JP2000308250A - 電源供給制御装置および電源供給制御方法 - Google Patents

電源供給制御装置および電源供給制御方法

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JP2000308250A
JP2000308250A JP11109677A JP10967799A JP2000308250A JP 2000308250 A JP2000308250 A JP 2000308250A JP 11109677 A JP11109677 A JP 11109677A JP 10967799 A JP10967799 A JP 10967799A JP 2000308250 A JP2000308250 A JP 2000308250A
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gate
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JP11109677A
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Yoshikazu Nagashima
良和 長嶋
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Original Assignee
Yazaki Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 サーマルFETの過熱遮断状態を簡単なハー
ド構成およびソフト処理によって正確に検出することの
できる電源供給制御装置および電源供給制御方法を提供
すること。 【解決手段】 ゲート電流検出回路21は、過熱遮断機
能付きFET(サーマルFET)17のゲート(G)に
接続された、サーマルFET17内部の検出抵抗15
と、コンパレータ211とを有する。コンパレータ21
1の各端子には検出抵抗15両端の各電圧が印加される
ため、コンパレータ21はこれらの電位差と基準電圧と
を比較して、該電位差が基準電圧以上の場合は“H"レ
ベル電位をもった信号をマイコン31に印加する。マイ
コン31は、ゲート電流検出回路21から“H"レベル
電位をもった信号が供給されたとき、サーマルFET1
7が過熱遮断状態であると判断する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は電源供給制御装置お
よび電源供給制御方法に係り、過電流や過熱に対する保
護機能を備え、制御信号に応じた半導体スイッチのスイ
ッチング制御により、電源から負荷への電力供給を制御
する電源供給制御装置および電源供給制御方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体スイッチを備えた電源供給
制御装置としては、例えば図5に示すようなものがあ
る。本従来例の電源供給制御装置は、自動車で用いられ
るヘッドライトやパワーウィンドウの駆動モータ等々の
各負荷にバッテリからの電源を選択的に供給して、各負
荷への電力の供給を制御する装置である。
【0003】同図において、本従来例の電源供給制御装
置100は、電源101の出力電圧VBを負荷103に
供給する経路中に、シャント抵抗104およびサーマル
FET102のドレイン(D)−ソース(S)を直列接
続して備えた構成である。また本装置100は、シャン
ト抵抗104を流れる電流(以下、負荷電流と称す)を
検出する電流検出回路105と、サーマルFET102
のソース(S)電圧(以下、負荷電圧と称す)を検出し
て電圧検出回路107と、サーマルFET102の駆動
を制御する駆動回路109と、スイッチ111がオン状
態中に駆動回路109を制御するためのPWM(パルス
幅変調)制御信号を駆動回路109に供給するマイコン
(CPU)113とを備えて構成されている。
【0004】まず、半導体スイッチとしてのサーマルF
ET102は、図示しない温度センサを備え、サーマル
FET102が過電流等により規定の温度(例えば、1
50℃)以上まで上昇した場合には、ゲート(G)に
“H"レベル電位が印加されている状態であっても、内
蔵するゲート遮断回路によってサーマルFET102を
