KR100747618B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 Download PDF

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Abstract

본 발명의 기판 처리 장치(1)는 기판을 처리액에 의해 처리하는 처리조(3)와, 처리조(3) 위쪽에 배치된 건조 처리부(6)와, 처리조(3)와 건조 처리부(6) 사이에서 기판(W)을 이동시키는 이동 기구(8)를 구비하고 있다. 건조 처리부(6)에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 라인(21)과, 건조 처리부(6)에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 라인(24, 25)이 접속되어 있다. 또한 건조 처리부(6)에 건조 처리부(6)로부터 압출된 분위기를 배기하는 제1 배기 라인(26)과, 상기 건조 처리부(6)를 강제적으로 배기하는 제2 배기 라인(27)이 접속되어 있다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체{SUBSTRATE PROCESSING EQUIPMENT, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND RECORDING MEDIUM}
본 발명은, 기판을 세정 처리하는 등의 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 관한 것이다.
예컨대, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라 함)를 세정하는 여러 가지의 세정 장치가 이용되고 있다. 예컨대, 웨이퍼의 표면에 폴리실리콘의 막을 형성한 후, 텅스텐 실리사이드 등의 막을 형성하기 전에 행하는 세정 처리의 일례로서는, 희석 불화수소산(DHF) 등의 약액을 축적한 처리조 내에 웨이퍼를 침지시켜 약액 처리한 후, 순수(純水)에 의해 웨이퍼를 린스 처리하고, 그 후 웨이퍼에 이소프로필 알코올(IPA)의 증기 등을 내뿜어 건조 처리하는 공정이 행해지고 있다.
종래, 이러한 웨이퍼를 세정 처리하는 장치로서, 약액 처리하는 처리조의 위쪽에 건조 처리하는 건조 처리부를 구비한 것이 알려져 있다(예컨대, 특허 문헌 1 참조). 이러한 장치에 있어서는, 챔버 상부에 구비한 덮개를 개구시켜 웨이퍼를 반입하고, 챔버 내의 건조 처리부를 통과시켜 처리조 내로 하강시킨다. 다음에 처리조 내에 있어서 약액 처리, 린스 처리한 후, 건조 처리부 내로 웨이퍼를 끌어올리면서 웨이퍼에 IPA 증기를 공급하여 건조 처리하도록 되어 있다. 그리고, 웨이퍼를 반출하기 전에 챔버 내를 질소 가스에 의해 퍼지 한 후, 덮개를 열어 웨이퍼를 반출하도록 되어 있다.
특허 문헌 1: 특허 제 3126858호
그러나, 종래의 기판 처리 장치에 있어서는, 건조 처리부 내의 기류를 제어하는 것이 어렵고, 처리조의 약액 분위기가 건조 처리부로 상승하여, 챔버의 내면에 잔류한다고 하는 문제가 있었다. 또한, IPA 증기가 챔버의 내면에 부착되기 쉽기 때문에, 웨이퍼(W)에 효율적으로 공급되지 않게 되어, IPA 증기의 사용량이 증대할 우려가 있거나, IPA 증기가 챔버의 내면에 잔류한다고 하는 문제가 있었다. 또한, 약액 분위기나 IPA 증기가 웨이퍼의 표면에 잔류함으로써, 웨이퍼의 표면에 워터마크가 발생하는 문제나, 세정 처리 후에 웨이퍼의 표면에 형성되는 막이 정상적으로 형성되지 않고, 반도체 디바이스에 특성의 이상이 발생하는 원인이 된다고 하는 문제가 있었다.
발명의 개시
본 발명의 목적은, 처리조의 위쪽에 건조 처리부를 구비한 처리 장치에 있어서, 건조 처리부에 약액 분위기가 유입되는 것을 방지할 수 있고, 또한 건조 처리부로부터 처리 가스를 확실히 배기할 수 있는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체를 제공하는 것에 있다.
본 발명은, 기판을 처리액에 의해 처리하는 처리조와, 처리조의 위쪽에 배치된 건조 처리부와, 처리조와 건조 처리부 사이에서 기판을 이동시키는 이동 기구와, 건조 처리부에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 라인과, 건조 처리부에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 라인과, 건조 처리부로부터 압출된 분위기를 배기하는 제1 배기 라인과, 건조 처리부를 강제적으로 배기하는 제2 배기 라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 처리 가스 공급 라인에는 가열된 불활성 가스를 공급하는 제1 불활성 가스 공급 라인이 접속되고, 불활성 가스 공급 라인은 상온의 불활성 가스를 공급하는 제2 불활성 가스 공급 라인으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 건조 처리부에는 제1 배기 라인이 접속된 기단부와, 건조 처리부 내의 선단부를 갖는 배기 노즐이 설치되고, 배기 노즐은 일렬로 나란히 배치된 복수의 배기구를 가지며, 배기 노즐의 배기구는 기단부측으로부터 선단부측을 향함에 따라 그 개구 면적이 커지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 건조 처리부는 이동 기구에 의해 기판이 처리조 내로 이송되었을 때, 외기(外氣)와 연통하는 상태와, 외기와 차단된 상태를 취하는 구조를 가지며, 건조 처리부는 제어부에 의해 외기와 연통하는 상태와, 외기와 차단된 상태로 전환되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 처리조는 약액과 린스액에 의해 기판을 처리하는 구조를 가지며, 제어부는 처리조 내에 약액이 존재할 때는, 건조 처리부를 외기와 연통시키는 상태로 하고, 처리조 내의 약액이 린스액으로 치환되었을 때는, 건조 처리부를 외기와 차단된 상태로 전환하며, 건조 처리부에서의 건조 처리하는 동안은 건조 처리부를 외기와 차단된 상태로 하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 건조 처리부에는 개구를 갖는 챔버 본체와, 챔버 본체의 개구를 개폐하는 덮개와, 덮개에 설치되어 기판을 개구로부터 반입/반출시키는 반입/반출 위치와, 덮개와 개구 사이에 틈을 형성하는 처리 위치와, 개구를 닫는 폐쇄 위치로 덮개를 이동시키는 덮개 승강기를 가지며, 덮개 승강기는 제어부에 의해 제어되고, 제어부는 덮개를 반입/반출 위치 또는 처리 위치로 이동시킴으로써, 상기 건조 처리부를 외기와 연통시키는 상태로 하며, 덮개를 폐쇄 위치로 이동시킴으로써, 건조 처리부를 외기와 차단된 상태로 하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 건조 처리부는 개구를 갖는 챔버 본체와, 챔버 본체의 개구를 개폐하는 덮개를 가지며, 덮개에 환기구를 형성함과 함께, 이 환기구에 환기구 개폐 부재를 마련하고, 이 환기구 개폐 부재를 제어부에 의해 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 기판을 처리액에 의해 처리하는 처리조와, 처리조의 위쪽에 배치된 건조 처리부와, 처리조와 건조 처리부 사이에서 기판을 이동시키는 이동 기구를 구비하고, 건조 처리부는 이동 기구에 의해 기판이 처리조 내로 이송되었을 때, 외기와 연통하는 상태와 외기와 차단된 상태를 취하는 구조를 가지며, 건조 처리부는 제어부에 의해 외기와 연통하는 상태와 외기와 차단된 상태로 전환하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 처리조는 약액과 린스액에 의해 기판을 처리하는 구조를 가지며, 제어부는 처리조 내에 약액이 존재할 때는, 건조 처리부를 외기와 연통시키는 상태로 하고, 처리조 내의 약액이 린스액으로 치환되었을 때는, 건조 처리부를 외기와 차단된 상태로 전환하며, 건조 처리부에서의 건조 처리를 하는 동안은 건조 처리부를 외기와 차단된 상태로 하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 건조 처리부는 개구를 갖는 챔버 본체와, 챔버 본체의 개구를 개폐하는 덮개와 덮개에 마련되어 기판을 개구로부터 반입/반출시키는 반입/반출 위치와, 덮개와 개구 사이에 틈을 형성하는 처리 위치와, 개구를 닫는 폐쇄 위치로 덮개를 이동시키는 덮개 승강기를 가지며, 덮개 승강기는 제어부에 의해 제어되고, 제어부는 덮개를 반입/반출 위치 또는 처리 위치로 이동시킴으로써, 상기 건조 처리부를 외기와 연통시키는 상태로 하고, 덮개를 폐쇄 위치로 이동시킴으로써, 건조 처리부를 외기와 차단된 상태로 하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 건조 처리부는 개구를 갖는 챔버 본체와, 챔버 본체의 개구를 개폐하는 덮개를 가지며, 덮개에 환기구를 형성함과 함께, 이 환기구에 환기구 개폐 부재를 마련하고, 이 환기구 개폐 부재를 제어부에 의해 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명은, 기판을 처리하는 처리조와, 처리조의 위쪽에 마련된 건조 처리부를 갖는 장치에 의해 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, 처리조에 있어서 기판을 약액에 의해 처리하는 약액 처리 공정과, 처리조 내의 약액을 린스액으로 치환하는 공정과, 기판을 건조 처리부에서 건조 처리하는 공정을 구비하고, 약액 처리 공정시에 건조 처리부에 외기를 유입시키면서 건조 처리부를 배기하며, 처리조 내의 약액이 린스액으로 치환되면 건조 처리부에 불활성 가스를 공급하면서, 상기 약액 처리 공정시보다 작은 배기량으로 건조 처리부를 배기하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다.
본 발명은, 기판을 처리하는 처리조와, 처리조의 위쪽에 마련되어 개구와 이 개구를 개폐하는 덮개를 포함한 건조 처리부를 갖는 장치에 의해 기판을 처리하는 방법으로서, 덮개를 열어 건조 처리부의 개구로부터 기판을 반입하여 처리조로 이동시키는 공정과, 처리조에서 기판을 약액에 의해 처리하는 약액 처리 공정과, 처리조 내의 약액을 린스액으로 치환하는 공정과, 덮개에 의해 개구를 닫은 상태에서, 건조 처리부에서 기판을 건조 처리하는 공정을 포함하고, 약액 처리 공정 시에 덮개를 열고 개구를 개방한 상태로 건조 처리부를 배기하며, 처리조 내의 약액이 린스액으로 치환되면 덮개에 의해 상기 개구를 닫고, 건조 처리부에 불활성 가스를 공급하면서 건조 처리부를 배기하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다.
