JP2675977B2

JP2675977B2 - 光情報記録再生装置

Info

Publication number: JP2675977B2
Application number: JP6083206A
Authority: JP
Inventors: 淳一中野; 章兵小林; 昭彦吉沢; 信夫宮入
Original assignee: Olympus Optic Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1994-02-10
Filing date: 1994-04-21
Publication date: 1997-11-12
Anticipated expiration: 2012-11-12
Also published as: JPH07272304A; US5566142A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上に絶縁層
を介して形成されたレーザダイオードを含む光学ヘッド
を有する光情報記録再生装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】情報記録媒体上に光スポットを照射して
情報の記録・再生を行う光学式の情報記録再生装置で
は、光学ヘッドの光源としてレーザダイオードが用いら
れ、このレーザからの出射光を記録データにより変調し
情報記録媒体上に光スポットとして照射することで記録
を行い、また、記録媒体からの反射光をフォトダイオー
ドにより受光することでデータの再生を行うようにして
いる。

【０００３】しかして、従来、このような光学式の情報
記録再生装置に用いられる光学ヘッドには、同一の半導
体基板上にレーザダイオード（以下ＬＤと略）とフォト
ダイオード（以下ＰＤと略）とを設けたピックアップ
（集積型ピックアップ）が考えられており、装置の小型
化・低コスト化を行うことが検討されている。

【０００４】ところが、このような集積型ピックアップ
では、ＬＤとＰＤの間の干渉や組立性が問題となってお
り、この問題を解決するものとして、例えば、特開昭５
９−９６７８９号公報に開示されるように、同一半導体
基板上にＬＤとＰＤを設ける場合に半導体基板とＬＤと
の間に絶縁体層を介在させ、ＬＤの出力制御時に問題と
なるＬＤ−ＰＤ間の電気接続を分離すると同時に、組立
作業性を向上させるようにしたものがある。

【０００５】ところで、このような集積型ピックアップ
は、コンパクトディスクを始めとする記録再生装置のう
ち、特に、光磁気ディスクや相変化ディスクなど書き込
み可能なディスク装置に使用する場合は、データの書き
込みのためにデータに従ってＬＤ出力を高速で変調する
ことがあり、また、このようなディスク装置では、デー
タの読み出し時に問題となるＬＤノイズを低減するた
め、高周波重畳を行い数百ＭＨｚという非常に高い周波
数でＬＤを駆動することもある。（高周波重畳に関して
は、たとえば特開昭５６−３７８３４号公報などで紹介
されている。）

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、特開昭５９
−９６７８９号公報に開示されたものは、書き込みデー
タに従ってＬＤ出力を高速で変調したり、データの読み
出し時に問題となるＬＤノイズを低減するための高周波
重畳を行うことについて何等言及しておらず、従って、
このような集積型ピックアップについて、そのままＬＤ
を高速変調しようとすると、ＬＤと半導体基板との間に
ある絶縁層がコンデンサ（容量）として作用し、高周波
電流が絶縁層を介して半導体基板側に流れ込み、ＬＤ側
に高周波電流が流れずに高速変調が行えなくなってしま
う。

【０００７】従って、高速でのデータ書き込みができな
くなるばかりでなく、高周波重畳も十分に行えないこと
から読み出し動作の信頼性も得られないという問題点が
あった。

【０００８】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、高速でのデータ書き込みが可能となる半導体基板上
に絶縁層を介して形成されたレーザダイオードを含む光
学ヘッドを有する光情報記録再生装置を提供することを
目的とする。本発明の他の目的は、前記目的に加えてデ
ータ読み出し動作の信頼性を向上するところである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
基板上に絶縁層を介して形成されたレーザダイオードを
含む光学ヘッドを用いて、情報信号を記録し、再生する
光情報記録再生装置において、前記レーザダイオードの
活性層よりも前記絶縁層側の電極を定電位とし、前記レ
ーザダイオードの他方の電極に変調信号を印加するレー
ザダイオード駆動手段を設けるように構成されている。

