JP2001209180A - 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
化学増幅型ポジ型レジスト組成物Info
- Publication number
- JP2001209180A JP2001209180A JP2000013848A JP2000013848A JP2001209180A JP 2001209180 A JP2001209180 A JP 2001209180A JP 2000013848 A JP2000013848 A JP 2000013848A JP 2000013848 A JP2000013848 A JP 2000013848A JP 2001209180 A JP2001209180 A JP 2001209180A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- alkyl
- resin
- anhydride
- adamantyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
- Y10S430/111—Polymer of unsaturated acid or ester
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板への接着性や耐ドライエッチング性に優
れ、また解像度や感度などの各種レジスト性能が良好な
化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。 【解決手段】 式（Ｉ）及び（II） （式中、Ｒ1 は水素又はメチルを表し、Ｒ2 及びＲ3 は
炭素数１〜４のアルキルを表し、Ｒ4 及びＲ5 は、水
素、水酸基又はアルキルを表し、Ｒ6 及びＲ7 は、水
素、炭素数１〜３のアルキル、炭素数１〜３のヒドロキ
シアルキル、カルボキシル、シアノ若しくは基−ＣＯＯ
Ｒ8 を表し、ここにＲ8 はアルコール残基を表すか、又
はＲ6 とＲ7 が一緒になって -C(=O)OC(=O)-で示される
カルボン酸無水物残基を形成する）で示される各重合単
位並びに無水マレイン酸又は無水イタコン酸の重合単位
を有し、それ自体はアルカリに不溶又は難溶であるが、
酸の作用でアルカリ可溶となる樹脂、並びに酸発生剤を
含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物。
れ、また解像度や感度などの各種レジスト性能が良好な
化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。 【解決手段】 式（Ｉ）及び（II） （式中、Ｒ1 は水素又はメチルを表し、Ｒ2 及びＲ3 は
炭素数１〜４のアルキルを表し、Ｒ4 及びＲ5 は、水
素、水酸基又はアルキルを表し、Ｒ6 及びＲ7 は、水
素、炭素数１〜３のアルキル、炭素数１〜３のヒドロキ
シアルキル、カルボキシル、シアノ若しくは基−ＣＯＯ
Ｒ8 を表し、ここにＲ8 はアルコール残基を表すか、又
はＲ6 とＲ7 が一緒になって -C(=O)OC(=O)-で示される
カルボン酸無水物残基を形成する）で示される各重合単
位並びに無水マレイン酸又は無水イタコン酸の重合単位
を有し、それ自体はアルカリに不溶又は難溶であるが、
酸の作用でアルカリ可溶となる樹脂、並びに酸発生剤を
含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の微細加工
に用いられる化学増幅型のポジ型レジスト組成物に関す
るものである。
に用いられる化学増幅型のポジ型レジスト組成物に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体の微細加工には通常、レジスト組
成物を用いたリソグラフィプロセスが採用されており、
リソグラフィにおいては、レイリー (Rayleigh) の回折
限界の式で表されるように、原理的には露光波長が短い
ほど解像度を上げることが可能である。半導体の製造に
用いられるリソグラフィ用露光光源は、波長４３６nmの
ｇ線、波長３６５nmのｉ線、波長２４８nmのＫｒＦエキ
シマレーザーと、年々短波長になってきており、次世代
の露光光源として、波長１９３nmのＡｒＦエキシマレー
ザーが有望視されている。
成物を用いたリソグラフィプロセスが採用されており、
リソグラフィにおいては、レイリー (Rayleigh) の回折
限界の式で表されるように、原理的には露光波長が短い
ほど解像度を上げることが可能である。半導体の製造に
用いられるリソグラフィ用露光光源は、波長４３６nmの
ｇ線、波長３６５nmのｉ線、波長２４８nmのＫｒＦエキ
シマレーザーと、年々短波長になってきており、次世代
の露光光源として、波長１９３nmのＡｒＦエキシマレー
ザーが有望視されている。
【０００３】ＡｒＦエキシマレーザー露光機に用いられ
るレンズは、従来の露光光源用のものに比べて寿命が短
いので、ＡｒＦエキシマレーザー光に曝される時間はで
きるだけ短いことが望ましい。そのためには、レジスト
の感度を高める必要があることから、露光により発生す
る酸の触媒作用を利用し、その酸により解裂する基を有
する樹脂を含有するいわゆる化学増幅型レジストが用い
られる。ＡｒＦエキシマレーザー露光用のレジストに用
いる樹脂は、レジストの透過率を確保するために芳香環
を持たず、またドライエッチング耐性を持たせるために
芳香環の代わりに脂環式環を有するものがよいことが知
られている。このような樹脂として例えば、D. C. Hofe
r, Journal of Photopolymer Science and Technology,
Vol.9,No.3, pp.387-398 (1996) に記載されるような
各種の樹脂が知られている。
るレンズは、従来の露光光源用のものに比べて寿命が短
いので、ＡｒＦエキシマレーザー光に曝される時間はで
きるだけ短いことが望ましい。そのためには、レジスト
の感度を高める必要があることから、露光により発生す
る酸の触媒作用を利用し、その酸により解裂する基を有
する樹脂を含有するいわゆる化学増幅型レジストが用い
られる。ＡｒＦエキシマレーザー露光用のレジストに用
いる樹脂は、レジストの透過率を確保するために芳香環
を持たず、またドライエッチング耐性を持たせるために
芳香環の代わりに脂環式環を有するものがよいことが知
られている。このような樹脂として例えば、D. C. Hofe
r, Journal of Photopolymer Science and Technology,
Vol.9,No.3, pp.387-398 (1996) に記載されるような
各種の樹脂が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来公
知の樹脂では、特にその極性が足りない場合に、現像時
の接着性不足から、現像剥がれを起こしやすいという問
題があった。また、リソグラフィで形成されたレジスト
パターンのレジスト層は、集積回路形成のためのドライ
エッチングの際に保護膜となることから、レジストに
は、耐ドライエッチング性に優れることも求められてい
る。
知の樹脂では、特にその極性が足りない場合に、現像時
の接着性不足から、現像剥がれを起こしやすいという問
題があった。また、リソグラフィで形成されたレジスト
パターンのレジスト層は、集積回路形成のためのドライ
エッチングの際に保護膜となることから、レジストに
は、耐ドライエッチング性に優れることも求められてい
る。
【０００５】本発明の目的は、樹脂成分と酸発生剤を含
有し、ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザーリソグラ
フィに適した化学増幅型のポジ型レジスト組成物であっ
て、基板への接着性や耐ドライエッチング性に優れ、ま
た解像度や感度などの各種のレジスト性能が良好なもの
を提供することにある。
有し、ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザーリソグラ
フィに適した化学増幅型のポジ型レジスト組成物であっ
て、基板への接着性や耐ドライエッチング性に優れ、ま
た解像度や感度などの各種のレジスト性能が良好なもの
を提供することにある。
【０００６】本発明者らは、化学増幅型のポジ型レジス
ト組成物を構成する樹脂として、特定構造の重合単位を
有するものを用いることにより、基板への接着性や耐ド
ライエッチング性が良好で、解像度や感度などの各種レ
ジスト性能のバランスに優れるものが得られることを見
出し、本発明を完成した。
ト組成物を構成する樹脂として、特定構造の重合単位を
有するものを用いることにより、基板への接着性や耐ド
ライエッチング性が良好で、解像度や感度などの各種レ
ジスト性能のバランスに優れるものが得られることを見
出し、本発明を完成した。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、酸に
より解裂する基が嵩高い特定の構造を有する（メタ）ア
クリル酸エステル系の重合単位、ノルボルネンなどの脂
環式オレフィン系の重合単位、及び不飽和ジカルボン酸
無水物の重合単位を有する樹脂、並びに酸発生剤を含有
してなる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供するも
のである。
より解裂する基が嵩高い特定の構造を有する（メタ）ア
クリル酸エステル系の重合単位、ノルボルネンなどの脂
環式オレフィン系の重合単位、及び不飽和ジカルボン酸
無水物の重合単位を有する樹脂、並びに酸発生剤を含有
してなる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供するも
のである。
【０００８】ここで、酸により解裂する基が嵩高い構造
を有する（メタ）アクリル酸エステル系の重合単位は、
具体的には（メタ）アクリル酸１−（アダマンチル）−
１−アルキルアルキルの重合単位であって、下式（Ｉ）
で示すことができ、また脂環式オレフィン系の重合単位
は、具体的には下式（II）で示すことができる。
を有する（メタ）アクリル酸エステル系の重合単位は、
具体的には（メタ）アクリル酸１−（アダマンチル）−
１−アルキルアルキルの重合単位であって、下式（Ｉ）
で示すことができ、また脂環式オレフィン系の重合単位
は、具体的には下式（II）で示すことができる。
【０００９】
【００１０】式中、Ｒ1 は水素又はメチルを表し、Ｒ2
及びＲ3 は互いに独立に、炭素数１〜４のアルキルを表
し、Ｒ4 及びＲ5 は互いに独立に、水素、水酸基又はア
ルキルを表し、Ｒ6 及びＲ7 は互いに独立に、水素、炭
素数１〜３のアルキル、炭素数１〜３のヒドロキシアル
キル、カルボキシル、シアノ若しくは基−ＣＯＯＲ8 を
表し、ここにＲ8 はアルコール残基を表すか、又はＲ6
とＲ7 が一緒になって、-C(=O)OC(=O)- で示されるカル
ボン酸無水物残基を形成する。
及びＲ3 は互いに独立に、炭素数１〜４のアルキルを表
し、Ｒ4 及びＲ5 は互いに独立に、水素、水酸基又はア
ルキルを表し、Ｒ6 及びＲ7 は互いに独立に、水素、炭
素数１〜３のアルキル、炭素数１〜３のヒドロキシアル
キル、カルボキシル、シアノ若しくは基−ＣＯＯＲ8 を
表し、ここにＲ8 はアルコール残基を表すか、又はＲ6