본 발명은, 상기 약액 처리 공정시의 상기 개구와 덮개 사이의 거리는, 기판을 반입할 때의 상기 개구와 덮개 사이의 거리보다 짧은 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다.
본 발명은, 처리조 내의 약액이 린스액으로 치환되면, 건조 처리부를 약액 처리시보다 작은 배기량으로 배기하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다.
본 발명은, 기판 처리 장치의 제어 컴퓨터에 의해 실행하는 것이 가능한 소프트웨어가 기록된 기록 매체로서, 이 소프트웨어를 실행함으로써, 제어 컴퓨터가 기판 처리 장치를 제어하여 기판 처리 방법을 실행시키는 것에 있어서, 기판 제어 방법이 기판을 처리하는 처리조와, 처리조의 위쪽에 마련된 건조 처리부를 갖는 장치에 의해 기판을 처리하는 방법으로서, 처리조에 있어서 기판을 약액에 의해 처리하는 약액 처리 공정과, 처리조 내의 약액을 린스액으로 치환하는 공정과, 기판을 건조 처리부에서 건조 처리하는 공정을 구비하고, 약액 처리 공정시에 건조 처리부에 외기를 유입시키면서 건조 처리부를 배기하며, 처리조 내의 약액이 린스액으로 치환되면, 건조 처리부에 불활성 가스를 공급하면서 상기 약액 처리 공정시보다 작은 배기량으로 건조 처리부를 배기하는 것을 특징으로 하는 기록 매체이다.
본 발명은, 기판 처리 장치의 제어 컴퓨터에 의해 실행하는 것이 가능한 소프트웨어로서, 이 소프트웨어를 실행함으로써 제어 컴퓨터가 기판 처리 장치를 제어하여 기판 처리 방법을 실행시키는 것에 있어서, 기판 제어 방법이 기판을 처리하는 처리조와, 처리조의 위쪽에 마련된 건조 처리부를 갖는 장치에 의해 기판을 처리하는 방법으로서, 처리조에서 기판을 약액에 의해 처리하는 약액 처리 공정과, 처리조 내의 약액을 린스액으로 치환하는 공정과, 기판을 건조 처리부에서 건조 처리하는 공정을 구비하고, 약액 처리 공정시에 건조 처리부에 외기를 유입시키면서 건조 처리부를 배기하며, 처리조 내의 약액이 린스액으로 치환되면, 건조 처리부에 불활성 가스를 공급하면서 상기 약액 처리 공정시보다 작은 배기량으로 건조 처리부를 배기하는 것을 특징으로 하는 소프트웨어이다.
본 발명은, 기판 처리 장치의 제어 컴퓨터에 의해 실행하는 것이 가능한 소프트웨어가 기록된 기록 매체로서, 이 소프트웨어를 실행함으로써, 제어 컴퓨터가 기판 처리 장치를 제어하여 기판 처리 방법을 실행시키는 것에 있어서, 기판 제어 방법이 기판을 처리하는 처리조와, 처리조의 위쪽에 설치되어 개구와 이 개구를 개폐하는 덮개를 포함한 건조 처리부를 갖는 장치에 의해 기판을 처리하는 방법으로서, 덮개를 열어 건조 처리부의 개구로부터 기판을 반입하여 처리조로 이동시키는 공정과, 처리조에서 기판을 약액에 의해 처리하는 약액 처리 공정과, 처리조 내의 약액을 린스액으로 치환하는 공정과, 덮개에 의해 개구를 닫은 상태에서, 건조 처리부에 있어서 기판을 건조 처리하는 공정을 구비하고, 약액 처리 공정시에 덮개를 열고 개구를 개방한 상태로 건조 처리부를 배기하며, 처리조 내의 약액이 린스액으로 치환되면 덮개에 의해 상기 개구를 닫고, 건조 처리부에 불활성 가스를 공급하면서 건조 처리부를 배기하는 것을 특징으로 하는 기록 매체이다.
본 발명은, 기판 처리 장치의 제어 컴퓨터에 의해 실행하는 것이 가능한 소프트웨어로서, 이 소프트웨어를 실행함으로써 제어 컴퓨터가 기판 처리 장치를 제어하여 기판 처리 방법을 실행시키는 것에 있어서, 기판 제어 방법이 기판을 처리하는 처리조와, 처리조의 위쪽에 설치되어 개구와 이 개구를 개폐하는 덮개를 포함한 건조 처리부를 갖는 장치에 의해 기판을 처리하는 방법으로서, 덮개를 열어 건조 처리부의 개구로부터 기판을 반입하여 처리조로 이동시키는 공정과, 처리조에서 기판을 약액에 의해 처리하는 약액 처리 공정과, 처리조 내의 약액을 린스액으로 치환하는 공정과, 덮개에 의해 개구를 닫은 상태에서, 건조 처리부에서 기판을 건조 처리하는 공정을 구비하고, 약액 처리 공정시에 덮개를 열고 개구를 개방한 상태로 건조 처리부를 배기하며, 처리조 내의 약액이 린스액으로 치환되면 덮개에 의해 상기 개구를 닫고, 건조 처리부에 불활성 가스를 공급하면서 건조 처리부를 배기하는 것을 특징으로 하는 소프트웨어이다.
본 발명에 의하면, 제2 배기 라인에 의해 강제 배기를 행함으로써, 건조 처리부로부터 약액 분위기나 처리 가스를 확실히 배기시킬 수 있다. 또한, 건조 처리부를 외기와 연통시킨 상태로 하고, 외기를 유입시키면서 제2 배기 라인에 의해 강제 배기를 행함으로써, 건조 처리부 내에 기류를 형성하고, 처리조 내의 약액 분위기가 건조 처리부로 상승하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 건조 처리부에 불활성 가스를 공급함으로써, 건조 처리부 내의 분위기를 효과적으로 배출할 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 구성을 설명하는 설명도.
도 2는 처리조의 트랩의 단면도.
도 3은 건조 처리부의 단면도.
도 4는 처리 가스 공급 노즐, 및 N2 가스 공급 노즐의 사시도.
도 5는 배기 노즐의 사시도.
도 6은 웨이퍼 가이드의 사시도.
도 7은 웨이퍼를 반입하기 전의 기판 처리 장치 상태를 설명하는 설명도.
도 8은 웨이퍼를 반입할 때의 기판 처리 장치 상태를 설명하는 설명도.
도 9는 웨이퍼를 약액 처리할 때의 기판 처리 장치 상태를 설명하는 설명도.
도 10은 DHF를 순수로 치환한 후의 기판 처리 장치 상태를 설명하는 설명도.
도 11은 웨이퍼를 건조 처리할 때의 기판 처리 장치 상태를 설명하는 설명도.
도 12는 건조 처리부를 퍼지 할 때의 기판 처리 장치 상태를 설명하는 설명도.
도 13은 덮개에 개구와 덮개 부재가 설치된 기판 처리 장치에 있어서, 웨이퍼를 약액 처리할 때의 상태를 설명하는 설명도.
도 14는 덮개에 파이프와 개폐 밸브가 설치된 기판 처리 장치에 있어서, 웨이퍼를 약액 처리할 때의 상태를 설명하는 설명도.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를, 예컨대 50 매의 웨이퍼(W)를 일괄하여 세정하도록 구성된 기판 처리 장치에 기초하여 설명한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 이러한 기판 처리 장치(1)는, 웨이퍼(W)의 약액 처리와 린스 처리를 행하는 처리조(3)와, 처리조(3)의 위쪽에 배치된 챔버(5)를 구비하고 있다. 챔버(5)의 내부는, 웨이퍼(W)를 건조 처리하는 건조 처리부(6)로 되어 있다. 또한 처리조(3)와 건조 처리부(6)의 사이에 50 매의 웨이퍼(W)를 일괄하여 이동시키는 이동 기구로서의 웨이퍼 가이드(8)를 구비하고 있다. 처리조(3) 및 건조 처리부(6)에 있어서, 50 매의 웨이퍼(W)는 표면을 대략 수직으로 하는 자세로 전후 방향(도 1에 있어서 앞에서 뒤쪽을 향하는 방향)으로 배열한 상태로, 웨이퍼 가이드(8)에 의해 유지되도록 되어 있다. 또한, 처리조(3)와 건조 처리부(6) 사이를 개폐하는 셔터(10)가 설치되어 있다. 셔터(10)는, 처리조(3)와 챔버(5) 사이에 형성된 셔터 이동부(11) 내에서 이동하게 되어 있다. 챔버(5)의 위쪽에는, 클린 에어를 다운 플로우하게 하는 팬 필터 유닛(FFU)(12)이 설치되어 있다. 또한, 처리조(3)는 박스(13) 내에 수납되어 있다.
또한, 기판 처리 장치(1)에는, 처리조(3)에 예컨대 약액으로서의 DHF 및 린스액으로서의 순수(DIW)를 처리액으로서 공급하기 위한 처리액 공급 라인(20)이 구비되어 있다. 또한, 건조 처리부(6)에 예컨대 IPA와 핫 N2 가스(질소 가스)로 이루어지는 IPA 증기를 건조용 처리 가스로서 공급하는 처리 가스 공급 라인(21)이 구비되어 있다. 처리 가스 공급 라인(21)은, IPA 증기를 발생시키는 IPA 증기 발생부(22)에 접속되어 있고, IPA 증기 발생부(22)에는, IPA를 공급하는 IPA 공급 라인(23)과, 상온보다 고온으로 가열된 핫 N2 가스를 불활성 가스로서 공급하는 제1 불활성 가스 공급 라인으로서의 핫 N2 가스 공급 라인(24)이 접속되어 있다. 또한, 상온의 N2 가스를 불활성 가스로서 건조 처리부(6)에 공급하는 제2 불활성 가스 공급 라인으로서의 N2 가스 공급 라인(25)이 마련되어 있다. 또한, 건조 처리부(6) 내로부터 압출된 분위기를 배기하는 제1 배기 라인(26)과, 건조 처리부(6) 내를 강제적으로 배기하는 제2 배기 라인(27)이 마련되어 있다.
