KR100479532B1 - 산화세륨계 고체 전해질 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 물질 조성물에 관한 것이다.
화학식 1
LnxLn'x'AyTizCe1-x-x'-y-zO2-δ
상기 식에서, Ln은 Sm, Gd, Y 및 이의 혼합물로 구성된 군에서 선택되고, Ln'는 La, Pr, Nd, Pm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu로 구성된 군에서 선택되며, A는 Mg, Ca, Sr 및 Ba으로 구성된 군에서 선택되고, 0.05 ≤x ≤0.25, 0 ≤x' ≤0.25, 0 ≤y ≤0.03, 0.001 ≤z ≤0.03, 0.05 ≤x + x' ≤0.25, 0.001 ≤y + z ≤0.03이며, δ는 물질 조성물을 전하 중성으로 만드는 수이다.
이 조성물은 고체 상태의 산소 발생기를 비롯한 장치에서 고체 전해질로서 사용하기 적절한 소결체로 성형될 수 있다. 이러한 소결체는 1600℃ 이하의 온도에서 이론 밀도의 95% 이상을 나타내며, 고체 상태 방법으로 제조할 수 있다.

Description

산화세륨계 고체 전해질{CERIA BASED SOLID ELECTROLYTES}
산소 이온을 전도하는 고체 전해질을 포함하는 전기화학 장치는 산소 함유 기체로부터 산소를 분리하는 공정과 기체 혼합물 중 산소의 농도를 측정하는 센서 등의 각종 용도에서 적지 않게 사용되어 왔다. 고체 전해질에 대한 바람직한 성질로는 산소 이온 전도에 대한 낮은 저항성 및 높은 강도 등이 있다. 이러한 고체 전해질은 통상 전기화학 장치에 대한 전력 소요량을 낮추기 위해서 가능한 얇게, 그러나 조작 조건 하에 전기화학 장치에서 일반적으로 생기는 압력 차이를 견딜 수 있는 충분한 기계적 안정성을 제공할 만큼 두껍게 만들어진다.
산화세륨계 전해질은 상기 전기화학 장치에서 유용한 것으로 알려져 있다. 산화세륨(CeO2) 전해질은 산소 이온 전도도를 고려한 산소 빈격자자리를 보유한다. 형석 구조를 보유하는 산화세륨은 조작 조건 하에서 다소 낮은 산소 이온 전도도를 나타낸다. 고체 전해질 내의 산소 빈격자자리의 농도는, Ce4+와 원자가가 다른 도핑제를 첨가하여 고체 전해질 중 산소 전도도를 증가시킴으로써 높일 수 있다. 예를 들어, 일본 공개 공보 H8-169713호는 산화세륨이 Mg, Ca, Sr, Ba과 같은 알칼리 토금속, 또는 Zr, Hf, Nb 또는 Ta 등의 전이 금속으로 도핑될 수 있음을 교시한다.
각종 도핑제가 고체 전해질에서 산소 이온 전도도를 증가시키는 데 효과적인 것으로 밝혀졌지만, 이트륨 및 란탄족(특히, Sm 및 Gd)과 Mg가 산화세륨계 전해질에서 높은 이온 전도도를 제공하는 바람직한 도핑제인 것으로 생각된다. Chen & Chen[J.Am.Ceram.Soc. No.79 (1996) p1793]은 도핑되지 않은 산화세륨의 소결 작용에 대한 Mg2+, Ca2+, Sr2+, Sc3+, Yb3+, Y3+ , Gd3+, La3+, Ti4+, 및 Nb3+의 효과를 연구하였다. 연구진들은 이산화티탄 및 산화마그네슘이 소결 과정에서 성장된 비정상적인 결정립을 유도할 수 있는 "결정 경계 이동성을 현저히 향상시킬 수 있음"을 발견하였다.
US-A-3,607,424호는 화학식 (CeO2)2(Gd2O3)x(MgO) y로 표시되는 고체 전해질을 개시하고 있다. 산화마그네슘 및 산화가돌리늄은 각각 산소 이온 전도도를 증가시키기 위해서 상당량 첨가되는 도핑제로 생각된다. 일본 공개 공보 JP 75-012566호는 산화가돌리늄 및 산화사마륨이 산소 이온 전도도를 증가시키는 도핑제로서 사용되고 산화마그네슘이 소결 조제로서 사용된 산화세륨계 고체 전해질을 개시하고 있다.
