KR100618504B1 - 반도체 발광 디바이스 - Google Patents

반도체 발광 디바이스 Download PDF

Info

Publication number
KR100618504B1
KR100618504B1 KR1020040086656A KR20040086656A KR100618504B1 KR 100618504 B1 KR100618504 B1 KR 100618504B1 KR 1020040086656 A KR1020040086656 A KR 1020040086656A KR 20040086656 A KR20040086656 A KR 20040086656A KR 100618504 B1 KR100618504 B1 KR 100618504B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
active region
aluminum containing
quantum well
aluminum
Prior art date
Application number
KR1020040086656A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050040796A (ko
Inventor
스트와트 후퍼
발레리 보우슈엣
캐서린 엘. 존슨
조나단 헤퍼낸
Original Assignee
샤프 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 샤프 가부시키가이샤 filed Critical 샤프 가부시키가이샤
Publication of KR20050040796A publication Critical patent/KR20050040796A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100618504B1 publication Critical patent/KR100618504B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2304/00—Special growth methods for semiconductor lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0213—Sapphire, quartz or diamond based substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/3407—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers characterised by special barrier layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

질화물계에서 제조되는 반도체 발광 디바이스는 기판(1)상에 배치되는 활성 영역(5)을 구비한다. 활성 영역(5)은 활성 영역의 최하위층을 형성하는 제1 알루미늄 함유층(12), 활성층의 최상위층을 형성하는 제2 알루미늄 함유층(14), 및 제1 및 제2 알루미늄 함유층들(12 및 14) 사이에 배치된 적어도 하나의 InGaN 양자 웰층(13)을 포함한다. 알루미늄 함유층들(12 및 14)은 활성 영역에 개선된 캐리어 제한(confinement)을 제공하여, 디바이스의 출력 광 전력을 증가시킨다.
발광 디바이스, 알루미늄 함유층, 활성 영역, 질화물계, 캐리어 제한

Description

반도체 발광 디바이스{A SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE}
도 1은 (Al,Ga,In)N 물질계에서 제조되는 반도체 레이저 디바이스를 도시한 개요 단면도.
도 2a는 본 발명에 따르는 LED를 도시한 개요도.
도 2b는 본 발명에 따르는 레이저 다이오드를 도시한 개요도.
도 3a 및 3b는 본 발명에 따르는 발광 디바이스의 증가된 광 전력 출력을 도시한 도.
도 4는 (Al,Ga,In)N 물질계에서 제조되는 종래의 반도체 레이저 디바이스와 본 발명의 레이저 디바이스에 대한 광루미네선스 스펙트라(photoluminescence spectra)를 도시한 도.
도 5a-5d는 본 발명의 디바이스에 대한 가능한 활성 영역의 예를 도시한 도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
1 : 사파이어 기판
2 : Si 도핑된 GaN
5 : InGaN 활성 영역
8 : Mg 도핑된 AIGaN
15 : 배리어 층
16 : QW 층
본 발명은 반도체 발광 디바이스에 관한 것으로, 특히 예컨대 (Al,Ga,In)N 물질계와 같은 질화물계(nitride materials system)에서 제조되는 반도체 발광 디바이스에 관한 것이다. 본 발명은 예컨대 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD)에 적용된다.
(Al,Ga,In)N 물질계는 일반적인 화학식 AlxGayIn1-x-yN(0 ≤x ≤1 및 0 ≤y ≤1)을 갖는 물질을 포함한다. 이런 어플리케이션에서, 알루미늄, 갈륨 및 인듐의 논제로 몰비(non-zero mole fraction)를 갖는 많은 수의 (Al,Ga,In)N 물질계는 AlGaInN으로 언급되며, 제로 알루미늄 몰비와 갈륨 및 인듐의 논제로 몰비를 갖는 부재는 InGaN으로 언급되고, 제로 인듐 몰비와 갈륨 및 알루미늄의 논제로 몰비를 갖는 부재는 AlGaN 으로 언급된다. 현재 (Al,Ga,In)N 물질계에서 반도체 발광 디바이스를 제조하는데에 상당한 관심이 있는데, 그 이유는 이런 물질계에서 제조된 디바이스가 스펙트럼의 청색 파장 범위에서 광을 방출할 수 있기 때문이다. (Al,Ga,In)N 물질계에서 제조된 반도체 발광 디바이스는 예컨대, US-A-5777350에 개시된다.
도 1은 (Al,Ga,In)N 물질계에서 제조되는 전형적인 반도체 레이저 디바이스( 또는 레이저 다이오드"LD")(10)의 개요도이다. 이런 디바이스는 청색 파장 범위에서 광을 방출할 수 있다.
도 1의 레이저 디바이스(10)는 기판(1)상에서 성장한다. 도 1의 레이저 다이오드(10)에서, 기판(1)은 사파이어 기판이다. 버퍼층(2), 제1 클래딩층(3) 및 제1 광 안내층(4)은 기판(1)상에서 그 순서대로 성장한다. 도 1의 실시예에서, 버퍼층(2)은 n타입 GaN층이며, 제1 클래딩층(3)은 n타입 AlGaN층이고, 제1 광 안내층(4)은 n타입 GaN층이다.
활성 영역(5)은 제1 광 안내층(4)상에서 성장한다.