처리조(3)는, 웨이퍼(W)를 수납하는 내부조(30)와, 내부조(30)의 상부의 개구를 둘러싸도록 형성된 중간조(31)와, 중간조(31)의 개구를 둘러싸도록 형성된 외부조(32)를 구비하고 있다.
내부조(30)의 상면 개구는, 셔터 이동부(11)의 저부(11a)에 형성된 개구부 (11b)의 아래쪽에 배치되어 있다. 내부조(30)의 하부에는, 처리액 공급 라인(20)으로부터 공급된 처리액을 토출하는 처리액 공급 노즐(35)이 설치되어 있다. 또한, 내부조(30)의 하부에는, 내부조(30)로부터 처리액을 배출하기 위한 처리액 배출관(36)이 접속되고 있고, 처리액 배출관(36)을 통해서 박스(13) 내에 처리액을 배출하도록 되어 있다. 처리액 배출관(36)에는, 개폐 밸브(37)가 설치되어 있다.
중간조(31)는, 내부조(30)의 상면 개구로부터 오버플로우한 처리액을 수용하도록 구성되어 있다. 중간조(31)에는, 중간조(31)로부터 처리액을 배출하기 위한 처리액 배출관(41)이 접속되어 있다. 처리액 배출관(41)은 트랩(42)에 접속되어 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 트랩(42)에는, 트랩(42)으로부터 처리액을 배출하는 처리액 배출관(43)이 접속되어 있고, 처리액 배출관(43)을 통해서 박스(13) 내에 처리액을 배출하도록 되어 있다. 트랩(42) 내에서, 처리액 배출관(43)의 상류단은 처리액 배출관(41) 하류단보다 위쪽에 돌출되어 마련되어 있다. 처리액 배출관(41)으로부터 트랩(42) 내에 배출된 처리액은, 처리액 배출관(43)의 상류단의 높이까지 축적되고, 처리액 배출관(43)으로부터 배출되도록 되어 있다. 트랩(42) 내에 축적 배출된 처리액의 위쪽에는 기체가 모여 있다. 이러한 구성에서는, 처리액 배출관(41) 하류단이 항상 배출된 처리액에 침지된 상태로 되어 있고, 처리액 배출관(43) 내나 박스(13) 내의 분위기가 처리액 배출관(41) 내에 유입되는 것을 방지할 수 있다. 예컨대, 내부조(30) 내에 DHF를 축적하여 웨이퍼(W)를 약액 처리한 후, 내부조(30) 내에 순수를 공급하여 웨이퍼(W)를 린스 처리할 때, 박스(13) 내의 배 출된 처리액으로부터 발생한 약액 분위기가 처리액 배출관(41)을 통해서 처리조(3) 내에 혼입되는 것을 방지할 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 외부조(32) 내에는, 항상 순수가 모여있는 동시에, 환형의 시일판(46)이 마련되어 있다. 시일판(46) 상측 가장자리는, 외부조(32)의 위쪽을 가리도록 배치된 셔터 이동부(11)의 저부(11a)의 하면에 밀착되어 있고, 시일판(46)의 하측 가장자리는, 외부조(32) 내의 순수에 침지되어 있다. 이 때문에, 외부조(32)는 순수를 이용한 밀봉 기능을 가지며, 처리조(3) 내의 분위기가 외부로 새나가지 않도록 되어 있다.
처리액 공급 라인(20)은, 불화수소산(HF)을 공급하는 불화수소산 공급로(51)와, 순수를 공급하는 순수 공급로(52)를 구비하고 있다. 내부조(30) 내에 DHF를 공급할 때는, 순수 공급로(52)로부터 공급된 순수를 내부조(30)에 축적시킨 후, 불화수소산 공급로(51)로부터 HF를 공급하여 내부조(30) 내에 소정 농도의 DHF를 생성하도록 되어 있다. 내부조(30)의 내부에는, DHF 중의 HF 농도를 측정하기 위한 농도계(53)가 설치되어 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 챔버(5)는 챔버 본체(61)와, 챔버 본체(61) 상면 개구(61a)를 개폐하는 덮개(62)에 의해 구성되어 있다. 챔버 본체(61)의 하면 개구(61b)는, 셔터 이동부(11)의 상면(11c)에 형성된 개구부(11d)와 연통하고 있다. 상면 개구(61a)는, 기판 처리 장치(1) 외부로부터 건조 처리부(6) 내에 웨이퍼(W)를 반입/반출하기 위한 개구로 되어 있다. 덮개(62)에 의해 챔버 본체(61)의 상면 개구(61a)를 닫았을 때에는, 상면 개구(61a)와 덮개(62) 사이는 O 링(63)에 의해 밀폐되고, 건조 처리부(6) 내의 분위기가 외부로 흘러나가지 않는 구성으로 되어 있다.
덮개(62)의 내면은, 예컨대 위를 향해 오목형으로 형성된 단면 대략 반원형의 곡면형으로 형성되어 있다. 또한, 덮개(62)는, 덮개(62)를 승강시키는 덮개 승강기(64)에 의해 지지되고 있다. 또한, 덮개 승강기(64)의 구동을 제어하는 제어부(65)가 구비되어 있다. 이 제어부(65)에 의해 덮개 승강기(64)의 구동을 제어하여 도 3에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 챔버 본체(61) 내에 반입/반출시킬 때의 반입/반출 위치(P1)와, 덮개(62)의 하측 가장자리와 챔버 본체(61)의 상면 개구(61a) 사이에 틈이 형성되는 처리 위치(P2)와, 덮개(62)에 의해 챔버 본체(61)의 상면 개구(61a)를 닫는 폐쇄 위치(P3)에 덮개(62)를 이동시킬 수 있다. 즉, 덮개(62)를 반입/반출 위치(P1) 또는 처리 위치(P2)로 이동시킴으로써, 건조 처리부(6)를 외기와 연통시키는 상태로 하고, 덮개(62)를 폐쇄 위치(P3)로 이동시킴으로써, 건조 처리부(6)를 외기와 차단된 상태로 하는 구성이 되어 있다. 덮개(62)를 반입/반출 위치(P1)에 배치했을 때, 상면 개구(61a)의 가장자리부와 덮개(62) 하측 가장자리부 사이에는, 웨이퍼(W)를 반입/반출시키기 위해 충분한 틈이 형성된다. 덮개(62)를 처리 위치(P2)에 배치했을 때의 상면 개구(61a)의 가장자리부와 덮개(62)의 하측 가장자리부 사이의 거리는, 덮개(62)를 반입/반출 위치(P1)에 배치했을 때의 상면 개구(61a)의 가장자리부와 덮개(62)의 하측 가장자리부 사이의 거리보다 짧다.
예컨대, 약액 처리 공정, 또는 처리조(3) 내의 DHF를 순수로 치환하는 공정 등, 처리조(3) 내에 DHF가 존재하는 동안은, 상면 개구(61a)를 열어 건조 처리부(6)를 외기와 연통시키는 상태로 한다. 이 상태로 제2 배기 라인(27)에 의해 강제 로 배기하면, FFU(12)로부터 공급되는 클린 에어를 외기로서 건조 처리부(6) 내에 유입시켜 기류를 형성할 수 있다. 이에 따라, 처리조(3) 내의 DHF 분위기가 건조 처리부(6)로 상승하는 것을 방지할 수 있다. 약액 처리 공정하는 동안 및, 처리조(3) 내의 DHF를 순수로 치환하는 공정을 하는 동안에는, 덮개(62)를 처리 위치(P2)에 배치하는 것이 바람직하다. 한편, 건조 처리부(6)에 있어서 IPA 증기에 의해 건조 처리를 행하는 동안은, 상면 개구(61a)를 닫고, 건조 처리부(6)를 외기와 차단된 상태로 전환하고, IPA 증기가 건조 처리부(6)로부터 새나가는 것을 방지하도록 되어 있다.
챔버 본체(61) 내부에는, 처리 가스 공급 라인(21)으로부터 공급된 IPA 증기 및 핫 N2 가스를 토출하는 2 개의 처리 가스 공급 노즐(71, 71)이, 챔버 본체(61) 좌우에 각각 설치되어 있다. 또한, N2 가스 공급 라인(25)으로부터 공급된 N2 가스를 토출하는 N2 가스 공급 노즐(72, 72)이, 각 처리 가스 공급 노즐(71, 71) 아래쪽에 설치되어 있다. 또한 제1 배기 라인(26) 및 제2 배기 라인(27)에 접속된 2 개의 배기 노즐(73, 73)이, 챔버 본체(61) 하부의 좌우에 각각 설치되어 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 각 처리 가스 공급 노즐(71, 71)에는 IPA 증기 또는 핫 N2 가스를 토출하는 복수의 토출구(81)가 전후 방향(도 4에 있어서 좌우 방향)으로 일렬로 나란히 마련되어 있다. 또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 각 처리 가스 공급 노즐(71, 71)의 토출구(81)는, 각각 토출 방향이 위쪽으로 향하도록 배치되어 있고, IPA 증기 또는 핫 N2 가스가 건조 처리부(6) 내 웨이퍼(W)의 표면에 직접 토출되지 않도록 되어 있다. 각 처리 가스 공급 노즐(71, 71)의 토출구(81)로 부터 토출된 IPA 증기 또는 핫 N2 가스는, 웨이퍼(W)의 좌측 또는 우측을 통과하여 덮개(62)의 내주면 상부를 향해 상승한다. 그리고, 덮개(62)의 상부 중앙에 있어서, 좌우의 처리 가스 공급 노즐(71, 71)로부터 공급된 IPA 증기 또는 핫 N2 가스가 합류하여 하강하고, 웨이퍼(W) 사이에 유입하여 웨이퍼(W)의 표면을 따라 흘려보내게 되어 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 각 처리 가스 공급 노즐(71, 71)에는 처리 가스 공급 라인(21)이 접속되어 있다. 처리 가스 공급 라인(21)은, IPA 증기 발생부(22)에 접속되어 있다. IPA 증기 발생부(22)에는, IPA를 공급하는 IPA 공급 라인(23)과, 핫 N2 가스 공급 라인(24)이 접속되어 있다. IPA 공급 라인(23)에는 개폐 밸브(82)가 설치되어 있다. 또한, 핫 N2 가스 공급 라인(24)에는 개폐 밸브(83)와, 유량 컨트롤러(84)가 설치되어 있고, 핫 N2 가스의 유량을 변화시킬 수 있도록 되어 있다.
