KR100771030B1

KR100771030B1 - 범프가 부착된 배선회로기판 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR100771030B1
Application number: KR1020010041438A
Authority: KR
Inventors: 가네다유따까; 나이또게이이찌; 기시모또소이찌로; 시노하라도시히로
Original assignee: 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤
Priority date: 2000-07-11
Filing date: 2001-07-11
Publication date: 2007-10-29
Also published as: US7520053B2; CN1335740A; US6518510B2; US7020961B2; CN1185913C; JP2002026489A; US20020005292A1; US20030034173A1; JP3760731B2; KR20020006462A; US20060070978A1; TW511431B

Abstract

(과제)

안정된 범프접속이 가능하며, 또한 도금의 전처리 (前處理) 와 같은 번잡한 조작이 불필요한 범프가 부착된 배선회로기판을 제조한다.

(해결수단)

배선회로 (1) 의 두께 (t1) 와 배선회로 (1) 에 형성되는 범프 (2) 의 높이 (t2) 와 합산한 두께 (t1 + t2) 를 갖는 금속박 (3) 의 범프형성면 (3a) 에 범프형성용 에칭마스크 (7) 를 형성하고, 범프형성용 에칭마스크 (7) 측으로부터 금속박 (3) 을 소정의 범프 높이 (t2) 에 상당하는 깊이까지 하프에칭하여 범프 (2) 를 형성하고, 그 금속박 (3) 의 범프형성면에 금속박 (3) 과 상이한 금속으로 이루어진 금속박막층 (10) 을 형성함으로써 안정된 범프접속이 가능하며, 또한 도금의 전처리와 같은 번잡한 조작이 불필요한 범프가 부착된 배선회로기판이 제공된다.

범프, 배선회로기판, 금속박

Description

범프가 부착된 배선회로기판 및 그 제조방법{BUMP-ATTACHED WIRING CIRCUIT BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}

도 1 은 본 발명의 범프가 부착된 배선회로기판의 제조방법의 공정설명도이다.

도 2 는 본 발명의 범프가 부착된 배선회로기판의 제조방법의 공정설명도이다.

도 3 은 종래의 범프가 부착된 배선회로기판의 제조방법의 공정설명도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

1: 배선회로 2: 범프

3: 금속박 4: 보호필름

5: 배선회로형성용 에칭마스크 6: 커버코팅층

7: 범프형성용 에칭마스크 8: 폴리이미드전구체층

9: 절연층 10: 금속박막층

11: 접속구

본 발명은 높이가 일정한 범프를 갖는 범프가 부착된 배선회로기판, 및 그 제조방법에 관한 것이다.

반도체소자나 액정표시소자 등의 전자부품소자와 배선회로기판을 접속하는 경우, 또는 다층배선기판의 층간을 접속하는 경우, 미소범프 (예컨대, 범프 직경 50 ㎛, 범프 높이 30 ㎛) 에 의한 접속이 널리 행해지고 있다.

이와 같은 크기의 범프 형성의 대표적인 방법을 도 3 에 나타낸다.

즉, 우선 도 3a 에 나타내는 바와 같이, 폴리이미드필름 (31) 에 구리박 (32) 이 점착된 2 층 플렉서블 (flexible) 기판 (33) 을 준비하고, 구리박 (32) 을 포토리소그래프법에 의해 패터닝하여 배선회로 (34) 을 형성한다 (도 3b).

이어서, 배선회로 (34) 에 통상적인 방법에 따라 커버코팅층 (35) 을 형성한다 (도 3c). 예컨대, 배선회로 (34) 에 폴리아미드산층을 형성하고, 포토리소그래프법에 의해 패터닝하고, 이미드화함으로써 커버코팅층 (35)을 형성할 수 있다. 또는 레지스트잉크를 인쇄해도 된다.

