KR100753783B1 - 화학적으로 증폭된 포지티브 내식막 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은
하기 화학식 1의 중합체 단위, 하기 화학식 2의 중합체 단위, 및 말레산 무수물 및 이타콘산 무수물로부터 선택되는 불포화 디카복실산 무수물로부터 유도된 중합체 단위를 갖는 수지(X); 및
산 생성제(Y)를 포함하는, 감광도 및 해상도뿐만 아니라 다른 내식막 성능 특성이 우수한, 화학적으로 증폭된 포지티브 내식막 조성물을 제공한다.
화학식 1
Figure 112007015255874-pat00001
화학식 2
Figure 112007015255874-pat00002
상기식에서,
R1은 수소 또는 메틸이고,
R2 및 R3은 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
R4 및 R5는 수소, 하이드록실 또는 알킬이고,
R6 및 R7은 수소, 탄소수 1 내지 3의 알킬, 탄소수 1 내지 3의 하이드록시알킬, 카복실, 시아노 또는 -COOR8의 그룹(여기서, R8은 알코올 잔기이다)이거나, R6과 R7은 함께 화학식 -C(=O)OC(=O)-의 카복실산 무수물 잔기를 형성한다.
포지티브 내식막, 반도체, 감광도, 해상도, 산 생성제

Description

화학적으로 증폭된 포지티브 내식막 조성물{Chemically amplified positive resist composition}
본 발명은 반도체의 미세 가공에 사용되는 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물에 관한 것이다.
일반적으로는, 내식막 조성물을 사용하는 석판인쇄 공정이 반도체 미세 가공에 채택되어 왔다. 석판인쇄 공정에서는, 원칙적으로 레일리(Rayleigh)의 회절 한계식으로 표현되는 노출광 파장을 감소시킴으로써 해상도를 개선시킬 수 있다. 436㎚의 파장을 갖는 g-라인, 365㎚의 파장을 갖는 i-라인 및 248㎚의 파장을 갖는 KrF 엑시머 레이저가 반도체 제조에 사용되는 석판인쇄 공정용 노출 광원으로서 채택되어 왔다. 따라서 파장는 해마다 짧아지고 있다. 193㎚의 파장을 갖는 ArF 엑시머 레이저가 차세대 노출 광원으로서 유력시되고 있다.
ArF 엑시머 레이저 노출 기계 또는 보다 단파장의 광원을 사용하는 노출 기계에 사용되는 렌즈는 통상의 노출 광원용 렌즈와 비교하여 수명이 짧다. 따라서, ArF 엑시머 레이저 광에 노출시키는데 필요한 시간이 보다 짧은 것이 바람직하다. 이 때문에, 내식막의 감광도를 향상시킬 필요가 있다. 결과적으로, 노출로 인해 생성되는 산의 촉매 작용을 이용하고 산의 작용에 의해 분해가능한 그룹을 갖는 수지를 포함하는, 소위 화학 증폭형 내식막이 사용되고 있다.
ArF 엑시머 레이저 노출용 내식막에 사용되는 수지는, 내식막의 투과성을 확보하기 위해서 방향족 환을 포함하지는 않지만 내식막에 건조 에칭 내성(dry etching resistance)을 부여하기 위해서 방향족 환 대신에 지환족 환을 포함하는 것이 바람직한 것으로 공지되어 있다. 이와 같은 각종 수지는 이전에 문헌에서 이미 기술되었다[참조 문헌: Journal of Photopolymeric Science and Technology, Vol. 9, No. 3, pages 387-398 (1996) by D.C. Hofer].
그러나, 통상적으로 공지된 수지는 특히 극성이 불충분할 경우에 불충분한 접착성으로 인해 현상시 패턴의 박리가 일어난다는 문제가 있다. 석판인쇄 공정에서 형성된 내식막 패턴의 내식막이 집적회로 제조시 건조 에칭 공정에서 보호 피막으로 작용하기 때문에, 내식막에서 건조 에칭 내성이 우수한 것이 또한 바람직하다.
본 발명의 목적은 ArF, KrF 등을 사용하는 엑시머 레이저 석판인쇄 공정에 사용하기에 적합한 산 생성제 및 수지 성분을 포함하고, 감광도 및 해상도와 같은 우수한 각종 내식막 성능 특성을 나타내면서 기판에 대한 접착성 및 건조 에칭 내성이 만족스러운 화학적으로 증폭된 포지티브 내식막 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명자들은 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물이 특별한 구조의 중합체 단위를 갖는 수지 성분을 포함하는 경우, 기판에 대한 접착성 및 건조 에칭 내성뿐만 아니라 감광도 및 해상도와 같은 각종 내식막 성능 특성의 균형이 우수하다는 사실을 발견하였다. 본 발명은 이러한 발견을 토대로 완성되었다.
본 발명은, 자체가 알칼리에 불용성이거나 난용성이지만 산 작용에 의해 알칼리에 가용성이 되며 (a) 1-아다만틸-1-알킬알킬 (메트)아크릴레이트로부터 유도된, 화학식 1의 중합체 단위, (b) 노르보르넨과 같은 지환족 올레핀으로부터 유도된, 화학식 2의 중합체 단위 및 (c) 말레산 무수물 및 이타콘산 무수물로부터 선택되는 불포화 디카복실산 무수물로부터 유도된 중합체 단위를 갖는 수지(X); 및
산 생성제(Y)를 포함하는, 화학적으로 증폭된 포지티브 내식막 조성물을 제공한다.
