KR100781789B1 - 전자장치 및 그 제조방법 - Google Patents

전자장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100781789B1
KR100781789B1 KR1020027010425A KR20027010425A KR100781789B1 KR 100781789 B1 KR100781789 B1 KR 100781789B1 KR 1020027010425 A KR1020027010425 A KR 1020027010425A KR 20027010425 A KR20027010425 A KR 20027010425A KR 100781789 B1 KR100781789 B1 KR 100781789B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electronic component
resin film
mounting substrate
electronic device
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1020027010425A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020073548A (ko
Inventor
모리야분지
다지마세이이치
구로사와후미카치
하야시신이치로
Original Assignee
티디케이가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 티디케이가부시기가이샤 filed Critical 티디케이가부시기가이샤
Publication of KR20020073548A publication Critical patent/KR20020073548A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100781789B1 publication Critical patent/KR100781789B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/16Apparatus for electrolytic coating of small objects in bulk
    • C25D17/28Apparatus for electrolytic coating of small objects in bulk with means for moving the objects individually through the apparatus during treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H01L23/49582Metallic layers on lead frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0556Disposition
    • H01L2224/05568Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05573Single external layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01028Nickel [Ni]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01058Cerium [Ce]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01067Holmium [Ho]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15151Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1064Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1078Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a foil covering the non-active sides of the SAW device
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49144Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by metal fusion
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49146Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

본 발명은, 간단한 구성 및 간단한 공정으로, 전자부품의 동작에 영향을 주는 일 없이, 전자부품의 접속전극과 실장기판의 도체패턴과의 기계적인 접합의 강도나 접합의 안정성의 향상을 도모하는 것을 목적으로 한다.
전자장치의 제조방법에서는, 전자부품(13)의 한쪽의 면(13a)이 실장기판(11)의 한쪽의 면(11a)에 대향하도록, 전자부품(13)과 실장기판(11)을 배치하고, 전자부품(13)의 접속전극(14)을 실장기판(11)의 도체패턴(12)에 전기적으로 접속하고 또한 기계적으로 접합한다. 다음에, 전자부품(13) 및 실장기판(11)의 위에 수지필름(15)을 배치하고, 실장기판(11)에 형성된 구멍(31)을 통하여, 실장기판(11)의 전자부품(13)과는 반대측에서 전자부품(13)측의 공기를 흡인하고, 전자부품(13) 및 실장기판(11)에 밀착하도록 수지필름(15)의 형상을 변화시킨다. 다음에, 수지필름(15)을 가열하여 실장기판(11)에 접착한다.
Figure 112002025939767-pct00001
전자부품, 패턴화 도체부, 실장기판, 접속전극, 수지필름, 구멍

Description

전자장치 및 그 제조방법{ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은, 실장기판과, 이 실장기판에 실장된 전자부품을 구비한 전자장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
탄성 표면파 소자는, 압전기판의 한쪽면에 빗살형 전극이 형성된 것이다. 이 탄성 표면파 소자는, 휴대전화 등의 이동체 통신기기에 있어서의 필터 등에 널리 이용되고 있다.
그런데, 반도체부품 등의 전자부품은, 전자부품이 실장기판상에 실장되고, 전자부품의 접속전극과 실장기판의 패턴화 도체부가 전기적으로 접속되고, 또한 전자부품의 접속전극과 실장기판의 패턴화 도체부와의 전기적 접속부분이 밀봉된 구조를 가지는 패키지의 형태로 사용되는 경우가 많다. 전자부품이 탄성 표면파 소자인 경우도 마찬가지이다. 또한, 본 출원에 있어서, 실장기판과, 이 실장기판에 실장된 전자부품을 구비한 것을 전자장치라고 한다.
전자장치에 있어서, 전자부품의 접속전극과 실장기판의 패턴화 도체부와의 전기적 접속방법에는, 크게 나누어, 전자부품의 접속전극을 가지는 면이 실장기판을 향하도록 전자부품을 배치하는 페이스다운 본딩과, 전자부품의 접속전극을 가지 는 면이 실장기판과는 반대측을 향하도록 전자부품을 배치하는 페이스업 본딩이 있다. 전자장치의 소형화를 위해서는, 페이스다운 본딩의 쪽이 유리하다.
페이스다운 본딩을 채용한 종래의 전자장치의 제조방법에서는, 전자부품의 접속전극과 실장기판의 패턴화 도체부를 전기적으로 접속한 후, 전자부품과 실장기판의 사이에 언더필재를 충전하여, 전자부품의 접속전극과 실장기판의 패턴화 도체부의 전기적 접속부분을 밀봉하는 것이 일반적이다.
그러나, 전자부품이 탄성 표면파 소자인 경우에는, 탄성 표면파 소자에 특유의 문제가 있기 때문에, 상술과 같은 일반적인 방법을 이용하는 것은 아니다. 탄성 표면파 소자에 특유의 문제란, 탄성 표면파 소자에서는, 그 표면에, 빗살형 전극이 형성되어 있어, 이 빗살형 전극에 수분, 진애 등의 이물이 부착하지 않도록 탄성 표면파 소자를 밀봉할 필요가 있는 한편, 탄성 표면파 소자의 동작에 영향을 주지 않도록, 탄성 표면파 소자의 표면에 있어서의 탄성 표면파 전반영역에 밀봉용의 수지 등이 접촉하지 않도록 할 필요가 있는 것이다.
그 때문에, 종래는, 전자부품이 탄성 표면파 소자인 경우에 있어서의 전자장치의 제조방법으로서는, 예를 들면, 탄성 표면파 소자의 접속전극과 실장기판의 패턴화 도체부를 전기적으로 접속한 후, 세라믹이나 금속 등으로 형성된 캡과 같은 구조체에 의해서 탄성 표면파 소자를 둘러싸고 밀봉를 행하는 방법이 사용되고 있었다. 전자부품이 탄성 표면파 소자인 경우에 있어서의 전자장치의 그 외의 제조방법으로서는, 탄성 표면파 소자의 접속전극과 실장기판의 패턴화 도체부를 전기적으로 접속한 후, 탄성 표면파 소자의 주위를 사이드필재로 둘러싸서 밀봉를 행하는 방법이 있다.
또, 일본 특개평 10-125825호 공보, 일본 특개 2001-53092호 공보, 일본 특개 2001-176995호 공보에는, 각각, 칩형의 전자부품을 기판에 실장하여 이루어지는 전자장치의 제조방법이 개시되어 있다.
일본 특개평 10-125825호 공보에 개시된 방법에서는, 우선, 칩형의 전자부품을 플립칩 본딩에 의해 기판에 실장한다. 다음에, 수지로 형성된 밀봉용 필름을, 전자부품의 위에 씌운다. 다음에, 누름형에 의해서 전자부품의 주변에서 밀봉용 필름을 기판에 눌러대어, 밀봉용 필름을 기판에 접착시키고, 밀봉용 필름에 의해서 전자부품을 밀봉한다. 일본 특개평 10-125825호 공보에는, 밀봉용 필름을 기판에 접착시키는 방법으로서, 밀봉용 필름의 접착성을 이용하는 방법과, 접착제를 이용하는 방법이 개시되어 있다.
일본 특개 2001-53092호 공보에 개시된 방법에서는, 우선, 칩형의 전자부품을 기판에 실장한다. 다음에, 유연성을 가지는 시트와 기판의 접착 예정부위에 접착제를 도포한다. 다음에, 시트에 의해서 전자부품을 덮는다. 다음에, 기판에 설치된 미소구멍을 통하여, 시트와 기판에 의해 사이에 끼인 공간으로부터 기체를 흡인하고, 다시 정형 지그에 의해서 시트를 기판에 눌러댐으로써, 접착제에 의해 시트를 기판에 접착시킨다.
일본 특개 2001-176995호 공보에 개시된 방법에서는, 우선, 칩형의 전자부품을 기판에 실장한다. 다음에, 변형필름을 전자부품상에 부착시킨다. 다음에, 기판에 형성된 구멍을 통하여 흡기하여, 변형필름을 전자부품에 적합시키고, 동시 에 변형필름을 기판에 접착시킨다. 일본 특개 2001-176995호 공보에는, 변형필름을 기판에 접착시키는 방법으로서, 접착제를 이용하는 방법과, 변형필름의 열접착특성을 이용하는 방법이 개시되어 있다.
전자부품이 탄성 표면파 소자인 경우에 있어서의 전자장치의 제조방법 중, 캡과 같은 구조체에 의해서 탄성 표면파 소자를 둘러싸고 밀봉을 행하는 방법에서는, 전자장치의 소형화가 곤란하다는 문제점이 있다. 또, 이 방법에서는, 상기 구조체는, 탄성 표면파 소자의 접속전극과 실장기판의 패턴화 도체부의 기계적인 접합에는 기여하지 않기때문에, 탄성 표면파 소자의 접속전극과 실장기판의 패턴화 도체부의 기계적인 접합의 강도나 접합의 안정성의 향상을 도모할 수 없다는 문제점이 있다.
또, 전자부품이 탄성 표면파 소자인 경우에 있어서의 전자장치의 제조방법중, 탄성 표면파 소자의 주위를 사이드필재로 둘러싸서 밀봉을 행하는 방법에서는, 사이드필재가 탄성 표면파 소자의 표면에 있어서의 탄성 표면파 전반영역에 들어갈 우려가 있다는 문제점이 있다.
또한, 탄성 표면파 소자에 한정되지 않고, 전자부품이 진동자나 고주파 회로 부품의 경우에서도, 전자부품의 표면에 밀봉용의 수지 등이 접촉하면, 전자부품의 동작에 영향을 주는 경우가 있다. 따라서, 상기의 문제점은, 전자부품이 탄성 표면파 소자인 경우에 한정되지 않고, 예를 들면, 전자부품이 진동자나 고주파 회로부품인 경우에 관해서도 마찬가지이다.
한편, 일본 특개평 10-125825호 공보, 일본 특개 2001-53092호 공보, 일본 특개 2001-176995호 공보에 개시된 각 방법에 의하면, 전자부품의 표면에 밀봉용의 수지 등을 접촉시키지 않고, 전자부품을 밀봉하는 것이 가능하게 된다.
그러나, 일본 특개평 10-125825호 공보에 개시된 방법에서는, 누름형을 기계적으로 구동할 필요가 있기 때문에, 전자장치를 제조하기 위한 장치가 대규모가 됨과 동시에, 제조공정이 복잡해진다.
일본 특개 2001-53092호 공보에 개시된 방법에서는, 시트와 기판과의 접착 예정부위에 접착제를 도포하는 공정이 번잡하다.
일본 특개 2001-176995호 공보에 개시된 방법에서는, 변형필름을 이용하여 전자부품을 패키징한다. 일본 특개 2001-176995호 공보에는, 기판에 형성된 구멍을 통하여 흡기함으로써 변형필름을 전자부품에 적합시키는 것이 기재되어 있다. 그러나, 이 공보에는, 기판에 형성된 구멍을 통하여 흡기함으로써 필름을 변형시키는 것은 개시되어 있지않다. 따라서, 이 공보에 기재되어 있는 변형필름이란, 미리 전자부품의 외형을 따른 형상으로 성형된 필름이라고 고려된다. 그 때문에, 일본 특개 2001-176995호 공보에 개시된 방법에서는, 변형필름을 제작하는 공정이 필요하게 되어, 이 공정이 번잡하다.
그런데, 탄성 표면파 소자를 이용한 밴드패스 필터에서는, 통과 대역의 중심 주파수는 예를 들면 1800MHz부근에 설정된다. 이 경우, 소망하는 중심 주파수에 대한 실제의 필터의 중심 주파수의 차이로서 허용되는 것은, 최대로 ±1.2MHz정도이다. 이와 같이, 탄성 표면파 소자를 이용한 밴드패스 필터에서는, 매우 높은 정밀도로 중심 주파수를 설정하는 것이 요구된다.
