KR100709305B1 - 박막 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

박막 반도체 장치의 제조용 및 제품용에 적합한 기판을 제공한다.
먼저, 준비 공정에서 박막 트랜지스터를 형성하는 프로세스에 견딜 수 있는 특성을 가지는 제조용 기판 및 박막 트랜지스터를 직접 탑재하는 데 적합한 특성을 가지는 제품용 기판을 준비한다. 다음에 접착 공정을 행하여, 제품용 기판을 뒤로부터 지지하기 위해 제조용 기판을 제품용 기판에 접착한다. 계속해서 형성 공정을 행하여, 제조용 기판에 의해 보강된 상태에서 제품용 기판의 표면에 최소한 박막 트랜지스터를 형성한다. 마지막으로, 분리 공정을 행하여, 사용이 끝난 제조용 기판을 제품용 기판으로부터 분리한다.
제조용 기판, 제품용 기판, 박막 트랜지스터, 박막 반도체 장치.

Description

박막 반도체 장치 및 그 제조 방법 {THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME}
도 1은 본 발명에 관한 박막 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 공정도이다.
도 2는 본 발명에 관한 박막 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 공정도이다.
도 3는 본 발명에 관한 반도체 장치의 다른 실시 형태를 나타내는 부분 단면도이다.
도 4는 본 발명에 관한 액정 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 5는 본 발명에 관한 일렉트로루미네선스(electroluminescence) 표시 장치를 나타내는 개략적인 단면도이다.
본 발명은 박막 반도체 장치 및 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 박막 트랜지스터를 집적(集積) 형성하는 기판의 구성에 관한 것이다.
일반적으로, 박막 반도체 장치는 유리 등으로 이루어지는 절연 기판 상에 박 막 트랜지스터를 집적 형성한 것이다. 박막 트랜지스터를 형성하기 위해서는, CVD(화학 기상 성장), 세정, 열처리 등의 공정을 거쳐야 한다. 상이한 공정을 차례로 행하기 위해, 기판을 각 프로세스의 스테이지 사이에서 반송할 필요가 있다. 기판에 휨 등의 변형이 있으면 로봇을 사용한 자동 반송을 할 수 없게 되어 버린다. 이 때문에, 박막 반도체 장치용의 기판으로서는, 박막 트랜지스터의 형성 온도에 견딜 수 있는 내열성이 필요하다. 또, 운반 시에 휨 변형 등이 발생하지 않도록 규정 이상의 두께가 필요하다.
한편, 박막 반도체 장치를 부품으로 사용한 제품으로서는, 예를 들면 액티브 매트릭스형의 액정 디스플레이를 들 수 있다. 액정 디스플레이를 휴대용 기기에 사용하는 경우에는, 박막 반도체 장치로서 경량이며 또한 파손되기 어려운 구성이 요구된다. 이 때문에, 기판에 요구되는 제조 조건과 제품 조건이 일치되지 않는 경우가 많아, 제품에 대하여 시장으로부터의 불만이 있었다. 전술한 바와 같이, 내열성 등의 제조 조건에서 보면, 기판은 유리를 사용하는 것이 적합하다. 그러나, 제품 조건으로서 보면, 유리 기판은 무겁고 깨지기 쉽다고 하는 결점이 있다. 팜 톱 컴퓨터나 휴대 전화기 등의 휴대용 전자 기기에 사용하는 액정 디스플레이에서는, 가능한 한 염가이며, 가볍고 또한 다소의 변형에도 견디고, 떨어뜨려도 깨지기 어려운 재질이 바람직하다. 현실적으로는, 유리 기판은 무겁고, 변형에 약하고, 또한 낙하에 의한 파손의 우려가 있다. 즉, 제조 조건에서 오는 제약과 제품에 요구되는 바람직한 특성 사이에 틈이 있어, 이들 쌍방의 조건이나 특성을 만족시키는 것은 곤란하며, 해결해야 할 과제로 되어 있다.