이러한 구성에 있어서는, IPA 공급 라인(23)으로부터 공급된 IPA와 핫 N2 가스 공급 라인(24)으로부터 공급된 핫 N2 가스를 IPA 증기 발생부(22)에서 혼합시킴으로써, IPA 증기가 생성되게 되어 있다. 생성된 IPA 증기는, IPA 증기 발생부(22)로부터 처리 가스 공급 라인(21)을 통과하여 각 처리 가스 공급 노즐(71, 71)에 공급되고, 각 처리 가스 공급 노즐(71, 71)로부터 토출되어 건조 처리부(6)에 도입되는 구성으로 되어 있다. 또한, 개폐 밸브(82)를 닫고, 개폐 밸브(83)를 개방한 상태로 함으로써, IPA 공급 라인(23)으로부터 IPA를 공급하지 않고, 핫 N2 가스 공급 라인(24)으로부터 공급된 핫 N2 가스만을 IPA 증기 발생부(22), 처리 가스 공급 라 인(21), 각 처리 가스 공급 노즐(71, 71)을 통해서 건조 처리부(6)에 도입 할 수도 있다. 이와 같이 처리 가스 공급 라인(21) 내에 핫 N2 가스를 관통하여 흐르게함으로써, IPA 증기를 통과시키기 전에, 처리 가스 공급 라인(21) 내의 온도를 상승시킬 수 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 각 N2 가스 공급 노즐(72, 72)에는, 처리 가스 공급 노즐(71)과 마찬가지로, N2 가스를 토출하는 복수의 토출구(85)가 전후 방향으로 배열되어 마련되어 있다. 또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 각 N2 가스 공급 노즐(72, 72)의 토출구(85)는, 각각 토출 방향이 위쪽을 향하도록 배치되어 있고, N2 가스가 건조 처리부(6) 내의 웨이퍼(W)의 표면에 직접 토출되지 않도록 되어 있다. 각 N2 가스 공급 노즐(72, 72)의 토출구(85)로부터 토출된 N2 가스는, 웨이퍼(W)의 좌측 또는 우측을 통과하여 덮개(62)의 내주면 상부를 향해 상승한다. 그리고, 덮개(62)의 상부 중앙 부근에 있어서, 좌우의 N2 가스 공급 노즐(72, 72)로부터 공급된 N2 가스가 합류하면서 하강하고, 웨이퍼(W) 사이에 유입하여 웨이퍼(W)의 표면을 따라 흘러 내려가도록 되어 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 각 N2 가스 공급 노즐(72, 72)에는 N2 가스 공급 라인(25)이 접속되어 있다. N2 가스 공급 라인(25)에는 개폐 밸브(86)가 설치되어 있다.
도 5에 도시한 바와 같이, 배기 노즐(73)의 내부에는, 원통형의 배기로(91)가 형성되어 있다. 배기로(91)의 기단부(91a)측에는 제1 배기 라인(26)이 접속되고, 제1 배기 라인(26)을 통해서 제2 배기 라인(27)이 접속되어 있다. 배기 노즐 (73)의 표면에는, 배기로(91)에 연통하는 복수 개, 예컨대 5 개의 배기구(92; 92a 내지 92e)가 배기로(91)가 향하는 방향을 따른 슬릿형으로 형성되어 있다. 배기구(92a, 92b, 92c, 92d, 92e)는, 배기로(91)의 기단부(91a)측으로부터 건조 처리부(6) 내부의 선단부(91b)측을 향하여 이 순서대로 일렬로 배열하여 마련되어 있다. 이와 같이, 각 배기구(92)를 슬릿형으로 형성하면, 배기가 각 배기구(92)에 유입되기 쉽고, 배기가 효율적으로 이루어진다. 또한, 배기로(91)의 기단부(91a)측으로부터 선단부(91b)측을 향함에 따라, 배기구(92a 내지 92e)의 개구 면적이 커지도록 형성되어 있다. 이와 같이 하면, 배기로(91) 내에서 배기가 제1 배기 라인(26)측으로 원활하게 흐르고, 배기가 효율적으로 이루어기 때문에, 배기량을 대폭 증가시킬 수 있다. 도시한 예에서는, 각 배기구(92a 내지 92e)에서의 배기로(91)를 따른 방향의 길이는, 배기로(91)의 기단부(91a)측으로부터 선단부(91b)측을 향함에 따라 길어지도록 형성되고 있다. 즉, 배기구(92a)의 길이(La), 배기구(92b)의 길이(Lb), 배기구(92c)의 길이(Lc), 배기구(92d)의 길이(Ld), 배기구(92e)의 길이(Le) 순으로 길어지도록 형성되어 있다. 도 3에 도시한 바와 같이, 각 배기 노즐(73)은 배기구(92)가 챔버 본체(61)의 전후 방향을 향해 배열하듯이 배치되어 있고, 또한 배기가 배기구(92)에 대략 수평 방향으로 유입하도록 향해져 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 좌우의 배기 노즐(73, 73)에 각각 접속된 제1 배기 라인(26, 26)의 하류단은 드레인 박스(102)에 접속되어 있다. 드레인 박스(102)에는, 드레인 박스(102)로부터 배기하는 배기관(103)이 접속되어 있다. 배기관(103)은, 공장의 배기계(105)에 접속되어 있다.
제2 배기 라인(27, 27)은, 좌우의 배기 노즐(73, 73)에 각각 접속된 제1 배기 라인(26, 26)의 도중에 각각 마련되어 있다. 각 제2 배기 라인(27, 27)에는, 각각 개폐 밸브(118, 118)가 설치되어 있다. 제2 배기 라인(27, 27)은, 개폐 밸브(118, 118)의 하류측에서 합류하여 이젝터(120)에 접속되어 있다. 이젝터(120)의 하류측은, 공장의 배기계(105)에 접속되어 있다.
개폐 밸브(118, 118)를 닫은 상태에서는, 건조 처리부(6) 내에 IPA 증기, 핫 N2 가스, 또는 상온의 N2 가스가 공급됨으로써, 건조 처리부(6) 내의 분위기가 배기 노즐(73)의 배기구(92)를 향해 압출되고, 제1 배기 라인(26)에 의해 배기되도록 되어 있다. 한편, 개폐 밸브(118, 118)를 열고, 이젝터(120)를 작동시키면, 각 배기 노즐(73, 73), 각 제1 배기 라인(26, 26), 각 제2 배기 라인(27, 27)을 통해서, 건조 처리부(6) 내가 강제 배기되도록 되어 있다. 즉, 제2 배기 라인(27)에 의해 강제로 배기함으로써, 제1 배기 라인(26)만으로 배기하는 경우보다 배기량을 증가시킬 수 있다.
웨이퍼 가이드(8)는, 상하 방향으로 승강할 수 있게 구성되어 있다. 도 6에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가이드(8)는 가이드부(131)와, 가이드부(131)에 수평 자세로 고착된 4 개의 평행한 유지 부재(132a, 132b, 132c, 132d)를 구비하고 있다. 각 유지 부재(132a 내지 132d)에는, 웨이퍼(W)의 주연을 유지하는 유지홈(133)이 등간격으로 50 개 형성되어 있다. 이에 따라, 50 매의 웨이퍼(W)를 등간격으로 배열시킨 상태로 유지하는 구성으로 되어 있다.
웨이퍼 가이드(8)는 가이드부(131)로부터 위쪽으로 더 연장되는 지지봉(8a) 을 가지며, 이 지지봉(8a)은 덮개(62)를 관통하여 연장됨과 함께 지지봉(8a)과 덮개(62) 사이는 에어 그립 시일(8b)에 의해 건조 처리 중에는 밀봉되어 있다. 그리고 지지봉(8a)이 상하 방향으로 이동함으로써, 웨이퍼(W)를 처리조(3)와 건조 처리부(6) 사이에서 이동시킬 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 셔터 이동부(11)의 저부(11a)에는 챔버 본체(61)의 하면 개구(61b)와 연통한 개구부(11b)가 형성되고, 셔터 이동부(11)의 상면(11c)에는 챔버 본체(61)의 상면 개구(61a)와 연통한 개구부(11d)가 형성되어 있다. 셔터(10)의 상면에는 셔터 이동부(11)의 개구부(11d) 주위에 밀착시키는 시일부(135)가 마련되어 있다. 셔터(10)는, 도시하지 않는 구동 기구의 구동에 의해, 셔터 이동부(11)에서, 상하 방향 및 수평 방향으로 이동할 수 있게 구성되어 있고, 개구부(11b)와 개구부(11d) 사이에서 이동하여 개구부(11b)를 막는 폐쇄 위치(PS1)(도 1에서 실선)와, 개구부(11b)와 개구부(11d) 사이로부터 퇴피하여 웨이퍼(W) 및 웨이퍼 가이드(8)를 처리조(3)와 건조 처리부(6) 사이에서 승강 가능하게 하는 대기 위치(PS2)(도 1에서 2 점 쇄선)로 이동할 수 있다. 폐쇄 위치(PS1)에 있어서는, 시일부(135)가 개구부(11d)의 주위에 밀착되고, 이 건조 처리부(6) 내의 분위기와 셔터 이동부(11) 내의 분위기를 차단할 수 있도록 되어 있다.
셔터(10)의 대기 위치(PS2)의 아래쪽에, 셔터 이동부(11)의 저부(11a)에는, 셔터 이동부(11) 내로부터 배액 및 배기를 행하는 배출로(136)가 마련되어 있다. 셔터(10)에 부착되어 셔터 이동부(11)의 저부(11a)로 낙하한 액적이나, 셔터 이동부(11) 내의 DHF 분위기, IPA 증기 등은 배출로(136)를 통해서 셔터 이동부(11)로 부터 배출된다. 배출로(136)에는, 개폐 밸브(137)가 설치되어 있다.
