KR100517580B1

KR100517580B1 - 고주파 중첩 방법 및 이것을 이용한 광 디스크 장치

Info

Publication number: KR100517580B1
Application number: KR10-2002-0067804A
Authority: KR
Inventors: 아사다아끼히로; 구레바야시마사아끼
Original assignee: 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼; 가부시키가이샤 히타치 엘지 데이터 스토리지
Priority date: 2001-12-20
Filing date: 2002-11-04
Publication date: 2005-09-29
Also published as: US7573797B2; CN1801337A; CN101335026B; US20080056090A1; US7570565B2; US20080056078A1; US20030117923A1; JP3740413B2; US7570564B2; US20090268591A1; US20080068947A1; CN101335026A; US20060146679A1; CN1236427C; CN1881422A; JP2003187442A; US7298681B2; CN1430210A; KR20030052968A; CN1801337B

Abstract

데이터 기록 중에 스페이스 형성 기간 혹은 스페이스와 마크 형성 기간에 고주파 성분을 반도체 레이저 구동 전류에 중첩하여 반도체 레이저의 노이즈를 저감하는 경우, 고주파 중첩의 제어 회로 지연 등에 의해 고주파 성분이 마크 형성 개시 타이밍 및 마크 형성 종료 타이밍에 중첩되거나, 직전까지 중첩하면 디스크 상에 형성된 마크의 초단 및 종단 엣지가 고주파 성분 신호와 기록 클럭의 비동기성에 의해 변동한다는 문제가 있었다. 본원 발명은 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류의 개시 타이밍 및 종료 타이밍보다 소정 시간 선행하여 고주파 성분의 중첩을 정지하고, 또한 소정 시간 후에 고주파 성분의 중첩을 개시하는 고주파 중첩 제어 수단을 설치하였다. 이에 따라 고주파 성분의 중첩에 의한 마크 초단 및 종단의 디스크 상의 변동을 피할 수 있다. 이 결과 고속 기록에서의 지터 열화를 방지하는 것이 가능해진다.

Description

고주파 중첩 방법 및 이것을 이용한 광 디스크 장치{HIGH-FREQUENCY SUPERIMPOSING METHOD AND OPTICAL DISK APPARATUS USING IT}

본 발명은 광 디스크 장치에서 기록 시에 반도체 레이저의 구동 전류에 고주파 성분을 중첩하여 광 디스크에 정보를 기록하는 고주파 중첩 방법 및 이것을 이용한 광 디스크 장치에 관한 것으로, 특히 고속, 고밀도의 기록을 가능하게 하는 고주파 중첩 방법 및 이것을 이용한 광 디스크 장치에 관한 것이다.

기록형 광 디스크에는, 일회만 기입이 가능한 라이트원스형 광 디스크(CD-R, DVD-R 등)와 복수회 재기입이 가능한 재기록 가능형 광 디스크(CD-RW, DVD-RW 등)가 있다.

광 디스크 장치의 데이터 기록 시의 동작에서는, 데이터 기록의 개시에 있어서, 우선 원하는 디스크의 트랙(그루브) 상에 광 헤드를 포지셔닝하고, 원하는 위치(접선 방향 위치)로부터 기록을 개시할 필요가 있다. 이 포지셔닝은 사전에 디스크 상에 형성되어 있는 어드레스 정보를 판독함으로써 행할 필요가 있다. 또한, 재생 전용 디스크(CD-ROM이나 DVD-ROM)와 재생 호환을 도모하기 위해서, 사용자 데이터에 디스크 상 기록 위치에 대응하는 어드레스 정보를 부가하여 디스크에 기록한다.

디스크 상의 어드레스 정보는 CD-R, CD-RW의 경우, 그루브를 반경 방향으로 미소량 워블링(Wobbling)(이 때의 재생 신호를 워블 신호라고 칭함)시켜 그 주파수를 변조함으로써 프레임 단위(x1배속 재생으로 1/75초에 상당)로 형성되어 있다. 또한, DVD-R, DVD-RW인 경우에는 그루브를 반경 방향으로 미소량 워블링시키고 있지만 주파수 변조하지 않고 LPP(Land Pre Pit)라고 불리는 미소 구멍을 그루브 워블의 특정 위치에 배치하여, 이 Pit의 유무로 어드레스 정보를 형성하고 있다.

디스크 상의 위치를 정확하게 인식하여 정보의 기록을 행하기 위해서, 기록 중에도 워블을 높은 정밀도로 판독할(어드레스 정보를 인식할) 필요가 있다. 그런데, 반도체 레이저가 디스크로부터의 반사광의 영향을 받아, 반도체 내부의 공진 상태가 변화하고 그 광 출력이 변화한다. 소위 귀환 광에 의해 노이즈가 발생된다. 특히 고출력의 발생이 가능한 반도체 레이저는 재생 전용 저출력의 반도체 레이저보다 귀환광의 영향을 받기 쉬워 노이즈를 발생시키기 쉽다(고출력의 반도체 레이저는 고출력을 얻기 위해서 레이저 단부면의 반사율을 낮게 하여, 외부로 고출력을 발생하기 쉽게 하고 있다. 이 때문에 귀환광도 이 단부면을 통해 레이저 내부의 공진부에 들어가기 쉬워져서, 공진 상태가 변화하여 결과적으로 노이즈가 발생하기 쉬워진다).

이러한 반도체 레이저의 노이즈 저감 방법으로는, 반도체 레이저의 구동 전류에 고주파 성분을 중첩시키는 고주파 중첩 방법을 취하고 있다. 예를 들면, 미국 특허 6,421,314호 공보에는, 재생 동작 시에 반도체 레이저 구동 전류에 고주파 신호를 중첩시킴과 함께, 기록 동작 시에도 스페이스 형성 시(소거 시)와 마크 형성 시에 최적의 주파수 및/또는 진폭의 고주파 신호의 중첩을 공통의 고주파 중첩 회로를 이용하여 행하는 것이 개시되어 있다.

상술한 바와 같이, 종래 기술은 반도체 레이저 구동 전류에 고주파 성분을 중첩함으로써, 귀환광에 의한 노이즈를 저감하고 있다.

그러나, 고주파 성분을 중첩한 반도체 레이저 구동 전류를 기초로 기록 전류를 공급하면, 고주파 성분의 영향에 의해 기록 전류의 상승 엣지 위치 또는 하강 엣지 위치가 변동하고, 그 결과, 마크의 초단 엣지 위치 또는 종단 엣지 위치가 변동된다는 문제가 있었다. 이 문제는 기록형 광 디스크의 고밀도화에 수반하는 피트의 미소화, 또는 기록 속도의 고속화에 의해 큰 문제가 된다.

그래서, 본원은 고주파 성분을 중첩함으로써 귀환광에 의한 노이즈를 저감시키는 방법을 이용한 광 디스크 장치에서, 데이터 기록 시에는 고주파 성분의 영향을 적게 할 수 있는 기록 방법/광 디스크 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

전술한 과제는 이하의 수단에 의해 해결할 수 있다. 즉,

(1) 광 디스크 상에 마크 또는 스페이스를 형성함으로써 정보를 기록하는 광 디스크 장치로서, 복수 레벨의 전류치로 구성되고 마크 길이에 따른 구동 파형으로 이루어지는 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류, 및 적어도 1 레벨의 전류치를 갖는 스페이스 형성용 반도체 레이저 구동 전류를 공급하는 구동 전류 생성 수단과, 상기 스페이스 형성용 반도체 레이저 구동 전류에 고주파 성분을 중첩시키는 제1 고주파 중첩 수단과, 스페이스 형성용 반도체 레이저 구동 전류로부터 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류로의 전환 타이밍에 대하여 소정 시간 선행하여 고주파 성분의 중첩을 정지하도록 상기 고주파 중첩 회로를 제어하는 고주파 중첩 제어 수단을 구비하는 광 디스크 장치를 제공한다.

(2) 레이저 다이오드로부터의 레이저를 조사함으로써 광 디스크에 기록을 행하는 광 디스크 기록 방법으로서, 제1 전류에 대하여 고주파 중첩을 행한 전류를 상기 레이저 다이오드에 공급하는 제1 단계와, 고주파 중첩을 행하지 않은 제1 전류를 상기 레이저 다이오드에 공급하는 제2 단계와, 상기 제1 전류보다도 큰 제2 전류를 상기 레이저 다이오드에 공급하는 제3 단계로 이루어지고, 상기 제1 단계에서는 상기 광 디스크의 어드레스 정보를 재생하고, 상기 제3 단계에서는 상기 광 디스크에 데이터를 기록하는 광 디스크 기록 방법을 제공한다.

<실시예>

종래 기술에 따라 기록형 광 디스크의 기록 속도의 고속화·고밀도화를 진행하면, 마크 초단 엣지 위치 또는 종단 엣지 위치의 변동이 큰 문제가 된다. 우선, 이 원인을 고찰한다.

디스크에의 정보의 기록은 정보(data)를 EFM 변조나 8-16 변조 등과 같이 2치화된 변조 신호를 기초로 기록한다. 2치 중 한쪽을 피트(마크), 다른쪽을 랜드(스페이스)에 대응시켜서 상기와 같이 디스크 상에 피트(마크)를 형성한다. 피트(마크) 및 랜드(스페이스)의 길이는 기록 기준 클럭(이후 chCLK라고 칭함)의 주기 Tw를 단위로 하고, 그 최단 길이는 EFM 변조나 8-16 변조의 경우 3Tw이다. 이 기록해야 할 변조 신호(이후 NRZ 신호라고 칭함)에 대응하여, 디스크 상에 대응된 길이의 피트(마크)를 형성할 필요가 있다.

그러나, 상기한 변조 신호로 레이저를 조사하는 경우는, 레이저 광의 디스크면에서의 스포트 사이즈가 상기한 최단 마크 길이(3Tw)와 동등한 사이즈이고, 또한 상술한 바와 같이, 라이트원스형 디스크도 재기록 가능형 디스크도 레이저 광의 조사에 의한 기록층의 열 변화를 이용한 것으로, 기록층 자체가 축열 및 열확산 특성 등을 갖고 있음으로써 디스크 상의 피트(마크) 길이 및 피트(마크)의 초단 엣지 위치 및 종단 엣지 위치가 원하는 길이 및 위치와는 다르게 된다. 이 결과 재생 시에 지터가 발생되어 재생 에러레이트의 증가를 초래한다.

이에 대응하기 위해서, 종래 기술에서는 소위 라이트 스트래티지라고 불리는 기록 시의 기록 보정이 행해지고 있다. 구체적으로는, 원하는 마크 초단 엣지 위치 및 종단 엣지 위치가 얻어지도록, 마크 형성의 레이저광 조사 개시 타이밍 및 마크 형성의 레이저 조사 종료 타이밍을 마크 길이에 의존하여 바꾸고 있다. 또한, 랜드(스페이스) 기간의 열적 영향도 고려하여 선행 스페이스 길이와 기록 마크 길이의 조합으로 마크 형성의 레이저광 조사 개시 타이밍을 보정하고, 기록 마크 길이와 후속하는 스페이스 길이의 조합으로 마크 형성의 레이저광 조사 종료 타이밍을 보정하는 라이트 스트래티지 등도 채용되고 있다. 이들 타이밍 보정(엣지 보정)은 기록 기준 클럭의 주기 Tw의 1/20∼1/30을 단위로 하여 행하고 있다.

여기서, CD-R의 경우를 보면, 수년 전까지는 1∼4 배속이었던 기록 속도가 현 시점에서는 10∼16배속으로, 금후는 24∼32 배속으로, 한층 더 고속화가 도모될 것으로 생각된다. 또한, DVD의 경우도 현재 1∼2 배속이지만, 금후 4∼8 배속으로 고속화될 것으로 예상된다. 이들의 기록 기준 클럭의 주파수 fchCLKk(주기 Tw)는 CD x10배속에서 fchCLK=43.218㎒(Tw=23㎱), x32배속에서 138.3㎒(7.2㎱), DVD x1배속에서 fchCLK=26.16㎒(38.2㎱), x4배속에서 104.6㎒(9.6㎱), 또한 x8 배속에서 209.3㎒(4.8㎱)가 된다. 이러한 기록 속도의 경우, 소위 라이트 스트래티지에 의한 기록 펄스의 엣지 보정의 1 스텝 시간(Tw/20인 경우)은 CD x10 배속에서 1.2㎱, CD x32 배속에서 0.36㎱, DVD x1 배속에서 1.9㎱, DVD x4 배속에서 0.48㎱, DVD x8 배속에서 0.24㎱가 된다. 이와 같이, 고속화가 진행되어, 기록 펄스의 엣지 보정의 1 스텝 시간이 짧아지면, 지금까지 저속 기록에서는 문제가 되지 않았던 기록 펄스 엣지의 변동이 무시할 수 없게 된다.