強制的にオフ動作させる過熱遮断機能を備えている。こ
のようにしてオフ制御されたサーマルFET102は、
その後温度が下がってもゲート(G)に“L"レベル電
位が印加されるまで過熱遮断状態を維持する。
【0005】また、ゲート(G)−ソース(S)間に
は、ゲート(G)−ソース(S)間を一定の電位レベル
に保ってゲート(G)に過電圧が印加されようとした場
合にこれをバイパスしてサーマルFET102の損傷を
防止するツェナーダイオードZD1が接続されている。
【0006】次に、駆動回路109は、コレクタ側が電
位Vpに接続されたソーストランジスタ115と、エミ
ッタ側が接地電位(GND)に接続されたシンクトラン
ジスタ117とを直列接続して備え、マイコン113か
ら発生されるPWM制御信号に基づき、ソーストランジ
スタ115およびシンクトランジスタ117をオン/オ
フ制御することによってソーストランジスタ115のエ
ミッタまたはシンクトランジスタ117のコレクタから
“H"または“L"レベル電位の信号を出力して、サーマ
ルFET102を駆動制御する。なお、図5中のシンク
トランジスタ117のコレクタに印加される電位Vp
は、昇圧のために用いられるチャージポンプ(図示せ
ず)の出力電圧である。
【0007】次に、電流検出回路105はシャント抵抗
104を流れる負荷電流を検出し、この検出結果をA/
D変換器119を介してマイコン113に供給する。次
に、電圧検出回路107は、サーマルFET102のソ
ース(S)の負荷電圧を電源電圧VBの抵抗分圧で生成
される基準電圧Vrefと比較するコンパレータを有
し、負荷電圧が基準電圧を超えたときは“H"レベル電
圧を持った信号を、また基準電圧以下のときは“L"レ
ベル電圧を持った信号をマイコン113に供給する。
【0008】次に、マイコン113は、スイッチ111
の設定によりPWM制御信号を駆動回路109に供給す
る。また、電流検出回路105によって検出された負荷
電流の検出結果、および電圧検出回路107によって比
較検出された負荷電圧の検出結果を常時モニタする。サ
ーマルFET102が過熱遮断機能によりオフ制御され
ているときのシャント抵抗104を流れる負荷電流は略
0[A]であり、サーマルFET102のソース(S)
の負荷電圧は略0[V]であるため、マイコン113
は、得られた負荷電流および負荷電圧の2つのパラメー
タがこの条件(共に略ゼロ)に合致したときに、サーマ
ルFET102が過熱遮断状態であると判断して、PW
M制御信号の供給を停止する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】このように、上記従来
例の電源供給制御装置100においては、電流検出回路
105および電圧検出回路107の2つの回路を必要と
する。また、マイコン113がサーマルFET102の
過熱遮断状態を検出するためには、これら電流検出回路
105および電圧検出回路107による2つのパラメー
タ(すなわち、負荷電流および負荷電圧)を入力して、
これら2つのパラメータを用いた制御処理とが必要であ
るため、必要とするステップ数が多く検出方法が複雑で
あるという問題点があった。
【0010】本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたものであって、サーマルFETの過熱遮断状態を簡
単なハード構成およびソフト処理によって正確に検出す
ることのできる電源供給制御装置および電源供給制御方
法を提供することを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項1に係る電源供給制御装置は、制御
信号入力端子に供給される制御信号に応じてスイッチン
グ制御され、電源から負荷への電力供給を制御する半導
体スイッチと、前記制御信号入力端子から前記半導体ス
イッチに供給される前記制御信号の電流を検出する第1
の電流検出手段と、前記第1の電流検出手段によって得
られた検出結果に基づいて、前記半導体スイッチの状態
を検出する状態検出手段と、を備えたものである。
【0012】また、本発明の請求項2に係る電源供給制
御装置は、請求項1に記載の電源供給制御装置におい
て、前記半導体スイッチを介して前記負荷に流れる電流
を検出する第2の電流検出手段を備え、前記状態検出手