종래부터 이 문제를 해결하기 위해 여러가지의 방책이 제안되어 있다. 예를 들면, 박막 트랜지스터의 프로세스 온도를 가능한 한 내려, 플라스틱 기판을 사용하는 시도가 이루어지고 있다. 그러나, 플라스틱 기판은 유리 기판과 비교하여 변형이 커, 현재의 경우 만족되는 제품은 얻어지고 있지 않다.(N. D. Young, etal., Euro Display' 96 Digest, 555, 1996). 또, 가(假)기판에 일단 박막 트랜지스터를 형성한 후, 이것을 다른 기판에 전사(轉寫)하는 대책도 제안되어 있으며, 예를 들면 일본국 특개평 11(1999)-243209호 공보에 개시되어 있다. 그러나, 이 방법은 전사 공정이 복잡하여 생산성에 문제가 있다. 또, 박막 트랜지스터를 형성할 때 사용하는 가기판과, 제품으로서 박막 트랜지스터를 탑재하는 기판이 상이하기 때문에, 응력 등의 문제로 박막 트랜지스터의 특성 변동이 발생하기 쉽다.
전술한 종래 기술의 과제를 해결하기 위해 이하의 수단을 강구했다. 즉, 본 발명은 박막 반도체 장치를 제조하기 위해, 박막 트랜지스터를 형성하는 프로세스에 견딜 수 있는 특성을 가지는 제조용 기판 및 박막 트랜지스터를 직접 탑재하는 데 적합한 특성을 가지는 제품용 기판을 준비하는 준비 공정과, 이 제품용 기판을 뒤로부터 지지하기 위해 이 제조용 기판을 이 제품용 기판에 접착하는 접착 공정과, 이 제조용 기판에 의해 보강된 상태에서 이 제품용 기판의 표면에 최소한 박막 트랜지스터를 형성하는 형성 공정과, 사용이 끝난 이 제조용 기판을 이 제품용 기판으로부터 분리하는 분리 공정을 행한다. 바람직하게는, 상기 준비 공정은 무기 재료로 이루어지는 제조용 기판과 유기 재료로 이루어지는 제품용 기판을 준비한다. 경우에 따라서는, 상기 형성 공정은 유기 재료로 이루어지는 제품용 기판의 표면에 방습성의 막을 형성한 후, 그 위에 박막 트랜지스터를 형성한다. 또, 상기 접착 공정은 박리 가능한 상태로 도포된 접착제를 사용하여 이 제조용 기판을 이 제품용 기판에 접착한다.
또, 본 발명은 액정 표시 장치를 제조하기 위해, 박막 트랜지스터를 형성하는 프로세스에 견딜 수 있는 특성을 가지는 제조용 기판 및 박막 트랜지스터를 직접 탑재하는 데 적합한 특성을 가지는 제품용 기판을 준비하는 준비 공정과, 이 제품용 기판을 뒤로부터 지지하기 위해 이 제조용 기판을 이 제품용 기판에 접착하는 접착 공정과, 이 제조용 기판에 의해 보강된 상태에서 이 제품용 기판의 표면에 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 형성하는 형성 공정과, 사용이 끝난 이 제조용 기판을 이 제품용 기판으로부터 분리하는 분리 공정과, 이 분리 공정의 전 또는 후에, 미리 대향 전극이 형성된 대향 기판을 소정의 간극으로 이 화소 전극이 형성된 제품용 기판에 접합하고, 또한 이 간극에 액정을 주입하는 조립 공정을 행한다.
또한, 본 발명은 일렉트로루미네선스(electroluminescence) 표시 장치를 제조하기 위해, 박막 트랜지스터를 형성하는 프로세스에 견딜 수 있는 특성을 가지는 제조용 기판 및 박막 트랜지스터를 직접 탑재하는 데 적합한 특성을 가지는 제품용 기판을 준비하는 준비 공정과, 이 제품용 기판을 뒤로부터 지지하기 위해 이 제조용 기판을 이 제품용 기판에 접착하는 접착 공정과, 이 제조용 기판에 의해 보강된 상태에서 이 제품용 기판의 표면에 박막 트랜지스터 및 일렉트로루미네선스 소자를 형성하는 형성 공정과, 사용이 끝난 이 제조용 기판을 이 제품용 기판으로부터 분리하는 분리 공정을 행한다.
