CN107785480A - 包括saw器件的rf模块、saw器件以及它们的制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种射频(RF)模块，其包括：声表面波(SAW)器件，其包括压电基板、形成在所述压电基板的一个表面上的叉指式换能器(IDT)电极和输入/输出电极、以及接合到所述输入/输出电极的凸块；印刷电路板(PCB)，其包括与所述输入/输出电极相对应的端子，并且所述SAW器件以将所述凸块接合到所述端子的方式安装在其上；模制部分，其覆盖所述SAW器件；以及坝部，其围绕所述IDT电极、所述输入/输出电极和所述凸块，以不允许形成所述模制部分的模制材料进入其中布置有所述IDT电极、所述输入/输出电极和所述凸块的空间。

Description

包括SAW器件的RF模块、SAW器件以及它们的制造方法
技术领域
本发明涉及包括声表面波(surface acoustic wave,SAW)器件的射频(radiofrequency,RF)模块、RF模块的制造方法、SAW器件以及SAW器件的制造方法。
背景技术
随着电信业的发展，无线通信产品逐渐小型化，并且获得高质量和多功能。根据这种趋势，无线通信产品中使用的部件，例如滤波器、双工器等，需要小型化和多功能。
作为这些部件的一个例子，如图1所示，声表面波(SAW)器件包括：压电基板1，其作为压电单晶裸片；一对叉指式换能器(interdigital transducer,IDT)电极2，其具有梳形图案并且形成为在压电基板1的顶部表面上彼此面对；以及连接到IDT电极2的输入/输出电极3和4。
当向输入电极3施加电信号时，由压电效应引起的压电变形通过彼此面对的IDT电极2的重叠部分的长度而发生，并且转移到压电基板1的SAW由于该压电变形而发生并且转换为通过输出电极4输出的电信号。在此，只有由IDT电极2的若干因素如间隔、电极宽度或长度等决定的某一频带的电信号被传递。
由于器件的特征由形成在SAW器件的压电基板1上的IDT电极2的电极宽度、长度和间隔决定，所以当IDT电极2被微小的异物如灰尘或污垢损坏或者沾污时，器件的特征会改变。因此，需要各种形状的结构来保护SAW器件的电极免受外部环境的影响。
图2示出用于保护SAW器件的电极免受外部环境的影响的SAW器件封装10的结构的示例。
如图2所示，SAW器件封装10包括：封装基板7，SAW器件使用倒装芯片结合方法安装在其上，并且包括与输入/输出电极3和4相对应的端子6；以及包覆部分8，其覆盖输入/输出电极3和4、接合到端子6的凸块5和SAW器件。诸如IDT电极2等的SAW形成区域的空间通过凸块5来提供，并且包覆部分8保护SAW形成区域免受外部环境的影响。在此，诸如膜型环氧树脂、金属、陶瓷等材料被用于包覆部分8。在此，由于它们是硬质材料或具有一定水平以上的粘度的软质材料，所以它们只可能进入压电基板1的最外部分，但是不会进入压电基板1的布置有凸块5和IDT电极2的内部空间。
图3示出其上安装有SAW器件封装10的射频(RF)模块的示例。
参考图3，SAW器件封装10和其他器件30和40使用表面贴装技术(surface mounttechnology,SMT)安装在PCB 20上。在此，其他器件30和40可以包括有源元件，如集成电路(IC)、放大器、开关等，以及无源元件，如电阻器、电容器、电感器等。此外，包围SAW器件封装10以及另外的其它器件30和40的模制部分50形成在PCB 20上。作为模制部分50的模制材料，例如可以使用液体型环氧树脂。使用比SAW器件封装10的包覆部分8的材料便宜的材料作为模制材料。这是因为与SAW器件封装10的包覆部分8相比，RF模块的模制部分50由于宽的覆盖面积而需要大量的模制材料。
根据上述现有的RF模块，由于SAW器件封装10的包覆部分8和RF模块的模制部分50相对于SAW器件执行结构上相似的功能，因此存在不必要的重复结构。此外，诸如膜型环氧树脂、金属、陶瓷等用于包覆部分8的昂贵材料和形成包覆部分8的工艺造成成本增加。