【００１０】また、本発明によれば、前記半導体基板と
前記レーザダイオードの活性層よりも前記絶縁層側の電
極を同電位にするように構成されている。また、本発明
によれば、前記レーザダイオードの他方の電極に高周波
信号を印加する手段を設けるように構成されている。

【００１１】また、本発明によれば、レーザダイオード
は、前記絶縁層上に直接形成されている。また、本発明
によれば、レーザダイオードは、前記絶縁層上に導電性
のサブマウントを介して形成されている。

【００１２】

【作用】この結果、本発明によれば半導体基板上に絶縁
層を介して形成されたレーザダイオードの活性層よりも
前記絶縁層側の電極を定電位とし、他方の電極に変調信
号を印加するようになるので、変調信号によりレーザダ
イオードの駆動電流を変化させても、電圧変化が生じる
のは、レーザダイオードの他方の電極でのみとなり、絶
縁層に対して高周波駆動電流を流れ込みにくくできる。

【００１３】また、本発明によれば、半導体基板とレー
ザダイオードの活性層よりも前記絶縁層側の電極を同電
位にすることによっても、変調信号によりレーザダイオ
ードの駆動電流を変化させると、電圧変化が生じるの
は、レーザダイオードの他方の電極でのみとなり、絶縁
層に対して高周波駆動電流を流れ込みにくくできる。

【００１４】また、本発明によれば、レーザダイオード
の他方の電極に、高周波信号を重畳する手段を設けるこ
とにより、高周波電流が絶縁層に対して流れ込みにくく
できる。

【００１５】また、本発明によれば、レーザダイオード
を絶縁層上に直接形成することにより構成を簡単なもの
にできる。また、本発明によれば、レーザダイオードを
前記絶縁層上に導電性のサブマウントを介して形成する
ことにより、レーザダイオードの放熱を良好に行うこと
ができる。

【００１６】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に従い説明す
る。（第１実施例）図１は、本発明が適用される光情報記録
再生装置の光学ヘッドを示すもので、ここでは、半導体
基板上に絶縁層を介して形成されたレーザダイオード
と、このレーザダイオードからの出射光を直接モニタす
るためのフォトダイオードを一体に形成した集積型ピッ
クアップの一部を示している。

【００１７】また、第１実施例では、書き込みデータに
従ってレーザダイオード出力を高速で変調する場合を示
している。図において、１はｎ型の半導体基板で、この
半導体基板１は、一方の面のほぼ中央部に凹部１ａを形
成している。この凹部１ａは、その側壁をテーパ状に形
成している。また、半導体基板１の他方の面には、電極
２を接続している。

【００１８】半導体基板１の凹部１ａ底面に絶縁層３を
介してレーザダイオード４を形成している。ここで４１
は、レーザダイオード４の活性層を示している。そし
て、レーザダイオード４の絶縁層３に接している側に電
極５を接続し、レーザダイオード４の絶縁層３に接して
いない側に電極６を接続し、この電極に、レーザダイオ
ード４の出力を変調する変調信号を印加するｎｐｎトラ
ンジスタ７を接続している。

【００１９】一方、半導体基板１のレーザダイオード４
に対向する凹部１ａの側壁部にｎ型半導体基板１との間
でフォトダイオード８を形成するためのｐ型領域を設け
ている。このフォトダイオード８は、レーザダイオード
４からの出射光をモニタするためのものである。また、
フォトダイオード８には、このフォトタイオード８の光
電流を電圧変換して検出する電気抵抗９を接続し、この
電気抵抗９とフォトタイオード８の接続点にフォトタイ
オード８の光電流をモニタするためのＰＤモニタ端子１
０を接続している。

【００２０】図２は、このように構成した集積型ピック
アップの回路構成を示している。この場合、ｎ型半導体
基板１とｐ型領域により構成されるフォトダイオード８
は、カソードを半導体基板１の電極２に接続し、アノー
ドを電気抵抗９を介して接地するとともに、モニタ端子
１０に接続している。

【００２１】また、レーザダイオード４は、アノードを
絶縁層３に接する側にして電極５に接続し、カソードを
絶縁層３に接していない側にして電極６を介してｎｐｎ
トランジスタ７を接続している。

【００２２】そして、ｎ型半導体基板１の電極２とレー
ザダイオード４の絶縁層３に接している側の電極５に、
それぞれ定電位、例えば＋５Ｖを接続している。この場
合、電極２と電極５は、それぞれ定電位であればよく、
同電位に接続されなくてもよいが、一般に装置で使用で
きる電源電圧は限られているため、ここではともに＋５
Ｖに接続され同電位になっている。また、電極２と電極
５は、ピックアップ１１内部で結線して、この接続点を
＋５Ｖに接続するようにしてもよい。

【００２３】そして、ｎｐｎトランジスタ７のベース
に、書き込みデータに応じてレーザダイオード４の出力
を高速で変調するための変調信号を与えるようにしてい
る。次に、以上のように構成した実施例の動作を説明す
る。

【００２４】この場合、ｎ型半導体基板１の電極２とレ
ーザダイオード４の絶縁層３に接している側の電極５に
それぞれ＋５Ｖを印加し、この状態で、ｎｐｎトランジ
スタ７のベースに変調信号を与え、書き込みデータに応
じてレーザダイオード４の駆動電流を高速で変化させ
る。すると、レーザダイオード４の出射光は、この時の
変調信号に応じて高速で変調され、図示しない光学系を
介して図示しない記録媒体に光スポットとして照射され
データ記録が行われるようになる。

【００２５】この場合、絶縁層３の両面部分は、常に同
じ電圧（＋５Ｖ）に維持されることから、データ書き込
みのためにｎｐｎトランジスタ７のベース電圧を変調信
号により高速で変化させレーザダイオード４の駆動電流
を変化させても、電圧変化が生じるのは、レーザダイオ
ード４の絶縁層３と接していない電極６でのみとなり、
絶縁層３に対して高周波電流が流れ込みにくくなる。

【００２６】従って、このような第１実施例によれば、
絶縁層３の両面を同電位にして、絶縁層３に対して高周
波駆動電流を流れ込みにくくしたので、高速でレーザダ
イオード４の駆動電流を変調できるようになり、これに
より高速でのデータ書き込み動作が可能となる。また、
変調素子としてプロセス上優れた特性を持たせやすいｎ
ｐｎトランジスタが使用できるので、高速・大電流での
電流変化が必要となる光ディスク装置などでは極めて有
利である。また、レーザダイオードを絶縁層上に直接形
成するようにしているので、構成も簡単なものにでき
る。

【００２７】なお、フォトダイオード８は、レーザダイ
オード４が載置される半導体基板（本実施例ではｎ型半
導体基板１）上に構成されず別体となってもよい。（第２実施例）第２の実施例は、図１で述べた集積型ピ
ックアップにおいて、データの読み出し時に問題となる
レーザダイオード出力のノイズを低減するために、高周
波重畳を行なう場合を示している。

【００２８】図３は、図２と同一部分には同符号を付し
て示すもので、この場合、レーザダイオード４とフォト
ダイオード８を、コンデンサ１２と発振源１３からなる
高周波重畳回路とともに高周波重畳モジュール１４とし
て構成している。

【００２９】ここで、コンデンサ１２は、直流成分をカ
ットするもの、発振源１３は、重畳する高周波を出力す
るもので、これらコンデンサ１２と発振源１３の高周波
重畳回路は、レーザダイオード４の絶縁層３と接してい
ない電極６側に接続されるとともに、レーザダイオード
４およびフォトダイオード８とともにモジュール化する
ことで、重畳する高周波が数百ＭＨｚと高くなった場合
でも減衰を最小限に抑え、また放射する高周波ノイズを
防止するようにしている。

【００３０】しかして、この場合も、ｎ型半導体基板１
の電極２とレーザダイオード４の絶縁層３に接している
側の電極５にそれぞれ＋５Ｖを印加すれば、絶縁層３の
両面部分は、常に同じ電圧（＋５Ｖ）に維持されること
から、レーザダイオード４の絶縁層３と接していない側
に、コンデンサ１２と発振源１３の高周波重畳回路が接
続され、レーザダイオード４の出力のノイズ低減するた
めに高周波を重畳するようにしても、電圧変化が生じる
のは、レーザダイオード４の絶縁層３と接していない側
の電極６でのみとなり、絶縁層３に対して高周波電流が
流れ込みにくくなり、高周波の重畳を効率良く行なえる
ようになる。

【００３１】なお、高周波重畳回路には、データ読取り
時の高周波を重畳するためにスイッチング回路（図示し
ない）が接続されている。このスイッチング回路につい
ては、特開昭６３−９００３７号公報などが詳しい。

【００３２】また、この場合も書き込みデータにしたが
ってレーザダイオード４の駆動電流を変調する必要があ
るが、変調用トランジスタ７を第１実施例と同様にレー
ザダイオード４の絶縁層３と接していない側の電極６に
接続すればよい。

【００３３】また、データ読取り時には、ｎｐｎトラン
ジスタ７には、直流信号が印加され、変調信号は、デー
タ書き込み時に印加される。従って、このような第２本
実施例によれば、絶縁層３の両面を同電位にして、レー
ザダイオード４の絶縁層と接していない側に高周波重畳
回路を接続しデータの読取り時に高周波の重畳を行うよ
うにしているので、発振源１３からの高周波電流が絶縁
層３に対して流れ込みにくくなり、レーザダイオード４
に効率良く重畳できるようになる。これにより、レーザ
ダイオード４の出力ノイズが効果的に低減でき、データ
読み出しを安定に行なうことが可能となる。また、デー
タの記録時には、高周波重畳信号が停止して変調信号が
レーザダイオード４に加わるので、第１実施例と同じ状
態となる。（第３実施例）第２実施例のように高周波重畳モジュー
ルを構成した場合、図４に示すように絶縁層３を含むレ
ーザダイオード４とフォトダイオード８の間の容量成分
１５の大ささによって、発振源１３からの高周波電流が
漏れ電流１６としてフォトダイオード８の側に流れ込ん
でしまう。この漏れ電流１６は、フォトダイオード８の
本来の光電流と同じ経路に流れるため、フォトダイオー
ド８の光電流が正しく検出できなくなってしまう場合が
ある。

【００３４】そこで、第３実施例では、高周波重畳モジ
ュール接続の際の漏れ電流による悪影響を軽減するよう
にしている。図４は、図３と同一部分には同符号を付し
て示すもので、この場合、高周波重畳モジュール内のレ
ーザダイオード４の絶縁層３に接している側、つまりア
ノード側と接地の間に容量を持つ手段としてコンデンサ
１７を接続している。このコンデンサ１７は、望ましく
はレーザダイオード４とフォトダイオード８の間の容量
成分１５よりも大きな容量に選ぶとよい。

【００３５】しかして、この場合、レーザダイオード４
の絶縁層３に接している側に容量の大きなコンデンサ１
７を接続したことにより、レーザダイオード４とフォト
ダイオード８の間の容量成分１５を介して、フォトダイ
オード８の側に流れようとする漏れ電流１６をコンデン
サ１７を介して除去または減少することができる。

【００３６】なお、この場合も書き込みデータにしたが
ってレーザダイオード４の駆動電流を変調する必要があ
るが、変調用トランジスタ７を第２実施例と同様にレー
ザダイオード４の絶縁層３と接していない側の電極６に
接続すればよく、この場合、変調速度がコンデンサ１７
の追加により低下することもない。

【００３７】従って、このような第３本実施例によれ
ば、レーザダイオード４の絶縁層と接している側にレー
ザダイオード４とフォトダイオード８の間の容量成分１
５より大きな容量のコンデンサ１７を接続したことによ
り、フォトダイオード８側に高周波電流が漏れ電流１６
として流れるようなことがなくなり、高周波重畳を行な
った場合でもフォトダイオード８による光量の検出を安
定して行なうことができる。

【００３８】なお、第１実施例の構成においても必要に
応じてコンデンサを第３実施例と同じ位置に繋ぐとよ
い。また、上述した第１〜第３実施例では、半導体基板
１をｎ型半導体基板としたが、これはｐ型半導体基板で
あってもよい。この場合もこれまでの説明同様にレーザ
ダイオード４の駆動端子を絶縁層３に接していない側、
すなわち基板１から離れた側から駆動するようにすれば
よい。また、レーザダイオード４の極性およびマウント
方向も本実施例と同じである必要はない。

【００３９】また、本発明は、半導体基板上に絶縁層を
介して形成されたレーザダイオードと、このレーザダイ
オードからの出射光を直接モニタするフォトダイオード
の他に、レーザダイオードから出射され記録媒体より反
射されたレーザ光を受光するフォトダイオードをそれぞ
れ一体に形成した集積型ピックアップにも適用できる。

【００４０】図５は、このような集積型ピックアップの
概略構成を示している。この場合、２１は半導体基板
で、この半導体基板２１上に絶縁層２２１を介してレー
ザダイオード２２を設けている。

【００４１】半導体基板２１上には、レーザダイオード
２２に近接してフォトダイオード２３を設けている。こ
のフォトダイオード２３は、レーザダイオード２２から
の出射光を直接モニタするためのものである。また、半
導体基板２１上にレーザダイオード２２より僅かに離し
てフォトダイオード２４を設けている。このフォトダイ
オード２４は、後述する記録媒体２９の記録トラック面
２９１からの反射光を受光するためのものである。

【００４２】レーザダイオード２２に近接して全反射ミ
ラー２５を設けている。このミラー２５は、レーザダイ
オード２２より半導体基板２１面に沿って出射されるレ
ーザ光を半導体基板２１面と垂直方向に全反射するもの
である。そして、ミラー２５により全反射されたレーザ
光をホログラムより形成されたビームスプリッタ２６に
与える。

【００４３】ビームスプリッタ２６では、ミラー２５よ
り垂直方向から与えられるレーザ光を、そのまま上方に
出力し、コリメータレンズ２７に与える。そして、コリ
メータレンズ２７で平行光にして対物レンズ２８を介し
て記録媒体２９の記録トラック面２９１に照射するよう
にしている。

【００４４】一方、記録媒体２９の記録トラック２９１
面からの反射光を上述と逆に対物レンズ２８、コリメー
タレンズ２７を介してビームスプリッタ２６に与える。
ビームスプリッタ２６では、コリメータレンズ２７から
の反射光について、所定角度だけ偏向して出力し、記録
媒体２９の記録トラック面２９１からの反射光をフォト
ダイオード２４で受光するようにしている。

【００４５】しかして、このように構成した集積型ピッ
クアップについても、上述した第１〜第３実施例を適用
することにより、上述したと同様な効果を期待できる。（第４実施例）図６は、半導体基板上に絶縁層を介して
導電性のサブマウント上に形成されたレーザダイオード
と、このレーザダイオードからの出射光を図示しない記
憶媒体へと反射させ、また光記録媒体からの反射光をフ
ォトダイオードへと導くプリズムと、光記録媒体からの
反射光を検出するフォトダイオードを一体に形成した集
積型ピックアップの一部を示している。

【００４６】図において、３１はｎ型の半導体基板で、
この半導体基板３１上に絶縁層３２を形成している。そ
して、この絶縁層３２の上にサブマウント３３を介して
レーザダイオード３４を設けている。サブマウント３３
は、例えばＳｉ基板からなるもので、レーザダイオード
３４の放熱と光学調整を容易にするために設けられてい
る。勿論、サブマウント３３は、Ｓｉ基板以外の組成の
ものでもよい。

【００４７】なお、３４１は、レーザダイオード３４の
活性層である。レーザダイオード３４には、活性層３４
１よりも絶縁層３２側に電極３５を接続し、絶縁層３２
と反対側の他方に電極３６を接続している。そして、こ
の電極３６にレーザダイオード３４の出力を調整する変
調信号を印加するｎｐｎトランジスタ３７を接続してい
る。