제1 광 안내층(7), 제2 클래딩층(8) 및 캡층(9)은 활성 영역(5)상에서 그 순서대로 성장한다. 제2 광 안내층(7) 및 제2 클래딩층(8)은 제1 광 안내층(4) 및 제1 클래딩층(3)과는 반대의 도전형을 가진다; 도 1의 레이저 디바이스(10)에서, 제1 광 안내층(4) 및 제1 클래딩층(3)은 n타입이고, 제2 광 안내층(7) 및 제2 클래딩층(8)은 p타입층이다. 도 1의 레이저 디바이스에서, 제2 광 안내층(7)은 p타입 GaN층이며, 제2 클래딩층(8)은 p타입 AlGaN층이고, 캡층(9)은 p타입 GaN층이다.
레이저 디바이스(10)의 활성 영역(5)의 구조는 도 1에 상세히 도시되지 않는다. 그러나, 일반적으로 활성 영역(5)은 제1 및 제2 배리어층들 사이에 배치되는 하나의 양자 웰층을 갖는 단일 양자웰(Single Quntum Well;SQW), 또는 2개의 배리어층들 사이에 배치되는 각 양자웰층을 갖는 2개 이상의 양자웰층을 구비한 다수의 양자웰(MQW) 활성 영역중 어느 하나이다. 양자웰층은 예컨대 InGaN, AlGaN 또는 AlGaInN의 층이다.
종래 기술의 확인
활성 영역(5)상에 직접적으로 박막 도핑되는 AlGaN층(6)을 배치하는 것은 공지되어 있다. AlGaN층(6)은 제2 광 안내층(7) 및 제2 클래딩 영역(8)과 동일한 도전형을 갖도록 도핑되며, 도 1의 디바이스내에서는 p타입으로 도핑된다. AlGaN층(6)은 전자 블럭킹층으로 작용하며, 활성 영역(5)에서 전자 오버플로우를 방지한다. AlGaN층(6)은 또한 성장 프로세스 동안 제2 광학 안내층(7), 제2 클래딩층(8) 및 캡층(9)의 피착에서 사용되는 고 성장 온도로부터 활성 영역을 보호한다. 이런 박막의 p-도핑된 AlGaN층의 제공은 예컨대, M. Hansen et al.,in "Applied Physics Letters", Vol.81,No.22,pp4275-4277(2002)에 개시된다.
WO 02/03517은 발광층이 제1 및 제2 AlGaN층과, 제1 AlGaN층과 제2 AlGaN층 사이에 제공된 하나 이상의 양자웰층들을 포함하는 발광 디바이스를 개시한다. 2개 이상의 양자웰층들이 제공된다면, AlGaN 배리어층은 각각의 2개의 양자웰 InGaN층들 사이에 제공된다.
US 2001/0030317은 캐리어 제한을 개선하고 디바이스내의 스트레인(strain)을 최소화하기 위하여, 다수의 양자웰 활성 영역 위 또는 아래에 다수의 양자 배리어를 제공하는 것을 개시한다. 이 명세서는 활성 영역의 구조와 특히 관련되지는 않지만, 개시된 활성 영역은 각각의 2개의 인접하는 양자웰 층들 사이에 제공된 AlGaN 배리어층을 갖는 적어도 2개의 양자웰 층들을 포함한다.
JP-A-1174622은 InGaN 양자 웰층 및 InGaN 배리어층이 교대로 적층되는 활성 영역을 구비한 질화물 반도체 레이저에 관한 것이다. 활성 영역은 알루미늄을 의 도적으로 포함하는 어떠한 층도 포함하지 않는다. 활성 영역은 GaN 광학 안내층들 사이에 샌드위치되고, 교대로 AlGaN 클래딩층들 사이에 샌드위치된다.
본 발명은 질화물 물질계에서 제조되며 기판상에 배치된 활성 영역을 구비한 반도체 발광 디바이스를 제공하며, 이런 활성 영역은, 활성 영역의 최하위층을 형성하는 제1 알루미늄 함유층과, 활성 영역의 최상위 층을 형성하는 제2 알루미늄 함유층과, 제1 및 제2 알루미늄 함유층들 사이에 배치된 적어도 하나의 InGaN 양자웰층과, 제1 및 제2 알루미늄 함유층들 사이에 배치된 적어도 하나의 알루미늄-프리(free)층을 포함한다.
이하에서, 용어 "알루미늄-프리"층은 알루미늄을 의도적으로 포함하지 않는 층을 나타낸다.
활성 영역의 최하위 및 최상위 층으로서, 활성층내에 AlGaN 또는 AlGaInN층을 제공하면, 디바이스의 광전력 출력이 크게 증가하는 것으로 밝혀졌다.
사용되는 용어 "최상위" 및 "최하위"는 디바이스의 기판에 가장 가까운 그리고 이로부터 가장 먼 활성 영역의 층을 나타낸다.
제1 알루미늄 함유층은 AlGaN 또는 AlGaInN의 층이며, 제2 알루미늄 함유층은 AlGaN 또는 AlGaInN의 층이다.
활성 영역은 제1 알루미늄 함유층과 적어도 하나의 InGaN 양자웰층 사이에 배치된 제1 알루미늄-프리 배리어층을 포함한다. 적어도 하나의 InGaN 양자웰층과 제2 알루미늄 함유층 사이에 배치되는 제2 알루미늄-프리 배리어층을 포함한다.
활성 영역은 적어도 2개의 InGaN 양자웰층을 포함하며, 각각의 2개의 인접하는 InGaN 양자웰층은 알루미늄-프리 배리어층에 의해 분리된다. 대안적으로, 활성 영역은 단지 하나의 양자웰층을 함유한다.
배리어층 또는 그 각각은 InGaN층일 수 있다.
제1 알루미늄 함유층은 AlxGa1-xN(0 ＜ x ≤0.4)의 층일 수 있다. 그 두께는 50nm이하이며, 대략 20nm의 두께를 가진다.