일본 공개 공보 JP 62-28316호는 화학식 SrCe1-x-yMxM'yO3[여기서, M은 Ti, Zr 또는 Sn이고, M'는 Y, Sc, Yb, Mg, Nd, Pr 또는 Zn이며, x 및 y는 모두 0∼0.5 범위 내에 있음]로 표시되는 회티탄석 고체 전해질을 개시하고 있다. 도핑제 M 및 M'는 산소 이온 전도도를 증가시키기 위해서 첨가된다.
산소 분리 장치에 이용되는 고체 전해질은 통상 감지할 수 있을 정도의 연결된 관통 다공성을 보유하지 않는다. 즉, 이러한 고체 전해질은 고체 전해질을 통해 기체를 이송할 수 있는 기공망을 포함하지 않는다는 의미이다. 연결된 관통 다공성을 형성하지 않기 위해서 고체 전해질은 통상 그 밀도가 이론 밀도의 95% 이상이다.
미크론 이하 크기의 분말로부터 형성한 도핑된 산화세륨 전해질은 통상 이론 밀도의 95% 이상의 밀도를 얻기 위해서 높은 압축 압력(최대 1 GPa)과 높은 소결 온도(약 1700℃)를 필요로 한다. 이들 공정 조건으로 인하여 이러한 고체 전해질의 제조와 관련된 비용이 증가된다.
소결 조제를 사용하여 고체 전해질을 소결하는 데 필요한 공정 온도를 낮추어 왔다. 금속 수산화물을 사용한 공동침전법을 이용하여 공정 장비를 조작하는 데 바람직한 범위인 1400∼1600℃의 온도 범위에서 쉽게 소결되는 분말을 제조하였다.
일본 공개 공보 H8-159713호는 이론 밀도의 95% 이상의 밀도를 제공하면서 1250∼1600℃ 범위의 온도에서 소결될 수 있는 도핑된 산화세륨을 제조하기 위한 공동침전법을 교시하고 있다. 공동침전법은 WO91/09430호에서도 사용되는데, 산화세륨과 희귀토 금속 및/또는 철, 코발트 및 니켈로부터 선택된 2종의 도핑제를 함유하는 조성물에 대하여 1300∼1525℃의 소결 온도를 개시하고 있다. 가돌리늄 도핑된 산화세륨과 같은 공동침전된 분말은 시판된다.
일본 공개 공보 JP 75-012566호는 산화가돌리늄 및 산화사마륨으로 도핑된 산화세륨에서 소결 조제로서 이용되는 산화마그네슘을 개시하고 있다. GB-1322959호는 소결 조제로서 산화마그네슘을 개시하고 있고, 1700∼1850℃의 소결 온도를 교시하고 있는데, 이 온도는 상업적 공정에 대한 바람직한 온도 범위를 넘는 것이다. US-A-4,465,778호는 순수한 이산화지르코늄, 산화세륨 및 산화토륨에 대한 소결 조제로서 산화마그네슘을 개시하고 있다. Baumard 및 그 연구진들[J. Less Com. Metals, 127, 125-130(1987)]은 소량의 산화니오븀 및 이산화티탄(0.1∼0.3 중량%)을 첨가하여 소결 작용을 개선시킬 수 있음을 확인하였다.
본 발명의 목적은 소정의 형상(그린체(green body)로서 언급됨)으로 성형될 수 있고 1600℃ 또는 그 이하의 온도에서 이론 밀도의 95% 이상으로 소결되어 고체 전해질을 형성할 수 있는 물질의 산화세륨계 조성물을 제공하는 것이다.
발명의 개요
하기 화학식 1로 표시되는 물질 조성물을 이용하여 이들 목적을 달성하고 종래 기술의 다른 단점들을 해결한다.