본 발명에 의하면, 박막 트랜지스터를 형성하기 전의 준비 단계에서, 미리 플라스틱 등으로 이루어지는 제품용 기판에 유리 등으로 이루어지는 제조용 기판을 접합하여 보강해 둔다. 그후, 플라스틱 등으로 이루어지는 제품용 기판의 위에 박막 트랜지스터를 집적 형성한다. 이 때, 플라스틱 등으로 이루어지는 제품용 기판은 유리 등으로 이루어지는 제조용 기판으로 뒷받침되어 있으므로, 전체로서 로봇 반송에 견딜 수 있는 강성(剛性)을 구비하고 있다. 그후, 박막 트랜지스터의 제조 프로세스를 완료한 시점에서, 사용이 끝난 제조용 기판을 제품용 기판으로부터 분리한다. 최종적으로, 박막 트랜지스터는 얇게 경량의 제품용 기판만으로 지지되게 된다. 플라스틱 기판을 사용한 액티브 매트릭스형의 액정 디스플레이 등은 휴대용 기기에의 응용에 바람직하다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태를 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명에 관한 박막 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략적인 공정도의 일례이다. 먼저, (A)에 나타낸 바와 같이, 박막 트랜지스터를 형성하는 프로세스에 견딜 수 있는 특성을 가지는 제조용 기판(20) 및 박막 트랜지스터를 직접 탑재하는 데 적합한 특성을 가지는 제품용 기판(1)을 준비한다. 이 준비 공정에서는, 예를 들면, 유리 등의 무기 재료로 이루어지는 제조용 기판(20)과 플라스틱 등의 유기 재료로 이루어지는 제품용 기판(1)을 준비한다. 본 실시 형태에서는, 제조용 기판(20)으로서 무(無)알칼리 유리를 사용한다. 무알칼리 유리의 내열성은 500℃ 정도이다. 제조용 기판(20)의 두께는, 예를 들면, 0.7mm가 표준적이다. 0.5mm까지 박형화해도, 제조 프로세스 상 특히 문제는 없다. 그리고, 본 실시 형태에서는 무알칼리 유리를 사용하고 있지만, 이것에 대신하여 스테인레스 스틸 등의 금속판, 플라스틱판, 석영 등을 사용할 수도 있다. 한편, 제품용 기판(1)으로서는, 박막 트랜지스터의 프로세스 온도에 견딜 정도의 내열성이 필요하며, 제조용 기판(20)보다도 얇고 가벼운 것이 조건으로 된다. 본 실시 형태에서는, 플라스틱 재료를 사용하고 있으며, 그 두께는 0.1mm 내지 0.5mm 정도이다. 특히, 내열성이 우수한 폴리에테르술폰 수지(PES), 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 아톤 수지 등이 사용된다. 폴리에테르술폰 수지는 그 내열성이 250℃ 정도에 달한다. 그리고, 제품용 기판(1)에 사용하는 플라스틱 필름은 단층이라고 되며, 경우에 따라서는 적층 래미네이트 구조라도 된다. 특히, 투과형의 디스플레이가 아니라 반사형의 디스플레이에 사용하는 경우에는, 플라스틱에 대신하여 금속판을 사용할 수도 있다. 단, 금속판을 사용할 때에는, 표면은 절연 상태로 되어 있을 필요가 있다. 예를 들면, 알루미늄판을 제품용 기판(1)으로 사용하는 경우에는, 미리 그 표면을 산화하여 알루미나로 피복해 두는 것이 필요하다.