이어서, 배선회로 (34) 에 대응한 폴리이미드필름 (31) 의 영역에 레이저광을 조사하여 범프용 구멍 (36) 을 형성하고 (도 3d), 그리고 필요에 따라 보호필름 (도시생략) 으로 커버코팅층 (35) 을 덮은 후, 전해도금법에 의해 범프용 구멍 (36) 의 바닥부에 노출된 배선회로 (34) 상에 금속범프 (37) 를 성장시킴으로써 미소범프를 형성하고 있다 (도 3e).

그러나, 레이저광의 조사에 의해 범프용 구멍 (36) 을 개구한 경우, 범프용 구멍 (36) 의 바닥부에 부착하는 스미어 (smear) 량의 편차에 의해 개구면적이 가변적이고, 그 결과, 금속범프 (37) 의 높이에도 큰 편차가 발생한다는 문제가 있다. 이로 인해, 안정된 범프접속이 곤란해진다. 특히, 반도체소자를 초음파접속에 의해 일괄적으로 배선회로에 접속하는 것이 곤란해지고 있다. 또, 배선회로 (34) 와 그 위에 형성되는 금속범프 (37) 사이의 밀착강도를 개선하기 위해 도금의 전처리가 필수로 되고 있다.

본 발명은 이상의 종래기술의 문제를 해결하고자 하는 것으로 안정된 범프접속이 가능하며, 또한 도금의 전처리와 같은 번잡한 조작이 불필요한 범프가 부착된 배선회로기판의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은 금속범프높이에 상당하는 두께와 배선회로층의 층두께를 합산한 두께의 금속박을 금속범프의 두께에 상당하는 깊이까지 하프에칭함으로써 도금의 전처리와 같은 번잡한 조작을 하지 않고 균일한 높이의 범프를 제작할 수 있고, 또한 금속박의 범프형성면에 금속박과 상이한 금속으로 이루어진 금속박막층을 형성함으로써, 금속박의 범프형성면과 그 위의 절연층 사이의 접착성을 개선할 수 있고, 배선회로기판의 내약품성을 개선하고, 범프측의 금속박면과 그 위의 절연층 사이의 박리를 방지할 수 있음과 동시에 안정된 범프접속을 실현할 수 있음을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

즉, 본 발명은 배선회로의 일면에 커버코팅층이 형성되고, 타면에는 절연층이 형성되고, 배선회로와 도통하고 있는 범프가 이 절연층으로부터 돌출하도록 형성되어 있는 범프가 부착된 배선회로기판에 있어서, 배선회로와 범프가 하나의 금속박으로 일체적으로 형성되어 있고, 또한 배선회로의 범프형성면과 절연층 사이에 이 금속박과 상이한 금속으로 이루어진 금속박막층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 범프가 부착된 배선회로기판을 제공한다.

여기서, 절연층이 폴리이미드전구체층을 이미드화한 폴리이미드막인 경우에는 금속박막층이 금속박보다도 폴리이미드전구체층에 대해 높은 접착력을 나타내는 것이 바람직하다. 이와 같은 금속박과 금속박막의 조합으로는 바람직하게 금속박이 구리박이며, 금속박막이 Ni, Zn, Sn 또는 Ni-Co 합금의 박막인 조합을 들 수 있다. 또, 이 범프가 부착된 배선회로기판에서는 커버코팅층이 커버코팅측으로부터 배선회로로 액세스가능하게 하기 위한 접속구를 갖는 것이 바람직하다.

또, 본 발명은 배선회로상에 범프가 형성된 범프가 부착된 배선회로기판의 제조방법에 있어서,

(a) 배선회로의 두께와 배선회로에 형성되는 범프의 높이를 합산한 두께를 갖는 금속박의 범프형성면에 보호필름을 적층하고, 금속박의 배선회로형성면에 배선회로형성용 에칭마스크를 형성하는 공정;

(b) 배선회로형성용 에칭마스크측으로부터 금속박을 하프에칭하여 소정 두께의 배선회로를 형성하는 공정;

(c) 배선회로형성용 에칭마스크를 제거한 후, 배선회로에 커버코팅층을 형성하는 공정;

