JPH05183266A - 電子回路用金属化フィルムの製造方法 - Google Patents
電子回路用金属化フィルムの製造方法Info
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- JPH05183266A JPH05183266A JP34601691A JP34601691A JPH05183266A JP H05183266 A JPH05183266 A JP H05183266A JP 34601691 A JP34601691 A JP 34601691A JP 34601691 A JP34601691 A JP 34601691A JP H05183266 A JPH05183266 A JP H05183266A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はフレキシブル電子回路基板の製造方
法に関するもので、特に超高密度回路に適した接着材を
用いない２層タイプで、しかも銅（Ｃｕ）厚膜層とポリ
イミドフィルム間にニッケル（Ｎｉ）薄膜層を設けたも
ので、製造方法はポリイミドフィルム上に真空蒸着法で
Ｎｉ薄膜層を形成し、該蒸着フィルムを熱処理してポリ
イミドフィルムとＮｉ薄膜層の付着力を十分強くした
後、電解メッキ法でＣｕ厚膜層を形成したものであり、
Ｎｉ薄膜層の形成、Ｃｕ厚膜層の形成とも工業性が大の
製造方法を提供することを目的とするものである。 【構成】 本発明の製造方法はポリイミドフィルム上 １、真空蒸着法でニッケル（Ｎｉ）薄膜層 ２、蒸着フィルムを熱処理 ３、電解メッキ法で銅（Ｃｕ）厚膜層 の順に製造したものである。
法に関するもので、特に超高密度回路に適した接着材を
用いない２層タイプで、しかも銅（Ｃｕ）厚膜層とポリ
イミドフィルム間にニッケル（Ｎｉ）薄膜層を設けたも
ので、製造方法はポリイミドフィルム上に真空蒸着法で
Ｎｉ薄膜層を形成し、該蒸着フィルムを熱処理してポリ
イミドフィルムとＮｉ薄膜層の付着力を十分強くした
後、電解メッキ法でＣｕ厚膜層を形成したものであり、
Ｎｉ薄膜層の形成、Ｃｕ厚膜層の形成とも工業性が大の
製造方法を提供することを目的とするものである。 【構成】 本発明の製造方法はポリイミドフィルム上 １、真空蒸着法でニッケル（Ｎｉ）薄膜層 ２、蒸着フィルムを熱処理 ３、電解メッキ法で銅（Ｃｕ）厚膜層 の順に製造したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主に電気の制御回路で
使用される電子回路用フレキシブルプリント基板の製造
方法に関する。
使用される電子回路用フレキシブルプリント基板の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年電気、電子回路の発展はめざまし
く、所謂電気機器のみならずカメラや、工作機械、自動
車等の多分野で広範囲に使用されている。これらの電
気、電子回路を構成するのが電子部品やプリント基板で
ある。プリント基板にはリジッドタイプ（ｒｉｇｉｄ
ｔｙｐｅ）とフレキシブルタイプ（ｆｌｅｘｉｂｌｅｔ
ｙｐｅ）があり、現在はリジッドタイプが主流である
が、フレキシブルタイプは電子機器の小型化に伴って多
用される傾向にある。従来から用いられているフレキシ
ブルタイププリント基板の構成は高分子フィルムと銅箔
を接着剤を介してラミネ−トした３層タイプの物が主流
であった。図５に従来例の断面構成図を示す。高分子フ
ィルム１の表面に接着剤２を数μｍ塗布後、接着剤２上
に銅箔３を張り合わせて構成したものである。代表的な
構成例としては高分子フィルム１にポリイミドフィルム
５０μｍ、接着剤２を３μｍ、銅箔３に３８μｍの物が
ある。
く、所謂電気機器のみならずカメラや、工作機械、自動
車等の多分野で広範囲に使用されている。これらの電
気、電子回路を構成するのが電子部品やプリント基板で
ある。プリント基板にはリジッドタイプ（ｒｉｇｉｄ
