KR100665160B1 - 화상 표시 장치 및 화상 표시 모듈 - Google Patents
화상 표시 장치 및 화상 표시 모듈 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100665160B1 KR100665160B1 KR1020030054919A KR20030054919A KR100665160B1 KR 100665160 B1 KR100665160 B1 KR 100665160B1 KR 1020030054919 A KR1020030054919 A KR 1020030054919A KR 20030054919 A KR20030054919 A KR 20030054919A KR 100665160 B1 KR100665160 B1 KR 100665160B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- image
- display panel
- image display
- signal
- liquid crystal
- Prior art date
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 297
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 181
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 64
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 54
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 4
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 229910000618 GeSbTe Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 2
- 229910005872 GeSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000001454 recorded image Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910000763 AgInSbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001239379 Calophysus macropterus Species 0.000 description 1
- 229910016024 MoTa Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 1
- 229910018321 SbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- -1 aluminum Chemical class 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- JZLMRQMUNCKZTP-UHFFFAOYSA-N molybdenum tantalum Chemical compound [Mo].[Ta] JZLMRQMUNCKZTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0272—Details of drivers for data electrodes, the drivers communicating data to the pixels by means of a current
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0275—Details of drivers for data electrodes, other than drivers for liquid crystal, plasma or OLED displays, not related to handling digital grey scale data or to communication of data to the pixels by means of a current
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
- G09G2310/061—Details of flat display driving waveforms for resetting or blanking
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
- G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/2007—Display of intermediate tones
- G09G3/2011—Display of intermediate tones by amplitude modulation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
Claims (20)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 복수의 주사 전극선과 상기 주사 전극선과 교차하는 복수의 신호 전극선의 교차부에 매트릭스 형상으로 복수의 화소로 이루어지는 표시 소자를 갖는 화상 표시 패널과,상기 화상 표시 패널의 상기 주사 전극선을 선택하는 주사 전극선 선택 회로와,상기 신호 전극선을 구동하는 신호 전극선 구동 회로를 포함하고,상기 화상 표시 패널의 상기 각 화소 내에 표시 데이터를 기억하는 복수의 기억수단과, 상기 기억수단을 선택하기 위한 선택수단을 포함하며,상기 기억 수단은 화소마다 접속된 저항체로 구성되고, 상기 저항체의 저항치에 의해 상기 화소에 표시 데이터를 기억하고,상기 기억 수단은 기억하는 표시 데이터의 재기입이 가능하고, 또한 전원이 공급되지 않는 상태에서도 기억한 표시 데이터가 변화되지 않는 불휘발성을 갖는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
- 삭제
- 복수의 주사 전극선과 상기 주사 전극선과 교차하는 복수의 신호 전극선의 교차부에 매트릭스 형상으로 복수의 화소로 이루어지는 표시 소자를 갖는 화상 표시 패널과,상기 화상 표시 패널의 상기 주사 전극선을 선택하는 주사 전극선 선택 회로와,상기 신호 전극선을 구동하는 신호 전극선 구동 회로와,상기 화소마다 표시 데이터를 기억하는 기억 수단과,상기 화소에 배치한 표시 소자의 표시 상태를 제어하는 스위칭 소자를 포함하고,상기 기억 수단은 화소마다 접속된 저항체로 구성되고, 상기 저항체의 저항치에 의해 상기 화소에 표시 데이터를 기억하고,상기 기억 수단과 저항 소자는 직렬로 접속되고, 상기 기억 수단의 저항치와 상기 저항 소자의 저항치의 비율에 따라 변화하는 전압을 이용하여 상기 스위칭 소자를 제어함으로써, 상기 표시 소자의 표시 상태를 제어하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