段は、前記第1および第2の電流検出回路によって得ら
れた検出結果から、前記負荷のオープン状態を検出する
ものである。
【0013】また、請求項3に係る電源供給制御方法
は、制御信号入力端子に供給される制御信号によって半
導体スイッチをスイッチング制御して、電源から負荷へ
の電力供給を制御する電力供給制御方法において、前記
制御信号入力端子から前記半導体スイッチに供給される
前記制御信号の電流を検出する第1の電流検出ステップ
と、前記第1の電流検出ステップによって得られた検出
結果に基づいて、前記半導体スイッチの状態を検出する
第1の状態検出ステップと、を備えたものである。
【0014】さらに、本発明の請求項4に係る電源供給
制御方法は、請求項3に記載の電源供給制御方法におい
て、前記半導体スイッチを介して前記負荷に流れる電流
を検出する第2の電流検出ステップと、前記第1および
第2の電流検出ステップによって得られた検出結果か
ら、前記負荷のオープン状態を検出する第2の状態検出
ステップと、を備えたものである。
【0015】本発明の請求項1に係る電源供給制御装置
および請求項3に係る電源供給制御方法では、制御信号
入力端子から半導体スイッチに供給される制御信号の電
流を第1の電流検出手段によって検出し(第1の電流検
出ステップ)、該第1の電流検出手段(第1の電流検出
ステップ)によって得られた検出結果に基づいて、状態
検出手段は半導体スイッチの状態を検出している(第1
の状態検出ステップ)。このように、第1の電流検出手
段(第1の電流検出ステップ)のみによる検出結果に基
づいているため、簡単なハード構成(ソフト処理)によ
って正確に半導体スイッチの状態を検出することができ
る。
【0016】また、請求項2に係る電源供給制御装置お
よび請求項4に係る電源供給制御方法では、第1の電流
検出手段(第1の電流検出ステップ)および半導体スイ
ッチを介して負荷に流れる電流を検出する第2の電流検
出手段(第2の電流検出ステップ)による各検出結果に
基づいて、負荷オープン状態を検出しているため、負荷
のオープン状態を電源電圧や温度変動に影響されず正確
に検出することができる。すなわち、第1の電流検出手
段(第1の電流検出ステップ)により検出された制御信
号の電流値から半導体スイッチが過熱遮断状態ではない
ことが検出され(第1の状態検出ステップ)、第2の電
流検出手段(第2の電流検出ステップ)によって負荷に
電流が流れていないことが検出された場合に、状態検出
手段(第2の状態検出ステップ)によって負荷のオープ
ン状態が検出される。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の電源供給制御装置
および電源供給制御方法の実施の形態例について、図1
乃至図4を参照して詳細に説明する。ここで、図1は本
発明の一実施形態の電源供給制御装置の回路構成図、図
2は実施形態で使用する半導体スイッチ(サーマルFE
T)の詳細な回路構成図、図3は一実施形態の電源供給
制御装置が行う電源供給制御方法を説明するフローチャ
ート、図4は(a)PWM制御信号および(b)サーマ
ルFETのゲート電流の経時変化と、(c)過熱遮断検
出を説明する説明図である。
【0018】なお、以下の説明では、例えば自動車で用
いられるヘッドライトやパワーウィンドウの駆動モータ
等々の各負荷にバッテリからの電源を選択的に供給し
て、各負荷への電力の供給を制御する電源供給制御装置
および電源供給制御方法に適用した実施の形態例につい
て説明するが、本発明はこのような形態に限定されるも
のではなく、電源から負荷への電力供給を制御する電源
供給制御装置および電源供給制御方法であればどのよう
な形態であっても適用可能である。
【0019】本発明の一実施形態の電源供給制御装置に
ついて、図1を参照して説明する。本実施形態の電源供
給制御装置10は、主に、電源11と、負荷13と、特
許請求の範囲の電圧検出手段に該当する検出抵抗15を
内部に有した半導体スイッチに該当するサーマルFET
17と、第2の電流検出手段に該当する電流検出回路1
9と、第1の電流検出手段に該当するゲート電流検出回
路21と、駆動回路23と、状態検出手段に該当するマ
イコン(CPU)31とを備え、電源11の出力電圧V