とＲ7 が一緒になって、-C(=O)OC(=O)- で示されるカル
ボン酸無水物残基を形成する。
【００１１】また、不飽和ジカルボン酸無水物の重合単
位は、具体的には無水マレイン酸の重合単位及び無水イ
タコン酸の重合単位から選ばれ、それぞれ下式(III) 及
び下式（VI）で示すことができる。
位は、具体的には無水マレイン酸の重合単位及び無水イ
タコン酸の重合単位から選ばれ、それぞれ下式(III) 及
び下式（VI）で示すことができる。
【００１２】
【００１３】
【発明の実施の形態】式（II）の単位に導くためのモノ
マーに包含されるノルボルネンと式(III) の単位に導く
ためのモノマーである無水マレイン酸との交互共重合体
を、ＡｒＦエキシマレーザー露光用レジストの樹脂に用
いることは、 T. I. Wallow et al.,Proc. SPIE, Vol.2
724, pp.355-364 (1996) に記載されている。本発明で
は、式（II）で示される脂環式オレフィンの重合単位及
び不飽和ジカルボン酸無水物の重合単位とともに、式
（Ｉ）で示され、嵩高い保護基を有する（メタ）アクリ
ル酸１−（アダマンチル）−１−アルキルアルキルの重
合単位を組み合わせることにより、ドライエッチング耐
性、解像度及び接着性の改善が図られる。
マーに包含されるノルボルネンと式(III) の単位に導く
ためのモノマーである無水マレイン酸との交互共重合体
を、ＡｒＦエキシマレーザー露光用レジストの樹脂に用
いることは、 T. I. Wallow et al.,Proc. SPIE, Vol.2
724, pp.355-364 (1996) に記載されている。本発明で
は、式（II）で示される脂環式オレフィンの重合単位及
び不飽和ジカルボン酸無水物の重合単位とともに、式
（Ｉ）で示され、嵩高い保護基を有する（メタ）アクリ
ル酸１−（アダマンチル）−１−アルキルアルキルの重
合単位を組み合わせることにより、ドライエッチング耐
性、解像度及び接着性の改善が図られる。
【００１４】式（Ｉ）中のＲ1 は水素又はアルキルであ
るが、このＲ1 が水素のもの、すなわちアクリル酸エス
テルをモノマーとする場合には、基板への接着性や耐ド
ライエッチング性の改良効果が一層顕著である。Ｒ2 及
びＲ3 は、それぞれ炭素数１〜４のアルキルであり、こ
のアルキルは通常、直鎖であるのが有利であるが、分岐
していてもよい。具体的には、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチルなどが挙げられる。Ｒ4 及び
Ｒ5 はアダマンタン環の任意の位置に置換しうる基を意
味し、それぞれ独立に、水素、水酸基又はアルキルであ
る。この場合のアルキルも、炭素数１〜４程度でよい。
この式中のアダマンタン環は、１−位及び２−位のいず
れで四級炭素に結合してもよいが、通常は１−アダマン
チルであるのが有利である。
るが、このＲ1 が水素のもの、すなわちアクリル酸エス
テルをモノマーとする場合には、基板への接着性や耐ド
ライエッチング性の改良効果が一層顕著である。Ｒ2 及
びＲ3 は、それぞれ炭素数１〜４のアルキルであり、こ
のアルキルは通常、直鎖であるのが有利であるが、分岐
していてもよい。具体的には、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチルなどが挙げられる。Ｒ4 及び
Ｒ5 はアダマンタン環の任意の位置に置換しうる基を意
味し、それぞれ独立に、水素、水酸基又はアルキルであ
る。この場合のアルキルも、炭素数１〜４程度でよい。
この式中のアダマンタン環は、１−位及び２−位のいず
れで四級炭素に結合してもよいが、通常は１−アダマン
チルであるのが有利である。
【００１５】式（Ｉ）で示される（メタ）アクリル酸１
−（アダマンチル）−１−アルキルアルキルの重合単位
に導くためのモノマーとして、具体的には例えば、次の
ような化合物を挙げることができる。
−（アダマンチル）−１−アルキルアルキルの重合単位
に導くためのモノマーとして、具体的には例えば、次の
ような化合物を挙げることができる。
【００１６】アクリル酸１−（１−アダマンチル）−１
−メチルエチル、メタクリル酸１−（１−アダマンチ
ル）−１−メチルエチル、アクリル酸１−（１−アダマ
ンチル）−１−エチルプロピル、アクリル酸１−（３−
ヒドロキシ−１−アダマンチル）−１−メチルエチル、
アクリル酸１−（３−メチル−１−アダマンチル）−１
−メチルエチルなど。
−メチルエチル、メタクリル酸１−（１−アダマンチ
ル）−１−メチルエチル、アクリル酸１−（１−アダマ
ンチル）−１−エチルプロピル、アクリル酸１−（３−
ヒドロキシ−１−アダマンチル）−１−メチルエチル、
アクリル酸１−（３−メチル−１−アダマンチル）−１
−メチルエチルなど。
【００１７】式（II）中のＲ6 及びＲ7 はそれぞれ、水
素、炭素数１〜３のアルキル、炭素数１〜３のヒドロキ
シアルキル、カルボキシル、シアノ又は基−ＣＯＯＲ8
であることができ、ここにＲ8 はアルコール残基を表
す。さらには、Ｒ6 とＲ7 が一緒になって、-C(=O)OC(=
O)- で示されるカルボン酸無水物残基を形成することも
できる。Ｒ6 及び／又はＲ7 がアルキルである場合の具
体例としては、メチル、エチル、プロピルなどが挙げら
れ、同じくヒドロキシアルキルである場合の具体例とし
ては、ヒドロキシメチル、２−ヒドロキシエチルなどが
挙げられる。Ｒ6及び／又はＲ7 が基−ＣＯＯＲ8 であ
る場合は、カルボキシルがエステルとなったものであ
り、Ｒ8 に相当するアルコール残基としては、例えば、
置換されていてもよい炭素数１〜８程度のアルキル、２
−オキソオキソラン−３−又は−４−イルなどを挙げる
ことができ、ここにアルキルの置換基としては、水酸基
や脂環式炭化水素残基などが挙げられる。そこで、Ｒ6
及び／又はＲ7 が−ＣＯＯＲ8で示されるカルボン酸エ
ステル残基である場合の具体例としては、メトキシカル
ボニル、エトキシカルボニル、２−ヒドロキシエトキシ
カルボニル、tert−ブトキシカルボニル、２−オキソオ
キソラン−３−イルオキシカルボニル、２−オキソオキ
ソラン−４−イルオキシカルボニル、１，１，２−トリ
メチルプロポキシカルボニル、１−シクロヘキシル−１
−メチルエトキシカルボニル、１−（４−メチルシクロ
ヘキシル）−１−メチルエトキシカルボニル、１−（１
−アダマンチル）−１−メチルエトキシカルボニルなど
が挙げられる。
素、炭素数１〜３のアルキル、炭素数１〜３のヒドロキ
シアルキル、カルボキシル、シアノ又は基−ＣＯＯＲ8
であることができ、ここにＲ8 はアルコール残基を表
す。さらには、Ｒ6 とＲ7 が一緒になって、-C(=O)OC(=
O)- で示されるカルボン酸無水物残基を形成することも
できる。Ｒ6 及び／又はＲ7 がアルキルである場合の具
体例としては、メチル、エチル、プロピルなどが挙げら
れ、同じくヒドロキシアルキルである場合の具体例とし
ては、ヒドロキシメチル、２−ヒドロキシエチルなどが
挙げられる。Ｒ6及び／又はＲ7 が基−ＣＯＯＲ8 であ
る場合は、カルボキシルがエステルとなったものであ
り、Ｒ8 に相当するアルコール残基としては、例えば、
置換されていてもよい炭素数１〜８程度のアルキル、２
−オキソオキソラン−３−又は−４−イルなどを挙げる
ことができ、ここにアルキルの置換基としては、水酸基
や脂環式炭化水素残基などが挙げられる。そこで、Ｒ6
及び／又はＲ7 が−ＣＯＯＲ8で示されるカルボン酸エ
ステル残基である場合の具体例としては、メトキシカル
ボニル、エトキシカルボニル、２−ヒドロキシエトキシ
カルボニル、tert−ブトキシカルボニル、２−オキソオ
キソラン−３−イルオキシカルボニル、２−オキソオキ
ソラン−４−イルオキシカルボニル、１，１，２−トリ
メチルプロポキシカルボニル、１−シクロヘキシル−１
−メチルエトキシカルボニル、１−（４−メチルシクロ
ヘキシル）−１−メチルエトキシカルボニル、１−（１
−アダマンチル）−１−メチルエトキシカルボニルなど
が挙げられる。
【００１８】本発明で特定する樹脂は、以上説明したよ
うな、式（Ｉ）で示される（メタ）アクリル酸１−（ア
ダマンチル）−１−アルキルアルキルの重合単位、式
（II）で示される脂環式オレフィン系の重合単位並び
に、無水マレイン酸及び／又は無水イタコン酸の重合単
位を必須に有するものであるが、この樹脂はまた、これ
ら以外の重合単位を有することもできる。
うな、式（Ｉ）で示される（メタ）アクリル酸１−（ア
ダマンチル）−１−アルキルアルキルの重合単位、式
（II）で示される脂環式オレフィン系の重合単位並び
に、無水マレイン酸及び／又は無水イタコン酸の重合単
位を必須に有するものであるが、この樹脂はまた、これ
ら以外の重合単位を有することもできる。
【００１９】任意に含有しうる他の重合単位は、芳香環
を持たず、そして脂環式環、ラクトン残基、環状酸無水
物残基などの環状構造を持つものが好ましい。脂環式環
は、特に脂環式炭化水素残基、それも架橋炭化水素環で
あるのが好ましく、例えば、ボルナン環、ノルボルナン
環、トリシクロデカン環、テトラシクロドデカン環、ア
ダマンタン環などが挙げられる。より具体的には、（メ
タ）アクリル酸の脂環式エステルから導かれる重合単
位、脂環式カルボン酸のビニルエステル又はイソプロペ
ニルエステルから導かれる重合単位などを挙げることが
できる。さらに、遊離のカルボキシル基やアルコール性
水酸基を部分的に含有することもできる。とりわけ、下
式（Ｖ）で示される（メタ）アクリル酸１−アダマンチ
ル系の重合単位を含有させることは、接着性やドライエ
ッチング耐性を高めるうえで好ましい。
を持たず、そして脂環式環、ラクトン残基、環状酸無水
物残基などの環状構造を持つものが好ましい。脂環式環
は、特に脂環式炭化水素残基、それも架橋炭化水素環で
あるのが好ましく、例えば、ボルナン環、ノルボルナン
環、トリシクロデカン環、テトラシクロドデカン環、ア
ダマンタン環などが挙げられる。より具体的には、（メ
タ）アクリル酸の脂環式エステルから導かれる重合単
位、脂環式カルボン酸のビニルエステル又はイソプロペ
ニルエステルから導かれる重合単位などを挙げることが
できる。さらに、遊離のカルボキシル基やアルコール性
水酸基を部分的に含有することもできる。とりわけ、下
式（Ｖ）で示される（メタ）アクリル酸１−アダマンチ
ル系の重合単位を含有させることは、接着性やドライエ
ッチング耐性を高めるうえで好ましい。
【００２０】
【００２１】式中、Ｒ9 は水素又はメチルを表し、Ｒ10
は水素又は水酸基を表す。
は水素又は水酸基を表す。
【００２２】以上のような樹脂に含まれる（メタ）アク
リル酸エステルの重合単位は、メタクル酸エステルより
もアクリル酸エステルのほうが、ドライエッチング時に
開重合して分子量が低下するという現象が起こりにくい
と考えられるので、より好ましい。例えば、式（Ｉ）に
おけるＲ1 及び式（Ｖ）におけるＲ9 は、それぞれ水素
であるのが好ましい。
リル酸エステルの重合単位は、メタクル酸エステルより
もアクリル酸エステルのほうが、ドライエッチング時に
開重合して分子量が低下するという現象が起こりにくい
と考えられるので、より好ましい。例えば、式（Ｉ）に
おけるＲ1 及び式（Ｖ）におけるＲ9 は、それぞれ水素
であるのが好ましい。
【００２３】化学増幅型ポジ型レジスト用の樹脂は一般