为了克服它们，可以设想使用倒装芯片结合方法而不是SAW器件封装将SAW器件本身安装在PCB 20上的结构。然而，在这种情况下，由于不存在包覆部分8，所以用于模制部分50的液体模制材料直接进入诸如IDT电极2的SAW形成区域。因此，产生用于SAW形成区域的空间不仅不能够被适当地形成而且不能够被保护免受外部环境影响的局限。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种射频(RF)模块，其能够防止用于模制部分的液体模制材料进入具有使用倒装芯片结合方法将声表面波(SAW)器件本身安装在印刷电路板(PCB)上的结构的射频(RF)模块中诸如SAW器件的叉指式换能器(IDT)电极等SAW形成区域，还提供该RF模块的制造方法，用于该RF模块的SAW器件以及该SAW器件的制造方法。
根据本发明的一个方面，一种RF模块包括：SAW器件，其包括压电基板、形成在所述压电基板的一个表面上的IDT电极和输入/输出电极、以及接合到所述输入/输出电极的凸块；PCB，其包括与所述输入/输出电极相对应的端子，并且所述SAW器件以将所述凸块接合到所述端子的方式安装在其上；模制部分，其覆盖所述SAW器件；以及坝部，其围绕所述IDT电极、所述输入/输出电极和所述凸块，以不允许形成所述模制部分的模制材料进入其中布置有所述IDT电极、所述输入/输出电极和所述凸块的空间。
所述凸块的材料可以包括金或金合金，并且所述坝部的材料可以包括金或金合金。
所述凸块的材料可以包括金或金合金，并且所述坝部的材料可以包括树脂。
所述凸块的材料可以包括锡、锡合金、锡-银或锡银合金，并且所述坝部的材料可以包括锡、锡合金、锡-银或锡银合金。
所述模制部分可以覆盖安装在所述PCB上的所述SAW器件以及另外的其它器件。
一种SAW器件可以包括压电基板、形成在所述压电基板的一个表面上的IDT电极、形成在所述压电基板的所述一个表面上的输入/输出电极、接合到所述输入/输出电极的凸块和围绕所述IDT电极、所述输入/输出电极和所述凸块的坝部。
所述凸块的材料可以包括金或金合金，并且所述坝部的材料可以包括金或金合金。
所述凸块的材料可以包括金或金合金，并且所述坝部的材料可以包括树脂。
所述凸块的材料可以包括锡、锡合金、锡-银或锡银合金，并且所述坝部的材料可以包括锡、锡合金、锡-银或锡银合金。
所述坝部的高度可以大于所述凸块距离所述压电基板的高度。
所述坝部的高度可以与所述凸块距离所述压电基板的高度相同。
根据本发明的另一方面，一种制造RF模块的方法包括：(a)在包括压电基板和形成在所述压电基板的一个表面上的IDT电极和输入/输出电极的SAW器件上形成围绕所述IDT电极和所述输入/输出电极以及接合到所述输入/输出电极的凸块的坝部；(b)将所述SAW器件安装在包括与所述输入/输出电极相对应的端子的PCB上，以将所述凸块接合到所述端子，并且使用所述坝部将其中布置有所述输入/输出电极和所述凸块的所述坝部内的空间与所述坝部的外部隔离；以及(c)形成覆盖所述SAW器件的模制部分。
在操作(a)中，可以将所述坝部的高度形成为大于所述凸块距离所述压电基板的高度。在操作(b)中，可以将所述坝部接合到所述PCB。
在操作(a)中，可以将所述坝部的高度形成为与所述凸块距离所述压电基板的高度相同，并且可以在与所述坝部相对应的所述PCB的部位形成形状与所述坝部的形状相同的图案。在操作(b)中，将所述坝部与所述图案彼此接合。
根据本发明的另一方面，一种制造SAW器件的方法包括：(a)制备包括压电基板和形成在所述压电基板的一个表面上的IDT电极和输入/输出电极的SAW器件；以及(b)形成围绕所述IDT电极和所述输入/输出电极以及接合到所述输入/输出电极的凸块的坝部。
操作(b)可以包括(b1)形成围绕所述IDT电极和所述输入/输出电极的所述坝部，以及(b2)形成接合到所述输入/输出电极的所述凸块。
操作(b1)可以包括：在所述压电基板的所述一个表面上形成具有与待形成的所述坝部相对应的开口图案的阻镀剂；通过镀所述开口图案形成所述坝部；以及去除所述阻镀剂。
操作(b1)可以包括通过光刻工艺使用树脂形成所述坝部。
操作(b)可以包括：在所述压电基板的所述一个表面上形成具有与待形成的所述坝部和所述凸块相对应的开口图案的阻镀剂；通过镀所述开口图案形成所述坝部和所述凸块；以及去除所述阻镀剂。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其它目的、特征和优点将对于本领域的普通技术人员变得显而易见，其中：
图1示出声表面波(SAW)器件的示例；
