KR100487736B1 - 열처리장치 및 열처리방법 - Google Patents

열처리장치 및 열처리방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 열처리장치는, 기판과 접촉하여 상기 기판을 예열하는 어시스트 가열수단과, 상기 기판에 대하여 섬광을 조사함으로써 상기 어시스트 가열수단에 의해 예열된 기판을 처리온도까지 가열하는 플래시가열수단을 포함한다. 상기 어시스트 가열수단은, 히터를 구비한 가열플레이트와, 상기 가열플레이트의 기판에 대향하는 표면에 설치된 석영제의 열확산판을 포함한다. 상기 열확산판이 설치되는 가열플레이트의 표면은, 백색의 질화알루미늄으로 형성된다.

Description

열처리장치 및 열처리방법{Heat Treating Apparatus and Method}
본 발명은, 반도체웨이퍼 등의 기판에 빛을 조사하는 것에 의해 기판을 열처리하는 열처리장치 및 열처리방법에 관한 것이다.
이온을 주입한 반도체웨이퍼의 이온활성화공정에서는, 할로겐램프를 사용하는 램프 어닐링장치와 같은 열처리장치가 사용된다. 상기와 같은 열처리장치에 있어서는, 반도체웨이퍼를 예컨대, 1000℃ ~ 1100℃ 정도의 온도로 가열하는 것에 의해, 반도체웨이퍼의 이온활성화를 실행하고 있다. 그 후, 상기 열처리장치에 있어서는, 할로겐램프로부터 조사되는 광에너지를 이용함으로써, 매초 수백도 정도의 속도로 반도체웨이퍼를 가열한다.
그러나, 매초 수백도 정도의 속도로 기판을 가열하는 열처리장치를 사용하여 반도체웨이퍼의 이온활성화를 실행한 경우에 있어서도, 반도체웨이퍼에 주입된 이온이 확산되어 버리는 블런트 프로파일(blunt profile) 현상이 발생하는 것이 판명되었다. 상기와 같은 현상이 발생한 경우에는, 반도체웨이퍼의 표면에 이온을 고농도로 주입하더라도, 주입된 이온이 확산되어 버리므로, 이온을 필요 이상으로 주입하여야 하는 문제가 발생한다.
전술한 문제를 해결하기 위하여, 크세논플래시램프(xenon flashlamps) 등을 사용하여 반도체웨이퍼의 표면에 광을 조사함으로써, 이온이 주입된 반도체웨이퍼의 표면만을 극히 단시간에 가열하는 구성도 생각할 수 있다. 그러나, 크세논플레시램프를 사용하여 반도체웨이퍼의 표면을 극히 단시간에 가열할 수는 있지만, 상기 반도체웨이퍼는 단지 500℃ 정도로만 가열되며, 이온활성화에 필요한 1000℃ ~ 1100℃ 정도의 온도까지 가열하는 것은 불가능하다.
한편, 일본 특개 2001-237195호에는, 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여, 크세논플레시램프에 의해 기판을 가열하기 전에, 어시스트 가열수단에 의해 기판을 예열하는 열처리장치가 개시되어 있다.
상기 열처리장치에 사용되는 어시스트 가열수단으로서는, 그 내부에 히터가 내장된 가열플레이트 또는 할로겐램프 등의 광원이 사용된다. 이 때, 가열플레이트를 사용하는 경우에는, 할로겐램프 등의 광원을 사용하는 경우보다 기판을 균일하게 가열하도록 조정하는 것이 용이하게 된다.
그러나, 가열플레이트를 사용하더라도 근래에 요구되는 정도에까지 기판을 충분히 균일하게 가열하는 것은 곤란하였다. 기판이 충분히 균일하게 가열되지 않은 경우에는, 품질을 고정밀도로 유지하는 것이 불가능하게 된다.
본 발명의 목적은, 기판을 충분히 균일하게 가열하는 것이 가능한 열처리장치를 제공하는 것이다.