박스(13)에는, 배액로(141)와, 배기로(142)가 마련되어 있다. 내부조(30)의 처리액 배출관(36), 중간조(31)의 처리액 배출관(43), 셔터 이동부(11)의 배출로(136)로부터의 배출된 처리액은, 박스(13) 내에 배출되고, 배액로(141)를 경유하여 공장의 배액계에 배출된다.
기판 처리 장치의 각 기능 요소는, 기판 처리 장치 전체의 동작을 자동 제어하는 제어 컴퓨터(65a)에 신호 라인을 통해 접속되어 있다. 여기서 기능 요소란, 덮개 승강기(64), 웨이퍼 가이드(8), 셔터 이동부(11), IPA 증기 발생부(22), 인젝터(120) 등(이러한 것만으로는 한정되지 않는다)의 소정의 프로세스 조건을 실현하기 위해 동작하는 모든 요소를 의미하고 있다. 제어 컴퓨터(65a)는, 전형적으로는 실행하는 소프트웨어에 의존하여 임의의 기능을 실현할 수 있는 범용 컴퓨터이다.
제어 컴퓨터(65a)는, 중앙 연산 장치(CPU)로 이루어지는 제어부(65)와, 제어부(65)에 접속된 입출력부(65b)와, 입출력부(65b)에 삽입 부착되어 제어 소프트웨어를 저장한 기록 매체(65c)를 갖는다. 제어 소프트웨어를 실행함으로써, 제어 컴퓨터(65a)는, 기판 처리 장치의 각 기능 요소를 소정의 프로세스 레시피에 의해 정의된 여러 가지 프로세스 조건(덮개의 개방도 등)이 실현되도록 제어한다.
기록 매체(65c)는, 제어 컴퓨터(65a)에 고정적으로 설치되는 것, 또는 제어 컴퓨터(65a)에 설치된 판독 장치에 착탈 가능하게 장착되어 이 해독 장치에 의해 판독 가능한 것이어도 좋다. 가장 전형적인 실시예에서는, 기록 매체(65c)는 기판 처리 장치의 메이커의 서비스맨에 의해 제어 소프트웨어가 인스톨된 하드디스크 드 라이브이다. 다른 실시예에서는, 기록 매체(65c)는 제어 소프트웨어가 기록된 CD-ROM 또는 DVD-ROM과 같은 리무버블 디스크이며, 이러한 리무버블 디스크는 제어 컴퓨터(65a)에 설치된 광학적 판독 장치에 의해 판독된다. 기록 매체(65c)는, RAM(random access memory) 또는, ROM(read only memory) 중 어느 하나의 형식의 것이어도 좋고, 또한 기록 매체(65c)는, 카세트 식의 ROM과 같은 것이어도 좋다. 요컨대, 컴퓨터의 기술 분야에서 알려져 있는 임의의 것을 기록 매체(65c)로서 이용하는 것이 가능하다. 또한, 복수의 기판 처리 장치가 배치되는 공장에서는, 각 기판 처리 장치의 제어 컴퓨터(65a)를 통괄적으로 제어하는 관리 컴퓨터에 제어 소프트웨어가 저장되어 있어도 좋다. 이 경우, 각 기판 처리 장치는 통신 회선을 통해서 관리 컴퓨터에 의해 조작되고, 소정의 프로세스를 실행한다.
다음에, 이상과 같이 구성된 기판 처리 장치(1)로 행해지는 세정 방법에 관해서 설명한다.
우선, 웨이퍼(W)를 기판 처리 장치(1)에 반입하기 전의 대기 상태에서는, 도 7에 도시한 바와 같이, 덮개(62)를 폐쇄 위치(P3)에 배치하고, 셔터(10)를 폐쇄 위치(PS1)에 배치해 둔다. 또한, 핫 N2 가스 공급 라인(24)으로부터 핫 N2 가스를 적은 유량으로 공급하고, IPA 증기 발생부(22), 처리 가스 공급 라인(21), 각 처리 가스 공급 노즐(71, 71)을 통해서 건조 처리부(6)에 도입시킨다. 그리고, 건조 처리부(6) 내의 분위기를 배기 노즐(73, 73)을 통해 제1 배기 라인(26)에 압출하도록 배기하는 상태로 해 둔다. 또한, 처리조(3) 내에 소정 농도의 DHF를 축적시켜 둔다. 핫 N2 가스 공급 라인(24)으로부터 공급하는 핫 N2 가스의 유량은, 예컨대 15L/min. 정도가 좋다.
웨이퍼(W)를 기판 처리 장치(1)에 반입할 때는, 도 8에 도시한 바와 같이, 덮개(62)를 반입/반출 위치(P1)로 이동시키고, 웨이퍼 가이드(8)에 의해 유지된 예컨대 50 매의 웨이퍼(W)를 챔버 본체(61) 상면 개구(61a)로부터 챔버 본체(61) 내에 반입한다. 또한 셔터(10)를 대기 위치(PS2)로 이동시키고, 셔터 이동부(11)의 개구부(11b)와 개구부(11d) 사이를 개방시킨다. 또한, 제2 배기 라인(27, 27)에 구비되어 있는 개폐 밸브(118, 118)를 열고, 이젝터(120)를 작동시킨다. 즉, 각 배기 노즐(73, 73), 각 제1 배기 라인(26, 26), 각 제2 배기 라인(27, 27)을 통해서, 건조 처리부(6) 내를 강제 배기시킨다. 그러면, FFU(12)로부터의 다운플로우가 건조 처리부(6)에 유입되고, 상면 개구(61a)로부터 각 배기 노즐(73, 73)을 향하는 클린 에어의 흐름이 형성된다. 이에 따라, 셔터(10)를 열어도, 처리조(3) 내에 축적된 DHF 분위기가, 건조 처리부(6)로 상승하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, DHF 분위기가 챔버(5)의 내면에 부착되거나, 상면 개구(61a)로부터 챔버(5)의 외부로 새거나 하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 각 배기 노즐(73, 73)의 배기구(92a 내지 92e)는, 강제 배기하여 배기량을 증가시켜도 원활하게 배기를 빨아들일 수 있다.
이렇게 하여, 웨이퍼 가이드(8)를 건조 처리부(6)로부터 처리조(3)의 내부조(30) 내에 하강시키고, 내부조(30)에 축적된 DHF에 웨이퍼(W)를 침지시켜 약액 처리한다. 처리조(3)에서 웨이퍼(W)를 약액 처리하는 동안은, 도 9에 도시한 바와 같이, 덮개(62)를 처리 위치(P2)로 이동시키고, 덮개(62)의 하측 가장자리와 챔버 본체(61)의 상면 개구(61a) 사이에 틈을 형성한다. 또한, 웨이퍼(W)를 챔버 본체(61) 에 반입할 때와 마찬가지로, 제2 배기 라인(27)에 설치한 개폐 밸브(118, 118)를 열고, 이젝터(120)를 작동시킨 상태로 하여, 제2 배기 라인(27)에 의해 건조 처리부(6) 내를 강제 배기한다. 이와 같이 하면, 약액 처리하는 동안에도, 외부 분위기, 즉 FFU(12)로부터 다운플로우된 클린 에어가 덮개(62)와 상면 개구(61a) 사이의 틈으로부터 건조 처리부(6)로 유입되고, 상면 개구(61a)로부터 각 배기 노즐(73, 73)을 향하는 클린 에어의 기류가 형성된다. 이에 따라, 처리조(3) 내에 축적된 DHF 분위기가 건조 처리부(6)로 상승하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, DHF 분위기가 챔버(5)의 내면에 부착되거나, 상면 개구(61a)로부터 챔버(5)의 외부로 새거나 하는 것을 방지할 수 있다. 또한, FFU(12)로부터 공급되는 클린 에어를 이용하여 건조 처리부(6) 내에 기류를 형성하기 때문에, 경제적이다.
DHF에 의한 웨이퍼(W)의 약액 처리가 종료하면, 웨이퍼(W)를 내부조(30) 내에 배치한 채, 처리액 공급 노즐(35)로부터 순수를 공급하고, 내부조(30) 내의 DHF를 순수로 치환하며, 웨이퍼(W)를 순수에 의해 린스 처리한다. 내부조(30)로부터 오버플로우한 DHF나 순수는 중간조(31)에 수용되고, 처리액 배출관(41)에 의해 배출된다.
내부조(30) 내의 DHF를 순수로 치환하는 동안은, 웨이퍼(W)를 약액 처리하는 동안과 마찬가지로, 덮개(62)를 처리 위치(P2)에 배치한 채, 제2 배기 라인(27)에 의한 강제 배기를 계속하고, 건조 처리부(6) 내에 상면 개구(61a)로부터 각 배기 노즐(73, 73)을 향하는 FFU(12)로부터의 클린 에어의 기류를 형성시킨다. 이에 따라, 처리조(3) 내의 DHF 분위기가 건조 처리부(6)로 상승하는 것을 방지한다. 그 후, 내부조(30) 내의 DHF가 순수로 치환되고, 처리조(3) 내로부터 DHF가 배출되면 도(10)에 도시한 바와 같이, 덮개(62)를 폐쇄 위치(P3)로 이동시키고, 챔버 본체(61) 상면 개구(61a)를 밀폐한다. 또한, 처리조(3) 내의 DHF가 순수로 치환되었는지의 여부는 농도계(53)의 농도 측정치에 의해 판단할 수 있다. 농도계(53)의 농도 측정치에 의해서, 처리조(3) 내가 완전히 순수로 치환된 것을 확인한 후, 덮개(62)를 폐쇄 위치(P3)로 이동시키면 좋다.