(d) 금속박의 범프형성면에 형성된 보호필름을 제거한 후, 범프형성면에 범프형성용 에칭마스크를 형성하는 공정;

(e) 범프형성용 에칭마스크측으로부터 금속박을 하프에칭하여 소정 높이의 범프를 형성하는 공정;

(f) 범프형성용 에칭마스크를 제거한 후, 금속박과 상이한 금속으로 이루어진 금속박막층을 형성하는 공정;

(g) 금속박막측상에 범프를 메우도록 폴리이미드전구체층을 형성하는 공정; 및

(h) 폴리이미드전구체층을 에칭하고, 이미드화하여 소정 두께의 절연층을 형성하는 공정

을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 제조방법을 제공한다. 이 제조방법에서는 범프 형성전에 배선회로가 형성된다.

또한, 본 발명은 배선회로상에 범프가 형성된 범프가 부착된 배선회로기판의 제조방법에 있어서,

(aa) 배선회로의 두께와 배선회로에 형성되는 범프의 높이를 합산한 두께를 갖는 금속박의 배선회로형성면에 보호필름을 적층하고, 금속박의 범프형성면에 범프형성용 에칭마스크를 형성하는 공정;

(bb) 범프형성용 에칭마스크측으로부터 금속박을 하프에칭하여 소정 높이의 범프를 형성하는 공정;

(cc) 범프형성용 에칭마스크를 제거한 후, 금속박과 상이한 금속으로 이루어진 금속박막층을 형성하는 공정;

(dd) 금속박막층상에 범프를 메우도록 폴리이미드전구체층을 형성하는 공정;

(ee) 폴리이미드전구체층을 에칭하고, 이미드화하여 소정 두께의 절연층을 형성하는 공정;

(ff) 금속박의 배선회로형성면에 형성된 보호필름을 제거한 후, 배선회로형성면에 배선회로형성용 에칭마스크를 형성하는 공정;

(gg) 배선회로형성용 에칭마스크측으로부터 금속박을 하프에칭하여 소정 두께의 배선회로를 형성하는 공정; 및

(hh) 배선회로형성용 에칭마스크를 제거한 후, 배선회로에 커버코팅층을 형성하는 공정

을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 제조방법을 제공한다. 이 제조방법에서는 배선회로 형성전에 범프가 형성된다.

본 발명의 범프가 부착된 배선회로기판에 대해 그 제조예에 따라, 도면을 참조하면서 매 공정마다 상세하게 설명한다.

우선, 배선회로상에 범프가 형성된 범프가 부착된 배선회로기판의 제조방법으로, 범프 형성전에 배선회로가 형성되는 제조방법 (공정 (a) 내지 (g)) 에 대해 도 1 을 참조하면서 매 공정마다 설명한다.

공정 (a)

우선, 배선회로 (1) (도면 중, 점선참조) 의 두께 (t1) 와 배선회로 (1) 에 형성되는 범프 (2) (도면 중, 점선참조) 의 높이 (t2) 를 합산한 두께를 갖는 금속박 (3) 의 범프형성면 (3a) 에 보호필름 (4) 을 적층하고, 금속박 (3) 의 배선회로 형성면 (3b) 에 배선회로형성용 에칭마스크 (5) 를 형성한다 (도 1a).

배선회로 (1) 의 두께 (t1) 및 범프 (2) 의 높이 (t2) 에 대해서는 배선회로기판의 사용목적에 따라 최적인 수치를 선택한다. 예컨대, 배선회로기판을 반도체소자의 탑재기판으로 사용할 경우에는, 배선회로 (1) 의 두께 (t1) 를 20 ㎛ 으로 하고, 범프 (2) 의 높이 (t2) 를 30 ㎛ 으로 하고, 범프 (2) 의 직경을 50 ㎛ 으로 설정할 수 있다.

금속박 (3) 으로는 배선회로기판의 도체층에 사용되고 있는 재료를 사용할 수 있고, 바람직하게는 구리박을 들 수 있다.