Bを負荷13に供給する経路中に、シャント抵抗25お
よびサーマルFET17のドレイン(D)−ソース
(S)を直列接続して備えた構成である。
【0020】まず、電源11は、略12[V]の電圧値
を持った直流電力を供給するバッテリである。次に、負
荷13は、例えばヘッドライトやパワーウィンドウの駆
動モータ等であり、スイッチ27をオン動作することに
よって機能する。ユーザ等によってスイッチ27がオン
状態とされると電源11から負荷13に電力が供給され
るため、負荷13が稼動する。
【0021】次に、半導体スイッチとしてのサーマルF
ET17は、より詳しくは図2に示すような構成となっ
ている。図2において、サーマルFET17は、制御用
FET124と、内蔵抵抗125と、温度センサ121
と、ラッチ回路122と、制御用FET124のゲート
遮断回路としての過熱遮断用FET123とを備えて構
成されている。また、サーマルFET17のゲート
(G)と内蔵抵抗125との間に検出抵抗15が接続さ
れている。該検出抵抗15は、後述のゲート電流を検出
するために用いられる抵抗であり、ゲート電流検出回路
21の一部としてある。
【0022】これらの構成要素を備えたサーマルFET
17は、サーマルFET17または制御用FET124
が規定以上の温度(例えば、150℃)以上まで上昇し
たことが温度センサ121によって検出された場合に
は、ゲート(G)に“H"レベル電位が印加されている
状態であっても、その旨の検出情報がラッチ回路122
に保持され、過熱遮断用FET123がオン動作となる
ことによって、制御用FET124を強制的にオフ動作
する過熱遮断機能を備えている。このようにしてオフ制
御されたサーマルFET17は、その後温度が下がって
もゲート(G)に“L"レベル電位が印加されるまで過
熱遮断状態を維持する。
【0023】より詳しくは、温度センサ121は4個の
ダイオードが縦続接続されてなり、実装上、温度センサ
121は制御用FET124の近傍に配置形成されてい
る。サーマルFET17または制御用FET124の温
度が上昇するにつれて温度センサ121の各ダイオード
の抵抗値が減少するので、FETQ51のゲート電位が
“L"レベルとされる電位まで下がると、FETQ51
がオン状態からオフ状態に遷移する。これにより、FE
TQ54のゲート電位がサーマルFET17のゲート制
御端子(G)の電位にプルアップされ、FETQ54が
オフ状態からオン状態に遷移して、ラッチ回路122に
“1"がラッチされることとなる。このとき、ラッチ回
路122の出力が“H"レベルとなって過熱遮断用FE
T123がオフ状態からオン状態に遷移するので、制御
用FET124のゲート(TG)の電位レベルが“L"
レベルとなって、制御用FET124がオン状態からオ
フ状態に遷移して、過熱遮断されることとなる。
【0024】また、サーマルFET17のゲート(G)
−ソース(S)間には、ツェナーダイオードZD1が接
続されており、ゲート(G)−ソース(S)間を一定の
電位レベル(例えば、12V)に保って、ゲート(G)
に過電圧が印加されようとした場合にこれをバイパスし
てサーマルFET17の損傷を防止する。
【0025】次に、電流検出回路19は差動増幅器19
1を有し、所定の抵抗値を持ったシャント抵抗25を流
れる電流(以下、負荷電流と称す)を検出している。差
動増幅器191は、シャント抵抗25による電圧降下分
の電位差を増幅して出力する。該出力された信号(以
下、負荷電流信号と称す)は、A/D変換器29でA/
D変換された後にマイコン31に供給される。
【0026】次に、ゲート電流検出回路21は、サーマ
ルFET17内の端子GおよびGR間に接続された検出
抵抗15並びにコンパレータ211を有して構成され、
該検出抵抗15およびコンパレータ211を用いて、サ
ーマルFET17のゲート(G)に流れるゲート電流を
検出する。コンパレータ211の非反転入力端子にはサ
ーマルFET17のゲート電圧(端子Gの電位)が抵抗
R11によって分圧して印加され、反転入力端子には検
出抵抗15によって降圧された電位(端子GRの電位)
が印加されている。
【0027】ここで検出抵抗15の抵抗値を、例えば1
[kΩ]とした場合について、図4を参照して考える。
正常駆動時のゲート(G)に流れ込むゲート電流が0.