ｔｙｐｅ）とフレキシブルタイプ（ｆｌｅｘｉｂｌｅｔ
ｙｐｅ）があり、現在はリジッドタイプが主流である
が、フレキシブルタイプは電子機器の小型化に伴って多
用される傾向にある。従来から用いられているフレキシ
ブルタイププリント基板の構成は高分子フィルムと銅箔
を接着剤を介してラミネ−トした３層タイプの物が主流
であった。図５に従来例の断面構成図を示す。高分子フ
ィルム１の表面に接着剤２を数μｍ塗布後、接着剤２上
に銅箔３を張り合わせて構成したものである。代表的な
構成例としては高分子フィルム１にポリイミドフィルム
５０μｍ、接着剤２を３μｍ、銅箔３に３８μｍの物が
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、電子機器の小
型化にともない電気制御のための電子回路が小型化し、
電子部品の実装密度が高密度化するにしたっがって回路
線や線間が狭くなってきている。超高密度回路を得よう
とすると回路線や線間はミクロン（μｍ）単位の幅にな
ってくる。従来から用いられているフレキシブルタイプ
電子回路基板の多くは高分子フィルムと銅箔と接着剤か
ら構成されたものが多く、銅箔は通常３８μｍ程度の厚
さで十数μｍの厚さの銅箔は価格的に非常に高価であ
り、製造工程での取扱いも非常に注意を要している。ま
た更に薄い数μｍの厚さの銅箔は広幅、長尺の物が得に
くい問題がある。
型化にともない電気制御のための電子回路が小型化し、
電子部品の実装密度が高密度化するにしたっがって回路
線や線間が狭くなってきている。超高密度回路を得よう
とすると回路線や線間はミクロン（μｍ）単位の幅にな
ってくる。従来から用いられているフレキシブルタイプ
電子回路基板の多くは高分子フィルムと銅箔と接着剤か
ら構成されたものが多く、銅箔は通常３８μｍ程度の厚
さで十数μｍの厚さの銅箔は価格的に非常に高価であ
り、製造工程での取扱いも非常に注意を要している。ま
た更に薄い数μｍの厚さの銅箔は広幅、長尺の物が得に
くい問題がある。
【０００４】電子回路の密度を高くした場合、回路に用
いる銅箔は必要な電流密度範囲内で薄いほうが望ましい
ことが知られている。、また接着剤層は銅箔と化学反応
して銅のマイグレ−ションを発生させ線間で短絡故障を
起こす原因になっている場合がある。
いる銅箔は必要な電流密度範囲内で薄いほうが望ましい
ことが知られている。、また接着剤層は銅箔と化学反応
して銅のマイグレ−ションを発生させ線間で短絡故障を
起こす原因になっている場合がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこれらの問題点
を解決するもので、超高密度回路を得るための断面構成
を、順に高分子基板、ニッケル（Ｎｉ）やクロム（Ｃ
ｒ）等の蒸着薄膜層、銅（Ｃｕ）メッキ厚膜層としたも
ので、接着剤層を取り除いて２層タイプにしたものであ
る。これらを実現するために、高分子基板へのＮｉ、Ｃ
ｒの形成は生産性の高い真空蒸着法を用い、Ｎｉ、Ｃｒ
等の金属層を高分子基板上に直接形成した後、該金属層
を用いて電解メッキでＣｕ厚膜層を形成する。この場合
電解メッキ法のため生産性が高いとともに数μｍ程度の
厚膜層が容易に形成できる。
を解決するもので、超高密度回路を得るための断面構成
を、順に高分子基板、ニッケル（Ｎｉ）やクロム（Ｃ
ｒ）等の蒸着薄膜層、銅（Ｃｕ）メッキ厚膜層としたも
ので、接着剤層を取り除いて２層タイプにしたものであ
る。これらを実現するために、高分子基板へのＮｉ、Ｃ
ｒの形成は生産性の高い真空蒸着法を用い、Ｎｉ、Ｃｒ
等の金属層を高分子基板上に直接形成した後、該金属層
を用いて電解メッキでＣｕ厚膜層を形成する。この場合
電解メッキ法のため生産性が高いとともに数μｍ程度の
厚膜層が容易に形成できる。
【０００６】
【作用】このような断面構成にすると高分子基板と蒸着
金属薄膜層間に接着剤が存在しないため銅箔の腐食拡散
が防止できる。更に本発明は高分子基板上にＮｉ、Ｃｒ
等の耐候性に優れた金属薄膜層を形成するため、高分子
基板から発生するガスによる薄膜金属の腐食を防止する
ことができる。また銅薄膜層の形成は高分子基板上の金
属薄膜層に電流を流せるため、電解メッキが容易にでき
工業性が大となるり、メッキによるＣｕ層の形成は膜厚
を用意に制御できるため高密度回路に都合の良い数ミク
ロンμｍのＣｕ厚膜層が容易に形成できる。
金属薄膜層間に接着剤が存在しないため銅箔の腐食拡散
が防止できる。更に本発明は高分子基板上にＮｉ、Ｃｒ
等の耐候性に優れた金属薄膜層を形成するため、高分子
基板から発生するガスによる薄膜金属の腐食を防止する
ことができる。また銅薄膜層の形成は高分子基板上の金
属薄膜層に電流を流せるため、電解メッキが容易にでき
工業性が大となるり、メッキによるＣｕ層の形成は膜厚
を用意に制御できるため高密度回路に都合の良い数ミク
ロンμｍのＣｕ厚膜層が容易に形成できる。
【０００７】
【実施例】（実施例１）以下実施例を掲げて詳細な説明
を行う。図１において真空度が１０-2Ｐａ以下に排気さ
れる図示されていない真空槽内に高分子フィルムの巻出
し、巻取りを含む走行系と蒸発源形が設置された半連続
巻取式真空蒸着において、厚さ５０μｍ、幅５００ｍ
ｍ、長さ５００ｍのポリイミドフィルム５を巻出し軸４
にセットする。このフィルム５はフリ−ロ−ル６や図示
されていないエキスパンダ−ロ−ルを経て蒸着用ドラム
７の外周と密着し、蒸着用ドラム７と同期して走行す
る。このフィルム５を速度１００ｍ／ｍｉｎで走行させ
ながらフィルム表面にＮｉ薄膜層を厚さ１５００Å形成
した。膜厚は、Ｎｉ蒸着膜が５００Å以下の場合、蒸着
膜の膜抵抗が高すぎて電解メッキ工程で流せる電流値が
小さいためメッキ工程の生産性が低く不適であった。ま
た、Ｎｉ蒸着膜層を３０００Åに形成しようとすると、
蒸着膜にクラックが発生するためＮｉ蒸着膜が不連続膜
となり、メッキ工程で不都合を生じるとともに電解メッ
キによるＣｕの特性が良好でなく不適であった。種々の
検討の結果真空蒸着法によるＮｉ薄膜層の厚さは１００
０〜２５００Åが適切であった。
を行う。図１において真空度が１０-2Ｐａ以下に排気さ
れる図示されていない真空槽内に高分子フィルムの巻出
し、巻取りを含む走行系と蒸発源形が設置された半連続
巻取式真空蒸着において、厚さ５０μｍ、幅５００ｍ
ｍ、長さ５００ｍのポリイミドフィルム５を巻出し軸４
にセットする。このフィルム５はフリ−ロ−ル６や図示
されていないエキスパンダ−ロ−ルを経て蒸着用ドラム
７の外周と密着し、蒸着用ドラム７と同期して走行す
る。このフィルム５を速度１００ｍ／ｍｉｎで走行させ
ながらフィルム表面にＮｉ薄膜層を厚さ１５００Å形成
した。膜厚は、Ｎｉ蒸着膜が５００Å以下の場合、蒸着
膜の膜抵抗が高すぎて電解メッキ工程で流せる電流値が
小さいためメッキ工程の生産性が低く不適であった。ま
た、Ｎｉ蒸着膜層を３０００Åに形成しようとすると、
蒸着膜にクラックが発生するためＮｉ蒸着膜が不連続膜
となり、メッキ工程で不都合を生じるとともに電解メッ
キによるＣｕの特性が良好でなく不適であった。種々の
検討の結果真空蒸着法によるＮｉ薄膜層の厚さは１００
０〜２５００Åが適切であった。
【０００８】Ｎｉ薄膜層の形成は蒸着用ドラム７の下５
０ｃｍの位置にＮｉの蒸発源８を置き、このＮｉを加
熱、溶解して蒸気１０とした後、蒸着ドラム７の外周上
に密着して走行しているポリイミドフィルム５の表面に
Ｎｉ蒸気１０を差し向けてＮｉ薄膜層を形成した。本実
施例では蒸発源の加熱には電子ビ−ム加熱９を用いた。
また、通常蒸発源８と蒸着ドラム７との間にはシャッタ
−が設けられていて、蒸発源８を加熱、溶解している工
程ではシャッタ−を閉めてあり、蒸発源から蒸気が十分
発生した時点でシャッタ−を開として蒸気１０をポリイ
ミドフィルム５の表面に差し向ける。Ｎｉ薄膜層が形成
されたポリイミドフィルム１１はフリ−ロ−ル１２を経
て巻き取り軸１３に巻き取られる。図２にポリイミドフ
ィルム５上Ｎｉ薄膜層１５の断面構成図を示す。