상기와 같은 본 발명의 목적은, 기판에 접촉하여 상기 기판을 예열하는 어시스트(assist) 가열수단과, 상기 어시스트 가열수단에 의해 예열된 기판에 섬광을 조사함으로써 처리온도까지 가열하는 플래시가열수단을 포함하며, 상기 어시스트 가열수단은, 히터를 구비한 가열플레이트와, 상기 가열플레이트의 기판에 대향하는 표면에 설치되며 상기 가열플레이트보다 열전도율이 낮은 열확산판을 포함하는 열처리장치에 의해 달성된다. 본 열처리장치에 의해, 기판은 충분한 균일성을 갖도록 가열될 수 있다.
본 발명의 실시예에서 상기 열확산판은 석영으로 형성된다. 그럼으로써, 기판은 오염되지 않고 균일하게 열처리된다.
여기에서, 상기 열확산판이 설치되는 가열플레이트의 그 표면은 백색의 질화알루미늄으로 형성되는 것이 바람직하다. 그럼으로써, 가열플레이트의 눌어붙음 (burning)을 효과적으로 방지할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 본 발명에 따른 열처리장치는, 기판에 접촉하여 상기 기판을 예열하는 어시스트 가열수단과, 상기 어시스트 가열수단에 의해 예열된 기판에 섬광을 조사함으로써 처리온도까지 가열하는 플래시가열수단을 포함하며, 상기 예열수단은 그 내부에 히터를 구비하며, 상기 기판에 접촉하는 어시스트 가열수단의 표면은 석영으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 측면에 의하면, 본 발명에 따른 열처리방법은, 기판에 접촉하여 상기 기판을 예열하는 어시스트 가열단계와, 상기 어시스트 가열단계에서 예열된 기판에 섬광을 조사함으로써 상기 기판을 처리온도까지 가열하는 플래시가열단계를 포함하는데, 상기 어시스트 가열단계에서는, 히터를 구비한 가열플레이트와, 상기 가열플레이트의 기판에 대향하는 표면에 설치되며 상기 가열플레이트보다 열전도율이 낮은 열확산판으로 이루어지는 가열수단으로써 상기 기판을 예열하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면 및 장점들은 후술하는 본 발명의 실시예의 설명에서 보다 명확해질 것이다.
이하에서는, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 설명한다. 도1 및 도2는 본 발명에 따른 열처리장치의 측단면도이고, 도3는 도2의 열처리장치의 평면개요도이다.
본 열처리장치는, 투광판(61), 바닥판(62) 및 한쌍의 측판(63,64)으로 이루어지며, 그 내부에 반도체웨이퍼(W)를 수납하여 열처리하기 위한 열처리실(65)을 포함한다. 상기 열처리실(65)을 구성하는 투광판(61)은, 예컨대 석영과 같은 적외선투과성을 갖는 재료로 형성된다. 또한, 상기 열처리실(65)을 구성하는 바닥판(62)에는, 후술하는 열확산판(73) 및 가열플레이트(74)를 관통하여 반도체웨이퍼(W)를 그 하면에서 지지하기 위한 지지핀(70)이 세워져 설치된다.
또한, 열처리실(65)을 구성하는 측판(64)에는, 반도체웨이퍼(W)의 반입 및 반출을 위한 개구부(66)가 형성된다. 상기 개구부(66)는, 축(67)을 중심으로 회동하는 게이트밸브(68)에 의해 개폐될 수 있다. 반도체웨이퍼(W)는, 개구부(66)가 개방된 상태로, 도시하지 않은 반송로봇에 의해 열처리실(65) 내로 반입된다.
열처리실(65)의 위쪽에는, 다수개(본 실시예에서는 21개)의 실린더 형상의 크세논(xwnon)플래시램프(69)가 서로 평행하게 배열된다. 또한, 상기 크세논플래시램프 (69)의 위쪽에는, 반사장치(reflector,71)가 설치된다. 상기 각각의 크세논플래시램프(69)는, 내부에는 크세논가스가 채워지고 양단부에는 컨덴서에 접속되는 양극과 음극이 설치된 유리관과, 상기 유리관의 외주면을 감싸고 있는 트리거전극 (trigger electrode)을 포함한다. 크세논가스가 전기적으로 절연체이므로, 통상의 상태에서는 유리관을 통하여 전기가 흐르지 않는다. 그러나, 상기 트리거전극에 고전압을 가하여 절연상태가 깨진 경우에는, 컨덴서에 충전된 전기가 유리관을 통하여 흐르게 된다, 이 때의 주울열(Joule heat)로 크세논가스가 가열되어 광이 방출된다. 상기 크세논플래시램프(69)에 있어서, 미리 충전된 정전기적 에너지는 0.l ~ 10 밀리세컨드(milliseconds)의 극히 짧은 광펄스로 변환된다. 그리하여, 상기 크세논플래시램프 (69)는 연속적으로 점등된 광원보다 극히 강한 광을 발산할 수 있는 특징을 갖는다.