【００４８】ここでのレーザダイオード３４は、電極３
５が接続されている側がアノード、電極３６が接続され
ている側がカソードである。一方、半導体基板３１の絶
縁層３２上には、レーザダイオード３４に対向してプリ
ズム３８を配置している。そして、このプリズム３８下
面に絶縁層３２を介して対向する半導体基板３１部分に
は、ｐ型領域によるフォトダイオード３９、３９を形成
している。これらフォトダイオード３９、３９は、図示
しない光記録媒体からの反射光を検出し、再生信号やサ
ーボエラー信号などを得るためのもので、それぞれ分割
された複数の受光面を有している。

【００４９】そして、ｎ型の半導体基板３１の電極３０
およびレーザダイオード３４の活性層３４１よりも絶縁
層側の電極３５に、それぞれ定電圧として、例えば＋５
Ｖを接続している。この場合、これら電極３０、３５の
電圧は、定電圧であれば、同電位でなくともよい。しか
し、一般に装置で使用できる電源電圧は限られているの
で、ここではともに＋５Ｖの同電位になっている。ま
た、これら電極３０、３５は、ピックアップ内部で結線
して、この接続点を＋５Ｖに接続するようにしてもよ
い。

【００５０】そして、ｎｐｎトランジスタ３７のベース
に、書き込みデータに応じてレーザダイオード３４の出
力を高速変調するための変調信号を与えるようにしてい
る。図７は、このように構成した集積型ピックアップの
回路構成を示している。

【００５１】この場合、レーザダイオード３４は、アノ
ードを電極３５に接続し、カソードを電極３６を介して
ｎｐｎトランジスタ３７を接続している。また、フォト
ダイオード３９、３９は、カソードを半導体基板３１の
電極３０に共通に接続し、各フォトダイオード３９、３
９が受光した光量は、アノードからの光電流により検出
できるようにしている。

【００５２】次に、以上のように構成した実施例の動作
を説明する。この場合も、ｎｐｎトランジスタ３７のベ
ースに変調信号を与え、書き込みデータに応じてレーザ
ダイオード３４の駆動電流を高速で変化させると、レー
ザダイオード３４の出射光は、この時の変調信号に応じ
て高速で変調され、図示しない光学系を介して図示しな
い記録媒体に光スポットとして照射されデータ記録が行
われる。

【００５３】この場合、絶縁層３２の両面部分、すなわ
ち、半導体基板３１とサブマウント３３は、常に同じ電
圧（＋５Ｖ）に維持されることから、レーザダイオード
３４の駆動電流を高速で変化させても、電圧変化が生じ
るのは、活性層３４１からみて絶縁層３２と逆側の電極
３６でのみとなり、絶縁層３２に対して高周波電流が流
れ込みにくくなる。

【００５４】従って、このような第４実施例によって
も、絶縁層３２両面を同電位にして、絶縁層３２に対し
て高周波駆動電流を流れ込みにくくしたので、高速でレ
ーザダイオード３４の駆動電流を変調できるようにな
り、これにより高速でのデータ書き込み動作が可能とな
る。また、プロセス上優れた特性を持たせやすいｎｐｎ
トランジスタを変調素子として使用でき、しかもサブマ
ウント３３によりレーザダイオード３４の放熱も良好に
行えるので、特に、高速・大電流での電流変化が必要と
なる相変化記録のような光ディスク装置については極め
て有利である。また、サブマウント３３の使用により、
レーザダイオード３４とプリズム３８を初めとする光学
部品との位置合わせを容易に行うこともできる。

【００５５】なお、第４実施例で述べた集積型ピックア
ップについても、データの読み出し時に問題となるレー
ザダイオード出力のノイズを低減するため、第２実施例
で述べた高周波重畳を行なう考えを適用することがで
き、また、高周波重畳を実施した場合、絶縁層３２を含
むレーザダイオード３４とフォトダイオード３９、３９
の間の容量成分によって、高周波電流が漏れフォトダイ
オード３９、３９側に流れ込み、フォトダイオード３
９、３９の光電流が正しく検出できなくなってしまうこ
とがあるため、第３実施例で述べた高周波重畳の際の漏
れ電流による悪影響を軽減するような考えを適用するこ
ともできる。

【００５６】なお、本発明は、下記のような考え方も含
むものである。（６）半導体基板上に形成されたフォトダイオードと前
記半導体基板上に絶縁層を介して形成されたレーザダイ
オードを含む光学ヘッドを用いて、情報信号を記録し、
再生する光情報記録再生装置において、前記レーザダイ
オードの活性層の前記絶縁層側の電極を定電位とし、前
記レーザダイオードの活性層の前記絶縁層と逆側の電極
に変調信号を印加するレーザダイオード駆動手段を設け
る。

【００５７】この構成によれば、請求項１の作用・効果
を奏することができる。（７）上述の（６）記載の光情報記録再生装置におい
て、前記レーザダイオードの活性層の前記絶縁層と逆側
の電極に高周波電流を重畳する手段を設ける。

【００５８】この構成によれば、請求項３の作用・効果
を奏することができる。（８）上述の（６）あるいは（７）記載の光情報記録再
生装置において、前記レーザダイオードの活性層の前記
絶縁層側の電極に接続され、電気的な容量を持つ容量手
段を設ける。

【００５９】この構成によれば、さらに変調電流が絶縁
層を通ってフォトダイオードに流れにくくすることが可
能となり、フォトダイオードにおいて、光量検出を正確
に行うことができる。

【００６０】（９）上述の（８）記載の光情報記録再生
装置において、前記容量手段の容量を前記絶縁層の容量
より大きいものにする。この構成によれば、フォトダイ
オードに流れる変調電流を容量手段側に効果的に流すこ
とができ、フォトダイオードへ流れる変調電流の除去あ
るいは問題にならない程度に減らすことが可能になる。

【００６１】（１０）上述の請求項（３）記載の光情報
記録再生装置において、情報信号の再生時において、前
記レーザダイオードは直流信号と前記印加する手段から
の高周波信号との重畳信号により駆動される。

【００６２】この構成によれば、情報信号の再生時に重
畳される高周波信号を絶縁層に対して流れ込みにくくで
きる。（１１）上述の請求項（３）記載の光情報記録再生装置
において、再生時には前記印加する手段の高周波信号
が、記録時には前記情報信号を変調した信号が、変調信
号として前記レーザダイオードに印加される。

【００６３】この構成によれば、記録時にも再生時にも
高速変調が可能になる。（１２）上述の（５）記載の光情報記録再生装置におい
て、前記レーザダイオードは、情報信号が記録、再生さ
れる記録媒体に入射する光ビームを出力し、前記フォト
ダイオードは、前記記録媒体からの反射光を検出する。

【００６４】この構成によれば、記録媒体からの反射光
を誤りなく検出できる。従って情報信号やフォーカスエ
ラー、トラックエラーなどの誤差信号の検出を正確にで
きる。

【００６５】（１３）上述の（６）あるいは（１２）記
載の光情報記録再生装置において、前記フォトダイオー
ドは、レーザダイオードからの出力光を直接検出する。（１４）上述の（６）あるいは（１２）記載の光情報記
録再生装置において、前記フォトダイオードは、レーザ
ダイオードから出力する光のうち、記録媒体に導かれな
い方の光を検出する。このような（１３）（１４）の構成によれば、レーザダ
イオードの出力を正確に検出できる。

【００６６】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、半導
体基板上に絶縁層を介して形成されたレーザダイオード
の活性層の絶縁層側の電極を定電位とし、活性層の絶縁
層と逆側の電極に変調信号を印加するようになるので、
変調信号によりレーザダイオードの駆動電流を変化させ
ても、電圧変化が生じるのは、レーザダイオードの活性
層の絶縁層と逆側の電極でのみとなり、絶縁層に対して
高周波駆動電流を流れ込みにくくでき、これによりレー
ザダイオードを高速で変調することができ、高速でのデ
ータ書き込み動作が可能となる。