０ｃｍの位置にＮｉの蒸発源８を置き、このＮｉを加
熱、溶解して蒸気１０とした後、蒸着ドラム７の外周上
に密着して走行しているポリイミドフィルム５の表面に
Ｎｉ蒸気１０を差し向けてＮｉ薄膜層を形成した。本実
施例では蒸発源の加熱には電子ビ−ム加熱９を用いた。
また、通常蒸発源８と蒸着ドラム７との間にはシャッタ
−が設けられていて、蒸発源８を加熱、溶解している工
程ではシャッタ−を閉めてあり、蒸発源から蒸気が十分
発生した時点でシャッタ−を開として蒸気１０をポリイ
ミドフィルム５の表面に差し向ける。Ｎｉ薄膜層が形成
されたポリイミドフィルム１１はフリ−ロ−ル１２を経
て巻き取り軸１３に巻き取られる。図２にポリイミドフ
ィルム５上Ｎｉ薄膜層１５の断面構成図を示す。
【０００９】ポリイミドフィルム５の表面にＮｉ薄膜膜
１５を形成した後、大気中でこの蒸着フィルムを２００
〜３００℃の高温槽内に１時間以上入れてエ−ジング処
理を行った。このエ−ジング処理を行うことによりＮｉ
薄膜層１５の応力緩和がなされるとともにＮｉ薄膜層１
５とポリイミドフィルム５の付着力を向上させる。この
熱処理工程により、電解メッキ工程における耐薬品性、
特に塩酸処理工程でのＮｉ薄膜層１５とポリイミドフィ
ルム５の耐薬品性の付着力が確保できる。
１５を形成した後、大気中でこの蒸着フィルムを２００
〜３００℃の高温槽内に１時間以上入れてエ−ジング処
理を行った。このエ−ジング処理を行うことによりＮｉ
薄膜層１５の応力緩和がなされるとともにＮｉ薄膜層１
５とポリイミドフィルム５の付着力を向上させる。この
熱処理工程により、電解メッキ工程における耐薬品性、
特に塩酸処理工程でのＮｉ薄膜層１５とポリイミドフィ
ルム５の耐薬品性の付着力が確保できる。
【００１０】図３にＮｉ薄膜層１５上へのＣｕメッキ方
法を示す。Ｎｉ薄膜層１５の表面を脱脂した後、Ｃｕメ
ッキを実施した。図３において巻出し軸１６にＮｉ薄膜
層が形成されたポリイミドフィルム１１をセットする。
このフィルム１１は電圧印加用ロ−ル１７とＮｉ薄膜層
が接触するようセットする。電圧印加用ロ−ル１７を経
たこのフィルム１１は各フリ−ロ−ル１８を経て次工程
に進む。フリ−ロ−ル１８の工程でＮｉ薄膜層１５上へ
のＣｕメッキを行う。絶縁材料で作られたメッキ浴槽２
２内に硫酸銅溶液２３を満たし、メッキ浴槽２２の底部
に銅板電極２１をＮｉ薄膜層と対向するように置く。電
圧は電圧印加用ロ−ル１７を負極（−）、すなわちＮｉ
薄膜層を負極（−）、銅板電極２１を正極（＋）になる
ように印加した。メッキ浴槽２２でＮｉ薄膜層１５上へ
５μｍのＣｕメッキを行った後フリ−ロ−ル１９、２０
を経て巻き取り軸２８で巻き取られる。この間、洗浄層
２４内で洗浄液２５によりメッキ液を洗浄してドライヤ
−２６で乾燥した。２７はポリイミドフィルム５表面に
Ｎｉ薄膜層１５、Ｃｕ厚膜層を形成した本発明電子回路
用金属化フィルムである。
法を示す。Ｎｉ薄膜層１５の表面を脱脂した後、Ｃｕメ
ッキを実施した。図３において巻出し軸１６にＮｉ薄膜
層が形成されたポリイミドフィルム１１をセットする。
このフィルム１１は電圧印加用ロ−ル１７とＮｉ薄膜層
が接触するようセットする。電圧印加用ロ−ル１７を経
たこのフィルム１１は各フリ−ロ−ル１８を経て次工程
に進む。フリ−ロ−ル１８の工程でＮｉ薄膜層１５上へ
のＣｕメッキを行う。絶縁材料で作られたメッキ浴槽２
２内に硫酸銅溶液２３を満たし、メッキ浴槽２２の底部
に銅板電極２１をＮｉ薄膜層と対向するように置く。電
圧は電圧印加用ロ−ル１７を負極（−）、すなわちＮｉ
薄膜層を負極（−）、銅板電極２１を正極（＋）になる
ように印加した。メッキ浴槽２２でＮｉ薄膜層１５上へ
５μｍのＣｕメッキを行った後フリ−ロ−ル１９、２０
を経て巻き取り軸２８で巻き取られる。この間、洗浄層
２４内で洗浄液２５によりメッキ液を洗浄してドライヤ
−２６で乾燥した。２７はポリイミドフィルム５表面に
Ｎｉ薄膜層１５、Ｃｕ厚膜層を形成した本発明電子回路
用金属化フィルムである。
【００１１】図４に本発明電子回路用金属化フィルムの
断面構成図を示す。ポリイミドフィルム５上に、Ｎｉ薄
膜層１５とＣｕ厚膜層が形成されたものである。
断面構成図を示す。ポリイミドフィルム５上に、Ｎｉ薄
膜層１５とＣｕ厚膜層が形成されたものである。
【００１２】（実施例２）実施例１において中間層にＮ
ｉ薄膜層を真空蒸着法で形成した場合の詳細について説
明したが、ＮｉをＣｒに変えた場合、Ｎｉの電気抵抗率
が７．０４μΩ・ｃｍに対してＣｒのそれは１２．９μ
Ω・ｃｍと高く、同一膜厚では電解銅メッキ工程では生
産性がＮｉに比較して少し悪かったが、Ｃｕ厚膜層形成
後の電子回路用金属化フィルムの特性としてはほば同様
の効果が得られた。
ｉ薄膜層を真空蒸着法で形成した場合の詳細について説
明したが、ＮｉをＣｒに変えた場合、Ｎｉの電気抵抗率
が７．０４μΩ・ｃｍに対してＣｒのそれは１２．９μ
Ω・ｃｍと高く、同一膜厚では電解銅メッキ工程では生
産性がＮｉに比較して少し悪かったが、Ｃｕ厚膜層形成
後の電子回路用金属化フィルムの特性としてはほば同様
の効果が得られた。
【００１３】尚、実施例１、実施例２において具体的な
形状、寸法を掲げて詳細な説明をしたが、本発明は特に
これに限定されるものではない。
形状、寸法を掲げて詳細な説明をしたが、本発明は特に
これに限定されるものではない。
【００１４】また、上記実施例において高分子フィルム
としてポリイミドフィルムを用いたが、これに限らず本
発明はポリエーテルイミドフィルムやポリフェニレンス
ルファイドフィルムをも用いることができる。
としてポリイミドフィルムを用いたが、これに限らず本
発明はポリエーテルイミドフィルムやポリフェニレンス
ルファイドフィルムをも用いることができる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、本発明はポリイミドフィ
ルムの表面にＮｉやＣｒのような耐食性に優れた金属層
を真空蒸着法により直接形成した後、この金属層を電極
として電解メッキ法でＣｕ厚膜層を形成するため接着層
を取り除くことができる。また、メッキによるＣｕ層の
厚さが５μｍ程度と薄くできるため、、極めて密度の高
いフレキシブルタイプ電子回路基板が得られる。
ルムの表面にＮｉやＣｒのような耐食性に優れた金属層
を真空蒸着法により直接形成した後、この金属層を電極
として電解メッキ法でＣｕ厚膜層を形成するため接着層
を取り除くことができる。また、メッキによるＣｕ層の
厚さが５μｍ程度と薄くできるため、、極めて密度の高
いフレキシブルタイプ電子回路基板が得られる。
【００１６】ＮｉやＣｒ薄膜層の形成には、反連続巻き
取り式真空蒸着法、Ｃｕのメッキには蒸着による薄膜層
を電極に利用できるため電解メッキが使用できることで
工業生産性が大となり、安価な製造法を提供できるもの
である。
取り式真空蒸着法、Ｃｕのメッキには蒸着による薄膜層
を電極に利用できるため電解メッキが使用できることで
工業生産性が大となり、安価な製造法を提供できるもの
である。
【図１】本発明に用いたＮｉ薄膜層を得るための真空蒸
着法の概略図
着法の概略図
【図２】ポリイミドフィルム上にＮｉ薄膜層を形成した
場合の断面構成図
場合の断面構成図
【図３】電解メッキによるＣｕ厚膜層を形成するための
電解メッキ装置の概要図
電解メッキ装置の概要図
【図４】本発明製造方法によって製造された電子回路用
金属化フィルムの断面構成図
金属化フィルムの断面構成図
【図５】従来の電子回路基板の断面構成例を示す図
５ フィイルム １５ Ｎｉ薄膜層 ３０ Ｃｕ厚膜層
Claims (2)
- 【請求項１】 高分子フィルムの表面に真空蒸着法によ
りニッケルまたはクロムのいずれかを主成分とする蒸着
薄膜層を形成した後、大気中の恒温槽にて１５０〜２５
０℃、１時間以上のアニ−リングをして、電解メッキ法
により該蒸着薄膜層表面上に銅の厚膜層を形成すること
を特徴とする電子回路用金属化フィルムの製造方法。 - 【請求項２】 前記高分子フィルムがポリイミド、ポリ