LnxLn'x'AyTizCe1-x-x'-y-zO2-δ
상기 식에서, Ln은 Sm, Gd, Y 및 이의 혼합물로 구성된 군에서 선택되고, Ln'는 La, Pr, Nd, Pm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu로 구성된 군에서 선택되며, A는 Mg, Ca, Sr 및 Ba으로 구성된 군에서 선택되고, 0.05 ≤x ≤0.25, 0 ≤x' ≤0.25, 0 ≤y ≤0.03, 0.001 ≤z ≤0.03, 0.05 ≤x + x' ≤0.25 및 0.001 ≤y + z ≤0.03이며, δ는 물질 조성물을 전하 중성으로 만드는 수이다.
상기 언급한 물질 조성물의 다른 구체예는 Ln이 Sm인 화학식 1에 의해 정해진다.
상기 언급한 물질 조성물의 다른 구체예는 A가 Mg인 화학식 1에 의해 정해진다.
상기 언급한 물질 조성물의 또 다른 구체예는 0.1 ≤x ≤0.2인 화학식 1에 의해 정해진다.
상기 언급한 물질 조성물의 또 다른 구체예는 y=0인 화학식 1에 의해 정해진다.
상기 언급한 물질 조성물의 또 다른 구체예는 x'=0인 화학식 1에 의해 정해진다.
바람직한 물질 조성물은 하기 화학식 2로 표시된다.
LnxTizCe1-x-zO2-δ
상기 식에서, Ln은 Sm, Gd 및 Y로 구성된 군에서 선택되고, 0.05 ≤x ≤0.25, 0.0025 ≤z ≤0.02이며, δ는 물질 조성물을 전하 중성으로 만드는 수이다.
바람직한 물질 조성물의 다른 구체예는 Ln이 Sm인 화학식 2에 의해 정해진다.
바람직한 물질 조성물의 다른 구체예는 Ln이 Gd인 화학식 2에 의해 정해진다.
바람직한 물질 조성물의 또 다른 구체예는 Ln이 Y인 화학식 2에 의해 정해진다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되며 밀도가 이론 밀도의 95% 이상인 물질 조성물을 포함하는 고체 전해질의 제조 방법에 관한 것으로서,
(a) 물질 조성물 중 금속의 화학양론 계수가 설정되도록 물질 조성물 중 금속에 해당하는 금속 함유 재료를 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계;
(b) 혼합물을 고체 전해질에 대한 소정의 형상으로 성형하는 단계; 및
(c) 1600℃ 또는 그 미만의 온도에서 소정 형상을 소결하여 밀도가 이론 밀도의 95% 이상인 고체 전해질을 형성하는 단계를 포함한다.
화학식 1
LnxLn'x'AyTizCe1-x-x'-y-zO2-δ
상기 식에서, Ln은 Sm, Gd, Y 및 이의 혼합물로 구성된 군에서 선택되고, Ln'는 La, Pr, Nd, Pm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu로 구성된 군에서 선택되며, A는 Mg, Ca, Sr 및 Ba으로 구성된 군에서 선택되고, 0.05 ≤x ≤0.25, 0 ≤x' ≤0.25, 0 ≤y ≤0.03, 0.001 ≤z ≤0.03, 0.05 ≤x + x' ≤0.25, 0.001 ≤y + z ≤0.03이며, δ는 물질 조성물을 전하 중성으로 만드는 수이다.
이 방법에 이용된 금속 함유 재료는 금속 산화물인 것이 바람직하다.
이 방법에 사용된 금속 산화물의 평균 입도는 5 ㎛ 이하이다.
본 발명에 따른 혼합 단계는 마찰형 분쇄, 진동형 분쇄, 볼 분쇄 및 고 전단 혼합으로 구성된 군에서 선택된 기법으로 실시하는 것이 바람직하다.
발명의 상세한 설명
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 물질 조성물에 관한 것이다.
화학식 1
LnxLn'x'AyTizCe1-x-x'-y-zO2-δ
상기 식에서, Ln은 Sm, Gd, Y 및 이의 혼합물로 구성된 군에서 선택되고, Ln'는 La, Pr, Nd, Pm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu로 구성된 군에서 선택되며, A는 Mg, Ca, Sr 및 Ba으로 구성된 군에서 선택되고, 0.05 ≤x ≤0.25, 0 ≤x' ≤0.25, 0 ≤y ≤0.03, 0.001 ≤z ≤0.03, 0.05 ≤x + x' ≤0.25 및 0.001 ≤y + z ≤0.03이며, δ는 물질 조성물을 전하 중성으로 만드는 수이다.
