KR100862502B1 - 은경액 조성물 및 이를 이용한 online 방식의은경막 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (23)
- (a) 적용하고자 하는 소재 표면의 이물, 홈 또는 굴곡을 제거하여 표면을 정리하는 전처리 단계;(b) 상기 전처리된 소재 표면상에 자외선(UV) 경화형 도료를 분사한 후 경화, 건조하여 하도막을 형성하는 자외선(UV) 하도막 형성 단계;(c) 상기 자외선 하도막 상에 표면활성화 조성물을 분사하여 표면 활성화 처리하는 단계;(d) 상기 표면 활성화처리된 자외선 하도막상에, 은 함유 조성물과 환원제 조성물을 각각 동시에 분사하여 은 도금막을 형성하는 단계;(e) 상기 형성된 은 도금막 상에 후처리액 조성물을 분사하고 증류수로 수세하는 단계;(f) 상기 수세된 은 도금막 표면을 고압 공기(air)를 분사한 후 건조하는 단계; 및(g) 상기 건조된 은 도금막 상에 경화형 도료를 도장한 후 건조하여 상도막 또는 중도막과 상도막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 단계들이 1개의 도장라인에서 연속적으로 이루어지는 것이 특징인 온라인(ON-LINE) 방식의 은경막 제조방법으로서,상기 단계 (e)의 후처리액 조성물은 조성물 100 중량부 대비 (i) 망간염, 암모늄염, 소듐염, 벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 및 벤조치아졸로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 은경막 불활성화제 5~20 중량부; (ⅱ) 계면활성제 5~20 중량부; 및 (ⅲ) 조성물의 총량이 100 중량부가 되도록 조절하는 잔량의 증류수를 포함하는 농축액 또는 이의 희석액인 것이 특징인 온라인 방식의 은경막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 단계 (c)의 표면활성화 조성물은 조성물 100 중량부 대비 (i) 주석 염화물 20~50 중량부; (ⅱ) 산 5~20 중량부; (ⅲ) 귀금속 염화물 0.001~0.1 중량부; (ⅳ) 계면활성제 0.1~5 중량부; 및 (v) 조성물의 총량이 100 중량부가 되도록 조절하는 잔량의 증류수를 포함하는 농축액 또는 이의 희석액인 것인 온라인 방식의 은경막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 단계 (d)의 은 함유 조성물은 조성물 100 중량부 대비 (i) 은 함유 화합물 10~30 중량부; (ⅱ) 암모니아수 20~50 중량부; (ⅲ) 실리콘 함유 화합물 5~10 중량부; 및 (ⅳ) 조성물의 총량이 100 중량부가 되도록 조절하는 잔량의 증류수를 포함하는 농축액, 또는 이의 희석액인 것인 온라인 방식의 은경막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 단계 (d)의 환원제 조성물은 조성물 100 중량부 대비 (i) 염기성 화합물 1~20 중량부; (ⅱ) 환원제 10~20 중량부; (ⅲ) 은경반응 제어제 1~10 중량부; (ⅳ) 은경반응 촉진제 3~10 중량부; 및 (v) 조성물의 총량이 100 중량부가 되도록 조절하는 잔량의 증류수를 포함하는 농축액, 또는 이의 희석액으로서,상기 은경반응 제어제는 리보오스, 데옥시리보오스, 아라비노오스, 만노오스, 수크로스, 셀로비오스, 덱스트란, 덱스티린, 펙틴, 구아검, 디메틸에탄올아민, 트리에틸아민, 메틸아민, 에틸아민, 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 프로필렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 파라톨루엔설포닉에이시드, 디노닐나프탈렌설포닉에이시드, 도데실벤젠설포닉에이시드, 타타릭에이시드, 시트릭에이시드, 아세틱에이시드, 메틸알콜, 에틸아콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜 및 이소부틸알콜로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상이고,상기 은경반응 촉진제는 히드라진 설페이트, 소듐 히드라지드, 히드로 보레이트, 소듐 에리토베이트, 포름알데히드, 및 아스코빅 에이시드로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 것이 특징인 온라인 방식의 은경막 제조방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 제조방법은 상기 (a) 내지 (f) 단계 중 어느 하나 단계의 전, 후, 또는 이들 사이에 증류수로 분사하거나, 또는 증류수 분사 이후 고압 공기를 이용하여 잔류물을 제거하는 단계를 포함하는 것인 온라인 방식의 은경막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 단계 (g)의 경화형 도료는(i) 아크릴계 투명 도료, UV 경화형 투명 도료, 또는 이들의 혼합 도료이거나; 또는(ⅱ) 상기 도료에 염료, 또는 분산안료가 첨가되는 것인 온라인 방식의 은경막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소재는 금속, 플라스틱, 목재, 및 건축 내외장재로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 온라인 방식의 은경막 제조방법.
- 특정 소재의 표면 상에 하도막-은 도금막-(중)상도막을 포함하는 은경막 형성시, 하도막의 표면 상에 표면처리되는 표면활성화 조성물로서, 조성물 100 중량부 대비 (i) 주석 염화물 20~50 중량부; (ⅱ) 산 5~20 중량부; (ⅲ) 귀금속 염화물 0.001~0.1 중량부; (ⅳ) 계면활성제 0.1~5 중량부; 및 (v) 조성물의 총량이 100 중량부가 되도록 조절하는 잔량의 증류수를 포함하는 농축액, 또는 이의 희석액인 것이 특징인 은경막 형성용 표면활성화 조성물
- 제9항에 있어서, 상기 계면활성제는 양이온계 계면활성제, 음이온계 계면활성제, 비이온계 계면활성제 및 실리콘계 계면활성제로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 것인 은경막 형성용 표면활성화 조성물.
- 삭제
- 특정 소재의 표면 상에 하도막-은 도금막-(중)상도막을 포함하는 은경막 형성시 은(Ag) 도금막을 형성하는 조성물로서, 조성물 100 중량부 대비 (i) 은 함유 화합물 10~30 중량부; (ⅱ) 암모니아수 20~50 중량부; (ⅲ) 실리콘 함유 화합물 5~10 중량부; 및 (ⅳ) 조성물의 총량이 100 중량부가 되도록 조절하는 잔량의 증류수를 포함하는 농축액, 또는 이의 희석액인 것이 특징인 은(Ag) 도금막 형성용 조성물.
- 제12항에 있어서, 상기 실리콘 함유 화합물은 하도막 상에 존재하는 히드록시기와 화학결합하여 은(Ag) 도금막과 하도막간의 결합력을 증대시키는 것인 은 도 금막 형성용 조성물.
- 제12항에 있어서, 상기 실리콘 함유 화합물은 소듐실리케이트, 포타슘실리케이트, 에틸실리케이트, 메틸실리케이트, 실리카졸, 트리 메톡시 실란, 트리에톡시실란, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 3-글리시독시프로필 트리메톡시 실란, 페닐트리 메톡시실란, 비닐트리메톡시 실란, 트리(2-부타논옥심)메틸실란, 트리(2-부타논옥심) 비닐실란, 헥사메틸디 실란, 아미노프로필 트리에톡시실란, 아미노프로필 트리메톡시실란, 아미노프로필 메틸 디메톡시실란, 3-메르캅토 프로필 트리에톡시실란, 및 3-메르캅토 프로필 트리메톡시실란으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 은 도금막 형성용 조성물.
- 삭제
- 특정 소재의 표면 상에 하도막-은 도금막-(중)상도막을 포함하는 은경막 형성시, 은 함유 조성물을 환원시켜 은(Ag) 도금막을 형성하는 환원제 조성물로서, 조성물 100 중량부 대비 (i) 환원제 10~20 중량부, (ⅱ) 염기성 화합물 1~20 중량부, (ⅲ) 은경반응 제어제 1~10 중량부, (ⅳ) 은경반응 촉진제 3~10 중량부, 및 (v) 조성물의 총량이 100 중량부가 되도록 조절하는 잔량의 증류수를 포함하는 농축액, 또는 이의 희석액이며,상기 은경반응 제어제는 리보오스, 데옥시리보오스, 아라비노오스, 만노오스, 수크로스, 셀로비오스, 덱스트란, 덱스티린, 펙틴, 구아검, 디메틸에탄올아민, 트리에틸아민, 메틸아민, 에틸아민, 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 프로필렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 파라톨루엔설포닉에이시드, 디노닐나프탈렌설포닉에이시드, 도데실벤젠설포닉에이시드, 타타릭에이시드, 시트릭에이시드, 아세틱에이시드, 메틸알콜, 에틸아콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜 및 이소부틸알콜로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상이고,상기 은경반응 촉진제는 히드라진 설페이트, 소듐 히드라지드, 히드로 보레이트, 소듐 에리토베이트, 포름알데히드, 및 아스코빅 에이시드로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 것이 특징인 은경막 형성용 환원제 조성물.
- 제16항에 있어서, 상기 환원제는 덱스트로스 글루코스, 말토오스, 프룩토오스, 인버트슈가, 글루코닉에이스드, 소비톨, 글리옥살, N-메틸글루카민, 글루코노 락톤, 소듐 글루코네이트, 및 롯셀염으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 은경막 형성용 환원제 조성물.
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- 특정 소재의 표면 상에 하도막-은 도금막-(중)상도막을 포함하는 은경막 형성시, 은(Ag) 도금막 표면상에 분사되는 후처리액 조성물로서, 조성물 100 중량부 대비 (i) 은경막 불활성화제 5~20 중량부, (ⅱ) 계면활성제 5~20 중량부, 및 (ⅲ) 조성물의 총량이 100 중량부가 되도록 조절하는 잔량의 증류수를 포함하는 농축액, 또는 이의 희석액이며,상기 은경막 불활성화제는 망간염, 암모늄염, 소듐염, 벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 및 벤조치아졸로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 것이 특징인 은경막 형성용 후처리액 조성물.
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