エ−テルイミド、ポリフェニレンスルファイドのいずれ
かであることを特徴とする請求項１に記載の電子回路用
金属化フィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34601691A JPH05183266A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 電子回路用金属化フィルムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34601691A JPH05183266A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 電子回路用金属化フィルムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05183266A true JPH05183266A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=18380565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34601691A Pending JPH05183266A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 電子回路用金属化フィルムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05183266A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7020961B2 (en) | 2000-07-11 | 2006-04-04 | Sony Corporation | Method for manufacturing a bump-attached wiring circuit board |
| WO2020222430A1 (ko) * | 2019-04-30 | 2020-11-05 | 도레이첨단소재 주식회사 | 연성 금속박 적층 필름, 이를 포함하는 물품 및 상기 연성 금속박 적층 필름의 제조방법 |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP34601691A patent/JPH05183266A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7020961B2 (en) | 2000-07-11 | 2006-04-04 | Sony Corporation | Method for manufacturing a bump-attached wiring circuit board |
| US7520053B2 (en) | 2000-07-11 | 2009-04-21 | Sony Corporation | Method for manufacturing a bump-attached wiring circuit board |
| WO2020222430A1 (ko) * | 2019-04-30 | 2020-11-05 | 도레이첨단소재 주식회사 | 연성 금속박 적층 필름, 이를 포함하는 물품 및 상기 연성 금속박 적층 필름의 제조방법 |
| CN113348266A (zh) * | 2019-04-30 | 2021-09-03 | 东丽尖端素材株式会社 | 挠性覆金属板、包含其的物品、及准备该挠性覆金属板的方法 |
| CN113348266B (zh) * | 2019-04-30 | 2024-05-03 | 东丽尖端素材株式会社 | 挠性覆金属板、包含其的物品、及准备该挠性覆金属板的方法 |
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