とするマスクを用意する第１工程と、
   前記マスクの前記開口部が前記発光領域に重ならないように、前記第２電極の前記表面に前記マスクを対向させる第２工程と、
   前記第２電極に前記マスクを対向させた状態で導電性材料を堆積させることにより、前記補助電極を形成する第３工程と
   を含む発光装置の製造方法。
   

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