图2示出用于保护SAW器件的电极免受外部环境的影响的SAW器件封装的结构的示例；
图3示出其上安装有SAW器件封装的射频(RF)模块的示例；
图4示出根据本发明的一个实施例的包括SAW器件的RF模块；
图5A和图5B是示出根据本发明的一个实施例的制造SAW器件和包括该SAW器件的RF模块的方法的视图；
图6A和图6B是示出根据本发明的另一个实施例的制造SAW器件和包括该SAW器件的RF模块的方法的视图；
图7A～图7D是示出根据本发明的一个实施例的制造SAW器件的方法的视图；
图8A～8C是示出根据本发明的另一个实施例的制造SAW器件的方法的视图；和
图9A和图9B是示出根据本发明的另一个实施例的制造SAW器件的方法的视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述本发明的示例性实施例。在下面的描述和附图中，基本相同的部件将被称为相同的附图标记，并且将省略其重复的描述。而且，在对本发明的实施例的描述中，当认为对现有技术的众所周知的功能和部件的详细说明可能不必要地模糊本发明的实质时，将省略它们。
图4示出根据本发明的一个实施例的包括声表面波(SAW)器件100的射频(RF)模块。
参考图4，根据该实施例的RF模块包括：SAW器件100；印刷电路板(PCB)200，SAW器件100使用倒装芯片结合方法安装在其上；安装在PCB 200上的其他器件30和40；以及覆盖SAW器件100和其他器件30和40的模制部分500。
SAW器件100包括压电基板110、叉指式换能器(IDT)电极120、连接到IDT电极120的输入/输出电极130和接合到输入/输出电极130的凸块140。
PCB 200包括与SAW器件100的输入/输出电极130相对应的端子210，并且SAW器件100以允许凸块140接合到端子210的方式安装在PCB 200上。
模制部分500可以由诸如环氧树脂等的液体模制材料形成，并且围绕IDT电极120、输入/输出电极130和凸块140形成坝部150，以不允许模制材料进入其中布置有IDT电极120、输入/输出电极130和凸块140的空间。也就是说，由于即使使用液体模制材料，坝部150也防止模制部分500的模制材料进入压电基板110和PCB 200之间的空间，所以可以提供用于SAW形成区域的空间并且可以保护SAW形成区域免受外部环境的影响。
可以首先将坝部150形成在SAW器件100上，然后可以将其上形成有坝部150的SAW器件100安装在PCB 200上。根据实施例，可以将坝部150形成在其上待安装SAW器件100的PCB 200的位置处，然后可以将SAW器件100安装在其上形成有坝部150的PCB 200上。此外，根据实施例，以可以安装SAW器件100并且可以形成整个坝部150的方式，将坝部150的一部分形成在SAW器件100上，并且将坝部150的另一部分形成在PCB 200上。
通常，凸块140可以由包括金(Au)、锡(Sn)、锡-银(SnAg)、铜(Cu)等的材料形成。坝部150可以由与凸块140的材料相同的材料或不同的材料形成，或者可以由树脂形成。
当坝部150的材料是金属时，该材料可以包括Au、Au合金、Sn、Sn合金、SnAg或SnAg合金。
当凸块140和坝部150二者都由Au或Au合金形成时，可以使用超声波热压接方法将SAW器件100安装在PCB 200上。在此，凸块140接合到端子210，并且同时，首先形成在SAW器件100上的坝部150接合到PCB 200，首先形成在PCB 200上的坝部150接合到SAW器件100，或者形成在SAW器件100上的坝部150的一部分和形成在PCB 200上的坝部150的另一部分通过超声波热压接而彼此接合。
当凸块140由Au或Au合金形成并且坝部150由树脂形成时，SAW器件100可以使用超声波热压接方法安装在PCB 200上。在此，凸块140接合到端子210，并且同时，首先形成在SAW器件100上的坝部150接合到PCB 200，首先形成在PCB 200上的坝部150接合到SAW器件100，或者形成在SAW器件100上的坝部150的一部分和形成在PCB 200上的坝部150的另一部分通过超声波热压接而彼此接合。也就是说，形成坝部150的树脂通过施加的热量暂时熔化，然后再固化，从而形成接合部分。