배선회로형성용 에칭마스크 (5) 는 금속박 (3) 의 배선회로형성면 (3b) 에 레지스트잉크의 스크린인쇄에 의해 형성할 수 있다. 또는, 감광성 수지층이나 드라이필름을 형성하여 통상적인 방법에 의해 노광ㆍ현상하여 패터닝함으로써 형성할 수도 있다.

공정 (b)

이어서, 배선회로형성용 에칭마스크 (5) 측으로부터 금속박 (3) 을 하프에칭하여 소정 두께 (t1) 의 배선회로 (1) 를 형성한다 (도 1b).

하프에칭조건 (온도, 에칭액 조성 등) 은 금속박 (3) 의 재료나 에칭하는 두께 등에 따라 적당하게 선택할 수 있다.

공정 (c)

이어서, 배선회로형성용 에칭마스크 (5) 를 통상적인 방법에 의해 제거한 후, 배선회로 (1) 에 커버코팅층 (6) 을 형성한다 (도 1c).

커버코팅층 (6) 은 커버코팅층용 도료를 스크린인쇄법에 의해 형성할 수 있다. 또는, 감광성 수지층이나 드라이필름을 형성하여 통상적인 방법에 의해 노광ㆍ현상하여 패터닝함으로써 형성할 수도 있다. 또, 폴리아미드산 등의 폴리이미드전구체로 이루어진 층을 통상적인 방법에 의해 형성하고 패터닝하여 이미드화함으로써 형성할 수도 있다.

커버코팅층 (6) 을 형성할 때, 커버코팅층 (6) 측으로부터 배선회로 (1) 로 액세스가능하게 하기 위한 접속구 (11) 를 형성하는 것이 바람직하다.

공정 (d)

금속박 (3) 의 범프형성면 (3a) 에 형성된 보호필름 (4) 을 통상적인 방법에 의해 제거한 후, 범프형성면 (3a) 에 범프형성용 에칭마스크 (7) 를 형성한다 (도 1d).

범프형성용 에칭마스크 (7) 는 금속박 (3) 의 범프형성면 (3a) 에 레지스트잉크의 스크린인쇄에 의해 형성할 수 있다. 또는, 감광성 수지층이나 드라이필름을 형성하여 통상적인 방법에 의해 노광ㆍ현상하여 패터닝함으로써 형성할 수도 있다.

공정 (e)

범프형성용 에칭마스크 (7) 측으로부터 금속박 (3) 을 하프에칭하여 소정 높이 (t2) 의 범프 (2) 를 형성한다 (도 1e).

또한, 하프에칭에 앞서 커버코팅층 (6) 을 보호필름으로 덮어도 된다 (도시생략).

공정 (f)

범프형성용 에칭마스크 (7) 를 통상적인 방법에 의해 제거한 후, 금속박 (3) 과 상이한 금속으로 이루어진 금속박막층 (10) 을 형성한다 (도 1f).

금속박막층 (10) 으로는 후술하는 폴리이미드전구체층 (8) 에 대해 높은 접착력을 나타내는 금속재료로 형성하는 것이 바람직하다. 이로 인해, 폴리이미드전구체층 (8) 과 금속박 (3) 사이의 접착성을 높일 수 있고, 따라서 그 후의 약품처리시 (예컨대, 공정 (g) 의 폴리이미드전구체층 (8) 의 에칭백처리 등), 금속박 (3) 과 폴리이미드전구체층 (8) 또는 그것을 이미드화한 절연층 (9) (공정 (h) 참조) 사이에서 박리현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

이와 같은 금속박막층 (10) 으로는, 금속박 (3) 이 일반적인 구리박인 경우에는 바람직하게 Ni, Zn, Sn 또는 Ni-Co 합금의 박막을 들 수 있다. 이들 박막은 무전해도금법, 전해도금법, 진공증착법 등에 의해 형성할 수 있다.