그런데, 기판에 실장된 탄성 표면파 소자를, 수지로 형성된 필름에 의해 씌우고, 이 필름을 가열하여 기판에 접착시켜서, 전자장치를 제조하는 경우에는, 필름의 접착 처리에 의해서 탄성 표면파 소자의 특성이 변화하는 경우가 있다는 문제점이 있다. 이것은, 필름의 고온 상태에서의 초기에, 필름을 구성하는 수지 중의 휘발성분이 분위기 중에 휘발하고, 다시 탄성 표면파 소자에 퇴적하기 때문이라고 고려된다. 탄성 표면파 소자를 이용한 밴드패스 필터의 경우에는, 탄성 표면파 소자의 특성의 변화는, 필터의 통과 대역의 중심 주파수의 차이나, 필터의 전송 특성의 열화, 특히 삽입 손실의 증가를 일으킨다.
본 발명의 제 1의 목적은, 실장기판과, 이 실장기판에 실장된 전자부품을 구비한 전자장치의 제조방법으로서, 간단한 공정으로, 전자부품의 동작에 영향을 주는 일 없이, 전자부품의 접속전극과 실장기판의 패턴화 도체부와의 기계적인 접합의 강도나 접합의 안정성의 향상을 도모할 수 있도록 한 전자장치의 제조방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제 2의 목적은, 상기 제 1의 목적에 더하여, 간단한 공정으로, 전자부품의 동작에 영향을 주는 일 없이, 전자부품을 밀봉할 수 있도록 한 전자장치의 제조방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제 3의 목적은, 실장기판과, 이 실장기판에 실장된 전자부품을 구비한 전자장치로서, 간단한 구성으로, 전자부품의 동작에 영향을 주는 일 없이, 전자부품의 접속전극과 실장기판의 패턴화 도체부와의 기계적인 접합의 강도나 접합 의 안정성의 향상을 도모할 수 있도록 한 전자장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제 4의 목적은, 상기 제 3의 목적에 더하여, 간단한 구성으로, 전자부품의 동작에 영향을 주는 일 없이, 전자부품을 밀봉할 수 있도록 한 전자장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 전자장치의 제조방법은, 한쪽 면에 있어서 노출하는 패턴화 도체부를 가지는 실장기판과, 한쪽 면에 있어서 접속전극을 가지고, 이 접속전극을 가지는 면이 실장기판의 한쪽 면에 대향하도록 배치되고, 접속전극이 실장기판의 패턴화 도체부에 전기적으로 접속되고 또한 기계적으로 접합된 전자부품을 구비한 전자장치를 제조하는 방법으로서,
전자부품의 한쪽 면이 실장기판의 한쪽 면에 대향하도록, 전자부품과 실장기판을 배치하고, 전자부품의 접속전극을 실장기판의 패턴화 도체부에 전기적으로 접속하고 또한 기계적으로 접합하는 공정과,
전자부품 및 실장기판을 덮도록 수지필름을 배치하는 공정과,
실장기판에 형성된 구멍을 통하여, 실장기판의 전자부품과는 반대측에서 전자부품측의 기체를 흡인함으로써, 수지필름이 전자부품의 실장기판과는 반대측의 면과 전자부품의 주변 부분에 있어서의 실장기판의 한쪽 면에 밀착하여 전자부품 및 실장기판을 덮도록, 수지필름의 형상을 변화시키는 공정과,
수지필름을 가열하여, 수지필름이 유동성을 가지도록 한 후에 수지필름을 경화시킴으로써, 수지필름을 실장기판에 접착하는 공정을 구비한 것이다.
본 발명의 전자장치의 제조방법에서는, 수지필름은, 전자부품의 실장기판과 는 반대측의 면과 전자부품의 주변 부분에 있어서의 실장기판의 한쪽 면에 밀착하도록 전자부품 및 실장기판을 덮고, 실장기판에 접착된다. 그리고, 이 수지필름에 의해서, 전자부품의 접속전극과 실장기판의 패턴화 도체부와의 기계적인 접합이 보강된다.
본 발명의 전자장치의 제조방법에 있어서, 수지필름은 전자부품을 밀봉하여도 좋다. 또, 본 발명의 전자장치의 제조방법에 있어서, 전자부품의 한쪽 면과 실장기판의 한쪽 면과의 사이에는 공간이 형성되어도 좋다.
또, 본 발명의 전자장치의 제조방법에 있어서, 수지필름의 형상을 변화시키는 공정은, 수지필름을 연화시킨 상태에서, 수지필름의 형상을 변화시켜도 좋다.
또, 본 발명의 전자장치의 제조방법에 있어서, 실장기판에 형성된 구멍은, 실장기판에 있어서 전자부품이 배치되는 영역의 중앙부에 배치되어 있어도 좋다. 이 경우에는, 전자장치의 제조방법은, 또한, 수지필름을 접착하는 공정의 후에, 구멍을 막는 공정을 구비하고 있어도 좋다,
또, 본 발명의 전자장치의 제조방법에 있어서, 실장기판에 형성된 구멍은, 실장기판에 있어서 전자부품이 배치되는 영역의 주변부에 배치되고, 이 구멍은, 수지필름을 접착하는 공정에서 수지필름에 의해 막혀도 좋다.
또, 본 발명의 전자장치의 제조방법에 있어서, 실장기판에 형성된 구멍은, 실장기판의 한쪽 면에 배치된 패턴화 도체부와 실장기판에 설치된 다른 도체부를 전기적으로 접속하기 위한 스루홀이라도 좋다.
또, 본 발명의 전자장치의 제조방법은, 또한, 미리, 수지필름을 접착하는 공 정에 있어서의 처리의 조건과 수지필름을 접착하는 공정의 전후에 있어서의 전자부품의 특성의 변화와의 관계를 구하는 공정을 구비하고, 수지필름을 접착하는 공정은, 전자부품에 있어서 소망하는 특성을 얻을 수 있도록, 상기의 관계에 의거하여, 처리의 조건을 제어하여도 좋다. 이 경우, 처리의 조건은, 수지필름의 가열시에 있어서의 수지필름의 온도와, 수지필름의 가열시간의 적어도 한쪽을 포함하고 있어도 좋다. 또, 수지필름은 경화 촉진제를 포함하고, 처리의 조건은, 수지필름에 있어서의 경화 촉진제의 함유량을 포함하고 있어도 좋다.
본 발명의 전자장치는,
한쪽면에 있어서 노출하는 패턴화 도체부를 가지는 실장기판과,
한쪽면에 있어서 접속전극을 가지고, 이 접속전극을 가지는 면이 실장기판의 한쪽면에 대향하도록 배치되고, 접속전극이 실장기판의 패턴화 도체부에 전기적으로 접속되고 또한 기계적으로 접합된 전자부품과,
전자부품의 실장기판과는 반대측의 면과 전자부품의 주변부분에 있어서의 실장기판의 한쪽면에 밀착하도록 전자부품 및 실장기판을 덮고, 가열에 의한 유동화 및 경화를 거쳐서 실장기판에 접착된 수지필름을 구비하고,
실장기판이, 실장기판의 전자부품과는 반대측에서 전자부품측의 기체를 흡인함으로써 수지필름의 형상을 결정하기 위해서 사용되는 구멍을 가지는 것이다.
본 발명의 전자장치에서는, 수지필름은, 전자부품의 실장기판과는 반대측의 면과 전자부품의 주변부분에 있어서의 실장기판의 한쪽 면에 밀착하도록 전자부품 및 실장기판을 덮고, 실장기판에 접착된다. 그리고, 이 수지필름에 의해서, 전자 부품의 접속전극과 실장기판의 패턴화 도체부와의 기계적인 접합이 보강된다.
본 발명의 전자장치에 있어서, 수지필름은 전자부품을 밀봉하여도 좋다. 또, 본 발명의 전자장치에 있어서, 전자부품의 한쪽 면과 실장기판의 한쪽 면 사이에는 공간이 형성되어 있어도 좋다.
또, 본 발명의 전자장치에 있어서, 실장기판의 구멍은, 실장기판에 있어서 전자부품이 배치되는 영역의 중앙부에 배치되어 있어도 좋다. 이 경우에는, 전자장치는, 또한, 실장기판의 구멍을 막는 마개부재를 구비하고 있어도 좋다.
또, 본 발명의 전자장치에 있어서, 실장기판의 구멍은, 실장기판에 있어서 전자부품이 배치되는 영역의 주변부에 배치되고, 이 구멍은, 수지필름에 의해서 막혀 있어도 좋다.
또, 본 발명의 전자장치에 있어서, 실장기판에 형성된 구멍은, 실장기판의 한쪽면에 배치된 패턴화 도체부와 실장기판에 설치된 다른 도체부를 전기적으로 접속하기 위한 스루홀이라도 좋다.
본 발명의 그 외의 목적, 특징 및 이익은, 이하의 설명으로써 충분히 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1의 실시형태에 관한 전자장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1의 실시형태에 있어서 사용되는 수지필름의 특성의 일례를 개념적으로 나타내는 설명도이다.
도 3은 본 발명의 제 1의 실시형태와의 비교를 위해 종래의 접합방법의 일례 를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제 1의 실시형태와의 비교를 위해 종래의 접합방법의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 1의 실시형태와의 비교를 위해 종래의 접합방법의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제 1의 실시형태에 있어서의 접합방법의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 7는 본 발명의 제 1의 실시형태에 있어서의 접합방법의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제 1의 실시형태에 있어서의 접합방법의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제 1의 실시형태에 있어서의 전자부품으로서 탄성 표면파 소자의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 10은 본 발명의 제 1의 실시형태에 관한 전자장치의 제조방법에 있어서의 한 공정을 나타내는 설명도이다.
도 11은 도 10에 도시한 공정에 이어지는 공정을 나타내는 설명도이다.
도 12는 도 11에 도시한 공정에 이어지는 공정을 나타내는 설명도이다.
도 13은 도 12에 도시한 공정에 이어지는 공정을 나타내는 설명도이다.
도 14는 도 13에 도시한 절단공정 전에 있어서의 실장기판, 전자부품 및 수지필름을 나타내는 평면도이다.
도 15는 흡인용의 구멍으로서 스루홀을 이용한 경우에 있어서의 본 발명의 제 1의 실시형태에 관한 전자장치를 나타내는 단면도이다.
도 16은 본 발명의 제 2의 실시형태에 관한 전자장치의 제조방법에 있어서의 한 공정을 나타내는 설명도이다.
도 17는 도 16에 도시한 공정에 이어지는 공정을 나타내는 설명도이다.
도 18은 도 17에 도시한 공정에 이어지는 공정을 나타내는 설명도이다.
도 19는 도 18에 도시한 공정에 이어지는 공정을 나타내는 설명도이다.
도 20은 흡인용의 구멍으로서 스루홀을 이용한 경우에 있어서의 본 발명의 제 2의 실시형태에 관한 전자장치를 나타내는 단면도이다.
도 21은 본 발명의 제 3의 실시형태에 있어서의 밴드패스 필터의 전송 특성의 일례를 나타내는 특성도이다.
도 22는 본 발명의 제 3의 실시형태에 있어서의 밴드패스 필터의 전송 특성의 다른 예를 나타내는 특성도이다.
도 23은 본 발명의 제 3의 실시형태에 있어서의 가열처리의 회수와 중심 주파수의 변화량과 S21 파라미터의 변화량과의 관계를 나타내는 특성도이다.