기록 펄스의 엣지 변동 요인 중 하나는 기록 중에 중첩하는 고주파 성분의 영향이다. 이 고주파 성분에 의한 영향은 다음의 3가지가 있다.

1) 반도체 레이저를 구동하는 기록 전류의 엣지 변동

2) 반도체 레이저의 발진 지연에 의한 기록용 광 펄스의 엣지 변동

3) 고주파 중첩에 의한 광 펄스와 기록용 광 펄스의 시간 간격 변동에 의한 마크 초단부의 공급 광 에너지의 변동

이들은 모두 고주파 성분의 최적 주파수와 기록 기준 클럭 주파수의 차이에 기인하는 것으로, 마크 형성용 기록 전류의 엣지 위치에 대하여 고주파 성분의 위상이 변동함으로써 발생하는 것이다.

도 1에 상기 1) 반도체 레이저를 구동하는 기록 전류의 엣지 변동의 모습을 나타내고 있다. 이 예에서는 고주파 성분을 교류적이지 않고, 직류적으로 가산한 예를 나타내고 있다. 도 1의 (a)는 고주파 성분을 중첩하지 않은 경우의 반도체 레이저 구동 전류를 나타내고 있다. 도 1 중 점 P에서 구동 전류가 변화하여, 마크 기록을 위해 전류를 증가시키고 있다(이 점 P를 기록 전류의 상승 엣지라고 칭함). 이에 대하여 도 1의 (b)와 도 1의 (c)에 고주파 성분을 중첩한 경우의 기록 전류의 변화를 나타내고 있다. 이 도 1은 다중 노광에 의한 사진으로, 고주파 성분과 마크 기록 전류의 엣지(점 P)와의 위상 변화에 따라 전류 파형이 소정의 폭을 가지고 있다. (b)는 점 P에서 고주파 성분의 값이 최소인 경우(최소가 될 빈도가 높은 경우)이고, (c)는 점 P에서 최대인 경우(최대가 될 빈도가 높은 경우)이다. (b)와 (c)의 비교에서도 명백한 바와 같이, 점 P에서의 고주파 성분의 위상 변화에 따라 고주파 성분 중첩 후의 전류 파형의 상승 엣지 위치가 변동하고 있다. (b)와 (c)의 비교에서는 엣지 위치 변동은, 약 1㎱ pp(peak to peak)이고 앞서 진술한 라이트 스트래티지에서의 엣지 보정의 1 스텝 시간(CDx32에서 0.36㎱, DVDx8에서 0.24㎱) 이상의 큰 변동량으로 되어 있다. 이 변동량은 고주파 성분의 진폭이 클수록, 또한 고주파 성분의 주파수가 낮을수록 커진다. 이 도 1에서는 마크 기록의 개시 시점을 설명하였지만 종료 시점에서도 마찬가지의 변동이 발생한다.

반도체 레이저의 발진 지연에 의한 기록용 광 펄스의 엣지 변동((상기 2) 및(상기 3))을 도 2를 이용하여 설명한다. 여기서는 CD-R이나 DVD-R의 스페이스로부터 마크 형성으로 변화할 때의 반도체 레이저 구동 전류와 광 출력의 관계를 나타내고 있다. 또한, 고주파 성분은 교류적으로 중첩한 경우로 나타내고 있다. (a)는 점 P(마크 형성용 기록 전류의 상승 엣지 위치)에서 고주파 성분이 마이너스측으로부터 제로로 되돌아가는 위상인 경우이고, (b)는 점 P에서 고주파 성분이 플러스측으로부터 제로로 되돌아가는 위상인 경우를 나타내고 있다. 모두 점 P 이후(마크 형성 구간)에서는 고주파 성분의 중첩을 정지한 경우이다.

다음에, 점 P 이전(스페이스 구간)의 동작(고주파 중첩에 의한 협광 펄스 열)에 대하여 설명한다. CD-R이나 DVD-R에서의 점 P 이전의 스페이스(Land) 구간에서는, 전술한 워블 신호나 어드레스 정보의 재생 및 서보 신호를 높은 S/N(Signal to Noise ratio)을 얻기 위해서 고주파 중첩을 행하여 평균 광 전력이 통상의 재생 시와 동등해지도록 반도체 레이저를 구동한다. 이 때 반도체 레이저의 구동 전류는 반도체 레이저의 발진 임계치 전류를 Ith로 하면, 고주파 성분의 중첩에 의해 Ith 이하의 전류로부터 Ith 이상의 전류로 변화시켜, 그 후 다시 Ith 이하로 함으로써 좁은 광 펄스를 발생시키고 있다.

구체적으로는, Ith 이하로부터 Ith 이상으로 구동 전류를 고속으로 변화시켰을 때, 반도체 레이저는 발진 지연을 수반하여 발진을 개시한다(Ith 이상이 되어도 곧바로 발진하지는 않는다). 이 발진 지연 시간은 Ith 이하가 되는 구동 전류치가 작을수록(중첩하는 고주파 성분의 진폭을 크게 할수록) 커진다. 통상 발진 지연 시간은 1∼2㎱ 정도이다. 또한, 고출력의 반도체 레이저는 발진 개시 시, 완화 진동을 수반하여 발진한다. 이 때의 광의 스펙트럼은 단일 주파수(싱글 모드라고 칭함)가 아닌 복수의 주파수 성분을 갖고 있다(멀티 모드라고 칭함). 완화 진동 후에는 싱글 모드가 된다. 고주파 중첩은 이 발진 지연을 이용하여 완화 진동 기간 중에 발진(발광)을 정지함으로써, 복수 주파수 성분을 갖는 좁은 펄스를 발광시킴으로써 귀환광의 영향을 저감하고 있다.

다음에, 점 P 이후(마크 형성 구간)의 광 출력(기록용 광 펄스의 엣지 지연)에 대하여 설명한다. 상기한 바와 같이, 반도체 레이저는 Ith 이하로부터 Ith 이상으로 고속으로 구동 전류를 변화시킨 경우, 발진 지연을 수반하는 발진(즉, 광 출력)을 개시한다. 따라서, 마크 형성용 구동 전류의 개시 시점 직전의 전류치의 위상이 어느 정도 Ith 이하인지, 혹은 Ith 이상인지에 따라 발진 지연 시간이 다르게 되어 마크 형성용 광 출력의 개시(발진·광 출력 개시) 타이밍이 변동한다.

도 2의 (a-1), (a-2)의 경우에는 Ith 이하로부터 IPw로 변화하기 때문에 고주파 중첩 시와 마찬가지로 발진 지연을 일으켜, 마크 형성용 광 출력의 개시 타이밍이 지연된다. (b-1), (b-2)의 경우에는 Ith로부터 IPw로 변화하기 때문에 반도체 레이저는 선형 동작(구동 전류에 비례한 광 출력을 발광한다)하고, (a-1), (a-2)와 같은 발진 지연은 발생하지 않는다.

마크 형성용 구동 전류의 개시 타이밍(점 P)과 고주파 성분의 위상은 비동기이기 때문에, 점 P 및 그 직전의 고주파 성분의 값은 랜덤하게 변화하고, 결과적으로 마크 형성용 광 출력의 개시 타이밍이 랜덤하게 변동하게 된다.

여기서, 고주파 중첩에 의한 광 펄스와 기록용 광 펄스의 시간 간격 변동에 의한 마크 초단부의 공급 광 에너지의 변동에 대하여 설명한다. 도 2에서 마크 형성용 광 출력의 개시 타이밍 근방에서의 공급 광 에너지 측면에서 보면, (a-1), (a-2)의 경우에는 고주파 중첩에 의한 광 펄스와 마크 형성용 광 출력 펄스의 간격은 넓다. 한편 (b-1), (b-2)의 경우에는 고주파 중첩에 의한 광 펄스와 마크 형성용 광 펄스의 간격이 좁아, 고주파 중첩에 의한 광 펄스와 마크 형성용 광 펄스가 인접(최접근)하고 있다. 이것은 마크 형성 개시 시의 디스크에의 공급 광 에너지의 차로 되어, 디스크 상에 형성되는 마크의 초단 엣지 위치가 고주파 성분의 위상에 따라서 랜덤하게 변화하는 것을 의미한다. 특히, (a-1), (a-2)의 경우에는 공급 에너지가 적고, 마크 형성용 광 펄스의 개시 타이밍이 발진 지연에 의해 지연됨으로써, 디스크 상의 마크 초단 엣지 위치가 (b-1), (b-2)의 경우에 비하여 시간적으로 뒷쪽으로 어긋나게 된다.

이상, 고주파 성분의 중첩에 의해 디스크 상의 마크 개시 위치가 고주파 성분과 마크 형성용 구동 전류의 개시 위치와의 랜덤한 위상 변화에 의해 변동하는 것을 나타내었다. 즉, (1) 마크 형성용 구동 전류의 개시 위치 근방(전후)에 고주파 성분이 중첩되면 마크 형성용 구동 전류 자신의 상승 엣지가 변동한다. 마크 형성용 구동 전류의 개시 위치에서 고주파 성분의 중첩을 정지하였다고 해도, (2) 직전의 고주파 성분의 값에 의해 발진 지연이 변화하여, 마크 형성용 광 출력의 개시 타이밍이 변동한다. 또한, (3) 마크 형성용 광 출력의 개시 타이밍 근방의 광 공급 에너지가, 고주파 성분과 마크 기록용 구동 전류의 위상이 변동함으로써 변화한다. 이들의 변동은 디스크 상의 마크의 개시 위치를 랜덤하게 변동시키게 되어, 재생 시의 지터 열화를 발생시킨다. 특히, 고속 기록 시에 지터 열화의 영향이 커지게 된다. 또한, 이상의 내용은 마크 종료 위치에 대해서도 마찬가지라고 할 수 있다.

이하, 본 발명의 실시예를 도면을 이용하여 설명한다.

(실시예 1)

제1 실시예는 기록 중의 스페이스 기간에 고주파 성분을 중첩하는 예로, 제1 고주파 중첩 제어 회로(HF 온/오프 제어 회로)에 의해서 고주파 성분의 중첩 개시·정지를 제어하는 실시예이다. 예로서 CD-R 기록을 상정한 실시예이다.

도 4에 제1 실시예의 구성도를 나타낸다. 참조 부호 1은 컨트롤러(DSP), 참조 부호 2는 플렉시블 케이블, 참조 부호 3-1은 라이트 스트래티지 내장 반도체 레이저 구동 회로이다. 참조 부호 4는 반도체 레이저 다이오드, 참조 부호 5는 반도체 레이저 다이오드의 출력 전력을 모니터링하기 위한 프론트 모니터용 수광 소자, 참조 부호 6은 프론트 모니터용 수광 소자(5)의 출력 전류를 전압으로 변환하는 전류·전압 변환 회로, 참조 부호 7은 상기 전류·전압 변환 회로(6)의 출력을 소정의 타이밍에서 샘플/홀드하는 샘플/홀드 회로, 참조 부호 8은 샘플/홀드 회로(7)의 출력값이 소정의 레벨(재생 레벨)이 되도록 제어하는 오토 리드 전력(Auto Read Power) 제어 회로, 참조 부호 9는 디스크로부터의 반사광을 수광하는 복수의 수광 소자로 이루어지는 디스크 반사광 수광 소자, 참조 부호 10은 디스크 반사광 수광 소자(9)의 각 출력 전류를 전압으로 변환하는 전류·전압 변환 회로이다.

이 실시예에서는, 상기한 컨트롤러(1) 및 오토 리드 전력 제어 회로(8)는 광 디스크 장치의 메인 보드측(고정측)에 배치되고, 라이트 스트래티지 내장 반도체 레이저 구동 회로(3-1), 반도체 레이저 다이오드(4), 수광 소자(5, 9), 전류·전압 변환 회로(6, 10) 및 샘플/홀드 회로(7)는 광 헤드에 탑재된 예를 나타내고 있다. 광 헤드에의 제어 신호 및 광 헤드의 입출력 신호는 플렉시블 케이블(2)을 통해 메인 보드측과 접속되어 있다.