계속해서, (A)에 나타낸 바와 같이, 제품용 기판(1)을 뒤로부터 지지하기 위해 제조용 기판(20)을 제품용 기판(1)에 접착한다. 이 접착 공정은, 예를 들면, 박리 가능한 상태로 도포된 접착제(21)를 사용하여 제조용 기판(20)을 제품용 기판(1)에 접착한다. 본 실시 형태에서는, 접착제(21)로서 내열성의 수지를 도포한다. 이 수지는 박막 트랜지스터 형성 시의 열에 견딜 필요가 있기 때문에, 폴리이 미드계, 실리콘계 또는 테프론계의 수지를 사용한다. 단, 박막 트랜지스터의 프로세스 온도를 내림으로써, 여러가지의 접착제를 사용하는 것이 가능하다. 도포는 액상(液狀)의 재료를 스핀 코트나 인쇄 등의 방법으로 행한다. 이것에 대신하여, 필름형의 접착제를 한 쪽 기판의 표면에 접착하고, 열로 녹여 도포하는 등의 방법이 있다. 이 접착제(21)는 유기 재료에 한정되지 않고, 실리콘이나 게르마늄 또는 금속(납, 알루미늄, 몰리브덴, 니켈, 주석 등)이라도 된다. 이들 재료를 사용한 경우에는, 스퍼터법 등으로 한 쪽의 기판에 성막하고, 레이저 조사 등으로 녹이면서 다른 쪽의 기판과 접촉하게 된다. 그리고, 제품용 기판(1)으로서 알루미늄판을 채용한 경우에는, 특히 접착제(21)를 사용하지 않아도, 알루미늄으로 이루어지는 제품용 기판(1)과 유리로 이루어지는 제조용 기판(20)을 직접 레이저 등의 광에너지를 사용하여 접합하는 것도 가능하다.
계속해서, (B)에 나타낸 바와 같이, 제조용 기판(20)에 의해 보강된 상태에서 제품용 기판(1)의 표면에 박막 트랜지스터(3) 등의 박막 디바이스를 집적 형성한다. 구체적으로는, 먼저 탄탈이나 몰리브덴 등의 금속을 스퍼터법 등으로 성막한 후, 등방성의 드라이 에칭으로 패터닝하여, 게이트 전극(5)으로 가공한다. 계속해서, 예를 들면, 플라스마 CVD법(PE-CVD법)으로 SiO2를 예를 들면 100~200nm의 두께로 퇴적하여, 게이트 전극(5)을 피복하는 게이트 절연막(4)으로 한다. 또한, 그 위에 비정질 실리콘을, 예를 들면 20~60nm의 두께로 퇴적하여 반도체 박막(2)을 형성한다. 동일한 성막 체임버에서 진공을 깨뜨리지 않고 절연막(4) 및 반도체 박막(2) 을 연속 성장시킬 수 있다. 이후, 예를 들면, 파장 308nm의 XeCl 엑시머 레이저광을 극(極)단시간 조사하여 반도체 박막(2)의 결정화를 도모한다. 레이저광의 에너지에 의해 비정질 실리콘이 용융되어, 굳어질 때에 다결정 실리콘으로 된다. 레이저광의 조사 시간은 매우 짧기 때문에, 제품용 기판(1)에 손상을 주지는 않는다. 이후, 반도체 박막(2)의 위에 레지스트를 도포하고, 차광성을 가지는 게이트 전극(5)을 마스크로 하여 이면 노광을 행함으로써, 셀프 얼라이먼트로 게이트 전극(5)에 정합(整合)된 마스크를 얻을 수 있다. 여기에서, 이 마스크를 통해 이온 도핑법에 의해 불순물(예를 들면, 인)을 비교적 저농도로 반도체 박막(2)에 주입한다. 또한, 마스크와 그 주변을 다른 포토레지스트로 피복한 후, 비교적 고농도로 불순물(예를 들면, 인)을 이온 도핑법에 의해 반도체 박막(2)에 주입한다. 이에 따라, 소스 영역(S) 및 드레인 영역(D)이 형성된다. 또, 게이트 전극(5)의 바로 위에는 미리 임계값 조정용의 P형 불순물(예를 들면, 붕소)이 주입된 채널 영역(Ch)이 남는다. 채널 영역(Ch)과 소스 영역(S) 및 드레인 영역(D) 사이에는 인 등의 N형 불순물이 비교적 저농도로 주입된 LDD 영역이 남는다. 