当凸块140和坝部150二者都由Sn、Sn合金、SnAg或SnAg合金形成时，可以使用热压接方法将SAW器件100安装在PCB 200上。在此，凸块140接合到端子210，并且同时，首先形成在SAW器件100上的坝部150接合到PCB 200，首先形成在PCB 200上的坝部150接合到SAW器件100，或者形成在SAW器件100上的坝部150的一部分和形成在PCB 200上的坝部150的另一部分通过热压接而彼此接合。
由于由坝部150占据的面积显著大于凸块140的面积，所以当凸块140和坝部150均由Au或Au合金形成时，材料成本可能相对增加。然而，当凸块140由Au或Au合金形成而坝部150由树脂形成，或者凸块140和坝部150二者都由Sn、Sn合金、SnAg或SnAg合金形成时，具有材料成本较低的优点。
图5A和图5B是示出根据本发明的一个实施例的制造SAW器件100和包括该SAW器件的RF模块的方法的视图。
参考图5A，根据该实施例的SAW器件100包括压电基板110、形成在压电基板110的一个表面上的IDT电极120、形成在压电基板110的所述一个表面上并且连接到IDT电极120的输入/输出电极130、接合到输入/输出电极130的凸块140、以及围绕IDT电极120、输入/输出电极130和凸块140的坝部150。
并且在PCB 200上设置有与SAW器件100的输入/输出电极130相对应的端子210。
如图5B所示，SAW器件100被安装在PCB 200上，同时凸块140接合到端子210，并且利用坝部150，使其中布置有输入/输出电极130和凸块140的坝部150内的空间与坝部150的外部隔离。如上所述，由于SAW器件100使用超声波热压接方法或热压接方法安装在PCB 200上，所以凸块140通过热和压力变形为比图5A所示的原始形状更扁。在此，坝部150也像凸块140一样变形为比图5A所示的原始形状更扁。
另外，如图4所示，使用模制材料形成覆盖SAW器件100和其他器件30和40的模制部分500。
如图5A所示，形成在压电基板110上的坝部150的高度大于凸块140距离压电基板110的高度，即输入/输出电极130的厚度与凸块140的厚度之和。该高度的差异是考虑到PCB200的端子210而形成的。这是为了与PCB 200充分紧密的接合，以当SAW器件100安装在PCB200上时允许坝部150防止形成模制部分500的模制材料进入。参考图5A，高度差t可以与PCB200的端子210的厚度相同或相近。然而，根据凸块140和坝部150的材料或者根据接合方法等工艺条件，凸块140的变形程度可能不同于坝部150的变形程度，可以考虑到材料和工艺条件，将高度差t确定为足够的值。
图6A和图6B是示出根据本发明的另一个实施例的制造SAW器件100'和包括该SAW器件的RF模块的方法的视图。
参考图6A，根据该实施例的SAW器件100'包括压电基板110、形成在压电基板110的一个表面上的IDT电极120、形成在压电基板110的所述一个表面上并且连接到IDT电极120的输入/输出电极130、接合到输入/输出电极130的凸块140、以及围绕IDT电极120、输入/输出电极130和凸块140的坝部151。
并且在PCB 200上形成有与SAW器件100'的输入/输出电极130相对应的端子210，并且在与SAW器件100'的坝部151相对应的部位还形成形状与坝部151的形状相同的图案152。图6A中的坝部151和图案152分别对应于形成图6B的坝部150的一部分和另一部分。可以使用与下面参照图7A至图9B描述的形成坝部150的方法类似的方法在PCB 200上形成图案152，并且图案152的材料可以与坝部151的材料相同。
如图6B所示，SAW器件100'被安装在PCB 200上，同时凸块140接合到端子210，并且利用通过将SAW器件100'的坝部151接合到PCB 200的图案152而形成的坝部150，使其中布置有输入/输出电极130和凸块140的坝部150内的空间与坝部150的外部隔离。如上所述，由于SAW器件100使用超声波热压接方法或热压接方法安装在PCB 200上，所以凸块140通过热和压力变形为比图6A所示的原始形状更扁。在此，坝部151也像凸块140一样变形为比图6A所示的原始形状更扁。