라이트 스트래티지 내장 반도체 레이저 구동 회로(3-1)는 이하의 구성 요소에 의해 구성된다. 참조 부호 12는 컨트롤러(1)로부터 공급되는 NRZ 신호와 후술하는 라이트 스트래티지 앤드 HF 온/오프 컨트롤러(13-1)로부터 공급되는 기록 클럭 chCLK를 기초로 마크 길이, 스페이스 길이 및 마크·스페이스의 변화 타이밍 등을 검출하는 마크·스페이스 길이 검출 회로, 참조 부호 13-1은 컨트롤러(1)로부터 공급되는 클럭 CLK를 체배하여 가록 클럭 chCLK을 생성함과 함께 마크·스페이스 길이 검출 회로(12)의 출력 신호를 바탕으로 고주파 성분의 중첩 온/오프를 제어하는 제어 신호 HF1_cont 및 반도체 레이저 다이오드(4)의 출력 레벨(기록 전력 출력 레벨 Pw, 소거 전력 출력 레벨 Per, 바이어스 전력 레벨 Pb)의 레벨을 선택 제어하는 제어 신호 OUTE_Pw, OUTE_Per, OUTE_Pb를 출력하는 라이트 스트래티지 앤드 HF 온/오프 컨트롤러, 참조 부호 14는 제어 신호 OUTE_Pw, OUTE_Per, OUTE_Pb에 대응하여 출력 레벨 Pw, Per, Pb에 대응하는 전류 및 오토 리드 전력 컨트롤러(8)로부터의 전류 Iapc_in에 대응한 전류를 가산하여 출력하는 반도체 레이저 구동부, 참조 부호 15-1은 주파수 FREQ 및 진폭 AMP에 대응한 고주파 성분을 생성하는 고주파 성분 생성 회로, 참조 부호 17-1은 고주파 성분의 주파수를 설정하는 주파수 설정용 레지스터(FREQ1 레지스터), 참조 부호 18-1은 고주파 성분의 진폭치 AMP1을 설정하는 진폭 설정용 레지스터, 참조 부호 21-1은 라이트 스트래티지 앤드 HF 온/오프 컨트롤러(13-1)로부터 공급되는 HF1_cont 신호 및 컨트롤러(1)로부터 공급되는 제어 신호 /WR(H=Read, L=Write)에 의해 고주파 성분 생성 회로(15-1)의 출력을 온/오프 제어하는 신호를 생성하는 HF 컨트롤 로직 회로, 참조 부호 16은 반도체 레이저 구동부(14) 및 고주파 성분 생성 회로(15-1)의 출력 전류를 가산하는 가산 회로, 참조 부호 11은 라이트 스트래티지 내장 반도체 레이저 구동 회로(3-1) 내부의 각 레지스터에 값을 설정하기 위해서 컨트롤러(1)로부터의 직렬 데이터를 병렬 데이터로 변환하는 직렬 인터페이스 회로이다.

이하, 제1 실시예의 각 부의 구성 및 동작에 대하여 설명한다. 도 6에 반도체 레이저 구동부(14)의 구성을 나타낸다. 참조 부호 141은 반도체 레이저 다이오드(4)의 출력 전력 Pw를 설정하는 Pw 레지스터, 참조 부호 142는 전력 Per를 설정하는 Per 레지스터, 참조 부호 143은 전력 Pb를 설정하는 Pb 레지스터이다. 참조 부호 144는 기록 전류용 DA 변환 회로, 참조 부호 145는 입력 전류 Iapc_in을 전류 증폭하여 전류 Iread를 출력하는 전류 증폭 앰프, 참조 부호 146은 기록 전류용 DA 변환 회로(144)의 출력 전류 Iwrite와 전류 증폭 앰프(145)의 출력 전류 Iread를 가산하는 가산 회로이다. Pw 레지스터(141), Per 레지스터(142), 및 Pb 레지스터(143)는 각각 OE(출력 인에이블) 단자를 갖고 있고, 각각 라이트 스트래티지 앤드 HF 온/오프 컨트롤러(13-1)로부터 공급되는 제어 신호 OUTE_Pw, OUTE_Per, 및 OUTE_Pb로 제어된다. 이들 제어 신호에 의해 어느 하나의 레지스터 출력이 기록 전류용 DA 변환 회로(144)에 공급된다. 기록 전류용 DA 변환 회로(144)는 입력치에 대응한 전류를 출력하여, 가산 회로(146)를 통해 반도체 레이저 다이오드(4)를 구동한다. 또한 기록 전류용 DA 변환 회로(144)는 제어 신호 /WR(H=Read, L=Write)이 리드 모드일 때는 그 출력이 디스에이블 상태(출력 전류=제로)가 된다. Pw 레지스터(141), Per 레지스터(142) 및 Pb 레지스터(143)의 설정값은 직렬 인터페이스(11)를 통해 컨트롤러(1)에 의해 설정된다.

도 5에 고주파 성분 생성 회로(HFM))(15-1)의 구성을 나타낸다. 참조 부호 151은 고주파 성분의 주파수를 설정하는 FREQ 신호(FREQ1 레지스터(17-1)의 출력)에 대응한 제어 전압 혹은 제어 전류를 출력하는 주파수 설정용 DA 변환 회로, 참조 부호 152는 고주파 성분의 진폭치를 설정하는 AMP 신호(AMP1 레지스터(18-1)의 출력 신호)에 대응한 제어 전압 혹은 제어 전류를 출력하는 진폭 설정용 DA 변환 회로, 참조 부호 153은 고주파 성분을 발생하는 고주파 성분용 발진 회로이다. 이 고주파 성분용 발진 회로(153)의 발진 주파수는 주파수 설정용 DA 변환 회로(151)의 출력으로 제어된다. 참조 부호 154는 가변 전류 이득 증폭 회로에서 고주파 성분용 발진 회로(153)의 출력을 전류 증폭하여 출력한다. 이 출력 전류를 Ihf로 하면, Ihf의 전류 진폭은 진폭 설정용 DA 변환 회로(152)의 출력으로 제어된다.

또한 가변 전류 이득 증폭 회로(154)는 라이트 스트래티지 앤드 HF 온/오프 컨트롤러(13-1)로부터 공급되는 제어 신호 HF_on/off_cont로 그 출력 전류의 온/오프(출력 인에이블/디스에이블)가 제어된다. HF_on/off_cont가 하이일 때 전류 Ihf가 출력되고(on), 로우일 때 차단(off)된다.

도 7에 제1 실시예에서의 라이트 스트래티지 앤드 HF 온/오프 컨트롤러(13-1)의 구성을 나타낸다. 라이트 스트래티지 앤드 HF 온/오프 컨트롤러(13-1)는 참조 부호 131인 라이트 스트래티지부와 참조 부호 132인 제1 고주파 중첩 제어 회로로 구성된다.

라이트 스트래티지부(131)는 이하의 구성 요소로 이루어진다. 참조 부호 131-4는 위상 비교기와 멀티 탭을 갖는 VCO(Voltage Controlled Oscillator)로 구성되는 PLL(Phase Lock Loop)이다. 위상 비교기는 컨트롤러(1)로부터 공급되는 클럭 CLK와 멀티 탭을 갖는 VCO의 출력 신호 chCLK에 대하여 주파수 및 위상 비교를 행하여 그 위상 오차로 멀티 탭을 갖는 VCO의 발진 주파수 및 위상을 제어한다. 이 멀티 탭을 갖는 VCO의 출력 신호 chCTK가 기록 클럭이 된다. 또한 멀티 탭을 갖는 VCO는 40개의 가변 지연 소자로 구성되어 일주 루프를 형성함으로써 발진 회로(링오실레이터)를 구성하고 있다. 각 가변 지연 소자의 출력이 탭으로서 출력된다. 이 탭 출력을 subclk0으로부터 subclk39라고 하면 subclkn과 subclkn+1의 시간차는 기록 클럭 chCLK의 주기 Tw의 40분의 1이 된다. 이 서브 클럭 subclk0-39가 후술하는 타이머에 공급되어 Tw/40의 단위로 OUTE_Pw, OUTE_Per, OUTE_Pb 및 HF1_cont 신호의 제어를 가능하게 하고 있다.

참조 부호 131-1은 마크·스페이스 길이 검출 회로(12)의 검출 결과에 대응하여 기록 클럭 chCLK의 주기 Tw 단위별로 사전에 정한 어드레스 신호 address_1, address_2 및 address_3을 출력한다. 이 어드레스 신호는 후술하는 RAM(1)(131-2), RAM(2)(131-3) 및 제1 고주파 중첩 제어 회로(132)의 RAM(3)(132-1)의 어드레스로서 공급된다.

RAM(1)(131-2) 및 RAM(2)(131-3)은 랜덤 액세스 메모리(Random Access Memory)로, 라이트 스트래티지용 파라미터를 기억한다. 이 실시예에서는, 도 19에 도시한 바와 같이, RAM(1)(131-2)은 Tsfp(Timing for Start of First Pulse)와 Tslp(Timing for Start Last Pulse)와 Tecp(Timing for End of Cooling Pulse) 각각의 16파라미터와 Tsnlp(Timing for Start of Multi Pulse)의 1파라미터의 합계 49파라미터를 기억한다.

Tsfp 파라미터는 선행하는 스페이스 길이 3T, 4T, 5T 및 6T 이상의 4 종류와 기록하는 마크 길이 3T, 4T, 5T 및 6T 이상의 4 종류의 조합으로 이루어지는 16개의 파라미터로 이루어진다. 여기서, Tsfp(3s-4m)란, 선행 스페이스 길이가 3T이고 기록하는 마크 길이가 4T인 경우의 Tsfp(소정의 기준 타이밍으로부터의 시간)를 나타내고 있다. 마찬가지로 Tslp(4m-5s)는 기록하는 마크 길이가 4T에서 후속하는 스페이스 길이가 5T인 경우의 Tslp(소정의 기준 타이밍으로부터의 시간)를 나타내고 있다.

RAM(2)(131-3)은 Tefp(Timing for End of First Pulse)와 Telp(Timing for End of Last Pu1se) 각각의 16파라미터와 Temp(Timing for End of Multi Pulse)의 1파라미터의 합계 33파라미터를 기억한다. Tefp(3s-4m)는 선행하는 스페이스 길이가 3T에서 기록하는 마크 길이가 4T인 경우의 Tefp를 나타내고 있고, Telp(4m-5s)는 기록하는 마크 길이가 4T에서 후속하는 스페이스 길이가 5T인 경우의 Telp를 나타내고 있다.

RAM(1)(131-2) 및 RAM(2)(131-3)은, 전술한 어드레스 신호 address_1, address_2에 의해서 대응하는 파라미터가 선택되고, 그 타이밍 데이터를 출력한다. 타이밍 데이터는 Tw/40을 단위로 한 각 소정의 기준 타이밍으로부터의 시간이다.

Tsfp는 설정 타이밍 후 전력 Pw로 전력 천이하는 것을 의미하고, Tefp는 설정 타이밍 후에 전력 Pb로 천이하는 것을 의미하고, 이하 마찬가지로 Tslp는 Pw로, Telp는 Pb로, Tecp는 Per로, Tsmp는 Pw로, Temp는 Pb로의 천이를 의미하고 있다. 이 때문에, RAM(1)(131-2)은 address_1에 의해 선택된 파라미터가 Pw로의 천이인지 혹은 Per로의 천이인지를 나타내는 신호 Pw/Per를 address_1의 값에 대응하여 출력한다. 한편, RAM(2)(131-3)의 타이밍 파라미터는 전부 Pb로의 천이를 의미하는 파라미터이기 때문에 Pw/Per에 대응하는 신호는 출력하지 않는다.

RAM(1)(131-2) 및 RAM(2)(131-3)은 타이밍 파라미터에 대응하는 어드레스 값인 경우에는 대응하는 타이밍 파라미터의 값을 출력하지만, 타이밍 파라미터 이외의 어드레스가 입력된 경우에는 출력 data=00h를 출력한다.

타이머(1)(131-5)는 Tw 단위로 RAM(1)(131-2)으로부터 공급되는 타이밍 데이터에 대하여 그 값이 00h인지의 여부를 검출한다. 검출 결과가 00h인 경우에는 아무런 동작을 개시하지 않는다. 00h 이외인 경우에는 내부 타이머를 동작시켜 대응하는 타이밍에서 Time_out 신호를 출력한다.

내장 타이머는 chCLK(Tw 주기)와 subclk0∼39(Tw/40 스텝)를 바탕으로 설정된 타이밍을 계측한다.