금속박막층 (10) 의 층두께는 지나치게 얇으면 절연층 (9) 과 배선회로 (1) 의 접착성을 충분히 개선할 수 없고, 지나치게 두꺼우면 두꺼워진 막두께에 대응된 효과를 얻을 수 없기 때문에, 바람직하게는 0.01 내지 4 ㎛ 이다. 특히, 금속박막층 (10) 이 Zn 또는 Sn 의 박막인 경우에 바람직한 층두께는 0.1 내지 0.5 ㎛ 이며, Ni-Co 합금의 박막인 경우에 바람직한 층두께는 0.1 내지 4 ㎛ 이며, 그리고 Ni 의 박막인 경우에는 바람직한 층두께는 0.01 내지 1 ㎛ 이다.

또한, 범프형성용 에칭마스크 (7) 제거시, 커버코팅층 (6) 이 보호필름으로 덮여있는 경우에는 보호필름도 동시에 제거해도 된다.

공정 (g)

금속박막층 (10) 상에 범프를 메우도록 폴리이미드전구체층 (8) 을 형성한다 (도 1g).

폴리이미드전구체층 (8) 은 폴리아미드산 등을 통상적인 방법에 의해 성막 (成膜) 함으로써 형성할 수 있다. 이미드화조건도 사용하는 폴리이미드전구체의 종류 등에 따라 결정할 수 있다.

공정 (h)

폴리이미드전구체층 (8) 을 에칭백하고 이미드화하여 소정 두께 (t3) 의 절연층 (9) 을 형성한다. 이로 인해 도 1h 에 나타내는 범프가 부착된 배선회로기판을 얻을 수 있다.

이어서, 배선회로상에 범프가 형성된 범프가 부착된 배선회로기판의 제조방법에 있어서, 배선회로의 형성전에 범프가 형성되는 제조방법 (공정 (aa) 내지 (hh)) 에 대해 도 2 를 참조하면서 매 공정마다 설명한다. 또한, 도 2 에서 부호로 나타낸 구성요소는 도 1 과 동일 부호의 구성요소에 대응하고 있다.

공정 (aa)

우선, 배선회로 (1) (도면 중, 점선참조) 의 두께 (t1) 와 배선회로 (1) 에 형성되는 범프 (2) (도면 중, 점선참조) 의 높이 (t2) 를 합산한 두께를 갖는 금속박 (3) 의 배선회로형성면 (3b) 에 보호필름 (4) 을 적층하고, 금속박 (3) 의 범프 형성면 (3a) 에 범프형성용 에칭마스크 (7) 를 형성한다 (도 2a).

공정 (bb)

범프형성용 에칭마스크 (7) 측으로부터 금속박 (3) 을 하프에칭하여 소정 높이 (t2) 의 범프 (2) 를 형성한다 (도 2b).

공정 (cc)

범프형성용 에칭마스크 (7) 를 통상적인 방법에 의해 제거한 후, 금속박 (3) 과 상이한 금속으로 이루어진 금속박막층 (10) 을 형성한다 (도 2c).

공정 (dd)

금속박막층 (10) 상에 범프 (2) 를 메우도록 폴리이미드전구체층 (8) 을 형성한다 (도 2d).

공정 (ee)

폴리이미드전구체층 (8) 을 에칭하고, 이미드화하여 소정 두께 (t3) 의 절연층 (9) 을 형성한다 (도 2e).

공정 (ff)

금속박 (3) 의 배선회로형성면 (3b) 에 형성된 보호필름 (4) 을 통상적인 방법에 의해 제거한 후, 배선회로형성면 (3b) 에 배선회로형성용 에칭마스크 (5) 를 형성한다 (도 2f).

공정 (gg)

배선회로형성용 에칭마스크 (5) 측으로부터 금속박 (3) 을 하프에칭하여 소정 두께 (t1) 의 배선회로 (1) 를 형성한다 (도 2g).

또한, 하프에칭에 앞서 범프 (2) 을 보호필름으로 덮어도 된다 (도시생략).