상기 크세논플래시램프(69)와 투광판(61)의 사이에는, 광확산판(72)이 설치된다. 상기 광확산판(72)은, 적외선을 투과하는 재질인 석영유리로 형성되는데, 그 표면은 광확산가공을 행한 것이 사용된다.
열처리실(65)내에는, 열확산판(73)과 가열플레이트(74)가 상기 순서대로 설치된다. 또한, 상기 열확산판(73)의 상부면에는, 반도체웨이퍼(W)를 잡아 이동을 방지하는 위치결정핀(75)이 구비된다.
상기 가열플레이트(74)는, 반도체웨이퍼(W)를 예열하기 위한 것으로, 백색의 질화알루미늄으로 형성된다. 그리고, 상기 가열플레이트(74)는, 그 내부에 히터와 상기 히터를 제어하기 위한 센서를 수용한다. 또한, 상기 가열플레이트(74)는, 전체적으로 백색의 질화알루미늄으로 형성될 필요는 없으며, 상기 열확산판(73)에 대향하는 표면만이 백색의 질화알루미늄으로 형성되면 된다.
상기와 같이, 가열플레이트(74)의 열확산판(73)에 대향하는 표면을 백색의 질화알루미늄으로 형성함으로써, 후술하는 플래시 노광(flash exposure) 시에 상기 가열플레이트(74)는 눌어붙음이 방지된다. 그러나, 상기 가열플레이트(74)를, 백색이외의 질화알루미늄 또는 탄화규소(SiC)로 형성하여도 무방하다.
상기 열확산판(73)은, 가열플레이트(74)로부터의 열에너지를 확산시켜 반도체웨이퍼(W)를 균일하게 가열하기 위한 것이다. 상기 열확산판(73)은, 상기 가열플레이트(74)보다 열전도율이 낮은 재질로 형성된다.
보다 구체적으로는, 상기 열확산판(73)을 적당한 열전도율을 가지며 반도체웨이퍼(W)를 오염시키지 않는 석영으로 형성할 수 있다. 또한, 상기 석영 대신에, 산화알루미늄의 일종인 사파이어를 사용하여도 무방하다.
도4는, 열확산판(73)의 일부분의 확대측면도이다.
도4에 도시한 바와 같이, 상기 열확산판(73)의 표면에는, 반도체웨이퍼(W)의 외경에 대응한 형상을 가지는 오목부(90)가 형성된다. 상기 오목부(90)의 깊이는, 반도체웨이퍼(W)의 두께에 대응하도록 형성되는데, 도1 내지 도3에는 도시되어 있지 않다. 상기 반도체웨이퍼(W)는 상기 오목부(90)의 내부에 위치되어, 전술한 위치결정핀(75)에 의해 이동이 방지된다. 상기 오목부(90)와 위치결정핀(75)은 반도체웨이퍼(W)의 위치를 결정하는 수단을 이룬다. 또한, 오목부(90)와 위치결정핀 (75) 중 어느 하나를 생략하는 것도 가능하다.
도1 내지 도3을 참조하면, 열확산판(73) 및 가열플레이트(74)는 공압실린더 (76)에 의해 구동되어, 도1에 도시한 반도체웨이퍼(W)의 반입 ·반출위치와 도2에 도시한 반도체웨이퍼(W)의 열처리위치 사이에서 수직방향으로 움직인다.