타이밍 데이터가 00h가 아니고, Pw/Per 신호가 Pw를 나타내고 있는 경우(예를 들면 Tsfp)에는 Pw 출력 단자로부터 Time_out_Pw 신호를 출력한다. Pw/Ter 신호가 Per를 나타내고 있는 경우(예를 들면 Tecp)에는 Per 출력 단자로부터 Time_out_Per 신호를 출력한다. 타이머(2)(131-5)도 마찬가지로, RAM(2)(131-3)으로부터의 타이밍 데이터에 대하여 00h인지의 여부를 검출하고, 검출 결과가 00h가 아닌 경우, 내부 타이머를 동작시켜 대응하는 타이밍에서 Time_out_Pb 신호를 출력한다.

출력 인에이블 신호 생성 회로(131-7)는 타이머(1)(135-5) 및 타이머(2)(131-6)로부터 공급되는 Time_out_Pw, Time_out_Per 및 Time_out_Pb 신호를 바탕으로, OUTE_Pw, OUTE_Per 및 OUTE_Pb 제어 신호를 생성한다. Time_out_Pw 신호에 의해서 OUTE_Pw를 하이(인에이블)로 하고, 다른 제어 신호를 로우(디스에이블)로 한다. 또한 Time_out_Per 신호에 의해서 OUTE_Per를 하이로 하고, 다른 제어 신호를 로우로 한다. 마찬가지로 Time_out_Pb 신호에 의해서 OUTE_Pb를 하이로 하고, 다른 제어 신호를 로우로 한다. 이것에 의해서 하나의 출력 인에이블 신호를 인에이블로 하고, 그 외에 것을 디스에이블로 함으로써 하나의 전력(Pw, Per, Pb 중 어느 하나)을 선택하도록 동작한다.

라이트 스트래티지부(131)의 구체적인 동작 타이밍을 도 22를 이용하여 설명한다. 도 22는 CD-RW나 DVD-RW 기록 시의 동작을 나타낸 것이다. 라이트 스트래티지부(131)는 타이밍 파라미터를 대응하는 기록 매체에 대응하여 설정함으로써 원하는 반도체 레이저 구동 전류를 얻는 것으로, CD-RW나 DVD-RW인 경우가 가장 복잡하고 또한 각 타이밍 파라미터가 유효하게 동작한다. CD-R의 경우에는 특정한 타이밍 파라미터만의 동작으로 원하는 반도체 레이저 구동 전류를 얻을 수 있다. 따라서 여기서는 CD-RW나 DVD-RW 기록 시의 동작으로 라이트 스트래티지부(131)의 동작 타이밍을 설명한다.

도 22의 (1)은 기록 클럭 chCLK, (2)는 /WR 신호, (3)은 라이트 스트래티지부(131)의 내부 타이밍 신호로 컨트롤러(1)로부터 공급되는 NRZ 신호(H=Mark, L=Space)를 일정 시간(Tw 단위) 지연한 신호이다. (4)는 원하는 반도체 레이저 구동 전류를 나타내고 있다. (10-1)은 타이머(1)(131-5)의 동작을, (10-2)는 타이머(2)(131-6)의 동작을 나타내고 있다. (11-1)은 Time_out_Pw 신호, (11-2)는 Time_out_Per 신호 및 (11-3)은 Time_out_Pb 신호를 나타내고 있다. 또한 (5-1)은 OUTE_Pw 제어 신호, (5-2)는 OUTE_Per 제어 신호 및 (5-3)은 OUTE_Pb 제어 신호를 나타내고 있다.

이 도 22에서는 (3)에 도시한 바와 같이 T3∼T5의 3T 구간 및 T9∼T12의 4T 구간이 마크에 대응한다. 라이트 스트래티지부(131)는 이 (3)에 도시하는 지연된 NRZI 신호를 기준으로 동작한다.

타이머(1)(131-5)는 도 22의 (10-1)에 도시한 바와 같이 T2 구간의 개시 타이밍에서 Tsfp의 타이밍 데이터를, T4의 개시 타이밍에서 Tslp의 타이밍 데이터를, T5의 개시 타이밍에서 Tecp의 타이밍 데이터를 취득한다. 이들 타이밍 데이터는 00h가 아닌 유효 데이터이다. 마찬가지로 T8, T10, T11, T12의 각 개시 타이밍에서 Tsfp, Tsmp, Tslp, Tecp의 유효 데이터를 취득한다. 상기 이외의 T 구간에서는 00h가 되는 무효 데이터가 RAM(1)(131-2)으로부터 공급되지만, 무효 데이터이므로 취득하지 않는다.

T2 구간의 개시에서 유효 데이터(00h가 아닌)인 Tsfp를 취득하면 내부 타이머를 동작 개시시키고, 타이밍 데이터에 일치하는 타이밍(Tw/40 단위)에서 (11-1)에 도시한 바와 같이 Time_out_Pw 신호를 출력한다. 이 도 22에서는 내부 타이머의 동작을 화살표로 나타내고 있다. 화살표의 초단이 타이머의 스타트를, 종단이 타임 아웃을 나타내고 있다. (11-1) 및 (11-2)에 도시한 바와 같이 타이머(1)(131-5)가 타임 아웃하면 펄스로 이루어지는 Time_out_Pw 신호 및 Time_out_Per 신호를 출력한다.

마찬가지로 타이머(2)(131-6)는 (10-2)에 도시한 바와 같이 T2, T4, T8, T10 및 T11의 개시 타이밍에서 Tefp, Telp, Tefp, Temp 및 Telp의 유효 데이터를 취득하고 내부 타이머를 동작 개시시켜, 타이밍 데이터에 일치하는 타이밍에서 (11-3)에 도시한 바와 같이 Time_out_Pb 신호를 출력한다.

여기서 Tsfp, Tefp, Tslp, Telp 및 Tecp은 각각 선행 스페이스 길이, 마크 길이 및 후속하는 스페이스 길이의 조합에 대응한 파라미터 값이다. 도면에서는 번잡함을 피하기 위해서, 이 마크 스페이스의 조합치는 기록하지 않는다.

이 도 22에서는 마크 길이가 3T와 4T인 경우를 나타내었지만, 5T인 경우에는 T10 구간에 나타내는 멀티-펄스 상태(Tsmp, Temp)가 1T 구간 삽입된다. 6T 마크인 경우에는 2T 구간 삽입된다. 마찬가지로 하여 마크 길이가 길어지면 이 멀티-펄스 상태가 반복되고, 지연된 NRZI의 마크의 종료 2T 전부터 상태(Tslp, Telp), 상태(Tecp)로 계속된다.

출력 인에이블 신호 생성 회로(131-7)는 (11-1), (11-2), (11-3)에 도시한 타임 아웃 신호에 대응하여, (5-1), (5-2) 및 (5-3)에 도시한 바와 같이 대응하는 출력 레벨(Pw, Per, Pb)을 선택하기 위해, 대응하는 전력의 제어 신호를 하이(인에이블)로 하고, 다른 제어 신호를 로우(디스에이블)로 한다.

이 제어 신호 OUTE_Pw, OUTE_Per, OUTE_Pb가 반도체 레이저 구동부(14)에 공급되어 그 출력 전류를 변화시킨다.

도 8에 제1 실시예에서의 라이트 스트래티지부(131)의 동작 및 그 동작 타이밍을 나타내고 있다. 도 8 내의 (1), (2) 및 (3)은 상기한 도 22와 동일하게, 기록 클럭 chCLK, /WR 신호 및 지연된 NRZI 신호를 나타내고 있다. (4)는 CD-R 기록 시의 원하는 반도체 레이저 구동 전류를 나타내고 있다. (10-1) 및 (10-2)는 마찬가지로 타이머(1)(131-5) 및 타이머(2)(131-6)의 동작을 나타내고 있다. 도 8 내의 타이밍 파라미터의 표시로 폰트를 이탤릭체로 나타낸 파라미터는, 그 값이 00h가 되는 무효 데이터를 나타내고 있다. 따라서 타이머의 동작을 나타내는 화살표는 없다.

CD-R 기록의 경우에는, (4)에 도시한 바와 같이 하나의 기록 펄스로 마크를 형성하고 있다. 이 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류의 개시 타이밍과 종료 타이밍을 마크와 스페이스의 조합으로 미소 조정하여 디스크 상의 마크가 소정의 길이 및 소정의 개시·종료 위치가 되도록 기록 전류 파형을 조정하고 있다. 이 조정은 타이밍 파라미터의 설정값을 마크와 스페이스 길이의 조합에 따라서 각각 값을 바꿈으로써 행해진다. 따라서, (10-1)에 도시한 바와 같이, Tsfp와 Tecp의 타이밍 파라미터가 유효 데이터가 되고 다른 파라미터는 전부 00h가 되는 무효 데이터로 하고 있다.

Tsfp가 마크 기록 전류의 개시 타이밍에 대응하고, Tecp가 마크 기록 전류의 종료 타이밍에 대응한다.

Tsfp에 의해서 타이머(1)(131-5)가 타임 아웃하면 펄스로 이루어지는 Time_out_Pw 신호를 출력한다. Tecp에 의해서 타이머(1)(131-5)가 타임 아웃하면 펄스로 이루어지는 Time_out_Per 신호를 출력한다. 이 타임 아웃 신호에 대응하여 도면 중 (5-1) 및 (5-2)에 도시한 바와 같이 OUTE_Pw 신호 및 OUTE_Per를 출력한다.

도 7에 제1 고주파 중첩 제어 회로(132)의 구성을 나타내고 있다 RAM(3)(132-1)은 상술한 RAM(1)(131-2) 및 RAM(2)(131-3)과 마찬가지 RAM으로, HF의 중첩 개시·종료의 타이밍 파라미터 HF1_on과 HF1_off를 기억한다. RAM(3)(131-1)은 어드레스 생성 회로(131-1)로부터 공급되는 어드레스 신호 address_3으로 제어되어 대응하는 어드레스의 기억 값을 타이밍 데이터로서 출력함과 함께, address_3이 HF1_on의 어드레스 값인지 HF1_off의 어드레스 값인지에 따라 HF1_on/off 신호를 출력한다.

타이머(3)(132-2)는 타이머(1)(131-5)와 동일 구성의 타이머이다. PLL(131-4)로부터 공급되는 subclk0-39의 서브 클럭(Tw/40 스텝)과 기록 클럭 chCLK(Tw 주기)를 바탕으로 설정 시간의 계측을 행하고, 설정값에 일치하면(타임 아웃하면) 펄스를 출력한다. HF1_off의 타이밍 데이터에 대해서는 내부 타이머가 동작 개시 후, 설정 타이밍에 일치하면 타임 아웃하고, HF1_off 단자로부터 펄스를 출력한다. HF1_on의 타이밍 데이터에 대해서는 내부 타이머가 동작 개시 후, 설정 타이밍에 일치하면 타임 아웃하고, HF1_on 단자로부터 펄스를 출력한다. HF1_on 및 HF1_off의 타이밍 데이터는 전술한 라이트 스트래티지부(131)와 마찬가지로 Tw/40을 단위로 한 설정값이다.

참조 부호 132-3은 RS 플립플롭이고, HF1_on 단자의 펄스로 셋트되며, HF1_off 단자의 펄스로 리세트된다. 이 RS 플립플롭(132-3) 출력이 HF1_cont 신호가 된다.

도 8의 (12-1)과 (6-1)에 제1 고주파 중첩 제어 회로(132)의 동작 타이밍을 나타낸다. 이 실시예에서는, 예를 들면 T1 구간의 개시 타이밍에 HF1_off의 타이밍 파라미터를 타이머(3)(132_2)에 취득하여 내부 타이머의 동작을 개시한다. 본 실시예에서는 Tsfp의 타이밍(마크 기록 전류의 개시 타이밍)에 앞서 고주파 성분의 중첩을 정지하기 때문에 HF1_off의 타이밍 파라미터의 취득 타이밍을 Tsfp보다 1T 선행시키고 있다. 고주파 성분의 중첩의 개시는 Tecp의 타이밍(마크 기록 전류의 종료 타이밍)보다 지연하여 개시시키기 때문에, Tecp와 HF1_on의 타이밍 파라미터의 취득 타이밍을 동일하게 하고 있다. (6-1)에 도시한 바와 같이, HF1_off에 의한 타임 아웃에서 HF1_cont 신호는 리세트되고, HF1_on에 의한 타임 아웃으로 세트(하이)된다.

도 9에 제1 실시예의 HF 온/오프 제어 동작을 나타낸다. 도 9의 (1), (2), (3), (4), (5) 및 (6-1)은 도 8과 동일하다. OUTE_Pw가 하이일 때 반도체 레이저 구동 전류는 IPw(Pw 레지스터 선택 상태가 되어 기록 전류 Iw에 리드 전류 Iread가 가산된 전류치)가 되고, OUTE_Per가 하이일 때 IPread(Per 레지스터 선택 상태가 되어 기록 전류 Ier에 Iread가 가산된 전류치)가 된다. CD-R일 때, Per 레지스터의 설정값을 00h로 함으로써 Ier=0로 하여 통상의 재생 시의 전류 Iread와 기록 중인 스페이스 구간의 전류 Iread+Ier을 동일한 값으로 하고 있다.

