KR100519533B1 - 독출 신호 발생기 - Google Patents

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KR100519533B1
KR100519533B1 KR10-2000-0079259A KR20000079259A KR100519533B1 KR 100519533 B1 KR100519533 B1 KR 100519533B1 KR 20000079259 A KR20000079259 A KR 20000079259A KR 100519533 B1 KR100519533 B1 KR 100519533B1
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Abstract

본 발명은 독출 신호 발생기에 관한 것으로, 어드레스 신호를 버퍼링하기 위한 제 1 수단과, 칩 인에이블 바 신호에 따라 상기 제 1 수단으로부터의 어드레스 천이 신호를 검출하기 위한 제 2 수단과, 상기 제 2 수단의 출력 신호를 조합하기 위한 제 3 수단과, 상기 칩 인에이블 바 신호 및 어드레스 신호를 조합하기 위한 제 4 수단과, 상기 제 4 수단의 출력 신호를 조합하기 위한 제 5 수단과, 상기 제 4 수단의 출력 신호에 따라 상기 제 5 수단의 출력 신호를 부스팅 신호로 출력하기 위한 제 6 수단을 포함하여 이루어져, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 수단은 어드레스를 변환시켜 독출 신호를 출력할 때 사용하고, 상기 제 4, 제 5 및 제 6 수단은 칩 인에이블 신호를 변환시켜 독출 신호를 출력할 때 사용함으로써 두가지 방법에서의 속도의 지연을 방지할 수 있어 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 독출 신호 발생기가 제시된다.