제2 알루미늄 함유층은 AlyGa1-yN(0 ＜ y ≤0.4)의 층일 수 있다. 그 두께는 15nm이하이며, 대략 5nm의 두께를 가진다.
제1 알루미늄 함유층은 의도적으로 도핑되지 않는다. 제2 알루미늄 함유층은 의도적으로 도핑되지 않는다. 대안적으로, 알루미늄 함유층들중 하나 또는 그모두가 의도적으로 도핑된다.
각 InGaN 양자웰층은 InxGa1-zN(0 ＜ z ≤0.3)일 수 있다. 이는 380-450nm 파장 범위내의 방출 파장을 디바이스에 제공한다. 특히, 본 발명은 390 내지 410nm의 범위의 방출 파장을 갖는 디바이스에 적용된다. 390 내지 410nm 방출 파장 범위는, Blu-Ray Digital Video Disc(DVD) 표준에 대한 레이저가 이 범위의 방출 파장을 갖기 때문에 상업적으로 중요하다.
본 발명의 바람직한 특징은 첨부된 도면을 참고로 예로서 이하 예시된다.
동일한 구성요소는 도면에서 동일한 도면 부호를 사용한다.
본 발명에 따르면, 예컨대 (Al,Ga,In)N 물질계와 같은 질화물계에서 제조되는 발광 디바이스는 예컨대 AlGaIn 또는 AlGaInN의 층과 같은 박막의 알루미늄 함유층이다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 활성 영역의 다른 층은 더이상 알루미늄을 포함하지 않는다.
외주 알루미늄 함유층들 간에 배치된 활성 영역의 층은 하나 이상의 양자웰(QW) 층 및 하나 이상의 알루미늄 프리 배리어층을 포함한다. 단일 양자웰층을 구비하는 활성 영역의 경우, 배리어층은 하위 알루미늄 함유층과 양자웰 사이에 그리고/또는 상위 알루미늄 함유층과 양자웰 층 사이에 제공된다. 즉, 본 발명의 SQW 활성 영역은 다음의 구조중 어느 하나를 가진다:
(A1) 알루미늄 함유 층
배리어층
QW층
배리어층
알루미늄 함유층
또는
(B1) 알루미늄 함유층
배리어층
QW층
알루미늄 함유층
또는
(C1) 알루미늄 함유층
QW층
배리어층
알루미늄 함유층
(A1)의 경우에, 알루미늄 함유층은 배리어층으로서 전혀 작용하지 않는다. (B1)의 경우에, 단지 하위 알루미늄 함유층은 배리어층으로서 작용하며, (C1)의 경우에, 단지 상위 알루미늄 함유층은 배리어층으로서 작용한다.
2개 이상의 양자웰 층을 구비한 활성 영역의 경우에, 배리어층은 각각의 2개의 인접하는 양자웰 층들 사이에 제공된다. 외주 알루미늄 함유층은 배리어층으로서 다시 작용하거나, 배리어층은 하위 알루미늄 함유층과 최하위 양자웰층 사이에, 그리고/또는 상위 알루미늄 함유층과 상위 양자웰층 사이에 제공된다. 즉, 2개의 양자웰층을 구비한 본 발명의 MQW 활성 영역은 다음의 구조중 어느 하나를 가진다:
(A2) 알루미늄 함유층
배리어층
QW층
배리어층
QW층
배리어층
알루미늄 함유층
또는
(B2) 알루미늄 함유층
QW층
배리어층
QW층
알루미늄 함유층
또는
(C2) 알루미늄 함유층
배리어층
QW층
배리어층
QW층
알루미늄 함유층
또는
(D2) 알루미늄 함유층
QW층
배리어층
QW층
배리어층
알루미늄 함유층
유사한 구조가 3개 이상의 양자웰층을 구비한 MQW 활성 영역에 대해 존재한 다.
도 2a는 본 발명에 따르며 (Al,Ga,In)N 물질계로 제조되는 발광 다이오드의 개요 단면도이다. 도 2a의 LED(11)는 버퍼층(2)상에 배치되는 기판(1)을 포함한다. 도 2의 LED(11)에서, 기판(1)은 사파이어 기판이며, 버퍼층(2)은 기판의 (0001) 면상에서 성장한 얇은 N타입 GaN 층이다.
광 발생용 활성 영역(5)은 버퍼층(2)상에 배치된다. 캡층(9)은 활성 영역(5)상에 배치되며, 본 예에서 캡층(9)은 300nm 두께의 p타입 GaN층이다.
활성 영역(5)은 복수의 층을 포함한다. 활성 영역(5)의 최하위층(12) 및 최상위층(14)은 알루미늄 함유층, 본 예에서는 AlGaN의 층이다. 활성 영역의 다른 층들중 어느 것도 알루미늄을 의도적으로 함유하지 않는다.
활성 영역(5)은 그 최하위 AlGaN(12)과 최상위 AlGaN층(14) 사이에 제공된다. 양자웰층은 도 2a에서 13으로 도시된다. 전술한 바와 같이, 활성 영역이 단일 양자웰층을 포함한다면, 활성 영역은 (A1) 내지 (C1) 중 어느 하나에서 도시된 구조를 가진다. 즉 최하위 AlGaN층(12) 및 최상위 AlGaN층(14)은 양자웰층에 대한 배리어층으로서 작용하거나, 분리된 배리어층은 하위 AlGaN층과 양자웰층 사이 그리고/또는 상위 AlGaN과 양자웰층 사이에 제공된다.