또한, 처리조(3) 내의 DHF가 순수로 치환되면, 제2 배기 라인(27)에 구비한 개폐 밸브(118, 118)를 닫고, 제2 배기 라인(27)에 의한 강제 배기를 정지시킨다. 즉, 웨이퍼(W)를 기판 처리 장치(1)에 반입하여 처리조(3)로 이동시키는 동안, 약액 처리 공정시 및 처리조(3) 내의 DHF를 순수로 치환하는 동안의 각 배기량보다 작은 배기량으로 건조 처리부(6)를 배기하는 상태로 한다. 또한, 핫 N2 가스 공급 라인(24), N2 가스 공급 라인(25)으로부터, 각각 핫 N2 가스, 상온의 N2 가스를 큰 유량으로 공급한다. 또한, 농도계(53)의 농도 측정치에 의해서, 처리조(3) 내가 완전히 순수로 치환된 것을 확인한 후, 제2 배기 라인(27)의 개폐 밸브(118, 118)를 닫고, 핫 N2 가스 공급 라인(24)의 개폐 밸브(83), N2 가스 공급 라인(25)의 개폐 밸브(86)를 열도록 하면 좋다. 핫 N2 가스, N2 가스는, 각각 처리 가스 공급 노즐(71, 71), N2 가스 공급 노즐(72, 72)로부터 건조 처리부(6) 내에 토출되고, 덮개(62)의 내면 상부를 향해 상승한 후, 건조 처리부(6) 내를 하강하도록 흐른다. 건조 처리부(6) 내의 분위기는, 각 배기 노즐(73, 73)의 배기구(92)에 압출되고, 제1 배기 라인(26)에 의해 배기된다. 이렇게 하여, 건조 처리부(6)에 핫 N2 가스, N2 가스를 공급하고, 건조 처리부(6) 내의 분위기를 제1 배기 라인(26)에 배출시킴으로써, 건조 처리부(6) 내의 분위기를 N2 가스 분위기로 치환한다. 핫 N2 가스 공급 라인(24)으로부터 공급되는 핫 N2 가스의 유량은, 예컨대 100L/min. 정도가 좋고, N2 가스 공급 라인(25)으로부터 공급되는 N2 가스의 유량은, 예컨대 200L/min. 정도가 좋다. 또한, 각 배기 노즐(73, 73)의 배기구(92a 내지 92e)는, 배기 노즐(73)의 선단부측을 향함에 따라 개구 면적이 커지도록 형성되어 있기 때문에, 핫 N2 가스, N2 가스의 공급량을 증가시켜도 배기가 배기구(92a 내지 92e)에서 효율적으로 압출되도록 되어 있다.
또한, 핫 N2 가스 공급 라인(24)으로부터 공급된 핫 N2 가스는, IPA 증기 발생부(22), 처리 가스 공급 라인(21)을 통해서 처리 가스 공급 노즐(71, 71)에 공급된다. 이에 따라, 처리 가스 공급 라인(21)이 핫 N2 가스에 의해 온도가 상승하기 때문에, 순수에 의한 린스 처리 후에 IPA 증기를 공급할 때, 처리 가스 공급 라인(21) 내에서 IPA 증기의 온도가 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 핫 N2 가스에 의해 건조 처리부(6) 내가 온도가 상승하고, 순수에 의한 린스 처리 후에 IPA 증기를 공급할 때, 건조 처리부(6)의 내면에 IPA 증기가 부착되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, IPA 증기가 웨이퍼(W)에 효율적으로 공급되고, IPA 증기의 사용량을 저감시킬 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)를 챔버 본체(61)에 반입하는 동안, 웨이퍼(W)를 약액 처리하는 동안, 및 내부조(30) 내의 DHF를 순수로 치환하는 동안은, 개폐 밸브(137)을 열고, 배출로(136)에 의해 셔터 이동부(11) 내의 DHF 분위기가 배기되도록 하면, FFU(12)로부터의 클린 에어가 건조 처리부(6)를 통해서 셔터 이동부(11) 내에도 유입하며 셔터 이동부(11) 내에 DHF 분위기가 잔류하는 것을 방지할 수 있다. 그 후, 내부조(30) 내의 DHF가 순수로 치환되고, 처리조(3) 내로부터 DHF가 배출되면 개폐 밸브(137)를 닫고, 배출로(136)에 의한 배기를 정지시켜도 좋다. 이 경우, 농도계(53)의 농도 측정치에 의해 처리조(3) 내가 완전히 순수로 치환된 것을 확인한 후, 개폐 밸브(137)를 닫도록 하면 좋다.
순수에 의한 웨이퍼(W)의 린스 처리가 종료되면, 웨이퍼 가이드(8)를 내부조(30) 내로부터 상승시키고, 웨이퍼(W)를 내부조(30) 내로부터 건조 처리부(6)로 이동시킨다. 또한, 웨이퍼(W)의 린스 처리가 종료되면, N2 가스 공급 라인(25)으로부터의 N2 가스의 공급은 정지시키고, 핫 N2 가스 공급 라인(24)으로부터의 핫 N2 가스의 공급은, 웨이퍼(W)를 이동시키는 동안도 계속하여 처리 가스 공급 라인(21)을 따뜻하게 하는 것이 바람직하다. 이 때 핫 N2 가스 공급 라인(24)으로부터 공급되는 핫 N2 가스의 유량은, 적은 유량, 예컨대 15L/min. 정도로 하면 좋고, 온도는 예컨대 250 ℃ 정도가 바람직하다.
웨이퍼(W)를 건조 처리부(6)로 이동시키면, 도(11)에 도시한 바와 같이, 셔터(10)를 폐쇄 위치(PS1)로 이동시키고, 에어 그립 시일(8b)로 지지봉(8a)과, 덮개(62) 사이를 밀봉하여 건조 처리부(6)를 밀폐한다. 덮개(62)는, 계속 폐쇄 위치(P3)에 배치한 채로 둔다. 그리고, IPA 공급 라인(23)으로부터 IPA를 공급함과 함께 핫 N2 가스 공급 라인(24)으로부터 핫 N2 가스를 공급하고, IPA 증기 발생부(22)에서 IPA 증기를 발생시키며, 처리 가스 공급 라인(21)으로부터 IPA 증기를 공 급한다. IPA 증기는, 처리 가스 공급 노즐(71, 71)로부터 건조 처리부(6) 내에 토출되고, 웨이퍼(W)의 좌측 또는 우측을 통과하여 덮개(62)의 내주면 상부를 향해 상승한 후, 각 웨이퍼(W)의 상부로부터 웨이퍼(W) 사이에 유입되어 각 웨이퍼(W)의 표면을 따라 웨이퍼(W)의 하부까지 흘러 내려간다. 그리고, 건조 처리부(6)의 하부에서, 각 배기 노즐(73, 73)의 배기구(92)에서 압출되고, 제1 배기 라인(26)에 의해 배기된다. 이렇게 하여, 건조 처리부(6) 내에 IPA 증기를 공급하고, 웨이퍼(W)를 건조 처리한다. 또한, 핫 N2 가스 공급 라인(24)으로부터 공급되는 핫 N2 가스의 유량은, 예컨대 100L/min. 정도가 좋다. 핫 N2 가스의 온도는, 예컨대 82 ℃ 내지 110 ℃ 정도가 바람직하다.
IPA 증기에 의한 웨이퍼(W)의 건조 처리가 종료되면, 도 12에 도시한 바와 같이, IPA 공급 라인(23)으로부터의 IPA의 공급을 정지시켜 처리 가스 공급 라인(21)으로부터의 IPA 증기의 공급을 정지시키고, 핫 N2 가스 공급 라인(24), N2 가스 공급 라인(25)으로부터, 각각 핫 N2 가스, N2 가스를 공급하고, 건조 처리부(6) 내를 N2 가스로 퍼지 한다. 핫 N2 가스, N2 가스는, 각각 처리 가스 공급 노즐(71, 71), N2 가스 공급 노즐(72, 72)로부터 건조 처리부(6) 내에 토출되고, 덮개(62)의 내면 상부를 향해 상승한 후, 건조 처리부(6) 내를 하강하도록 흐른다. 건조 처리부(6) 내의 분위기는, 각 배기 노즐(73, 73)의 배기구(92)에 압출되고, 제1 배기 라인(26)에 의해 배기된다. 이렇게 하여, 건조 처리부(6) 내에 N2 가스를 공급하고, 건조 처리부(6) 내의 IPA 증기를 제1 배기 라인(26)에 배출시켜 건조 처리부(6) 내의 분위기가 N2 가스 분위기로 치환된다. 핫 N2 가스 공급 라인(24)으로부터 공급되는 핫 N2 가스의 유량은, 예컨대 100L/min. 정도가 좋고, N2 가스 공급 라인(25)으로부터 공급되는 N2 가스의 유량은, 예컨대 200L/min. 정도가 좋다.
건조 처리부(6) 내가 N2 가스에 의해 퍼지 되면, 에어 그립 시일(8b)의 시일을 뜯고, 덮개(62)를 반입/반출 위치(P1)로 이동시키며, 웨이퍼 가이드(8)를 챔버 본체(61)의 상면 개구(61a)로부터 상승시켜 웨이퍼(W)를 반출한다. 이렇게 하여, 기판 처리 장치(1)에서의 웨이퍼(W)의 세정 처리가 종료한다.