另外，如图4所示，使用模制材料形成覆盖SAW器件100和其他器件30和40的模制部分500。
如图6A所示，形成在压电基板110上的坝部151的高度基本上等于凸块140距离压电基板110的高度，即输入/输出电极130的厚度与凸块140的厚度之和。并且与坝部151相对应的并且形成在PCB 200上的的图案152的厚度与端子210的厚度基本相同。通过将坝部151接合到图案152而形成坝部150，从而防止形成模制部分500的模制材料的进入。由于凸块140的变形程度和坝部151的变形程度可能根据凸块140的材料和坝部151的材料或诸如接合方法等的工艺条件的不同而彼此不同，所以考虑到材料和工艺条件，在坝部151的高度和凸块140距离压电基板110的高度之间可能存在微小差异。
图7A至图7D是示出根据本发明的一个实施例的制造SAW器件100的方法的视图。该实施例可以应用于坝部150的材料是与凸块140的材料相同或不同的金属的情况。
首先，制备包括压电基板110、形成在压电基板110的一个表面上的IDT电极120和输入/输出电极130的SAW器件。
如图7A所示，在压电基板110的一个表面上形成具有与待形成的坝部150相对应的开口图案的阻镀剂M。在此，阻镀剂M的高度被形成为与待形成的坝部150的高度相同。
在如图7B所示通过镀阻镀剂M的开口图案形成坝部150之后，如图7C所示去除阻镀剂M。
另外，如图7D所示，通过将凸块球接合到输入/输出电极130而形成凸块140。在此，可以在Au或Au合金的情况下使用超声波热压接方法或者在Sn、Sn合金、SnAg或SnAg合金的情况下使用热压接方法形成凸块140的接合。
图7A至图7D示出制造SAW器件100的方法，其中坝部150的高度被形成为大于如图5A所示的凸块140距离压电基板110的高度。在此，阻镀剂M的高度被形成为大于凸块140距离压电基板110的高度。然而，图7A至图7D所示的方法可以应用于制造SAW器件100'的方法，其中坝部151的高度被形成为如图6A所示的与凸块140距离压电基板110的高度基本相同。在此，阻镀剂M的高度被形成为与凸块140距离压电基板110的高度相同。
图8A至图8C是示出根据本发明的另一个实施例的制造SAW器件100'的方法的视图。该实施例可以是制造SAW器件100'的方法，其中坝部151的材料是与凸块140的材料相同的金属，并且坝部151的高度如图6A所示与凸块140距离压电基板110的高度基本相同。
如图8A所示，在压电基板110的一个表面上形成具有与待形成的坝部150和凸块140相对应的开口图案的阻镀剂M'。
如图8B所示，通过镀阻镀剂M'的开口图案，同时形成坝部151和凸块140。
另外，如图8C所示，阻镀剂M'被去除后，完成了其上形成有坝部151和凸块140的SAW器件100'。
图9A和图9B是示出根据本发明的另一个实施例的制造SAW器件的方法的视图。该实施例可以应用于坝部151的材料是树脂的情况。
如图9A所示，通过光刻工艺使用树脂材料形成坝部150。
另外，如图9B所示，通过将凸块球接合到输入/输出电极130而形成凸块140。在此，可以在Au或Au合金的情况下使用超声波热压接方法或者在Sn、Sn合金、SnAg或SnAg合金的情况下使用热压接方法来形成凸块140的接合。
图9A和图9B示出制造SAW器件100的方法，其中坝部150的高度被形成为如图5A所示的大于凸块140距离压电基板110的高度。然而，图9A和图9B所示的方法可以应用于制造SAW器件100'的方法，其中坝部151的高度被形成为如图6A所示的与凸块140距离压电基板110的高度基本相同。
根据本发明的实施例，在具有SAW器件本身使用倒装芯片结合方法安装在PCB上的结构的RF模块中，具有防止用于模制部分的液体模制材料进入SAW器件的诸如IDT电极等的SAW形成区域的效果。
此外，由于不必使用在SAW封装结构中所需的昂贵材料的包覆部分，所以具有降低材料成本和工艺成本的效果。
虽然上面已经描述了本发明的示例性实施例，但是本领域普通技术人员应当理解，在不脱离本发明的基本特征的情况下，可以修改本发明。因此，所公开的实施例应当被认为不是限制性的观点，而是描述性的观点。应当理解，本发明的范围由所附权利要求限定而不是由上述描述限定，并且包括在其等同范围内的所有差异。