활성 영역이 2개 이상의 양자웰층을 포함한다면, 배리어층은 각각의 2개의 인접하는 양자웰층들 사이의 활성 영역에 제공된다. 상위 AlGaN층(14)는 최상위 양자웰층에 대한 상위 배리어층으로서 작용하며, 하위 AlGaN층(12)은 최하위 양자웰층에 대한 하위 배리어층으로서 작용한다. 대안적으로, 분리된 배리어층은 하위 AlGaN층(12)과 최하위 양자웰층 사이에 그리고/또는 상위 AlGaN층과 최상위 양자웰층 사이에 제공된다. 활성 영역이 2개의 양자웰을 정확히 포함한다면, 전술한 (A2) 내지 (D2)에 도시된 구조들중 어느 하나를 가지며, 활성 영역이 2개 이상의 양자웰층을 포함한다면 전술한 (A2) 내지 (D2)에 도시된 구조들중 어느 하나를 가진다.
도 2a의 LED에서, 상위 AlGaN층(14)은 바람직하게 AlyGa1-yN(0 ＜ y ≤0.4)의 층이다. 상위 AlGaN층(14)의 두께는 바람직하게 1 내지 15nm의 범위에 있는데 그이유는 이런 범위의 두께를 갖는 상위 AlGaN층(14)이 도 3b에 도시된 바와 같이 증가된 광 전력 출력을 제공하기 때문이다. 상위 AlGaN층(14)의 두께는 도 2a에 도시된 바와 같이 특히 바람직하게는 대략 5nm인데 그이유는 이것이 최대 광 출력 전력을 제공하기 때문이다.
도 2a의 LED에서, 하위 AlGaN층(12)은 바람직하게 AlxGa1-xN(0 ＜ x ≤0.4)의 층이다. 하위 AlGaN층(12)의 두께는 바람직하게 1 내지 50nm의 범위에 있는데, 그이유는 이런 범위의 두께를 갖는 하위 AlGaN층(12)이 도 3a에 도시된 바와 같이 증가된 광 출력 전력을 제공하기 때문이다. 하위 AlGaN층(12)의 두께는 도 2a에 도시된 바와 같이 특히 바람직하게는 20nm인데, 그 이유는 이것이 최대 광 출력 전력을 제공하기 때문이다.
도 2a의 하위 및 상위 AlGaN층(12, 14) 중 어느 하나 또는 이들 모두는 의도적으로 도핑되거나, 이들 층(12, 14)은 의도적으로 도핑되지 않는다. 층이 도핑된 다면, 하위층은 바람직하게 버퍼층(2)(본 예에서는 n타입)과 동일한 도전형을 갖도록 도핑되며, 상위층은 바람직하게 캡층(9)(본 예에서는 p타입)과 동일한 도전형을 갖도록 도핑된다.
도 2a의 LED에서, 활성 영역의 양자웰층 또는 각 양자웰층은 바람직하게 AlGaN층이며, 특히 바람직하게는 InZGa1-ZN(0 ＜ Z ≤0.3)층이다. 활성 영역이 2개 이상의 양자웰층을 갖는 디바이스에서, 중간 배리어층은 바람직하게 InGaN(양자웰층의 몰비와는 다른 In 몰비를 가짐) 또는 GaN의 층이다. (중간 배리어층은 2개의인접하는 활성 영역의 양자웰층들 사이에 배치된 배리어층 또는 알루미늄 함유층과 양자웰층 사이에 배치된 배리어층을 나타낸다.)
도 2b는 본 발명에 따르는 반도체 레이저 디바이스를 예시한다. 도 2b의 레이저 디바이스는 (AL,Ga,In)N 물질계에서 제조된다.
레이저 디바이스(15)는 기판(1)상에서 성장한다. 도 1에서, 기판(1)은 사파이어 기판이다. 버퍼층(2), 제1 클래딩층(3) 및 제1 광 안내층(4)은 그 순서대로 기판(1)의 (0001) 면상에서 성장한다. 도 2b의 실시예에서, 버퍼층(2)은 4㎛ 두께의 GaN층이며, 제1 클래딩층(3)은 0.5㎛ 두께의 AlGaN층이고, 제1 광 안내층(4)은 100nm 두께의 n타입 GaN층이다.
활성 영역(5)은 제1 광 안내층(4)상에서 성장한다.
제2 광 안내층(7), 제2 클래딩층(8) 및 캡층(9)은 그 순서대로 활성 영역(5)상에서 성장한다. 제2 광 안내층(7) 및 제2 클래딩층(8)은 제1 광 안내층(4) 및 제1 클래딩층(3)과는 반대의 도전형을 가진다. 도 2b의 레이저 다이오드에서, 제2 광 안내층(7)은 100nm 두께의 p타입 GaN층이며, 제2 클래딩층(8)은 0.5㎛ 두께의 p타입 AlGaN층이고, 캡층(9)은 300nm 두께의 p타입 GaN층이다.
레이저 디바이스(15)의 활성 영역(5)은 복수의 층을 포함한다. 활성 영역(5)의 최하위 층(12) 및 최상위층(14)은 알루미늄 함유층, 본 예에서는 AlGaN의 층이다. 활성 영역(5)의 다른 층들중 어느 것도 알루미늄을 의도적으로 포함하지 않는다.
활성 영역(5)은 활성 영역(5)의 최하위 AlGaN층(12)와 최상위 AlGaN층(14) 사이에 제공된 하나 이상의 양자웰층을 더 포함한다. 양자웰층은 도 2a에서 13으로 도시된다.
도 2b의 레이저 디바이스의 활성 영역(5)은 도 2a의 LED에 대한 전술한 구조들중 어느 하나를 가진다. 도 2b의 레이저의 활성 영역(5)층의 화합물, 두께 및 도핑은 바람직하게 도 2a의 LED에 대해 전술한 바와 같다.