이러한 기판 처리 장치(1)에 의하면, 제2 배기 라인(27)에 의해 건조 처리부(6) 내를 강제 배기할 수 있는 구성으로 함으로써, 건조 처리부(6) 내의 배기량을 증가시킬 수 있다. 또한, 처리조(3) 내에 DHF가 존재하는 동안, 상면 개구(61a)를 개구시켜 건조 처리부(6)를 외기와 연통시킨 상태로 함으로써, FFU(12)로부터 공급되는 클린 에어를 건조 처리부(6) 내에 유입시켜 기류를 형성할 수 있다. 따라서, 처리조(3) 내의 DHF 분위기가 건조 처리부(6)로 상승하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 건조 처리부(6) 내로 이동시킨 웨이퍼(W)에 DHF 분위기가 부착되는 것을 방지할 수 있고, 웨이퍼의 표면에 워터마크가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 세정 처리 후, 웨이퍼의 표면에 막이 양호하게 형성되어 반도체 디바이스에 상기 특성의 이상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 핫 N2 가스 공급 라인(24)과 N2 가스 공급 라인(25)에 의해서, 건조 처리부(6) 내에 N2 가스를 큰 유량으로 공급함으로써, IPA 증기가 챔버(5)의 내면에 잔류하는 것을 방지할 수 있다. 웨이퍼(W)에 IPA가 잔류하는 것을 방지할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예의 일례를 나타냈지만, 본 발명은 여기서 설명한 형태에 한정되지 않는다. 예컨대, 기판 처리 장치(1)는 DHF를 약액으로서 공급하고, 순수를 린스액으로서 공급하며, IPA 증기를 건조용 처리 가스로서 공급하는 것으로 하였지만, 처리액, 처리 가스의 종류는 이러한 것에 한정되지 않는다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 세정 이외의 다른 처리를 기판에 대해 실시하는 것이어도 좋다. 기판은 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, LCD 기판용 유리나 CD 기판, 프린트 기판, 세라믹 기판 등이어도 좋다. 챔버(5)에는, 챔버(5)의 내면의 온도를 상승시키기 위한 히터를 장착해도 좋다. 이 경우, IPA 증기에 의한 웨이퍼(W)를 건조 처리할 때, 히터에 의해 챔버(5)의 내면의 온도를 상승시킴으로써, 챔버(5)의 내면에 IPA 증기가 부착되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. 따라서, IPA 증기가 웨이퍼(W)에 효율적으로 공급되어 IPA 증기의 사용량을 저감시킬 수 있다. 또한, 챔버(5)의 내면에 IPA 증기가 잔류하는 것을 방지할 수 있다. 예컨대, 덮개(62)나 챔버 본체(61) 외면에 러버 히터를 구비함으로써, 덮개(62)의 내면이나 챔버 본체(61) 내면을 가열할 수 있도록 하여도 좋다. 또한, 챔버(5)의 내면은, 웨이퍼(W)보다 저온이 되도록 하는 것이 바람직하다. 챔버(5)의 내면을 가열하는 히터의 가열 온도는, 예컨대 85 ℃ 정도가 바람직하다.
본 실시예에서는, 처리조(3) 내에 설치한 농도계(53)의 측정치에 의해서, 처리조(3) 내의 DHF가 순수로 치환된 것을 확인하는 구성으로 하였지만, 처리조(3) 내에 비저항계를 설치하고, 비저항계의 비저항치에 의해서, 처리조(3) 내가 순수로 치환된 것을 확인하는 구성으로 하여도 좋다.
본 실시예에서는, IPA 증기에 의한 웨이퍼(W)의 건조 처리 후, 건조 처리부(6) 내를 N2 가스에 의해 퍼지할 때, 제1 배기 라인(26)에 의해 배기하는 것으로 하였지만, 제2 배기 라인(27)에 의해 강제 배기하여 건조 처리부(6) 내를 감압하도록 하여도 좋다. 이 경우, 건조 처리부(6) 내에 잔류한 IPA 증기가 휘발하기 쉬워지고, 챔버(5)나 웨이퍼(W)의 표면에 IPA 증기가 잔류하는 것을 방지할 수 있다.
본 실시예에서는, 약액 처리 공정시는 건조 처리부(6)를 제2 배기 라인(27)에 의해 강제적으로 배기하고, 처리조(3) 내의 약액이 린스액으로 치환되면, 제1 배기 라인(26)에 의해 배기하는 상태로 전환되어 약액 처리 공정시보다 작은 배기량으로 배기하는 것으로 하였지만, 제1 배기 라인(26) 내가 건조 처리부(6)에 대해서 충분히 부압이 되도록 설정되어 있고, 건조 처리부(6) 내에 클린 에어를 유입시켜 기류를 형성하기 위해 필요한 배기량을 제1 배기 라인(26)만으로 충분히 취할 수 있는 경우는, 강제 배기하지 않아도 좋고, 또한 제2 배기 라인(27)을 마련하지 않아도 좋다.
본 실시예에서는, 웨이퍼(W)를 기판 처리 장치(1)에 반입하기 전부터, 순수에 의한 린스 처리 후에 IPA 증기를 공급할 때까지, 핫 N2 가스 공급 라인(24)으로부터 핫 N2 가스를 공급하고, 처리 가스 공급 라인(21)을 핫 N2 가스에 의해 따뜻하게 하는 것으로 하였지만, 웨이퍼(W)의 약액 처리시는, 핫 N2 가스 공급 라인(24)으로부터의 핫 N2 가스의 공급을 정지시켜도 좋다.
본 실시예에서는, 건조 처리부(6) 내의 분위기를 N2 가스 분위기로 치환할 때, 핫 N2 가스 공급 라인(24)으로부터 핫 N2 가스를 공급하고 또한, N2 가스 공급 라인(25)으로부터 N2 가스를 공급하면서, 건조 처리부(6)를 배기하는 것으로 하였지만, N2 가스 공급 라인(25)을 마련하지 않고, 핫 N2 가스 공급 라인(24)으로부터만 핫 N2 가스를 공급하도록 하여도 좋다.
본 실시예에서는, 웨이퍼(W)를 건조 처리부(6)로 이동시켜 건조 처리부(6)를 밀폐한 후, 건조 처리부(6)에 IPA 증기를 공급하여 건조 처리하는 것으로 하였지만, 웨이퍼(W)를 처리조(3)로부터 건조 처리부(6)로 이동시키면서, 처리 가스 공급 라인(21)으로부터 IPA 증기를 공급하도록 하여도 좋다.
본 실시예에서는, 덮개(62)를 처리 위치(P2)로 이동시킴으로써, 건조 처리부(6)를 외기와 연통시키는 상태로 하고, 덮개(62)를 폐쇄 위치(P3)로 이동시킴으로써, 건조 처리부(62)를 외기와 차단된 상태로 하는 구성으로 하였지만, 건조 처리부(6)를 외기와 연통한 상태와 차단시킨 상태를 전환하는 구성은, 이러한 것에 한정되지 않는다. 예컨대, 도 13에 도시한 바와 같이, 덮개(62)에 개구(환기구)(150)를 형성하고, 개구(150)를 개폐하는 덮개 부재(151)를 마련하며, 덮개 부재(151)를 승강 이동시키는 덮개 부재 승강기(152)를 설치하여도 좋다. 또한, 덮개 부재 승강기(152)의 구동을 제어하는 제어부(153)를 설치하여도 좋다. 즉, 덮개 부재 승강기(152)에 의해 덮개 부재(151)를 개구(150)로부터 상승시켜 개구(150)를 개방함으로써, 건조 처리부(6)를 외기와 연통시키는 상태로 하고, 덮개 부재 승강기(152)에 의해 덮개 부재(151)를 하강시켜, 덮개 부재(151)에 의해 개구(150)를 닫음으로써, 건조 처리부(6)를 외기와 차단된 상태로 하는 구성으로 하고 있다. 이 기판 처리 장치(1)에 있어서는, 웨이퍼(W)를 기판 처리 장치(1)에 반입할 때는, 배기 노즐 (73, 73)을 통해서 건조 처리부(6) 내를 강제 배기시킨다. 즉, 상면 개구(61a)가 개구되어 건조 처리부(6)가 외기와 연통한 상태로 되어 있고, FFU(12)로부터의 다운플로우가 상면 개구(61a)로부터 건조 처리부(6)에 유입되며, 상면 개구(61a)로부터 각 배기 노즐(73, 73)을 향하는 클린 에어의 흐름이 형성된다. 웨이퍼(W)를 반입시키면, 덮개(62)에 의해 챔버 본체(61)의 상면 개구(61a)를 닫는다. 그리고, 제어부(153)의 제어에 의해 덮개 부재 승강기(152)를 구동시키고, 덮개 부재(151)를 상승시켜 개구(150)를 연다. 약액 처리시, 및 처리조(3) 내의 DHF를 순수로 치환하는 동안은 개구(150)를 개방한 채, 배기 노즐(73, 73)을 통해서 건조 처리부(6) 내를 강제 배기한다. 이에 따라, FFU(12)로부터의 다운플로우가 개구(150)로부터 건조 처리부(6)에 유입되고, 개구(150)로부터 각 배기 노즐(73, 73)을 향하는 클린 에어의 흐름이 형성된다. 내부조(30) 내의 DHF가 순수로 치환되면, 개구(50)를 닫는다. 이와 같이 하여, 처리조(3) 내에 DHF가 존재하는 동안, 건조 처리부(6) 내에 기류를 형성하고, 처리조(3) 내의 DHF 분위기가 건조 처리부(6) 내로 상승하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 예컨대 도 14에 도시한 바와 같이, 덮개(62)에 파이프(160)를 접속하고, 파이프(160)에 개폐 밸브(161)를 설치한 구성으로 하여도 좋다. 도 14에 있어서, 파이프(160)는 대략 수직으로 향해진 직관형으로 형성되어 있다. 또한, 파이프(160)의 하단을 덮개(62)의 상부의 내면에서 개구시키고 있다. 또한, 개폐 밸브(161)의 개폐를 제어하는 제어부(163)를 마련하여도 좋다. 이 기판 처리 장치(1)에 있어서는, 개폐 밸브(161)를 개방함으로써, 파이프(160)를 통해서 건조 처리부(6) 를 외기와 연통시키는 상태로 하고, 개폐 밸브(161)를 닫음으로써, 건조 처리부(6)를 외기와 차단하는 상태로 하는 구성으로 하고 있다. 웨이퍼(W)를 기판 처리 장치(1)에 반입할 때는, 배기 노즐(73, 73)을 개입시켜 건조 처리부(6) 내를 강제 배기시킨다. 이에 따라, FFU(12)로부터의 다운플로우가 상면 개구(61a)로부터 건조 처리부(6)에 유입되고, 상면 개구(61a)로부터 각 배기 노즐(73, 73)을 향하는 클린 에어의 흐름이 형성된다. 웨이퍼(W)를 반입시키면, 덮개(62)에 의해 챔버 본체(61)의 상면 개구(61a)를 닫는다. 그리고, 제어부(163)의 제어에 의해 개폐 밸브(161)를 개방한다. 약액 처리시, 및 처리조(3) 내의 DHF를 순수로 치환하는 동안은 개폐 밸브(161)를 개방하면서, 배기 노즐(73, 73)을 통해서 건조 처리부(6) 내를 강제 배기한다. 이에 따라, FFU(12)로부터의 다운플로우가 파이프(160)를 하강하여 건조 처리부(6)에 유입되고, 파이프(160)로부터 각 배기 노즐(73, 73)을 향하는 클린 에어의 흐름이 형성된다. 처리조(3) 내의 DHF가 순수로 치환되면, 개폐 밸브(161)를 닫는다. 이와 같이 하여, 처리조(3) 내에 DHF가 존재하는 동안, 건조 처리부(6) 내에 기류를 형성하고, 처리조(3) 내의 DHF 분위기가 건조 처리부(6) 내로 상승하는 것을 방지할 수 있다.

Claims (19)

  1. 기판을 처리액에 의해 처리하는 처리조와,
    처리조의 위쪽에 배치된 건조 처리부와,
    처리조와 건조 처리부 사이에서 기판을 이동시키는 이동 기구와,
    건조 처리부에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 라인과,
    건조 처리부에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 라인과,
    건조 처리부로부터 압출된 분위기를 배기하는 제1 배기 라인과,
    건조 처리부를 강제적으로 배기하는 제2 배기 라인을 포함하고,
    상기 제2 배기 라인은 상기 제1 배기 라인으로부터 분기하여 접속되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 처리 가스 공급 라인에는 가열된 불활성 가스를 공급하는 제1 불활성 가스 공급 라인이 접속되고, 불활성 가스 공급 라인은 상온의 불활성 가스를 공급하는 제2 불활성 가스 공급 라인으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 건조 처리부에는 제1 배기 라인이 접속된 기단부와, 건조 처리부 내의 선단부를 갖는 배기 노즐이 설치되고,
    배기 노즐은 일렬로 나란히 배치된 복수의 배기구를 가지며,
    배기 노즐의 배기구는 기단부측으로부터 선단부측을 향함에 따라 그 개구 면 적이 커지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 건조 처리부는 이동 기구에 의해 기판이 처리조 내로 이송되었을 때, 외기와 연통하는 상태와, 외기와 차단된 상태를 취하는 구조를 가지며, 건조 처리부는 제어부에 의해 외기와 연통하는 상태와, 외기와 차단된 상태로 전환되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 처리조는 약액과 린스액에 의해 기판을 처리하는 구조를 가지며,
    제어부는 처리조 내에 약액이 존재할 때는, 건조 처리부를 외기와 연통시키는 상태로 하고, 처리조 내의 약액이 린스액으로 치환되었을 때는, 건조 처리부를 외기와 차단된 상태로 전환하며, 건조 처리부에서 건조 처리하는 동안은 건조 처리부를 외기와 차단된 상태로 하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제4항에 있어서, 건조 처리부는 개구를 갖는 챔버 본체와, 챔버 본체의 개구를 개폐하는 덮개와, 덮개에 설치되어 기판을 개구로부터 반입/반출시키는 반입/반출 위치와, 덮개와 개구 사이에 틈을 형성하는 처리 위치와, 개구를 닫는 폐쇄 위치로 덮개를 이동시키는 덮개 승강기를 가지며,
    덮개 승강기는 제어부에 의해 제어되고,
    제어부는 덮개를 반입/반출 위치 또는 처리 위치로 이동시킴으로써, 상기 건조 처리부를 외기와 연통시키는 상태로 하며, 덮개를 폐쇄 위치로 이동시킴으로써, 건조 처리부를 외기와 차단된 상태로 하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제4항에 있어서, 건조 처리부는 개구를 갖는 챔버 본체와, 챔버 본체의 개구를 개폐하는 덮개를 가지며,
    덮개에 환기구를 형성하는 동시에, 이 환기구에 환기구 개폐 부재를 마련하고, 이 환기구 개폐 부재를 제어부에 의해 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 기판을 처리액에 의해 처리하는 처리조와,
    처리조의 위쪽에 배치된 건조 처리부와,
    처리조와 건조 처리부 사이에서 기판을 이동시키는 이동 기구를 포함하며,
    건조 처리부는, 이동 기구에 의해 기판이 처리조 내에 이송되었을 때, 외기와 연통하는 상태와 외기와 차단된 상태를 취하는 구조를 가지고,
    처리조는 약액과 린스액에 의해 기판을 처리하는 구조를 가지고,
    제어부는, 처리조 내에 약액이 존재할 때는 건조 처리부를 외기와 연통시키는 상태로 하고 건조 처리부를 배기하며, 처리조 내의 약액이 린스액으로 치환되었을 때는 건조 처리부를 외기와 차단된 상태로 전환하고 건조 처리부에 불활성 가스를 공급하면서 건조 처리부를 배기하며, 건조 처리부에서 건조 처리하는 동안은 건조 처리부를 외기와 차단된 상태로 하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 삭제
  10. 제8항에 있어서, 건조 처리부는 개구를 갖는 챔버 본체와, 챔버 본체의 개구를 개폐하는 덮개와, 덮개에 마련되어 기판을 개구로부터 반입/반출시키는 반입/반출 위치와, 덮개와 개구 사이에 틈을 형성하는 처리 위치와, 개구를 닫는 폐쇄 위치로 덮개를 이동시키는 덮개 승강기를 가지며,
    덮개 승강기는 제어부에 의해서 제어되고,
    제어부는 덮개를 반입/반출 위치 또는 처리 위치로 이동시킴으로써, 상기 건조 처리부를 외기와 연통시키는 상태로 하며, 덮개를 폐쇄 위치로 이동시킴으로써, 건조 처리부를 외기와 차단된 상태로 하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제8항에 있어서, 건조 처리부는 개구를 갖는 챔버 본체와, 챔버 본체의 개구를 개폐하는 덮개를 가지며,
    덮개에 환기구를 형성하는 동시에, 이 환기구에 환기구 개폐 부재를 마련하고, 이 환기구 개폐 부재를 제어부에 의해 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
  12. 기판을 처리하는 처리조와, 처리조의 위쪽에 마련된 건조 처리부를 갖는 장치에 의해 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    처리조에서 기판을 약액에 의해 처리하는 약액 처리 공정과,
    처리조 내의 약액을 린스액으로 치환하는 치환 공정과,
    기판을 건조 처리부에서 건조 처리하는 건조 처리 공정을 포함하고,
    약액 처리 공정 시에 건조 처리부에 외기를 유입시키면서 건조 처리부를 배기하는 공정과,
    처리조 내의 약액이 린스액으로 치환되면 건조 처리부에 불활성 가스를 공급하면서, 상기 약액 처리 공정시보다 작은 배기량으로 건조 처리부를 배기하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  13. 기판을 처리하는 처리조와, 처리조의 위쪽에 마련되어 개구와 이 개구를 개폐하는 덮개를 포함한 건조 처리부를 갖는 장치에 의해 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    덮개를 열어 건조 처리부의 개구로부터 기판을 반입하여 처리조로 이동시키는 공정과,
    처리조에서 기판을 약액에 의해 처리하는 약액 처리 공정과,
    처리조 내의 약액을 린스액으로 치환하는 치환 공정과,
    덮개에 의해 개구를 닫은 상태에서, 건조 처리부에서 기판을 건조 처리하는 공정을 포함하고,
    약액 처리 공정시에 덮개를 열고 개구를 개방한 상태로 하면서 건조 처리부를 배기하는 공정과,
    처리조 내의 약액이 린스액으로 치환되면, 덮개에 의해 상기 개구를 닫고, 건조 처리부에 불활성 가스를 공급하면서 건조 처리부를 배기하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 약액 처리 공정시의 상기 개구와 덮개 사이의 거리는, 기판을 반입할 때의 상기 개구와 덮개 사이의 거리보다 짧은 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  15. 제13항에 있어서, 처리조 내의 약액이 린스액으로 치환되면, 건조 처리부를 약액 처리시보다 작은 배기량으로 배기하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  16. 기판을 처리하는 처리조와, 처리조의 위쪽에 마련된 건조 처리부를 구비하는 기판 처리 장치의 제어 컴퓨터에 의하여 기판 처리 방법을 실행시킬 수 있는 소프트웨어가 기록된 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 있어서, 상기 기판 처리 방법은
    처리조에서 기판을 약액에 의해 처리하는 약액 처리 공정과,
    처리조 내의 약액을 린스액으로 치환하는 치환 공정과,
    기판을 건조 처리부에서 건조 처리하는 공정을 포함하고,
    약액 처리 공정시에 건조 처리부에 외기를 유입시키면서 건조 처리부를 배기하는 공정과,
    처리조 내의 약액이 린스액으로 치환되면, 건조 처리부에 불활성 가스를 공급하면서 상기 약액 처리 공정시보다 작은 배기량으로 건조 처리부를 배기하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
  17. 삭제
  18. 기판을 처리하는 처리조와, 처리조의 위쪽에 마련되어 개구와 이 개구를 개폐하는 덮개를 포함한 건조 처리부를 갖는 기판 처리 장치의 제어 컴퓨터에 의하여 기판 처리 방법을 실행시킬 수 있는 소프트웨어가 기록된 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 있어서, 상기 기판 처리 방법은
    덮개를 열어 건조 처리부의 개구로부터 기판을 반입하여 처리조로 이동시키는 공정과,
    처리조에서 기판을 약액에 의해 처리하는 약액 처리 공정과,
    처리조 내의 약액을 린스액으로 치환하는 치환 공정과,
    덮개에 의해 개구를 닫은 상태에서, 건조 처리부에서 기판을 건조 처리하는 공정을 포함하고,
    약액 처리 공정시에 덮개를 열고 개구를 개방한 상태로 하면서 건조 처리부를 배기하는 공정과,
    처리조 내의 약액이 린스액으로 치환되면 덮개에 의해 상기 개구를 닫고, 건조 처리부에 불활성 가스를 공급하면서 건조 처리부를 배기하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
  19. 삭제
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