- 복수의 주사 전극선과 상기 주사 전극선과 교차하는 복수의 신호 전극선의 교차부에 매트릭스 형상으로 복수의 화소로 이루어지는 표시 소자를 갖는 화상 표시 패널과,상기 화상 표시 패널의 상기 주사 전극선을 선택하는 주사 전극선 선택 회로와,상기 신호 전극선을 구동하는 신호 전극선 구동 회로와,상기 화소마다 표시 데이터를 기억하는 기억 수단을 포함하고,상기 기억 수단은 화소마다 접속된 저항체로 구성되고, 상기 저항체의 저항치에 의해 상기 화소에 표시 데이터를 기억하고,상기 기억 수단과 저항 소자는 직렬로 접속되고, 상기 기억 수단의 저항치와 상기 저항 소자의 저항치의 비율에 따라 상기 표시 소자에 인가하는 전압을 제어하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
- 삭제
- 삭제
- 복수의 주사 전극선과 상기 주사 전극선과 교차하는 복수의 신호 전극선의 교차부에 매트릭스 형상으로 복수의 화소로 이루어지는 표시 소자로 구성한 화상 표시 패널과, 상기 화상 표시 패널에 표시 데이터를 기록하는 기록 장치와, 상기 기록 장치에 의해서 상기 화상 표시 패널에 기록된 표시 데이터를 표시하는 표시 구동 장치를 포함하는 화상 표시 모듈로서,상기 화상 표시 패널은, 상기 기록 장치와 상기 표시 구동 장치의 한쪽에 선택적으로, 또는 쌍방 동시에 접속 가능하고,상기 화상 표시 패널은, 상기 화소마다 표시 데이터를 기억하는 불휘발성의 기억 수단과, 상기 주사선에 주사 신호를 입력하기 위한 주사선 접속부와, 상기 신호선에 표시 데이터 신호를 입력하기 위한 신호선 접속부와, 상기 화소를 구동하기 위한 구동 신호를 입력하기 위한 구동선 접속부와, 전원선 접속부를 포함하고,상기 불휘발성 기억 수단은 저항체의 저항치에 의하여 표시 데이터를 기억하고,상기 기록 장치는, 상기 액정 표시 장치의 상기 주사선과 상기 신호선을 구동하는 주사선 선택 회로와 신호선 구동 회로 및 신호 제어 회로와, 상기 신호선 접속부와 상기 구동선 접속부에 접속되는 기록 장치 접속부를 포함하고,상기 화상 표시 패널에 상기 기록 장치 접속부를 통하여 상기 기록 장치를 접속하고, 상기 주사선 접속부와 상기 신호선 접속부에 상기 기억 수단의 재기입 신호를 입력함으로써 상기 기억 수단의 기억 데이터를 재기입하고,상기 화상 표시 패널의 각 화소에 복수의 상기 기억 수단과 상기 복수의 상기 기억 수단을 선택하는 선택 신호선을 포함하고, 상기 선택 신호선에 의해 선택한 상기 기억 수단의 기억 데이터를 재기입하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 모듈.
- 삭제
- 복수의 주사 전극선과 상기 주사 전극선과 교차하는 복수의 신호 전극선의 교차부에 매트릭스 형상으로 복수의 화소로 이루어지는 표시 소자로 구성한 화상 표시 패널과, 상기 화상 표시 패널에 표시 데이터를 기록하는 기록 장치와, 상기 기록 장치에 의해서 상기 화상 표시 패널에 기록된 표시 데이터를 표시하는 표시 구동 장치를 포함하는 화상 표시 모듈로서,상기 화상 표시 패널은, 상기 기록 장치와 상기 표시 구동 장치의 한쪽에 선택적으로, 또는 쌍방 동시에 접속 가능하고,상기 표시 구동 장치는, 대향 전극 구동 회로와 전원 회로, 및 상기 화상 표시 패널의 상기 구동선 접속부와 상기 전원선 접속부에 접속되는 표시 구동 장치 접속부를 포함하고,상기 화상 표시 패널에 상기 표시 구동 장치 접속부를 통하여 상기 표시 구동 장치를 접속하여, 상기 화상 표시 패널에 기억된 표시 데이터를 표시하고,상기 화상 표시 패널의 각 화소에 복수의 상기 기억 수단과 상기 복수의 상기 기억 수단을 선택하는 선택 신호선을 포함하고,상기 표시 구동 장치는, 상기 선택 신호선과의 접속을 전환하는 전환 회로를 포함하고,상기 기억 수단은 불휘발성으로서 저항체의 저항치에 의하여 표시 데이터를 기억하고,상기 전환 회로로부터 상기 액정 표시 패널이 갖는 복수의 기억 수단을 선택하고, 선택한 기억 수단에 기억된 표시 데이터에 기초한 복수의 화상을 표시하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 모듈.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2002-00232317 | 2002-08-09 | ||
JP2002232317A JP4119198B2 (ja) | 2002-08-09 | 2002-08-09 | 画像表示装置および画像表示モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040014349A KR20040014349A (ko) | 2004-02-14 |
KR100665160B1 true KR100665160B1 (ko) | 2007-01-09 |
Family
ID=31972379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030054919A KR100665160B1 (ko) | 2002-08-09 | 2003-08-08 | 화상 표시 장치 및 화상 표시 모듈 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20040041761A1 (ko) |
JP (1) | JP4119198B2 (ko) |
KR (1) | KR100665160B1 (ko) |
TW (1) | TWI278803B (ko) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2847704B1 (fr) * | 2002-11-26 | 2005-01-28 | Nemoptic | Procede et dispositif perfectionnes d'affichage a cristal liquide nematique bistable |
JP2004220021A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-08-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2005032704A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-02-03 | Sharp Corp | 表示素子および表示装置 |