도 2b에 도시된 일반적인 구조를 갖는 레이저 디바이스 또는 도 2a에 도시된 일반적인 구조를 갖는 LED는 380nm 내지 450nm의 자외선 청색 파장 범위에서 광을 방출할 수 있으며, 특히 390nm 내지 410nm의 범위에서의 방출 파장을 가진다.
도 5a-5d는 본 발명의 디바이스에 대한 일부 가능한 활성 영역의 개요도이다.
도 5a에 나타난 활성 영역(5)은 그 최하단층으로서 제1 AlGaN 층(12)을 가지고 그 최상단층으로서 제2 AlGaN층(14)을 갖는다. 단일 양자 웰(quantum well)층 (16), 예를 들면, InGaN층은 제1 AlGaN층(12)과 제2 AlGaN층(14) 사이에 배치된다. 제1 배리어층(15)은 제1 AlGaN층(12)과 양자 웰층(16) 사이에 배치되고 제2 배리어층(17)은 제2 AlGaN층(14)과 양자 웰층(16) 사이에 배치된다. 배리어층들은 예를 들면, InGaN 또는 GaN의 층들일 수도 있다. 따라서 도 5a의 활성 영역은 상술한 구조 "A1"에 대응한다.
도 5a의 활성 영역은 도 2a에 나타난 LED 구조 또는 도 2b에 나타난 레이저 다이오드 구조일 수도 있다. 제1 배리어층(15), 양자 웰층(16) 및 제2 배리어층(17)은 도 2a 또는 도 2b에서 개략적으로 "13"으로서 지칭되는 층을 함께 구성한다.
도 5b에 나타난 활성 영역은 도 5a의 제1 배리어층(15)이 도 5b의 활성 영역내에 존재하지 않는다는 점을 제외하고 도 5a에 나타난 활성 영역에 일반적으로 대응한다. 도 5b의 활성 영역에서, 양자 웰층(16)은 하부 AlGaN층(12)에 바로 인접해 있다. 도 5b의 활성 영역은 상술한 구조 "B1"에 대응한다.
도 5c에 나타난 활성 영역은 도 5a의 제2 배리어층(17)이 도 5c의 활성 영역내에 존재하지 않는다는 점을 제외하고 도 5a에 나타난 활성 영역에 일반적으로 대응한다. 도 5c의 활성 영역에서, 양자 웰층(16)은 상부 AlGaN층(14)에 바로 인접해 있다. 도 5c의 활성 영역은 상술한 구조 "C1"에 대응한다.
도 5d는 하나 이상의 양자 웰층을 포함하는 활성 영역의 일례를 나타낸다. 도 5d에 나타난 활성 영역(5)은 그 최하단층으로서 제1 AlGaN 층(12)을 가지고 그 최상단층으로서 제2 AlGaN층(14)을 갖는다. 2개의 양자 웰층들(16, 16')은 제1 AlGaN층(12)과 제2 AlGaN층(14) 사이에 배치된다. 제1 배리어층(15)은 제1 AlGaN층(12)과 제1 양자 웰층(16) 사이에 배치되고 제2 배리어층(17)은 제2 AlGaN층(14)과 제2 양자 웰층(16') 사이에 배치된다. 배리어층들은 예를 들면, InGaN 또는 GaN의 층들일 수도 있다. 따라서 도 5a의 활성 영역은 상술한 구조 "A1"에 대응한다. 추가적인 배리어층(15')은 제1 양자 웰층(16)과 제2 양자 웰층(16') 사이에 배치된다. 따라서, 도 5a의 활성 영역은 상술한 구조 "A2"에 대응한다.
도 5b 내지 도 5d의 활성 영역들은 도 2a에 나타난 LED 구조 또는 도 2b에 나타난 레이저 다이오드 구조일 수도 있다. 배리어층(들)(15, 15'. 17), 양자 웰층(들)(16, 16')은 도 2a 또는 도 2b에서 개략적으로 "13"으로서 지칭되는 층을 함께 구성한다. 그 또는 각 양자 웰층(16, 16')은 예를 들면, InGaN층일 수 있으며 그 또는 각 배리어층(15, 15', 17)은 예를 들면, InGaN 또는 GaN의 층일 수도 있다.
도 3a는 활성 영역의 최하단 및 최상단층들이 AlGaN층들인 활성 영역을 갖는 본 발명의 LED에 대해 취득된, 출력 광학 전력을 임의 단위로 나타낸 것이다. 도 3a는 하부 AlGaN층이 존재하지 않았던 구조(데이터 포인트가 제로 두께임)에 대한 데이터 포인트를 포함하는, 활성 영역의 하부 AlGaN층(12)의 두께를 가변시키기 위한 출력 광학 전력을 나타낸다. 이들 결과는 상부 AlGaN층(14)이 2.5㎛의 두께를 갖는 활성 영역을 이용하여 취득되었다.
활성 영역의 최하단층이 알루미늄 함유층이 아닌 디바이스의 광출력 전력에 비해, 증가된 광출력 전력은 하부 AlGaN층이 대략 1nm 내지 대략 50nm의 범위의 두 께를 갖는 경우에 취득된다는 것을 알 수 있을 것이다. 최대 출력 광전력은 하부 AlGaN층(12)이 대략 20-25nm의 두께를 갖는 활성 영역에 대해 취득된다. 하부 AlGaN층(12)를 제공함으로써 디바이스의 출력 광전력을 10의 팩터(factor)를 초과한 만큼 증가할 수 있다.