Claims (19)

1.一种射频RF模块，包括：
声表面波SAW器件，其包括压电基板、形成在所述压电基板的一个表面上的叉指式换能器IDT电极和输入/输出电极、以及接合到所述输入/输出电极的凸块；
印刷电路板PCB，其包括与所述输入/输出电极相对应的端子，并且所述SAW器件以将所述凸块接合到所述端子的方式安装在其上；
模制部分，其覆盖所述SAW器件；以及
坝部，其围绕所述IDT电极、所述输入/输出电极和所述凸块，以不允许形成所述模制部分的模制材料进入其中布置有所述IDT电极、所述输入/输出电极和所述凸块的空间。
2.根据权利要求1所述的RF模块，其中所述凸块的材料包括金或金合金，并且
其中所述坝部的材料包括金或金合金。
3.根据权利要求1所述的RF模块，其中所述凸块的材料包括金或金合金，并且
其中所述坝部的材料包括树脂。
4.根据权利要求1所述的RF模块，其中所述凸块的材料包括锡、锡合金、锡-银或锡银合金，并且
其中所述坝部的材料包括锡、锡合金、锡-银或锡银合金。
5.根据权利要求1所述的RF模块，其中所述模制部分覆盖安装在所述PCB上的所述SAW器件以及另外的其它器件。
6.一种SAW器件，包括：
压电基板；
形成在所述压电基板的一个表面上的IDT电极；
形成在所述压电基板的所述一个表面上的输入/输出电极；
接合到所述输入/输出电极的凸块；和
围绕所述IDT电极、所述输入/输出电极和所述凸块的坝部。
7.根据权利要求6所述的SAW器件，其中所述凸块的材料包括金或金合金，并且
其中所述坝部的材料包括金或金合金。
8.根据权利要求6所述的SAW器件，其中所述凸块的材料包括金或金合金，
其中所述坝部的材料包括树脂。
9.根据权利要求6所述的SAW器件，其中所述凸块的材料包括锡、锡合金、锡-银或锡银合金，并且
其中所述坝部的材料包括锡、锡合金、锡-银或锡银合金。
10.根据权利要求6所述的SAW器件，其中所述坝部的高度大于所述凸块距离所述压电基板的高度。
11.根据权利要求6所述的SAW器件，其中所述坝部的高度与所述凸块距离所述压电基板的高度相同。
12.一种制造RF模块的方法，包括：
(a)在包括压电基板和形成在所述压电基板的一个表面上的IDT电极和输入/输出电极的SAW器件上形成围绕所述IDT电极和所述输入/输出电极以及接合到所述输入/输出电极的凸块的坝部；
(b)将所述SAW器件安装在包括与所述输入/输出电极相对应的端子的PCB上，以将所述凸块接合到所述端子，并且使用所述坝部将其中布置有所述输入/输出电极和所述凸块的所述坝部内的空间与所述坝部的外部隔离；以及
(c)形成覆盖所述SAW器件的模制部分。
13.根据权利要求12所述的方法，其中在操作(a)中，将所述坝部的高度形成为大于所述凸块距离所述压电基板的高度，并且
其中在操作(b)中，将所述坝部接合到所述PCB。
14.根据权利要求12所述的方法，其中在操作(a)中，将所述坝部的高度形成为与所述凸块距离所述压电基板的高度相同，并且在与所述坝部相对应的所述PCB的部位形成形状与所述坝部的形状相同的图案；并且
其中在操作(b)中，将所述坝部与所述图案彼此接合。
15.一种制造SAW器件的方法，包括：
(a)制备包括压电基板和形成在所述压电基板的一个表面上的IDT电极和输入/输出电极的SAW器件；以及
(b)形成围绕所述IDT电极和所述输入/输出电极以及接合到所述输入/输出电极的凸块的坝部。
16.根据权利要求15所述的方法，其中操作(b)包括：
(b1)形成围绕所述IDT电极和所述输入/输出电极的所述坝部；以及
(b2)形成接合到所述输入/输出电极的所述凸块。
17.根据权利要求16所述的方法，其中操作(b1)包括：
在所述压电基板的所述一个表面上形成具有与待形成的所述坝部相对应的开口图案的阻镀剂；
通过镀所述开口图案形成所述坝部；以及
去除所述阻镀剂。
18.根据权利要求16所述的方法，其中操作(b1)包括通过光刻工艺使用树脂形成所述坝部。
19.根据权利要求15所述的方法，其中操作(b)包括：
在所述压电基板的所述一个表面上形成具有与待形成的所述坝部和所述凸块相对应的开口图案的阻镀剂；
通过镀所述开口图案形成所述坝部和所述凸块；以及
去除所述阻镀剂。
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