1[mA]以下であるとき、検出抵抗15による電圧降
下分の電位差は0.1[V]以下となる。また、過熱遮
断時にはサーマルFET17の温度センサ121やラッ
チ回路122等の各回路が稼動するための電源が必要と
なるため、0.3[mA]以上のゲート電流がゲート
(G)に流れ込むとき、検出抵抗15による電圧降下分
の電位差は0.3[V]以上となる。したがって、コン
パレータ211では、判定値を0.2[V]とし、検出
抵抗15の端子間電圧が0.2[V]以上のときは
“H"レベル電位の信号(以下、ゲート信号と称す)を
マイコン31に供給し、0.2[V]未満のときは
“L"レベル電位のゲート信号を供給する。なお、図4
(b)に示すように、コンパレータ211の判定値にヒ
ステリシスを設けることによって、安定化を図っても良
い。
【0028】次に、駆動回路23は、コレクタ側が電位
Vpに接続されたソーストランジスタ231と、エミッ
タ側が接地電位(GND)に接続されたシンクトランジ
スタ233とを直列接続して備え、スイッチ27のオン
/オフ切り換えによりマイコン31から発生されるPW
M(パルス幅変調)制御信号に基づき、ソーストランジ
スタ231およびシンクトランジスタ233をオン/オ
フ制御することによってソーストランジスタ231のエ
ミッタまたはシンクトランジスタ233のコレクタから
“H"または“L"レベル電位の信号を出力して、サーマ
ルFET17を駆動制御する。なお、図1中のシンクト
ランジスタ233のコレクタに印加される電位Vpは、
昇圧のために用いられるチャージポンプ(図示せず)の
出力電圧である。
【0029】本実施形態では、サーマルFET17とし
てNチャネルFETを用い、該サーマルFET17が負
荷13よりも上流側に設置されているため、サーマルF
ET17のオン状態を維持するためにはゲート(G)−
ソース(S)間電圧Vgsを4〜15[V]程度に維持
する必要がある。しかしながら、負荷13がサーマルF
ET17のソース(S)側に設置されているため、ソー
ス(S)−接地(GND)間電圧は電源電圧に相当する
略12[V]となってしまい、ゲート−ソース間電圧V
gsが4[V]以上にならないため、オン状態を維持で
きない。このため、本実施形態では、駆動回路23に供
給される電位Vpをチャージポンプで10[V]程度に
昇圧させることによって、ゲート−ソース間電圧Vgs
を10[V]程度として、オン状態を維持している。
【0030】但し、この場合、サーマルFET17のオ
ン動作直後には、負荷13に電圧が印加されていない状
態となって、一時的にゲート−ソース間電圧Vgsが略
22[V]となる。この電圧値はゲート−ソース間電圧
Vgsの耐圧を超えてしまいサーマルFET17の破損
の原因となるので、上述したように、サーマルFET1
7のゲート(G)−ソース(S)間にツェナーダイオー
ドZD1を保護回路として設置している。また、該ツェ
ナーダイオードZD1の電流制限用として、駆動回路2
3の出力端子とサーマルFET17のゲート(G)との
間に略3.3[kΩ]の電流制限抵抗33を設置してい
る。
【0031】さらに、マイコン31は、設定によりPW
M制御信号を駆動回路23に供給する。また、該マイコ
ン23には、ゲート電流検出回路21が供給する“H"
レベル電位または“L"レベル電位の信号が供給され、
このゲート電流検出回路21の検出結果によってサーマ
ルFET17の過熱遮断状態を検出している。すなわ
ち、上述したように、“H"レベル電位のゲート信号が
供給されたときに、マイコン31はサーマルFET17
が過熱遮断状態であると判断する。また、マイコン31
は、電流検出回路19からA/D変換器29を介して入
力される信号によって、シャント抵抗25を流れる負荷
電流を常時モニタしている。
【0032】次に、以上説明した本実施形態の電源供給
制御装置10の回路構成を踏まえて、図3を参照して電
源供給制御方法を説明する。まず、ステップS301で
は、ゲート電流検出回路21を用いてゲート電流を検出
する。次にステップS303に進み、マイコン31はコ
ンパレータ211の出力信号の電位レベルが“H"レベ
ルであるかを調べる。ここで“H"レベル電位のとき
は、ステップS305に進んで、サーマルFET17が
過熱遮断状態であると判断する。一方、“L"レベル電
位のときは、ステップS307に進んで、正常状態と判
断し、その後、ステップS301に戻って再びゲート電
流を検出する。
【0033】以上のように、本実施形態の電源供給制御
装置および電源供給制御方法によれば、サーマルFET
17が過熱遮断状態のときのゲート電流の電流値(例え