상기 언급한 물질 조성물의 다른 구체예는 Ln이 Sm인 화학식 1에 의해 정해진다.
상기 언급한 물질 조성물의 다른 구체예는 A가 Mg인 화학식 1에 의해 정해진다.
상기 언급한 물질 조성물의 또 다른 구체예는 0.1 ≤x ≤0.2인 화학식 1에 의해 정해진다.
상기 언급한 물질 조성물의 또 다른 구체예는 y=0인 화학식 1에 의해 정해진다.
상기 언급한 물질 조성물의 또 다른 구체예는 x'=0인 화학식 1에 의해 정해진다.
본 발명의 물질 조성물은 Ti 및 Ce과 함께 Sm, Gd 및 Y로 구성된 군에서 선택된 금속을 반드시 함유한다.
본 발명의 물질 조성물은 소결 온도가 1600℃ 이하, 바람직하게는 약 1200∼1600℃, 더욱 바람직하게는 1400∼1600℃로 놀랄만큼 낮다.
산소를 산소 함유 기체 혼합물로부터 분리하기 위한 장치와 같은 전기화학 장치에 사용하기 위해서, 조성물은 통상 산소 이온 전도도가 0.01∼100 S cm-1 범위이고 전자 전도도가 ≤10-2 S cm-1이다.
본 발명에 따른 물질 조성물로 형성된 고체 전해질은 연결된 관통 다공성이 없으며, 통상적으로 밀도가 이론 밀도의 약 95% 이상이다. 이론 밀도는 공지된 기법으로 측정한다. 이론 밀도를 측정하는 적절한 기법으로는 문헌[G.H. Stront, L.H. Jensen, "X-ray Structure Determination, A Practical Guide", The Macmillian Company Collier-Mac millan, Ltd. 런던, p 80-81]에 개시된 기법 등이 있다.
바람직한 물질 조성물은 하기 화학식 2로 표시된다.
화학식 2
LnxTizCe1-x-zO2-δ
상기 식에서, Ln은 Sm, Gd 및 Y로 구성된 군에서 선택되고, 0.05 ≤x ≤0.25, 0.0025 ≤z ≤0.02이며, δ는 물질 조성물을 전하 중성으로 만드는 수이다.
바람직한 물질 조성물의 다른 구체예는 Ln이 Sm인 화학식 2에 의해 정해진다.
바람직한 물질 조성물의 다른 구체예는 Ln이 Gd인 화학식 2에 의해 정해진다.
바람직한 물질 조성물의 또 다른 구체예는 Ln이 Y인 화학식 2에 의해 정해진다
본 발명에 따른 물질 조성물을 고체 전해질로 성형하여 당업계에 공지된 통상적인 전기화학 장치에서 고체 전해질로서 사용할 수 있다. 이들 고체 전해질은 통상 물질 조성물을 포함하는 얇은 소결체 형태이다.
전기화학 장치에 사용하기 위한 고체 전해질은 일반적으로 장치의 전력 소요량을 낮추기 위해서 가능한 얇게 만들어진다. 통상 두께는 500 ㎛ 이하, 바람직하게는 ≤250 ㎛ 범위이다. 그렇지만, 고체 전해질은 장치에서 일반적으로 생기는 임의의 압력 차이를 견딜 수 있는 충분한 기계적 안정성을 제공할 정도로 두꺼워야 한다.
본 발명의 물질 조성물로부터 형성된 고체 전해질은 당업계에 공지된 임의의 적절한 형태로 제작할 수 있다. 예를 들어 고체 전해질은 평판형일 수 있으며, 벌집형 구조를 갖거나 또는 관상형일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 고체 전해질은 실질적인 사각형의 편평한 원판 또는 판으로서, 경우에 따라서는 둥근 연부를 보유할 수 있고, 본 명세서에서 참고 인용한 개시물인 US-A-5,868,918호 및 US-A-5,750,279호(이들 특허는 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스 인코포레이티드에게 양도됨)에 개시된 것과 같은 중심 개구를 갖을 수 있다. 당업계에 공지된 임의의 전기화학 장치에서는 열거된 물질 조성물로 형성된 본 발명의 고체 전해질이 득이 될 수 있다. 예시적 전기화학 장치는 US-A-5,868,918호 및 US-A-5,750,279호에 개시되어 있다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되며 밀도가 이론 밀도의 95% 이상인 물질 조성물을 포함하는 고체 전해질의 제조 방법에 관한 것으로서,
(a) 물질 조성물 중 금속의 화학양론 계수가 설정되도록 물질 조성물 중 금속에 해당하는 금속 함유 재료를 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계;
(b) 혼합물을 고체 전해질에 대한 소정의 형상으로 성형하는 단계; 및
(c) 1600℃ 또는 그 미만의 온도에서 소정 형상을 소결하여 밀도가 이론 밀도의 95% 이상인 고체 전해질을 형성하는 단계를 포함한다.
화학식 1
LnxLn'x'AyTizCe1-x-x'-y-zO2-δ
상기 식에서, Ln은 Sm, Gd, Y 및 이의 혼합물로 구성된 군에서 선택되고, Ln'는 La, Pr, Nd, Pm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu로 구성된 군에서 선택되며, A는 Mg, Ca, Sr 및 Ba으로 구성된 군에서 선택되고, 0.05 ≤x ≤0.25, 0 ≤x' ≤0.25, 0 ≤y ≤0.03, 0.001 ≤z ≤0.03, 0.05 ≤x + x' ≤0.25, 0.001 ≤y + z ≤0.03이며, δ는 물질 조성물을 전하 중성으로 만드는 수이다.
이 방법에 이용된 금속 함유 재료는 금속 산화물인 것이 바람직하다.
방법의 (a) 단계에 따라서, 실시자는 조성물 내로 혼입하고자 하는 금속 및 이의 양을 확인하여, 명세서에 제시된 화학식의 범위 내에 있는 목적하는 물질 조성물을 선택하여 목적하는 고체 전해질을 제조한다. 당업자는 과도한 실험 없이 이 단계를 실시할 수 있다. 따라서 제조하고자 하는 물질 조성물 중 금속에 해당하는 금속 함유 재료를 제조하고자 하는 조성물의 화학양론 계수에 해당하는 양으로 혼합한다. 본 방법에 따른 혼합 단계는 마찰형 분쇄, 진동형 분쇄, 볼 분쇄 및 고 전단 혼합으로 구성된 군에서 선택된 기법으로 실시하는 것이 바람직하다.
금속 함유 재료는 평균 입도가 바람직하게는 10 ㎛ 이하이고, 1 m2/g 이상의 표면적을 제공한다. 5 ㎛ 이하의 평균 입도와 2 m2/g 이상의 표면적이 더욱 바람직하며, 바람직한 구체예에서 평균 입도는 2.5 ㎛ 이하이고 표면적은 4 m2/g 이상이다.
적절한 혼합은 마찰형 분쇄, 진동형 분쇄, 볼 분쇄 및 고 전단 혼합을 비롯한 종래의 수단으로 단계 (a)에서 실시할 수 있다. 예를 들어, 고체 전해질 제작에 있어서 테이프 주조, 슬립 주조, 1축 압축성형 또는 등압 압축성형이 바람직한 선택인 경우, 볼 분쇄, 진동 분쇄 또는 마찰형 분쇄가 고 전단 혼합보다 바람직하다. 반면에, 롤 압축, 압출 또는 사출 성형이 바람직한 방법인 경우에는 고 전단 혼합이 가장 좋다. 입도를 줄이고 균질한 혼합물을 제조하여 확산 거리를 최소화하는 것이 중요한 원리이다. 당업계에서 일반적인 바와 같이 통상의 결합제, 가소제 및 용매를 사용할 수 있다.
본 방법의 제2 단계에서는 제작하고자 하는 고체 전해질의 목적하는 형상을 정하고 전단계의 혼합물을 목적하는 형상으로 성형한다. 이러한 형상은 당업계에 공지된 것들로부터 선택할 수 있다. 형상의 성형 기법은 당업계에 공지되어 있다.
본 방법의 제3 단계에서는 목적하는 형상의 혼합물을 소결하여 고체 전해질을 제공한다. 소결은 전기로, 기체로, 극초단파로, 플라즈마로 또는 기타 노(爐)에서 실시할 수 있다. 회분식 또는 연속식 노가 효과적으로 이용될 수 있다. 소결 온도는 통상 약 1600℃ 이하, 바람직하게는 약 1400∼1600℃이어야 한다. 그러나, 소결 온도는 일반적으로 1200℃ 이상이다. 소결 시간이란 소결하고자 하는 대상을 소결 온도 프로필의 최대 온도에서 유지하는 시간을 의미한다. 소결 시간은 통상 약 0.5∼약 10시간, 바람직하게는 약 1∼약 5 시간이다. 과도한 실험 없이 소결 온도 및 소결 시간을 바람직하게 조합할 수 있다. 공기 중에서 소결하는 것이 가장 경제적이지만, 당업계에 공지된 다른 종류의 대기가 적절할 수 있다.
본 발명은 하기 실시예를 참조하여 추가로 설명될 것이며, 이들 실시예는 단지 예시용으로 제공된 것이고 본 발명의 범위를 제한하려는 것은 아니다.
실시예 1
Ce 0.895 Sm 0.100 Ti 0.005 O 2-δ
CeO2(롱 푸랑 세라믹 등급) 538.9 g, Sm2O3(몰리콥 등급 5810) 60.9 g 및 TiO2(데구사 등급 P25) 1.38 g을, 고순도 ZrO2(3 몰% Y2O3) 구형 매체 1.5 kg이 들어있는 1ℓ폴리에틸렌 병 중 분산제(위트코 PS-21A) 3.0 g, 톨루엔 168 g 및 에탄올 42 g에 첨가하였다. 슬러리를 115 rpm에서 24시간 동안 혼합하고, 사전 용해시킨 결합제/가소제(32.8 중량% 폴리비닐 부티랄 결합제(몬산토 등급 B-79), 13.1 중량% 부틸 벤질 프탈레이트 가소제(몬산토 등급 S-160), 43.3 중량% 톨루엔 및 10.8 중량% 에탄올) 210 g을 첨가하고 슬러리를 2 시간 더 혼합하였다.
슬러리를 탈기시키고 1.15 mm의 훑개(doctor blade) 높이에서 주조하여, 건조시 두께가 300 ㎛인 그린 테이프를 얻었다. 그린 테이프를 6시간 내에 20℃에서 200℃로, 10시간 내에 200℃에서 450℃로, 1시간 내에 450℃에서 1500℃로 가열하고, 1500℃에서 2시간 유지한 다음 15시간 내에 1500℃에서 20℃로 냉각시킴으로써 소결하여 고체 전해질을 제조하였다. 고체 전해질의 밀도는 7.13 g/cc였다. 고체 전해질의 두께는 250 ㎛였다.
실시예 2(비교예)
Ce 0.895 Sm 0.100 Mg 0.005 O 2-δ
CeO2(롱 푸랑 세라믹 등급) 538.9 g, Sm2O3(몰리콥 등급 5810) 60.9 g 및 MgO(베이커 크로마토그래피 등급) 0.72 g을, 고순도 ZrO2(3 몰% Y2O3) 구형 매체 1.5 kg이 들어있는 1ℓ폴리에틸렌 병 중 분산제(위트코 PS-21A) 3.0 g, 톨루엔 168 g 및 에탄올 42 g에 첨가하였다. 슬러리를 115 rpm에서 24시간 동안 혼합하고, 사전 용해시킨 결합제/가소제(32.8 중량% 폴리비닐 부티랄 결합제(몬산토 등급 B-79), 13.1 중량% 부틸 벤질 프탈레이트 가소제(몬산토 등급 S-160), 43.3 중량% 톨루엔 및 10.8 중량% 에탄올) 210 g을 첨가하고 슬러리를 2 시간 더 혼합하였다.
슬러리를 탈기시키고 1.15 mm의 훑개 높이에서 주조하여, 건조시 두께가 300 ㎛인 그린 테이프를 얻었다. 그린 테이프를 실시예 1에서와 같이 소결하여 고체 전해질을 제조하였다. 고체 전해질의 밀도는 6.42 g/cc였다. 1550℃에서 소성하여 밀도를 6.74 g/cc로 증가시켰다. 본 실시예는 유사한 공정 조건하에서 산화마그네슘이 이산화티탄보다 높은 밀도를 제공함을 보여준다.
실시예 3 내지 5
표 1의 조성물을 제조하였다. CeO2, Sm2O3 및 TiO2의 공급원은 실시예 1에서와 동일하였다. Gd2O3(몰리콥 등급 5780) 및 Y2O3(몰리콥 등급 5600) 분말은 99.99% 순수한 것으로 표시되어 있으며, Sm2O3는 99.6% 이상 순수하였다. 샘플을 실시예 1에서와 같이 처리하여 소결하였다. 소결된 밀도는 표 1에 제시되어 있다. 모든 밀도는 이론 밀도의 99% 이상이었다. 표 1은 산화가돌리늄, 산화이트륨 및 산화사마륨을 함유하는 제시된 물질 조성물이 이론 밀도의 비율로서 비교시 유사한 밀도를 갖는 고체 전해질을 제공함을 입증한다.
실시예 공칭 조성 반응물 중량(g) 소결체의 밀도(g/cc)
CeO2 Sm2O3 Gd2O3 Y2O3 TiO2
3 Ce0.795Sm0.2Ti0.005O2-δ 477.18 121.44 0.0 0.0 1.39 7.09
4 Ce0.795Gd0.2Ti0.005O2-δ 477.18 0.0 126.24 0.0 1.39 7.24
5 Ce0.795Y0.2Ti0.005O2-δ 477.18 0.0 0.0 78.64 1.39 6.68
실시예 6-11
CeO2(롱 푸랑 세라믹 등급) 654.5 g 및 Sm2O3(진동 분쇄된 몰리콥 등급 5810) 117.7 g을, 고순도 ZrO2(3 몰% Y2O3) 구형 매체 1.5 kg이 들어있는 1ℓ폴리에틸렌 병 중 분산제(ICI PS2) 1.93 g, 톨루엔 168 g 및 에탄올 42 g에 첨가하였다. TiO2(데구사 등급 P25) 0.90 g을 실시예 6 내지 8에 첨가하였다. 실시예 6은 MgO(베이커 크로마토그래피 등급) 0.45 g을 함유하고, 실시예 7은 MgO 대신에 CaCO3(베이커 등급 1294-5) 1.13 g을 함유하였으며, 실시예 8은 2족 금속의 공급원으로서 SrCO3(솔베이 등급 SL 300) 1.66 g을 사용하였다.
슬러리를 115 rpm에서 16시간 동안 혼합하고, 폴리비닐 부티랄 결합제(몬산토 등급 B-79) 69.23 g, 부틸 벤질 프탈레이트 가소제(몬산토 등급 S-160) 29.76 g, 톨루엔 74.0 g 및 에탄올 18.5 g을 첨가하고 슬러리를 6 시간 더 혼합하였다. 슬러리를 탈기시키고 1.15 mm의 훑개 높이에서 주조하여, 건조시 두께가 300 ㎛인 그린 테이프를 얻었다.
실시예 6 내지 11은 2 시간 동안 지정 온도(1500℃ 및 1550℃)에서 소결하여 고체 전해질을 형성하였다. 결과는 표 2에 제시되어 있으며, 산화스트론튬 또는 산화칼슘을 함유하는 물질 조성물과 비교하여 산화마그네슘을 함유하는 물질 조성물은 이론 밀도의 비율로서의 밀도가 더 높다는 것을 입증한다.
실시예 공칭 조성 소결체의 밀도(g/cc)1500℃ 1550℃
6 Ce0.845Sm0.15Ti0.0025Mg0.0025O2-δ 7.08 7.26
7 Ce0.845Sm0.15Ti0.0025Ca0.0025O2-δ 6.89 7.11
8 Ce0.845Sm0.15Ti0.0025Sr0.0025O2-δ 6.84 7.11
9 Ce0.84Sm0.15Ti0.00325Mg0.00675O2-δ 6.8
10 Ce0.84Sm0.15Ti0.005Mg0.005O2-δ 7.04
11 Ce0.84Sm0.15Ti0.0065Mg0.0035O2-δ 7.13
본 발명은 일부 바람직한 구체예에 대하여 설명하였지만, 본 발명의 전체 범위는 하기의 청구범위에 의해서 확정된다.
본 발명은 소정의 형상으로 성형될 수 있고 1600℃ 또는 그 이하의 온도에서 이론 밀도의 95% 이상으로 소결되어 고체 전해질을 형성할 수 있는 물질의 산화세륨계 조성물을 제공한다.

Claims (14)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 물질 조성물:
    화학식 1
    LnxLn'x'AyTizCe1-x-x'-y-zO2-δ
    상기 식에서, Ln은 Sm, Gd 및 Y로 구성된 군에서 선택되고, Ln'는 La, Pr, Nd, Pm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu로 구성된 군에서 선택되며, A는 Mg, Ca, Sr 및 Ba으로 구성된 군에서 선택되고, 0.05 ≤x ≤0.25, 0 ≤x' ≤0.25, 0 ≤y ≤0.03, 0.001 ≤z ≤0.03, 0.05 ≤x + x' ≤0.25, 0.001 ≤y + z ≤0.03이며, δ는 물질 조성물을 전하 중성으로 만드는 수이다.
  2. 제1항에 있어서, Ln이 Sm인 것이 특징인 물질 조성물.
  3. 제1항에 있어서, A가 Mg인 것이 특징인 물질 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 0.1 ≤x ≤0.2인 것이 특징인 물질 조성물.
  5. 제1항에 있어서, y=0인 것이 특징인 물질 조성물.
  6. 제1항에 있어서, x'=0인 것이 특징인 물질 조성물.
  7. 하기 화학식 2로 표시되는 물질 조성물:
    화학식 2
    LnxTizCe1-x-zO2-δ
    상기 식에서, Ln은 Sm, Gd 및 Y로 구성된 군에서 선택되고, 0.05 ≤x ≤0.25, 0.0025 ≤z ≤0.02이며, δ는 물질 조성물을 전하 중성으로 만드는 수이다.
  8. 제7항에 있어서, Ln이 Sm인 것이 특징인 물질 조성물.
  9. 제7항에 있어서, Ln이 Gd인 것이 특징인 물질 조성물.
  10. 제7항에 있어서, Ln이 Y인 것이 특징인 물질 조성물.
  11. 하기 화학식 1로 표시되며 밀도가 이론 밀도의 95% 이상인 물질 조성물을 포함하는 고체 전해질의 제조 방법으로서,
    (a) 물질 조성물 중 금속의 화학양론 계수가 설정되도록 물질 조성물 중 금속에 해당하는 금속 함유 재료를 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계;
    (b) 혼합물을 고체 전해질에 대한 소정의 형상으로 성형하는 단계; 및
    (c) 1600℃ 또는 그 미만의 온도에서 소정 형상을 소결하여 밀도가 이론 밀도의 95% 이상인 고체 전해질을 형성하는 단계를 포함하는 것인 방법.
    화학식 1
    LnxLn'x'AyTizCe1-x-x'-y-zO2-δ
    상기 식에서, Ln은 Sm, Gd, Y 구성된 군에서 선택되고, Ln'는 La, Pr, Nd, Pm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu로 구성된 군에서 선택되며, A는 Mg, Ca, Sr 및 Ba으로 구성된 군에서 선택되고, 0.05 ≤x ≤0.25, 0 ≤x' ≤0.25, 0 ≤y ≤0.03, 0.001 ≤z ≤0.03, 0.05 ≤x + x' ≤0.25, 0.001 ≤y + z ≤0.03이며, δ는 물질 조성물을 전하 중성으로 만드는 수이다.
  12. 제11항에 있어서, 금속 함유 재료가 금속 산화물인 것이 특징인 방법.
  13. 제12항에 있어서, 금속 산화물은 평균 입도가 5 ㎛ 미만인 것이 특징인 방법.
  14. 제11항에 있어서, 혼합 단계가 마찰형 분쇄, 진동형 분쇄, 볼 분쇄 및 고 전단 혼합으로 구성된 군에서 선택된 기법으로 실시되는 것이 특징인 방법.
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