Figure 112001001533210-pat00003
Figure 112001001533210-pat00004
상기식에서,
R1은 수소 또는 메틸이고,
R2 및 R3은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 하이드록실 또는 알킬이고,
R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 3의 알킬, 탄소수 1 내지 3의 하이드록시알킬, 카복실, 시아노 또는 -COOR8의 그룹(여기서, R8은 알코올 잔기이다)이거나, R6과 R7은 함께 화학식 -C(=O)OC(=O)-의 카복실산 무수물 잔기를 형성한다.
말레산 무수물 및 이타콘산 무수물로부터 선택된 불포화 디카복실산 무수물로부터 유도된 중합체 단위는 하기 화학식 3 또는 4로 나타낸다.
Figure 112001001533210-pat00005
Figure 112001001533210-pat00006
ArF 엑시머 레이저 석판인쇄 공정을 위해 내식막에 노르보르넨과 말레산 무수물의 교호 공중합체를 사용하는 것이 문헌에 기술되어 있지만[참조 문헌: Proc. SPIE, Vol. 2724, pages 355-364 (1996) by T.I. Wallow et al.], 본 발명의 내식막 조성물에 포함된 수지는 또한 산 분해가능하고 벌키한 화학식 1의 중합체 단위를 포함한다. 화학식 1의 중합체 단위와 화학식 2 및 3 또는 4의 중합체 단위를 혼합함으로써, 기판에 대한 접착성, 건조 에칭 내성, 감광도 및 해상도를 개선시킬 수 있다.
화학식 1에서, R1은 수소 또는 알킬이다. R1이 수소인 경우, 기판에 대한 접착성 및 건조 에칭 내성이 특별하게 개선될 수 있다. R2 및 R3은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬이다. R2 또는 R3의 알킬이 측쇄일 수도 있지만 직쇄인 것이 일반적으로 유리하다. R2 또는 R3의 알킬의 구체적인 예에는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필 및 부틸이 포함된다. R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 하이드록실 또는 알킬이고, R4 또는 R5의 그룹은 아다만틸 환상의 임의 위치에서 치환될 수 있다. R4 또는 R5의 알킬은 탄소수가 약 1 내지 4일 수 있다. 아다만틸 환은 화학 식 1의 1-위치 또는 2-위치에서 R2 및 R3의 탄소 결합에 결합할 수 있다. 일반적으로 1-아다만틸이 바람직하다.
화학식 1의 중합체 단위를 유도하는데 사용되는 단량체의 예에는 1-(1-아다만틸)-1-메틸에틸 아크릴레이트, 1-(1-아다만틸)-1-메틸에틸 메트아크릴레이트, 1-(1-아다만틸)-1-에틸프로필 아크릴레이트, 1-(3-하이드록시-1-아다만틸)-1-메틸에틸 아크릴레이트 및 1-(3-메틸-1-아다만틸)-1-메틸에틸 아크릴레이트가 포함된다.
화학식 2의 R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 3의 알킬, 탄소수 1 내지 3의 하이드록시알킬, 카복실, 시아노 또는 -COOR8의 카복실레이트 잔기(여기서, R8은 알코올 잔기이다)이다. 달리, R6 및 R7은 함께 화학식 -C(=O)OC(=O)-의 카복실산 무수물 잔기를 형성할 수 있다. R6 및 R7의 알킬의 예에는 메틸, 에틸 및 프로필이 포함된다. R6 및 R7의 하이드록시알킬의 예에는 하이드록시메틸 및 2-하이드록시에틸이 포함된다. R8의 알코올 잔기의 예에는 탄소수 약 1 내지 8의 치환되지 않거나 치환된 알킬, 2-옥소옥솔란-3-일 또는 2-옥소옥솔란-4-일이 포함된다. 치환된 알킬의 치환체의 예에는 하이드록실 및 지환족 탄화수소 잔기가 포함된다. R6 및 R7의 카복실레이트 잔기 -COOR8의 구체적인 예에는 메톡시카보닐, 에톡시카보닐, 2-하이드록시에톡시카보닐, 3급-부톡시카보닐, 2-옥소옥솔란-3-일옥시카보닐, 2-옥소옥솔란-4-일옥시카보닐, 1,1,2-트리메틸프로폭시카보닐, 1-사이클로헥실-1-메틸에톡시카보닐, 1-(4-메틸사이클로헥실)-1-메틸에톡시카보닐 및 1-(1-아다만틸)-1-메틸에톡시카보닐이 포함된다.
본 발명의 내식막 조성물에 포함되는 수지(X)는 화학식 1의 중합체 단위, 화학식 2의 중합체 단위 및 화학식 3 또는 4의 중합체 단위 이외에 다른 중합체 단위를 임의로 포함할 수 있다. 임의 중합체 단위로서, 단위는 방향족 환을 포함하지는 않지만 지환족 환, 락톤 환 또는 사이클릭 산 무수물 잔기와 같은 사이클릭 구조를 갖는다. 지환족 환으로서, 지환족 탄화수소 잔기, 특히 가교결합된 탄화수소 환(예: 보르난 환, 노르보르난 환, 트리사이클로데칸 환, 테트라사이클로데칸 환 및 아다만탄 환)이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 임의 중합체 단위의 예로는 (메트)아크릴산의 지환족 에스테르로부터 유도된 중합체 단위, 지환족 카복실산의 비닐 에스테르 또는 이소프로페닐 에스테르로부터 유도된 중합체 단위 등을 언급할 수 있다. 또한, 본 발명의 내식막 조성물에 포함된 수지(X)는 부분적으로 유리 카복실산 그룹 또는 알코올성 탄화수소 그룹을 포함할 수 있다. 수지(X)가 1-아다만틸 (메트)아크릴레이트로부터 유도된, 화학식 5의 중합체 단위를 포함하는 것이 기판에 대한 접착성 및 건조 에칭 내성을 개선시키는데 특히 바람직하다.