Description

독출 신호 발생기{Read signal generator}
본 발명은 독출 신호 발생기에 관한 것으로, 특히 어드레스를 변환시켜 독출 신호를 출력하기 위한 구성과 칩 인에이블 신호를 변환시켜 독출 신호를 출력하기 위한 구성을 별도로하여 각 방법에 따라 동일한 시간의 부스팅 신호를 출력함으로써 두가지 방법에서의 속도의 지연을 방지할 수 있어 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 독출 신호 발생기에 관한 것이다.
저전압용 플래시 메모리 소자는 셀을 독출하는 방법으로 칩 인에이블 신호를 변환시켜 셀을 독출하는 방법과 어드레스 신호를 변환시켜 셀을 독출하는 방법을 고려하여야 설계하여야 한다. 즉, 셀을 독출하는 방법은 어드레스 신호를 인가한 상태에서 칩 인에이블 신호를 인가하여 발생된 신호를 부스팅 신호로 사용하여 셀을 독출하는 방법과 칩 인에이블 신호를 인가한 상태에서 어드레스 신호를 인가하여 발생된 신호를 부스팅 신호로 사용하여 셀을 독출하는 방법이 있다. 그런데, 플래쉬 메모리 소자는 상기 두 방법중 어떠한 방법으로 셀을 독출하여도 설계 지침에 규정된 독출 속도를 보장하여야 한다. 또한, 칩 인에이블 신호가 인가되지 않는 스탠바이 모드에서는 칩이 동작하지 않아야 하므로 모든 입력 신호와 주요 회로에는 칩 인에이블 신호를 이용하여 동작하지 않도록 설계되어 있다.
저전압 플래쉬 메모리 소자는 셀의 게이트 전압을 부스팅하기 위한 신호를 발생하기 위해 어드레스 천이 검출 회로를 사용하는데, 도 1은 종래의 플래쉬 메모리 소자의 독출 신호 발생기의 구성도로서 다음과 같이 구성된다.
칩 인에이블 바 신호 버퍼(10)는 칩 인에블 바 신호(Ceb)를 소정 시간 유지한다. 다수의 어드레스 버퍼(21 내지 2n)는 다수의 어드레스 신호(Add)를 소정 시간 유지하고, 다수의 어드레스 천이 검출 회로(31 내지 3n)는 다수의 어드레스 버퍼(21 내지 2n)중 어느 하나 이상으로부터 어드레스의 천이를 검출한다(Atd). 제 1 조합 회로(40)는 다수의 어드레스 천이 검출 회로(31 내지 3n)로부터 검출된 어드레스 천이 신호를 조합한다(AtdSum). 이러한 제 1 조합 회로(40)의 출력 신호가 부스팅 신호로 사용된다.
상기와 같이 구성되는 독출 신호 발생기는 어드레스 신호를 인가한 상태에서 칩 인에이블 신호를 인가하여 발생된 신호를 부스팅 신호로 사용하여 셀을 독출할 수도 있고, 칩 인에이블 신호를 인가한 상태에서 어드레스 신호를 인가하여 발생된 신호를 부스팅 신호로 사용하여 셀을 독출할 수도 있다. 도 2는 어드레스 신호를 인가한 상태에서 칩 인에이블 신호를 인가하여 부스팅 신호를 발생하는 타이밍도를 나타낸 것이다. 도시된 바와 같이 어드레스 신호를 인가한 상태에서 칩 인에이블 바 신호를 인가하여 그때 검출된 어드레스 천이 신호를 조합하여 부스팅 신호를 출력한다.
그런데, 어드레스 신호를 인가한 상태에서 칩 인에이블 신호를 인가하여 부스팅 신호를 출력하는 시간과 칩 인에이블 신호를 인가한 상태에서 어드레스를 인가하여 부스팅 신호를 출력하는 시간이 동일하여야 하지만, 두 방법은 칩 인에이블 신호에 의해 속도에 차이가 발생한다. 즉, 어드레스 신호를 인가한 상태에서 칩 인에이블 신호를 인가하는 방법에 의한 부스팅 신호의 출력 속도가 다소 빠르다. 이로 인해 소자의 수율 및 안정성의 확보가 어려워지는 단점이 있다.
본 발명의 목적은 칩 인에이블 신호를 변환시키는 방법과 어드레스를 변환시키는 방법을 이용하여 독출 신호를 발생시키더라도 두 방법에 의한 의 속도에 차이가 없는 독출 신호 발생기를 제공하는데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 어드레스 신호들을 버퍼링하기 위한 다수개의 어드레스 버퍼들과, 상기 어드레스 버퍼들 각각로부터의 어드레스의 천이를 검출하기 위한 다수개의 어드레스 천이 검출회로들과, 상기 어드레스 천이 검출회로들의 출력 신호들을 조합하는 제 1 조합회로와, 칩 인에이블 바 신호를 조합하는 제2 조합회로와, 상기 제 2 조합회로의 출력 신호를 조합하는 제3 조합회로와, 상기 칩 인에이블 바 신호를 변환시켜 독출신호를 출력할 때 상기 제2 조합회로의 출력 신호에 응답하여 상기 제 3 조합회로의 출력 신호를 부스팅 신호로 출력하고, 상기 어드레스 신호들을 변화시켜서 독출신호를 출력할 때 상기 제1 조합회로의 출력신호를 부스팅 신호로 출력하는 선택회로를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명에 따른 독출 신호 발생기의 구성도로서, 다음과 같이 구성된다.
칩 인에이블 바 신호 버퍼(100)는 칩 인에이블 바 신호(Ceb)를 소정 시간 유지한다. 다수의 어드레스 버퍼(201 내지 20n)는 다수의 어드레스 신호(Add)를 소정 시간 유지한다. 다수의 어드레스 천이 검출 회로(301 내지 30n)는 각 어드레스 버퍼(201 내지 20n)로부터의 어드레스의 천이를 검출한다(Atd). 제 1 조합 회로(400)는 다수의 어드레스 천이 검출 회로(301 내지 30n)로부터 검출된 어드레스 천이 신호를 조합한다(AtdSum). 제 1 조합 회로(400)의 출력 신호(AtdSum)는 어드레스 신호를 변환시켜 독출 신호를 출력할 때 부스팅 신호로 사용된다. 제 2 조합 회로(500)는 칩 인에이블 바 신호(Ceb)를 변환시켜 독출 신호를 출력할 때 칩 인에이블 바 신호(Ceb1)를 어드레스 천이 신호에 동기시켜 조합한다. 제 2 조합 회로(600)는 칩 인에이블 바 신호를 변환시켜 독출 신호를 출력할 때 제 1 조합 회로(500)의 출력 신호를 조합한다(CebAtdSum). 선택 회로(700)는 칩 인에이블 바 신호를 변환시켜 독출 신호를 출력할 때 제 2 조합 회로(500)의 출력 신호(CebAtd)에 응답하여 제 3 조합 회로(600)의 출력 신호(CebAtdSum)를 부스팅 신호로 출력한다.
상기한 바와 같이 구성되는 본 발명에 따른 독출 신호 발생기는 제 2 조합 회로에서 칩 인에이블 바 신호를 어드레스 천이 검출 신호에 동기시키고, 이 신호를 이용하여 칩 인에이블 신호를 변환시켜 독출 신호를 출력하는 방법과 어드레스 신호를 변환시켜 독출 신호를 출력하는 방법을 구별하는 신호로 사용한다. 또한, 제 3 조합 회로는 제 2 조합 회로의 출력 신호를 소정 시간 지연시킨다. 제 3 조합 회로는 제 1 조합 회로의 출력 신호의 속도 지연 시간만큼 짧게 신호가 출력되도록 설계하고, 이 신호를 칩 인에이블 신호를 변환시키는 방법으로 독출 신호를 출력할 때 사용함으로써 칩 인에이블 신호를 변환시켜 독출 신호를 출력하는 방법과 어드레스 신호를 변환시켜 독출 신호를 출력하는 방법의 속도 차이를 개선할 수 있다.
먼저, 어드레스 신호를 변환시켜 독출 신호를 출력할 때에는 제 2 및 제 3 조합 회로를 사용하지 않고, 어드레스 천이 신호만을 가지고 제 1 조합 회로에서 신호를 생성한다. 이 신호가 프리차지와 디스차지 시간을 계산해서 적정한 딜레이를 갖도록 제 1 조합 회로를 구성한다. 이 제 1 조합 회로의 출력 신호의 펄링 에지(fallinf edge)에서 부스팅 신호를 만들어 독출 신호에 적용한다. 한편, 칩 인에이블 바 신호를 변환시켜 독출 신호를 출력할 때 제 2 조합 회로의 출력 신호를 동기받아 제 3 조합 회로에서 신호를 출력하고, 이 신호를 부스팅 신호로 사용한다. 따라서, 두 방식으로 독출 신호를 출력하는데 있어서의 속도 차이를 보상받을 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 어드레스를 변환시켜 독출 신호를 출력하기 위한 구성과 칩 인에이블 신호를 변환시켜 독출 신호를 출력하기 위한 구성을 별도로하여 각 방법에 따라 동일한 시간의 부스팅 신호를 출력함으로써 두가지 방법에서의 속도의 지연을 방지할 수 있어 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래의 독출 신호 발생기의 구성도.
도 2는 도 1의 동작 타이밍도.
도 3은 본 발명에 따른 독출 신호 발생기의 구성도.
도 4는 도 1의 동작 타이밍도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 및 100 : 칩 인에이블 바 신호 버퍼
21 내지 2n : 어드레스 버퍼
31 내지 3n : 어드레스 천이 검출 회로
40 및 400 : 제 1 조합 회로
201 내지 20n : 어드레스 버퍼
301 내지 30n : 어드레스 천이 검출 회로
500 : 제 2 조합 회로 600 : 제 2 조합 회로
700 : 선택 회로