도 24는 본 발명의 제 3의 실시형태에 있어서의 경화 촉진제의 함유량과 중심 주파수의 변화량과의 관계를 나타내는 특성도이다.
도 25는 본 발명의 제 3의 실시형태에 있어서의 경화 촉진제의 함유량 및 수지필름의 가열온도와 중심 주파수의 변화량과의 관계를 나타내는 특성도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 관하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
[제 1의 실시형태]
우선, 도 1를 참조하여, 본 발명의 제 1의 실시형태에 관한 전자장치의 구성에 관하여 설명한다. 본 실시형태에 관한 전자장치(10)는, 한쪽의 면(11a)에서 노출하고, 소정의 형상으로 패턴화된 패턴화 도체부(12)를 가지는 실장기판(11)과, 한쪽의 면(13a)에서 접속전극(14)을 가지고, 이 접속전극(14)을 가지는 면(13a)이 실장기판(11)의 한쪽의 면(11a)에 대향하도록 배치되고, 접속전극(14)이 실장기판(11)의 패턴화 도체부(12)에 전기적으로 접속되고 또한 기계적으로 접합된 전자부품(13)과, 전자부품(13)의 실장기판(11)과는 반대측의 면(13b)과 전자부품(13)의 주변의 부분에 있어서의 실장기판(11)의 한쪽의 면 (11a)에 밀착하도록 전자부품(13) 및 실장기판(11)을 덮고, 실장기판(11)에 접착된 수지필름(15)을 구비하고 있다.
실장기판(11)은, 유리, 수지 또는 세라믹 등으로 형성되어 있다. 전자부품(13)은, 예를 들면 탄성 표면파 소자, 진동자, 고주파 회로부품 등인데, 그 외의 전자부품이라도 좋다. 전자부품(13)은, 상술과 같이, 접속전극(14)을 가지는 면(13a)이 실장기판(11)을 향하도록 배치되는 페이스다운 본딩에 의해서, 실장기판(11)에 실장되어 있다. 전자부품(13)의 한쪽의 면(13a)과 실장기판(11)의 한쪽의 면(11a)의 사이에는 공간(16)이 형성되어 있다.
전자부품(13)의 실장기판(11)과는 반대측의 면(13b)은, 수지필름(15)에 의해 서 간격없이 덮여져 있다. 실장기판(11)의 한쪽의 면(11a) 중, 전자부품(13)의 주변부분도, 간격없이 수지필름(15)에 의해서 덮여져 있다. 또, 수지필름(15)은, 전자부품(13)의 접속전극(14)과 실장기판(11)의 패턴화 도체부(12)와의 전기적 접속부분을 포함하여, 전자부품(13)의 전체를 밀봉하고 있다.
수지필름(15)은, 예를 들면, 에폭시수지 등의 열경화성의 수지에 의해서 형성되어 있다. 수지필름(15)의 두께는, 예를 들면 50∼150㎛이다.
다음에, 본 실시형태에 관한 전자장치(10)의 제조방법의 개략에 관하여 설명한다. 이 전자장치(10)의 제조방법은, 전자부품(13)의 한쪽의 면(13a)이 실장기판(11)의 한쪽의 면(11a)에 대향하도록, 전자부품(13)과 실장기판(11)을 배치하고, 전자부품(13)의 접속전극(14)을 실장기판(11)의 패턴화 도체부(12)에 전기적으로 접속하고 또한 기계적으로 접합하는 공정과, 전자부품(13)의 실장기판(11)과는 반대측의 면(13b)과 전자부품(13)의 주변부분에 있어서의 실장기판(11)의 한쪽의 면(11a)에 밀착하여 전자부품(13) 및 실장기판(11)을 덮도록 수지필름(15)을 배치하고, 수지필름(15)을 실장기판(11)에 접착하는 공정을 구비하고 있다.
다음에, 도 2를 참조하여, 본 실시형태에 있어서 사용되는 수지필름(15)의 특성의 일례를 개념적으로 설명한다. 도 2에 있어서, 흰동그라미 및 실선은, 수지필름(15)의 온도와 임의의 방향에 관한 길이와의 대응관계를 나타내고 있다. 또, 도 2에 있어서, 검정 동그라미 및 파선은, 수지필름(15)의 특성과의 비교를 위해, BT(Bismaleimide triazine)수지와 같이 온도변화에 대하여 형상이 안정되어 있는 수지에 있어서의 온도와 임의의 방향에 관한 길이와의 대응관계를 나타내고 있다. 온도변화에 대해서 형상이 안정되어 있는 수지로는, 부호 110으로 표시한 바와 같이, 온도변화에 대해서 거의 직선적으로 길이가 변화한다.
수지필름(15)은, 그 온도가 상온(실온)RT일 때에는 필름형상을 유지하고 있다. 부호 101로 표시한 바와 같이, 수지필름(15)의 온도를 상온(RT)에서 유리 전이온도(TG)까지 올려가면, 수지필름(15)은 서서히 연화됨과 동시에, 온도변화에 대해서 거의 직선적으로 길이가 변화하도록 팽창한다. 부호 102로 표시한 바와 같이, 수지필름(15)의 온도를 유리 전이온도(TG)로부터 경화 개시온도(HT)까지 올려가면, 수지필름(15)은 유동성을 가지게 됨과 동시에, 급격하게 팽창한다. 부호 103으로 표시한 바와 같이, 수지필름(15)의 온도를 경화 개시온도(HT)이상으로 하면, 수지필름(15)은 경화하기 시작한다. 수지필름(15)의 경화가 종료되면, 부호 104로 표시한 바와 같이, 수지필름(15)은 수축한다. 이 때, 수지필름(15)에는 수축하는 방향의 힘(이하, 수축력이라고 한다.)이 생긴다. 수지필름(15)의 경화가 종료된 후는, 부호 105로 표시한 바와 같이, 수지필름(15)은, 온도를 올려도 재차, 연화하거나, 유동성을 가지거나 하는 일은 없고, 온도변화에 대하여 형상이 안정된다. 경화 개시온도(HT)는, 수지필름(15)의 특성에 따라 다르지만, 예를 들면 150∼200℃정도이고, 에폭시수지를 이용하여 형성된 수지필름(15)의 경우에는 150℃전후이다. 또, 수지필름(15)의 경화개시로부터 경화종료까지 요하는 시간도, 수지필름(15)의 특성에 따라 다르다.
또한, 도 2에 도시한 수지필름(15)의 특성은, 어디까지나 개념적인 것이다. 따라서, 예를 들면, 단위시간당의 온도 변화량이 변화하면 수지필름(15)의 특성도 변화한다.
본 실시형태에 관한 전자장치(10)의 제조방법에서는, 예를 들면, 수지필름(15)의 온도를 올려서 수지필름(15)을 연화시킨 상태에서, 수지필름(15)이 전자부품(13)의 실장기판(11)과는 반대측의 면(13b)과 전자부품(13)의 주변부분에 있어서의 실장기판(11)의 한쪽의 면(11a)에 균일하게 밀착하여 전자부품(13) 및 실장기판(11)을 덮도록, 수지필름(15)의 형상을 변화시킨다. 그 후, 다시 수지필름(15)의 온도를 올려서, 수지필름(15)이 유동성을 가지도록 한 후, 수지필름(15)을 경화시킴으로써, 수지필름(15)을 실장기판(11)에 접착함과 동시에, 수지필름(15)의 형상을 고정한다. 수지필름(15)이 경화할 때에는, 상술과 같이 수축력이 발생한다. 이 수지필름(15)의 수축력은, 전자부품(13)을 실장기판(11) 측으로 밀어붙이도록 작용한다. 이것에 의해, 전자부품(13)의 접속전극(14)과 실장기판(11)의 패턴화 도체부(12)의 기계적인 접합이 보다 확실하게 보강된다. 또, 수지필름(15)이 수축함으로써, 수지필름(15)은, 보다 긴밀하게 전자부품(13) 및 실장기판(11)에 밀착한다.
또한, 수지필름(15)이 상온에서도 충분한 유연성을 가지는 경우에는, 상온에서 수지필름(15)을 변형시켜서, 그 형상을 결정하고, 그 후, 수지필름(15)의 온도를 올려서 수지필름(15)을 경화시켜도 좋다.
또, 유리 전이온도이하의 온도에서 수지필름(15)을 연화시킨 상태에서, 수지필름(15)의 형상을 결정하고, 그 후, 유리 전이온도이하의 온도에서 비교적 긴 시간에 걸쳐서 수지필름(15)을 경화시켜도 좋다.
또, 수지필름(15)이 자외선에 의해서 연화하는 수지에 의해 형성되어 있는 경우에는, 수지필름(15)의 온도를 올려서 수지필름(15)을 연화시키는 대신, 수지필름(15)에 자외선을 조사하여 수지필름(15)을 연화시켜도 좋다. 또는, 수지필름(15)의 온도를 올림과 동시에 수지필름(15)에 자외선을 조사하여 수지필름(15)을 연화시켜도 좋다.
또, 수지필름(15)이 자외선에 의해서 경화하는 수지에 의해서 형성되어 있는 경우에는, 수지필름(15)의 온도를 올려서 수지필름(15)을 경화시키는 대신에, 수지필름(15)에 자외선을 조사하여 수지필름(15)을 경화시켜도 좋다. 또는, 수지필름(15)의 온도를 올림과 동시에 수지필름(15)에 자외선을 조사하여 수지필름(15)을 경화시켜도 좋다.
그런데, 본 실시형태에 있어서, 전자부품(13)의 접속전극(14)과 실장기판(11)의 패턴화 도체부(12)와의 전기적 접속 및 기계적 접합의 방법으로서는, 각종의 방법을 이용할 수가 있다. 이하, 전자부품(13)의 접속전극(14)과 실장기판(11)의 패턴화 도체부(12)와의 전기적 접속 및 기계적 접합의 방법(이하, 간단히 접합방법이라고 한다.)의 몇가지 예에 관하여 설명한다.
우선, 도 3 내지 도 5를 참조하여, 본 실시형태와의 비교를 위해서, 종래의 접합방법의 예에 관하여 설명한다. 또한, 도 3 내지 도 5에서는, 전자부품(13)의 접속전극(14)과 실장기판(11)의 패턴화 도체부(12)와의 전기적 접속 및 기계적 접합의 부분을, 다른 부분에 비하여 크게 그리고 있다.
도 3에 도시한 예에서는, 전자부품(13)의 접속전극(14)으로서, 전자부품(13) 의 패턴화 도체부(17)에 접속된, 예를 들면 철로 이루어지는 범프(14A)가 설치되어 있다. 한편, 실장기판(11)측에는, 패턴화 도체부(12)의 일부를 이루는, 예를 들면 철로 이루어지는 접속부(12A)가 설치되어 있다. 이 예에서는, 범프(14A)와 접속부(12A)는 금속 접합되고, 이것에 의해, 범프(14A)와 접속부(12A)는 전기적으로 접속됨과 동시에 기계적으로 접합된다.
도 4에 도시한 예에서는, 전자부품(13)의 접속전극(14)으로서, 전자부품(13)의 패턴화 도체부(17)에 접속된, 예를 들면 철로 이루어지는 범프(14B)가 설치되어 있다. 한편, 실장기판(11)측에는, 패턴화 도체부(12)의 일부를 이루는, 예를 들면 철로 이루어지는 접속부(12A)가 설치되어 있다. 이 예에서는, 범프(14B)와 접속부(12A)는, 도전성 페이스트(18)에 의해서 전기적으로 접속된다. 그 후, 전자부품(13)과 실장기판(11) 사이에는 언더필재(19)가 충전되고, 이 언더필재(19)의 수축력에 의해서, 범프(14B), 도전성 페이스트(18) 및 접속부(12A)의 기계적 접합이 안정적으로 확보된다.