KR100602066B1 (ko) * | 2003-09-30 | 2006-07-14 | 엘지전자 주식회사 | 일렉트로 루미네센스 표시소자의 구동방법 및 장치 |
KR100600865B1 (ko) * | 2003-11-19 | 2006-07-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자파차폐수단을 포함하는 능동소자표시장치 |
JP4182022B2 (ja) * | 2004-04-01 | 2008-11-19 | キヤノン株式会社 | 表示装置用パネル及び表示装置 |
JP2005331900A (ja) * | 2004-06-30 | 2005-12-02 | Eastman Kodak Co | 表示装置 |
JP4843203B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2011-12-21 | グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | アクティブマトリクス型表示装置 |
JP4371038B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2009-11-25 | セイコーエプソン株式会社 | データドライバ、電気光学装置、電子機器及び駆動方法 |
US7426128B2 (en) * | 2005-07-11 | 2008-09-16 | Sandisk 3D Llc | Switchable resistive memory with opposite polarity write pulses |
US7251154B2 (en) * | 2005-08-15 | 2007-07-31 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus providing a cross-point memory array using a variable resistance memory cell and capacitance |
CN100433087C (zh) * | 2006-02-09 | 2008-11-12 | 友达光电股份有限公司 | 平面显示器的像素单元及其驱动方法 |
US7473950B2 (en) | 2006-06-07 | 2009-01-06 | Ovonyx, Inc. | Nitrogenated carbon electrode for chalcogenide device and method of making same |
CN101527167B (zh) * | 2008-02-01 | 2012-08-15 | 索尼株式会社 | 显示装置 |
JP4596070B2 (ja) * | 2008-02-01 | 2010-12-08 | ソニー株式会社 | メモリ素子及びメモリ素子の製造方法、並びに表示装置及び表示装置の製造方法 |
US7897954B2 (en) | 2008-10-10 | 2011-03-01 | Macronix International Co., Ltd. | Dielectric-sandwiched pillar memory device |
JP2010103390A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Crestec Corp | 相変化メモリ選択型電子源および描画装置 |
US7933139B2 (en) * | 2009-05-15 | 2011-04-26 | Macronix International Co., Ltd. | One-transistor, one-resistor, one-capacitor phase change memory |
KR101038681B1 (ko) * | 2009-06-04 | 2011-06-02 | 한성피씨건설 주식회사 | 피알씨복합화 지하주차장 외벽 시공용 복층 1절식 피씨기둥 |
JP5491835B2 (ja) * | 2009-12-02 | 2014-05-14 | グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 画素回路および表示装置 |
KR102034047B1 (ko) * | 2012-12-17 | 2019-10-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그의 구동 방법 |
EP2860720A1 (en) * | 2013-10-10 | 2015-04-15 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Electro-optical unit for a picture element that can be programmed by electromagnetic radiation |
TWI679624B (zh) * | 2014-05-02 | 2019-12-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR102195863B1 (ko) * | 2014-09-15 | 2020-12-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 픽셀 회로 및 이를 포함하는 표시 장치 |
JP2016118672A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその駆動方法 |
KR101650481B1 (ko) * | 2015-01-21 | 2016-08-23 | 서울대학교 산학협력단 | 상변화 메모리소자의 세트시간 및 데이터 유지시간의 예측방법 |
KR102499288B1 (ko) * | 2016-01-08 | 2023-02-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
EP3203309A1 (en) | 2016-02-04 | 2017-08-09 | Bodle Technologies Limited | Optical device with thermally switching phase change material |
US10395588B2 (en) * | 2016-03-31 | 2019-08-27 | Intel Corporation | Micro LED display pixel architecture |
WO2017178923A1 (en) * | 2016-04-15 | 2017-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
CN107346773A (zh) * | 2017-07-04 | 2017-11-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法和显示装置 |
JP7015193B2 (ja) * | 2018-03-15 | 2022-02-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2023073488A1 (ja) * | 2021-10-27 | 2023-05-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56117275A (en) | 1980-02-22 | 1981-09-14 | Tokyo Shibaura Electric Co | Image display |
DE3176454D1 (en) * | 1980-02-22 | 1987-10-22 | Toshiba Kk | Liquid crystal display device |
US4699469A (en) * | 1985-04-17 | 1987-10-13 | International Business Machines Corporation | Liquid crystal display |
DE3602796A1 (de) * | 1986-01-30 | 1987-08-06 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Sensorelement mit einem gedaechtnis fuer anormale aenderungen der einfallenden lichtintensitaet |
FR2606194B1 (fr) * | 1986-11-05 | 1989-02-17 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'affichage matriciel et procede de commande de ce dispositif |
US5296716A (en) * | 1991-01-18 | 1994-03-22 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom |
US5471225A (en) * | 1993-04-28 | 1995-11-28 | Dell Usa, L.P. | Liquid crystal display with integrated frame buffer |
JPH08194205A (ja) | 1995-01-18 | 1996-07-30 | Toshiba Corp | アクティブマトリックス型表示装置 |
JP3167882B2 (ja) * | 1995-02-16 | 2001-05-21 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の駆動方法及び駆動装置 |
JP3630489B2 (ja) * | 1995-02-16 | 2005-03-16 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
JP3631848B2 (ja) * | 1996-06-28 | 2005-03-23 | 富士通株式会社 | 画像表示システム |
JP3509398B2 (ja) * | 1996-06-28 | 2004-03-22 | 富士通株式会社 | 画像表示方法及び装置 |
JP4086925B2 (ja) * | 1996-12-27 | 2008-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクスディスプレイ |
US5849527A (en) * | 1997-03-31 | 1998-12-15 | Incyte Phamaceuticals, Inc. | Polynucleotides encoding ATP synthase coupling factor 6 |
JP4212079B2 (ja) * | 2000-01-11 | 2009-01-21 | ローム株式会社 | 表示装置およびその駆動方法 |
US6577531B2 (en) * | 2000-04-27 | 2003-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile memory and semiconductor device |
JP4046955B2 (ja) | 2000-06-16 | 2008-02-13 | 三菱化学メディア株式会社 | 光学的情報記録用媒体 |
EP1293974B1 (en) | 2000-06-16 | 2008-05-07 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical information recording medium |
JP3934370B2 (ja) | 2000-08-08 | 2007-06-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、電子装置 |
US6992652B2 (en) | 2000-08-08 | 2006-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and driving method thereof |
US7180496B2 (en) * | 2000-08-18 | 2007-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of driving the same |
TW518552B (en) * | 2000-08-18 | 2003-01-21 | Semiconductor Energy Lab | Liquid crystal display device, method of driving the same, and method of driving a portable information device having the liquid crystal display device |
JP3618687B2 (ja) * | 2001-01-10 | 2005-02-09 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
TW536689B (en) * | 2001-01-18 | 2003-06-11 | Sharp Kk | Display, portable device, and substrate |
JP3687550B2 (ja) * | 2001-02-19 | 2005-08-24 | セイコーエプソン株式会社 | 表示ドライバ、それを用いた表示ユニット及び電子機器 |
JP3819723B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2006-09-13 | 株式会社日立製作所 | 表示装置及びその駆動方法 |
US6700813B2 (en) * | 2001-04-03 | 2004-03-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic memory and driving method therefor |
JP4809545B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2011-11-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体不揮発性メモリ及び電子機器 |
JP3913534B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2007-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及びこれを用いた表示システム |
US6835947B2 (en) * | 2002-01-31 | 2004-12-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Emitter and method of making |
JP4634014B2 (ja) * | 2003-05-22 | 2011-02-16 | 株式会社日立製作所 | 半導体記憶装置 |
US7679951B2 (en) * | 2007-12-21 | 2010-03-16 | Palo Alto Research Center Incorporated | Charge mapping memory array formed of materials with mutable electrical characteristics |
-
2002
- 2002-08-09 JP JP2002232317A patent/JP4119198B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-06-11 TW TW092115847A patent/TWI278803B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-08-06 US US10/634,889 patent/US20040041761A1/en not_active Abandoned
- 2003-08-08 KR KR1020030054919A patent/KR100665160B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-05-24 US US11/802,622 patent/US7990369B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200402675A (en) | 2004-02-16 |
TWI278803B (en) | 2007-04-11 |
US20040041761A1 (en) | 2004-03-04 |
JP2004070186A (ja) | 2004-03-04 |
US7990369B2 (en) | 2011-08-02 |
KR20040014349A (ko) | 2004-02-14 |
US20070222723A1 (en) | 2007-09-27 |
JP4119198B2 (ja) | 2008-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100665160B1 (ko) | 화상 표시 장치 및 화상 표시 모듈 | |
JP3989718B2 (ja) | メモリ一体型表示素子 | |
KR101455356B1 (ko) | 메모리 소자 및 표시장치 | |
JP4552069B2 (ja) | 画像表示装置およびその駆動方法 | |
EP1417670B1 (en) | Light emitting element display apparatus and driving method thereof | |
US7948461B2 (en) | Image display device | |
US8217877B2 (en) | Display device, driving method thereof, and electronic device using the display device | |
TWI466348B (zh) | Memory element and manufacturing method thereof, and display device and manufacturing method thereof | |
US20050205880A1 (en) | Display device and electronic appliance | |
KR101197058B1 (ko) | 표시 장치의 구동 장치 | |
JP2004536337A (ja) | アクティブマトリックスアレイ装置 | |
JP4195441B2 (ja) | 液晶表示装置とその駆動方法 | |
KR20020022005A (ko) | 표시 장치 | |
WO2004055773A1 (ja) | 表示装置及びその駆動方法 | |
JP2007148222A (ja) | 画像表示装置 | |
KR101754799B1 (ko) | 화소 회로, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 구동방법 | |
JP4545726B2 (ja) | 画像表示装置および画像表示モジュール | |
JP5127117B2 (ja) | 表示装置、電子機器 | |
CN102087838A (zh) | 用有源矩阵背板进行的视频速率ChLCD驱动 | |
JP4945964B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2022505740A (ja) | 電気光学ディスプレイ | |
JPH05249920A (ja) | 液晶表示装置の駆動回路 | |
JP2003122307A (ja) | 電流駆動型表示パネルの駆動方法、駆動回路及び表示装置 | |
US11830449B2 (en) | Electro-optic displays | |
JP2002091395A (ja) | 表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121130 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131218 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141205 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151201 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161129 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181219 Year of fee payment: 13 |