Figure 112001001533210-pat00007
상기식에서,
R9는 수소 또는 메틸이고,
R10은 수소 또는 하이드록실이다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 내식막 조성물에 포함된 수지(X)는 화학식 1의 중합체 단위와 같이, 아크릴산 에스테르 또는 메트아크릴산 에스테르로부터 유도된 중합체 단위와 임의 단위인 화학식 5의 중합체 단위 및 다른 (메트)아크릴레이트를 포함할 수 있다. 건조 에칭 단계에서 메트아크릴산 에스테르로부터 유도된 중합체 단위보다 아크릴산 에스테르로부터 유도된 중합체 단위가 탈중합화를 거의 유발하지 않아서 분자량이 저하되지 않기 때문에, 아크릴산 에스테르로부터 유도된 중합체 단위가 메트아크릴산 에스테르로부터 유도된 중합체 단위보다 바람직하다. 예를 들어, 화학식 1에서 R1은 수소가 바람직하고 화학식 5에서 R9는 수소가 바람직하다.
일반적으로, 화학적으로 증폭된 포지티브 내식막 조성물에 사용되는 수지는 자체가 알칼리에 불용성이거나 난용성이지만 산의 작용에 의해 알칼리에 가용성이 되는데, 왜냐하면 산의 작용에 의해 수지내의 그룹의 일부가 분해되기 때문이다. 본 발명의 내식막 조성물에 포함된 수지(X)에서, 화학식 1의 중합체 단위중 에스테르 그룹은 산의 작용에 의해 분해되고 수지(X)는 알칼리에 가용성이 된다. 따라서, 본 발명의 내식막 조성물은 포지티브형으로 작용한다. 경우에 따라, 수지(X)는 산의 작용에 의해 분해가능한 다른 중합체 단위도 추가로 포함할 수 있다.
각종 카복실산 에스테르 그룹은 다른 중합체 단위에서와 같이 산의 작용에 의해 분해가능한 그룹일 수 있다. 카복실산 에스테르 그룹의 예에는 탄소수 약 1 내지 6의 알킬 에스테르(예: 3급-부틸에스테르), 아세탈형 에스테르[예: 메톡시메틸에스테르, 에톡시메틸에스테르, 1-에톡시에틸에스테르, 1-이소부톡시에틸에스테르, 1-이소프로폭시에틸에스테르, 1-에톡시프로필에스테르, 1-(2-메톡시에톡시)에틸에스테르, 1-(2-아세톡시에톡시)에틸에스테르, 1-[2-(1-아다만틸옥시)에톡시]에틸에스테르, 1-[2-(1-아다만탄카보닐옥시)에톡시]에틸에스테르, 테트라하이드로-2-푸릴에스테르 및 테트라하이드로-2-피라닐에스테르] 및 지환족 에스테르(예: 이소보르닐에스테르)가 포함된다. 이러한 카복실산 에스테르 그룹을 유도하는데 사용되는 단량체는 아크릴산형 단량체(예: 아크릴레이트 및 메트아크릴레이트), 카복실산 에스테르 그룹에 결합된 아크릴산형 단량체(예: 노르보르넨 카복실레이트, 트리사이클로데센 카복실산 에스테르 및 테트라사이클로데센 카복실산 에스테르), 아크릴산 또는 메트아크릴산 및 지환족 그룹이 에스테르 그룹을 형성하는 지환족 산 에스테르[참조 문헌: Journal of Photopolymer Science and Technology, vol. 9, No.3, pages 447-456 (1996) by Iwasa et al.]일 수 있다.
본 발명의 내식막 조성물에 포함된 수지(X)는 1-아다만틸-1-알킬알킬 (메트)아크릴레이트로부터 유도된 화학식 1의 중합체 단위; 지환족 올레핀으로부터 유도된 화학식 2의 중합체 단위; 말레산 무수물 및 이타콘산 무수물로부터 선택된 불포화된 디카복실산 무수물; 및 경우에 따라 사용된 임의 단량체의 공중합에 의해 생성될 수 있다.
패턴 노출에 사용되는 방사선의 종류와 경우에 따라서는 사용되는 임의 단량체의 종류에 따라 바람직한 범위가 다양할 수 있지만, 공중합에 사용되는 모든 단량체의 총량을 기준으로 하여, 1-아다만틸-1-알킬알킬 (메트)아크릴레이트의 양은 5 내지 60몰%이고 지환족 올레핀 및 불포화 디카복실산 무수물의 총량은 10 내지 95몰%인 것이 일반적으로 바람직하다. 일반적으로, 지환족 올레핀 및 불포화 디카복실산 무수물은 교호 공중합체를 형성한다. 임의 단량체를 포함하여 공중합에 사용되는 모든 단량체의 총량을 기준으로 하여, 1-아다만틸-1-알킬아킬 (메트)아크릴레이트, 지환족 올레핀 및 불포화 디카복실산 무수물의 총량은 바람직하게는 40몰% 이상이고 보다 바람직하게는 50몰% 이상인 것이 유리하다. 화학식 5의 중합체 단위가 유도되는 단량체의 양은 공중합에 사용되는 모든 단량체의 총량을 기준으로 하여, 60몰% 이하, 바람직하게는 50몰% 이하이다.