に、それ自体ではアルカリに不溶ないし難溶であるが、
酸の作用により一部の基が解裂し、解裂後はアルカリ可
溶性となるものであり、本発明に用いる樹脂では、前記
式（Ｉ）中のエステル基が酸の作用により解裂する。し
たがって、式（Ｉ）の重合単位を有することにより、こ
の樹脂を含有するレジスト組成物はポジ型に作用する
が、必要に応じて、酸の作用により解裂する基を持つ他
の重合単位を有してもよい。
に、それ自体ではアルカリに不溶ないし難溶であるが、
酸の作用により一部の基が解裂し、解裂後はアルカリ可
溶性となるものであり、本発明に用いる樹脂では、前記
式（Ｉ）中のエステル基が酸の作用により解裂する。し
たがって、式（Ｉ）の重合単位を有することにより、こ
の樹脂を含有するレジスト組成物はポジ型に作用する
が、必要に応じて、酸の作用により解裂する基を持つ他
の重合単位を有してもよい。
【００２４】酸の作用により解裂する他の基として、具
体的には、カルボン酸の各種エステル、例えば、tert−
ブチルエステルに代表される炭素数１〜６程度のアルキ
ルエステル、メトキシメチルエステル、エトキシメチル
エステル、１−エトキシエチルエステル、１−イソブト
キシエチルエステル、１−イソプロポキシエチルエステ
ル、１−エトキシプロピルエステル、１−（２−メトキ
シエトキシ）エチルエステル、１−（２−アセトキシエ
トキシ）エチルエステル、１−〔２−（１−アダマンチ
ルオキシ）エトキシ〕エチルエステル、１−〔２−（１
−アダマンタンカルボニルオキシ）エトキシ〕エチルエ
ステル、テトラヒドロ−２−フリルエステル及びテトラ
ヒドロ−２−ピラニルエステルのようなアセタール型エ
ステル、イソボルニルエステルのような脂環式エステル
などが挙げられる。このようなカルボン酸エステルを有
する重合単位へ導くためのモノマーは、メタクリル酸エ
ステルやアクリル酸エステルのようなアクリル系のもの
でもよいし、ノルボルネンカルボン酸エステル、トリシ
クロデセンカルボン酸エステル、テトラシクロデセンカ
ルボン酸エステルのように、カルボン酸エステル基が脂
環式モノマーに結合したものでもよく、さらには、Iwas
a et al, Journal of Photopolymer Scienceand Techno
logy, Vol.9, No.3, pp.447-456 (1996) に記載される
ような、脂環式カルボン酸エステルの脂環式基がアクリ
ル酸又はメタクリル酸とエステルを形成したものでもよ
い。
体的には、カルボン酸の各種エステル、例えば、tert−
ブチルエステルに代表される炭素数１〜６程度のアルキ
ルエステル、メトキシメチルエステル、エトキシメチル
エステル、１−エトキシエチルエステル、１−イソブト
キシエチルエステル、１−イソプロポキシエチルエステ
ル、１−エトキシプロピルエステル、１−（２−メトキ
シエトキシ）エチルエステル、１−（２−アセトキシエ
トキシ）エチルエステル、１−〔２−（１−アダマンチ
ルオキシ）エトキシ〕エチルエステル、１−〔２−（１
−アダマンタンカルボニルオキシ）エトキシ〕エチルエ
ステル、テトラヒドロ−２−フリルエステル及びテトラ
ヒドロ−２−ピラニルエステルのようなアセタール型エ
ステル、イソボルニルエステルのような脂環式エステル
などが挙げられる。このようなカルボン酸エステルを有
する重合単位へ導くためのモノマーは、メタクリル酸エ
ステルやアクリル酸エステルのようなアクリル系のもの
でもよいし、ノルボルネンカルボン酸エステル、トリシ
クロデセンカルボン酸エステル、テトラシクロデセンカ
ルボン酸エステルのように、カルボン酸エステル基が脂
環式モノマーに結合したものでもよく、さらには、Iwas
a et al, Journal of Photopolymer Scienceand Techno
logy, Vol.9, No.3, pp.447-456 (1996) に記載される
ような、脂環式カルボン酸エステルの脂環式基がアクリ
ル酸又はメタクリル酸とエステルを形成したものでもよ
い。
【００２５】本発明で用いる樹脂は、パターニング露光
用の放射線の種類や任意に含まれる他の重合単位の種類
などによっても変動するが、一般には、式（Ｉ）で示さ
れる重合単位へ導くための（メタ）アクリル酸１−（ア
ダマンチル）−１−アルキルアルキルを５〜６０モル％
の範囲で、そして式（II）で示される重合単位へ導くた
めの脂環式オレフィン系モノマー並びに無水マレイン酸
及び／又は無水イタコン酸を合計１０〜９５モル％の範
囲で用い、必要により他のモノマーを組み合わせて共重
合させるのが好ましい。式（II）の単位へ導くための脂
環式オレフィンと無水マレイン酸又は無水イタコン酸と
の共重合部分は通常、交互共重合体になる。式（Ｉ）で
示される（メタ）アクリル酸１−（アダマンチル）−１
−アルキルアルキルの重合単位、式（II）で示される脂
環式オレフィン系重合単位及び無水マレイン酸又は無水
イタコン酸の重合単位へ導くための各モノマーの合計
は、他のモノマーを併用する場合であっても、モノマー
全体の中で少なくとも４０モル％、好ましくは５０モル
％以上を占めるようにして共重合を行うのが有利であ
る。また、式（Ｖ）で示される（メタ）アクリル酸−１
−アダマンチル系の重合単位を導入する場合は、対応す
るモノマーを６０モル％以下、好ましくは５０モル％以
下の範囲で使用しうる。
用の放射線の種類や任意に含まれる他の重合単位の種類
などによっても変動するが、一般には、式（Ｉ）で示さ
れる重合単位へ導くための（メタ）アクリル酸１−（ア
ダマンチル）−１−アルキルアルキルを５〜６０モル％
の範囲で、そして式（II）で示される重合単位へ導くた
めの脂環式オレフィン系モノマー並びに無水マレイン酸
及び／又は無水イタコン酸を合計１０〜９５モル％の範
囲で用い、必要により他のモノマーを組み合わせて共重
合させるのが好ましい。式（II）の単位へ導くための脂
環式オレフィンと無水マレイン酸又は無水イタコン酸と
の共重合部分は通常、交互共重合体になる。式（Ｉ）で
示される（メタ）アクリル酸１−（アダマンチル）−１
−アルキルアルキルの重合単位、式（II）で示される脂
環式オレフィン系重合単位及び無水マレイン酸又は無水
イタコン酸の重合単位へ導くための各モノマーの合計
は、他のモノマーを併用する場合であっても、モノマー
全体の中で少なくとも４０モル％、好ましくは５０モル
％以上を占めるようにして共重合を行うのが有利であ
る。また、式（Ｖ）で示される（メタ）アクリル酸−１
−アダマンチル系の重合単位を導入する場合は、対応す
るモノマーを６０モル％以下、好ましくは５０モル％以
下の範囲で使用しうる。
【００２６】この共重合は常法に従って行うことができ
る。例えば、所要の各モノマーを有機溶媒に溶解し、
２，２′−アゾビスイソブチロニトリルやジメチル
２，２′−アゾビス（２−メチルプロピオネート）のよ
うなアゾ化合物などの重合開始剤の存在下で重合反応を
行うことにより、本発明で特定する共重合樹脂を得るこ
とができる。反応終了後は、再沈澱などの方法により精
製するのが有利である。
る。例えば、所要の各モノマーを有機溶媒に溶解し、
２，２′−アゾビスイソブチロニトリルやジメチル
２，２′−アゾビス（２−メチルプロピオネート）のよ
うなアゾ化合物などの重合開始剤の存在下で重合反応を
行うことにより、本発明で特定する共重合樹脂を得るこ
とができる。反応終了後は、再沈澱などの方法により精
製するのが有利である。
【００２７】レジスト組成物を構成するもう一つの成分
である酸発生剤は、その物質自体に又はその物質を含む
レジスト組成物に、光や電子線などの放射線を作用させ
ることにより、その物質が分解して酸を発生する化合物
である。酸発生剤から発生する酸が前記樹脂に作用し
て、その樹脂中に存在する酸の作用で解裂する基を解裂
させることになる。このような酸発生剤には、例えば、
オニウム塩化合物、有機ハロゲン化合物、スルホン化合
物、スルホネート化合物などが包含される。具体的に
は、次のような化合物を挙げることができる。
である酸発生剤は、その物質自体に又はその物質を含む
レジスト組成物に、光や電子線などの放射線を作用させ
ることにより、その物質が分解して酸を発生する化合物
である。酸発生剤から発生する酸が前記樹脂に作用し
て、その樹脂中に存在する酸の作用で解裂する基を解裂
させることになる。このような酸発生剤には、例えば、
オニウム塩化合物、有機ハロゲン化合物、スルホン化合
物、スルホネート化合物などが包含される。具体的に
は、次のような化合物を挙げることができる。
【００２８】ジフェニルヨードニウム トリフルオロメ
タンスルホネート、４−メトキシフェニルフェニルヨー
ドニウム ヘキサフルオロアンチモネート、４−メト
キシフェニルフェニルヨードニウム トリフルオロメタ
ンスルホネート、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨ
ードニウム テトラフルオロボレート、ビス（４−tert
−ブチルフェニル）ヨードニウム ヘキサフルオロホス
フェート、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニ
ウム ヘキサフルオロアンチモネート、ビス（４−tert
−ブチルフェニル）ヨードニウム トリフルオロメタン
スルホネート、
タンスルホネート、４−メトキシフェニルフェニルヨー
ドニウム ヘキサフルオロアンチモネート、４−メト
キシフェニルフェニルヨードニウム トリフルオロメタ
ンスルホネート、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨ
ードニウム テトラフルオロボレート、ビス（４−tert
−ブチルフェニル）ヨードニウム ヘキサフルオロホス
フェート、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニ
ウム ヘキサフルオロアンチモネート、ビス（４−tert
−ブチルフェニル）ヨードニウム トリフルオロメタン
スルホネート、
【００２９】トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオ
ロホスフェート、トリフェニルスルホニウム ヘキサフ
ルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウム ト
リフルオロメタンスルホネート、４−メトキシフェニル
ジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネー
ト、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム ト
リフルオロメタンスルホネート、ｐ−トリルジフェニル
スルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、ｐ−
トリルジフェニルスルホニウム パーフルオロブタンス
ルホネート、ｐ−トリルジフェニルスルホニウム パー
フルオロオクタンスルホネート、２，４，６−トリメチ
ルフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタ
ンスルホネート、４−tert−ブチルフェニルジフェニル
スルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、４−
フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム ヘキサ
フルオロホスフェート、４−フェニルチオフェニルジフ
ェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
１−（２−ナフトイルメチル）チオラニウム ヘキサ
フルオロアンチモネート、１−（２−ナフトイルメチ
ル）チオラニウム トリフルオロメタンスルホネート、
４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネート、４−ヒドロキシ−１−
ナフチルジメチルスルホニウム トリフルオロメタンス
ルホネート、シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロ
ヘキシル）スルホニウム トリフルオロメタンスルホネ
ート、シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシ
ル）スルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、
シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）ス
ルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート、
ロホスフェート、トリフェニルスルホニウム ヘキサフ
ルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウム ト
リフルオロメタンスルホネート、４−メトキシフェニル
ジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネー
ト、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム ト
リフルオロメタンスルホネート、ｐ−トリルジフェニル
スルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、ｐ−
トリルジフェニルスルホニウム パーフルオロブタンス
ルホネート、ｐ−トリルジフェニルスルホニウム パー
フルオロオクタンスルホネート、２，４，６−トリメチ
ルフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタ
ンスルホネート、４−tert−ブチルフェニルジフェニル
スルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、４−
フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム ヘキサ
フルオロホスフェート、４−フェニルチオフェニルジフ
ェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
１−（２−ナフトイルメチル）チオラニウム ヘキサ
フルオロアンチモネート、１−（２−ナフトイルメチ
ル）チオラニウム トリフルオロメタンスルホネート、
４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネート、４−ヒドロキシ−１−
ナフチルジメチルスルホニウム トリフルオロメタンス
ルホネート、シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロ
ヘキシル）スルホニウム トリフルオロメタンスルホネ
ート、シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシ
ル）スルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、
シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）ス
ルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート、
【００３０】２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメ
チル）−１，３，５−トリアジン、２，４，６−トリス
（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−
フェニル−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，
５−トリアジン、２−（４−クロロフェニル）−４，６
−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジ
ン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス(ト
リクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（４
−メトキシ−１−ナフチル）−４，６−ビス（トリクロ
ロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（ベンゾ
［ｄ］［１，３］ジオキソラン−５−イル）−４，６−
ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（４−メトキシスチリル）−４，６−ビス(トリク
ロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（３，
４，５−トリメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリ
クロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（３，
４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロ
メチル）−１，３，５−トリアジン、２−（２，４−ジ
メトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチ
ル）−１，３，５−トリアジン、２−（２−メトキシス
チリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，
５−トリアジン、２−（４−ブトキシスチリル）−４，
６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジ
ン、２−（４−ペンチルオキシスチリル）−４，６−ビ
ス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
チル）−１，３，５−トリアジン、２，４，６−トリス
（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−
フェニル−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，
５−トリアジン、２−（４−クロロフェニル）−４，６
−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジ
ン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス(ト
リクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（４
−メトキシ−１−ナフチル）−４，６−ビス（トリクロ
ロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（ベンゾ
［ｄ］［１，３］ジオキソラン−５−イル）−４，６−
ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（４−メトキシスチリル）−４，６−ビス(トリク
ロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（３，
４，５−トリメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリ
クロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（３，
４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロ
メチル）−１，３，５−トリアジン、２−（２，４−ジ
メトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチ
ル）−１，３，５−トリアジン、２−（２−メトキシス
チリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，
５−トリアジン、２−（４−ブトキシスチリル）−４，
６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジ
ン、２−（４−ペンチルオキシスチリル）−４，６−ビ
ス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
【００３１】ジフェニル ジスルホン、ジ−ｐ−トリル
ジスルホン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（４−tert−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（２，４−キシリルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、
（ベンゾイル）（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、
ジスルホン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（４−tert−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（２，４−キシリルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、
（ベンゾイル）（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、
【００３２】１−ベンゾイル−１−フェニルメチル ｐ
−トルエンスルホネート（通称ベンゾイントシレー
ト）、２−ベンゾイル−２−ヒドロキシ−２−フェニル
エチル ｐ−トルエンスルホネート（通称α−メチロー
ルベンゾイントシレート）、１，２，３−ベンゼントリ
イル トリスメタンスルホネート、２，６−ジニトロベ
ンジル ｐ−トルエンスルホネート、２−ニトロベンジ
ル ｐ−トルエンスルホネート、４−ニトロベンジル
ｐ−トルエンスルホネート、
−トルエンスルホネート（通称ベンゾイントシレー
ト）、２−ベンゾイル−２−ヒドロキシ−２−フェニル
エチル ｐ−トルエンスルホネート（通称α−メチロー
ルベンゾイントシレート）、１，２，３−ベンゼントリ
イル トリスメタンスルホネート、２，６−ジニトロベ
ンジル ｐ−トルエンスルホネート、２−ニトロベンジ
ル ｐ−トルエンスルホネート、４−ニトロベンジル
ｐ−トルエンスルホネート、