도 5에 도시한 예에서는, 전자부품(13)의 접속전극(14)으로서, 전자부품(13)의 패턴화 도체부(17)에 접속된, 예를 들면 철로 이루어지는 범프(14A)가 설치되어 있다. 한편, 실장기판(11)측에는, 패턴화 도체부(12)의 일부를 이루는, 예를 들면 철로 이루어지는 접속부(12A)가 설치되어 있다. 이 예에서는, 범프(14A)와 접속부(12A)는 서로 접하도록 배치되고, 이것에 의해, 범프(14A)와 접속부(12A)는 전기적으로 접속된다. 범프(14A) 및 접속부(12A)의 주위에 있어서의 전자부품(13)과 실장기판(11) 사이에는, 비도전성 또는 이방성 도전성의 접합용 페이스트(20)가 주입된다. 그리고, 이 접합용 페이스트(20)의 수축력에 의해서, 범프(14A)와 접속부(12A)의 기계적 접합이 안정적으로 확보된다.
다음에, 도 6 내지 도 8를 참조하여, 본 실시형태에 있어서의 접합방법의 예에 관하여 설명한다. 또한, 도 6 내지 도 8에서는, 전자부품(13)의 접속전극(14)과 실장기판(11)의 패턴화 도체부(12)의 전기적 접속 및 기계적 접합의 부분을, 다른 부분에 비하여 크게 그리고 있다.
도 6에 도시한 예에서는, 도 3에 도시한 예와 마찬가지로, 전자부품(13)의 접속전극(14)으로서, 전자부품(13)의 패턴화 도체부(17)에 접속된, 예를 들면 철로 이루어지는 범프(14A)가 설치되어 있다. 한편, 실장기판(11)측에는, 패턴화 도체부(12)의 일부를 이루는, 예를 들면 철로 이루어지는 접속부(12A)가 설치되어 있다. 범프(14A)와 접속부(12A)는 금속 접합되고, 이것에 의해, 범프(14A)와 접속부(12A)는 전기적으로 접속됨과 동시에 기계적으로 접합된다. 이 예에서는, 또한, 본 실시형태에 있어서의 수지필름(15)이 설치되어 있다. 그리고, 이 수지필름(15)의 수축력에 의해서, 범프(14A)와 접속부(12A)의 기계적인 접합이 보강된다.
도 7에 도시한 예에서는, 도 4에 도시한 예와 마찬가지로, 전자부품(13)의 접속전극(14)으로서, 전자부품(13)의 패턴화 도체부(17)에 접속된, 예를 들면 철로 이루어지는 범프(14B)가 설치되어 있다. 한편, 실장기판(11)측에는, 패턴화 도체부(12)의 일부를 이루는, 예를 들면 철로 이루어지는 접속부(12A)가 설치되어 있다. 범프(14B)와 접속부(12A)는, 도전성 페이스트(18)에 의해서 전기적으로 접속된다. 이 예에서는, 또한, 본 실시형태에 있어서의 수지필름(15)이 설치되어 있 다. 그리고, 언더필재(19)를 이용하지않고, 수지필름(15)의 수축력에 의해서, 범프(14B), 도전성 페이스트(18) 및 접속부(12A)의 기계적 접합이 안정적으로 확보된다.
도 8에 도시한 예에서는, 도 5에 도시한 예와 마찬가지로, 전자부품(13)의 접속전극(14)으로서, 전자부품(13)의 패턴화 도체부(17)에 접속된, 예를 들면 철로 이루어지는 범프(14A)가 설치되어 있다. 한편, 실장기판(11)측에는, 패턴화 도체부(12)의 일부를 이루는, 예를 들면 철로 이루어지는 접속부(12A)가 설치되어 있다. 범프(14A)와 접속부(12A)는 서로 접하도록 배치되고, 이것에 의해, 범프(14A)와 접속부(12A)는 전기적으로 접속된다. 범프(14A) 및 접속부(12A)의 주위에 있어서의 전자부품(13)과 실장기판(11)의 사이에는, 비도전성 또는 이방성 도전성의 접합용 페이스트(20)가 주입된다. 그리고, 이 접합용 페이스트(20)의 수축력에 의해서, 범프(14A)와 접속부(12A)의 기계적 접합이 안정적으로 확보된다. 이 예에서는, 또한, 본 실시형태에 있어서의 수지필름(15)이 설치되어 있다. 그리고, 이 수지필름(15)의 수축력에 의해서, 범프(14A)와 접속부(12A)의 기계적인 접합이 보강된다.
또한, 본 실시형태에 있어서의 접합방법은, 도 6 내지 도 8에 도시한 것에 한정되지 않고, 페이스다운 본딩에 있어서의 종래의 접합방법을 대부분 이용할 수가 있다.
다음에, 도 9를 참조하여, 전자부품(13)으로서의 탄성 표면파 소자(13A)의 일례에 관하여 설명한다. 도 9에 도시한 탄성 표면파 소자(13A)는, 압전기판(21) 과, 이 압전기판(21)의 한쪽의 면에 형성된 빗살형 전극(22) 및 패턴화 도체부(23)와, 패턴화 도체부(23)의 단부에 형성된 접속전극(24)을 가지고 있다. 접속전극(24)은, 도 1 등에 있어서의 접속전극(14)에 대응한다. 탄성 표면파 소자(13A)는, 빗살형 전극(22)에 의해서 발생되는 탄성 표면파를 기본동작으로 사용하는 소자이고, 본 실시형태에서는 밴드패스 필터로서의 기능을 가진다.
도 9에 있어서, 기호"IN"을 붙인 접속전극(24)은 입력단자이고, 기호 "OUT"를 붙인 접속전극(24)은 출력단자이고, 기호 "GND"를 붙인 접속전극(24)은 접지단자이다. 또, 도 9에 있어서, 부호 25로 나타내는 파선으로 둘러싸인 영역은, 탄성 표면파 전반영역을 포함하여, 그 내측에 밀봉재 등이 들어가지않도록 할 필요가 있는 영역이다.
다음에, 도 10 내지 도 14를 참조하여, 본 실시형태에 관한 전자장치(10)의 제조방법에 관하여 상세하게 설명한다. 본 실시형태에서는, 전자장치(10)를 1개씩 제조하여도 좋고, 복수의 전자장치(10)를 동시에 제조하여도 좋다. 이하에서는, 복수의 전자장치(10)를 동시에 제조하는 경우에 관하여 설명한다.
본 실시형태에 관한 전자장치의 제조방법에서는, 우선, 도 10에 도시한 바와 같이, 전자부품(13)의 한쪽의 면(13a)이 실장기판(11)의 한쪽의 면(11a)에 대향하도록, 실장기판(11)의 위에 전자부품(13)을 배치하고, 전자부품(13)의 접속전극(14)을 실장기판(11)의 패턴화 도체부(12)에 전기적으로 접속하고 또한 기계적으로 접합한다. 다음에, 실장기판(11)의 한쪽의 면(11a)의 형상과 거의 동일한 평면형상으로 형성된 수지필름(15)을, 전자부품(13) 및 실장기판(11)을 덮도록 배치한다.
또한, 도 10에 있어서의 실장기판(11)은, 복수의 전자부품(13)에 대응하는 부분을 포함한 것이다. 그리고, 이 실장기판(11) 위에는, 복수의 전자부품(13)이 배치된다. 또, 본 실시형태에서는, 실장기판(11)에는, 각 전자부품(13)이 배치되는 영역의 중앙부에 있어서, 구멍(31)이 형성되어 있다.
다음에, 도 11에 도시한 바와 같이, 수지필름(15)을 가열하여 수지필름(15)을 연화시킨 상태에서, 실장기판(11)의 구멍(31)을 통하여, 실장기판(11)의 전자부품(13)과는 반대측에서 전자부품(13)측의 기체를 흡인한다. 여기서 말하는 기체는, 처리를 행할 때의 분위기에 따라서 다른데, 공기, 질소가스, 불활성가스 등이다. 이것에 의해, 수지필름(15)이 전자부품(13)의 실장기판(11)과는 반대측의 면(13b)과 전자부품(13)의 주변부분에 있어서의 실장기판(11)의 한쪽의 면(11a)에 균일하게 밀착하여 전자부품(13) 및 실장기판(11)을 덮도록, 수지필름(15)의 형상을 변화시킨다. 이 때의 수지필름(15)의 온도는, 수지필름(15)이 경화하는 온도보다도 낮아지도록 한다. 이와 같이, 실장기판(11)의 구멍(31)을 통하여, 실장기판(11)의 전자부품(13)과는 반대측에서 전자부품(13)측의 기체를 흡인하여 수지필름(15)의 형상을 변화시킴으로써, 수지필름(15)의 형상을 용이하게 결정할 수가 있다. 또, 수지필름(15)을 연화시킨 상태에서, 수지필름(15)의 형상을 변화시킴으로써, 수지필름(15)의 형상을 보다 용이하게 결정할 수 있다. 또한, 수지필름(15)이 상온에서도 충분한 유연성을 가지는 경우에는, 수지필름(15)을 가열하지 않고, 상술의 흡인만으로 수지필름(15)의 형상을 변화시켜도 좋다.
또한, 수지필름(15)이 자외선에 의해서 연화하는 수지에 의해 형성되어 있는 경우에는, 수지필름(15)의 온도를 올려서 수지필름(15)을 연화시키는 대신, 수지필름(15)에 자외선을 조사하여 수지필름(15)을 연화시켜도 좋다. 또는, 수지필름(15)의 온도를 올림과 동시에 수지필름(15)에 자외선을 조사하여 수지필름(15)을 연화시켜도 좋다.
본 실시형태에서는, 수지필름(15)을 가열하는 수단 및 실장기판(11)의 전자부품(13)과는 반대측에서 전자부품(13)측의 기체를 흡인하는 수단으로서, 감압가능한 가열로(32)를 이용하고 있다. 그러나, 가열하는 수단이나 기체를 흡인하는 수단으로서는 다른 수단을 이용하여도 좋다. 가열로(32)는, 실장기판(11)이 재치되는 히터(33)를 가지고 있다. 히터(33)는, 실장기판(11) 및 수지필름(15)을 가열한다. 히터(33)에는, 실장기판(11)의 구멍(31)에 연통하는 구멍(34)이 형성되어 있다. 가열로(32)내의 기체를 배출하여 가열로(32)내를 감압하면, 히터(33)의 구멍(34)과 실장기판(11)의 구멍(31)을 통하여, 실장기판(11)의 전자부품(13)과는 반대측에서 전자부품(13)측의 기체가 흡인된다.
다음에, 도 12에 도시한 바와 같이, 히터(33)에 의해서 실장기판(11) 및 수지필름(15)을 가열하여, 수지필름(15)의 온도를 수지필름(15)이 경화하는 온도 이상으로 한다. 이것에 의해, 수지필름(15)을, 유동성을 가지도록 한 후, 경화시켜서, 수지필름(15)을 실장기판(11)에 접착함과 동시에, 수지필름(15)의 형상을 고정한다.
또한, 수지필름(15)이 자외선에 의해서 경화하는 수지에 의해 형성되어 있는 경우에는, 수지필름(15)의 온도를 올려서 수지필름(15)을 경화시키는 대신, 수지필름(15)에 자외선을 조사하여 수지필름(15)을 경화시켜도 좋다. 또는, 수지필름(15)의 온도를 올림과 동시에 수지필름(15)에 자외선을 조사하여 수지필름(15)을 경화시켜도 좋다.