도 3b는 활성 영역의 최하단 및 최상단층들이 AlGaN층들인 활성 영역을 갖는 본 발명의 LED에 대해 취득된 출력 광전력을 임의 단위로 나타낸 것이다. 도 3b는 활성 영역의 상부 AlGaN층(14)의 두께를 가변시키기 위한 출력 광학 전력을 나타낸다. 이들 결과는 활성 영역의 하부 AlGaN층(12)이 20nm의 두께를 갖는 LED를 이용하여 취득되었다. 도 3b의 수직 스케일은 도 3a의 수직 스케일과 동일하다.
활성 영역의 최상단층이 알루미늄 함유층이 아닌 디바이스의 광출력 전력에 비해, 증가된 광출력 전력은 상부 AlGaN층이 대략 1nm 내지 대략 15nm의 범위의 두께를 갖는 경우에 취득된다는 것을 알 수 있을 것이다. 최대 출력 광전력은 상부 AlGaN층(14)이 대략 5-8nm의 두께를 갖는 활성 영역에 대해 취득된다. 상부 AlGaN층(14)를 제공함으로써 디바이스의 출력 광전력을 실질적으로 재차 증가시킬 수 있다. 상부 AlGaN층의 제로 두께에서 도 3b의 데이터 포인트가 없다고 할지라도, 활성 영역이 상부 AlGaN층(14)을 갖지 않는 LED의 출력 전력은 0.1au 이하라고 예측될 것이다.
본 발명의 발광 디바이스에서, 상부 및 하부 AlGaN층들(14, 12)은 디바이스의 활성 영역(5)의 부분을 형성한다. 특정 동작 조건(예를 들면, 특정화된 구동 전류 및 온도)에 대해 디바이스에 의해 방출된 광의 세기 및/또는 파장이 층에 영 향을 미치는 경우 하나의 층은 발광 디바이스의 활성 영역의 부분을 형성한다. 활성 영역의 부분을 형성하는 상부 및 하부 AlGaN층들(12, 14)은 도 4로부터 찾을 수 있다.
도 4는 2개의 활성 영역에 대한 광루미네센스 스펙트럼을 임의 단위로 나타낸 것이다. 활성 영역들은 완성된 디바이스에 결합되지 않지만 GaN 기판상에 배치되어 광루미네센스 측정이 수행될 수 있게 한다.
알루미늄 함유층인 활성 영역의 최상단 및 최하단층들, 본 경우에는 AlGaN층들을 갖는, 본 발명의 활성 영역이 하나의 활성 영역이다. 다른 활성 영역은 활성 영역의 최상단 및 최하단 층들이 GaN층들인 종래의 활성 영역이다. 활성 영역의 최상단 및 최하단 층들간의 차이와는 별개로, 2개의 활성 영역들은 동일하다.
도 4에서, 트레이스(trace)(a)는 최상단 및 최하단 층들로서 GaN층들을 갖는 종래의 활성 영역에 대한 광루미네센스 스펙트럼이고, 트레이스(b)는 최상단 및 최하단 층들로서 AlGaN층들을 갖는 본 발명의 활성 영역에 대한 광루미네센스 스펙트럼이다. 트레이스(b)에서 400nm 근방의 파장에서 광루미네센스 세기의 피크는 이 파장에서 트레이스(a)에서의 피크의 최대 광루미네센스 세기보다 대략 3배 더 큰 최대치를 갖는다는 것을 알 수 있을 것이다. 최외각 층으로서 AlGaN층들을 갖는 활성 영역의 증가된 PL 효율은 AlGaN층들이 활성 영역을 구성 요소라는 것을 확인하였다. AlGaN층들은 활성 영역내에서 캐리어들의 보다 효과적인 제한을 제공한다. 이에 비해, 도 1의 종래의 레이저 디바이스(10)의 AlGaN 전자 블로킹 층(6)은 레이저 디바이스(10)의 활성 영역(5)의 부분을 형성하지 않는다.
도면에서 대략 360nm에서의 피크는 하부에 놓여진 GaN 기판으로부터의 광루미네센스를 나타낸다. 광루미네센스 피크는 본 발명의 활성 영역에 대해 행한 것보다 종래의 활성 영역에 대해 훨씬 더 높은 세기를 갖는다는 것을 알 수 있을 것이다. 이것은 많은 캐리어들이 종래의 활성 영역으로부터 하부에 놓여진 기판으로 이동할 수 있기 때문이며, 이는 기판의 광루미네센스 세기를 높인다. 이에 비해, 본 발명의 활성 영역은 더 적은 캐리어들이 하부에 놓인 기판으로 이동할 수 있으며 하부에 놓인 기판의 광루미네센스 세기가 그에 따라 감소되도록 향상된 캐리어 제한(confinement)을 제공한다.
본 발명의 발광 디바이스는 임의의 적당한 반도체 성장 기술, 예를 들면, MBE(molecular beam epitaxy) 또는 MOVPE(metal-organic vapour phase epitaxy)를 이용하여 제조될 수도 있다. 만일 디바이스가 MBE를 이용하여 성장되는 경우, 영국 특허 출원 제0219728.3에 기술된 기술이 사용될 수도 있다.
성장 프로세스에서, 만일 AlGaN 층들(12, 14)이 성장된 직후에 어닐링되는 경우, 그들의 성장 온도를 더 높이는 것이 바람직하다. 만일 이 성장 방법이 사용되는 경우, 버퍼층(2)과 하부 알루미늄 함유층(12)(도 2a의 LED의 경우) 또는 버퍼층(2), 하부 클래딩층(3), 하부 광 가이드 영역(4) 및 하부 알루미늄 함유층(12)(도 2b의 레이저의 경우)은 초기에 성장된다. 다음으로 재료의 적층이 정지되고, 성장 챔버의 온도는 증가되어 성장 온도보다 더 높은 어닐링 온도에서 하부 알루미늄 함유층(12)을 어닐링한다.