ば、0.3[mA])は、正常状態のときのそれ(例え
ば、0.1[mA])と比べて大きいため、ゲート電流
検出回路21は、サーマルFET17が過熱遮断状態の
とき、“H"レベル電位のゲート信号をマイコン31に
供給し、正常状態のときは“L"レベル電位のゲート信
号をマイコン31に供給している。このため、マイコン
31は、ゲート電流検出回路21から“H"レベル電位
のゲート信号が供給されたときに、サーマルFET17
が過熱遮断状態であると判断することができる。
【0034】このように、検出抵抗15およびゲート電
流検出回路21の簡単な回路構成によって実施され、ま
た、該ゲート電流検出回路21によるゲート電流の検出
結果のみによって、サーマルFET17の過熱遮断状態
を判断しているため、簡単なハード構成およびソフト処
理によってサーマルFET17の過熱遮断状態を正確に
検出することができる。
【0035】また、マイコン31がサーマルFET17
の過熱遮断状態を検出したとき、マイコン31から駆動
回路23に供給される制御信号の供給を停止して、マイ
コン31のプログラムによりソフト的に過熱遮断状態の
ラッチが維持されれば、サーマルFET17は高温状態
に頻繁にさらされることがなくなるため、サーマルFE
T17の受ける熱的ストレスが減少し、サーマルFET
17の熱的寿命を長く保つことができる。特に、マイコ
ン31が駆動回路23に供給する制御信号が、PWM制
御信号である場合には、サーマルFET17の温度が十
分に低下する時間が与えられるため、サーマルFET1
7の寿命を長く保つことができる。また、ソフト的に過
熱遮断状態のラッチ状態が維持される場合は、例えばノ
イズ等によってサーマルFET17のゲート(G)また
は制御用FET124のゲート(TG)に“H"レベル
相当の電位が印加されてサーマルFET17がオン状態
になることがないため、確実に過熱遮断のラッチ状態を
維持することができる。
【0036】なお、ゲート信号および電流検出回路19
から供給される負荷電流信号を用いて、負荷オープン状
態を検出しても良い。すなわち、負荷13がオープン状
態のときは、負荷電流が略0[V]であり、またゲート
信号の電位レベルが“L"レベルであるとき、マイコン
31は負荷オープン状態を検出する。このように、ゲー
ト信号に加えて電流検出回路19が供給する負荷電流信
号を用いることにより、負荷オープン状態を検出するこ
ともできる。このとき、マイコン31は、正常状態、サ
ーマルFET17の過熱遮断状態または負荷オープン状
態のいずれかを、電源電圧や温度変動に影響されず正確
に検出することができる。
【0037】なお、ゲート電流検出回路21が有するコ
ンパレータ211は、代わりにOPアンプを用いても良
い。このときは、OPアンプによって増幅された電位を
持つ信号がA/D変換器によってA/D変換された後、
マイコン31に供給される。
【0038】また、本実施形態の電源供給制御装置10
はディスクリート回路での構成であるが、図示しないチ
ャージポンプを含む駆動回路23、電流検出回路19お
よび図示しない過電流検出回路19等々をIC化するこ
とにより、精度の向上と小型化等を達成できる。但し、
IC化を行うときはツェナーダイオードZD1用端子を
ICに付加して、ツェナーダイオードZD1を外付けに
しても良い。
【0039】また、以上説明した実施形態に係る電源供
給制御装置の回路構成においては、FETにNチャネル
型のものを使用したが、本発明に係る電源供給制御装置
の回路構成はこれに限定されるものではなく、Pチャネ
ル型のものを使用しても良い。但し、各FETのゲート
電位が“L"/“H"レベルに逆転することに伴う回路変
更が必要となる。また、FETの代わりにIGBT(In
sulated Gate BipolarTransistor)を使用することも可
能である。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電源供給
制御装置および電源供給制御方法によれば、制御信号入
力端子から半導体スイッチに供給される制御信号の電流
を第1の電流検出手段によって検出し、該第1の電流検
出手段によって得られた検出結果に基づいて、状態検出
手段は半導体スイッチの状態を検出している。このよう
に、第1の電流検出手段のみによる検出結果に基づいて
いるため、簡単なハード構成(ソフト処理)によって正
確に半導体スイッチの状態を検出することができる。
【0041】また、本発明によれば、第1の電流検出手
段および半導体スイッチを介して負荷に流れる電流を検