다음에, 도 13에 도시한 바와 같이, 필요에 따라서, 실장기판(11)의 구멍(31)을, 밀봉재 등으로 이루어지는 마개부재(35)에 의해 막는다. 다음에, 도 13에 있어서 부호 41로 나타낸 절단위치에서, 실장기판(11) 및 수지필름(15)을 절단하여, 개개의 전자장치(10)를 완성시킨다. 도 14는, 도 13에 도시한 절단공정 전에 있어서의 실장기판(11), 전자부품(13) 및 수지필름(15)을 도시하는 평면도이다. 전자장치(10)를 1개씩 제조하는 경우에 있어서의 제조방법은, 상술의 실장기판(11) 및 수지필름(15)을 절단하는 공정이 불필요하게 되는 것 이외는, 복수의 전자장치(10)를 동시에 제조하는 경우와 마찬가지이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 관한 전자장치(10) 및 그 제조방법에서는, 수지필름(15)이, 전자부품(13)의 실장기판(11)과는 반대측의 면(13b)과 전자부품(13)의 주변의 부분에 있어서의 실장기판(11)의 한쪽의 면(11a)에 밀착하도록 전자부품(13) 및 실장기판(11)을 덮고, 실장기판(11)에 접착된다. 그리고, 이 수지필름(15)에 의해서, 전자부품(13)의 접속전극(14)과 실장기판(11)의 패턴화 도체부(12)와의 기계적인 접합이 보강된다. 또, 본 실시형태에서는, 전자부품(13)과 실장기판(11)과의 사이에 언더필재는 충전되지 않는다. 따라서, 본 실시형태에 의하면, 간단한 구성 및 간단한 공정으로, 전자부품(13)의 동작에 영향을 주는 일 없 이, 전자부품(13)의 접속전극(14)과 실장기판(11)의 패턴화 도체부(12)의 기계적인 접합의 강도나 접합의 안정성의 향상을 도모할 수가 있다.
또, 본 실시형태에서는, 실장기판(11)에 형성된 구멍(31)을 통하여, 실장기판(11)의 전자부품(13)과는 반대측에서 전자부품(13)측의 기체를 흡인함으로써, 수지필름(15)의 형상을 변화시키도록 하고 있다. 따라서, 본 실시형태에 의하면, 수지필름(15)의 형상을 용이하게 결정할 수가 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이 기체를 흡인함으로써 수지필름(15)을 전자부품(13)과 실장기판(11)에 밀착시키고, 수지필름(15)을 가열하여, 수지필름(15)이 유동성을 가지도록 한 후에 수지필름(15)을 경화시킴으로써, 수지필름(15)을 실장기판(11)에 접착한다. 그 때문에 본 실시형태에 의하면, 실장기판(11)에 대한 수지필름(15)의 접착시에, 수지필름(15)의 경화시의 수축력에 의해, 전자부품(13) 및 실장기판(11)에 대한 수지필름(15)의 밀착성이 향상한다. 따라서, 본 실시형태에 의하면, 전자부품(13)의 접속전극(14)과 실장기판(11)의 패턴화 도체부(12)와의 기계적인 접합의 강도나 접합의 안정성을 보다 확실하게 향상시킬 수가 있다.
또, 본 실시형태에 의하면, 수지필름(15)에 의해서 전자부품(13)이 밀봉되므로, 간단한 구성 및 간단한 공정으로, 전자부품(13)의 동작에 영향을 주지않고, 전자부품(13)을 밀봉할 수가 있다. 이것에 의해, 환경 등에 대한 전자장치(10)의 내성을 확보할 수 있다. 또한, 실장기판(11)의 구멍(31)이, 전자부품(13)이 배치되는 영역의 중앙부에 배치되어 있는 경우에도, 이 구멍(31)을 마개부재(35)에 의해 막음으로써, 확실하게 전자부품(13)의 밀봉상태를 유지할 수가 있다. 또, 구멍(31)이 전자부품(13)의 밀봉상태에 영향을 주지 않을 정도로 작은 경우에는, 구멍(31)을 막지않아도 좋다.
또, 본 실시형태에 의하면, 전자부품(13)의 한쪽의 면(13a)과 실장기판(11)의 한쪽의 면(11a) 사이에 공간(16)이 형성되어 있으므로, 전자부품(13)의 한쪽의 면(13a)이 다른 것에 접촉함으로써 전자부품(13)의 동작이 영향을 받는 것을 방지할 수가 있다. 이것은, 특히, 전자부품(13)이 탄성 표면파 소자나 진동자나 고주파 회로부품의 경우에 유효하다.
이러한 것에서, 본 실시형태에 의하면, 전자장치(10)의 신뢰성을 향상시킬 수가 있다. 또, 본 실시형태에 의하면, 수지필름(15)을 이용하여 전자부품(13)을 밀봉하므로, 캡과 같은 구조체를 이용하여 전자부품(13)의 밀봉을 행하는 경우에 비하여, 전자장치(10)의 소형화, 경량화, 박형화가 가능하게 된다. 또, 본 실시형태에 의하면, 수지필름(15)을 이용하여 전자부품(13)을 밀봉하므로, 저비용으로 상술의 각 효과를 얻을 수가 있다.
본 실시형태에 있어서, 실장기판(11)에 있어서의 구멍(31)은, 흡인용으로 특별히 설치한 것에 한정되지 않고, 스루홀 등의 기존의 구멍이라도 좋다. 도 15는, 구멍(31)으로서 스루홀을 이용한 경우에서의 본 실시형태에 관한 전자장치(10)를 나타내는 단면도이다. 도 15에 도시한 전자장치(10)에서는, 구멍(31)으로서의 스루홀은, 실장기판(11)의 한쪽의 면(11a)에 배치된 패턴화 도체부(12)와 실장기판(11)의 다른쪽 면에 배치된 도체부(39)를 전기적으로 접속한다. 구멍(31) 으로서 스루홀을 이용한 경우에는, 실장기판(11)에 흡인용의 구멍을 특별히 설치할 필요가 없어진다.
[제2의 실시형태]
다음에, 도 16 내지 도 20를 참조하여, 본 발명의 제 2의 실시형태에 관한 전자장치의 제조방법에 관하여 설명한다. 제 1의 실시형태와 같이, 본 실시형태에서도, 전자장치(10)를 1개씩 제조하여도 좋고, 복수의 전자장치(10)를 동시에 제조하여도 좋다. 이하에서는, 복수의 전자장치(10)를 동시에 제조하는 경우에 관하여 설명한다.
본 실시형태에 관한 전자장치의 제조방법에서는, 우선, 도 16에 도시한 바와 같이, 전자부품(13)의 한쪽의 면(13a)이 실장기판(11)의 한쪽의 면(11a)에 대향하도록, 실장기판(11)의 위에 전자부품(13)을 배치하고, 전자부품(13)의 접속전극(14)을 실장기판(11)의 패턴화 도체부(12)에 전기적으로 접속하고 또한 기계적으로 접합한다. 다음에, 실장기판(11)의 한쪽의 면(11a)의 형상과 거의 동일한 평면형상으로 형성된 수지필름(15)을, 전자부품(13) 및 실장기판(11)을 덮도록 배치한다.
또한, 도 16에 있어서의 실장기판(11)은, 복수의 전자부품(13)에 대응하는 부분을 포함한 것이다. 그리고, 이 실장기판(11) 위에는, 복수의 전자부품(13)이 배치된다. 또, 본 실시형태에서는, 실장기판(11)에는, 각 전자부품(13)이 배치되는 영역의 주변부에서, 복수의 구멍(31)이 형성되어 있다. 구멍(31)은, 예를 들면, 전자부품(13)을 중심으로 하여 서로 반대측의 2개소에 설치되어 있어도 좋고, 전자부품(13)의 4개의 측부의 외측의 4개소에 설치되어 있어도 좋다.
다음에, 도 17에 도시한 바와 같이, 수지필름(15)을 가열하여 수지필름(15)을 연화시킨 상태에서, 실장기판(11)의 구멍(31)을 통하여, 실장기판(11)의 전자부품(13)과는 반대측에서 전자부품(13)측의 기체를 흡인한다. 이것에 의해, 수지필름(15)이 전자부품(13)의 실장기판(11)과는 반대측의 면(13b)과 전자부품(13)의 주변부분에 있어서의 실장기판(11)의 한쪽의 면(11a)에 균일하게 밀착하여 전자부품(13) 및 실장기판(11)을 덮도록, 수지필름(15)의 형상을 변화시킨다. 이 때의 수지필름(15)의 온도는, 수지필름(15)이 경화하는 온도보다도 낮아지도록 한다. 또한, 수지필름(15)이 상온에서도 충분한 유연성을 가지는 경우에는, 수지필름(15)을 가열하지 않고, 상술의 흡인만으로 수지필름(15)의 형상을 변화시켜도 좋다.
본 실시형태에서는, 수지필름(15)을 가열하는 수단 및 실장기판(11)의 전자부품(13)과는 반대측에서 전자부품(13)측의 기체를 흡인하는 수단으로서, 제 1의 실시형태와 마찬가지로, 감압 가능한 가열로(32)를 이용하고 있다. 그러나, 가열하는 수단이나 기체를 흡인하는 수단으로서는 다른 수단을 이용하여도 좋다.
다음에, 도 18에 도시한 바와 같이, 가열로(32)의 히터(33)에 의해서 실장기판(11) 및 수지필름(15)을 가열하여, 수지필름(15)의 온도를 수지필름(15)이 경화하는 온도이상으로 한다. 이것에 의해, 수지필름(15)을, 유동성을 가지도록 한 후, 경화시켜서, 수지필름(15)을 실장기판(11)에 접착함과 동시에, 수지필름(15)의 형상을 고정한다.
다음에, 도 19에 도시한 바와 같이, 부호 41로 표시한 절단위치에서, 실장기판(11) 및 수지필름(15)을 절단하여, 개개의 전자장치(10)를 완성시킨다. 본 실시형태에서는, 실장기판(11)의 구멍(31)은, 수지필름(15)을 실장기판(11)에 접착하는 공정에서, 수지필름(15)에 의해서 막히므로, 제 1의 실시형태에 있어서의 마개부재(35)에 의해서 구멍(31)을 막지않아도, 확실하게 밀봉상태를 유지할 수가 있다.
또한, 도 19에서는, 개개의 전자장치(10)에 있어서의 실장기판(11)에 구멍(31)이 남도록, 실장기판(11) 및 수지필름(15)을 절단하고 있다. 그러나, 구멍(31)보다도 전자부품(13)에 가까운 위치에서 실장기판(11) 및 수지필름(15)을 절단하여, 개개의 전자장치(10)에 있어서의 실장기판(11)에 구멍(31)이 남지 않도록 하여도 좋다.
본 실시형태에 있어서, 실장기판(11)에 있어서의 구멍(31)은, 흡인용으로 특별히 설치한 것에 한정되지 않고, 스루홀 등의 기존의 구멍이라도 좋다. 도 20는, 구멍(31)으로서 스루홀을 이용한 경우에 있어서의 본 실시형태에 관한 전자장치(10)를 나타낸 단면도이다. 도 20에 도시한 전자장치(10)에서는, 구멍(31)으로서의 스루홀은, 실장기판(11)의 한쪽의 면(11a)에 배치된 패턴화 도체부(12)와 실장기판(11)의 다른쪽 면에 배치된 도체부(39)를 전기적으로 접속한다. 구멍(31)으로서 스루홀을 이용한 경우에는, 실장기판(11)에 흡인용의 구멍을 특별히 설치할 필요가 없어진다.
본 실시형태에 있어서의 그 밖의 구성, 작용 및 효과는, 제 1의 실시형태와 마찬가지이다.