이후, 불필요하게 된 포토레지스트는 제거된다. 이온 도핑법은 플라스마 상태의 이온을 단숨에 전계(電界) 가속하여 반도체 박막(2)에 도핑하는 것이며, 단시간에 처리할 수 있다. 계속해서, 도핑된 원자를 활성화하기 위해 재차 레이저광을 조사한다. 결정화(結晶化)와 동일 방법이지만, 결정을 크게 할 필요가 없기 때문에 약한 에너지로 충분하다. 이후, 배선 간의 절연을 위해, 예를 들면 SiO2를 퇴적하여 층간막(9)으로 한다. 이 층간막(9)에 콘택트 홀을 개구한 후, 금속 알루미늄 등을 스퍼터로 퇴적하고, 소정의 형상으로 패터닝하여 배선(10)으로 가공한다. 이하, 액티브 매트릭스형 액정 디스플레이용의 박막 반도체 장치를 제조하는 경우에는, 필요에 따라 보호막(12)이나 화소 전극(14)을 형성한다. 또한, 미리 대향 전극이 형성된 대향 기판을 소정의 간극으로 화소 전극(14)이 형성된 제품용 기판(1)에 접합하고, 또한 간극에 액정을 주입하는 조립 공정을 행한다. 한편, 액티브 매트릭스형의 유기 일렉트로루미네선스 디스플레이에 이 박막 반도체 장치를 사용하는 경우에는, 화소 전극(14)의 위에 미리 유기 일렉트로루미네선스 소자를 형성해 둔다.
마지막으로, 도 2에 나타낸 바와 같이, 사용이 끝난 제조용 기판(20)을 제품용 기판(1)으로부터 분리하는 분리 공정을 행한다. 구체적으로는, 제조용 기판(20)과 제품용 기판(1) 사이에 개재(介在)되는 접착제를 용제 중에서 용해함으로써, 양 기판의 분리가 가능하게 된다. 사용하는 용제는 접착제의 재질에 따라 상이하다. 일반적으로, 이 접착제층은 매우 얇고 용제가 침입될 때까지 시간이 걸린다. 그래서, 초음파나 레이저광 등의 에너지를 사용하여, 접착제의 용해를 촉진하는 것이 효과적이다. 그리고, 앞의 접착 공정에서, 접착제를 기판의 전면에 균일하게 도포할 필요는 없다. 오히려, 이산적으로 접착제를 도포함으로써, 용제를 사용한 용해가 용이하게 된다. 이와 같이 하여, 최종적인 제품에는 플라스틱 등으로 이루어지는 제품용 기판(1)만이 남기 때문에, 경량으로 박형의 디스플레이 등을 실현할 수 있다. 그리고, 액정 디스플레이를 작성하는 경우에는, 전술한 조립 공정을 제조용 기판(20)의 분리 후에 행해도 된다.
전술한 실시 형태는 기판(1)의 위에 버텀(bottom) 게이트 구조의 박막 트랜지스터를 형성했다. 이것에 대신하여, 톱 게이트 구조의 박막 트랜지스터를 집적 형성할 수도 있다. 이 실시 형태를 도 3에 나타낸다. 그리고, 이해를 용이하게 하기 위해, 도 1 및 도 2에 나타낸 앞의 실시 형태와 대응하는 부분에는 대응하는 참조 번호를 붙이고 있다. 도시하는 바와 같이, 톱 게이트 구조의 박막 트랜지스터는 다결정 실리콘 등으로 이루어지는 반도체 박막(2)의 위에 게이트 절연막(4)을 통해 게이트 전극(5)이 형성되어 있다. 그리고, 본 실시 형태에서는, 제품용 기판(1)과 박막 트랜지스터 사이에 미리 방습성의 버퍼막(30)이 형성되어 있다. 이 버퍼막(30)은 CVD 또는 스퍼터법으로 성막된 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 이루어지고, 제품용 기판(1)을 통과하는 수분의 차단을 행하는 동시에, 기판으로부터의 불순물의 칩입을 억제한다. 제품용 기판(1)으로서 플라스틱을 사용한 경우에는, 특히 방습 대책으로서 스퍼터막을 형성하는 것이 바람직한 경우가 있다.
도 4는 본 발명에 관한 박막 반도체 장치가 구동 기판으로서 조립된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 일례를 나타내는 개략적인 사시도이다. 이 액정 표시 장치는 제품용 기판(1)과 대향 기판(60) 사이에 액정(50)을 유지한 패널 구조로 되어 있다. 제품용 기판(1)에는 화소 어레이부와 주변 회로부가 상기와 동일한 박막 트랜지스터에 의해 집적 형성되어 있다. 주변 회로부는 수직 주사 회로(41)와 수평 주사 회로(42)로 나누어져 있다. 또, 제품용 기판(1)의 상단측에는 외부 접속용의 단자 전극(47)도 형성되어 있다. 각 단자 전극(47)은 배선(48)을 통해 수직 주사 회로(41) 및 수평 주사 회로(42)에 접속되어 있다. 화소 어레이부에는 서로 교차하 는 게이트 배선(43)과 신호 배선(10)이 형성되어 있다. 게이트 배선(43)은 수직 주사 회로(41)에 접속되고, 신호 배선(10)은 수평 주사 회로(42)에 접속되어 있다. 양 배선(43, 10)의 교차부에는 화소 전극(14)과 이것을 구동하는 박막 트랜지스터(3)가 형성되어 있다. 한편, 대향 기판(60)의 내표면에는 도시하지 않지만 대향 전극이 형성되어 있다. 제품용 기판(1)으로서 플라스틱을 사용하고, 대향 기판(60)으로서 동일하게 플라스틱 재료를 사용하면, 매우 경량으로 파손에 강한 패널이 얻어진다.
도 5는 본 발명에 관한 박막 반도체 장치가 구동 기판으로서 조립된 액티브 매트릭스형의 일렉트로루미네선스 표시 장치를 나타내는 개략적인 부분 단면도이다. 본 실시 형태는 화소로서 유기 일렉트로루미네선스 소자(OLED)를 사용하고 있다. OLED는 양극(A), 유기층(110) 및 음극(K)을 차례로 겹친 것이다. 양극(A)은 화소마다 분리되어 있으며, 예를 들면 크롬으로 이루어지며 기본적으로 광 반사성이다. 음극(K)은 화소 간에서 공통 접속되어 있으며, 예를 들면 금속층(111)과 투명 도전층(112)의 적층 구조이며, 기본적으로 광 투과성이다. 관련되는 구성을 가지는 OLED의 양극(A)/음극(K) 간에 순방향의 전압(10V 정도)을 인가하면, 전자나 정공(正孔) 등 캐리어의 주입이 일어나 발광이 관측된다. OLED의 동작은 양극(A)으로부터 주입된 정공과 음극(K)으로부터 주입된 전자에 의해 형성된 여기자(勵起子)에 의한 발광으로 생각된다.
한편, OLED를 구동하는 박막 트랜지스터(3)는 플라스틱 등으로 이루어지는 제품용 기판(1)의 위에 형성된 게이트 전극(5)과, 그 위에 겹쳐진 게이트 절연막(4)과, 이 게이트 절연막(4)을 통해 게이트 전극(5)의 상방에 겹쳐진 반도체 박막(2)으로 이루어진다. 이 반도체 박막(2)은 예를 들면 레이저 어닐에 의해 결정화된 실리콘 박막으로 이루어진다. 박막 트랜지스터(3)는 OLED에 공급되는 전류의 통로로 되는 소스 영역(S), 채널 영역(Ch) 및 드레인 영역(D)을 구비하고 있다. 채널 영역(Ch)은 정확히 게이트 전극(5)의 바로 위에 위치한다. 이 버텀 게이트 구조를 가지는 박막 트랜지스터(3)는 층간막(9)에 의해 피복되어 있으며, 그 위에는 배선(10)이 형성되어 있다. 이들의 위에는 다른 층간막(11)을 통해 전술한 OLED가 성막되어 있다. 이 OLED의 양극(A)은 배선(10)을 통해 박막 트랜지스터(3)에 전기 접속되어 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 박막 트랜지스터를 형성하는 프로세스에 견딜 수 있는 특성을 가지는 제조용 기판 및 박막 트랜지스터를 직접 탑재하는 데 적합한 특성을 가지는 제품용 기판을 사용하고, 제품용 기판을 뒤로부터 지지하기 위해 제조용 기판을 제품용 기판에 접착하고, 제조용 기판에 의해 보강된 상태에서 제품용 기판의 표면에 최소한 박막 트랜지스터를 형성하며, 또한 사용이 끝난 제조용 기판을 제품용 기판으로부터 분리한 구조로 하고 있다. 제조 단계에서는, 접착에 의해 보강된 기판의 위에 박막 트랜지스터를 집적 형성하므로, 기판의 핸들링 등이 용이하게 되어, 프로세스의 안정화에 기여할 수 있다. 한편, 제품이 완성된 단계에서는, 사용이 끝난 제조용 기판을 분리하기 위해, 제품 자체는 경량 또한 박형화된다. 또, 분리된 제조용 기판은 재차 박막 트랜지스터 제조 프로세스 에 투입할 수 있어, 자원의 리사이클링이 가능하게 된다.

Claims (21)

  1. 박막 트랜지스터를 형성하는 프로세스에 견딜 수 있는 특성을 가지는 제조용 기판 및 박막 트랜지스터를 직접 탑재하는 데 적합한 특성을 가지는 제품용 기판을 준비하는 준비 공정과,
    상기 제품용 기판을 뒤로부터 지지하기 위해 상기 제조용 기판을 상기 제품용 기판에 접착하는 접착 공정과,
    상기 제조용 기판에 의해 보강된 상태에서 상기 제품용 기판의 표면에 최소한 박막 트랜지스터를 형성하는 형성 공정과,
    사용이 끝난 상기 제조용 기판을 상기 제품용 기판으로부터 분리하는 분리 공정
    을 행하는 박막 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 준비 공정은 무기 재료로 이루어지는 제조용 기판과 유기 재료로 이루어지는 제품용 기판을 준비하는 박막 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 형성 공정은 유기 재료로 이루어지는 제품용 기판의 표면에 방습성의 막을 형성한 후, 그 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 박막 반도체 장치의 제조 방 법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 접착 공정은 박리 가능한 상태로 도포된 접착제를 사용하여 상기 제조용 기판을 상기 제품용 기판에 접착하는 박막 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 박막 트랜지스터를 형성하는 프로세스에 견딜 수 있는 특성을 가지는 제조용 기판 및 박막 트랜지스터를 직접 탑재하는 데 적합한 특성을 가지는 제품용 기판을 준비하는 준비 공정과,
    상기 제품용 기판을 뒤로부터 지지하기 위해 상기 제조용 기판을 상기 제품용 기판에 접착하는 접착 공정과,
    상기 제조용 기판에 의해 보강된 상태에서 상기 제품용 기판의 표면에 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 형성하는 형성 공정과,
    사용이 끝난 상기 제조용 기판을 상기 제품용 기판으로부터 분리하는 분리 공정과,
    상기 분리 공정의 전 또는 후에, 미리 대향 전극이 형성된 대향 기판을 소정의 간극으로 상기 화소 전극이 형성된 제품용 기판에 접합하고, 또한 상기 간극에 액정을 주입하는 조립 공정을 행하는
    액정 표시 장치의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 준비 공정은 무기 재료로 이루어지는 제조용 기판과 유기 재료로 이루어지는 제품용 기판을 준비하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 형성 공정은 유기 재료로 이루어지는 제품용 기판의 표면에 방습성의 막을 형성한 후, 그 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 접착 공정은 박리 가능한 상태로 도포된 접착제를 사용하여 상기 제조용 기판을 상기 제품용 기판에 접착하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  9. 박막 트랜지스터를 형성하는 프로세스에 견딜 수 있는 특성을 가지는 제조용 기판 및 박막 트랜지스터를 직접 탑재하는 데 적합한 특성을 가지는 제품용 기판을 준비하는 준비 공정과,
    상기 제품용 기판을 뒤로부터 지지하기 위해 상기 제조용 기판을 상기 제품용 기판에 접착하는 접착 공정과,
    상기 제조용 기판에 의해 보강된 상태에서 상기 제품용 기판의 표면에 박막 트랜지스터 및 일렉트로루미네선스(electroluminescence) 소자를 형성하는 형성 공 정과,
    사용이 끝난 상기 제조용 기판을 상기 제품용 기판으로부터 분리하는 분리 공정
    을 행하는 일렉트로루미네선스 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 준비 공정은 무기 재료로 이루어지는 제조용 기판과 유기 재료로 이루어지는 제품용 기판을 준비하는 일렉트로루미네선스 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 형성 공정은 유기 재료로 이루어지는 제품용 기판의 표면에 방습성의 막을 형성한 후, 그 위에 박막 트랜지스터 및 일렉트로루미네선스 소자를 형성하는 일렉트로루미네선스 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 접착 공정은 박리 가능한 상태로 도포된 접착제를 사용하여 상기 제조용 기판을 상기 제품용 기판에 접착하는 일렉트로루미네선스 표시 장치의 제조 방법.
  13. 박막 트랜지스터를 형성하는 프로세스에 견딜 수 있는 특성을 가지는 제조용 기판 및 박막 트랜지스터를 직접 탑재하는 데 적합한 특성을 가지는 제품용 기판을 사용하고, 상기 제품용 기판을 뒤로부터 지지하기 위해 상기 제조용 기판을 상기 제품용 기판에 접착하고, 상기 제조용 기판에 의해 보강된 상태에서 상기 제품용 기판의 표면에 최소한 박막 트랜지스터를 형성하고, 또한 사용이 끝난 상기 제조용 기판을 상기 제품용 기판으로부터 분리한 구조를 가지는 박막 반도체 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    무기 재료로 이루어지는 제조용 기판과 유기 재료로 이루어지는 제품용 기판을 사용하는 박막 반도체 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    유기 재료로 이루어지는 제품용 기판의 표면에 방습성의 막을 형성한 후, 그 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 박막 반도체 장치.
  16. 박막 트랜지스터를 형성하는 프로세스에 견딜 수 있는 특성을 가지는 제조용 기판 및 박막 트랜지스터를 직접 탑재하는 데 적합한 특성을 가지는 제품용 기판을 사용하고, 상기 제품용 기판을 뒤로부터 지지하기 위해 상기 제조용 기판을 상기 제품용 기판에 접착하고, 상기 제조용 기판에 의해 보강된 상태에서 상기 제품용 기판의 표면에 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 형성하고, 미리 대향 전극이 형성된 대향 기판을 소정의 간극으로 상기 화소 전극이 형성된 제품용 기판에 접합하 고, 또한 상기 간극에 액정을 유지하는 동시에, 사용이 끝난 상기 제조용 기판을 상기 제품용 기판으로부터 분리한 구조를 가지는 액정 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    무기 재료로 이루어지는 제조용 기판과 유기 재료로 이루어지는 제품용 기판을 사용하는 액정 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    유기 재료로 이루어지는 제품용 기판의 표면에 방습성의 막을 형성한 후, 그 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 액정 표시 장치.
  19. 박막 트랜지스터를 형성하는 프로세스에 견딜 수 있는 특성을 가지는 제조용 기판 및 박막 트랜지스터를 직접 탑재하는 데 적합한 특성을 가지는 제품용 기판을 사용하고, 상기 제품용 기판을 뒤로부터 지지하기 위해 상기 제조용 기판을 상기 제품용 기판에 접착하고, 상기 제조용 기판에 의해 보강된 상태에서 상기 제품용 기판의 표면에 박막 트랜지스터 및 일렉트로루미네선스 소자를 형성하는 동시에, 사용이 끝난 상기 제조용 기판을 상기 제품용 기판으로부터 분리한 구조를 가지는 일렉트로루미네선스 표시 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    무기 재료로 이루어지는 제조용 기판과 유기 재료로 이루어지는 제품용 기판을 사용하는 일렉트로루미네선스 표시 장치.
  21. 제20항에 있어서,
    유기 재료로 이루어지는 제품용 기판의 표면에 방습성의 막을 형성한 후, 그 위에 박막 트랜지스터 및 일렉트로루미네선스 소자를 형성하는 일렉트로루미네선스 표시 장치.
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