出する第2の電流検出手段による各検出結果に基づい
て、負荷オープン状態を検出しているため、負荷のオー
プン状態を電源電圧や温度変動に影響されず正確に検出
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の電源供給制御装置を示す
回路構成図である。
【図2】実施形態で使用する半導体スイッチ(サーマル
FET)の詳細な回路構成図である。
【図3】実施形態の電源供給制御装置が行う電源供給制
御方法を説明するフローチャートである。
【図4】(a)PWM制御信号および(b)サーマルF
ETのゲート電流の経時変化と、(c)過熱遮断検出を
説明する説明図である。
【図5】従来の電源供給制御装置を示す回路構成図であ
る。
【符号の説明】
11 電源 13 負荷 15 検出抵抗 17 サーマルFET 19 電流検出回路 21 ゲート電流検出回路 23 駆動回路 25 シャント抵抗 27 スイッチ 29 A/D変換器 31 マイコン 33 電流制限抵抗 121 温度センサ 122 ラッチ回路 123 過熱遮断用FET 124 制御用FET 125 内蔵抵抗 191 差動増幅器 211 コンパレータ 231 ソーストランジスタ 233 シンクトランジスタ ZD1 ツェナーダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H02M 3/155 H02M 3/155 T H03K 17/08 H03K 17/08 C 17/687 17/687 A Fターム(参考) 5G004 AA04 AB02 BA04 DA02 DC13 DC14 EA01 5G065 BA04 EA01 HA07 KA05 LA02 MA09 MA10 NA02 NA05 5H410 BB05 CC02 DD02 DD06 EA11 EB09 EB25 EB37 FF05 FF14 FF26 LL06 LL15 LL19 LL20 5H730 AA15 AA20 AS13 BB13 DD04 FD26 FD29 FD31 FF09 FG05 XX04 XX15 XX19 XX26 XX35 XX44 5J055 AX15 AX32 AX44 BX16 CX28 DX09 DX13 DX14 DX53 DX54 EX04 EX06 EX11 EY01 EY12 EY13 EY21 EZ07 EZ08 EZ09 EZ10 EZ23 EZ24 EZ31 EZ39 EZ57 FX04 FX06 FX32 FX33 GX01 GX02 GX03 GX04

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 制御信号入力端子に供給される制御信号
    に応じてスイッチング制御され、電源から負荷への電力
    供給を制御する半導体スイッチと、 前記制御信号入力端子から前記半導体スイッチに供給さ
    れる前記制御信号の電流を検出する第1の電流検出手段
    と、 前記第1の電流検出手段によって得られた検出結果に基
    づいて、前記半導体スイッチの状態を検出する状態検出
    手段と、を備えたことを特徴とする電源供給制御装置。
  2. 【請求項2】 前記半導体スイッチを介して前記負荷に
    流れる電流を検出する第2の電流検出手段を備え、 前記状態検出手段は、前記第1および第2の電流検出回
    路によって得られた検出結果から、前記負荷のオープン
    状態を検出することを特徴とする請求項1記載の電源供
    給制御装置。
  3. 【請求項3】 制御信号入力端子に供給される制御信号
    によって半導体スイッチをスイッチング制御して、電源
    から負荷への電力供給を制御する電力供給制御方法にお
    いて、 前記制御信号入力端子から前記半導体スイッチに供給さ
    れる前記制御信号の電流を検出する第1の電流検出ステ
    ップと、 前記第1の電流検出ステップによって得られた検出結果
    に基づいて、前記半導体スイッチの状態を検出する第1
    の状態検出ステップと、を備えたことを特徴とする電力
    供給制御方法。
  4. 【請求項4】 前記半導体スイッチを介して前記負荷に
    流れる電流を検出する第2の電流検出ステップと、 前記第1および第2の電流検出ステップによって得られ
    た検出結果から、前記負荷のオープン状態を検出する第
    2の状態検出ステップと、を備えたことを特徴とする請
    求項3記載の電力供給制御方法。
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