(7-1)은 HF1_cont 신호와 /WR을 기초로 HF 컨트롤 로직 회로(21-1)에서 생성한 HF_on/off_cont 신호이다. 이 신호가 고주파 성분 생성 회로(HFM)(15-1)의 출력 전류의 온/오프 제어를 행한다. (8)은 고주파 성분 생성 회로(HFM)(15-1)의 출력 전류 Ihf의 온/오프의 모습을 나타내고 있다. 여기서는, HF_on/off_cont 신호에 대하여 출력 전류 Ihf의 제어 지연 시간을 Thfl_turn_off 및 Thfl_turn_on으로 나타내고 있다. 통상 큰 전류(수십㎃ 정도의 전류)의 온/오프 제어는 적지 않게 제어 지연을 발생시킨다.

(4)에 나타내는 Thf1_off 시간은 고주파 성분 Ihf가 차단되고나서 마크 기록 개시 타이밍(OUTE_Pw의 개시 엣지)까지의 시간을 나타내고 있다. 또한, Thfl_on은 마크 기록 종료 타이밍(정확하게는 마크 기록 전류의 하강 시간 Tf로 하면 OUTE_Pw의 종료로부터 Tf 시간 후)으로부터 고주파 성분의 중첩 개시까지의 시간을 나타내고 있다.

이 실시예에서, Thf1_turn_off 시간+Thf1_off 시간이 소정값 이상이 되도록 상술한 HFf1_off의 타이밍 파라미터 값을 Tsfp의 값(마크 기록의 개시 타이밍)의 변화 범위를 고려하여 설정한다. 마찬가지로 Thf1_on 시간이 제로 이상이 되도록 Tecp의 값(마크 기록의 종료 타이밍)의 변화 범위를 고려하여 설정한다. 이 결과 Thf1_off 시간 및 Thf2_on 시간을 제로 이상으로 할 수 있어, 종래 기술에서 진술한 고주파 성분의 중첩에 의한 마크 엣지의 변동을 피할 수 있다.

도 3은 Thf1_off 시간을 고주파 성분의 주기 Tosc의 반 이상으로 한 경우를 나타내고 있다. 점 P에 대하여 점 Q에서 고주파 성분의 중첩이 정지하고 있는 예이다. 도면 중 점선은 도 2에 도시한 예에서 고주파 중첩을 점 P에서 정지한 경우이다. (a) 및 (b)의 경우 모두, 점 Q로부터 점 P의 구간에서 고주파 성분의 중첩을 정지하고 있기 때문에, 모두 점 Q에서 점 P의 구간의 반도체 레이저 구동 전류는 동일하게 되어, 동일한 타이밍에서 마크 형성용 광 출력이 개시한다. 도 2의 (a)의 경우에는 발진 지연을 일으켜 지연시키고, (b)의 경우에는 발진 지연없이 마크 형성용 광 출력이 개시하고 있다.

또한, Toff 기간(Thf_off 기간)을 크게 함으로써, (a)와 (b)의 고주파 성분과 마크 형성 구동 전류의 개시 타이밍의 위상 변동에 의한 마크 초단부에서의 공급 광 에너지의 변동을 작게 할 수 있다.

이상 설명한 예에서는, 도 20의 (1-2)에 도시한 바와 같이, RAM(3)(132-1a)에 기억되는 파라미터는 HF1_off와 HF1_on의 2개의 타이밍 파라미터인 경우였다. 이에 따라 마크 개시 타이밍을 마크·스페이스 길이에 의해서 변화시키면 고주파 중첩의 정지 시간 Thf1_on과 Thf1_off가 변화한다. 정지 시간의 최소값을, 마크 초단 및 종단부에서의 공급 광 에너지 변동이 작고 또한, 디스크 상의 마크의 엣지 변동을 무시할 수 있을 정도로 설정할 필요가 있다.

RAM(3)(131-1a)에 기억하는 HF1_off와 HF1_on의 타이밍 파라미터를 도 20의 (1-1)에 도시한 바와 같이, 라이트 스트래티지의 타이밍 파라미터와 마찬가지로, HF1_off를 선행 스페이스 길이와 기록 마크 길이의 조합에 대응하여 16파라미터로 하고, 또한 HF1_on을 기록 마크 길이와 후속하는 스페이스 길이의 조합에 대응하여 16 파라미터로 할 수 있게 된다. 이 때, RAM(3)(132-1a)의 어드레스 신호 address_3은 라이트 스트래티지부의 RAM(1)(131-2), RAM(2)(131-3)과 마찬가지로 마크·스페이스 길이에 대응한 어드레스 값을 어드레스 생성 회로(131-1)로부터 공급한다.

이것에 의해서, HF1_off(as-bm)를 Tsfp(as-bm)(여기서 a는 스페이스 길이, b는 마크 길이를 나타낸다)의 설정값에 대응하여 스페이스·마크 길이의 조합에 대하여 항상 정지 시간 Thf1_off를 일정하게 할 수 있다. 구체적으로는 대응하는 스페이스·마크 길이의 조합에 있어서 양자의 설정값의 차가 일정값이 되도록 HF1_off(as-bm)을 설정함으로써 실현할 수 있다. 그 결과, 모든 길이의 마크 초단 엣지의 고주파 성분에 의한 영향을 동일하게 할 수 있다. 마찬가지로 HF1_on(bm-as) 와 Tecp(bm-as)의 설정값에 대응하여 마크·스페이스 길이의 조합에 대하여 항상 정지 시간 Thf1_on을 일정하게 하도록 할 수 있다. 그 결과, 모든 길이의 마크 종단 엣지의 고주파 성분에 의한 영향을 동일하게 할 수 있다.

또한, 특정한 타이밍 파라미터 값 HF1_on(bm-as)을 00h로 설정함으로써 특정한 스페이스 길이에서의 고주파 성분의 중첩을 정지할 수도 있다. 예를 들면, 스페이스 길이가 짧은 경우에 고주파 성분의 중첩을 정지할 수 있다. 이에 따라 Thf1_off와 Thf1_on 기간을 스페이스 길이가 짧은 경우에도 크게 하는 것이 가능하고, 보다 고주파 성분의 중첩에 의한 영향(마크 초단, 종단부에서의 광 공급 에너지의 변동)을 저감하는 것이 가능해진다.

이상 설명한 바와 같이, 제1 실시예에서는, CD-R 등의 스페이스 기간에 고주파 성분을 중첩하는 고주파 중첩 방법에 있어서 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류의 개시 타이밍에 선행하여 Thf1_off 시간 고주파 성분의 중첩을 정지함과 함께, 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류의 종료 타이밍 후 Thfl_on 시간 후 고주파 성분의 중첩을 개시하기 때문에, 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류 및 마크 형성용 광 출력의 개시 시 및 종료 시의 고주파 성분의 영향(고주파 성분의 제어 지연 등에 기인한 오버랩에 의한 영향과 발진 지연 변동의 영향)을 피할 수 있다. 또한, Thf1_off 및 Thf1_on 시간을 크게 함으로써, 한층 더 고주파 성분의 영향(마크 초단, 종단부에서의 공급 광 에너지의 변동)을 작게 하는 것이 가능해진다.

(실시예 2)

제2 실시예는 기록 중인 스페이스 기간 및 마크 기간에 고주파 성분을 중첩하는 예로서, 제1 고주파 중첩 제어 회로에 의해 스페이스 기간의 고주파 성분의 중첩 개시, 정지를 제어하고, 제2 고주파 중첩 제어 회로에 의해 마크 기간의 고주파 성분의 중첩 개시, 정지를 제어하는 실시예이다. 예를 들면, 재생 및 기록 중인 스페이스 기간에서의 고주파 중첩과 이것과는 다른 조건의 고주파 성분을 마크 기간에 중첩하는 D-R 기록을 상정한 실시예이다. 또한, 재생 시의 고주파 성분의 중첩과 기록 시의 스페이스 기간에서의 고주파 성분의 중첩을 행하고, 양자의 고주파 성분의 주파수나 진폭이 다른 CD-RW 등의 기록을 상정한 실시예이다.

도 10에 제2 실시예의 구성도를 나타낸다. 제1 실시예와 동일 기능을 갖는 것은 동일한 번호를 붙이고 있다. 제1 실시예와 다른 점은, 제2 조건의 고주파 성분의 주파수를 설정하는 FREQ2 레지스터(17-2), FREQ1 레지스터(17-1)와 FRWQ2 레지스터(17-2)의 출력의 한쪽을 선택하는 전환 회로(19), 제2 조건의 고주파 성분의 진폭을 설정하는 AMP2 레지스터(18-2), AMP1 레지스터(18-1)와 AMP2 레지스터(18-2)의 출력의 한쪽을 선택하는 전환 회로(20)를 추가한 점이다. 또한 라이트 스트래티지 앤드 HF 온/오프 컨트롤러(13-1)에 제2 HF 온/오프 회로를 설치하여 HF1_cont 신호와 함께 HF2_cont 신호를 출력하도록 한 라이트 스트래티지 앤드 HF 온/오프 컨트롤러(13-2)로 한 점이다. 또한, HF 컨트롤 로직을 /WR 신호와 HF1_cont 신호 및 추가한 HF2_cont 신호로 HF_1/2_select 신호를 출력하고 전술한 전환 회로(19, 20)를 제어함과 함께, HF_on/off_cont 신호를 출력하고, 고주파 성분 생성 회로(HFM)(15-1)의 고주파 성분 Ihf의 출력 개시, 정지를 제어하는 HF 컨트롤 로직 회로(21-2)로 한 점이다.

도 11에 제2 실시예의 라이트 스트래티지 앤드 HF 온/오프 컨트롤러(13-2)의 구성을 나타낸다. 제1 실시예의 라이트 스트래티지 앤드 HF 온/오프 컨트롤러(13-1)와 다른 점은, 제2 고주파 중첩 제어 회로(133)를 추가한 점이다.

도 11에 도시한 바와 같이, 제2 고주파 중첩 제어 회로(133)의 구성은 제1 고주파 중첩 제어 회로(132)와 동일한 구성이다. RAM(4)(133-1)은 제2 조건의 HF 중첩 개시·종료 타이밍 파라미터 HF2_on 및 HF2_off를 기억한다. 이 실시예에서는, HF2_on 및 HF2_off 파라미터는 도 20의 (2-1)에 도시한 바와 같이 각각 마크·스페이스 길이의 조합에 대응하고 16종의 파라미터이다. 또한 제1 고주파 중첩 제어 회로의 RAM(3)(131-1)에 기억하는 HF1_on 및 HF1_off 파라미터는, 도 20의 (1-1)에 도시한 바와 같이, 각각 마크·스페이스 길이의 조합에 대응하고 16종의 파라미터이다.

RAM(4)(133-1)은 RAM(3)(132-1)과 마찬가지로, 어드레스 생성 회로(131-1)로부터 공급되는 어드레스 신호 address_4로 제어되어 대응하는 어드레스의 기억값을 타이밍 데이터로서 출력함과 함께, address_4가 HF2_on의 어드레스 값인지 HF2_off의 어드레스 값인지에 의해서 HF2_on/off 신호를 출력한다.

타이머(4)(133-2)는 타이머(3)(132-2)와 동일 구성의 타이머이다. PLL(131-4)로부터 공급되는 subclk0-39의 서브 클럭(Tw/40)과 기록 클럭 chCLK(Tw 주기)를 바탕으로 설정 시간의 계측을 행하여, 설정값에 일치하면(타임 아웃하면) 펄스를 출력한다. HF2_off의 타이밍 데이터에 대해서는 설정 타이밍에 일치하면 타임 아웃하고, HF2_off 단자로부터 펄스를 출력한다. HF2_on의 타이밍 데이터에 대해서는 설정 타이밍에 일치하면 타임 아웃하고, HF2_on 단자로부터 펄스를 출력한다. HF2_on 및 HF2_off의 타이밍 데이터는 상술한 라이트 스트래티지부(131)와 마찬가지로 Tw/40을 단위로 한 설정값이다. 참조 부호 133-3은 RS 플립플롭이고, HF2_on 단자의 펄스로 세트되고, HF2_off 단자의 펄스로 리세트된다. 이 RS 플립플롭(133-3)의 출력이 HF2_cont 신호가 된다.