상기 열확산판(73) 및 가열플레이트(74)는 도1에 도시한 반도체웨이퍼(W)의 반입 ·반출위치로 하강된다. 상기 위치에서 도시하지 않은 반송로봇을 사용하여 개구부(66)를 통하여 반입한 반도체웨이퍼(W)를 지지핀(70) 상에 위치시키거나, 지지핀(70) 상에 위치된 반도체웨이퍼(W)를 개구부(66)를 통하여 반출한다. 상기 상태에 서 지지핀(70)의 상단부는, 열확산판(73) 및 가열플레이트(74)에 형성된 관통구멍을 통하여 열확산판(73)의 표면의 위쪽으로 돌출된다. 또한, 설명의 편의를 위하여, 도1에서는 측면도에서 나타나지 않는 열확산판(73) 및 가열플레이트(74)의 관통구멍을 도시하고 있다.
상기 열확산판(73) 및 가열플레이트(74)는, 반도체웨이퍼(W)의 열처리를 위하여, 도2에 도시한 지지핀(70)의 상단부보다 위쪽의 위치로 상승된다. 상기 상태에서, 반도체웨이퍼(W)는 그 하면이 열확산판(73)의 상면에 의해 지지되어, 투광판 (61)에 근접한 위치로 상승된다.
그런데, 상기 열확산판(73) 및 가열플레이트(74)가 반입 ·반출 위치와 열처리 위치 사이에서 승강될 때에, 파티클(particle)이 발생할 수 있다.
상기 파티클이 반도체웨이퍼(W)에 부착하는 것을 방지하기 위하여, 가열플레이트(74)를 지지하는 지지부재(80)와 열처리실(65)의 바닥판(62) 사이에 벨로우즈 (77)가 설치된다.
열처리실(65)의 개구부(66)의 반대편에 위치한 측판(63)에는, 도입로(78)가 형성된다. 상기 도입로(78)는, 후술하는 대기중으로 열처리실을 개방한 때에 공기를 도입하기 위한 것이다. 또한, 공기 대신에, 질소가스 등을 도입하여도 무방하다.
열처리실(65)의 바닥판(62)에는 배출로(79)가 형성된다. 상기 배출로(79)는, 개폐밸브(81)를 통해 진공펌프와 같은 감압기구와 접속된다. 상기 배출로(79) 및 개폐밸브(81)는, 본 발명에서 감압장치를 이룬다.
이하에서는, 본 발명에 따른 반도체웨이퍼(W)를 가열하기 위한 열처리장치의작동을 설명한다. 도5는 본 발명에 따른 열처리장치에 의한 반도체웨이퍼(W)의 열처리동작을 나타내는 흐름도이고, 도6은 반도체웨이퍼(W)의 온도의 변화를 나타내는 그래프이다.
본 열처리장치에 있어서, 열확산판(73) 및 가열플레이트(74)가 도1에 도시한 반도체웨이퍼(W)의 반입·반출위치로 하강된 상태로, 도시하지 않은 반송로봇이 개구부(66)를 통해 반도체웨이퍼(W)를 반입하여 지지핀(70) 상에 위치시킨다. 반도체웨이퍼(W)의 반입이 완료하면, 개구부(66)가 게이트밸브(68)에 의해 폐쇄된다 (단계S1). 그 후, 열확산판(73) 및 가열플레이트(74)가 공압실린더(76)에 의해 도2에 도시한 반도체웨이퍼(W)의 열처리위치까지 상승된다.
상기 열확산판(73) 및 가열플레이트(74)는 상기 가열플레이트(74)에 내장된 히터의 작동에 의해 미리 가열되어 있다. 그리하여, 열확산판(73) 및 가열플레이트 (74)가 도2에 도시한 반도체웨이퍼(W)의 열처리위치까지 상승된 상태에서, 상기 반도체웨이퍼(W)는 가열상태에 있는 열확산판(73)과의 접촉에 의해 예열되어, 상기 반도체웨이퍼(W)의 온도는, 도6에 도시한 바와 같이, 점진적으로 상승한다 (단계S2).
상기와 같은 예열단계에서, 상기 반도체웨이퍼(W)는 열확산판(73)을 통하여 가열플레이트(74)로부터 열에너지를 받는다. 따라서, 가열플레이트(74)의 온도분포가 완전히 균일하지 않은 경우에도, 반도체웨이퍼(W)를 균일하게 가열하는 것이 가능해진다.
상기 예열단계와 병행하여, 열처리실(65)은 감압된다(단계S3). 즉, 개폐밸브 (81)가 개방되어 도입로(78)가 도시하지 않은 감압기구와 접속됨으로써, 열처리실 (65) 내부는 배기되어 감압된다. 여기에서, 후술하는 여러가지 유리한 효과를 야기하기 위하여, 열처리실(65) 내부를 1/10 ~ 1/1000 기압까지 감압하는 것이 바람직하다.
상기 상태에서, 반도체웨이퍼(W)는 열확산판(73)을 통해 계속 가열된다. 여기에서, 반도체웨이퍼(W)의 온도가 상승할 때에, 도시하지 않은 온도센서가 반도체웨이퍼(W)의 표면온도가 예열온도(T1)에 도달하였는지를 계속 감시한다(단계S4).
상기 예열온도(T1)는 200℃ ~ 600℃ 정도의 온도이다. 상기 반도체웨이퍼 (W)가 상기 예열온도(Tl)까지 가열된 경우에도, 반도체웨이퍼(W)에 주입된 이온에 는 변화는 없는데, 즉 이온이 확산되지 않는다.
그리고, 반도체웨이퍼(W)의 표면온도가 도6에 도시한 예열온도(T1)에 도달한 직후에, 플래시가열을 위하여 크세논플래시램프(69)가 점등된다(단계S5). 상기 플래시가열단계에 있어서, 크세논플래시램프(69)의 점등시간은 0.1 ~ 10 밀리세컨드 정도이다. 상기와 같은 방식으로, 크세논플래시램프(69)에 미리 충전된 정전기적 에너지가 극히 짧은 광펄스로 변환되므로, 극히 강한 섬광이 방출되게 된다.
상기 상태에서, 반도체웨이퍼(W)의 표면온도는 도6에 도시한 처리온도(T2)에 도달한다. 상기 처리온도(T2)는 1000℃ ~ 1100℃ 정도로, 반도체웨이퍼(W)의 처리에 필요한 온도이다. 상기 반도체웨이퍼(W)의 표면이 상기 처리온도(T2)까지 가열된 때에, 반도체웨이퍼(W) 중의 이온이 활성화된다.
여기에서, 반도체웨이퍼(W)의 표면은 0.1 ~ 10 밀리세컨드 정도의 극히 짧은시간에 처리온도(T2)까지 가열되므로, 반도체웨이퍼(W) 중의 이온의 활성화는 단시간 내에 완료된다. 따라서, 반도체웨이퍼(W)에 주입된 이온이 확산되어 블런트 프로파일 현상이 발생하는 것이 방지된다.
전술한 바와 같이, 크세논플래시램프(69)를 점등하여 반도체웨이퍼(W)를 가열하기 전에, 가열플레이트(74)를 사용하여 반도체웨이퍼(W)의 표면온도를 200℃ ~ 600℃ 정도의 예열온도(T1)까지 가열하므로, 반도체웨이퍼(W)는 크세논플래시램프 (69)에 의해 1000℃ ~ 1100℃ 정도의 처리온도(T2)까지 빠르게 가열된다.
상기 플래시가열단계에서, 가열플레이트(74)는 석영으로 형성된 열확산판 (73)을 투과한 광선을 받게 된다. 그러나, 백색의 질화알루미늄으로 형성된 가열플레이트(74)는 눌어붙는 경우가 발생하지 않는다.
또한, 상기 플래시가열단계는 감압된 상태로 실행된다. 따라서, 종래기술에서와 같이, 파티클을 확산시키거나 반도체웨이퍼(W)를 이동시킬수 있는, 열처리실 (65) 내의 가스반응이 발생하지 않은 상태에서 상기 단계는 실행된다.
유사하게, 열처리실(65)을 감압함으로써, 열처리실(65) 내에서는 대류가 발생하지 않게 되므로, 어시스트 가열단계및 플래시가열단계에서, 반도체웨이퍼(W)의 표면을 균일하게 가열하는 것이 가능해진다.
더욱이, 열처리실(65) 내를 감압함으로써, 열처리실(65) 내에서 산소나 유기물이 배제된다. 따라서, 열처리실(65)을 형성하는 재료의 산화나 유기물의 흑화 (melanization)에 기인하는, 열처리장치의 수명의 저하가 방지된다.
플래시가열단계가 종료하면, 개폐밸브(81)가 폐쇄되고, 도입로(78)를 통해공기가 도입되어, 열처리실(65)이 대기중으로 개방된다(단계S6). 또한, 가열플레이트 (74)에 의한 반도체웨이퍼(W)의 가열이 중단된다(단계S7).
전술한 바와 같이, 반도체웨이퍼(W)의 표면온도가 예열온도(T1)에 도달한 직후에 플래시가열이 수행되고, 플래시가열단계가 완료된 직후에 열처리실(65)을 대기중으로 개방하는 것은 다음과 같은 이유 때문이다.
본 발명에 따른 열처리장치에 있어서, 가열플레이트(74)는 감압된 열처리실 (65) 내에 설치된다. 따라서, 상기 가열플레이트(74)를 냉각하여 소정의 온도로 유지하는 것이 곤란하다. 이와 같은 문제를 해결하기위하여, 펠티어 소자(Peltier element) 등의 냉각수단을 사용한 경우에는, 반도체웨이퍼(W)의 온도의 균일성이 저하된다.
따라서, 본 발명에 따른 열처리장치에 있어서는, 반도체웨이퍼(W)의 표면온도가 예열온도(T1)에 도달한 직후에 플래시가열을 함으로써, 반도체웨이퍼(W)가 예열온도(T1)보다 높은 온도로 가열된 시점에서 플래시가열이 실행되는 것을 방지한다. 또한, 플래시가열단계의 완료 후에 열처리실(65)을 대기 중에 개방하여 그 내부를 냉각함으로써, 도6에 도시한 바와 같이, 반도체웨이퍼(W)의 온도는 예열온도(T1)에 대하여 약간의 오버슈트(overshoot,H)가 생긴 후에 빠르게 저하된다.
열처리실(65)을 대기 중에 개방하는 것을 완료한 후에, 열확산판(73) 및 가열플레이트(74)는 공압실린더(76)의 구동에 의해, 도l에 도시한 반도체웨이퍼(W)의 반입 ·반출위치까지 하강되며, 이와 동시에 게이트밸브(68)에 의해 폐쇄되어 있던 개구부(66)가 개방된다. 그리고, 지지핀(70) 상에 위치된 반도체웨이퍼(W)가 도시하지 않은 반송로봇에 의해 장치 밖으로 반출된다(단계S8).
상기의 실시예에서는, 예열수단으로서 가열플레이트(74)를 사용하지만, 예열수단으로 할로겐램프와 같은 램프를 사용하여도 무방하다.
본 발명은, 본 발명의 사상 또는 근본적인 특징으로부터 벗어나지 않은 상태로 다른 특정한 형태로 실시될 수 있으므로, 본 발명의 범위를 한정함에 있어서는 전술한 상세한 설명보다는 첨부된 특허청구범위를 참조하여야 한다.
상기와 같은 본 발명에 따른 열처리장치 및 열처리방법에 의하면, 반도체웨이퍼에 주입된 이온이 확산되는 블런트 프로파일 현상을 방지하는 한편, 반도체 웨이퍼를 충분히 균일하게 가열할 수 있게 된다.
도1은, 본 발명에 따른 열처리장치의 측단면도이다.
도2는, 본 발명에 따른 열처리장치의 측단면도이다.
도3은, 본 발명에 다른 열처리장치의 평면개요도이다.
도4는, 열확산판의 일부분의 확대측면도이다.
도5는, 본 발명에 따른 열처리장치에 의하여 반도체웨이퍼의 열처리동작을 나타내는 흐름도이다.
도6은, 반도체웨이퍼의 온도의 변화를 나타내는 그래프이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
61... 투광판, 62... 바닥판,
63,64...측판, 65... 열처리실,
66... 개구부, 68...게이트밸브,
69... 크세논플래시램프, 70... 지지핀,
72... 광확산판, 73... 열확산판,
74... 가열플레이트, 75... 위치결정핀,
76... 공압실린더, 77... 벨로우즈,
78... 도입로, 80... 배출로,
81... 개폐밸브, H... 오버슈트(overshoot),
T1... 예열온도, T2... 처리온도,
W... 반도체웨이퍼.

Claims (21)

  1. 기판과 접촉하고, 기판의 하면을 지지함으로써 기판을 예열하는 어시스트 가열수단과, 상기 어시스트 가열수단에 의해 예열된 기판에 섬광을 조사함으로써 처리온도까지 가열하기 위한 플래시가열수단을 포함하는 열처리장치에 있어서, 상기 어시스트 가열수단은,
    히터를 구비한 가열플레이트와;
    상기 가열플레이트의 표면에 상기 기판에 대향하게 설치되며, 상기 가열플레이트보다 열전도율이 낮은 열확산판과;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 열확산판은, 석영으로 형성되는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 열확산판이 설치되는 상기 가열플레이트의 표면은, 질화알루미늄으로 형성된 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 질화알루미늄은, 적어도 상기 열확산판에 대향한 표면에서 백색인 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 열확산판은, 상기 열확산판의 표면의 내부와 표면 상에 구비된 기판 위치결정수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 위치결정수단은, 상기 열확산판에 형성된 오목부인 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 위치결정수단은, 열확산판에 형성된 핀인 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 플래시가열수단은, 크세논플래시램프인 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 어시스트 가열수단은, 기판을 200℃ ~ 600℃의 온도로 예열하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 플래시가열수단은, 기판을 1000℃ ~ 1100℃의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  11. 제2항에 있어서,
    상기 플래시가열수단이 기판을 가열할 때에, 상기 기판이 위치하는 열처리실을 감압하는 감압수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  12. 기판과 접촉하고, 기판의 하면을 지지함으로써 기판을 예열하는 어시스트 가열수단과, 상기 어시스트 가열수단에 의해 예열된 기판에 섬광을 조사함으로써 상기 기판을 처리온도까지 가열하는 플래시가열수단을 포함하는 열처리장치에 있어서,
    상기 어시스트 가열수단은, 그 내부에 히터를 구비하며, 상기 기판과 접촉하는 표면은 석영으로 형성되는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 플래시가열수단은, 크세논플래시램프를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 어시스트 가열수단은, 기판을 200℃ ~ 600℃의 온도로 예열하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 플래시가열수단은, 기판을 1000℃ ~ 1100℃의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 플래시가열수단이 기판을 가열할 때에, 상기 열처리실을 감압하는 감압수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  17. 기판에 접촉하고, 기판의 하면을 지지함으로써 기판을 예열하는 어시스트 가열단계와, 상기 어시스트 가열단계에서 예열된 기판에 섬광을 조사함으로써 상기 기판을 처리온도까지 가열하는 플래시가열단계를 포함하는 열처리방법에 있어서,
    상기 어시스트 가열단계에서는, 히터를 구비한 가열플레이트와, 상기 가열플레이트의 기판에 대향하는 표면에 설치되며 상기 가열플레이트보다 열전도율이 낮은 열확산판으로 이루어지는 가열수단으로써 상기 기판을 예열하는 것을 특징으로 하는 열처리방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 플래시가열단계에서는, 상기 기판이 미리 설정된 예열온도까지 가열된 직후에, 상기 기판에 섬광을 조사함으로써, 상기 예열된 기판을 처리온도까지 가열하는 것을 특징으로 하는 열처리방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 플래시가열단계에서는, 기판을 크세논플래시램프로 가열하는 것을 특징으로 하는 열처리방법.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 어시스트 가열단계에서는, 기판을 200℃ ~ 600℃의 온도로 예열하는 것을 특징으로 하는 열처리방법.
  21. 제17항에 있어서,
    상기 플래시가열단계에서는, 기판을 1000℃ ~ 1100℃의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 열처리방법.
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