JPH01208791A - 半導体記憶回路 - Google Patents

半導体記憶回路

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Publication number
JPH01208791A
JPH01208791A JP63033340A JP3334088A JPH01208791A JP H01208791 A JPH01208791 A JP H01208791A JP 63033340 A JP63033340 A JP 63033340A JP 3334088 A JP3334088 A JP 3334088A JP H01208791 A JPH01208791 A JP H01208791A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
signal line
circuit
clock
address
Prior art date
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Pending
Application number
JP63033340A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsunori Uchida
内田 克典
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体記憶回路に関し、特に出力データを外部
クロックに同期して出力する場合と外部クロックに同期
しないで出力する場合が切換えられる半導体記憶回路に
関する。
〔従来の技術〕
従来、出力データレジスタを有し、クロック同期型出力
とクロック非同期型出力を切換える半導体記憶回路では
、第5図に示すように、メモリ部4の出力41を出力デ
ータレジスタ5に与えるか、出力データレジスタ5を介
さずに出力バッファ6に与えるかを切換えるセレクタ1
0を設け、このセレクタ10をモード切換え信号81に
より切換えて出力していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体記憶回路は、メモリ部4と出力デ
ータレジスタ5との間のデータ信号のパス上にセレクタ
回路10が存在するため、このセレクタ回路10の遅延
が半導体記憶回路全体の遅延、に加えられ、同期型出力
と非同期型出力を実現するために、サイクルタイムが増
加してしまうという欠点がある。
本発明の目的は、出力データバス上にセレクタ回路のよ
うな切換回路を付加することなく、サイクルタイムの増
加なしにクロック同期型、非同期型出力の切換えをでき
るようにした半導体記憶回路を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の梧成は、メモリ部の出力を保持する出力データ
レジスタをもったクロック同期型半導体記憶回路におい
て、前記メモリ部に入力されるアドレスの変化を検出し
てパルスを発生するアドレス3フ移検出回路と、このア
ドレス遷移検出回路の出力パルスを所定時間遅らせて出
力するディレィ回路と、このディレィ回路の出力と外部
入力されたクロック信号とをクロック同期あるいはクロ
ック非同期を切換えるモードL)月Q信号に従って切換
えて出力するマルチプレクサとを備え、このマルチプレ
クサの出力に従って前記出力データレジスタの出力をJ
ソを出すことを特徴とする。
〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のブロック図で、本発明に関
する部分のみを示している。アドレス遷移検出回路]は
アドレス信号線11の遷移を検出してパルスを出力信号
線12に出力し、ディレィ回路2は、信号線12のパル
スを、メモリ部4の遅延時間と出力データレジスタ5の
セットアツプ時間との相を遅延させた後に信号線21に
出力する。マルチプレクサ3は同期出力か非同期出力を
表わす信号81により信号線21か信号線71のどちら
かを信号線31に出力し、メモリ部4はアドレス信号線
11で表わされるアドレスに対するデータを信−呼線4
1に出力し、出力データレジスタ5は信号線31のパル
スより信号線41の信号を保持して信号線51に出力し
、出力バッファ6は信号線51の信号を増幅して信号線
61に出力する。
第2図は第1の実施例のクロック非同期出力の場合のタ
イミングチャートである。ここではモード切換え信号8
1が゛L°°レベルのとき非同期出力モードとする。ア
ドレス11が31移すると、アドレス遷移検出回路lに
より出力線12にパルスが発生する。このパルスは、デ
ィレィ回路2によりメモリ部4の出力41が確定するま
での時間遅延され、ディレィ出力線21に出力される。
ここではモード切換え信号81が”L″゛のため、マル
チプレクサ3の出力31にはディレィ出力線21の信号
が出力される。マルチプレクサ出力線31によりメモリ
部4の出力41が出力データレジスタ5に保持されると
同時に出力データレジスタ出力線51に出力される。
第3図は第1の実施例のクロック同期出力の場合のタイ
ミングチャートである。モード切換え信号81が“′H
′ルベルのとき、マルチプレクサ3の出力信号31は外
部クロック信号71が出力される。マルチプレクサ3が
らの出力信号31により、出力データレジスタ5はメモ
リ部4の出力信号41を保持すると同時に出力線51に
出力する。
このように本実施例では、出力データレジスタをもつク
ロック同期型半導体記憶回路において、出力データのバ
ス上に切換回路を付加することなく、クロック非同期型
半導体記憶回路を実現することが可能となる。
第41?lは本発明の第2の実施例のブロック図である
。本実施例は、アドレスを切換えるスイッチ9が追加さ
れたもので、スイッチ9はクロック同期型出力モードの
場合にアドレス遷移検出回路1ヘアドレスを供給しない
ようにしたものである。
この実施例では、クロック同期型モードの場合には不要
なアドレス遷移検出回路1の動作が禁止されるという利
点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、アドレス遷移を検出して
パルスを発生し、そのパルスを外部クロックの替わりに
出力データレジスタのクロックとすることにより、出力
データバス上には切換回路を付加することなく、同期型
出力半導体記憶回路と非同期型出力半導体記憶回路が実
現できる。ずなわち、同期型出力半導体記憶回路におい
てサイクルタイムを増加することなく、非同期型出力半
導体記恰回路との切換えが可能となる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例のブロック図、第2図は
第1図の非同期出力モードの場合のタイミングチャート
、第3図は第1図の同期出力モードの場合のタイミング
チャート、第4図は本発明の第2の実施例のブロック図
、第5図は従来の半導体記憶回路の一例のブロック図j
である。 1・・・アドレス遷邪検出回路、2・・・ディレィ回路
、3・・・マルチプレクサ、4・・・メモリ部、5・・
・出力データレジスタ、6・・・出力ハッファ、7・・
・スイッチ、10・・・セレクタ回路、11・・・アド
レス信号線、12・・・アドレス遷移検出回路の出力線
、13.14・・・セレクタ回路10の出力線、21・
・・ディレィ回路出力線、31・・・マルチプレクサ出
力線、41・・・メモリ部出力線、51・・・出力デー
タレジスタ出力線、61・・・出力バッファ出力線、7
1・・・クロック、81・・・同期、非同期出力切換モ
ード信号、91・・・スイッチ出力線。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. メモリ部の出力を保持する出力データレジスタをもった
    クロック同期型半導体記憶回路において、前記メモリ部
    に入力されるアドレスの変化を検出してパルスを発生す
    るアドレス遷移検出回路と、このアドレス遷移検出回路
    の出力パルスを所定時間遅らせて出力するディレィ回路
    と、このディレィ回路の出力と外部入力されたクロック
    信号とをクロック同期あるいはクロック非同期を切換え
    るモード切換信号に従って切換えて出力するマルチプレ
    クサとを備え、このマルチプレクサの出力に従って前記
    出力データレジスタの出力を読出すことを特徴とする半
    導体記憶回路。
JP63033340A 1988-02-15 1988-02-15 半導体記憶回路 Pending JPH01208791A (ja)

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JP63033340A JPH01208791A (ja) 1988-02-15 1988-02-15 半導体記憶回路

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010044822A (ja) * 2008-08-12 2010-02-25 Toppan Printing Co Ltd 半導体メモリ
JP2012009142A (ja) * 1999-12-20 2012-01-12 Fujitsu Semiconductor Ltd フラッシュメモリ装置
WO2013011848A1 (ja) * 2011-07-15 2013-01-24 太陽誘電株式会社 半導体メモリ装置

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