【００３３】Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）スクシ
ンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホ
ニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチル
スルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカ
ルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル
オキシ）ナフタルイミド、Ｎ−（１０−カンファースル
ホニルオキシ）ナフタルイミドなど。
ンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホ
ニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチル
スルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカ
ルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル
オキシ）ナフタルイミド、Ｎ−（１０−カンファースル
ホニルオキシ）ナフタルイミドなど。
【００３４】また、一般に化学増幅型のポジ型レジスト
組成物においては、塩基性化合物、特に塩基性含窒素有
機化合物、例えばアミン類を、クェンチャーとして添加
することにより、露光後の引き置きに伴う酸の失活によ
る性能劣化を改良できることが知られており、本発明に
おいても、このような塩基性化合物、特にアミン類を配
合するのが好ましい。クェンチャーに用いられる塩基性
化合物の具体的な例としては、以下の各式で示されるよ
うなものが挙げられる。
組成物においては、塩基性化合物、特に塩基性含窒素有
機化合物、例えばアミン類を、クェンチャーとして添加
することにより、露光後の引き置きに伴う酸の失活によ
る性能劣化を改良できることが知られており、本発明に
おいても、このような塩基性化合物、特にアミン類を配
合するのが好ましい。クェンチャーに用いられる塩基性
化合物の具体的な例としては、以下の各式で示されるよ
うなものが挙げられる。
【００３５】
【００３６】式中、Ｒ11及びＲ12は互いに独立に、水
素、水酸基で置換されていてもよいアルキル、シクロア
ルキル又はアリールを表し、 Ｒ13、Ｒ14及びＲ15は互
いに独立に、水素、水酸基で置換されていてもよいアル
キル、シクロアルキル、アリール又はアルコキシを表
し、Ｒ16は水酸基で置換されていてもよいアルキル又は
シクロアルキルを表し、Ａはアルキレン、カルボニル又
はイミノを表す。Ｒ11〜Ｒ16で表されるアルキル及びＲ
13〜Ｒ15で表されるアルコキシは、それぞれ炭素数１〜
６程度であることができ、Ｒ11〜Ｒ16で表されるシクロ
アルキルは、炭素数５〜１０程度であることができ、そ
してＲ11〜Ｒ15で表されるアリールは、炭素数６〜１０
程度であることができる。また、Ａで表されるアルキレ
ンは、炭素数１〜６程度であることができ、直鎖でも分
岐していてもよい。
素、水酸基で置換されていてもよいアルキル、シクロア
ルキル又はアリールを表し、 Ｒ13、Ｒ14及びＲ15は互
いに独立に、水素、水酸基で置換されていてもよいアル
キル、シクロアルキル、アリール又はアルコキシを表
し、Ｒ16は水酸基で置換されていてもよいアルキル又は
シクロアルキルを表し、Ａはアルキレン、カルボニル又
はイミノを表す。Ｒ11〜Ｒ16で表されるアルキル及びＲ
13〜Ｒ15で表されるアルコキシは、それぞれ炭素数１〜
６程度であることができ、Ｒ11〜Ｒ16で表されるシクロ
アルキルは、炭素数５〜１０程度であることができ、そ
してＲ11〜Ｒ15で表されるアリールは、炭素数６〜１０
程度であることができる。また、Ａで表されるアルキレ
ンは、炭素数１〜６程度であることができ、直鎖でも分
岐していてもよい。
【００３７】本発明のレジスト組成物は、その全固形分
量を基準に、樹脂を８０〜９９.９重量％、そして酸発
生剤を０.１〜２０重量％の範囲で含有するのが好まし
い。クェンチャーとしての塩基性化合物を用いる場合
は、同じくレジスト組成物の全固形分量を基準に、０.
００１〜１重量％の範囲、さらには０.０１重量％以
上、また０.３重量％以下の割合で含有するのが好まし
い。この組成物はまた、必要に応じて、増感剤、溶解抑
止剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤、染料など、各種
の添加物を少量含有することもできる。
量を基準に、樹脂を８０〜９９.９重量％、そして酸発
生剤を０.１〜２０重量％の範囲で含有するのが好まし
い。クェンチャーとしての塩基性化合物を用いる場合
は、同じくレジスト組成物の全固形分量を基準に、０.
００１〜１重量％の範囲、さらには０.０１重量％以
上、また０.３重量％以下の割合で含有するのが好まし
い。この組成物はまた、必要に応じて、増感剤、溶解抑
止剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤、染料など、各種
の添加物を少量含有することもできる。
【００３８】本発明のレジスト組成物は通常、上記の各
成分が溶剤に溶解された状態でレジスト液となり、シリ
コンウェハーなどの基体上に、スピンコーティングなど
の常法に従って塗布される。ここで用いる溶剤は、各成
分を溶解し、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸発した後
に均一で平滑な塗膜を与えるものであればよく、この分
野で一般に用いられている溶剤が使用しうる。例えば、
エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテ
ート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テートのようなグリコールエーテルエステル類、乳酸エ
チル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルの
ようなエステル類、アセトン、メチルイソブチルケト
ン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケト
ン類、γ−ブチロラクトンのような環状エステル類など
を挙げることができる。これらの溶剤は、それぞれ単独
で、又は２種以上組み合わせて用いることができる。
成分が溶剤に溶解された状態でレジスト液となり、シリ
コンウェハーなどの基体上に、スピンコーティングなど
の常法に従って塗布される。ここで用いる溶剤は、各成
分を溶解し、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸発した後
に均一で平滑な塗膜を与えるものであればよく、この分
野で一般に用いられている溶剤が使用しうる。例えば、
エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテ
ート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テートのようなグリコールエーテルエステル類、乳酸エ
チル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルの
ようなエステル類、アセトン、メチルイソブチルケト
ン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケト
ン類、γ−ブチロラクトンのような環状エステル類など
を挙げることができる。これらの溶剤は、それぞれ単独
で、又は２種以上組み合わせて用いることができる。
【００３９】基体上に塗布され、乾燥されたレジスト膜
には、パターニングのための露光処理が施され、次いで
脱保護基反応を促進するための加熱処理を行った後、ア
ルカリ現像液で現像される。ここで用いるアルカリ現像
液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液で
あることができるが、一般には、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチ
ルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液が
用いられることが多い。
には、パターニングのための露光処理が施され、次いで
脱保護基反応を促進するための加熱処理を行った後、ア
ルカリ現像液で現像される。ここで用いるアルカリ現像
液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液で
あることができるが、一般には、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチ
ルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液が
用いられることが多い。
【００４０】
【実施例】次に、実施例を挙げて本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら
限定されるものではない。例中、使用量を表す部は、特
記ないかぎり重量基準である。また重量平均分子量は、
ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミェーションク
ロマトグラフィーにより求めた値である。
に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら
限定されるものではない。例中、使用量を表す部は、特
記ないかぎり重量基準である。また重量平均分子量は、
ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミェーションク
ロマトグラフィーにより求めた値である。
【００４１】樹脂合成例１： アクリル酸１−（１−ア
ダマンチル）−１−メチルエチル／ノルボルネン／無水
マレイン酸共重合体（樹脂A1）の製造 アクリル酸１−（１−アダマンチル）−１−メチルエチ
ル〔別名アクリル酸１−メチル−１−（トリシクロ
［３.３.１.１3,7］デカ−１−イル）エチル；次式の構
造を有する〕
ダマンチル）−１−メチルエチル／ノルボルネン／無水
マレイン酸共重合体（樹脂A1）の製造 アクリル酸１−（１−アダマンチル）−１−メチルエチ
ル〔別名アクリル酸１−メチル−１−（トリシクロ
［３.３.１.１3,7］デカ−１−イル）エチル；次式の構
造を有する〕
【００４２】
【００４３】を１５.５ｇ、ノルボルネンを１１.４ｇ、
及び無水マレイン酸を１１.８ｇ仕込み（モル比２：
４：４）、さらにテトラヒドロフランを７６.５ｇ加え
て溶液とし、窒素雰囲気下で６５℃に昇温した。そこ
に、開始剤として２，２′−アゾビスイソブチロニトリ
ル０.４６ｇを加え、そのまま約８時間攪拌した。反応
液を冷却した後、大量のメタノールと混合して重合物を
沈殿させ、濾過した。次にこの重合物をテトラヒドロフ
ランに溶解し、その溶液を大量のメタノールと混合して
重合物を沈殿させ、濾過した。さらに、溶解から再沈殿
までの操作をもう一度繰り返して精製し、重量平均分子
量約４,８５０、分散度１.４２の共重合体を収率３１.
７％で得た。これを樹脂A1とする。
及び無水マレイン酸を１１.８ｇ仕込み（モル比２：
４：４）、さらにテトラヒドロフランを７６.５ｇ加え
て溶液とし、窒素雰囲気下で６５℃に昇温した。そこ
に、開始剤として２，２′−アゾビスイソブチロニトリ
ル０.４６ｇを加え、そのまま約８時間攪拌した。反応
液を冷却した後、大量のメタノールと混合して重合物を
沈殿させ、濾過した。次にこの重合物をテトラヒドロフ
ランに溶解し、その溶液を大量のメタノールと混合して
重合物を沈殿させ、濾過した。さらに、溶解から再沈殿
までの操作をもう一度繰り返して精製し、重量平均分子
量約４,８５０、分散度１.４２の共重合体を収率３１.
７％で得た。これを樹脂A1とする。
【００４４】樹脂合成例２： アクリル酸１−（１−ア
ダマンチル）−１−メチルエチル／アクリル酸３−ヒド
ロキシ−１−アダマンチル／ノルボルネン／無水マレイ
ン酸共重合体（樹脂A2）の製造 アクリル酸１−（１−アダマンチル）−１−メチルエチ
ルを１５.０ｇ、アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダ
マンチル（別名アクリル酸３−ヒドロキシトリシクロ
［３.３.１.１3,7］デカ−１−イル；次式の構造を有す
る）
ダマンチル）−１−メチルエチル／アクリル酸３−ヒド
ロキシ−１−アダマンチル／ノルボルネン／無水マレイ
ン酸共重合体（樹脂A2）の製造 アクリル酸１−（１−アダマンチル）−１−メチルエチ
ルを１５.０ｇ、アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダ
マンチル（別名アクリル酸３−ヒドロキシトリシクロ
［３.３.１.１3,7］デカ−１−イル；次式の構造を有す
る）
【００４５】
【００４６】を２０.２ｇ、ノルボルネンを７.１ｇ及び
無水マレイン酸を７.４ｇ仕込み（モル比２：３：２.
５：２.５）、全モノマー量に対して２重量倍のメチル
イソブチルケトンを加えて溶液とし、窒素雰囲気下で８
０℃に昇温した。そこに、開始剤として２，２′−アゾ
ビスイソブチロニトリルを全モノマー量に対して２モル
％添加し、８０℃で約８時間加熱した。反応液を冷却し
た後、大量のヘプタンと混合して重合物を沈殿させ、濾
過した。次にこの重合物をメチルイソブチルケトンに溶
解し、その溶液を大量のヘプタンと混合して重合物を沈
殿させ、濾過した。さらに、溶解から再沈殿までの操作
をもう一度繰り返して精製し、重量平均分子量約１２,
５７０、分散度２.２２の共重合体を収率７５.４％で得
た。これを樹脂A2とする。
無水マレイン酸を７.４ｇ仕込み（モル比２：３：２.
５：２.５）、全モノマー量に対して２重量倍のメチル
イソブチルケトンを加えて溶液とし、窒素雰囲気下で８
０℃に昇温した。そこに、開始剤として２，２′−アゾ
ビスイソブチロニトリルを全モノマー量に対して２モル
％添加し、８０℃で約８時間加熱した。反応液を冷却し
た後、大量のヘプタンと混合して重合物を沈殿させ、濾
過した。次にこの重合物をメチルイソブチルケトンに溶
解し、その溶液を大量のヘプタンと混合して重合物を沈
殿させ、濾過した。さらに、溶解から再沈殿までの操作
をもう一度繰り返して精製し、重量平均分子量約１２,
５７０、分散度２.２２の共重合体を収率７５.４％で得
た。これを樹脂A2とする。
【００４７】樹脂合成例３： アクリル酸１−（１−ア
ダマンチル）−１−メチルエチル／ノルボルネン／無水
イタコン酸共重合体（樹脂A3）の製造 アクリル酸１−（１−アダマンチル）−１−メチルエチ
ルを１０.０ｇ、ノルボルネンを２.８ｇ及び無水イタコ
ン酸を３.４ｇ仕込み（モル比４：３：３）、全モノマ
ー量に対して２重量倍のメチルイソブチルケトンを加え
て溶液とし、窒素雰囲気下で８０℃に昇温した。そこ
に、開始剤として２，２′−アゾビスイソブチロニトリ
ルを全モノマー量に対して２モル％添加し、８０℃で約
１５時間加熱した。反応液を冷却した後、大量のメタノ
ールと混合して重合物を沈殿させ、濾過した。次にこの
重合物をメチルイソブチルケトンに溶解し、その溶液を
大量のメタノールと混合して重合物を沈殿させ、濾過し
た。さらに、溶解から再沈殿までの操作をもう一度繰り
返して精製し、重量平均分子量約５,２００、分散度１.
３２の共重合体を収率１５.３％で得た。これを樹脂A3
とする。
ダマンチル）−１−メチルエチル／ノルボルネン／無水
イタコン酸共重合体（樹脂A3）の製造 アクリル酸１−（１−アダマンチル）−１−メチルエチ
ルを１０.０ｇ、ノルボルネンを２.８ｇ及び無水イタコ
ン酸を３.４ｇ仕込み（モル比４：３：３）、全モノマ
ー量に対して２重量倍のメチルイソブチルケトンを加え
て溶液とし、窒素雰囲気下で８０℃に昇温した。そこ
に、開始剤として２，２′−アゾビスイソブチロニトリ
ルを全モノマー量に対して２モル％添加し、８０℃で約
１５時間加熱した。反応液を冷却した後、大量のメタノ
ールと混合して重合物を沈殿させ、濾過した。次にこの
重合物をメチルイソブチルケトンに溶解し、その溶液を
大量のメタノールと混合して重合物を沈殿させ、濾過し
た。さらに、溶解から再沈殿までの操作をもう一度繰り
返して精製し、重量平均分子量約５,２００、分散度１.
３２の共重合体を収率１５.３％で得た。これを樹脂A3
とする。
【００４８】樹脂合成例４： ５−ノルボルネン−２−
カルボン酸tert−ブチル／無水マレイン酸共重合体（樹
脂AX；比較用）の製造 ５−ノルボルネン−２−カルボン酸tert−ブチル１５.
０ｇ(７７.２ミリモル)と無水マレイン酸７.５７ｇ（７
７.２ミリモル）に１，４−ジオキサン４５.０ｇを加え
て溶液とし、窒素雰囲気下で８０℃に昇温した。そこ
に、開始剤として２，２′−アゾビスイソブチロニトリ
ル０.２５ｇを加え、そのまま約４８時間攪拌した。反
応液を冷却した後、大量のヘプタンと混合して重合物を
沈殿させ、濾過した。次にこの重合物を１，４−ジオキ
サンに溶解し、その溶液を大量のヘプタンと混合して重
合物を沈殿させ、濾過した。さらに、溶解から再沈殿ま
での操作をもう一度繰り返して精製し、重量平均分子量
約４,７５０、分散度１.６の共重合体を得た。これを樹
脂AXとする。
カルボン酸tert−ブチル／無水マレイン酸共重合体（樹
脂AX；比較用）の製造 ５−ノルボルネン−２−カルボン酸tert−ブチル１５.
０ｇ(７７.２ミリモル)と無水マレイン酸７.５７ｇ（７
７.２ミリモル）に１，４−ジオキサン４５.０ｇを加え
て溶液とし、窒素雰囲気下で８０℃に昇温した。そこ
に、開始剤として２，２′−アゾビスイソブチロニトリ
ル０.２５ｇを加え、そのまま約４８時間攪拌した。反
応液を冷却した後、大量のヘプタンと混合して重合物を
沈殿させ、濾過した。次にこの重合物を１，４−ジオキ
サンに溶解し、その溶液を大量のヘプタンと混合して重
合物を沈殿させ、濾過した。さらに、溶解から再沈殿ま
での操作をもう一度繰り返して精製し、重量平均分子量
約４,７５０、分散度１.６の共重合体を得た。これを樹
脂AXとする。
【００４９】次に、以上の樹脂合成例で得られた各樹脂
のほか、以下に示す酸発生剤及びクェンチャーを用いて
レジスト組成物を調製し、評価した例を掲げる。
のほか、以下に示す酸発生剤及びクェンチャーを用いて
レジスト組成物を調製し、評価した例を掲げる。
【００５０】酸発生剤： B1：p-トリルジフェニルスルホニウム トリフルオロメ
タンスルホネート、 B2：p-トリルジフェニルスルホニウム パーフルオロオ
クタンスルホネート、 B3：シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシ
ル）スルホニウム トリフルオロメタンスルホネート。 クェンチャー： C1：２，６−ジイソプロピルアニリン、 C2：２，６−ルチジン。
タンスルホネート、 B2：p-トリルジフェニルスルホニウム パーフルオロオ
クタンスルホネート、 B3：シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシ
ル）スルホニウム トリフルオロメタンスルホネート。 クェンチャー： C1：２，６−ジイソプロピルアニリン、 C2：２，６−ルチジン。
【００５１】実施例及び比較例 以下の各成分を混合して溶解し、さらに孔径０.２μmの
フッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト液を調製
した。なお、実施例３では、酸発生剤及びクェンチャー
をそれぞれ２種類ずつ併用した。
フッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト液を調製
した。なお、実施例３では、酸発生剤及びクェンチャー
をそれぞれ２種類ずつ併用した。
【００５２】
【００５３】Brewer社製の有機反射防止膜用組成物であ
る“DUV-30J-14”を塗布し、２１５℃、６０秒の条件で
ベークして、厚さ 1,600Åの有機反射防止膜を形成させ
たシリコンウェハーに、上で調製したレジスト液を乾燥
後の膜厚が０.３９μmとなるようにスピンコートした。
レジスト液塗布後は、ダイレクトホットプレート上に
て、表１の「ＰＢ」の欄に示す温度で６０秒間プリベー
クした。こうしてレジスト膜を形成したウェハーに、Ａ
ｒＦエキシマステッパー〔(株)ニコン製の“NSRArF”、
NA=0.55、σ=0.6〕を用い、露光量を段階的に変化させ
てラインアンドスペースパターンを露光した。露光後
は、ホットプレート上にて表１の「ＰＥＢ」の欄に示す
温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さ
らに２.３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で６０秒間のパドル現像を行った。現像後の
ブライトフィールドパターンを走査型電子顕微鏡で観察
し、以下の方法で実効感度及び解像度を調べて、その結
果を表１に示した。なお、ここでいうブライトフィール
ドパターンとは、外枠がクロム層（遮光層）で、その枠
の内側にガラス面（透光部）をベースとしてライン状に
クロム層（遮光層）が形成されたレチクルを介した露光
及び現像によって得られ、したがって露光現像後は、ラ
インアンドスペースパターンの周囲のレジスト層が除去
され、さらにその外側に外枠相当のレジスト層が残るパ
ターンである。
る“DUV-30J-14”を塗布し、２１５℃、６０秒の条件で
ベークして、厚さ 1,600Åの有機反射防止膜を形成させ
たシリコンウェハーに、上で調製したレジスト液を乾燥
後の膜厚が０.３９μmとなるようにスピンコートした。
レジスト液塗布後は、ダイレクトホットプレート上に
て、表１の「ＰＢ」の欄に示す温度で６０秒間プリベー
クした。こうしてレジスト膜を形成したウェハーに、Ａ
ｒＦエキシマステッパー〔(株)ニコン製の“NSRArF”、
NA=0.55、σ=0.6〕を用い、露光量を段階的に変化させ
てラインアンドスペースパターンを露光した。露光後
は、ホットプレート上にて表１の「ＰＥＢ」の欄に示す
温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さ
らに２.３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で６０秒間のパドル現像を行った。現像後の
ブライトフィールドパターンを走査型電子顕微鏡で観察
し、以下の方法で実効感度及び解像度を調べて、その結
果を表１に示した。なお、ここでいうブライトフィール
ドパターンとは、外枠がクロム層（遮光層）で、その枠
の内側にガラス面（透光部）をベースとしてライン状に
クロム層（遮光層）が形成されたレチクルを介した露光
及び現像によって得られ、したがって露光現像後は、ラ
インアンドスペースパターンの周囲のレジスト層が除去
され、さらにその外側に外枠相当のレジスト層が残るパ
ターンである。
【００５４】実効感度： ０.１８μmのラインアンドス
ペースパターンが１：１となる露光量で表示した。 解像度： 実効感度の露光量で分離するラインアンドス
ペースパターンの最小寸法で表示した。
ペースパターンが１：１となる露光量で表示した。 解像度： 実効感度の露光量で分離するラインアンドス
ペースパターンの最小寸法で表示した。
【００５５】
【表１】 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 例 No. 樹脂 酸発生剤 クェンチャー ＰＢ ＰＥＢ 実効感度 解像度 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 実施例１ A1 B1/0.1部 C1/0.0075部 140℃ 115℃ 20 mJ/cm2 0.17μm 実施例２ A1 B2/0.2部 C1/0.015 部 120℃ 105℃ 58 mJ/cm2 0.15μm 実施例３ A1 B2/0.2部 C1/0.015 部 120℃ 105℃ 38 mJ/cm2 0.17μm B3/0.5部 C2/0.01 部 実施例４ A2 B1/0.1部 C1/0.0075部 140℃ 130℃ 44 mJ/cm2 0.17μm 実施例５ A3 B1/0.1部 C1/0.0075部 140℃ 110℃ 15 mJ/cm2 0.17μm ──────────────────────────────────── 比較例 AX B1/0.1部 C1/0.075 部 130℃ 130℃ 82 mJ/cm2 0.18μm ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【００５６】実施例１〜５のレジストは、基板への接着
性や耐ドライエッチング性も良好である。
性や耐ドライエッチング性も良好である。
【００５７】
【発明の効果】本発明により特定する樹脂を用いたレジ
スト組成物は、感度や解像度に優れ、その他のレジスト
性能も良好であることから、半導体の微細加工に適して
おり、高い性能のレジストパターンを与える。
スト組成物は、感度や解像度に優れ、その他のレジスト
性能も良好であることから、半導体の微細加工に適して
おり、高い性能のレジストパターンを与える。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高田 佳幸 大阪市此花区春日出中３丁目１番98号 住 友化学工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AA09 AA14 AB16 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB08 CB10 CB14 CB41 CB45
Claims (5)
- 【請求項１】下式（Ｉ） （式中、Ｒ1 は水素又はメチルを表し、Ｒ2 及びＲ3 は
互いに独立に、炭素数１〜４のアルキルを表し、Ｒ4 及
びＲ5 は互いに独立に、水素、水酸基又はアルキルを表
す）で示される（メタ）アクリル酸１−（アダマンチ
ル）−１−アルキルアルキルの重合単位、下式（II） （式中、Ｒ6 及びＲ7 は互いに独立に、水素、炭素数１
〜３のアルキル、炭素数１〜３のヒドロキシアルキル、
カルボキシル、シアノ若しくは基−ＣＯＯＲ8 を表し、
ここにＲ8 はアルコール残基を表すか、又はＲ6 とＲ7
が一緒になって、-C(=O)OC(=O)- で示されるカルボン酸
無水物残基を形成する）で示される脂環式オレフィン系
の重合単位、並びに無水マレイン酸及び無水イタコン酸
から選ばれる不飽和ジカルボン酸無水物の重合単位を有
し、それ自体はアルカリに不溶又は難溶であるが、酸の
作用でアルカリ可溶となる樹脂、並びに酸発生剤を含有
することを特徴とする化学増幅型ポジ型レジスト組成
物。 - 【請求項２】式（Ｉ）中のＲ1 が水素である請求項１記
載の組成物。 - 【請求項３】該樹脂が、式（Ｉ）で示される重合単位へ
導くための（メタ）アクリル酸１−（アダマンチル）−
１−アルキルアルキルを５〜６０モル％、そして式（I
I）で示される重合単位へ導くための脂環式オレフィン
系モノマー並びに無水マレイン酸及び無水イタコン酸か
ら選ばれる不飽和ジカルボン酸無水物を合計１０〜９５
モル％含有するモノマー混合物の共重合によって得られ
る請求項１又は２記載の組成物。 - 【請求項４】該樹脂がさらに、下式（Ｖ） （式中、Ｒ9 は水素又はメチルを表し、Ｒ10は水素又は
水酸基を表す）で示される（メタ）アクリル酸１−アダ
マンチル系の重合単位を有する請求項１〜３のいずれか
に記載の組成物。 - 【請求項５】さらに、アミン類をクェンチャーとして含
有する請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000013848A JP4061801B2 (ja) | 2000-01-24 | 2000-01-24 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
| SG200100240A SG94738A1 (en) | 2000-01-24 | 2001-01-18 | Chemically amplified positive resist composition |
| TW090101254A TW526388B (en) | 2000-01-24 | 2001-01-19 | Chemically amplified positive resist composition |
| DE60143864T DE60143864D1 (de) | 2000-01-24 | 2001-01-22 | Positive chemisch verstärkte Resistzusammensetzung |
| EP01101152A EP1122606B1 (en) | 2000-01-24 | 2001-01-22 | Chemically amplified positive resist composition |
| KR1020010003552A KR100753783B1 (ko) | 2000-01-24 | 2001-01-22 | 화학적으로 증폭된 포지티브 내식막 조성물 |
| US09/765,671 US6475699B2 (en) | 2000-01-24 | 2001-01-22 | Chemically amplified positive resist composition |
| CNB011021764A CN1209686C (zh) | 2000-01-24 | 2001-01-22 | 化学放大型正光刻胶组合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000013848A JP4061801B2 (ja) | 2000-01-24 | 2000-01-24 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001209180A true JP2001209180A (ja) | 2001-08-03 |
| JP4061801B2 JP4061801B2 (ja) | 2008-03-19 |
Family
ID=18541383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000013848A Expired - Fee Related JP4061801B2 (ja) | 2000-01-24 | 2000-01-24 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6475699B2 (ja) |
| EP (1) | EP1122606B1 (ja) |
| JP (1) | JP4061801B2 (ja) |
| KR (1) | KR100753783B1 (ja) |
| CN (1) | CN1209686C (ja) |
| DE (1) | DE60143864D1 (ja) |
| SG (1) | SG94738A1 (ja) |
| TW (1) | TW526388B (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4529245B2 (ja) * | 1999-12-03 | 2010-08-25 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
| US6777157B1 (en) * | 2000-02-26 | 2004-08-17 | Shipley Company, L.L.C. | Copolymers and photoresist compositions comprising same |
| US6727039B2 (en) * | 2000-09-25 | 2004-04-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
| TWI293402B (en) * | 2001-02-25 | 2008-02-11 | Shipley Co Llc | Novel copolymers and photoresist compositions |
| US6635401B2 (en) * | 2001-06-21 | 2003-10-21 | International Business Machines Corporation | Resist compositions with polymers having 2-cyano acrylic monomer |
| DE10131488B4 (de) * | 2001-06-29 | 2006-01-19 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur chemischen Nachverstärkung von Photoresists im UV-Bereich |
| US10539561B1 (en) | 2001-08-30 | 2020-01-21 | Customarray, Inc. | Enzyme-amplified redox microarray detection process |
| US20030232273A1 (en) * | 2001-10-09 | 2003-12-18 | Shipley Company, L.L.C. | Acetal/alicyclic polymers and photoresist compositions |
| CN100520579C (zh) * | 2001-12-03 | 2009-07-29 | 东京应化工业株式会社 | 正型抗蚀剂组合物及使用其形成抗蚀图形的方法 |
| JP3895224B2 (ja) * | 2001-12-03 | 2007-03-22 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
| JP3822101B2 (ja) * | 2001-12-26 | 2006-09-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | 感放射線組成物及びパタン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| US6677419B1 (en) * | 2002-11-13 | 2004-01-13 | International Business Machines Corporation | Preparation of copolymers |
| JP4434762B2 (ja) | 2003-01-31 | 2010-03-17 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物 |
| US20060102471A1 (en) | 2004-11-18 | 2006-05-18 | Karl Maurer | Electrode array device having an adsorbed porous reaction layer |
| US20070034513A1 (en) * | 2005-03-25 | 2007-02-15 | Combimatrix Corporation | Electrochemical deblocking solution for electrochemical oligomer synthesis on an electrode array |
| US9394167B2 (en) | 2005-04-15 | 2016-07-19 | Customarray, Inc. | Neutralization and containment of redox species produced by circumferential electrodes |
| US20070065877A1 (en) | 2005-09-19 | 2007-03-22 | Combimatrix Corporation | Microarray having a base cleavable succinate linker |
| US8855955B2 (en) * | 2005-09-29 | 2014-10-07 | Custom Array, Inc. | Process and apparatus for measuring binding events on a microarray of electrodes |
| US7749680B2 (en) * | 2007-01-05 | 2010-07-06 | Hynix Semiconductor Inc. | Photoresist composition and method for forming pattern of a semiconductor device |
| KR100933984B1 (ko) * | 2007-11-26 | 2009-12-28 | 제일모직주식회사 | 신규 공중합체 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
| KR101111491B1 (ko) * | 2009-08-04 | 2012-03-14 | 금호석유화학 주식회사 | 신규 공중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
| US9927434B2 (en) | 2010-01-20 | 2018-03-27 | Customarray, Inc. | Multiplex microarray of serially deposited biomolecules on a microarray |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5843624A (en) * | 1996-03-08 | 1998-12-01 | Lucent Technologies Inc. | Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material |
| JP3738562B2 (ja) * | 1998-02-19 | 2006-01-25 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
| KR100573659B1 (ko) * | 1998-05-25 | 2006-04-26 | 다이셀 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 산감응성 화합물 및 포토레지스트용 수지 조성물 |
| KR100547078B1 (ko) * | 1998-05-25 | 2006-01-31 | 다이셀 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토레지스트용 화합물 및 포토레지스트용 수지 조성물 |
| KR100292406B1 (ko) | 1998-06-11 | 2001-07-12 | 윤종용 | 감광성중합체,용해억제제및이들을포함하는화학증폭형포토레지스트조성물 |
| CN1190706C (zh) * | 1998-08-26 | 2005-02-23 | 住友化学工业株式会社 | 一种化学增强型正光刻胶组合物 |
| TWI224241B (en) | 1999-04-28 | 2004-11-21 | Jsr Corp | Positive resist composition |
| US6482568B1 (en) * | 1999-09-17 | 2002-11-19 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition |
-
2000
- 2000-01-24 JP JP2000013848A patent/JP4061801B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-01-18 SG SG200100240A patent/SG94738A1/en unknown
- 2001-01-19 TW TW090101254A patent/TW526388B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-01-22 US US09/765,671 patent/US6475699B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-01-22 KR KR1020010003552A patent/KR100753783B1/ko active IP Right Grant
- 2001-01-22 CN CNB011021764A patent/CN1209686C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-22 EP EP01101152A patent/EP1122606B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-01-22 DE DE60143864T patent/DE60143864D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010088324A (ko) | 2001-09-26 |
| CN1312488A (zh) | 2001-09-12 |
| JP4061801B2 (ja) | 2008-03-19 |
| US6475699B2 (en) | 2002-11-05 |
| US20010039080A1 (en) | 2001-11-08 |
| TW526388B (en) | 2003-04-01 |
| CN1209686C (zh) | 2005-07-06 |
| EP1122606B1 (en) | 2011-01-19 |
| EP1122606A2 (en) | 2001-08-08 |
| SG94738A1 (en) | 2003-03-18 |
| EP1122606A3 (en) | 2001-09-19 |
| DE60143864D1 (de) | 2011-03-03 |
| KR100753783B1 (ko) | 2007-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6579659B2 (en) | Chemically amplified positive resist composition | |
| JP3546679B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 | |
| JP3738562B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 | |
| JP4061801B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 | |
| US6537726B2 (en) | Chemically amplified positive resist composition | |
| US6495307B2 (en) | Chemically amplified positive resist composition | |
| JP2002357905A (ja) | レジスト組成物 | |
| JP2001183836A (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 | |
| JP2000137327A (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 | |
| JP3972438B2 (ja) | 化学増幅型のポジ型レジスト組成物 | |
| JP3928433B2 (ja) | レジスト組成物 | |
| JP3890989B2 (ja) | レジスト組成物 | |
| JP3994680B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 | |
| JP4529245B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 | |
| JP4039056B2 (ja) | 化学増幅型レジスト組成物 | |
| JP2000275843A (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 | |
| JP2001343750A (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 | |
| JP4631229B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 | |
| JP4524940B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 | |
| JP4329148B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 | |
| JP4517524B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 | |
| JP2001318466A (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 | |
| JP2002328475A (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061201 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070914 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070925 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071105 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071204 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071217 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4061801 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111 Year of fee payment: 3 |
|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20080125 |
|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D05 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111 Year of fee payment: 3 |
|
| A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20080513 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120111 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |