KR19980055024A - 플래나 링 구조를 가지는 바이폴라 트랜지스터 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 바이폴라트랜지스터에 관한 것으로서, 특히 플래나 링 구조를 가지는 바이폴라트랜지스터에 있어서, 제 1 도전형 반도체기판; 상기 반도체기판에 각각 소정거리 이격되어 소정깊이로 형성된 제 2 도전형 베이스영역 및 복수의 필드리미팅영역들; 상기 베이스영역내의 반도체기판 표면근방에 형성된 제 1 도전형 에미터영역; 상기 각각 분리된 베이스영역 및 복수의 필드리미팅영역들 사이에서, 상기 베이스영역의 접합깊이보다 얕게 형성된 저농도 제 1 도전형 불순물영역; 상기 불순물영역의 일단의 반도체기판 표면근방에 형성된 제 1 도전형 채널스토퍼영역; 상기 베이스영역의 일부, 상기 필드리미팅영역, 상기 불순물영역, 및 상기 채널스토퍼영역의 일부를 포함하는 절연막; 및 상기 베이스영역의 일부를 포함하는 베이스전극, 상기 채널스토퍼영역의 일부를 포함하는 채널스토퍼전극, 및 상기 제 1 도전형 반도체기판의 밑면에 형성된 콜렉터전극을 구비하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 바이폴라트랜지스터에 관한 것으로서, 특히 플래나 링(planar ring) 구조를 가지는 바이폴라트랜지스터에 관한 것이다.
일반적으로 고내압을 필요로 하는 다이오드나 트랜지스터에서 예전부터 필드리미팅 링(field limiting ring)(40) 구조로 된 플래나(planar) 구조를 많이 사용해 왔다. 종래의 플래나 링(40) 구조에서는, 플레인 접합상의 내압을 증가시키는 데 한계가 있었고, 많은 플래나 링(40)을 사용해야 했다(도 1 참조).
본 발명의 목적은 이와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여, 각각 분리된 베이스영역 및 복수의 필드리미팅영역들 사이에서 상기 베이스영역의 접합깊이보다 얕게 형성된 저농도 제 1 도전형 불순물영역을, 제 1 도전형 반도체기판 상에 형성함으로써, 콜렉터-에미터 포화전압이나 콜렉터 전류능력에는 크게 영향을 주지 않으면서 내압이 증가된 바이폴라트랜지스터를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 제 1 도전형 반도체기판; 상기 반도체기판에 각각 소정거리 이격되어 소정깊이로 형성된 제 2 도전형 베이스영역 및 복수의 필드리미팅영역들; 상기 베이스영역내의 반도체기판 표면근방에 형성된 제 1 도전형 에미터영역; 상기 각각 분리된 베이스영역 및 복수의 필드리미팅영역들 사이에서, 상기 베이스영역의 접합깊이보다 얕게 형성된 저농도 제 1 도전형 불순물영역; 상기 불순물영역의 일단의 반도체기판 표면근방에 형성된 제 1 도전형 채널스토퍼영역; 상기 베이스영역의 일부, 상기 필드리미팅영역, 상기 불순물영역, 및 상기 채널스토퍼영역의 일부를 포함하는 절연막; 및 상기 베이스영역의 일부를 포함하는 베이스전극, 상기 채널스토퍼영역의 일부를 포함하는 채널스토퍼전극, 및 상기 제 1 도전형 반도체기판의 밑면에 형성된 콜렉터전극을 구비하는 것을 특징으로 한다.
도 1 은 종래기술에 의한 플래나 링 구조를 가지는 바이폴라트랜지스터를 도시한 도면.
도 2 는 본 발명의 일실시예에 의한 플래나 링 구조를 가지는 바이폴라트랜지스터를 도시한 도면.
도 3 및 도 4 는 본 발명의 일실시예에 의한 플래나 링 구조를 가지는 바이폴라트랜지스터의 제조공정도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 고농도 N형 반도체기판 20 : N형 에피층
25 : 저농도 N형 불순물영역 30 : P형 베이스영역
40 : P형 필드리미트링영역 50 : N형 채널스토퍼영역
60 : 제 1 절연막 70 : 제 2 절연막
80a : 베이스전극 80b : 채널스토퍼전극
80c : 콜렉터전극
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명하고자 한다.
도 2 에 본 발명의 일실시예에 의한 플래나 링 구조를 가지는 바이폴라트랜지스터가 도시되어 있다.
바이폴라트랜지스터에 있어서, 고내압을 얻기 위해서는 콜렉터 에피층(20)의 두께를 증가시키거나 비저항을 높이면 된다. 그러나, 이러한 경우 콜렉터-에미터 포화전압이나 콜렉터 전류능력이 열화된다. 따라서, 본 발명에서는 이러한 전기적 특성에는 변화가 없게 하면서 내압을 높일 수 있는 새로운 구조를 개발했다. 콜렉터 에피층(20)에 비해 저농도인 N형 불순물영역(25)을, 베이스영역(30)에서 필드리미팅 링 영역(40)을 거쳐 채널스토퍼영역(50)까지 형성시킨다. 이때 상기 N형 불순물영역(25)의 접합깊이는 베이스영역(30) 접합 길이보다는 얕게 한다. 이렇게 하면, 트랜지스터의 실제 동작시 캐리어의 이동부분인 베이스영역(30)의 바로 아래 부분은 종래의 경우와 동일하므로, 콜렉터-에미터 포화전압이나 콜렉터 전류능력에는 크게 영향을 주지않게 된다. 반면에, 베이스영역(30)과 필드 리미팅 링 영역(40)사이의 불순물영역(25) 농도가 종래의 경우보다 작으므로, 종래의 경우보다 높은 내압을 얻을 수 있게 된다. 종래의 경우와 같은 내압을 가지게 한다면, 콜렉터에피층(20)의 두께를 줄이거나 비저항을 낮출 수가 있어 소자의 전기적 특성을 개선할 수 있다.
도 3, 도 4, 및 도 2 에 본 발명의 일실시예에 의한 플래나 링 구조를 가지는 바이폴라트랜지스터의 제조공정이 도시되어 있다.
도 3 과 같이, 고농도 N형 반도체기판(10) 상에 저농도 N형 에피층(20)을 형성하고, 상기 에피층(20)의 농도보다 더 저농도인 N형 불순물영역(25)을 상기 결과물 위에 형성한다. 그 위에 제 1 절연막인 실리콘 산화막(60)을 형성한다.
도 4 와 같이, 상기 결과물의 실리콘 산화막(60)에 부분적으로 창을 열고, P형 베이스 영역(30)과 P형 필드 리미팅 링 영역(40)을 형성한 후, N형 채널 스토피 영역(50)을 형성한다. P형 베이스 영역(30)과 N형 채널스토퍼 영역(50)에 전극(80a, 80b)을 형성하기 위한 산화막(60) 창을 연다.
도 2 와 같이, 상기 결과물의 표면에 제 2 절연막(70)을 형성한 후, 다시 전극(80a, 80b)을 형성하기 위한 창을 열고 베이스전극(80a) 및 채널스토퍼 전극(80b)을 형성한다. 이후 반도체기판 밑면에 콜렉터전극(80c)을 형성한다.
본 발명은, 콜렉터-에미터 포화전압이나 콜렉터 전류능력에는 크게 영향을 주지 않으면서 내압을 증가시키는 효과가 있다. 또한 종래의 경우와 같은 내압을 가지게 한다면, 콜렉터에피층의 두께를 줄이거나 비저항을 낮출 수가 있어 소자의 전기적 특성을 개선할 수 있다.
Claims (1)
- 제 1 도전형 반도체기판; 상기 반도체기판에 각각 소정거리 이격되어 소정깊이로 형성된 제 2 도전형 베이스영역 및 복수의 필드리미팅영역들; 상기 베이스영역내의 반도체기판 표면근방에 형성된 제 1 도전형 에미터영역; 상기 각각 분리된 베이스영역 및 복수의 필드리미팅영역들 사이에서, 상기 베이스영역의 접합깊이보다 얕게 형성된 저농도 제 1 도전형 불순물영역; 상기 불순물영역의 일단의 반도체기판 표면근방에 형성된 제 1 도전형 채널스토퍼영역; 상기 베이스영역의 일부, 상기 필드리미팅영역, 상기 불순물영역, 및 상기 채널스토퍼영역의 일부를 포함하는 절연막; 및 상기 베이스영역의 일부를 포함하는 베이스전극, 상기 채널스토퍼영역의 일부를 포함하는 채널스토퍼전극, 및 상기 제 1 도전형 반도체기판의 밑면에 형성된 콜렉터전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 바이폴라트랜지스터.
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|---|---|---|---|
| KR1019960074230A KR19980055024A (ko) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 플래나 링 구조를 가지는 바이폴라 트랜지스터 |
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| KR1019960074230A KR19980055024A (ko) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 플래나 링 구조를 가지는 바이폴라 트랜지스터 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR19980055024A true KR19980055024A (ko) | 1998-09-25 |
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ID=66382472
Family Applications (1)
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| KR1019960074230A KR19980055024A (ko) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 플래나 링 구조를 가지는 바이폴라 트랜지스터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980055024A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100393199B1 (ko) * | 2001-01-15 | 2003-07-31 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 높은 브레이크다운 전압을 갖는 고전압 반도체 소자 및 그제조방법 |
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-
1996
- 1996-12-27 KR KR1019960074230A patent/KR19980055024A/ko not_active Application Discontinuation
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