공중합은 통상적인 방법에 따라 수행할 수 있다. 예를 들어, 수지(X)는 유기 용매중에 단량체를 용해시킨 다음, 중합 개시제(예: 아조 화합물)의 존재하에 중합 반응을 수행하여 수득할 수 있다. 아조 화합물의 예에는 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 및 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)가 포함된다. 반응 생성물은 중합 반응을 완결한 후, 재침전법 등에 의해 정제하는 것이 유리하다.
다른 성분인 산 생성제는 성분 자체나 이러한 성분을 포함한 내식막 조성물을 방사선(예: 광 및 전자빔)으로 조사시킴으로써 분해되어 산을 생성한다. 산 생성제로부터 생성되는 산은 수지에 작용하여 수지에 존재하는, 산 작용에 의해 분해될 그룹을 분해시킨다. 이러한 산 생성제의 예에는 오늄염 화합물, 유기 할로겐 화합물, 설폰 화합물 및 설포네이트 화합물이 포함된다. 구체적으로 하기 화합물을 언급할 수 있다:
디페닐요오도늄 트리플루오로메탄설포네이트;
4-메톡시페닐페닐요오도늄 헥사플루오로안티모네이트;
4-메톡시페닐페닐요오도늄 트리플루오로메탄설포네이트;
비스(4-3급-부틸페닐)요오도늄 테트라플루오로보레이트;
비스(4-3급-부틸페닐)오요도늄 헥사플루오로포스페이트;
비스(4-3급-부틸페닐)오요도늄 헥사플루오로안티모네이트;
비스(4-3급-부틸페닐)오요도늄 트리플루오로메탄설포네이트;
트리페닐설포늄 헥사플루오로포스페이트;
트리페닐설포늄 헥사플루오로안티모네이트;
트리페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트;
4-메톡시페닐디페닐설포늄 헥사플루오로안티모네이트;
4-메톡시페닐디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트;
p-톨릴디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트;
p-톨릴디페닐설포늄 퍼플루오로부탄설포네이트;
p-톨릴디페닐설포늄 퍼플루오로옥탄설포네이트;
2,4,6-트리메틸페닐디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트;
4-3급-부틸페닐디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트;
4-페닐티오페닐디페닐설포늄 헥사플루오로포스페이트;
4-페닐티오페닐디페닐설포늄 헥사플루오로안티모네이트;
1-(2-나프토일메틸)티올라늄 헥사플루오로안티모네이트;
1-(2-나프토일메틸)티올라늄 트리플루오로메탄설포네이트;
4-하이드록시-1-나프틸디메틸설포늄 헥사플루오로안티모네이트;
4-하이드록시-1-나프틸디메틸설포늄 트리플루오로메탄설포네이트;
2-메틸-4,6-비스(트리플로로메틸)-1,3,5-트리아진;
2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진;
2-페닐-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진;
2-(4-클로로페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진;
2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진;
2-(4-메톡시-1-나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진;
2-(벤조[d][1,3]디옥솔란-5-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진;
2-(4-메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진;
2-(3,4,5-트리메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진;
2-(3,4-디메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진;
2-(2,4-디메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진;
2-(2-메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진;
2-(4-부톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진;
2-(4-펜틸옥시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진;
디페닐 디설폰;
디-p-톨릴 디설폰;
비스(페닐설포닐)디아조메탄;
비스(4-클로로페닐설포닐)디아조메탄;
비스(p-톨릴설포닐)디아조메탄;
비스(4-3급-부틸페닐설포닐)디아조메탄;
비스(2,4-크실릴설포닐)디아조메탄;
비스(사이클로헥실설포닐)디아조메탄;
(벤조일)(페닐설포닐)디아조메탄;
1-벤조일-1-페닐메틸 p-톨루엔설포네이트(소위 벤조인토실레이트);
2-벤조일-2-하이드록시-2-페닐에틸 p-톨루엔설포네이트(소위 α-메틸올벤조인토실레이트);
1,2,3-벤젠트릴 트리메탄설포네이트;
2,6-디니트로벤질 p-톨루엔설포네이트;
2-니트로벤질 p-톨루엔설포네이트;
4-니트로벤질 p-톨루엔설포네이트;
N-(페닐설포닐옥시)석신이미드;
N-(트리플루오로메틸설포닐옥시)석신이미드;
N-(트리플루오로메틸설포닐옥시)프탈이미드;
N-(트리플루오로메틸설포닐옥시)-5-노르보르넨-2,3-디카복시이미드;
N-(트리플루오로메틸설포닐옥시)나프탈이미드; 및
N-(10-캄포설포닐옥시)나프틸아미드 등.
일반적으로 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물에서, 노출 후 이탈과 관련된 산의 탈활성화로 인해 성능이 저하되는 것은 퀀처(quencher)로서 염기성 화합물, 특히 염기성 질소 함유 유기 화합물(예: 아민)을 가함으로써 감소시킬 수 있다. 본 발명에서 이러한 염기성 화합물을 가하는 것이 또한 바람직하다. 퀀처로서 사용되는 염기성 화합물의 구체적인 예에는 하기 화학식의 화합물이 포함된다:
Figure 112001001533210-pat00008
상기식에서,
R11 및 R12는 서로 독립적으로 수소, 또는 치환되지 않거나 하이드록실로 치환될 수 있는 사이클로알킬, 아릴 또는 알킬이고,
서로 동일하거나 상이한 R13, R14 및 R15는 수소, 또는 치환되지 않거나 하이드록실로 치환될 수 있는 사이클로알킬, 아릴, 알콕시 또는 알킬이고,
R16은 치환되지 않거나 하이드록실로 치환될 수 있는 사이클로알킬 또는 알킬이고,
A는 알킬렌, 카보닐 또는 이미노이다.
R11 내지 R16의 알킬 및 R13 내지 R15의 알콕시는 탄소수가 약 1 내지 6일 수 있다. 사이클로알킬은 탄소수가 약 5 내지 10일 수 있고 아릴은 탄소수가 약 6 내지 10일 수 있다. R11 내지 R15의 아릴은 탄소수가 약 6 내지 10일 수 있다. A의 알킬렌은 탄소수가 약 1 내지 6일 수고 있고 직쇄 또는 측쇄일 수 있다.
본 발명의 내식막 조성물은 수지(X) 및 산 생성제(Y)의 총량을 기준으로 하여, 바람직하게는 수지(X) 80 내지 99.9중량% 및 산 생성제(Y) 0.1 내지 20중량%를 포함한다. 염기성 화합물이 퀀처로서 사용되는 경우, 내식막 조성물의 총 고체 성분 중량을 기준으로 하여, 이를 0.0001 내지 0.1중량% 범위의 양으로 포함하는 것이 바람직하다. 조성물은 또한, 경우에 따라 본 발명의 목적에 유해하지 않는한, 감광제, 용해 억제제, 수지(X) 이외의 다른 수지, 계면활성제, 안정화제 및 염료를 포함할 수 있다.
본 발명의 내식막 조성물은 일반적으로 상기한 성분들이 기판(예: 실리콘 웨이퍼)에 도포될 용매중에 용해되어 있는 상태의 내식막 용액이다. 본원에서 사용되는 용매는 각 성분들이 용해될 수 있고, 적절한 건조율을 가지고, 용매를 증발시킨 후에 균일하고 평활한 피막을 제공하며, 당해 분야에서 통상적으로 사용되는 것일 수 있다. 이의 예에는 글리콜 에테르 에스테르(예: 에틸셀로솔브 아세테이트, 메틸셀로솔브 아세테이트 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트), 에스테르(예: 에틸 락테이트, 부틸 아세테이트, 아밀 아세테이트 및 에틸 피루베이트), 케톤(예: 아세톤, 메틸 이소부틸 케톤, 2-헵탄온 및 사이클로헥산온) 및 사이클릭 에스테르(예: γ-부티로락톤)이 포함된다. 이러한 용매는 단독으로 사용되거나 둘 이상의 혼합물로 사용될 수 있다.
기판에 도포되어 건조되는 내식막은 패턴화를 위해 노출 처리를 적용한다. 이어서, 보호성 탈차단 반응을 촉진시키기 위해 열 처리한 후, 알칼리 현상액으로 현상시킨다. 본원에서 사용되는 알칼리 현상액은 당해 분야에서 사용되는 각종 알칼리 수용액일 수 있다. 일반적으로 테트라메틸암모늄하이드록사이드 또는 (2-하이드록시에틸)트리메틸암모늄하이드록사이드(소위 콜린)의 수용액이 자주 사용된다.
본 발명은 본 발명의 범주를 제한하지는 않는 하기 실시예에서 보다 상세히 설명될 것이다. 실시예에서, 모든 부는 별로의 언급이 없는한 중량에 대한 것이다. 중량-평균 분자량은 참조 표준으로서 폴리스티렌을 사용하는 겔 투과 크로마토그래피로부터 측정한 값이다.
수지 합성 실시예 1
(1-(1-아다만틸)-1-메틸에틸 아크릴레이트/노르보르넨/말레산 무수물 공중합체의 합성: 수지 A1)
하기 화학식의 1-(1-아다만틸)-1-메틸에틸 아크릴레이트(다른 명칭: 1-메틸-1-(트리사이클로[3.3.1.13,7]데카-1-일)에틸) 15.5g, 노르보르넨 11.4g 및 말레산 무수물 11.8g(몰 비=2:4:4)을 반응 용기에 충전시켰다:
Figure 112001001533210-pat00009
여기에, 테트라하이드로푸란 76.5g을 가하여 단량체 용액을 형성시키고, 생성된 용액을 질소 대기하에 65℃로 가열하였다. 이어서, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 0.46g을 가하고 생성된 용액은 65℃에서 약 8시간 동안 추가로 교반한 다음, 냉각시켰다. 냉각 후, 반응 용액을 다량의 메탄올과 혼합하여 중합체 생성물을 침전시킨 다음, 여과시켰다. 여과에 의해 수득된 중합체 생성물을 테트라하이드로푸란에 용해시키고, 수득된 용액을 다량의 메탄올과 혼합하여 중합체 생성물을 재침전시킨 다음, 여과시켰다. 생성물을 정제하기 위해, 중합체 생성물로 용해에서 재침전까지의 상기한 공정을 1회 이상 반복하였다. 중량-평균 분자량이 약 4,850이고 분산도(중량-평균 분자량/수-평균 분자량)가 1.42인 공중합체를 31.7%의 수율로 수득하였다. 이로써 수득한 공중합체는 수지 A1이라 하였다.
수지 합성 실시예 2
(1-(1-아다만틸)-1-메틸에틸 아크릴레이트/3-하이드록시-1-아다만틸 아크릴레이트/노르보르넨/말레산 무수물 공중합체의 합성: 수지 A2)
1-(1-아다만틸)-1-메틸에틸 아크릴레이트 15.0g, 하기 화학식의 3-하이드록시-1-아다만틸 아크릴레이트(다른 명칭: 3-하이드록시 트리사이클로[3.3.1.13,7]데카-1-일) 20.0g, 노르보르넨 7.1g 및 말레산 무수물 7.4g(몰 비=2:3:2.5:2.5)을 반응 용기에 충전시켰다:
Figure 112001001533210-pat00010
여기에, 단량체 총량을 기준으로 하여 2배 중량의 메틸에틸케톤을 가하여 단량체 용액을 형성하고, 생성된 용액을 질소 대기하에 80℃로 가열하였다. 이어서, 단량체의 총량을 기준으로 하여 2몰%의 양의 2,2'-아조비스이소부티로니트릴을 가하고, 생성된 용액은 80℃에서 약 8시간 동안 추가로 교반한 다음, 냉각시켰다. 냉각 후, 반응 용액을 다량의 헵탄과 혼합하여 중합체 생성물을 침전시킨 다음, 여과시켰다. 여과에 의해 수득된 중합체 생성물을 메틸에틸케톤에 용해시키고, 수득된 용액은 다량의 헵탄과 혼합하여 중합체 생성물을 재침전시킨 다음, 여과시켰다. 생성물을 정제하기 위해, 중합체 생성물로 용해에서 재침전까지의 상기한 공정을 1회 이상 반복시켰다. 중량-평균 분자량이 약 12,570이고 분산도가 2.22인 공중합체를 75.4%의 수율로 수득하였다. 이로써 수득한 공중합체는 수지 A2라 하였다.
수지 합성 실시예 3
(1-(1-아다만틸)-1-메틸에틸 아크릴레이트/노르보르넨/이타콘산 무수물 공중합체의 합성: 수지 A3)
1-(1-아다만틸)-1-메틸에틸 아크릴레이트 10.0g, 노르보르넨 2.8g 및 이타콘산 무수물 3.4g(몰 비=4:3:3)을 반응 용기에 충전시켰다. 여기에, 단량체 총량을 기준으로 하여 2배 중량의 메틸에틸케톤을 가하여 단량체 용액을 형성하고, 생성된 용액을 질소 대기하에 80℃로 가열하였다. 이어서, 단량체의 총량을 기준으로 하여 2몰%의 양의 2,2'-아조비스이소부티로니트릴을 가하고, 생성된 용액은 80℃에서 약 8시간 동안 추가로 교반한 다음, 냉각시켰다. 냉각 후, 반응 용액을 다량의 메탄올과 혼합하여 중합체 생성물을 침전시킨 다음, 여과시켰다. 여과에 의해 수득된 중합체 생성물을 메틸에틸케톤에 용해시키고, 수득된 용액을 다량의 메탄올과 혼합하여 중합체 생성물을 재침전시킨 다음, 여과시켰다. 생성물을 정제하기 위해, 중합체 생성물로 용해에서 재침전까지의 상기한 공정을 1회 이상 반복시켰다. 중량-평균 분자량이 약 5,200이고 분산도가 1.32인 공중합체를 15.3%의 수율로 수득하였다. 이로써 수득한 공중합체는 수지 A3이라 하였다.
수지 합성 실시예 4
(3급-부틸 5-노르보르넨-2-카복실레이트/말레산 무수물 공중합체의 합성: 비교용 수지 AX)
3급-부틸 5-노르보르넨-2-카복실레이트 15.0g(77.2mmol) 및 말레산 무수물 7.57g(77.2mmol)을 반응 용기에 충전시켰다. 여기에, 1,4-디옥산 45g을 가하여 단량체 용액을 형성하고, 생성된 용액을 질소 대기하에 80℃로 가열하였다. 이어서, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 0.25g을 가하고, 생성된 용액은 80℃에서 약 48시간 동안 추가로 교반한 다음, 냉각시켰다. 냉각 후, 반응 용액을 다량의 헵탄과 혼합하여 중합체 생성물을 침전시킨 다음, 여과시켰다. 여과에 의해 수득된 중합체 생성물을 1,4-디옥산에 용해시키고, 수득된 용액을 다량의 헵탄과 혼합하여 중합체 생성물을 재침전시킨 다음, 여과시켰다. 생성물을 정제하기 위해, 중합체 생성물로 용해에서 재침전까지의 상기한 공정을 1회 이상 반복시켰다. 중량-평균 분자량이 약 4,750이고 분산도가 1.6인 공중합체를 수득하였다. 이로써 수득한 공중합체는 수지 AX라 하였다.
내식막 조성물은 상기한 수지 합성 실시예에서 수득한 수지와 하기의 산 생성제 및 퀀처를 사용하여 제조한다.
<산 생성제>
B1: p-톨릴디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트
B2: p-톨릴디페닐설포늄 퍼플루오로옥탄설포네이트
B3: 사이클로헥실메틸 (2-옥소사이클로헥실) 설포늄 트리플루오로메탄설포네이트
<퀀처>
C1: 2,6-디이소프로필아닐린
C2: 2,6-루티딘
실시예 1 내지 5 및 비교 실시예
하기하는 성분들을 혼합하고 용해시켰다. 생성된 용액은 공극 크기가 0.2㎛인 불소 수지 필터를 통해 여과시켜 내식막 용액을 수득하였다.
수지(표 1에 열거되어 있음) 10부;
산 생성제(이의 양 및 종류는 하기 표 1에 열거되어 있음);
퀀처(이의 양 및 종류는 하기 표 1에 열거되어 있음) ;
용매: 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 57부;
γ-부티로락톤 3부.
실리콘 웨퍼상에 조성물 "DUV-30J-14"(Brewer Co. Ltd.)를 도포하고 215℃의 조건하에 60초 동안 베이킹하여 두께가 1,600Å인 유기 굴절 방지막을 웨이퍼상에 형성시켰다. 상기에서 수득한 내식막 조성물을 상기한 웨이퍼상에 방사피복시켜 도포하여, 건조시킨 후 두께가 0.39㎛인 피막이 수득되었다. 내식막 용액을 도포한 후, 웨이퍼를 표 1의 칼럼 "PB"에 나타낸 온도의 핫플레이트상에서 직접 60초 동안 예비 베이킹시켰다.
형성된 내식막을 갖는 웨이퍼는 노출량을 단계적으로 변화시키면서 선- 및 공간-패턴을 통해 ArF 엑시머 스텝퍼(stepper)["NSR-ArF"; Nikon, NA=0.55, σ=0.6]로 조사시켰다. 노출시킨 웨이퍼는 60초 동안 표 1의 칼럼 "PEB"에 나타낸 온도의 핫플레이트상에서 노출후 베이킹(post-exposure baking; PEB)시켰다. 이어서, 웨이퍼는 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드 수용액 2.38중량%를 사용하여 60초 동안 패들 현상(paddle development)시켰다. 현상된 밝은 영역의 패턴은 주사 전자 현미경으로 관찰하고 하기 방법에 의해 유효 감광도 및 해상도를 평가하였다:
유효 감광도: 이는 0.18㎛의 1:1의 선- 및 -공간 패턴을 생성하는 최소 노출 량으로 표현된다.
해상도: 유효 감광도의 노출량에서 구분되는 선- 및 -공간 패턴을 생성하는 최소 크기로 표현된다.
밝은 영역 패턴은, 크로뮴 층(광 불투과 층)으로 형성된 외부 프레임과 유리 기판 표면(광 투과 부분)상에 형성된 선형 크로뮴 층(광 불투과 층)을 포함하는 레티클(reticle)을 노출시키고 현상하여 수득하였다. 따라서, 노출 및 현상 후, 선 및 공간 패턴을 둘러싸는 내식막 층의 일부는, 선 및 공간 패턴의 외부에 남겨진 외부 프레임에 상응하게 내식막 층의 일부와 함께 제거된다.
수지 산 생성제 (부) 퀀처 (부) PB(℃) PEB(℃) 유효 감광도 (mJ/㎠) 해상도 (㎛)
실시예 1 A1 B1(0.1) C1(0.0075) 140 115 20 0.17
실시예 2 A1 B2(0.2) C1(0.015) 120 105 58 0.15
실시예 3 A1 B2(0.2) B3(0.5) C1(0.015) C2(0.01) 120 105 38 0.17
실시예 4 A2 B1(0.1) C1(0.0075) 140 130 44 0.17
실시예 5 A3 B1(0.1) C1(0.0075) 140 110 15 0.17
비교실시예 AX B1(0.1) C1(0.0075) 130 130 82 0.18
실시예 1 내지 5의 내식막 조성물은 기판에 대한 우수한 접착성을 부여하고 건조 에칭 내성을 부여한다.
본 발명의 화학적으로 증폭된 포지티브 내식막 조성물은 감광도 및 해상도뿐만 아니라 다른 내식막 성능 특성도 우수하다. 따라서, 반도체 미세 가공에 사용하기에 적합하고 높은 성능을 갖는 내식막 패턴을 생성한다.

Claims (7)

  1. 자체가 알칼리에 불용성이거나 난용성이지만 산 작용에 의해 알칼리에 가용성이 되며 (a) 1-아다만틸-1-알킬알킬 (메트)아크릴레이트로부터 유도된, 화학식 1의 중합체 단위, (b) 지환족 올레핀으로부터 유도된, 화학식 2의 중합체 단위 및 (c) 말레산 무수물 및 이타콘산 무수물로부터 선택되는 불포화 디카복실산 무수물로부터 유도된 중합체 단위를 갖는 수지(X); 및
    산 생성제(Y)를 포함하는, 화학적으로 증폭된 포지티브 내식막 조성물.
    화학식 1
    Figure 112007015255874-pat00011
    화학식 2
    Figure 112007015255874-pat00012
    상기식에서,
    R1은 수소 또는 메틸이고,
    R2 및 R3은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 하이드록실 또는 알킬이고,
    R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 3의 알킬, 탄소수 1 내지 3의 하이드록시알킬, 카복실, 시아노 또는 -COOR8의 그룹(여기서, R8은 탄소수 1 내지 8의 치환되지 않거나 치환된 알킬, 2-옥소옥솔란-3-일 또는 2-옥소옥솔란-4-일이다)이거나, R6과 R7은 함께 화학식 -C(=O)OC(=O)-의 카복실산 무수물 잔기를 형성한다.
  2. 제1항에 있어서, 1-아다만틸-1-알킬알킬 (메트)아크릴레이트가 1-(1-아다만틸)-1-알킬알킬 (메트)아크릴레이트인, 화학적으로 증폭된 포지티브 내식막 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 화학식 1의 R1이 수소인, 화학적으로 증폭된 포지티브 내식막 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 화학식 1의 중합체 단위가 유도되는 1-아다만틸-1-알킬알킬 (메트)아크릴레이트; 화학식 2의 중합체 단위가 유도되는 지환족 올레핀; 및 말레산 무수물 및 이타콘산 무수물로부터 선택된 불포화된 디카복실산 무수물을 포함하는 단량체의 공중합에 의해 수득되고, 이때 공중합에 사용되는 모든 단량체의 총량 을 기준으로 하여, 1-아다만틸-1-알킬알킬 (메트)아크릴레이트의 양이 5 내지 60몰%이고 지환족 올레핀 및 불포화 디카복실산 무수물의 총량이 10 내지 95몰%인, 화학적으로 증폭된 포지티브 내식막 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 수지(X)가 1-아다만틸 (메트)아크릴레이트로부터 유도된, 하기 화학식 5의 중합체 단위를 추가로 포함하는, 화학적으로 증폭된 포지티브 내식막 조성물.
    화학식 5
    Figure 112001001533210-pat00013
    상기식에서,
    R9는 수소 또는 메틸이고,
    R10은 수소 또는 하이드록실이다.
  6. 제5항에 있어서, 화학식 5의 R9가 수소인, 화학적으로 증폭된 포지티브 내식막 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 퀀처로서 아민 화합물을 추가로 포함하는, 화학적으로 증폭된 포지티브 내식막 조성물.
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4529245B2 (ja) * 1999-12-03 2010-08-25 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
US6777157B1 (en) * 2000-02-26 2004-08-17 Shipley Company, L.L.C. Copolymers and photoresist compositions comprising same
US6727039B2 (en) * 2000-09-25 2004-04-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photoresist composition
TWI293402B (en) * 2001-02-25 2008-02-11 Shipley Co Llc Novel copolymers and photoresist compositions
US6635401B2 (en) * 2001-06-21 2003-10-21 International Business Machines Corporation Resist compositions with polymers having 2-cyano acrylic monomer
DE10131488B4 (de) * 2001-06-29 2006-01-19 Infineon Technologies Ag Verfahren zur chemischen Nachverstärkung von Photoresists im UV-Bereich
US10539561B1 (en) 2001-08-30 2020-01-21 Customarray, Inc. Enzyme-amplified redox microarray detection process
US20030232273A1 (en) * 2001-10-09 2003-12-18 Shipley Company, L.L.C. Acetal/alicyclic polymers and photoresist compositions
JP3895224B2 (ja) * 2001-12-03 2007-03-22 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
CN100520578C (zh) * 2001-12-03 2009-07-29 东京应化工业株式会社 正型抗蚀剂组合物及使用其形成抗蚀图形的方法
JP3822101B2 (ja) * 2001-12-26 2006-09-13 株式会社ルネサステクノロジ 感放射線組成物及びパタン形成方法及び半導体装置の製造方法
US6677419B1 (en) * 2002-11-13 2004-01-13 International Business Machines Corporation Preparation of copolymers
JP4434762B2 (ja) * 2003-01-31 2010-03-17 東京応化工業株式会社 レジスト組成物
US20060102471A1 (en) 2004-11-18 2006-05-18 Karl Maurer Electrode array device having an adsorbed porous reaction layer
US20070034513A1 (en) 2005-03-25 2007-02-15 Combimatrix Corporation Electrochemical deblocking solution for electrochemical oligomer synthesis on an electrode array
US9394167B2 (en) 2005-04-15 2016-07-19 Customarray, Inc. Neutralization and containment of redox species produced by circumferential electrodes
US20070065877A1 (en) 2005-09-19 2007-03-22 Combimatrix Corporation Microarray having a base cleavable succinate linker
US8855955B2 (en) * 2005-09-29 2014-10-07 Custom Array, Inc. Process and apparatus for measuring binding events on a microarray of electrodes
US7749680B2 (en) * 2007-01-05 2010-07-06 Hynix Semiconductor Inc. Photoresist composition and method for forming pattern of a semiconductor device
KR100933984B1 (ko) * 2007-11-26 2009-12-28 제일모직주식회사 신규 공중합체 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR101111491B1 (ko) * 2009-08-04 2012-03-14 금호석유화학 주식회사 신규 공중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물
WO2011090793A2 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Customarray, Inc. Multiplex microarray of serially deposited biomolecules on a microarray

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0794458A2 (en) * 1996-03-08 1997-09-10 Lucent Technologies Inc. An energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
JPH11305444A (ja) * 1998-02-19 1999-11-05 Sumitomo Chem Co Ltd 化学増幅型ポジ型レジスト組成物

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100573659B1 (ko) * 1998-05-25 2006-04-26 다이셀 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 산감응성 화합물 및 포토레지스트용 수지 조성물
KR100547078B1 (ko) * 1998-05-25 2006-01-31 다이셀 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포토레지스트용 화합물 및 포토레지스트용 수지 조성물
KR100292406B1 (ko) 1998-06-11 2001-07-12 윤종용 감광성중합체,용해억제제및이들을포함하는화학증폭형포토레지스트조성물
CN1190706C (zh) * 1998-08-26 2005-02-23 住友化学工业株式会社 一种化学增强型正光刻胶组合物
TWI224241B (en) 1999-04-28 2004-11-21 Jsr Corp Positive resist composition
ATE315245T1 (de) 1999-09-17 2006-02-15 Jsr Corp Strahlungsempfindliche harzzusammensetzung

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0794458A2 (en) * 1996-03-08 1997-09-10 Lucent Technologies Inc. An energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
JPH11305444A (ja) * 1998-02-19 1999-11-05 Sumitomo Chem Co Ltd 化学増幅型ポジ型レジスト組成物

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