【００６７】また、本発明によれば、半導体基板とレー
ザダイオードの活性層の絶縁層側の電極を同電位にする
ことによっても、変調信号によりレーザダイオードの駆
動電流を変化させると、電圧変化が生じるのは、レーザ
ダイオードの活性層の絶縁層と逆側の電極でのみとな
り、絶縁層に対して高周波駆動電流を流れ込みにくくで
き、上述したと同様にしてレーザダイオードを高速で変
調することができ、高速でのデータ書き込み動作が可能
となり、さらに絶縁層の両側を同電位とすることによ
り、装置構成をより簡略にすることができる。

【００６８】また、本発明によれば、レーザダイオード
の活性層の絶縁層と逆側の電極に高周波信号を重畳する
手段を設けることにより、高周波電流が絶縁層に対して
流れ込みにくくでき、レーザダイオード駆動電流に高周
波信号を効率よく重畳できるため、レーザダイオードの
ノイズが低減され、読み出し動作を安定して行うことが
できる。

【００６９】また、本発明によれば、レーザダイオード
を絶縁層上に直接形成することにより構成を簡単なもの
にでき、価格的にも安価にできる。また、本発明によれ
ば、レーザダイオードを前記絶縁層上に導電性のサブマ
ウントを介して形成することにより、レーザダイオード
の放熱を良好に行うことができ、特に、高速・大電流で
の電流変化が必要となる相変化記録のような光ディスク
装置については極めて有利である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の概略構成を示す図。

【図２】第１実施例の回路構成を示す図。

【図３】本発明の第２実施例の回路構成を示す図。

【図４】本発明の第３実施例の回路構成を示す図。

【図５】本発明が適用される集積型ピックアップの一例
を示す概略構成図。

【図６】本発明の第４実施例の回路構成を示す図。

【図７】第４実施例の回路構成を示す図。

【符号の説明】

１…半導体基板、２…電極、３…絶縁層、４…レーザダイオード、４１…活性層、５、６…電極、７…ｎｐｎトランジスタ、８…フォトダイオード、９…電気抵抗、１０…モニタ端子、１２…コンデンサ、１３…発振源、１４…高周波重畳モジュール、１５…容量成分、１６…漏れ電流、１７…コンデンサ、２１…半導体基板、２２…レーザダイオード、２３…フォトダイオード、２４…フォトダイオード、２５…グレーチィング部、２６…ビームスプリッタ、２７…コリメータレンズ、２８…対物レンズ、２９…記録媒体、２９１…記録トラック面、３１…半導体基板、３２…絶縁層、３３…サブマウント、３４…レーザダイオード、３４１…活性層、３５、３６…電極、３７…ｎｐｎトランジスタ、３８…プリズム、３９…フォトダイオード。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に絶縁層を介して形成され
たレーザダイオードを含む光学ヘッドを用いて、情報信
号を記録し、再生する光情報記録再生装置において、前記レーザダイオードの活性層よりも前記絶縁層側の電
極を定電位とし、前記レーザダイオードの他方の電極に
変調信号を印加するレーザダイオード駆動手段を設けた
ことを特徴とする光情報記録再生装置。
【請求項２】前記半導体基板と前記レーザダイオード
の活性層よりも前記絶縁層側の電極を同電位にしたこと
を特徴とする請求項１項記載の光情報記録再生装置。
【請求項３】前記レーザダイオードの前記他方の電極
に高周波信号を印加する手段を設けたことを特徴とする
請求項１あるいは２記載の光情報記録再生装置。
【請求項４】前記レーザダイオードは、前記絶縁層上
に直接形成されていることを特徴とする請求項１乃至３
のいずれかに記載の光情報記録再生装置。
【請求項５】前記レーザダイオードは、前記絶縁層上
に導電性のサブマウントを介して形成されていることを
特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の光情報記
録再生装置。