다음에, 스페이스 기간(및 리드 기간)과 마크 기간에 다른 조건의 고주파 성분을 중첩하는 예로서, 제2 실시예를 CD-R 기록에 적용한 예를 나타낸다.

도 12에 제2 실시예를 CD-R 기록에 적용한 경우의 라이트 스트래티지 앤드 HF 온/오프 컨트롤러(13-2)의 동작 타이밍을 나타낸다. 제1 실시예의 라이트 스트래티지 앤드 HF 온/오프 컨트롤러(13-1)의 동작 타이밍과 다른 점은, 도 12 내의 (12-2)에 나타내는 제2 고주파 중첩 제어 회로(133)의 동작과 (6-2)에 나타내는 그 출력 신호 HF2_cont가 추가된 점이다.

이 실시예에서는, 예를 들면 T2 구간의 개시 타이밍에 HF2_on의 타이밍 파라미터를 타이머(4)(133-2)에 취득하여 내부 타이머의 동작을 개시한다. 제2 고주파 중첩 제어 회로는 마크 기간의 고주파 성분의 중첩 개시, 정지를 제어한다. Tsfp의 타임 아웃 이후에 고주파 중첩을 개시하기 위해서, HF2_on의 타이밍 파라미터의 취득을 Tsfp의 그것과 동일한 타이밍으로 하고 있다. 마크 기간 중의 고주파 성분의 정지는 Tecp(마크 기록 전류의 종료 타이밍)에 앞서서 행하기 때문에, HF2_off의 타이밍 파라미터의 취득 타이밍을 Tecp의 그것보다 1T 선행시키고 있다.

도 12 내의 (6-2)에 도시한 바와 같이, HF2_off에 의한 타임 아웃(도 12 내의 화살표의 종단 타이밍)에서 HF2_cont 신호는 리세트되고, HF2_on에 의한 타임 아웃에서 세트(하이)된다. 도 12 내의 T2 개시 타이밍에서의 HF2_on에 의한 타이머(4)(133-2)의 동작을 나타내는 화살표가 점선으로 되어 있는 것은, 이 타이밍에서의 마크·스페이스 길이의 조합의 HF2_off(as-bm) 타이밍 파라미터 값을 00h로 하여 타이머(4)(133-2)를 동작시키지 않은 것을 나타내고 있다. 이 타이밍 파라미터 값을 00h 이외의 유효값으로 설정하면, 예를 들면 점선과 같은 동작을 한다.

이것은 마크·스페이스 길이의 조합에 대응하여 HF2_on(as-bm)의 값을 00h인지 유효값으로 하는지에 따라, 특정한 마크에 고주파 중첩을 하는지의 여부를 제어할 수 있다. 예를 들면 6T 이상의 마크에만 고주파 중첩을 행하는 것이 가능하다. 또한 제1 실시예와 마찬가지로, 특정한 스페이스에 고주파 중첩을 하는지의 여부를 HF1_on(bm-as)의 타이밍 파라미터 값을 설정(00h인지 유효 데이터인지)함으로써 제어할 수 있다.

이에 따라 소정값 이하의 마크 기간이나 스페이스 기간에서의 고주파 성분의 중첩을 정지하고, 고주파 성분의 중첩에 의한 영향(마크 초단부, 종단부에서의 광 공급 에너지의 변동)을 보다 저감할 수 있다.

도 13에 제2 실시예를 CD-R 기록에 적용한 경우의 HF 온/오프 제어 동작을 나타낸다. 제1 실시예와 다른 점은 마크 기간에 제2 조건의 고주파 성분을 중첩한 점이다. 도 13의 (1), (2), (3), (5) 및 (6-1)은 제1 실시예의 도 9와 동일하다. (6-1)은 상술한 바와 같이 제1 고주파 중첩 제어 회로(132)의 출력 신호 HF1_cont이고, (6-2)는 본 실시예에서 추가된 제2 고주파 중첩 제어 회로(133)의 출력 신호 HF2_cont이다. (7-1)과 (7-2)는 도 10에 도시한 HF 컨트롤 로직 회로(21-2)의 출력 신호이다. HF 컨트롤 로직 회로(21-2)는 HF1_cont 신호와 HF2_cont 신호 및 /WR 신호를 바탕으로 (7-1)에 나타내는 HF_on/off_cont 신호와 (7-2)에 나타내는 HF_1/2_select 신호를 생성한다. 이 HF_on/off_cont 신호는 고주파 성분 생성 회로(HFM)(15-1)의 출력 전류 Ihf의 온/오프 제어를 행한다. 또한 HF_1/2_select 신호는, 도 10에 도시한 바와 같이 전환 회로(19, 20)를 제어한다. HF_1/2_select 신호가 하이인 경우에는 FREQ1 레지스터(17-1) 출력과 AMP1 레지스터(18-1) 출력을 선택하여, 고주파 성분 생성 회로(HFM)(15-1)에서 제1 조건의 고주파 신호를 생성하게 한다. 또한, HF_1/2_select 신호가 로우인 경우에는 FREQ2 레지스터(17-2) 출력과 AMP2 레지스터(18-2) 출력을 선택하여, 고주파 성분 생성 회로(HFM)(15-1)에서 제2 조건의 고주파 신호를 생성하게 한다. 스페이스 기간이 제1 조건의 고주파 성분의 중첩이 되고, 마크 기간이 제2 조건의 고주파 성분의 중첩이 된다.

도 13의 (8)에 고주파 성분 생성 회로(HFM)(15-1)의 출력 전류 Ihf의 온/오프의 모습을 나타내고 있다. 스페이스 기간의 제1 고주파 성분 중첩은 제1 실시예와 동일하다. 제2 고주파 중첩에 있어서, HF_on/off_cont 신호에 대하여 출력 전류 Ihf의 제어 지연 시간을 Tfh2_turn_off 및 Tfh2_turn_on으로 나타내고 있다.

도 13의 (4)에 나타내는 Tfh2_off 시간은, 제2 고주파 성분 Ihf가 차단되고나서 마크 기록 종료 타이밍까지의 시간을 나타내고 있다. 또한, Thf2_on 시간은 마크 기록 개시 타이밍에서 제2 고주파 성분의 중첩 개시까지의 시간을 나타내고 있다.

스페이스 기간에서의 제1 고주파 성분 중첩에 있어서, Thf1_turn_off 시간+Tfh1_off 시간이 소정값 이상이 되도록 하기 위한 HF1_off의 타이밍 파라미터 HF1_off(as-bm)의 설정 및, Thf1_on 시간이 제로 이상으로 되도록 하기 위한 Thfl_on의 타이밍 파라미터 HF1_on(bm-as)의 설정은 제1 실시예와 동일하다.

또한, 마크 기간에서의 제2 고주파 성분의 중첩에 있어서도, Thf2_turn_off 시간+Thf2_off 시간이 소정값 이상이 되도록 HF2_off의 타이밍 파라미터 HF2_off(bm-as)의 설정값을, Tecp의 값(마크 기록 종료 타이밍)에 대응하여 설정한다. 또한, Thf2_on 시간이 제로 이상으로 되도록 Tfh2_on의 타이밍 파라미터 HF2_on(as-bm)의 설정값을 Tsfp의 값(마크 기록 개시 타이밍)에 대응하여 설정한다.

이 결과, 마크 기록 개시 타이밍의 선행 Tfh1_off 시간과 그 후의 Tfh2_on 시간 동안, 고주파 성분의 중첩이 정지된다. 또한, 마크 기록 종료 타이밍의 선행 Thf2_off 시간과 그 후의 Thf1_on 시간 사이, 고주파 성분의 중첩이 정지된다.

이상 설명한 바와 같이, 제2 실시예를 CD-R 등의 스페이스 기간 및 마크 기간에 다른 조건의 고주파 성분을 중첩하는 방법에 있어서, 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류의 개시 타이밍의 전후의 Thf1_off 시간과 Thf2_on 시간 동안, 고주파 성분의 중첩을 정지함과 함께, 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류의 종료 타이밍의 전후의 Thf2_off 시간과 Thf1_on 시간 사이, 고주파 성분의 중첩을 정지하기 때문에, 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류 및 마크 형성용 광 출력의 개시 및 종료 시의 고주파 성분의 영향(고주파 성분의 제어 지연 등에 기인한 오버랩에 의한 영향과 발진 지연 변동의 영향)을 피할 수 있다. 또한 상기 고주파 중첩 정지 구간을 확대함으로써, 한층 더 고주파 성분의 영향(마크 초단, 종단부에서의 공급 광 에너지의 변동)을 작게 하는 것이 가능해진다.

또한, 스페이스 길이가 소정값에 이르지 않은 경우에는 고주파 성분의 중첩을 행하지 않는다. 이것에 의해서, 스페이스 길이가 짧은 경우에, 후속하는 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류의 개시에 대한 고주파 성분의 영향을 피할 수 있다. 결과적으로 Thf1_off, Thf1_on의 값을 크게 할 수 있어, 고주파 성분의 영향을 피하는 것이 가능해진다.

또한, 마크 길이가 소정값에 이르지 않은 경우에는 고주파 성분의 중첩을 행하지 않는다. 이것에 의해서, 마크 길이가 짧은 경우에, 마크 형성 구간에서의 고주파 성분의 중첩을 정지하여, 마크 형성 시의 고주파 성분의 영향을 피할 수 있다. 결과적으로 Thf2_off, Thf2_on의 값을 크게 할 수 있어, 마크 형성 시에 중첩하는 고주파 성분의 영향을 피할 수 있다.

다음에, 리드 기간과 스페이스 기간에 다른 조건의 고주파 성분을 중첩하는 예로서, 제2 실시예를 CD-RW 기록에 적용한 예를 나타낸다.

도 14에 제2 실시예를 CD-RW 기록에 적용한 경우의 라이트 스트래티지 앤드 HF 온/오프 컨트롤러(13-2)의 동작 타이밍을 나타낸다. 도 14 중 (4)에 나타내는 원하는 반도체 레이저 구동 전류에 대한 라이트 스트래티지부(131)의 동작을 도면 중 (10), (11) 및 (5)에 나타내고 있다. (10-1)은 타이머(1)(131-5)의 동작, (10-2)는 타이머(2)(131-6) 동작, (11-1) 및 (11-2)는 타이머(1)(131-5)가 출력하는 Time_out_Pw 신호와 Time_out_Per 신호이고, (11-3)은 타이머(2)가 출력하는 타이머_out_Pb 신호이다. (5-1)의 OUTE_Pw, (5-2)의 OUTE_Per 및 (5-3)의 OUTE_Pb 신호는 라이트 스트래티지부(131)의 출력 신호이다. 이 CD-RW 시의 동작에 관해서는 이미 상술하였다.

도 14의 (12)는 이 실시예에서의 HF_on/off 제어 회로의 동작을 나타내고 있다. (12-1)은 제1 고주파 중첩 제어 회로(132)의 동작을, (12-2)는 제2 고주파 중첩 제어 회로(133)의 동작을 나타내고 있다. (12-1)에 나타낸 제1 고주파 중첩 제어 회로(132)의 동작은 상술한 CD-R 기록에 적용한 경우의 동작(도 12)과 동일하다.

이 CD-RW 경우에서는, 기록 중의 스페이스 기간에만 고주파 성분의 중첩을 행하도록 하기 때문에, 그 설정값 HF2_on 및 HF2_off의 파라미터 값을 전부 00h로 설정하고, /WR=L(Write) 중의 제2 HF_on/off 제어 회로(133)의 동작을 정지시키고 있다.

상술한 CD-R 경우와 다른 점은, 도면 중 (6-1) 및 (6-2)에 도시한 바와 같이, /WR=H(Read) 기간에서, HF1_cont 신호를 로우(디스에이블), HF2_cont 신호를 하이(인에이블)가 되도록, /WR=H 기간의 양자의 레벨 설정을 바꾼 것이다. 전자의 CD-R 경우에는 도 12의 (6-1) 및 (6-2)에 도시한 바와 같이, CD-RW 경우와는 반대로, /WR=H 기간에서, HF1_cont 신호를 하이(인에이블), HF2_cont 신호를 로우(디스에이블)로 하고 있다.

이 /WR=H 구간의 HF1_cont 및 HF2_cont의 레벨 설정은, 도시하지 않은 HF_cont 신호 레벨 설정 회로에 의해 HF1_cont 및 HF2_cont 신호를 출력하는 RS 플립플롭(132-3, 133-3)을 /WR 신호를 바탕으로 세트, 리세트함으로써 행하고, 어느 하나를 세트하고 다른 쪽을 리세트할지는 컨트롤러(1)에 의해 직렬 인터페이스를 통해 그 모드를 설정함으로써 행한다.

이 모드 설정에 의해, 상술한 CD-R 경우에서는 /WR=H(리드) 기간과 스페이스 기간에 제1 조건의 고주파 성분을 중첩하고, 마크 기간에 제2 조건의 고주파 성분의 중첩을 행하고 있다. 이에 대하여, CD-RW 경우에서는 /WR=H(리드) 기간에 제2 조건의 고주파 성분을 중첩하고, 스페이스 기간에 제1 조건의 고주파 성분의 중첩을 행한다.

도 15에 제2 실시예를 CD-RW 기록에 적용한 경우의 HF 온/오프 제어 동작을 나타낸다. 도 15 중 (8)에 HF 온/오프 제어된 결과의 고주파 성분 생성 회로(HFM)(15-1)의 출력 전류 Ihf의 모습을 나타낸다. 스페이스 기간의 제1 고주파 성분 중첩은 상술한 CD-R 경우와 동일하다. Thf1_on 및 Thf1_off를 소정 시간 이상으로 하는 설정에 대한 내용은 CD-R 경우와 동일하다. 단, 전력 Per에서 고주파 성분을 중첩하기 때문에, 제1 고주파 성분의 조건(설정값)인 FREQ1와 AMP1의 설정값은 전력 Pread에서 고주파 중첩하는 D-R의 고주파 성분의 설정값과는 다른 값으로 된다.

이상 설명한 바와 같이, 제2 실시예를 CD-RW에 적용한 경우에도, 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류의 개시 타이밍에 선행하여 Thf1_off 시간 고주파 성분의 중첩을 정지함과 함께, 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류의 종료 타이밍 후 Thf1_off 시간 후, 고주파 성분의 중첩을 개시하기 때문에, 고주파 성분의 영향(고주파 성분의 제어 지연 등에 기인한 오버랩에 의한 영향과 마크 초단, 종단부에서의 공급 광 에너지의 변동)을 작게 하는 것이 가능해진다.

(실시예 3)

제3 실시예는 제2 실시예에서 고주파 성분을 컨트롤러로부터 공급되는 클럭 CLK로부터 체배하여 생성하고 기록 클럭과 동기화시켜, 그 체배수 N 및 고주파 성분 신호의 듀티를 가변함으로써 최적의 고주파 중첩 조건을 실현하는 실시예이다.

도 16에 제3 실시예의 구성도를 나타낸다. 제1 및 제2 실시예와 동일 기능을 갖는 것은 동일한 번호를 붙이고 있다. 제2 실시예와 다른 점은 고주파 성분 생성 회로(HFM)의 내부 구성을 변경한 것(후술함)이다. 또한, 제1 체배수 N1을 설정하는 분주 N1 레지스터(22-1), 제2 체배수 N2를 설정하는 분주 N2 레지스터(22-2) 및 한쪽 레지스터 출력을 선택하는 전환 회로(25)를 추가한 것이다. 또, 제1 고주파 성분 신호의 듀티를 설정하는 Duty1 레지스터(23-1), 제2 고주파 성분 신호의 듀티를 설정하는 Duty2 레지스터(23-2) 및 한쪽 레지스터 출력을 선택하는 전환 회로(24)를 추가한 것이다. 또, 제2 실시예의 제2 고주파 성분의 주파수를 설정하는 FREQ2 레지스터(17-2)(도 10)를 삭제하고, 제1 고주파 성분의 주파수를 설정하는 FREQ1 레지스터(17-1)만으로 한 것이다.

도 17에 제3 실시예에서의 고주파 성분 생성 회로(HFM)(15-2)의 구성을 나타낸다. 참조 부호 151은 고주파 성분의 주파수를 설정하는 FREQ1 신호(FREQ1 레지스터(17-1)의 출력)에 대응한 제어 전압 혹은 제어 전류를 출력하는 주파수 설정용 DA 변환 회로, 참조 부호 152는 고주파 성분의 진폭값을 설정하는 AMP 신호(전환 회로(20)의 출력)(도 16)에 대응한 제어 전압 혹은 제어 전류를 출력하는 진폭 설정용 DA 변환 회로이고, 제1 및 제2 실시예에서의 고주파 성분 생성 회로(HFM)(15-1)(도 10)와 동일하다.

참조 부호 155는 컨트롤러(1)로부터 공급되는 클럭 CLK와 HF용 분주 회로(157)의 출력 주파수 및 위상을 비교하는 위상 비교 회로, 참조 부호 158은 주파수 설정용 DA 변환 회로(151)와 위상 비교 회로(155)의 한쪽 출력을 선택하는 전환 회로, 참조 부호 156은 전환 회로(158)로부터의 출력 전압 혹은 출력 전류에 대응하여 그 발진 주파수를 바꾸는 HF용 VCO(혹은 ICO: 전류 제어 발진기)이다. 이 HF용 VCO는 라이트 스트래티지부(131)에 이용되는 PLL(131-4)을 구성하는 멀티 탭을 갖는 VCO와 동일한 구성으로, 예를 들면 8개의 가변 지연 소자를 링형상으로 하여 링오실레이터를 형성하고 있다. 참조 부호 159는 Duty_set 신호(전환 회로(24)의 출력)에 대응하여 HF용 VCO(156)의 각 탭 출력 신호 Tap_0-Tap_7을 바탕으로 고주파 성분 신호의 듀티를 제어하는 HF 듀티 제어 회로이다. 참조 부호 154는 가변 전류 이득 증폭 회로로, 상술한 고주파 성분 생성 회로(HFM)(15-1)와 동일하다.

다음에, 제3 실시예에서의 고주파 성분 생성 회로(HFM)(15-2)의 동작에 대하여 설명한다. 동기/비동기_sel 신호에 의해서 전환 회로(158)가 주파수 설정용 DA 변환 회로(151)의 출력을 선택한 경우, HF용 VCO(156)는 제1 실시예와 마찬가지로 FREQ1 레지스터(17-1)의 출력값에 대응한 주파수를 발진한다. 한편, HF용 위상 비교기(155)의 출력이 선택된 경우에는 이 HF용 위상 비교기(155)의 출력값에 대응한 주파수로 발진한다. 이 HF용 VCO(156)의 출력 신호는 HF용 분주 회로(157)로 분주된다. 분주수 N은 분주 N1 레지스터(22-1), 분주 N2 레지스터(22-2)로 설정된다. 분주수 N은 양의 정수값이고, N에 비례하여 HF용 VCO(156)의 발진 주파수는 커진다. 이 N 분주된 신호가 HF용 위상 비교기에서 CLK와 위상이 비교되어 위상차에 대응한 출력으로 HF용 VCO의 발진 주파수를 제어한다. 소위 PLL을 구성하고 있다. 이 결과 HF용 VCO의 출력 신호는 컨트롤러(1)로부터의 클럭 CLK에 동기함과 함께 그 N배의 주파수가 된다.

HF용 VCO(156)는 VCO을 구성하는 8개의 가변 지연 소자의 각 소자 출력을 탭 출력으로서 Tap_0으로부터 Tap_7 신호를 출력하여, HF 듀티 제어 회로(159)에 공급한다.

도 18에 HF 듀티 제어 회로(159)의 동작 타이밍을 나타낸다. 도 18 중 (1)은 탭 신호 Tap_0으로부터 Tap_7을 나타내고 있다. (2)는 HF 듀티 제어 회로(159)의 출력 신호 예를 나타내고 있다. (2-1)은 Tap_0 신호를 그대로 출력한 경우이고, 이 때의 듀티는 50%이다. (2-2)는 Tap_0과 Tap_1의 AND 논리에 의해 생성된 것으로, 듀티는 37.5%로 하고 있다. (2-3)은 Tap_0과 Tap_2의 AND 논리에 의해 생성된 것으로, 듀티는 25%로 하고 있다. (2-4)는 Tap_0과 Tap_3의 AND 논리에 의해 생성된 것으로, 듀티는 12.5%로 하고 있다.

(2-5) 내지 (2-7)은, 또한 Tap-4로부터 Tap-7 신호를 이용하여 생성된 것으로, (2-5)는 duty=75%로 배(2배) 주파수, (2-6)은 duty=50%으로 배 주파수, (2-7)은 duty=25%로 배 주파수로 하고 있다. 이들의 생성 논리는 도 18 내에 나타나 있다. (2-5) 내지 (2-7)에 나타낸 바와 같이 HF용 VCO(156)의 발진 주파수의 2배의 주파수의 고주파 성분을 생성할 수 있기 때문에 주파수의 가변 범위를 확대할 수 있다.

이들 (2-1) 내지 (2-7) 중 어느 하나를 출력시킬지는 도 16에 도시한 Duty1 레지스터(23-1)와 Duty2 레지스터(23-2)의 설정값으로 선택한다.

이 고주파 성분의 듀티를 가변함으로써, 반도체 레이저 다이오드(4)의 발진 임계치 Ith 이상의 구동 전류의 시간 tover를 가변하게 된다. 이것은 통상의 듀티가 50%인 고주파 성분의 주파수를 가변하여 tover 시간을 바꾸는 것과 거의 등가로 된다.

도 21에 제3 실시예를 스페이스 기간 및 마크 기간에 고주파 성분을 중첩하는 상술한 CD-R 기록에 적용한 경우의 동작 타이밍을 나타낸다. 이 예에서는, 동기/비동기_sel 신호를 도 21의 (9)에 도시한 바와 같이, /WR 신호가 하이(리드)인 구간은 하이(비동기), /WR 신호가 로우(라이트)인 기간은 로우(클럭 동기)로 하고 있다. 따라서, 리드 기간 중에는 종래와 마찬가지로 FREQ1 레지스터(17-1)의 설정값에 대응한 주파수의 고주파 성분의 중첩을 행한다. 라이트 기간 중에는, HF용 VCO(156)은 HF용 위상 비교기(155)로 제어되어 컨트롤러(1)로부터 공급되는 클럭 신호 CLK에 동기한 신호를 출력한다. 라이트 스트래티지부(131)도 컨트롤러(1)로부터의 클럭 신호 CLK를 PLL(131-4)로 체배한 기록 클럭 chCLK을 이용하여 동작한다. 따라서, 기록 클럭과 고주파 성분의 신호가 CLK를 통하여 동기화된다.

도 21의 (7-1) 및 (7-2)에 도시한 바와 같이, HF_on/off_cont 신호가 하이(HF on)이고 HF_1/2_select 신호가 하이(HF1)인 경우에는, 분주 N1 레지스터(22-1), Duty1 레지스터(23-1) 및 AMP1 레지스터(18-1)가 선택되어 대응하는 주파수, 듀티 및 진폭치의 고주파 성분이 고주파 성분 생성 회로(HFM)(15-2)로부터 출력되어 반도체 레이저 구동 전류에 중첩된다. 또한, HF_1/2_select 신호가 로우(HF2)인 경우에는 분주 N2 레지스터(22-2), Duty2 레지스터(23-2) 및 AMP2 레지스터(18-2)가 선택되어 대응하는 주파수, 듀티 및 진폭치의 고주파 성분이 반도체 레이저 구동 전류에 중첩된다.

도 21의 (8)에 고주파 성분 생성 회로(HFM)(15-2)의 출력 전류 Ihf의 모습을 나타내고 있다. 또한, (4)에 반도체 레이저 구동 전류에 Ihf가 중첩되어 있는 모습을 나타내고 있다.

이상 설명한 바와 같이, 제3 실시예에서는 고주파 성분의 신호를 기록 클럭에 동기화시키기 때문에, 제1 및 제2 실시예와 같은 고주파 성분과 마크 기록 개시 위치 및 종료 위치와의 위상이 변동하지 않고, 항상 일정한 위상 관계로 되어, 마크 형성의 초단 및 종단에의 고주파 성분의 영향이 항상 일정해진다. 따라서, 제2 실시예의 효과 외에, 고주파 성분의 비동기성에 수반되는 마크 기록 개시 및 종료 위치에서의 광 공급 에너지의 변동을 피할 수 있다.

또한, 고주파 성분의 기록 클럭과의 동기화에 있어, 기준 클럭 CLK의 체배수 N의 가변, 고주파 성분 신호의 듀티의 가변을 가능하게 하기 때문에, 원하는 광 출력의 펄스폭을 얻는 것이 가능해진다. 따라서, 등가적으로 최적 주파수로 설정한 것과 등가인 광 펄스를 얻을 수 있어, 종래의 고주파 성분의 발생 방법과 동등한 최적 조건을 설정하는 것이 가능해진다.

또한, 종래에 비하여 낮은 주파수로 듀티를 작게 함으로써, 등가적으로 높은 주파수의 중첩과 동등한 효과가 얻어지기 때문에 고주파 성분 발생 회로 자신의 동작 주파수를 종래에 비하여 저하시킬 수 있다. 또한 광 디스크 장치로서도 낮은 주파수의 고주파 성분으로 함으로써, 장치 전력 및 불필요 복사 등을 경감하는 것이 가능해진다.

(실시예 4)

제1 내지 제3 실시예에 있어서, 제1 및 제2 고주파 중첩 제어 회로를 위해 각각 새롭게 HF 온/오프 제어용의 타이머를 설치한 예를 설명하였지만, 라이트 스트래티지부의 타이머를 이용하여 등가적으로 HF 온/오프 제어하도록 해도 된다.

또한, 라이트 스트래티지부의 출력 신호를 이용하여, 리드 구간 및 Per 구간에서 HF 중첩을 행하도록 하고, 마크 기록 개시 타이밍에 선행하고 Per와 동일한 전력 레벨로 Per와는 다른 전력 상태(예를 들면 Tb나 Per1 등)를 삽입하여 스페이스 구간에서의 HF의 정지 제어를 행해도 된다.

마찬가지로 마크 기록 종료 타이밍 후에 소정 시간 Per와 동일한 전력 레벨로 Per와는 다른 전력 상태(예를 들면 Pb나 Per2 등)를 삽입하여 스페이스 구간에서의 HF의 중첩 개시 제어를 행해도 된다. 이 경우, Per에서 HF 중첩하고, Pb나 Per1나 Per2로는 HF 중첩 정지가 되도록 HF 컨트롤 로직을 형성하면 된다.

이들에 의해, 필요한 타이머의 수를 늘리지 않고 HF 온/오프 제어를 행할 수 있기 때문에, 이 결과 타이머 회로의 회로 규모를 저감시킬 수 있다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 고주파 성분의 중첩에 의한 마크 초단 및 종단의 디스크 상에서의 위치의 변동을 피할 수 있다. 이 결과, 고속 기록에서의 지터 열화를 방지하는 것이 가능해진다.

도 1은 반도체 레이저 구동 전류에 고주파 성분을 중첩하면 고주파 성분의 위상에 따라 반도체 레이저 구동 전류의 변화 타이밍이 변동하는 형상을 도시하는 도면.

도 2는 고주파 성분과 마크 형성 구동 전류 개시 타이밍의 위상 변동에 의한 마크 초단부에서의 공급 광 에너지의 차 및 반도체 레이저의 발진 지연에 의한 마크 형성용 광 출력이 지연되는 모습을 도시하는 도면.

도 3은 본 발명의 마크 형성용 레이저 구동 전류의 개시 타이밍(점 P)보다 Toff 시간 선행하여 고주파 중첩을 정지하는 모습을 도시하는 도면.

도 4는 제1 실시예의 구성도(스페이스 기간에 HF 중첩).

도 5는 고주파 성분 생성 회로(HFM)(15)의 구성도.

도 6은 반도체 레이저 구동부(14)의 구성도.

도 7은 제1 실시예에서의 라이트 스트래티지(Write Strategy) 앤드 고주파 중첩 제어 회로(13-1)의 구성도.

도 8은 제1 실시예에서의 라이트 스트래티지 앤드 고주파 중첩 제어 회로(13-1)의 동작을 설명하는 타이밍도(CD-R인 경우).

도 9는 제1 실시예에서의 HF 온/오프 동작을 설명하는 타이밍도(CD-R인 경우).

도 10은 제2 실시예의 구성도(스페이스 앤드 마크 기간에 HF 중첩).

도 11은 제2 실시예에서의 라이트 스트래티지 앤드 고주파 중첩 제어 회로(13-2)의 구성도.

도 12는 제2 실시예에서의 라이트 스트래티지 앤드 고주파 중첩 제어 회로(13-2)의 동작을 설명하는 타이밍도(CD-R인 경우).

도 13은 제2 실시예에서의 HF 온/오프 동작을 설명하는 타이밍도(CD-R인 경우).

도 14는 제2 실시예에서의 라이트 스트래티지 앤드 고주파 중첩 제어 회로(13-2)의 동작을 설명하는 타이밍도(CD-RW인 경우).

도 15는 제2 실시예에서의 HF 온/오프 동작을 설명하는 타이밍도(CD-RW인 경우).

도 16은 제3 실시예의 구성도(HF의 기록 클럭에의 동기화 및 HF의 듀티 제어화).

도 17은 제3 실시예에서의 고주파 성분 생성 회로(HFM)(15-2)의 구성도.

도 18은 제3 실시예에서의 고주파 성분 생성 회로(HFM))(15-2)의 HF 듀티 제어의 동작을 설명하는 타이밍도.

도 19는 라이트 스트래티지부의 라이트 스트래티지 파라미터를 기억하는 RAM(1), RAM(2)을 설명하는 도면.

도 20은 HF 온/오프 제어용 타이밍 파라미터를 기억하는 RAM(3), RAM(4)을 설명하는 도면.

도 21은 제3 실시예에서의 HF 온/오프 동작을 설명하는 타이밍도(CD-R인 경우).

도 22는 제1 실시예에서의 라이트 스트래티지 앤드 고주파 중첩 제어 회로(13-2)의 동작을 설명하는 타이밍도(CD-RW인 경우).

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 컨트롤러

2 : 플렉시블 케이블

3-1 : 라이트 스트래티지 내장 반도체 레이저 구동 회로

4 : 반도체 레이저 다이오드

5, 9 : 수광 소자

6, 10 : 전류·전압 변환 회로

7 : 샘플/홀드 회로

8 : 오토 리드 전력 제어 회로

Claims

광 디스크 상에 마크 또는 스페이스를 형성함으로써 정보를 기록하는 광 디스크 장치에 있어서,

복수 레벨의 전류치로 구성되고 마크 길이에 따른 구동 파형으로 이루어지는 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류, 및 적어도 1 레벨의 전류치를 갖는 스페이스 형성용 반도체 레이저 구동 전류를 공급하는 구동 전류 생성 수단과,

상기 스페이스 형성용 반도체 레이저 구동 전류에 고주파 성분을 중첩시키는 제1 고주파 중첩 수단과,

상기 광 디스크 상에 마크 또는 스페이스를 형성하는 기록 동작 기간에, 상기 스페이스 형성용 반도체 레이저 구동 전류로부터 상기 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류로의 전환 타이밍에 대하여 소정 시간 선행하여 고주파 성분의 중첩을 정지하도록 상기 고주파 중첩 회로를 제어하는 고주파 중첩 제어 수단

을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 디스크 장치.
제1항에 있어서,

상기 고주파 중첩 제어 수단은, 상기 광 디스크에 스페이스를 형성할 때에는, 상기 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류로부터 상기 스페이스 형성용 반도체 레이저 구동 전류로 전환한 후, 소정 시간 경과하고나서 상기 스페이스 형성용 반도체 레이저 구동 전류에 고주파 성분을 중첩시키도록 상기 제1 고주파 중첩 수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 광 디스크 장치.
제1항에 있어서,

상기 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류에 고주파 성분을 중첩시키는 제2 고주파 중첩 수단을 더 포함하고,

상기 고주파 중첩 제어 수단은 상기 광 디스크에 마크를 형성할 때에는 상기 스페이스 형성용 반도체 레이저 구동 전류로부터 상기 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류로 전환한 후, 소정 시간 경과하고나서 상기 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류에 고주파 성분을 중첩시키도록 상기 제2 고주파 중첩 수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 광 디스크 장치.
제2항에 있어서,

기록해야 할 마크 길이 및 스페이스 길이를 검출하는 마크·스페이스 길이 검출 수단을 더 포함하고,

상기 고주파 중첩 제어 수단은 상기 마크·스페이스 길이 검출 수단의 마크 길이 검출 결과가 소정값 이상일 때, 상기 스페이스 형성용 반도체 레이저 구동 전류로부터 상기 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류로의 전환 타이밍의 소정 시간 후에 고주파 성분의 중첩을 개시하게 하는 것을 특징으로 하는 광 디스크 장치.
제3항에 있어서,

기록해야 할 마크 길이 및 스페이스 길이를 검출하는 마크·스페이스 길이 검출 수단을 더 포함하고,

상기 고주파 중첩 제어 수단은 상기 마크·스페이스 길이 검출 수단의 스페이스 길이 검출 결과가 소정값 이상일 때, 상기 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류로부터 상기 스페이스 형성용 반도체 레이저 구동 전류로의 전환 타이밍의 소정 시간 후에 고주파 성분의 중첩을 개시하게 하는 것을 특징으로 하는 광 디스크 장치.
1 레벨 이상의 전류치를 갖고 마크 길이에 대응한 구동 파형으로 이루어지는 마크 형성용 반도체 레이저 구동 전류와, 1 레벨의 전류치를 갖는 스페이스 형성용 반도체 레이저 구동 전류 중 적어도 한쪽의 반도체 레이저 구동 전류에 고주파 성분을 중첩시켜 광 디스크 상에 마크 및 스페이스를 형성하여 정보를 기록하도록 한 광 디스크 장치로서,

상기 고주파 성분을, 기록 기준 클럭을 체배하여 고주파 신호를 생성하는 체배 수단과 그 체배 수단의 출력 신호의 듀티를 가변하는 듀티 제어 수단을 갖는 고주파 성분 생성 수단의 출력으로부터 얻도록 하는 것을 특징으로 하는 광 디스크 장치.
제6항에 있어서,

상기 체배 수단의 체배수 N은 양의 정수인 것을 특징으로 하는 광 디스크 장치.
레이저 다이오드로부터의 레이저를 조사함으로써 광 디스크에 기록을 행하는 광 디스크 기록 방법에 있어서,

제1 전류에 대하여 고주파 중첩을 행한 전류를 상기 레이저 다이오드에 공급하는 제1 단계와,

고주파 중첩을 행하지 않은 제1 전류를 상기 레이저 다이오드에 공급하는 제2 단계와,

상기 제1 전류보다도 큰 제2 전류를 상기 레이저 다이오드에 공급하는 제3 단계를 포함하고,

상기 제1 단계, 제2 단계 및 제3 단계는 상기 광 디스크 상에 마크 또는 스페이스를 형성하는 기록 동작 기간에 행해지며, 상기 제1 단계에서는 상기 광 디스크에 스페이스를 형성하고, 상기 제3 단계에서는 상기 광 디스크에 마크를 형성하는 것을 특징으로 하는 광 디스크 기록 방법.
제8항에 있어서,

상기 제3 단계 후에,

상기 제2 전류에 대하여 고주파 중첩을 행한 전류를 상기 레이저 다이오드에 공급하는 제4 단계를 실행하는 것을 특징으로 하는 광 디스크 기록 방법.
제8항 또는 제9항에 있어서,

상기 제2 단계는 상기 제2 전류를 공급할 때에 사용하는 고주파 성분의 주기의 1/2 기간 이상 속행하는 것을 특징으로 하는 광 디스크 기록 방법.
레이저 다이오드로부터의 레이저를 조사함으로써 광 디스크에 기록을 행하는 광 디스크 기록 방법에 있어서,

제1 전류를 상기 레이저 다이오드에 공급하는 제1 단계와,

상기 제1 전류보다도 작고, 고주파 중첩을 행하지 않은 제2 전류를 상기 레이저 다이오드에 공급하는 제2 단계와,

상기 제2 전류에 대하여 고주파 중첩을 행한 전류를 상기 레이저 다이오드에 공급하는 제3 단계로 이루어지고,

상기 제1 단계, 제2 단계 및 제3 단계는 상기 광 디스크 상에 마크 또는 스페이스를 형성하는 기록 동작 기간에 행해지며, 상기 제1 단계에서는 상기 광 디스크에 마크를 형성하고, 상기 제3 단계에서는 상기 광 디스크에 스페이스를 형성하는 것을 특징으로 하는 광 디스크 기록 방법.
제11항에 있어서,

상기 제1 전류에 대하여 고주파 중첩을 행한 전류를 상기 레이저 다이오드에 공급하는 제4 단계를 가지며, 상기 제1 단계는 상기 제4 단계 후에 실행하는 것을 특징으로 하는 광 디스크 기록 방법.
제1항에 있어서,

상기 광 디스크는 개서(改書)하는 것이 가능한 광 디스크이며, 상기 광 디스크에 기록이 끝난 마크 또는 스페이스에 포개어 마크 또는 스페이스를 형성하는 것을 특징으로 하는 광 디스크 장치.