[제 3의 실시형태]
다음에, 도 21 내지 도 25를 참조하여, 본 발명의 제 3의 실시형태에 관한 전자장치(10)의 제조방법에 관하여 설명한다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 전자장치의 구성은 제 1 또는 제 2의 실시형태와 마찬가지이다.
본 실시형태에 관한 전자장치(10)의 제조방법은, 미리, 수지필름(15)을 실장기판(11)에 접착하는 공정(이하, 접착공정이라고 한다.)에 있어서의 처리의 조건과, 접착공정의 전후에 있어서의 전자부품(13)의 특성 변화의 관계를 구하는 공정을 구비하고 있다. 본 실시형태에 있어서, 접착공정에서는, 전자부품(13)에 있어서 소망하는 특성을 얻을 수 있도록, 상기의 관계에 의거하여, 처리의 조건을 제어한다. 처리의 조건은, 수지필름(15)의 가열시에 있어서의 수지필름(15)의 온도와, 수지필름(15)의 가열시간의 적어도 한쪽을 포함하고 있어도 좋다. 또, 수지필름(15)은 경화 촉진제를 포함하고, 처리의 조건은, 경화 촉진제의 함유량을 포함하고 있어도 좋다. 본 실시형태에 관한 전자장치(10)의 제조방법에 있어서의 그 밖의 공정은, 제 1 또는 제 2의 실시형태와 마찬가지이다.
이하, 전자부품(13)이 탄성 표면파 소자이고, 전자장치(10)가 밴드패스 필터인 경우를 예로 들어, 본 실시형태에 관하여 상세하게 설명한다. 이 경우, 전자부품(13)으로서의 탄성 표면파 소자의 특성은, 전자장치(10)로서의 밴드패스 필터의 특성, 예를 들면 밴드패스 필터의 통과 대역의 중심 주파수나 삽입손실에 반영된다. 그래서, 이하의 설명에서는, 전자부품(13)의 특성으로서, 밴드패스 필터의 통 과대역의 중심 주파수 및 삽입손실을 이용한다.
본 예에서는, 실제로 제품으로서의 전자장치(10)를 제조하기 전에, 미리, 접착공정에 있어서의 처리의 조건과, 접착공정의 전후에 있어서의 전자부품(13)의 특성 변화의 관계를 구하여 둔다.
도 21는, 상기의 처리의 조건과 특성변화의 관계를 구하기 위해서 행한 측정 결과의 일례를 나타내는 특성도이다. 도 21는 접착공정의 전후에 있어서의 밴드패스 필터의 전송특성의 변화를 나타내고 있다. 도 21에 있어서, 횡축은 주파수를 나타내고, 종축은 필터의 감쇠량에 대응하는 S21 파라미터를 나타내고 있다. 도 21에 있어서, 실선은, 전자부품(13)의 밀봉전 즉 접착공정 전에 있어서의 전송특성을 나타내고 있다. 또, 점선은, 전자부품(13)의 밀봉 후 즉 접착공정 후에 있어서의 전송특성을 나타내고 있다. 또한, 이 예에서는, 수지필름(15)을 에폭시계 수지로 형성하고, 이 에폭시계 수지에 있어서의 경화 촉진제의 함유량을 0.1 중량%로 하고 있다. 또, 이 예에서는, 접착공정에 있어서의 수지필름(15)의 가열온도를 180℃로 하고, 가열시간을 1시간으로 하고 있다. 도 21에서, 접착공정의 전후에서, 밴드패스 필터의 통과대역의 중심 주파수가 변화하는 것을 알 수 있다.
도 22는, 접착공정에 있어서의 처리의 조건과 접착공정의 전후에 있어서의 전자부품(13)의 특성변화의 관계를 구하기 위해서 행한 측정결과의 다른 예를 나타내는 특성도이다. 도 22는 접착공정의 전후에 있어서의 밴드패스 필터의 전송특성의 변화를 나타내고 있다. 도 22에 있어서, 횡축은 주파수를 나타내고, 종축은 S21 파라미터를 나타내고 있다. 도 22는, S21 파라미터가 0.0∼-5. 0dB가 되는 주파수 영역에 있어서의 전송특성을 상세하게 나타내고 있다. 또, 이 예에서는, 접착공정을, 가열처리의 회수를 변경하여 4가지 실행하고, 각각에 관하여, 접착공정 후의 밴드패스 필터의 전송특성을 측정하고 있다. 또한, 1회의 가열 처리에서는, 수지필름(15)의 가열온도를 180℃로 하고, 가열시간을 1시간으로 하고 있다. 또, 이 예에서는, 수지필름(15)을 에폭시계 수지로 형성하고, 이 에폭시계 수지에 있어서의 경화 촉진제의 함유량을 0. 1중량%로 하고 있다. 도 22에 있어서, 실선은, 전자부품(13)의 밀봉전 즉 접착공정 전에 있어서의 전송특성을 나타내고 있다. 일점쇄선은, 가열처리가 1회인 경우의 접착공정 후의 전송특성을 나타내고 있다. 이점쇄선은, 가열처리가 2회인 경우의 접착공정 후의 전송특성을 나타내고 있다. 파선은, 가열처리가 3회인 경우의 접착공정 후의 전송특성을 나타내고 있다. 점선은, 가열처리가 4회인 경우의 접착공정 후의 전송특성을 나타내고 있다. 도 22에 도시한 예에서는, 접착공정에 있어서의 가열처리의 회수가 많아질수록, 접착공정의 전후에 있어서의 밴드패스 필터의 통과대역의 중심 주파수의 변화량이 커지고 있다.
본 예에서는, 도 22에 도시한 측정결과에서, 접착공정에 있어서의 가열처리의 회수와, 접착공정의 전후에 있어서의 밴드패스 필터의 통과대역의 중심 주파수(f0)의 변화량과, 접착공정의 전후에 있어서의 밴드패스 필터의 S21 파라미터의 변화량과의 관계를 구하였다. 도 23는, 이들의 관계를 나타내는 특성도이다. 도 23에 있어서, 횡축은 중심 주파수(f0)의 변화량을 나타내고, 종축은 S21 파라미터 의 변화량을 나타내고 있다. 또, 도 23에 있어서, 부호 H0을 붙인 점은, 도 23에 있어서의 원점, 즉 전자부품(13)의 밀봉전에 있어서의 중심 주파수(f0) 및 S21 파라미터에 대응한 점으로 되어 있다. 부호 H1을 붙인 점은, 가열처리가 1회인 경우의 접착공정의 전후에 있어서의 중심 주파수(f0)의 변화량 및 S21 파라미터의 변화량을 나타내고 있다. 부호 H2를 붙인 점은, 가열처리가 2회인 경우의 접착공정의 전후에 있어서의 중심 주파수(f0)의 변화량 및 S21 파라미터의 변화량을 나타내고 있다. 부호 H3을 붙인 점은, 가열처리가 3회인 경우의 접착공정의 전후에 있어서의 중심 주파수(f0)의 변화량 및 S21 파라미터의 변화량을 나타내고 있다. 부호 H4를 붙인 점은, 가열처리가 4회인 경우의 접착공정의 전후에 있어서의 중심 주파수(f0)의 변화량 및 S21 파라미터의 변화량을 나타내고 있다. 또한, 여기서는, S21 파라미터가 최소 삽입 손실일 때의 값보다도 3dB의 저하가 되는 2개의 주파수 사이의 주파수 대역을 통과대역으로 하고, 이 통과대역의 중심의 주파수를 중심 주파수로 하고 있다.
도 23로부터, 접착공정에 있어서의 가열처리의 회수가 많아질수록, 즉 가열시간이 길어질수록, 접착공정의 전후에 있어서의 중심 주파수(f0)의 변화량 및 S21 파라미터의 변화량이 동시에 커지는 것을 알 수 있다. 도 23에 도시한 예에서는, 접착공정에 있어서의 가열처리의 회수가 1회 증가할 때마다, 중심 주파수(f0)가 약 2MHz씩 벗어나 있다.
도 23는, 접착공정에 있어서의 처리의 조건으로서의 수지필름(15)의 가열 처리의 회수와, 접착공정의 전후에 있어서의 전자부품(13)의 특성변화로서의 중심 주파수(f0)의 변화량 및 S21 파라미터의 변화량과의 관계를 나타내고 있다.
도 24는, 접착공정에 있어서의 처리의 조건과 접착공정의 전후에 있어서의 전자부품(13)의 특성변화의 관계를 구하기 위해서 행한 측정결과의 또 다른 예를 나타내는 특성도이다. 이 측정에서는, 에폭시계 수지로 형성된 수지필름(15)에 있어서의 경화 촉진제의 함유량과, 접착공정의 전후에 있어서의 중심 주파수(f0)의 변화량과의 관계를 구하고 있다. 또한, 이 측정에서는, 접착공정에 있어서의 수지필름(15)의 가열온도를 150℃로 하고, 가열시간을 1시간으로 하고 있다. 도 24에 있어서, 횡축은 경화 촉진제의 함유량을 나타내고, 종축은 중심 주파수(f0)의 변화량을 나타내고 있다. 도 24에 있어서, 복수의 검정 동그라미는 실제의 측정결과를 나타내고 있다. 또, 실선은, 측정결과로부터 최소 제곱법에 의해서 구한, 경화 촉진제의 함유량과 중심 주파수(f0)의 변화량과의 관계를 나타내고 있다. 도 24로부터, 경화 촉진제의 함유량에 의해서, 중심 주파수(f0)의 변화량이 변하는 것을 알 수 있다. 이와 같이, 도 24는, 접착공정에 있어서의 처리 조건으로서의 경화 촉진제의 함유량과, 접착공정의 전후에 있어서의 전자부품(13)의 특성 변화로서의 중심 주파수(f0)의 변화량의 관계를 나타내고 있다.
도 25는, 접착공정에 있어서의 처리의 조건과 접착공정의 전후에 있어서의 전자부품(13)의 특성변화의 관계를 구하기 위해서 행한 측정결과의 또 다른 예를 나타내는 특성도이다. 이 측정에서는, 접착공정에 있어서의 수지필름(15)의 가열온도를 150℃로 한 경우와 180℃로 한 경우에 관해서 각각, 에폭시계 수지로 형성된 수지필름(15)에 있어서의 경화 촉진제의 함유량과, 접착공정의 전후에 있어서의 중심 주파수(f0)의 변화량과의 관계를 구하고 있다. 이 측정에 있어서의 그 밖의 조건은, 도 24에 결과를 나타낸 측정의 경우와 마찬가지이다. 또한, 도 25에는, 측정결과로부터 최소 제곱법에 의해서 구한, 경화 촉진제의 함유량과 중심 주파수(f0)의 변화량과의 관계를 나타내는 곡선만을 나타내고 있다. 도 25로부터, 경화 촉진제의 함유량 및 접착공정에 있어서의 수지필름(15)의 가열온도에 의해서, 중심 주파수(f0)의 변화량이 변화하는 것을 알 수 있다. 이와 같이, 도 25는, 접착공정에 있어서의 처리 조건으로서의 경화 촉진제의 함유량 및 수지필름(15)의 가열온도와, 접착공정의 전후에 있어서의 전자부품(13)의 특성변화로서의 중심 주파수(f0)의 변화량과의 관계를 나타내고 있다.
본 실시형태에서는, 이상과 같이 하여 구해진 관계에 의거하여, 접착공정에 있어서의 처리조건을 제어하여, 전자부품(13)에 있어서 소망하는 특성을 얻을 수 있도록 전자장치(10)를 제조한다. 본 실시형태에 있어서, 전자부품(13)에 있어서 소망하는 특성을 얻을 수 있도록 전자장치(10)를 제조하는 방법에는, 구체적으로는 다음의 2가지의 방법이 있다.
제 1의 방법은, 접착공정에 있어서의 처리조건을 제어함으로써 전자부품(13) 의 특성을 보정하여 전자장치(10)를 제조하는 방법이다. 이 방법은, 예를 들면 이하의 순서에 의해서 실현된다. 우선, 실장기판(11)에 실장하기 전의 상태에서, 전자부품(13)의 특성으로서 밴드패스 필터의 통과대역의 중심 주파수를 측정한다. 측정된 중심 주파수가 소망하는 주파수로부터 벗어나 있고, 또한 그 벗어남이, 접착공정에 있어서의 처리조건을 제어함으로써 보정할 수 있는 범위내인 경우에는, 접착공정에 있어서의 처리조건을 제어함으로써 중심 주파수의 어긋남을 보정한다. 이것에 의해, 밴드패스 필터의 통과대역의 중심 주파수를 소망하는 주파수에 접근시킬 수가 있다.
제 2의 방법은, 접착공정의 전후에 있어서의 전자부품(13)의 특성의 변화를 예상하여 전자부품(13)을 제작하고, 접착공정의 후에 전자부품(13)에 있어서 소망하는 특성을 얻을 수 있도록 전자장치(10)를 제조하는 방법이다. 이 방법은, 예를 들면 이하의 순서에 의해서 실현된다. 우선, 접착공정의 전후에서 중심 주파수의 변화량이 소정량이 되도록, 접착공정에 있어서의 처리조건을 결정한다. 다음에, 접착공정의 전후에 있어서의 중심 주파수의 변화를 예상하여, 접착공정의 후에 소망하는 중심 주파수를 얻을 수 있도록 전자부품(13)을 제작한다. 즉, 중심 주파수가 소망하는 주파수로부터 소정량만큼 벗어나도록 전자부품(13)을 제작한다. 그리고, 앞에 결정된 조건으로 접착공정을 실행함으로써, 중심 주파수를 소망하는 주파수에 접근시킨다.
또한, 상기 제 1의 방법과 제 2의 방법의 어느 경우에 있어서도, 도 23에 도 시한 바와 같이, 중심 주파수의 변화량이 커질수록, 삽입 손실이 커지는 것처럼 S21 파라미터의 변화량도 커지는 경우에는, S21 파라미터의 변화량이 소정량(예를 들면 0. 05dB)이하가 되는 범위내에서 처리조건을 제어하는 것이 바람직하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 수지필름(15)을 가열함으로써 수지필름(15)을 실장기판(11)에 접착하면서, 전자부품(13)에 있어서 소망하는 특성을 얻을 수 있다.
본 실시형태에 있어서의 그 밖의 구성, 작용 및 효과는, 제 1 또는 제 2의 실시형태와 마찬가지이다.
또한, 본 발명은 상기 각 실시형태에 한정되지않고, 각종 변경이 가능하다. 예를 들면, 본 발명에 있어서, 1개의 전자장치는 복수의 전자부품을 포함하고 있어도 좋다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 전자장치의 제조방법에서는, 전자부품 및 실장기판을 덮도록 수지필름을 배치하고, 실장기판에 형성된 구멍을 통하여, 실장기판의 전자부품과는 반대측에서 전자부품측의 기체를 흡인함으로써, 수지필름이 전자부품의 실장기판과는 반대측의 면과 전자부품의 주변부분에 있어서의 실장기판의 한쪽의 면에 밀착하여 전자부품 및 실장기판을 덮도록, 수지필름의 형상을 변화시킨다. 본 발명에서는, 또한, 수지필름을 가열하여, 수지필름이 유동성을 가지도록 한 후에 수지필름을 경화시킴으로써, 수지필름을 실장기판에 접착한다. 이 수지필름에 의해서, 전자부품의 접속전극과 실장기판의 패턴화 도체부와의 기계적인 접합이 보강된다. 따라서, 본 발명에 의하면, 간단한 공정으로, 전자부품의 동작에 영향을 주는 일 없이, 전자부품의 접속전극과 실장기판의 패턴화 도체부와의 기계적인 접합의 강도나 접합의 안정성의 향상을 도모할 수가 있다.
또, 본 발명의 전자장치의 제조방법에서는, 실장기판에 형성된 구멍을 통하여, 실장기판의 전자부품과는 반대측에서 전자부품측의 기체를 흡인함으로써, 수지필름의 형상을 변화시킨다. 따라서, 본 발명에 의하면, 수지필름의 형상을 용이하게 결정할 수가 있다.
또한, 본 발명의 전자장치의 제조방법에서는, 상술한 바와 같이 기체를 흡인함으로써 수지필름을 전자부품과 실장기판에 밀착시키고, 수지필름을 가열하여, 수지필름이 유동성을 가지도록 한 후에 수지필름을 경화시킴으로써, 수지필름을 실장기판에 접착한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 전자부품 및 실장기판에 대한 수지필름의 밀착성이 좋고, 그 결과, 전자부품의 접속전극과 실장기판의 패턴화 도체부와의 기계적인 접합의 강도나 접합의 안정성을 보다 확실하게 향상시킬 수가 있다.
또, 본 발명의 전자장치의 제조방법에 있어서, 수지필름에 의해서 전자부품이 밀봉되어도 좋다. 이 경우에는, 간단한 공정으로, 전자부품의 동작에 영향을 주는 일 없이, 전자부품을 밀봉할 수가 있다.
또, 본 발명의 전자장치의 제조방법에 있어서, 전자부품의 한쪽의 면과 실장기판의 한쪽의 면 사이에 공간이 형성되어도 좋다. 이 경우에는, 전자부품의 한쪽의 면이 다른 것에 접촉함으로써 전자부품의 동작이 영향을 받는 것을 방지할 수가 있다.
또, 본 발명의 전자장치의 제조방법에 있어서, 수지필름의 형상을 변화시키는 공정은, 수지필름을 연화시킨 상태에서, 수지필름의 형상을 변화시켜도 좋다. 이 경우에는, 수지필름의 형상을 보다 용이하게 결정할 수가 있다.
또, 본 발명의 전자장치의 제조방법에 있어서, 실장기판에 형성된 구멍은, 실장기판에 있어서 전자부품이 배치되는 영역의 중앙부에 배치되고, 수지필름을 접착하는 공정의 후에, 이 구멍이 막혀도 좋다. 이 경우에는, 수지필름에 의해서 전자부품을 밀봉하는 경우에도 확실하게 밀봉 상태를 유지할 수가 있다.
또, 본 발명의 전자장치의 제조방법에 있어서, 실장기판에 형성된 구멍은, 실장기판에 있어서 전자부품이 배치되는 영역의 주변부에 배치되고, 이 구멍은, 수지필름을 접착하는 공정에서 수지필름에 의해서 막혀도 좋다. 이 경우에는, 수지필름에 의해서 전자부품을 밀봉하는 경우에도 확실하게 밀봉상태를 유지할 수가 있다.
또, 본 발명의 전자장치의 제조방법에 있어서, 실장기판에 형성된 구멍은, 실장기판의 한쪽의 면에 배치된 패턴화 도체부와 실장기판에 설치된 다른 도체부를 전기적으로 접속하기 위한 스루홀이라도 좋다. 이 경우에는, 실장기판에 흡인용의 구멍을 특별하게 설치할 필요가 없어진다.
또, 본 발명의 전자장치의 제조방법은, 미리, 수지필름을 접착하는 공정에 있어서의 처리조건과 수지필름을 접착하는 공정의 전후에 있어서의 전자부품의 특성의 변화의 관계를 구하는 공정을 구비하고, 수지필름을 접착하는 공정은, 전자부품에 있어서 소망하는 특성을 얻을 수 있도록, 상기의 관계에 의거하여, 처리의 조 건을 제어하여도 좋다. 이 경우에는, 수지필름을 가열함으로써 수지필름을 실장기판에 접착하면서, 전자부품에 있어서 소망하는 특성을 얻을 수 있다.
또, 본 발명의 전자장치에서는, 수지필름은, 전자부품의 실장기판과는 반대측의 면과 전자부품의 주변부분에 있어서의 실장기판의 한쪽의 면에 밀착하도록 전자부품 및 실장기판을 덮고, 실장기판에 접착된다. 그리고, 이 수지필름에 의해서, 전자부품의 접속전극과 실장기판의 패턴화 도체부와의 기계적인 접합이 보강된다. 따라서, 본 발명에 의하면, 간단한 구성으로, 전자부품의 동작에 영향을 주는 일 없이, 전자부품의 접속전극과 실장기판의 패턴화 도체부와의 기계적인 접합의 강도나 접합의 안정성의 향상을 도모할 수가 있다.
또, 본 발명의 전자장치에서는, 그 제조공정에 있어서, 실장기판에 형성된 구멍을 통하여, 실장기판의 전자부품과는 반대측에서 전자부품측의 기체를 흡인함으로써, 수지필름의 형상을 변화시키는 것이 가능하게 된다. 따라서, 본 발명에 의하면, 수지필름의 형상을 용이하게 결정할 수가 있다.
또한, 본 발명의 전자장치에서는, 수지필름은, 상술과 같이 기체를 흡인함으로써 전자부품과 실장기판에 밀착하고, 가열에 의한 유동화 및 경화를 거쳐서 실장기판에 접착되어 있다. 따라서, 본 발명에 의하면, 전자부품 및 실장기판에 대한 수지필름의 밀착성이 좋고, 그 결과, 전자부품의 접속전극과 실장기판의 패턴화 도체부와의 기계적인 접합의 강도나 접합의 안정성을 보다 확실하게 향상시킬 수가 있다.
또, 본 발명의 전자장치에 있어서, 수지필름에 의해서 전자부품이 밀봉되어 도 좋다. 이 경우에는, 간단한 구성으로, 전자부품의 동작에 영향을 주는 일 없이, 전자부품을 밀봉할 수가 있다.
또, 본 발명의 전자장치에 있어서, 전자부품의 한쪽의 면과 실장기판의 한쪽의 면 사이에 공간이 형성되어 있어도 좋다. 이 경우에는, 전자부품의 한쪽의 면이 다른 것에 접촉함으로써 전자부품의 동작이 영향을 받는 것을 방지할 수가 있다.
또, 본 발명의 전자장치에 있어서, 실장기판에 형성된 구멍은, 실장기판에 있어서 전자부품이 배치되는 영역의 중앙부에 배치되고, 이 구멍은 마개부재에 의해서 막혀져 있어도 좋다. 이 경우에는, 수지필름에 의해서 전자부품을 밀봉하는 경우에도 확실하게 밀봉상태를 유지할 수가 있다.
또, 본 발명의 전자장치에 있어서, 실장기판에 형성된 구멍은, 실장기판에 있어서 전자부품이 배치되는 영역의 주변부에 배치되고, 이 구멍은, 수지필름에 의해서 막혀 있어도 좋다. 이 경우에는, 수지필름에 의해서 전자부품을 밀봉하는 경우에도 확실하게 밀봉상태를 유지할 수가 있다.
또, 본 발명의 전자장치에 있어서, 실장기판에 형성된 구멍은, 실장기판의 한쪽의 면에 배치된 패턴화 도체부와 실장기판에 설치된 다른 도체부를 전기적으로 접속하기 위한 스루홀이라도 좋다. 이 경우에는, 실장기판에 흡인용의 구멍을 특별히 설치할 필요가 없어진다.
이상의 설명에 의거하여, 본 발명의 각종 양태나 변형예를 실시 가능한 것은 명백하다. 따라서, 이하의 청구범위의 균등한 범위에 있어서, 상기의 최량의 형태 이외의 형태로도 본 발명을 실시하는 것이 가능하다.