일단 배리어층(15)이 어닐링된 후, 재료의 적층이 재개되고, 양자 웰층들 (13)과 상부 알루미늄 함유층(14)은 활성 영역(5)를 완성하도록 성장된다. 다음으로 재료의 적층은 재차 정지되고, 성장 챔버의 온도는 증가되어 그 성장 온도보다 더 큰 어닐링 온도에서 상부 알루미늄-함유층(14)을 어닐링한다. LED 구조 또는 레이저 구조의 나머지는 그 다음으로 성장된다.
이 성장 프로세스, 및 그 이점들은 함께 펜딩중인 영국특허출원 제0325099.0호에 보다 상세히 기술되어 있다.
상술한 실시예에서, 활성 영역의 최하단 및 최상단, 알루미늄 함유층들(12, 14)은 AlGaN층들이다. 본 발명은 이에 국한되지 않으며, 활성 영역의 최하단 및 최상단, 알루미늄 함유층들(12, 14)은 대안적으로 AlGaInN층들일 수도 있다.
본 발명에 의하면, 본 발명의 활성 영역은 더 적은 캐리어들이 하부에 놓인 기판으로 이동할 수 있으며 하부에 놓인 기판의 광루미네센스 세기가 그에 따라 감소되도록 향상된 캐리어 제한을 제공하여 디바이스의 출력 광 전력을 증가시킬 수 있다.

Claims (16)

  1. 질화물계(nitride material system)에서 제조되고, 기판 및 상기 기판위에 배치되는 활성 영역을 포함하는 반도체 발광(light-emitting) 디바이스에 있어서,
    상기 활성 영역은,
    상기 활성 영역의 최하위층을 형성하는 제1 알루미늄 함유층;
    상기 활성 영역의 최상위층을 형성하는 제2 알루미늄 함유층;
    적어도 하나의 InGaN 양자 웰(quantum well) 층; 및
    적어도 하나의 알루미늄-프리(free) 배리어(barrier) 층을 포함하고,
    상기 적어도 하나의 InGaN 양자 웰층은 상기 제1 알루미늄 함유층과 상기 제2 알루미늄 함유층사이에 배치되고, 상기 적어도 하나의 알루미늄 프리 배리어층은 상기 제1 알루미늄 함유층과 상기 제2 알루미늄 함유층사이에 배치되는 디바이스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 알루미늄 함유층은 AlGaN 및 AlGaInN으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 재료의 층인 디바이스.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 알루미늄 함유층은 AlGaN 및 AlGaInN으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 재료의 층인 디바이스.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 활성 영역은, 상기 제1 알루미늄 함유층과 상기 적어도 하나의 InGaN 양자 웰층 사이에 배치된 제1 알루미늄 프리 배리어층을 포함하는 디바이스.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 활성 영역은 상기 적어도 하나의 InGaN 양자 웰층과 상기 제2 알루미늄 함유층 사이에 배치된 제2 알루미늄 프리 배리어층을 포함하는 디바이스.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 활성 영역은 적어도 2개의 InGaN 양자 웰층을 포함하고,
    상기 2개의 인접하는 InGaN 양자 웰층은 각각의 알루미늄 프리 배리어층에 의해 분리되는 디바이스.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 배리어층 또는 그 각각은 InGaN층인 디바이스.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 알루미늄 함유층은 0 ＜ x ≤0.4인 AlxGa1-xN의 층인 디바이스.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 알루미늄 함유층은 50nm이하의 두께를 갖는 디바이스.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 알루미늄 함유층은 20nm의 두께를 갖는 디바이스.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제2 알루미늄 함유층은 0 ＜ y ≤0.4인 AlyGa1-yN의 층인 디바이스.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제2 알루미늄 함유층은 15nm이하의 두께를 갖는 디바이스.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제2 알루미늄 함유층은 5nm의 두께를 갖는 디바이스.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제1 알루미늄 함유층은 의도적으로 도핑되지 않는 디바이스.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제2 알루미늄 함유층은 의도적으로 도핑되지 않는 디바이스.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 InGaN 양자 웰층 또는 그 각각은 0 ＜ z ≤0.3인 InzGa1-zN 층인 디바이스.