Claims (4)

  1. 어드레스 신호들을 버퍼링하기 위한 다수개의 어드레스 버퍼들과,
    상기 어드레스 버퍼들 각각로부터의 어드레스의 천이를 검출하기 위한 다수개의 어드레스 천이 검출회로들과,
    상기 어드레스 천이 검출회로들의 출력 신호들을 조합하는 제 1 조합회로와,
    칩 인에이블 바 신호를 조합하는 제2 조합회로와,
    상기 제 2 조합회로의 출력 신호를 조합하는 제3 조합회로와,
    상기 칩 인에이블 바 신호를 변환시켜 독출신호를 출력할 때 상기 제2 조합회로의 출력 신호에 응답하여 상기 제 3 조합회로의 출력 신호를 부스팅 신호로 출력하고, 상기 어드레스 신호들을 변화시켜서 독출신호를 출력할 때 상기 제1 조합회로의 출력신호를 부스팅 신호로 출력하는 선택회로를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 독출 신호 발생기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 선택회로는, 상기 어드레스 신호들이 설정된 상태에서 상기 칩 인에이블 바 신호가 인가될 때 상기 제1 조합회로의 출력신호를 상기 부스팅 신호로 출력하는 것을 특징으로 하는 독출 신호 발생기.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 선택회로는 상기 칩 인에이블 바 신호가 설정된 상태에서 상기 어드레스 신호들이 인가될 때 상기 제2 조합회로의 출력신호에 응답하여 상기 제3 조합회로의 출력신호를 상기 부스팅 신호로 출력하는 것을 특징으로 하는 독출 신호 발생기.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제3 조합회로는 상기 제1 조합회로의 출력신호의 속도 지연 시간만큼 짧게 신호가 출력되도록 하는 것을 특징으로 하는 독출 신호 발생기.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US4893282A (en) * 1985-02-26 1990-01-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
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KR20010055444A (ko) * 1999-12-10 2001-07-04 윤종용 플래시 메모리 장치의 워드 라인 제어 회로

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