KR100722700B1 - 반도체장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (18)
- 제 1 도전형의 제 1 반도체영역(15)과,상기 제 1 반도체영역(15) 위에 형성된 제 2 도전형의 제 2 반도체영역(21)과,상기 제 2 반도체영역(21)의 표면영역에 해당 제 2 반도체영역(21)의 바깥둘레를 따르도록 형성되고, 또한 상기 제 1 반도체영역(15)보다도 불순물농도가 높은 제 1 도전형의 제 3 반도체영역(13)과,상기 제 3 반도체영역(13)의 하면에 인접하도록 형성되고, 또한 상기 제 1 반도체영역(15)보다도 불순물농도가 높은 제 1 도전형의 제 4 반도체영역(14)과,상기 제 2 반도체영역(21)의 표면영역에 형성된 제 1 도전형의 제 5 반도체영역(19)과,상기 제 5 반도체영역(19)의 표면영역에 형성된 제 2 도전형의 제 6 반도체영역(23)과,상기 제 2 반도체영역(21)에 전기적으로 접속된 제 1 전극(2)과,상기 제 6 반도체영역(23)에 전기적으로 접속된 제 2 전극(4)과,상기 제 5 반도체영역(19) 위에 절연막(31)을 통하여 배치된 제어전극(3)과, 그리고,상기 제 2 반도체영역(21)의 표면영역에 해당 제 2 반도체영역(21)보다도 높은 불순물농도를 갖는 제 2 도전형의 제 7 반도체영역(22)을 구비하고,상기 제 4 반도체영역(14)은 상기 제 1 반도체영역(15) 및 상기 제 2 반도체영역(21)내에 형성되고, 상기 제 3 반도체영역(13)보다도 상기 제 5 반도체영역(19)측으로 연신하도록 형성되어 있으며,상기 제 7 반도체영역(22)은 상기 제 1 전극(2)에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 4 반도체영역(14)은 상기 제 1 전극(2)에 마이너스의 정전기가 인가된 상태에서, 상기 제어전극(3)과 해당 제어전극(3) 아래쪽의 상기 제 5 반도체영역(19)의 전위차가 작아지도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 4 반도체영역(14)은 상기 제 2 반도체영역(21)을 통하여 상기 제 5 반도체영역(19)과 대향하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 4 반도체영역(14)은 상기 제 5 반도체영역(19)보다도 상기 제 1 전극(2)측으로 연신하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 제 5 반도체영역(19)은 상기 제 7 반도체영역(22)을 포위하도록 폐환상으로 형성되고,상기 제 3 반도체영역(13)은 상기 제 5 반도체영역(19)을 둘러싸도록 폐환상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 5 반도체영역(19)의 표면영역에 형성되고, 또한 상기 제 5 반도체영역(19)보다도 불순물농도가 높은 제 1 도전형의 제 8 반도체영역(12)을 추가로 구비하며,상기 제 8 반도체영역(12)은 백게이트전극(5)에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제 1 도전형의 제 1 반도체영역(15)과,상기 제 1 반도체영역(15) 위에 형성된 제 2 도전형의 제 2 반도체영역(21)과,상기 제 2 반도체영역(21)의 표면영역에 해당 제 2 반도체영역(21)의 바깥둘레를 따르도록 형성되고, 또한 상기 제 1 반도체영역(15)보다도 불순물농도가 높은 제 1 도전형의 제 3 반도체영역(13)과,상기 제 3 반도체영역(13)의 하면에 인접하도록 형성되고 또한 상기 제 1 반도체영역(15)보다도 불순물농도가 높은 제 1 도전형의 제 4 반도체영역(14)과,상기 제 2 반도체영역(21)의 표면영역에 형성된 제 1 도전형의 제 5 반도체영역(19)과,상기 제 5 반도체영역(19)의 표면영역에 형성된 제 2 도전형의 제 6 반도체영역(23)과,상기 제 2 반도체영역(21)에 전기적으로 접속된 제 1 전극(2)과,상기 제 6 반도체영역(23)에 전기적으로 접속된 제 2 전극(4)과,상기 제 5 반도체영역(19) 위에 절연막(31)을 통하여 배치된 제어전극(3)을 구비하며,상기 제 4 반도체영역(14)은 상기 제 1 반도체영역(15) 및 상기 제 2 반도체영역(21)내에 형성되고, 상기 제 3 반도체영역(13)보다도 제 1 전극(2)측으로 연신하도록 형성되어 있는 돌출조각부(14a)와, 상기 돌출조각부(14a)보다도 제 1 전극(2)측으로 연신하지 않도록 형성되어 있는 부분(14b)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 4 반도체영역(14)의 돌출조각부(14a)는 상기 제 1 전극(2)에 마이너스의 정전기가 인가된 상태에서 상기 제어전극(3)과 해당 제어전극(3) 아래쪽의 상기 제 5 반도체영역(19)의 전위차가 작아지도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 4 반도체영역(14)의 돌출조각부(14a)의 상면은 상기 제 5 반도체영역(19)의 하면과 대향하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 2 반도체영역(21)의 표면영역에 해당 제 2 반도체영역(21)보다도 높은 불순물농도를 갖는 제 2 도전형의 제 7 반도체영역(22)을 추가로 구비하고,상기 제 7 반도체영역(22)은 상기 제 1 전극(2)에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 5 반도체영역(19)의 표면영역에 형성되고, 또한 상기 제 5 반도체영역(19)보다도 불순물농도가 높은 제 1 도전형의 제 8 반도체영역(12)을 추가로 구비하며,상기 제 8 반도체영역(12)은 백게이트전극(5)에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 제 5 반도체영역(19)은 상기 제 6 반도체영역(23) 및 상기 제 8 반도체영역(12)을 구비하는 영역(19b)과, 상기 제 6 반도체영역(23) 및 상기 제 8 반도체영역(12)을 구비하지 않는 영역(19a)을 가지며, 양자는 서로 번갈아서 또한 이간하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 5 반도체영역(19)의 상기 제 6 반도체영역(23) 및 상기 제 8 반도체영역(12)을 구비하지 않는 영역(19a)의 하부에는 상기 제 4 반도체영역(14)의 돌출조각부(14a)가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 4 반도체영역(14)의 돌출조각부(14a)는 상기 제 5 반도체영역(19)보다도 상기 제 1 전극(2)측으로 연신하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 5 반도체영역(19)의 상기 제 6 반도체영역(23) 및 상기 제 8 반도체영역(12)을 구비하는 영역(19b)의 하부에는 상기 제 4 반도체영역(14)의 돌출조각부(14a)가 형성되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 5 반도체영역(19)은 상기 제 7 반도체영역(22)을 포위하도록 상기 제 6 반도체영역(23) 및 상기 제 8 반도체영역(12)을 구비하는 영역(19b)과, 상기 제 6 반도체영역(23) 및 상기 제 8 반도체영역(12)을 구비하지 않는 영역(19a)이 서로 번갈아서 또한 이간하여 배치되며,상기 제 3 반도체영역(13)은 상기 제 5 반도체영역(19)을 둘러싸도록 폐환상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 3 반도체영역(13)에 띠형상으로 형성된 고압저항소자(121)를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
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