공정 (hh)

배선회로형성용 에칭마스크 (5) 를 통상적인 방법에 의해 제거한 후 (도 2h), 배선회로 (1) 에 커버코팅층 (6) 을 형성한다. 이로 인해 도 2i 에 나타낸 범프가 부착된 배선회로기판을 얻을 수 있다. 이 때, 커버코팅층 (6) 으로부터 배선회로 (1) 로 액세스가능하게 하는 접속구 (11) 를 형성하는 것이 바람직하다.

또한, 배선회로형성용 에칭마스크 (5) 제거시, 범프 (2) 가 보호필름으로 덮여져 있는 경우에는, 보호필름도 동시에 제거해도 된다.

이상 본 발명의 제조방법에서 얻어지는 범프가 부착된 배선회로기판은 도 1h 및 도 2i 에서 나타내는 바와 같이, 배선회로 (1) 의 일면에 커버코팅층 (6) 이 형성되고, 타면에는 절연층 (9) 이 형성되고, 배선회로 (1) 와 도통하고 있는 범프 (2) 가 절연층 (9) 으로부터 돌출하도록 형성되어 있지만, 배선회로 (1) 와 범프 (2) 가 하나의 금속박으로 일체적으로 형성되어 있고, 또한 배선회로 (1) 의 범프형성면과 절연층 (9) 사이에 금속박과 상이한 금속으로 이루어진 금속박막층 (10) 이 형성되어 있다. 이 금속박막층 (10) 은 절연층 (9) 이 폴리이미드전구체층을 이미드화한 폴리이미드막인 경우에는 금속박보다도 폴리이미드전구체층에 대해 높은 접착력을 나타내는 재료로 형성하는 것이 바람직하다. 예컨대, 금속박이 구리박인 경우에는 Ni, Zn, Sn 또는 Ni-Co 의 박막으로 형성한다. 이와 같은 구성으로 함으로써 폴리이미드전구체층과 금속박 사이의 접착성을 높일 수 있고, 따라서 약품처리시 (예컨대, 폴리이미드전구체층의 에칭백처리 등), 금속박과 폴리이미드전구체층 또는 그것을 이미드화한 절연층 (9) 사이에서 박리현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

또, 이 범프가 부착된 배선회로기판은 커버코팅층 (6) 에 커버코팅측 (6) 으로부터 배선회로 (1) 로 액세스가능하게 하기 위한 접속구 (11) 를 갖기 때문에 양면 액세스기판이 되어 전자소자의 실장밀도 향상에 기여할 수 있다.

본 발명에 의하면, 범프강도가 안정하여 안정된 범프접속이 가능하며 또한 도금의 전처리와 같은 번잡한 조작이 불필요한 범프가 부착된 배선회로기판을 제공할 수 있다. 특히, 집적회로에서의 범프접속을 초음파에 의해 일괄적으로 안정적으로 접속할 수 있다.

Claims

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배선회로상에 범프가 형성된 범프가 부착된 배선회로기판의 제조방법에 있어서,

(a) 상기 배선회로의 두께와 상기 배선회로에 형성되는 상기 범프의 높이를 합산한 두께를 갖는 금속박의 범프형성면에 보호필름을 적층하고, 상기 금속박의 배선회로형성면에 배선회로형성용 에칭마스크를 형성하는 공정;

(b) 상기 배선회로형성용 에칭마스크측으로부터 상기 금속박을 하프에칭하여 소정 두께의 상기 배선회로를 형성하는 공정;

(c) 상기 배선회로형성용 에칭마스크를 제거한 후, 상기 배선회로에 커버코팅층을 형성하는 공정;

(d) 상기 금속박의 상기 범프형성면에 형성된 상기 보호필름을 제거한 후, 상기 범프형성면에 범프형성용 에칭마스크를 형성하는 공정;

(e) 상기 범프형성용 에칭마스크측으로부터 상기 금속박을 하프에칭하여, 소정 높이의 범프를 형성하는 공정;

(f) 상기 범프형성용 에칭마스크를 제거한 후, 상기 금속박과 상이한 금속으로 이루어진 금속박막층을 형성하는 공정;