Claims (18)

  1. 한쪽의 면에 있어서 노출하는 패턴화 도체부를 가지는 실장기판과, 한쪽의 면에 있어서 접속전극을 가지고, 이 접속전극을 가지는 면이 상기 실장기판의 한쪽의 면에 대향하도록 배치되고, 상기 접속전극이 상기 실장기판의 패턴화 도체부에 전기적으로 접속되고 또한 기계적으로 접합된 전자부품을 구비한 전자장치의 제조방법으로서,
    상기 전자부품의 한쪽의 면이 상기 실장기판의 한쪽의 면에 대향하도록, 상기 전자부품과 실장기판을 배치하고, 상기 전자부품의 접속전극을 상기 실장기판의 패턴화 도체부에 전기적으로 접속하고 또한 기계적으로 접합하는 공정과,
    상기 전자부품 및 실장기판을 덮도록 수지필름을 배치하는 공정과,
    상기 실장기판에 형성된 구멍을 통하여, 실장기판의 전자부품과는 반대측에서 전자부품측의 기체를 흡인함으로써, 상기 수지필름이 전자부품의 실장기판과는 반대측의 면과 전자부품의 주변부분에 있어서의 실장기판의 한쪽의 면에 밀착하여 전자부품 및 실장기판을 덮도록, 상기 수지필름의 형상을 변화시키는 공정과,
    상기 수지필름을 가열하여, 수지필름이 유동성을 가지도록 한 후에 수지필름을 경화시킴으로써, 수지필름을 상기 실장기판에 접착하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 수지필름은 상기 전자부품을 밀봉하는 것을 특징으 로 하는 전자장치의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 전자부품의 한쪽의 면과 상기 실장기판의 한쪽의 면의 사이에는 공간이 형성되는 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 수지필름의 형상을 변화시키는 공정은, 상기 수지필름을 연화시킨 상태에서, 수지필름의 형상을 변화시키는 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 실장기판에 형성된 구멍은, 실장기판에 있어서 전자부품이 배치되는 영역의 중앙부에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 수지필름을 접착하는 공정의 후에, 상기 구멍을 막는 공정을 더 구비한 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 실장기판에 형성된 구멍은 실장기판에 있어서 전자부품이 배치되는 영역의 주변부에 배치되고, 이 구멍은 상기 수지필름을 접착하는 공정에 있어서 수지필름에 의해서 막히는 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 실장기판에 형성된 구멍은, 실장기판의 상기 한쪽의 면에 배치된 상기 패턴화 도체부와 실장기판에 설치된 다른 도체부를 전기적으로 접속하기위한 스루홀인 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 사전에, 상기 수지필름을 접착하는 공정에 있어서의 처리조건과 상기 수지필름을 접착하는 공정의 전후에 있어서의 상기 전자부품의 특성의 변화의 관계를 구하는 공정을 더 구비하고,
    상기 수지필름을 접착하는 공정은, 상기 전자부품에 있어서 소망하는 특성을 얻을 수 있도록, 상기의 관계에 의거하여, 처리조건을 제어하는 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 처리의 조건은, 상기 수지필름의 가열시에 있어서의 상기 수지필름의 온도와, 상기 수지필름의 가열시간의 적어도 한쪽을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 수지필름은 경화 촉진제를 포함하고, 상기 처리의 조건은 상기 수지필름에 있어서의 상기 경화 촉진제의 함유량을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  12. 한쪽의 면에 있어서 노출하는 패턴화 도체부를 가지는 실장기판과,
    한쪽의 면에 있어서 접속전극을 가지고, 이 접속전극을 가지는 면이 상기 실장기판의 한쪽의 면에 대향하도록 배치되고, 상기 접속전극이 상기 실장기판의 패턴화 도체부에 전기적으로 접속되고 또한 기계적으로 접합된 전자부품과,
    상기 전자부품의 실장기판과는 반대측의 면과 전자부품의 주변부분에 있어서의 실장기판의 한쪽의 면에 밀착하도록 상기 전자부품 및 실장기판을 덮고, 가열에 의한 유동화 및 경화를 거쳐서 상기 실장기판에 접착된 수지필름을 구비하고,
    상기 실장기판은, 실장기판의 전자부품과는 반대측에서 전자부품측의 기체를 흡인함으로써 상기 수지필름의 형상을 결정하기 위해서 사용되는 구멍을 가지는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 수지필름은 상기 전자부품을 밀봉하는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  14. 제 12 항에 있어서, 상기 전자부품의 한쪽의 면과 상기 실장기판의 한쪽의 면과의 사이에는 공간이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  15. 제 12 항에 있어서, 상기 실장기판의 구멍은 실장기판에 있어서 전자부품이 배치되는 영역의 중앙부에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 실장기판의 구멍을 막는 마개부재를 더 구비한 것을 특징으로 하는 전자장치.
  17. 제 12 항에 있어서, 상기 실장기판의 구멍은, 실장기판에 있어서 전자부품이 배치되는 영역의 주변부에 배치되고, 이 구멍은 상기 수지필름에 의해서 막혀 있는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  18. 제 12 항에 있어서, 상기 실장기판에 형성된 구멍은 실장기판의 상기 한쪽의 면에 배치된 상기 패턴화 도체부와 실장기판에 설치된 다른 도체부를 전기적으로 접속하기 위한 스루홀인 것을 특징으로 하는 전자장치.
KR1020027010425A 2000-12-18 2001-12-14 전자장치 및 그 제조방법 KR100781789B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2000-00384382 2000-12-18
JP2000384382 2000-12-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020073548A KR20020073548A (ko) 2002-09-26
KR100781789B1 true KR100781789B1 (ko) 2007-12-04

Family

ID=18851854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020027010425A KR100781789B1 (ko) 2000-12-18 2001-12-14 전자장치 및 그 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (3) US20020097562A1 (ko)
EP (1) EP1345263A4 (ko)
KR (1) KR100781789B1 (ko)
CN (1) CN1193416C (ko)
WO (1) WO2002050887A1 (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004221232A (ja) * 2003-01-14 2004-08-05 Nitto Denko Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN1294699C (zh) * 2003-08-21 2007-01-10 倪永贵 表面贴装晶体谐振器陶瓷基座及其加工工艺
CN100411123C (zh) * 2005-11-25 2008-08-13 全懋精密科技股份有限公司 半导体芯片埋入基板的结构及制法
GB2453560A (en) * 2007-10-10 2009-04-15 Renewable Energy Corp Asa Wafer electroplating apparatus
CN102338898A (zh) * 2010-07-28 2012-02-01 盛玉林 反射片及其加工工艺
CN105873373B (zh) * 2015-01-21 2019-01-25 华为技术有限公司 一种电路板处理方法及电路板
JP6327232B2 (ja) * 2015-10-30 2018-05-23 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光モジュールの製造方法
JP6433414B2 (ja) * 2015-11-18 2018-12-05 株式会社中央製作所 エレベータ式めっき装置
US20180130719A1 (en) * 2016-11-09 2018-05-10 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages and method of manufacturing the same
US10834827B2 (en) * 2017-09-14 2020-11-10 HELLA GmbH & Co. KGaA System for potting components using a cap
EP3836010B1 (en) 2019-12-12 2024-07-24 Fingerprint Cards Anacatum IP AB A biometric sensor module for card integration
JP2022177554A (ja) * 2021-05-18 2022-12-01 Tdk株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2022177553A (ja) * 2021-05-18 2022-12-01 Tdk株式会社 基板処理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001053092A (ja) * 1999-08-13 2001-02-23 Japan Radio Co Ltd パッケージ、デバイス及びその製造方法
JP2001176995A (ja) * 1999-10-15 2001-06-29 Thomson Csf 電子部品のパッケージ方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH069192U (ja) * 1992-07-03 1994-02-04 富士通株式会社 プリント基板実装構造
US5612576A (en) * 1992-10-13 1997-03-18 Motorola Self-opening vent hole in an overmolded semiconductor device
JPH08160401A (ja) * 1994-12-02 1996-06-21 Sony Corp プラズマアドレス表示素子及びその製造方法
US6262513B1 (en) * 1995-06-30 2001-07-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic component and method of production thereof
JPH0964076A (ja) * 1995-08-25 1997-03-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Icチップの封止基板と封止方法と封止装置
JPH09162525A (ja) * 1995-12-06 1997-06-20 Oki Electric Ind Co Ltd フリップチップ実装ベアーチップへの封止樹脂塗布工程
DE59704079D1 (de) 1996-05-24 2001-08-23 Epcos Ag Elektronisches bauelement, insbesondere mit akustischen oberflächenwellen arbeitendes bauelement - ofw-bauelement
JP3659439B2 (ja) 1996-07-30 2005-06-15 京セラ株式会社 表面実装型電子部品
JPH10125825A (ja) 1996-10-23 1998-05-15 Nec Corp チップ型デバイスの封止構造およびその封止方法
US5893726A (en) * 1997-12-15 1999-04-13 Micron Technology, Inc. Semiconductor package with pre-fabricated cover and method of fabrication
JPH11330148A (ja) * 1998-03-13 1999-11-30 Toshiba Corp 半導体装置
JPH11354705A (ja) * 1998-06-04 1999-12-24 Toshiba Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2001189639A (ja) 1998-12-29 2001-07-10 Toshiba Corp 弾性表面波装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001053092A (ja) * 1999-08-13 2001-02-23 Japan Radio Co Ltd パッケージ、デバイス及びその製造方法
JP2001176995A (ja) * 1999-10-15 2001-06-29 Thomson Csf 電子部品のパッケージ方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1345263A1 (en) 2003-09-17
EP1345263A4 (en) 2004-12-15
US7134196B2 (en) 2006-11-14
US20020097562A1 (en) 2002-07-25
CN1193416C (zh) 2005-03-16
WO2002050887A1 (fr) 2002-06-27
US20040235219A1 (en) 2004-11-25
CN1401137A (zh) 2003-03-05
US20040177498A1 (en) 2004-09-16
KR20020073548A (ko) 2002-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100781789B1 (ko) 전자장치 및 그 제조방법
US6262513B1 (en) Electronic component and method of production thereof
KR20010042496A (ko) 표면 탄성파 소자 패키지 및 방법
JP2003298389A (ja) 弾性表面波素子の実装方法及び樹脂封止された弾性表面波素子を有する弾性表面波装置
CN107785480A (zh) 包括saw器件的rf模块、saw器件以及它们的制造方法
JP2002334954A (ja) 電子装置およびその製造方法ならびに電子部品保護用キャップおよびその製造方法
JP3619186B2 (ja) 電子装置およびその製造方法
JP2002184884A (ja) 電子装置およびその製造方法
JP2002217523A (ja) 電子装置の製造方法
JP2004007051A (ja) 封止用部材およびこれを用いた表面弾性波装置の製造方法
JP2002217221A (ja) 電子装置の製造方法
KR101783711B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP2002217219A (ja) 電子装置の製造方法
JP4478312B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3572254B2 (ja) 回路基板
KR100431182B1 (ko) 표면 탄성파 필터 칩 패키지 및 그 제조방법
JP2002217218A (ja) 電子装置の製造方法
JP2002324815A (ja) 電子装置の製造方法
JP2002217220A (ja) 電子装置の製造方法
KR101670894B1 (ko) 반도체 패키지의 제조 방법
JP2002314234A (ja) 電子装置およびその製造方法
JP2002313828A (ja) 電子装置およびその製造方法
JP3147106B2 (ja) 半導体装置
JP2002330049A (ja) 弾性表面波装置およびその製造方法
KR100344955B1 (ko) 에어캐비티형 반도체패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee