KR100691599B1 - 과전류 검출 방법 및 검출 회로 - Google Patents

과전류 검출 방법 및 검출 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR100691599B1
KR100691599B1 KR1020050090892A KR20050090892A KR100691599B1 KR 100691599 B1 KR100691599 B1 KR 100691599B1 KR 1020050090892 A KR1020050090892 A KR 1020050090892A KR 20050090892 A KR20050090892 A KR 20050090892A KR 100691599 B1 KR100691599 B1 KR 100691599B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
overcurrent
battery power
power source
semiconductor element
Prior art date
Application number
KR1020050090892A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060051786A (ko
Inventor
가즈시게 요꼬따
에이지 쯔루따
Original Assignee
닛산 지도우샤 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛산 지도우샤 가부시키가이샤 filed Critical 닛산 지도우샤 가부시키가이샤
Publication of KR20060051786A publication Critical patent/KR20060051786A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100691599B1 publication Critical patent/KR100691599B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/165Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
    • G01R19/16566Circuits and arrangements for comparing voltage or current with one or several thresholds and for indicating the result not covered by subgroups G01R19/16504, G01R19/16528, G01R19/16533
    • G01R19/16571Circuits and arrangements for comparing voltage or current with one or several thresholds and for indicating the result not covered by subgroups G01R19/16504, G01R19/16528, G01R19/16533 comparing AC or DC current with one threshold, e.g. load current, over-current, surge current or fault current
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H3/00Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
    • H02H3/08Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current
    • H02H3/087Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current for dc applications
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/165Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
    • G01R19/16528Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values using digital techniques or performing arithmetic operations
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H1/00Details of emergency protective circuit arrangements
    • H02H1/04Arrangements for preventing response to transient abnormal conditions, e.g. to lightning or to short duration over voltage or oscillations; Damping the influence of dc component by short circuits in ac networks
    • H02H1/043Arrangements for preventing response to transient abnormal conditions, e.g. to lightning or to short duration over voltage or oscillations; Damping the influence of dc component by short circuits in ac networks to inrush currents
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H3/00Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
    • H02H3/006Calibration or setting of parameters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Direct Current Feeding And Distribution (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

전지와 부하 사이에 FET를 구비한 부하 구동 장치에서, 과전류 검출 회로는 전압 분할기 회로 및 비교기와 함수 발생기 회로를 포함한다. 상기 전압 분할기 회로는 FET의 드레인에 연결된 한 쌍의 저항기와 제2 저항기에 평행으로 연결 지점에 연결된 제너 다이오드를 포함한다. 비교기는 FET의 가변 전압과 연결 지점에서의 기준 전압을 비교하고, 가변전압이 기준 전압보다 낮게 될 때 과전류 검출 신호를 출력한다. 과전류가 존재하지 않고 전지 전압이 감소하지 않을 때, 연결 지점은 제너 다이오드의 항복 전압에서 유지되고 FET의 공급된 전압에 대한 차이는 특히 커진다. 그러므로, 비교기는 시스템에 노이즈가 유입될 때에도 실수로 과전류 신호를 출력하지 않는다.
부하 구동 장치, 과전류 검출 회로, 전압 분할기 회로, 비교기, 함수 발생기 회로

Description

과전류 검출 방법 및 검출 회로 {OVERCURRENT DETECTION METHOD AND DETECTION CIRCUIT}
도1은 본 발명의 실시예에 따른 과전류 검출 회로(overcurrent detection circuit)가 구비된 부하 구동 장치(load-driving apparatus)를 도시한 블록도.
도2는 과전류가 흐르지 않을 때 전지 전압에 대해 비교기(comparator)의 입력 상태를 도시한 다이어그램.
도3은 전지 전압에 대해 과전류 검출 전류값을 도시한 다이어그램.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
2 : 전계 효과 트랜지스터
4 : 제어 유닛
5 : 스위치 회로
10 : 과전류 검출 회로
11 : 함수 발생기 회로
12 : 전압 분할기 회로
관련된 출원의 참조문헌
본 발명은 일본 특허 제2004-288432호 35 U.S.C. 119조하의 우선권을 청구한다. 일본 특허 제2004-288432호의 전체 개시내용은 본 명세서에 참조로 병합된다.
본 발명은 전지 전력원으로부터 부하(load)를 구동하는데 사용되는 회로에서 과전류를 검출하기 위한 검출 회로 및 과전류 검출 방법에 관한 것이다.
자동차의 램프를 점등시키기 위한 것처럼 스위치를 통해 전지로부터의 전력을 부하에 제공하기 위한 부하 구동 장치(load-driving apparatus)에, 과전류의 발생을 검출하고 부하 또는 전기 배선을 보호하기 위해 고안된 장치가 있다.
과전류를 검출하기 위한 과전류 검출 회로의 예는 일본 특허 공개 공보 평11-51983호에 개시되어 있다. 이 회로는 부하와 반도체 요소를 절환하는 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor,FET) 사이에 제공된 갈래 저항기(shunt resistor)를 가로질러 연결된다. 이 회로는 과전류가 존재하는 것을 검출하면 갈래 저항기를 통해 흐르는 전류를 기준 전압에 비교되는 전압으로 변환하도록 설계되었다.
위의 관점으로 보면, 향상된 과전류 검출 방법과 검출 회로에 대한 필요성이 있다는 것은 본 개시내용으로부터 본 기술 분야의 당업자들에게 명백해 질 것이다. 본 발명은 다른 요구뿐 아니라 본 기술 분야의 이러한 요구를 제기하고, 이는 본 개시내용으로부터 본 기술 분야의 당업자들에게 명백해 질 것이다.
갈래 저항기가 일본 특허 공개 공보 평11-51983호에 개시된 회로에 사용된 이래 전류가 흐르는 중에 발생되는 열 문제는 무시될 수 없다는 것이 발견되었다. 갈래 저항기에 의해 발생된 열을 최소화시키기 위해 저항 값이 감소될 때 전류에 대해 검출된 전압이 낮기 때문에, 회로로 진입하는 전자기 간섭 등으로 인해 외부에 노이즈가 발생될 때 과전류가 실수로 검출되는 것이 더 쉽게 된다.
전술한 단점의 관점에서, 본 발명의 목적은 노이즈에 의해 영향 받지 않고 우수한 정확성으로 과전류를 검출할 수 있는 과전류 검출 회로 및 검출 방법을 제공하는 것이다. 상술한 이 목적은 기본적으로 전지 전력원과 부하 사이에 절환 반도체 요소가 구비된 부하 구동 장치에서 과전류를 검출하기 위한 방법을 제공함으로써 달성될 수 있다. 이 방법은 기본적으로 절환 반도체 요소를 통해 흐르는 전류에 상응하는 가변값을 검출하는 단계와, 전지 전력원의 전지 전압의 감소량이 더 작아질 때 과전류 상태를 나타내기 위한 과전류 검출 전류값이 증가되도록 전지 전력원의 전지 전압의 함수로서 기준값을 설정하는 단계와, 절환 반도체 요소를 통해 흐르는 전류에 상응하는 가변값과 기준값을 비교하는 단계와, 가변값이 기준값에 도달할 때 과전류 상태가 존재하는 지를 결정하는 단계를 포함한다.
본 발명의 이러한 및 다른 목적, 특징, 태양과 장점들은 첨부된 도면과 관련하여 취해지고 본 발명의 양호한 실시예를 개시하는 다음의 상세한 설명으로부터 본 기술 분야의 당업자에게 명백해 질 것이다.
원본 개시내용의 일부를 형성하는 첨부된 도면을 참고하자.
본 발명의 선택된 실시예는 도면을 참조하여 이제 설명된다. 본 발명의 실 시예의 다음의 설명은 첨부된 청구범위 및 그 등가물에 의해 한정되는 바와 같이 발명을 제한하려는 것이 아닌 단지 예시를 위해 제공된다는 것이 본 기술 분야의 당업자들에게 명백할 것이다.
먼저 도1을 참조하면, 부하 구동 장치의 기본 구조는 본 발명의 제1 실시예에 따라 과전류 검출 회로가 구비되게 도시된다. 부하 구동 장치는 전지(1)를 구비하고 전지(1)와 램프나 다른 전기장치와 같은 부하(3) 사이에 전계 효과 트랜지스터(2)가 제공된다. 부하 구동 장치는 또한 제어 유닛(4)과 스위치 회로(5)를 갖는다. 제어 유닛은 FET(2)의 출구에 연결된다. 스위치 회로(5)는 제어 유닛(4)에 연결된다. 제어 유닛(4)은 스위치 회로(5)로부터의 명령을 기초로 FET(2)를 ON 또는 OFF로 전환하도록 구성된다. FET(2)는 전지(1)에 연결된 드레인(D)과 부하(3)에 연결된 소스(S)를 구비한다. FET(2), 제어 유닛(4) 및 스위치 회로(5)는 전지(1)에서 부하(3)까지 이를 통과하여 흐르는 전류를 가진 절환 반도체 요소를 형성한다.
과전류 검출 회로(10)는 FET(2)에 부착된다. 과전류 검출 회로(10)는 전압 분할기 회로(voltage divider circuit,12)와 비교기(13)를 갖는 함수 발생기 회로(function generator circuit,11)를 포함한다. 전압 분할기 회로(12)는 FET(2)의 드레인(D)과 접지 GND(ground GND) 사이에 연속하여 구비된 한 쌍의 저항기(R1, R2)를 기본적으로 포함한다. 함수 발생기 회로 또는 부품(11)은 접지 GND와 저항기 (R1, R2) 사이의 연결 지점(P) 사이에 구비된 제너 다이오드(Zener diode,ZD)를 포함한다.
제너 다이오드(ZD)의 항복 전압은 전지(1)의 정격 전압이 FET(2)의 드레인(D)에 인가될 때 저항기(R1, R2) 사이의 연결 지점(P)에서의 전압보다 낮게 설정된다. 특히, 예를 들어 전지(1)의 정격 전압이 12V로 가정되면, 그 후 저항기(R1)의 저항값은 3kΩ으로 가정되고, 저항기(R2)의 저항값은 27kΩ으로 가정되고, 제너 다이오드(ZD)의 항복 전압은 6.8V로 가정된다.
저항기(R1, R2) 사이의 연결 지점(P)은 함수 발생기 회로(11)의 출력으로써 연결 지점(P)의 전압이 비교기(13)에 입력되도록 비교기(13)의 비역전식 입력 단자("플러스"단자 또는 양극 단자)에 연결된다. 비교기(13)의 역전식 입력단자("마이너스"단자 또는 음극 단자)는 FET(2)의 소스(S)에 연결된다. 비교기(13)의 출력 단자는 제어 유닛(4)에 연결된다.
도2는 FET(2)에 과전류가 흐르지 않을 때, 즉, 과전류 상태가 존재하지 않을 때 비교기(13)의 입력 상태를 도시한다. 과전류가 흐르지 않을 때 전지(1)의 전압 감소가 적기 때문에, FET(2)에 입력 전압은 전지 전압에 대하여 직선(A)으로 나타낸 바와 같이 된다. FET(2)의 소스 전압(source potential)은 또한 이때 입력 전압과 동일하다. 이 직선(A)의 전압은 가변값으로 소스(S)에 연결된 비교기(13)의 역전식 입력 단자에 인가된다.
비교기(13)의 비역전식 입력 단자에 입력된 함수 발생기 회로(11)의 출력은 저항기(R1, R2)의 전압 분할률을 기초로 한 전압에 의해 직선(A)에 대해 변경되지만, 제너 다이오드(ZD)의 항복 전압 6.8V에 도달한 후에 6.8V에서 유지된다. 6.8V의 일정한 전압이 아래 식을 따라 도달될 때 전지 전압의 전환점은 7.6V이다.
6.8×(3+27)/27=7.6(V)
점선(B)으로 나타낸 함수 발생기 회로(11)의 출력은 과전류 상태가 존재하는지 여부를 검출하기 위한 기준 전압(규정된 기준값)이 된다. 과전류가 흐르지 않을 때, 직선 A는 기준 전압(B)보다 높고, 비교기(13)의 출력 신호는 비과전류 상태를 나타내기 위해 L(Low)이다.
과전류 상태가 존재할 때, 그 과전류는 전지(1)의 전압을 감소시켜서, 작동 상태 저항(on-state resistance) 뿐만 아니라 FET(2)의 소스(S)와 드레인(D) 사이에 전압 강하가 야기된다. 따라서, 역전식 입력 단자에 입력된 소스 전압이 비역전식 입력 단자에 입력된 기준 전압보다 낮게 될 때, 비교기(13)는 과전류 검출의 신호로써 H(High)를 출력한다.
과전류 검출 신호가 비교기(13)로부터 출력될 때, 제어 유닛(4)는 과전류가 부하(3)에 흐르는 것을 방지하기 위해 FET(2)의 전원을 끈다.
*상술된 바와같이, 저항기(R1)의 저항값이 3kΩ이라고 가정하면, 저항기(R2)의 저항값은 27kΩ이고, 제너 다이오드(ZD)의 항복 전압은 6.8V이고, FET(2)의 작동 상태 저항은 3.3mΩ라고 가정하면, 전지 전압에 대한 과전류 검출 전류(비교기(13)의 출력이 H일 때의 전류값)는 도3에 도시된 형태로 가정된다.
삭제
특히, 과전류 상태가 존재하고 전지 전압이 5V로 감소하는 상태에서, 과전류 검출 전류는 152A이다. 다시 말해서, 152A의 전류가 FET(2) 또는 부하(3)를 통해 흐른다면, 이 전류는 과전류로 결정되고 과전류 검출 신호가 출력된다.
실제 과전류 상태가 존재하지 않음으로 인해 전지(1)에서 전압 감소가 없고, 전지 전압이 12V인 상태에서, 아래 계산에 의해 도시된 바와 같이 과전류 검출 전류는 1576A이다.
(12-6.8)V/3.3mΩ=1576A
특히, 과전류 상태가 존재하지 않을 때, 매우 큰 전류가 흐르지 않기 때문에 비교기(13)로부터 출력되는 과전류 검출 신호는 없다.
상술된 실시예에서, 부하 구동 장치는 전지(1)와 부하(3) 사이에 FET(2)를 구비하며, 기준값을 생성하는 함수 발생기 회로(11)는 FET(2)의 측면 전지에 연결되어 전지 전압에 대한 함수로서 규정된 기준 전압을 출력한다. 부하 구동 장치는 FET(2)의 소스 전압이 기준 전압으로 감소할 때 즉, 과전류 상태가 존재할 때 과전류 검출 신호를 출력하기 위해 비교기(13)를 사용한다. 전지 전력원의 전지 전압의 감소량이 작아질수록 과전류 상태를 나타내기 위한 과전류 검출 값이 증가하도록 기준 전압이 설정된다. 따라서, 기준 전압과 공급원이나 FET(2)의 소스 또는 부하 측 전압 사이의 차이는 전지 전압이 너무 높아서 과전류가 발생하지 않게 될 정도로 증가한다. 결과적으로, 노이즈가 시스템에 유입될 때에도 상술된 차이가 극복되기 어렵고 비교기(13)는 실수로 과전류 검출 신호를 출력하는 것을 방지한다.
함수 발생기 회로(11)는 스스로 FET(2)의 전지(1)측에 연결된 저항기(R1)와 연속하여 연결된 저항기(R2)를 가진 전압 분할기 회로(12)를 구비하고, 저항기 (R1, R2)의 연결 지점(P)이 가변값과 기준값을 비교하여 과전류 상태의 존재를 결정하는 비교기(13)의 비역전식 입력 단자로 연결되기 때문에, 기준 전압은 전지 전압에 대하여 저항기(R1, R2)의 전압 분할률을 기초로 한 전압에 의해 변경된다. 이런 간단한 구조로, 소스 전압과 기준 전압 사이의 차이는 증가된 전지 전압에 따라 증가하고, 과전류 검출 전류값은 증가될 수 있다.
함수 발생기 회로(11)에서 제너 다이오드(ZD)는 저항기(R2)와 병렬로 제공되고, 제너 다이오드(ZD)의 음극은 저항기(R1, R2) 사이의 연결 지점(P)에 연결된다. 연결 지점(P)는 전지 전압이 규정된 값이나 그 위에 있을 때, 제너 다이오드(ZD)의 항복에 의해 제너 다이오드(ZD)의 항복 전압에서 유지되고, 따라서 FET(2)의 소스 전압에 대한 차이는 특히 커진다. 결과적으로, 과전류 검출 신호는 과전류가 흐르지 않는 상태에서 실수로 출력되는 것으로부터 매우 신뢰성있게 방지된다.
저항기의 저항값, 제너 다이오드의 항복 전압, FET의 작동 상태 저항, 전지의 정격 전압, 및 상술된 실시예에서 다른 값들은 예시로 의도되었고, 본 발명을 제한시키지 않고, 필요시 및/또는 원하면 임의의 값으로 설정될 수 있다.
상시 실시예를 설명하기 위해 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 부품, 섹션 및 장치 등에 의해 수행되는 작동 또는 기능을 설명하기 위해 본 명세서에서 사용된 "검출하다"라는 용어는 물리적 검출을 요구하지 않는 부품, 섹션 및 장치 등을 포함하지만, 작동 또는 기능을 수행하기 위해 결정하는 단계, 측정하는 단계, 모델링하는 단계, 예측하거나 계산하는 단계 등을 더 포함한다. 부품, 섹션 또는 장치의 일부를 설명하기 위해 본 명세서에서 사용된 "구성되는"이라는 용어는 원하는 기능을 수행하기 위해 프로그래밍되거나 및/또는 구성되는 소프트웨어 및/ 또는 하드웨어를 포함한다.
더욱이, 청구범위에서"수단 더하기 기능(means-plus function)"이라고 표현 된 용어는 본 발명의 일부분의 기능을 수행하는데 이용될 수 있는 임의 구조를 포함한다. 본 명세서에 사용된 "실질적으로 ", "약" 및 "대략적으로"같이 정도를 나타내는 용어는 최종 결과가 상당히 변하지 않는 정도로 수정된 용어의 합리적인 양의 편차를 의미한다. 예를 들어, 이런 편차가 수정된 단어의 의미를 부정하지 않으면, 이런 용어들은 수정된 용어의 적어도 ±5%의 편차를 포함하는 것으로 구성될 수 있다.
단지 선택된 실시예들이 본 발명을 설명하기 위해 선택되지만, 첨부된 청구범위에서 한정된 바와 같이 발명의 범주 내에서 다양한 변화와 수정이 본 명세서에 형성될 수 있다는 것이 본 개시내용으로부터 본 기술 분야의 당업자들에게 자명하다. 더욱이, 본 발명에 따른 실시예의 상술된 설명은 단지 예시를 위해 제공되고, 첨부된 청구범위 및 그 등가물에 의해 한정된 바와 같이 본 발명을 제한하려는 목적은 아니다. 따라서, 본 발명의 범위는 개시된 실시예에 제한되지 않는다.
본 발명에 의하면, 전지 전력원과 부하 사이에 절환 반도체 요소가 구비된 부하 구동 장치에서 과전류를 검출하기 위한 방법을 제공함으로써, 노이즈에 의해 영향받지 않고 우수한 정확성으로 과전류를 검출할 수 있는 효과를 제공한다.

Claims (6)

  1. 전지 전력원과 부하 사이에 절환 반도체 요소가 구비된 부하 구동 장치에서 과전류를 검출하기 위한 방법이며,
    절환 반도체 요소를 통해 흐르는 전류에 상응하는 가변값을 검출하는 단계와,
    전지 전력원의 전지 전압에서의 감소량이 작을수록 과전류 상태를 나타내기 위한 과전류 검출 전류값이 증가되도록 전지 전력원의 전지 전압의 함수로써 기준값을 설정하는 단계와,
    절환 반도체 요소를 통해 흐르는 전류에 상응하는 가변값과 기준값을 비교하는 단계와,
    가변값이 기준값에 도달할 때 과전류 상태가 존재한다고 결정하는 단계를 포함하는 과전류를 검출하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 기준값을 함수로 설정하는 단계는 전지 전력원의 전지 전압이 규정된 값에 또는 그 위에 있을 때 기준값을 일정하게 유지시키는 단계를 더 포함하는 과전류를 검출하는 방법.
  3. 전지 전력원과 부하 사이에 절환 반도체 요소가 구비된 부하 구동 장치에서 과전류를 검출하기 위한 과전류 검출 회로이며,
    전지 전력원의 전지 전압에 대한 함수로서 기준 전압을 출력하도록 구성되고 절환 반도체 요소의 전지 전원측에 연결되도록 구성된 함수 발생 부품과,
    기준 전압을 수신하도록 함수 발생 부품에 작동식으로 연결된 비역전식 입력 단자와, 절환 반도체 요소의 부하측의 부하측 전압을 수신하도록 절환 반도체 요소의 부하 측에 작동식으로 연결되도록 구성된 역전식 입력 단자와, 절환 반도체 요소의 부하측의 부하측 전압이 기준전압으로 감소할 때 과전류 검출 신호를 출력하도록 구성된 출력 단자를 구비한 비교기를 포함하고,
    전지 전력원의 전지 전압에서의 감소량이 작아짐에 따라 과전류 상태를 나타내기 위한 과전류 검출 전류가 증가하도록 기준전압이 설정되는 과전류 검출 회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 함수 발생 부품은 절환 반도체 요소의 전지 전력원 측에 연결된 제1 저항기와, 상기 제1 저항기에 연속하여 연결된 제2 저항기를 구비한 전압 분배기 회로를 포함하고,
    상기 비교기의 비역전식 입력단자는 제1과 제2 저항기 사이의 연결 지점에서 연결되는 과전류 검출 회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 함수 발생 부품은 전지 전력 공급원의 전압이 규정된 값에 또는 그 위에 있을 때 제1과 제2 저항기 사이의 연결 지점(P)의 전압이 일정하게 유지되도록 제1과 제2 저항기 사이의 연결 지점(P)에 제너 다이오드(ZD)의 음극이 연결되어 제2 저항기와 평행하게 연결된 제너 다이오드를 더 포함하는 과전류 검출 회로.
  6. 전지 전력원과 부하 사이에 절환 반도체 요소가 구비된 부하 구동 장치에서 과전류를 검출하기 위한 과전류 검출 회로이며,
    전지 전력원의 전지 전압에서의 감소량이 작을수록 과전류 상태를 나타내기 위한 과전류 검출 전류값이 증가되도록 전지 전력원의 전압에 대한 함수로서 기준값을 생성하는 수단과,
    절환 반도체 요소를 통해 흐르는 전류에 상응하는 가변값과 기준값을 비교하는 수단과,
    가변값이 기준값에 도달할 때 과전류 상태가 존재한다고 결정하는 수단을 포함하는 과전류 검출을 위한 과전류 검출 회로.
KR1020050090892A 2004-09-30 2005-09-29 과전류 검출 방법 및 검출 회로 KR100691599B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004288432A JP4158754B2 (ja) 2004-09-30 2004-09-30 過電流検知方法および検知回路
JPJP-P-2004-00288432 2004-09-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060051786A KR20060051786A (ko) 2006-05-19
KR100691599B1 true KR100691599B1 (ko) 2007-03-09

Family

ID=35788677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050090892A KR100691599B1 (ko) 2004-09-30 2005-09-29 과전류 검출 방법 및 검출 회로

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7446507B2 (ko)
EP (1) EP1646121A3 (ko)
JP (1) JP4158754B2 (ko)
KR (1) KR100691599B1 (ko)
CN (1) CN100434924C (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101055295B (zh) * 2006-04-12 2010-04-21 台达电子工业股份有限公司 风扇系统及其电源监视装置
JP4896754B2 (ja) * 2007-01-31 2012-03-14 ローム株式会社 過電流保護回路及びこれを用いた電源装置
CN101029910B (zh) 2007-03-22 2010-05-26 华为技术有限公司 电流检测电路及装置
US20080304193A1 (en) * 2007-06-06 2008-12-11 Inventec Corporation Voltage input circuit
KR101034136B1 (ko) * 2009-05-11 2011-05-13 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드용 전원 공급 장치
JP5351793B2 (ja) * 2010-02-05 2013-11-27 矢崎総業株式会社 過電流保護装置及び過電流保護システム
US20120154969A1 (en) * 2010-12-21 2012-06-21 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Overcurrent detection circuit of light emitting module
DE102011003699A1 (de) * 2011-02-07 2012-08-09 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Verfahren zur Stromstärkemessung einer Kraftfahrzeugbatterie
CN102243261A (zh) * 2011-03-30 2011-11-16 上海北京大学微电子研究院 电流检测电路
FR2983300B1 (fr) * 2011-11-30 2014-01-10 Valeo Etudes Electroniques Systeme de mesure d'un courant de charge et de diagnostic d'une absence de charge ou d'une surcharge
US9531441B2 (en) 2012-02-21 2016-12-27 Lg Innotek Co., Ltd. Wireless power receiver and method of managing power thereof
KR102094474B1 (ko) 2013-10-15 2020-03-30 삼성전자주식회사 보조 전원 공급 장치 및 그를 채용한 전자 시스템
DE102014202617A1 (de) * 2014-02-13 2015-08-13 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Messen eines Batteriezellenstromes
CN105548651B (zh) * 2015-12-02 2018-06-19 上海兆芯集成电路有限公司 测量装置
JP6696314B2 (ja) * 2016-06-17 2020-05-20 株式会社デンソー 電源電圧異常判定装置
US11038364B2 (en) * 2018-01-10 2021-06-15 Microsoft Technology Licensing, Llc Parallel charging and discharging of batteries with disparate characteristics
US10778013B2 (en) 2018-01-10 2020-09-15 Microsoft Technology Licensing, Llc Distributed battery architecture
US11101680B2 (en) 2019-06-28 2021-08-24 Microsoft Technology Licensing, Llc Parallel battery charge management
US11165265B2 (en) 2019-06-28 2021-11-02 Microsoft Technology Licensing, Llc Parallel battery discharge management
CN110456141A (zh) * 2019-08-28 2019-11-15 安徽贵博新能科技有限公司 一种高边过流检测电路及其方法
JP7404983B2 (ja) * 2020-04-10 2023-12-26 株式会社オートネットワーク技術研究所 給電制御装置
US11901749B2 (en) 2020-09-09 2024-02-13 Microsoft Technology Licensing, Llc Balanced discharge in multi-battery system
CN113391111A (zh) * 2021-05-25 2021-09-14 普源精电科技股份有限公司 一种电流检测电路

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06213939A (ja) * 1993-01-19 1994-08-05 Tokai Rika Co Ltd 電流検出回路
JPH09257841A (ja) * 1996-03-27 1997-10-03 Mitsumi Electric Co Ltd 二次電池の過電流検出回路
KR0154824B1 (ko) * 1995-07-12 1998-12-15 김광호 히스테리시스 특성을 갖는 전류제한 보호회로
JPH1151983A (ja) * 1997-08-08 1999-02-26 Harness Sogo Gijutsu Kenkyusho:Kk 過電流検知回路
KR0162847B1 (ko) * 1996-03-08 1999-04-15 김광호 과전류 및 과전압 보호기능을 갖는 스위칭 모드 전원공급기
KR20040067807A (ko) * 2003-01-22 2004-07-30 미쓰미덴기가부시기가이샤 과전류 검출 회로 및 그 지연 회로

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9027111D0 (en) * 1990-12-13 1991-02-06 Raychem Ltd Circuit protection device
JPH07248342A (ja) * 1994-03-11 1995-09-26 Nippon Motorola Ltd 過電流検出回路
US6232742B1 (en) * 1994-08-02 2001-05-15 Aerovironment Inc. Dc/ac inverter apparatus for three-phase and single-phase motors
JP3656412B2 (ja) * 1998-07-03 2005-06-08 株式会社日立製作所 車両用電力制御装置
JP3701573B2 (ja) 2001-03-28 2005-09-28 株式会社オートネットワーク技術研究所 負荷駆動回路
JP2002312575A (ja) * 2001-04-16 2002-10-25 Sekisui Chem Co Ltd 電力モニタリングシステムおよび金融商品を利用した省電力促進システムならびに省電力促進方法
JP3914004B2 (ja) * 2001-05-25 2007-05-16 矢崎総業株式会社 半導体素子の過電流検出・保護装置
US6646847B2 (en) * 2001-11-08 2003-11-11 Gentex Corporation Current sense circuit
US6781502B1 (en) * 2003-05-06 2004-08-24 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Method of forming a protection circuit and structure therefor

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06213939A (ja) * 1993-01-19 1994-08-05 Tokai Rika Co Ltd 電流検出回路
KR0154824B1 (ko) * 1995-07-12 1998-12-15 김광호 히스테리시스 특성을 갖는 전류제한 보호회로
KR0162847B1 (ko) * 1996-03-08 1999-04-15 김광호 과전류 및 과전압 보호기능을 갖는 스위칭 모드 전원공급기
JPH09257841A (ja) * 1996-03-27 1997-10-03 Mitsumi Electric Co Ltd 二次電池の過電流検出回路
JPH1151983A (ja) * 1997-08-08 1999-02-26 Harness Sogo Gijutsu Kenkyusho:Kk 過電流検知回路
KR20040067807A (ko) * 2003-01-22 2004-07-30 미쓰미덴기가부시기가이샤 과전류 검출 회로 및 그 지연 회로

Also Published As

Publication number Publication date
EP1646121A2 (en) 2006-04-12
EP1646121A3 (en) 2016-08-17
CN100434924C (zh) 2008-11-19
US7446507B2 (en) 2008-11-04
KR20060051786A (ko) 2006-05-19
JP4158754B2 (ja) 2008-10-01
CN1755376A (zh) 2006-04-05
JP2006105603A (ja) 2006-04-20
US20060066286A1 (en) 2006-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100691599B1 (ko) 과전류 검출 방법 및 검출 회로
US7847702B2 (en) Power supply controller
US10044180B2 (en) Electronic circuit breaker for an electrical load in an on-board electrical system of a motor vehicle
US7106126B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
US8598859B2 (en) Power supply controller
US20090219661A1 (en) Power switching circuit
US5596465A (en) Overcurrent protection circuit for a dc-to-dc converter
EP2372856A1 (en) Load circuit protection device
US9537303B2 (en) Semiconductor device and electric control device
JP4229656B2 (ja) 電流制限回路およびそれを備えた出力回路
KR101291367B1 (ko) 온도 검출 회로
KR20140055986A (ko) 스위치 릴레이 장치
US20080247108A1 (en) Load drive device
EP0896410A2 (en) Overcurrent detection circuit
JP4263685B2 (ja) 保護回路
JP4051182B2 (ja) 過電流検出装置
US7612550B2 (en) Dropper type regulator
JP2000308250A (ja) 電源供給制御装置および電源供給制御方法
US20100102823A1 (en) Error recognition in a control unit
JP2000245055A (ja) 車載電源の電力供給制御システム
JP4148243B2 (ja) 異常検出回路
JP2000197201A (ja) 電気自動車の地絡検出回路
JP2000312142A (ja) インテリジェントパワースイッチ装置
JP7410346B2 (ja) スイッチ装置
JP2019186880A (ja) 負荷駆動装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130130

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140203

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150120

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160121

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170201

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180201

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190129

Year of fee payment: 13