(g) 상기 금속박막층상에 상기 범프를 메우도록 폴리이미드전구체층을 형성하는 공정; 및

(h) 폴리이미드전구체층을 에칭백하고 이미드화하여, 소정 두께의 절연층을 형성하는 공정

을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 제조방법.
제 9 항에 있어서,

상기 공정 (f) 으로 형성되는 상기 금속박막층이 상기 금속박보다도 폴리이미드전구체층에 대해 높은 접착력을 나타내는 것을 특징으로 하는 제조방법.
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,

상기 금속박이 구리박이며, 상기 금속박막층이 Ni, Zn, Sn 또는 Ni-Co 합금의 박막인 것을 특징으로 하는 제조방법.
제 11 항에 있어서,

상기 금속박막층의 층두께가 0.01 내지 4 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 제조방법.
제 11 항에 있어서,

상기 금속박막층이 Zn 또는 Sn 의 박막인 경우에, 상기 금속박막층의 막두께가 0.1 내지 0.5 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 제조방법.
제 11 항에 있어서,

상기 금속박막층이 Ni-Co 합금의 박막인 경우에, 상기 금속박막층의 막두께가 0.1 내지 4 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 제조방법.
제 11 항에 있어서,

상기 금속박막층이 Ni 의 박막인 경우에, 상기 금속박막층의 막두께가 0.01 내지 1 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 제조방법.
배선회로상에 범프가 형성된 범프가 부착된 배선회로기판의 제조방법에 있어서,

(aa) 상기 배선회로의 두께와 상기 배선회로에 형성되는 상기 범프의 높이를 합산한 두께를 갖는 금속박의 배선회로형성면에 보호필름을 적층하고, 상기 금속박의 범프형성면에 범프형성용 에칭마스크를 형성하는 공정;

(bb) 상기 범프형성용 에칭마스크측으로부터 상기 금속박을 하프에칭하여 소정 높이의 범프를 형성하는 공정;

(cc) 상기 범프형성용 에칭마스크를 제거한 후, 상기 금속박과 상이한 금속으로 이루어진 금속박막층을 형성하는 공정;

(dd) 상기 금속박막층상에 상기 범프를 메우도록 폴리이미드전구체층을 형성하는 공정;

(ee) 상기 폴리이미드전구체층을 에칭하고 이미드화하여, 소정 두께의 절연층을 형성하는 공정;

(ff) 상기 금속박의 상기 배선회로형성면에 형성된 상기 보호필름을 제거한 후, 상기 배선회로형성면에 배선회로형성용 에칭마스크를 형성하는 공정;

(gg) 상기 배선회로형성용 에칭마스크측으로부터 상기 금속박을 하프에칭하여 소정 두께의 배선회로를 형성하는 공정; 및

(hh) 상기 배선회로형성용 에칭마스크를 제거한 후, 상기 배선회로에 커버코팅층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 제조방법.
제 16 항에 있어서,

상기 공정 (cc) 으로 형성되는 상기 금속박막층은 상기 금속박보다도 상기 폴리이미드전구체층에 대해 높은 접착력을 나타내는 것을 특징으로 하는 제조방법.
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,

상기 금속박이 구리박이며, 상기 금속박막층이 Ni, Zn, Sn 또는 Ni-Co 합금의 박막인 것을 특징으로 하는 제조방법.
제 18 항에 있어서,

상기 금속박막층의 층두께가 0.01 내지 4 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 제조방법.
제 18 항에 있어서,

상기 금속박막층이 Zn 또는 Sn 의 박막인 경우에, 상기 금속박막층의 층두께가 0.1 내지 0.5 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 제조방법.
제 18 항에 있어서,

상기 금속박막층이 Ni-Co 합금의 박막인 경우에, 상기 금속박막층의 막두께가 0.1 내지 4 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 제조방법.
제 18 항에 있어서,

상기 금속박막층이 Ni 의 박막인 경우에, 상기 금속박막층의 막두께가 0.01 내지 1 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 제조방법.