KR1020040086656A 2003-10-28 2004-10-28 반도체 발광 디바이스 KR100618504B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB0325100.6 2003-10-28
GB0325100A GB2407702A (en) 2003-10-28 2003-10-28 A semiconductor light-emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050040796A KR20050040796A (ko) 2005-05-03
KR100618504B1 true KR100618504B1 (ko) 2006-08-31

Family

ID=29725480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040086656A KR100618504B1 (ko) 2003-10-28 2004-10-28 반도체 발광 디바이스

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7375367B2 (ko)
JP (1) JP2005136407A (ko)
KR (1) KR100618504B1 (ko)
CN (1) CN1619852A (ko)
GB (1) GB2407702A (ko)
TW (1) TWI277221B (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2407701A (en) 2003-10-28 2005-05-04 Sharp Kk Manufacture of a semiconductor light-emitting device
JP4920298B2 (ja) * 2005-04-28 2012-04-18 シャープ株式会社 半導体発光デバイスおよび半導体デバイスの製造方法
JP4872450B2 (ja) 2006-05-12 2012-02-08 日立電線株式会社 窒化物半導体発光素子
JP4172515B2 (ja) * 2006-10-18 2008-10-29 ソニー株式会社 発光素子の製造方法
DE102006060025A1 (de) * 2006-12-19 2008-06-26 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Schweißhilfe für eine Glühwendel
GB2456756A (en) 2008-01-16 2009-07-29 Sharp Kk AlInGaN Light-Emitting devices
CN101527341B (zh) * 2008-03-07 2013-04-24 展晶科技(深圳)有限公司 三族氮化合物半导体发光二极管
JP2009288145A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Fujitsu Ltd 薄膜密着強度の評価方法および評価装置
TWI393269B (zh) 2008-06-17 2013-04-11 Epistar Corp 發光元件
CN103325897B (zh) * 2008-06-30 2016-03-02 晶元光电股份有限公司 发光元件
US20100019222A1 (en) * 2008-07-25 2010-01-28 High Power Opto.Inc. Low-temperature led chip metal bonding layer
US8362461B2 (en) * 2008-12-12 2013-01-29 Alcatel Lucent Quantum well device
EP2341558B1 (en) * 2009-12-30 2019-04-24 IMEC vzw Method of manufacturing a semiconductor device
KR101441833B1 (ko) * 2010-09-30 2014-09-18 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 Ⅲ족 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
CN103137807A (zh) * 2013-02-22 2013-06-05 中国科学院半导体研究所 具有应力释放层的绿光led外延结构及制作方法
JP6753995B2 (ja) * 2018-12-14 2020-09-09 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
CN115377259B (zh) * 2022-10-26 2023-01-31 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN116454179B (zh) * 2023-06-14 2023-08-25 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5903017A (en) * 1996-02-26 1999-05-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semiconductor device formed of nitrogen-containing gallium compound such as GaN, AlGaN or InGaN
US5834331A (en) * 1996-10-17 1998-11-10 Northwestern University Method for making III-Nitride laser and detection device
JPH1168158A (ja) * 1997-08-20 1999-03-09 Sanyo Electric Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体装置
JP3311275B2 (ja) * 1997-08-29 2002-08-05 株式会社東芝 窒化物系半導体発光素子
US6015979A (en) * 1997-08-29 2000-01-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Nitride-based semiconductor element and method for manufacturing the same
JPH11243251A (ja) * 1998-02-26 1999-09-07 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
JP2000196194A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光素子
JP2000332290A (ja) 1999-05-20 2000-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体素子およびその製造方法
TW412874B (en) 1999-09-07 2000-11-21 Epistar Corp Structure of light emitting diode
AU1852701A (en) * 1999-12-10 2001-06-18 Vn-Instrument I/S Method and apparatus for measuring accumulated and instant rate of material lossor material gain
KR100425341B1 (ko) * 2000-02-08 2004-03-31 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자
JP3636976B2 (ja) * 2000-03-17 2005-04-06 日本電気株式会社 窒化物半導体素子およびその製造方法
JP2002084000A (ja) * 2000-07-03 2002-03-22 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
JP2002076522A (ja) * 2000-09-01 2002-03-15 Nec Corp 窒化物半導体レーザ
US6906352B2 (en) * 2001-01-16 2005-06-14 Cree, Inc. Group III nitride LED with undoped cladding layer and multiple quantum well
US6645885B2 (en) * 2001-09-27 2003-11-11 The National University Of Singapore Forming indium nitride (InN) and indium gallium nitride (InGaN) quantum dots grown by metal-organic-vapor-phase-epitaxy (MOCVD)
US6833564B2 (en) * 2001-11-02 2004-12-21 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride separate confinement heterostructure light emitting devices
SG115549A1 (en) * 2002-07-08 2005-10-28 Sumitomo Chemical Co Epitaxial substrate for compound semiconductor light emitting device, method for producing the same and light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
GB0325100D0 (en) 2003-12-03
CN1619852A (zh) 2005-05-25
US7375367B2 (en) 2008-05-20
GB2407702A (en) 2005-05-04
TW200527714A (en) 2005-08-16
JP2005136407A (ja) 2005-05-26
KR20050040796A (ko) 2005-05-03
US20050116215A1 (en) 2005-06-02
TWI277221B (en) 2007-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100618504B1 (ko) 반도체 발광 디바이스
JP4885987B2 (ja) ＡｌＩｎＧａＮ発光デバイス
KR100803101B1 (ko) 질화물 반도체 소자
KR101698629B1 (ko) 질화물 반도체 레이저 다이오드
US8890184B2 (en) Nanostructured light-emitting device
JP2022071179A (ja) 琥珀色～赤色の発光を有するｉｉｉ族窒化物半導体発光ｌｅｄ
US8963176B2 (en) Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same
JP6111250B2 (ja) オプトエレクトロニクス部品
EP2618388A1 (en) Light-emitting diode chip
JP2007109885A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
JP7478286B2 (ja) 発光ダイオードおよびその製造方法
WO2007097411A1 (ja) ２波長半導体発光装置及びその製造方法
JP2009129941A (ja) 発光デバイス
US20080258131A1 (en) Light Emitting Diode
KR101020118B1 (ko) 모놀리식형 반도체 레이저
JP6486401B2 (ja) 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
JP6654596B2 (ja) 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
JP2019033284A (ja) 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
KR20220162167A (ko) 알루미늄 함유층을 내부에 포함하는 발광 다이오드 및 이와 관련한 방법
JP6691090B2 (ja) 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法
JP3644446B2 (ja) 窒化物半導体素子
JP2008244360A (ja) 半導体発光素子
TWI440216B (zh) 具有量子阱結構之光電半導體本體
JP2007227652A (ja) ２波長半導体発光装置及びその製造方法
JP2003332695A (ja) ひずみ補償長波長半導体発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120802

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130801

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140818

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee