KR100458037B1

KR100458037B1 - 일렉트로루미네슨스표시장치및표시장치의구동회로

Info

Publication number: KR100458037B1
Application number: KR1019970017059A
Authority: KR
Inventors: 유지 우에노
Original assignee: 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤
Priority date: 1996-07-10
Filing date: 1997-05-02
Publication date: 2005-01-17
Also published as: FR2751115B1; DE19721675A1; US6072477A; CN1170276A; FR2751115A1; KR980010988A; CN1118928C

Abstract

본 발명은 EL 소자의 휘도 불균일을 저감할 수 있도록 하고, EL 소자의 접속이 해방 상태에 놓여진 경우의 내부 트랜지스터 등의 소자 파괴를 방지할 수 있도록 하며, 또 EL 소자가 발하는 진동에 의한 노이즈를 저감할 수 있도록 하기 위한 EL 표시장치 및 표시장치의 구동회로에 관한 것으로, 발진 회로(6)가 출력하는 펄스 신호를 받아서 직류 전압원(2)의 전압을 승압하는 승압회로(10)와, 승압회로(10)에 접속되고, 제 1∼제 4 MOSFET(21∼24)와 반전기(25)로 이루어지는 스위칭 수단(20)과, 스위칭 수단의 출력단자(X, Y)에 접속된 EL 소자(1)와, 스위칭 회로(20)의 출력을 받고, 스위칭 회로(20)에 스위칭을 지시하는 제어신호를 송출하는 전압 검출회로를 구비한다. 승압회로(10)는 코일(11)과 다이오드(12)가 직렬로 접속되어 이루어지는 직렬 회로와, 주전극이 직렬 회로의 공통 접속부에 접속되고, 제어 전극이 펄스 신호를 수신하는 승압 트랜지스터(13)로 구성되어 있다.

Description

일렉트로루미네슨스 표시장치 및 표시장치의 구동회로{ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY AND DRIVING CIRCUIT FOR THE SAME}

본 발명은 일렉트로루미네슨스(전계발광) 소자(Electroluminescence element ; 이하, EL 소자라 함)의 구동회로 및 이 구동회로를 이용한 EL 표시장치에 관한 것으로, 특히 승압 코일 등과 반도체 집적 회로 장치를 조합한 표시장치에 관한 것이다.

최근, 손목시계의 문자판이나 휴대 정보 기기의 표시판에는 백라이트용 또는문자 등의 표시용으로서 EL 소자를 이용한 EL 표시장치가 이용되고 있다.

이하, 종래의 EL 표시장치를 도면에 기초하여 설명하기로 한다.

도 10은 종래의 EL 소자의 구동회로를 이용한 EL 표시장치를 도시한 회로도이다. 도 10에서, 51은 표시판을 발광시키는 EL 소자, 52는 직류 전압원, 53은 직류 전압원(52)을 승압하여 EL 소자(51)에 인가하는 인가전압을 생성하는 코일, 54는 코일(53)에 대하여 역방향의 전압이 인가되는 것을 저지하기 위한 다이오드이다. 반도체 기판 상에 집적화되는 영역(100)에 있어서, 55는 소스 전극이 접지된 N 채널형 MOS로 이루어지는 승압 트랜지스터, 56은 그 출력단이 승압 트랜지스터(55)의 게이트 전극에 접속되어 그 승압 트랜지스터(55)의 스위칭 주파수를 결정하는 발진 회로, 57은 EL 소자(51)에 대한 인가전압의 극성을 반전시켜서 교류 신호를 생성할 때, 그 교류 신호의 주파수를 결정하는 분주 회로, 60은 EL 소자(51)에 대한 인가전압의 극성을 반전시켜서 상기 교류 신호를 생성하는 스위칭 회로이다.

스위칭 회로(60)는 드레인 전극이 다이오드(54)의 캐소드에 서로 접속되고, 각 소스 전극이 제 1 출력단자(X) 또는 제 2 출력단자(Y)에 각각 접속되어 EL 소자(51)의 인가전압의 극성을 반전시키는 스위치인 제 1의 N 채널형 MOS 트랜지스터(61) 및 제 2의 N 채널형 MOS 트랜지스터(62)와, 소스 전극이 접지되고 드레인 전극이 제 1의 N 채널형 MOS 트랜지스터(61)의 소스 전극에 접속되며, 게이트 전극이 제 2의 N 채널형 MOS 트랜지스터(62)의 게이트 전극에 접속되어 있는 제 3의 N 채널형 MOS 트랜지스터(63)와, 소스 전극이 접지되고 드레인 전극이 제 2의 N 채널형 MOS 트랜지스터(62)의 소스 전극에 접속되고, 게이트 전극이 제 1의 N 채널형 MOS트랜지스터(61)의 게이트 전극에 접속되어 있는 제 4의 N 채널형 MOS 트랜지스터(64)와, 제 1 및 제 3의 N 채널형 MOS 트랜지스터(61, 63)의 게이트 전극에 각각 인가되는 신호와 제 2 및 제 4의 N 채널형 MOS 트랜지스터(62, 64)의 게이트 전극에 각각 인가되는 신호의 극성을 서로 반전시키는 반전기(65)로 구성된다.

또, 도 10에서 N 채널형 MOS 트랜지스터(61) 등을 나타내는 기호에 부가되어 있는 화살표는 소스 전극을 나타내고 있고, 다른 도면에서도 같은 화살표를 부가하고 있다.

이하, 상기와 같이 구성된 EL 표시장치의 동작을 설명하기로 한다. 도 10에 도시한 바와 같이, 승압 트랜지스터(55)의 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압(V56)의 주파수는 발진 회로(56)에 의해 결정되고, 이 게이트 전압(V56)의 시간 변화를 도 11에 도시한다. 도 11에서 T는 게이트 전압(V56)의 주기를 나타내고, V65는 발진 회로(56)의 발진 주파수와 분주 회로(57)의 분주비에 의해 결정되는 반전기(65)의 출력 전압을 도시한다. 여기에서 출력 전압(V65)의 주파수는 400Hz 정도이다. 이 때, 분주 회로(57)의 분주비를 예를 들어 1/16로 설정했다고 하면 출력 전압(V65)의 주기는 16T로 된다. 도 11에 도시한 t=0∼8T의 기간(도면중 기간 a)에서 출력 전압(V65)은 로우 레벨이기 때문에 제 2 및 제 3의 N 채널형 MOS 트랜지스터(62, 63)는 오프로 되고, 제 1 및 제 4의 N 채널형 MOS 트랜지스터(61, 64)는 온으로 된다. 이 때, EL 소자(51)에 대한 제 2 출력단자(Y)가 GND로 되고, 제 1 출력단자(X)가 코일(53)과 승압 트랜지스터(55)에 의해, 예를 들면 50∼80V 정도까지 승압된다.

도 11에 도시한 V51은 제 2 출력단자(Y)를 기준으로 한 경우의 EL 소자(51)에 대한 인가전압을 나타낸다. t=8T∼16T의 기간(도면중 기간 b)에서 반전기(65)의 출력 전압(V65)은 하이 레벨이기 때문에 제 2 및 제 3의 N 채널형 MOS 트랜지스터(62, 63)는 온으로 되고, 제 1 및 제 4의 N 채널형 MOS 트랜지스터(61, 64)는 오프로 된다. 이 때 EL 소자(51)의 인가전압(V51)은 제 3의 N 채널형 MOS 트랜지스터(63)의 드레인·소스 도전로를 통하여 방전되고 기간 a와는 반대로 EL 소자(51)에 대한 제 1 출력단자(X)가 GND로 되어 제 2 출력단자(Y)가 승압된다.

이와 같이 종래의 EL 표시장치는 발진 회로(56)와 분주 회로(57)를 이용하여 결정되는 주기에 따라 EL 소자(51)에 대한 인가전압을 승압하고, 또 극성을 반전시키는 EL 구동회로로 구성된다.

그러나 상기 종래의 EL 표시장치의 구동회로는 EL 소자에 대한 인가전압의 극성을 소정 주기(=8T)로 반전하고 있기 때문에 다음과 같은 3가지 문제점을 갖고 있다.

우선 첫째로, 표시장치에 복수의 EL 소자를 이용하는 경우에는 각 EL 소자의 용량의 분산(dispersion)에 따라 각 EL 소자의 인가전압이 변동하기 때문에 표시장치 전체의 휘도에 불균일이 생기는 문제점이 있다. 이 종래의 휘도 불균일을 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 도 12는 종래의 EL 소자 자체의 용량의 분산에 따르는 EL 소자의 인가전압의 변동을 나타낸다. 도 12에서 실선은 EL 소자의 용량값이 상대적으로 작은 경우의 EL 소자에 대한 인가전압을 나타내고, 점선은 EL 소자의 용량값이 상대적으로 큰 경우의 EL 소자에 대한 인가전압을 나타낸다. 도 12에 도시된 바와 같이, 종래의 구동회로에 의하면 복수의 EL 소자를 이용하여 구성되는 표시장치에서, 각 EL 소자의 용량의 분산에 따라 EL 소자에 대한 인가전압이 ±20% 정도 분산되기 때문에 각 EL 소자의 휘도가 동일하지 않으므로 장치의 표시면 전체에 휘도 불균일이 생긴다.

둘째로, EL 소자를 교환하는 경우나 EL 소자의 접속이 어떤 이유로 분리된 경우에는 트랜지스터의 용량보다 압도적으로 큰 용량을 상실하고, 용량과 전압은 반비례하기 때문에 트랜지스터의 드레인 전압이 이 트랜지스터의 내압을 넘을 정도로 상승하므로 이 트랜지스터가 파괴된다는 문제점이 있다. 즉, EL 소자의 교환시 또는 EL 소자의 접속이 어떤 원인으로 분리된 경우에는 도 10에 도시한 구동회로의 부하로서, 스위칭 회로(60)에서의 제 1∼제 4의 N 채널형 MOS 트랜지스터(61∼64)의 드레인 전극의 용량만으로 되고, 이 용량값이 수pF∼수10pF로서, EL 소자(51)의 1000pF 이상의 용량값과 비교하면 매우 작으므로 코일(53)에 의해 승압되는 인가전압에 의해 각 N 채널형 MOS 트랜지스터(61∼64)의 드레인 전압이 그 드레인 내압 이상으로까지 승압된다.

셋째로, 도 12에 도시된 바와 같이, EL 소자에 대한 인가전압의 파형은 극성의 전환시에 승압전압으로부터 0V까지의 하강 부분이 급격하게 되어 있다. 따라서 극성이 전환되는 주파수가 400Hz 부근이기 때문에 이 인가전압의 파형의 급격한 하강 부분이 EL 소자에 진동을 주어 노이즈를 발생시키는 문제점이 있다. 특히 사용할 때 노이즈가 발생하면 상태가 좋지 않은 휴대 전화 등의 이동 통신 기기나 그밖의 전자 장치에서 EL 소자의 진동음의 저감이 요구되고, EL 소자에 대한 인가전압의 파형을 개선해야 할 필요성이 제기된다.

본 발명은 상술한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, EL 소자의 휘도 불균일을 저감하는 것을 제 1 목적으로 하고, EL 소자의 접속이 해방 상태에 놓여진 경우의 내부 트랜지스터 등의 소자 파괴를 방지하는 것을 제 2 목적으로 하며, EL 소자가 발하는 진동에 의한 노이즈를 저감하는 것을 제 3 목적으로 한다.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 일렉트로루미네슨스 (Electroluminescence : EL) 구동회로를 이용한 EL 표시장치를 도시한 회로도.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 EL 표시장치의 발진 회로, 출력단자 및 전압 검출회로의 각 출력신호의 타이밍도.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 구동회로의 EL 소자에 인가하는 출력신호를 도시한 그래프.

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 EL 구동회로를 이용한 EL 표시장치를 도시한 회로도.

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 EL 구동회로의 출력신호의 신호파형을 도시한 것으로, (a)는 스위칭 회로와 저항기 사이의 전압파형을 나타낸 그래프, (b)는 저항기가 접속된 제 1 출력단자의 전압파형을 나타낸 그래프, (c)는 저항기가 접속되지 않은 제 2 출력단자의 전압파형을 나타낸 그래프, (d)는 제 1 출력단자와 제 2 출력단자의 차로 이루어지는 신호파형을 나타낸 그래프.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예의 제 1 변형예에 따른 EL 구동회로를 이용한 EL 표시장치를 도시한 회로도.

도 7은 본 발명의 제 2 실시예의 제 1 변형예에 따른 EL 구동회로의 출력신호의 신호파형을 도시한 것으로, (a)는 스위칭 회로와 저항기 사이의 전압파형을 나타낸 그래프, (b)는 저항기가 접속된 제 2 출력단자의 전압파형을 나타낸 그래프, (c)는 저항기가 접속되지 않은 제 1 출력단자의 전압파형을 나타낸 그래프, (d)는 제 1 출력단자와 제 2 출력단자의 차로 이루어지는 신호파형을 나타낸 그래프.

도 8은 본 발명의 제 2 실시예의 제 2 변형예에 따른 EL 구동회로를 이용한 EL 표시장치를 도시한 회로도.

도 9는 본 발명의 제 2 실시예의 제 2 변형예에 따른 EL 구동회로의 출력신호의 신호파형을 도시한 것으로, (a)는 스위칭 회로와 제 1 저항기 사이의 전압파형을 나타낸 그래프, (b)는 제 1 저항기가 접속된 제 1 출력단자의 전압파형을 나타낸 그래프, (c)는 제 2 저항기가 접속된 제 2 출력단자의 전압파형을 나타낸 그래프, (d)는 스위칭 회로와 제 2 저항기 사이의 전압파형을 나타낸 그래프, (e)는 제 1 출력단자와 제 2 출력단자의 차로 이루어지는 신호파형을 나타낸 그래프.

도 10은 종래의 EL 구동회로를 이용한 EL 표시장치를 도시한 회로도.

도 11은 종래의 EL 표시장치의 발진 회로, 분주 회로 및 출력단자의 각 출력신호의 타이밍도.

도 12는 종래의 구동회로의 EL 소자에 인가하는 출력신호를 도시한 그래프.

도 13은 종래의 EL 구동회로에 저항기를 설치한 EL 표시장치를 도시한 회로도.

도 14는 종래의 EL 구동회로에 저항기를 설치한 경우의 출력신호의 신호파형을 도시한 것으로, (a)는 스위칭 회로와 저항기 사이의 전압파형을 나타낸 그래프, (b)는 저항기가 접속된 제 1 출력단자의 전압파형을 나타낸 그래프, (c)는 저항기가 접속되지 않은 제 2 출력단자의 전압파형을 나타낸 그래프, (d)는 제 1 출력단자와 제 2 출력단자의 차로 이루어지는 신호파형을 나타낸 그래프.

도 15는 종래의 EL 구동회로에 저항기를 설치한 EL 표시장치를 도시한 회로도.

도 16은 종래의 EL 구동회로에 저항기를 설치한 경우의 출력신호의 신호파형을 도시한 것으로, (a)는 스위칭 회로와 저항기 사이의 전압파형을 나타낸 그래프, (b)는 저항기가 접속된 제 2 출력단자의 전압파형을 나타낸 그래프, (c)는 저항기가 접속되지 않은 제 1 출력단자의 전압파형을 나타낸 그래프, (d)는 제 1 출력단자와 제 2 출력단자의 차로 이루어지는 신호파형을 나타낸 그래프.

도 17은 종래의 EL 구동회로에 제 1 저항기 및 제 2 저항기를 설치한 EL 표시장치를 도시한 회로도.

도 18은 종래의 EL 구동회로에 제 1 저항기 및 제 2 저항기를 설치한 경우의 출력신호의 신호파형을 도시한 것으로, (a)는 스위칭 회로와 제 1 저항기 사이의 전압파형을 나타낸 그래프, (b)는 제 1 저항기가 접속된 제 1 출력단자의 전압파형을 나타낸 그래프, (c)는 제 2 저항기가 접속된 제 2 출력단자의 전압파형을 나타낸 그래프, (d)는 스위칭 회로와 제 2 저항기 사이의 전압파형을 나타낸 그래프, (e)는 제 1 출력단자와 제 2 출력단자의 차로 이루어지는 신호파형을 나타낸 그래프.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1 : EL 소자 2 : 직류 전압원

6 : 발진 회로 7 : 전압 검출회로

8 : 저항기 8A : 제 1 저항기

8B : 제 2 저항기 10 : 승압회로(승압신호 생성수단)

11 : 코일 12 : 다이오드

13 : 승압 트랜지스터 20 : 스위칭 회로(스위칭 수단)

21 : 제 1의 N 채널형 MOS트랜지스터 22 : 제 2의 N 채널형 MOS트랜지스터

23 : 제 3의 N 채널형 MOS트랜지스터 24 : 제 4의 N 채널형 MOS트랜지스터

25 : 반전기 X : 제 1 출력단자

Y : 제 2 출력단자

상기 제 1 또는 제 2 목적을 달성하기 위해 제 1 발명은 EL 표시장치를 펄스 신호에 따라 전원 전압을 승압하여 승압 신호를 생성하는 승압신호 생성수단과, 상기 승압 신호가 입력되면 제 1 출력신호를 출력하는 동시에, 상기 승압 신호의 극성을 반전시켜 제 2 출력신호를 출력하는 스위칭 수단과, 상기 스위칭 수단의 출력측에 접속된 EL 소자와, 상기 스위칭 수단으로부터 제 1 출력신호의 입력을 받고, 입력된 제 1 출력신호의 소정 전압에 기초하여 상기 스위칭 수단에 제어신호를 출력함으로써 상기 스위칭 수단의 제 2 출력신호의 극성을 반전시키는 전압 검출회로를 포함하는 구성으로 한다.

제 1 발명의 구성에 의해 EL 소자 구동용 교류 신호를 생성하는 스위칭 수단에는 전압 검출 수단이 접속되어 있고, 이 전압 검출 수단은 스위칭 수단으로부터의 제 1 출력신호를 받아 이 제 1 출력신호의 소정 전압에 기초하여 스위칭 수단을 제어하기 때문에 스위칭 수단의 제 2 출력신호의 극성이 시간에 의존하지 않고 소정 전압에 도달한 시점에서 반전되므로 EL 소자 구동용 인가전압의 크기의 분산이억제된다.

제 2 발명은 제 1의 발명의 구성에, 상기 승압신호 생성수단이 코일과 다이오드가 접속부에서 직렬로 접속되어 이루어지는 직렬회로와, 주전극이 상기 직렬 회로의 접속부에 접속되고, 제어 전극이 상기 펄스 신호의 입력을 받는 승압 트랜지스터로 이루어지는 구성을 부가한 것이다.

제 3 발명은 제 1의 발명의 구성에, 상기 승압신호 생성수단에 상기 펄스 신호를 출력하는 발진 회로를 추가로 포함하며, 상기 스위칭 수단은 트랜지스터를 구비하고, 상기 승압신호 생성수단은 캐소드가 상기 스위칭 수단의 트랜지스터의 주전극에 접속된 다이오드와, 일단이 전압원에 접속되어 있는 동시에 타단이 상기 다이오드의 애노드와 접속부에서 접속된 코일로 이루어지는 직렬 회로와, 주전극이 상기 직렬 회로의 접속부에 접속되고, 제어 전극이 상기 펄스 신호를 받는 승압 트랜지스터를 갖고, 상기 전압 검출회로가 출력하는 제어신호는 상기 스위칭 수단의 트랜지스터의 제어 전극에 입력되는 구성을 부가하는 것이다.

제 3 목적을 달성하기 위해 제 4 발명은 제 1∼3 발명의 구성에 상기 스위칭 수단의 제 2 출력신호는 그 출력 파형이 둔화되어 있는 구성을 부가한 것이다.

제 4 발명의 구성에 의해 EL 소자 구동용 교류 신호를 생성하는 스위칭 수단의 제 2 출력신호는 그 출력 파형이 둔화되어 있기 때문에 인가전압의 급격한 상승이 완만하게 된다.

제 3 목적을 달성하기 위해 제 5 발명은 제 1∼3 발명의 구성에 상기 스위칭 수단과 상기 EL 소자 사이에 직렬로 접속되어 상기 스위칭 수단으로부터 방전되는전하의 방전 시간을 지연시키는 저항기를 추가로 포함하는 구성을 부가한 것이다.

제 5 발명의 구성에 의해, EL 소자 구동용 교류 신호를 생성하는 스위칭 수단은 스위칭 수단과 EL 소자 사이에 직렬로 접속된 저항기를 통하여 EL 소자에 충전된 전하를 방전하기 때문에 그 방전시의 출력 파형이 저항기의 저항 성분에 의해 지연이 생겨서 둔화되므로 인가전압의 급격한 하강이 완만하게 된다.

상기 제 1 또는 제 2 목적을 달성하기 위해 제 6 발명은 표시장치의 구동회로를 드레인 전극끼리 서로 접속된 제 1의 N 채널형 MOS 트랜지스터 및 제 2의 N 채널형 MOS 트랜지스터와, 소스 전극이 접속되고, 드레인 전극이 상기 제 1의 N 채널형 MOS 트랜지스터의 소스 전극과 접속되고, 게이트 전극이 상기 제 2의 N 채널형 MOS 트랜지스터의 게이트 전극과 접속된 제 3의 N 채널형 MOS 트랜지스터와, 소스 전극이 접지되고, 드레인 전극이 상기 제 2의 N 채널형 MOS 트랜지스터의 소스 전극과 접속되고, 게이트 전극이 상기 제 1의 N 채널형 MOS 트랜지스터의 게이트 전극과 접속된 제 4의 N 채널형 MOS 트랜지스터와, 상기 제 3의 N 채널형 MOS 트랜지스터의 드레인 전극에 접속된 제 1 출력단자와, 상기 제 4의 N 채널형 MOS 트랜지스터의 드레인 전극에 접속된 제 2 출력단자를 갖는 스위칭 회로와, 상기 스위칭 회로의 제 1 출력단자 및 제 2출력단자로부터의 출력신호의 입력을 받고, 상기 스위칭 회로의 상기 제 1 및 제 4의 N 채널형 MOS 트랜지스터의 공통의 게이트 전극과 상기 제 2 및 제 3의 N 채널형 MOS 트랜지스터의 공통의 게이트 전극에 서로 역상(逆相)의 제어신호를 송출하는 전압 검출회로를 포함하는 구성으로 하는 것이다.

제 6 발명의 구성에 의해 EL 소자 구동용 교류 신호를 생성하는 스위칭 회로에는 이 스위칭 회로의 출력신호를 받아 이 스위칭 회로에 제어신호를 출력하는 전압 검출회로가 접속되어 있기 때문에 스위칭 회로의 출력신호의 극성이 시간에 의존하지 않고 이 스위칭 회로의 출력신호에 기초하여 반전되므로 EL 소자 구동용 교류 전압의 크기의 분산이 억제된다.

제 7 발명은 제 6 발명의 구성에 상기 전압 검출회로에서, 상기 스위칭 회로의 출력신호가 소정 전압을 넘었을 때 상기 제어신호의 전압 극성이 반전되는 구성을 부가한 것이다.

제 3 의 목적을 달성하기 위해 제 8 발명은 제 6 발명 또는 제 7 발명의 구성에 상기 스위칭 회로의 출력신호는 그 출력 파형이 둔화되어 있는 구성을 부가한 것이다.

제 8 발명의 구성에 의해 EL 소자 구동용 교류 신호를 생성하는 스위칭 회로의 출력신호는 그 출력 파형이 둔화되어 있으므로 인가전압의 급격한 하강이 완만하게 된다.

제 3 의 목적을 달성하기 위해 제 9 발명은 제 6 발명 또는 제 7 발명의 구성에 상기 스위칭 회로와 상기 제1 및 제2출력단자 중 적어도 한쪽과의 사이에 직렬로 접속되고, 상기 스위칭 회로로부터 방전되는 전하의 방전 시간을 지연시키는 저항기를 추가로 포함하는 구성을 부가한 것이다.

제 9 발명의 구성에 의해 EL 소자 구동용 교류 신호를 생성하는 스위칭 회로는 스위칭 회로와 EL 소자 사이에 직렬로 접속된 저항기를 통하여 방전되므로 그 방전시의 출력 파형이 저항기의 저항 성분에 의해 지연이 생겨서 둔화되므로 인가전압의 급격한 하강이 완만하게 된다.

상술한 목적 및 기타의 목적과 본 발명의 특징 및 이점은 첨부 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통해 보다 분명해 질 것이다.

이하 본 발명의 제 1 실시예에 대하여 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 EL 구동회로를 이용한 EL 표시장치를 도시한 회로도이다. 도 1에서 1은 표시판을 발광시키는 EL 소자, 2는 직류 전압원, 10은 직류 전압원(2)의 전압을 승압하여 승압신호를 생성하는 승압신호 생성수단으로서의 승압회로, 20은 EL 소자(1)에 대한 인가전압의 극성을 반전시켜 교류 신호를 생성하는 스위칭 수단으로서의 스위칭 회로, 30은 반도체 기판상에 집적화되는 영역을 나타낸다.

승압회로(10)는 일단이 직류 전압원(2)에 접속된 코일과, 애노드가 코일(11)의 타단에 접속되고 캐소드가 스위칭 회로(20)에 접속되며 코일(11)에 대하여 역방향의 전압이 인가되는 것을 저지하기 위한 다이오드(12)와, 소스 전극이 접지되고 주전극으로서의 드레인 전극이 코일(11)과 다이오드(12)의 공통 접속부에 접속된 N 채널형 MOS로 된 승압 트랜지스터(13)로 구성된다.

6은 출력단이 승압 트랜지스터(13)의 제어 전극으로서의 게이트 전극에 접속되고 전원입력단이 직류 전압원(2)에 접속되어 승압 트랜지스터(13)의 스위칭 주파수를 결정하는 발진 회로이며, 7은 전원 입력단이 직류 전압원(2)에 접속되고, 입력단이 EL 소자(1) 접속용 제1출력단자(X) 및 제2출력단자(Y)에 접속되며, 출력단이 스위칭 회로(20)에 접속되어 EL 소자(1)에 대한 인가전압의 극성을 반전시키는제1출력신호로서의 소정 전압을 검출하는 전압 검출회로이다.

스위칭 회로(20)는 각 드레인 전극이 승압회로(10)의 다이오드(12)의 캐소드에 공통으로 접속되고, 각 소스 전극이 제 1 출력단자(X) 또는 제 2 출력단자(Y)에 각각 접속되어 EL 소자(1)의 인가전압의 극성을 반전시키는 스위치인 제 1의 N 채널형 MOS 트랜지스터(21) 및 제 2의 N 채널형 MOS 트랜지스터(22)와, 각 소스 전극이 접지되고, 드레인 전극이 제 1의 N 채널형 MOS 트랜지스터(21)의 소스 전극에 접속되며 게이트 전극이 제 2의 N 채널형 MOS 트랜지스터(22)의 게이트 전극에 접속되어 있는 제 3의 N 채널형 MOS 트랜지스터(23)와, 소스 전극이 접지되고, 드레인 전극이 제 2의 N 채널형 MOS 트랜지스터(22)의 소스 전극에 접속되며, 게이트 전극이 제 1의 N 채널형 MOS 트랜지스터(21)의 게이트 전극에 접속되어 있는 제 4의 N 채널형 MOS 트랜지스터(24)와, 전압 검출회로(7)가 출력하는 제어신호가 입력되고, 제 1 및 제 3의 N 채널형 MOS 트랜지스터(21, 23)의 게이트 전극에 각각 인가되는 제어신호와 제2 및 제4의 N 채널형 MOS 트랜지스터(22, 24)의 게이트 전극에 각각 인가되는 제어신호의 극성을 서로 반대가 되게 하는 반전기(25)로 구성되어 있다. 또, 제 1 출력단자(X) 및 제 2 출력단자(Y)의 단자 사이에 생기는 전위차가 제 2 출력신호에 상당한다.

또, 본 실시예에서는 EL 표시장치의 구동회로는 적어도 스위칭 회로(20)와 전압 검출회로(7)를 포함하는 것으로 한다.

이하, 상기와 같이 구성된 구동회로를 갖는 EL 표시장치의 동작을 설명하기로 한다.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 구동회로의 타이밍도로서, V6은 발진 회로(6)의 출력신호를 나타내고, V7은 전압 검출회로(7)의 출력신호를 나타내고, V1은 EL 소자에 대한 제2출력단자(Y)를 기준으로 한 경우의 EL 소자(1)에 대한 인가전압을 도시한다. 도2에 도시한 바와 같이 전압 검출회로(7)의 출력신호(V7)가 하이 레벨 기간(도면중 기간 a)에서 제1 및 제4의 N 채널형 MOS 트랜지스터(21, 24)는 온으로 되고, 제2 및 제3의 N 채널형 MOS 트랜지스터(22, 23)는 오프로 된다. 이 때, 도 1에 도시된 EL 소자(1)에 대한 2개의 출력단자 중 제2출력단자(Y)가 GND로 되고, 제1출력단자(X)가 코일(11)과 승압 트랜지스터(13)에 의해 승압되어, 예를 들면 50∼80V의 인가전압으로 된다. 인가전압(V1)이 소정전압(+VP)에 도달하면 전압 검출회로(7)가 그 전압을 검출하고, 이번에는 전압 검출회로(7)가 소정 전압(-VP)을 검출하기까지의 기간(도면중 기간 b) 동안 로우 레벨의 신호(V7)를 출력한다. 이 때는 기간 a와는 반대로 제1 및 제4의 N 채널형 MOS 트랜지스터(21, 24)가 오프로 되고, EL 소자(1)에 축적된 전하는 제3의 N 채널형 MOS 트랜지스터(23)를 통하여 방전되고, EL 소자(1)에 대한 제1출력단자(X)가 GND로 되고, 제2출력단자(Y)가 코일(11)과 승압 트랜지스터(13)에 의해 승압된 전압이 나타난다.

또, 소정 전압(VP)을 N 채널형 MOS 트랜지스터(21∼24)의 각 드레인 내압 이하이고, 또 EL 소자(1)의 내압 이하로 설정한다.

또, 전압 검출회로로서는 제너 다이오드를 이용한 회로, 저항 분할을 이용한 회로 또는 콤퍼레이터 등을 생각할 수 있으나, 고정밀도이고 저렴한 제너 다이오드를 이용한 회로가 바람직하다. 이 경우에는 EL 소자(1)에 대한 인가전압(V1)의 분산은 제너 다이오드 자체의 특성의 분산까지 억제할 수 있다.

이와 같이 본 실시예에 의하면 전압 검출회로(7)에서 EL 소자(1)에 대한 인가전압이 시간에 의존하지 않고, 소정 전압(VP)까지 승압되는 것을 모니터하고, 이 소정 전압(VP)을 검출했을 때 EL 소자(1)의 인가전압(V1)의 극성을 반전하므로 도3의 실선으로 나타내는 용량이 상대적으로 큰 EL 소자와, 점선으로 나타내는 용량이 상대적으로 작은 EL 소자가 혼재되었다고 하여도 각 EL 소자의 인가전압(V1)의 절대값의 최대값이 거의 동일하게 되므로 복수개의 EL 소자로 구성되는 표시장치에 휘도 불균일이 생기지 않는다. 여기에서 각 소자의 용량의 분산이 시간축 방향으로 나타나지만 400Hz 정도의 교류이므로 이 시간축 방향의 분산이 표시에 영향을 주지는 않는다.

또, 전압 검출회로(7)가 검출하는 소정 전압(VP)은 N 채널형 MOS 트랜지스터(21∼24)의 각 드레인 내압 이하이고, 또 EL 소자(1)의 내압 이하로 설정되어 있기 때문에 EL 소자(1)를 교환하는 경우나 EL 소자(1)의 접속이 어떤 이유로 분리된 경우에 있어서도 구동회로를 구성하는 각 트랜지스터에는 소정 전압(VP) 이상의 전압이 인가되지 않으므로 이 각 트랜지스터가 파괴되지 않는다.

또, 승압 트랜지스터(13)에 MOS형 트랜지스터를 이용하였으나 이것에 한정되지 않고 바이폴라 트랜지스터를 이용해도 된다.

이하, 본 발명의 제 2 실시예를 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 EL 구동회로를 이용한 EL 표시장치를 도시한 회로도이다. 도 4에서 도 1에 도시된 EL 표시장치와 같은 구성 요소에는동일한 부호를 붙이고 설명을 생략하기로 한다. 새로운 구성 요소로서 도 4에 도시된 바와 같이 스위칭 회로(20)의 제 1의 N 채널형 MOS 트랜지스터(21)의 소스 전극 및 제 3의 N 채널형 MOS 트랜지스터(23)의 드레인 전극의 공통 접속점과 제 1 출력단자(X) 사이에는 저항기(8)가 직렬로 접속되어 있다. 도 4에서 V4A는 제 1의 N 채널형 MOS 트랜지스터(21)의 소스 전극 및 제 3의 N 채널형 MOS 트랜지스터(23)의 드레인 전극의 공통 접속점의 전압을 나타내고, V4B는 제 1 출력단자(X)의 전압을 나타내고, V4C는 제 2의 N 채널형 MOS 트랜지스터(22)의 소스 전극 및 제 4의 N 채널형 MOS 트랜지스터(24)의 드레인 전극의 공통 접속점의 전압, 즉 제 2 출력단자(Y)의 전압을 나타내고, V4D는 EL 소자(1)의 인가전압인 제 1 출력단자(X)와 제 2 출력단자(Y)의 전위차, 즉 V4B와 V4C의 차를 나타낸다.

이하, 상기와 같이 구성된 EL 표시장치의 동작을 설명하기로 한다. 상술한 제 1 실시예에서 설명한 바와 같이, 도 4에서 승압회로(10)의 승압 트랜지스터(13)의 게이트 전압의 주파수는 발진회로(6)의 출력신호에 의존하고 있다. 따라서 제 1 및 제 4의 N 채널형 MOS 트랜지스터(21, 24)가 온이고, 제 2 및 제 3의 N 채널형 MOS 트랜지스터(22, 23)가 오프 상태인 경우는 승압회로(10)의 코일(11)과 승압 트랜지스터(13)에 의해 제 1의 N 채널형 MOS 트랜지스터(21)의 소스 전극의 전압(V4A)이 승압되고, 제 2 출력단자(Y)의 전압(V4C)은 0V로 된다.

이를 구체적으로 도면을 이용하여 설명하기로 한다. 도 5의 (a)에 도시한 전압(V4A)이 승압되어 있는 동안은 도 5의 (c)에 도시한 전압(V4C)은 0V 그대로이다. 또, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이 저항기(8)를 통과한 후의 전압(V4B)은 이 저항기(8)에 의해 전압 강하를 발생시키고 있고, 또 전압(V4B)이 소정 전압(VP)까지 승압되면 도 3에 도시한 전압 검출회로(7)는 이 소정 전압(VP)을 검출하고, 제어신호를 반전시킨다. 이 제어신호를 받아 제 1 및 제 4의 N 채널형 MOS 트랜지스터(21, 24)가 오프로 되고, 제 2 및 제 3의 N 채널형 MOS 트랜지스터(22, 23)가 온으로 되므로 도 5의 (c)에 도시한 전압(V4C)이 승압되고, 도 5의 (a)에 도시한 전압(V4A)은 0V로 된다. 이 때, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이 전압(V4B)은 저항기(8)를 통하여 방전되므로 EL 소자(1)의 용량 성분과 저항기(8)의 저항 성분의 곱으로 적분되므로 하강 파형은 둔화된다.

다음에 도 5의 (c)에 도시한 전압(V4C)이 소정 전압(VP)까지 승압되면 다시 각 트랜지스터의 온, 오프가 반전하고, 도 5의 (a)에 도시한 전압(V4A)이 승압된다. 이 때, 전압(V4C)이 0V로 하강하고, 전압(V4B)은 순간적으로 전압(V4C)의 전압 강하분만큼 마이너스 전위로 강하한 후 승압하기 시작한다.

도 5의 (d)에 도시한 바와 같이, EL 소자(1)에 인가되는 인가전압(V4D)은 전압(V4B)과 전압(V4C)의 차이며, 따라서 인가전압(V4D)의 전압파형은 승압전압(VP)으로부터 0V까지의 하강 부분이 둔화된다. 또, EL 소자(1)의 인가전압(V4D)의 절대값의 최대값(VP)은 저항기(8)가 설치되지 않은 경우와 동일하며, EL 소자(1)의 휘도를 저하시키지 않는다.

이와 같이, 본 실시예에 의하면 전압 검출회로(7)를 구비하고, 이 전압 검출회로(7)는 EL 소자(1)에 대한 인가전압이 소정 전압(VP)까지 승압되는 것을 모니터하고, 이 소정 전압(VP)을 검출했을 때 EL 소자(1)의 인가전압(V4D)의 극성을 반전시키기 때문에 용량이 상대적으로 큰 EL 소자와 용량이 상대적으로 작은 EL 소자가 혼재했다고 해도 각 EL 소자의 인가전압(V4D)의 절대값의 최대값이 거의 동일하게 되므로 복수개의 EL 소자로 구성되는 표시장치에 휘도 불균일이 생기지 않는다.

또, 소정 전압(VP)이 N 채널형 MOS 트랜지스터(21∼24)의 각 드레인 내압 이하이고, 또 EL 소자(1)의 내압 이하로 설정되어 있고, 전압 검출회로(7)는 이 인가전압(V4D)의 최대값인 소정 전압(VP)을 모니터하고 있기 때문에 EL 소자(1)를 교환하는 경우나 EL 소자(1)의 접속이 어떤 이유로 분리된 경우에도 구동회로를 구성하는 각 트랜지스터에는 소정 전압(VP) 이상의 전압이 인가되지 않으므로 각 트랜지스터는 파괴되지 않는다.

또, 스위치 회로(20)와 제1출력단자(X) 사이에 직렬로 저항기(8)를 설치하고 있으므로 교류 신호를 생성하기 때문에 발생되는 인가전압(V4D)의 급격한 하강 파형을 지연시켜 둔화시킬 수 있으므로 EL 소자가 발생시키는 진동을 완화할 수 있다. 이로써 진동에 의한 노이즈가 억제된다.

또, 소정 전압(VP)인 채로 지연시킬 수 있으므로 EL 소자의 휘도를 저하시키지 않고 노이즈의 저감화를 꾀할 수 있다.

또, EL 소자의 진동음, 즉 구동음을 저감하려면 저항기(8)의 저항값을 수㏀으로 하여 EL 소자(1)에 인가하는 전압파형에서의 승압전압으로부터 0V까지의 하강 시간을 수십μsec로 되도록 하면 된다.

도 6은 제 2 실시예의 제 1 변형예에 따른 EL 표시장치를 도시한 회로도로서, 스위칭 회로(20)와 제 1 출력단자(X) 사이에 저항기를 접속하는 대신에 저항기(8)를 스위칭 회로(20)와 제 2 출력단자(Y) 사이에 직렬로 접속한 경우의 회로도이다. 도 6에 도시한 전압(V4A)은 제 2의 N 채널형 MOS 트랜지스터(22)의 소스 전극의 전압을 도시한다. 이 경우는 도 7의 (b)의 출력신호 파형도에 도시한 바와 같이 저항기(8)를 통과한 후의 전압(V4C)은 이 저항기(8)에 의해 전압 강하를 발생시키는 동시에 저항기(8)를 통하여 방전되기 때문에 하강 파형이 둔화하므로 도 7의 (d)에 도시한 바와 같이 전압(V4B)과 전압(V4C)의 차이며, EL 소자(1)의 인가전압(V4D)의 전압파형은 승압전압(VP)으로부터 0V까지의 하강 부분이 둔화한다. 이로써 상기 제 2 실시예와 같은 효과가 얻어진다.

도 8은 제 2 실시예의 제 2 변형예에 따른 EL 표시장치를 도시한 회로도로서, 스위칭 회로(20)와 제 1 출력단자(X) 사이에 제 1 저항기(8A)를 직렬로 접속하는 동시에 스위칭 회로(20)와 제 2 출력단자(Y) 사이에 제 2 저항기(8B)를 직렬로 접속한 경우의 회로도이다. 도 8에 도시한 전압(V4A)은 제 1의 N 채널형 MOS 트랜지스터(21)의 소스전극의 전압을 나타내고, 전압(V4E)은 제 2의 N 채널형 MOS 트랜지스터(22)의 소스전극의 전압을 나타낸다. 이 경우는 도 9의 (b)의 출력신호 파형도에 도시한 바와 같이 제 1 저항기(8A)를 통과한 후의 전압(V4B)은 이 제 1 저항기(8A)를 통하여 방전되고, 또 도 9의 (c)의 출력신호 파형도에 도시한 바와 같이 제 2 저항기(8B)를 통과한 후의 전압(V4C)은 이 제 2 저항기(8B)를 통하여 방전되므로 하강 파형은 각각 둔화하므로 도 9의 (e)에 도시한 바와 같이 EL 소자(1)의 인가전압(V4D)의 전압파형은 승압전압(VP)으로부터 0V까지의 하강 부분이 둔화한다. 이로써 상기 제 2 실시예와 같은 효과가 얻어진다. 또, 도9의 (b), (c)의 각출력신호 파형도에 도시한 바와 같이, 승압시에는 순간적으로 전압이 강하한 후에 각각 승압하기 시작한다.

그러나 종래의 EL 표시장치의 구동회로와 출력단자 사이에 저항기를 삽입한 경우에는 이하에 설명하는 바와 같은 문제점이 생긴다.

도 13은 종래의 구동회로에 노이즈 저감용 저항기를 설치한 EL 표시장치를 도시한 회로이다. 도 13에서 도 10에 도시한 EL 표시장치와 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 그에 대한 설명은 생략하기로 한다. 새로운 구성요소로서 도 13에 도시한 바와 같이 스위칭 회로(60)에 있어서의 제 1의 N 채널형 MOS 트랜지스터(61)의 소스 전극 및 제 3의 N 채널형 MOS 트랜지스터(63)의 드레인 전극의 공통 접속점과 제 1 출력단자(X) 사이에는 저항기(58)가 직렬로 접속되어 있다. 도 13에서 V5A는 제 1의 N 채널형 MOS 트랜지스터(61)의 소스 전극 및 제 3의 N 채널형 MOS 트랜지스터(63)의 드레인 전극의 공통 접속점의 전압을 나타내고, V5B는 제 1출력단자(X)의 전압을 나타내고, V5C는 제 2의 N 채널형 MOS 트랜지스터(62)의 소스 전극 및 제 4의 N 채널형 MOS 트랜지스터(64)의 드레인 전극의 공통 접속점의 전압, 즉, 제 2 출력단자(Y)의 전압을 나타내고, V5D는 EL 소자(1)의 인가전압인 제 1 출력단자(X)와 제 2 출력단자(Y)의 전위차, 즉 V5B와 V5C의 차를 나타낸다.

이와 같은 구성의 종래의 EL 표시장치의 동작을 설명하기로 한다. 우선 도 13에서 제 1 및 제 4의 N 채널형 MOS 트랜지스터(61, 64)가 온이고, 제 2 및 제 3의 N 채널형 MOS 트랜지스터(62, 63)가 오프 상태인 경우는 승압회로(10)의 코일(53)과 승압 트랜지스터(55)에 의해 제 1의 N 채널형 MOS 트랜지스터(61)의 소스전극의 전압(V5A)이 승압되고, 제 2 출력단자(Y)의 전압(V5C)은 0V로 된다.

이 형태를 도면을 이용하여 설명하기로 한다. 도 14의 (a)에 도시한 전압(V5A)이 승압되고 있는 동안은 도 14의 (c)에 도시한 전압(V5C)은 0V 그대로이다. 또, 도 14의 (b)에 도시한 바와 같이 저항기(58)를 통과한 후의 전압(V5B)은 이 저항기(58)에 의해 전압 강하를 발생시키기 때문에 전압(V5B)과 비교하면 전압(V5B)은 (Va-Vb)만큼 전압이 강하한다.

다음에 분주 회로(57)에서 결정되는 소정 시간(t1)후에 제 1 및 제 4의 N 채널형 MOS 트랜지스터(61, 64)가 오프로 되고, 제 2 및 제 3의 N 채널형 MOS 트랜지스터(62, 63)가 온으로 되기 때문에 도 14의 (c)에 도시한 전압(V5C)이 승압되고, 도 14의 (a)에 도시한 전압(V5A)은 0V로 된다. 이 때, 도 14의 (b)에 도시한 바와 같이 전압(V5B)은 저항기(58)를 통하여 방전되므로 EL 소자(51)의 용량 성분과 저항기(58)의 저항 성분의 곱으로 적분되므로 하강 파형이 둔화된다.

다음에 도 14의 (a) 및 (c)에 도시한 바와 같이 다음의 소정 시간(t1)의 경과 후에 다시 각 트랜지스터의 온, 오프가 반전하고, 전압(V5A)이 승압되고, 또 전압(V5C)이 0V로 하강하고, 도 14의 (b)에 도시한 전압(V5B)은 순간적으로 전압(V5C)의 전압 강하분 만큼 마이너스 전위로 강하한 후 승압하기 시작한다.

도 14의 (d)에 도시한 바와 같이 EL 소자(51)에 인가되는 인가전압(V5D)은 전압(V5B), 전압(V5C)의 차이며, 인가전압(V5D)의 전압파형은 승압전압으로부터 0V까지의 하강 부분이 둔화된다.

이와 같이 종래부터 EL 소자(51)의 구동음의 원인으로 되어 있는 하강 부분의 급격한 전압파형을 지연시킬 수 있기 때문에 노이즈가 저감된다.

그러나 도 14의 (d)에 도시한 바와 같이 EL 소자(51)의 인가전압(V5D)은 저항기(58)를 설치함으로써 발생하는 전압 강하분(Va-Vb)만큼 저항기(58)를 설치하지 않은 종래의 EL 표시장치와 비교하여 저하되기 때문에 표시의 휘도가 낮아지는 결점이 있다.

또, 도 15의 EL 표시장치를 나타내는 회로도에 도시한 바와 같이 저항기(58)를 제 1 출력단자(X) 측이 아니고 제 2 출력단자(Y)측에 직렬로 접속한 경우라도 도 16의 (d)에 도시한 바와 같이 EL 소자(51)의 인가전압(V5D)은 저항기(58)를 설치하지 않는 종래의 EL 표시장치에 비하여 저항기(58)에 의한 전압 강하분(Va-Vb)만큼 저하하는 것을 알 수 있다.

또, 도 17의 EL 표시장치를 나타내는 회로도에 도시한 바와 같이, 제 1 저항기(58A)를 제 1 출력단자(X)측에 직렬로 접속하는 동시에 제 2 저항기(58B)를 제 2 출력단자(Y)측에 직렬로 접속한 경우에는 도 18의 (e)에 도시한 바와 같이 EL 소자(51)의 인가전압(V5D)은 제 1 저항기(58A) 및 제 2 저항기(58B)를 설치하지 않는 종래의 EL 표시장치에 비하여 양 저항기(58A, 58B)에 의한 전압 강하분 2×(Va-Vb)만큼 저하하는 것을 알 수 있다.

이에 대하여 상기 제 1 실시예의 EL 표시장치에 저항기를 부가한 구성의 상기 제 2 실시예의 EL 표시장치에 의하면 소정의 승압전압이 저하되지 않기 때문에 EL 소자의 휘도가 저하하지 않고 노이즈의 저감화를 꾀할 수 있다.

제 1 발명에 따른 EL 표시장치에 의하면 전압 검출 수단은 스위칭 수단의 제 1 출력신호가 시간에 의존하지 않고 소정 전압에 도달한 시점에서 제 2 출력신호의 극성을 반전시키기 때문에 EL 소자 구동용 인가전압의 크기의 분산이 억제되므로 표시면의 휘도불균일이 억제된다.

또, 인가전압이 소정 전압에 도달한 시점에서 반전되므로 EL 소자에 대한 출력단자가 해방 상태가 된 경우에도 스위칭 수단을 구성하는 트랜지스터의 내압 이하로 이 소정 전압을 설정하면 이 트랜지스터가 파괴되지 않는다.

제 2 발명에 따른 EL 표시장치에 의하면 승압신호 생성수단은 코일과 다이오드가 접속부에서 직렬로 접속되어 이루어지는 직렬 회로와, 주전극이 직렬 회로의 접속부에 접속되고, 제어 전극이 펄스 신호의 입력을 받는 승압 트랜지스터로 구성되어 있기 때문에 직류 전압원의 전압을 확실하게 승압할 수 있다.

제 3 발명에 따른 EL 표시장치에 의하면 승압신호 생성수단에 펄스 신호를 출력하는 발진 회로와, 코일과 다이오드의 애노드가 접속부에서 직렬로 접속되어 이루어지는 직렬 회로 및 드레인 전극이 접속부에 접속된 승압 트랜지스터로 이루어지는 승압신호 생성수단을 포함하고 있기 때문에 직류 전압원의 전압을 확실하게 승압할 수 있다.

또, 전압 검출회로의 입력측에는 스위칭 수단이 출력하는 제 1 출력신호가 입력되고, 전압 검출회로가 출력하는 제어신호는 스위칭 수단의 트랜지스터의 제어 전극에 입력되므로 이 전압 검출회로는 제 1 출력신호의 전압을 확실하게 검출할 수 있는 동시에, 스위칭 수단으로부터의 제 2 출력신호의 극성을 확실하게 반전시킬 수 있다.

제 4 발명에 따른 EL 표시장치에 의하면, EL 소자 구동용 교류 신호를 생성하는 스위칭 수단의 제 2 출력신호는 그 출력 파형이 둔화되어 있기 때문에 인가전압의 급격한 하강이 완만하게 되므로 인가전압의 교류 성분에 기인하는 EL 소자의 진동을 완화할 수 있다. 그 결과, 진동에 의한 노이즈가 억제된다.

제 5 발명의 구성에 따른 EL 표시장치에 의하면 스위칭 수단과 EL 소자 사이에 접속되고, 스위칭 수단으로부터 방전되는 전하의 방전 시간을 지연시키는 저항기를 포함하고 있기 때문에 스위칭 수단에서의 제 2 출력신호의 방전시의 출력 파형을 저항기의 저항 성분으로부터 생기는 신호 지연에 의해 쉽고 확실하게 둔화시킬 수 있다.

제 6 발명에 따른 표시장치의 구동회로에 의하면 스위칭 회로의 출력신호의 극성이 시간에 의존하지 않고 이 스위칭 회로의 출력신호에 기초하여 반전되므로 EL 소자 구동용 교류 전압의 크기의 분산이 억제되므로 표시면의 휘도불균일이 억제된다.

제 7 발명에 따른 표시장치의 구동회로에 의하면 전압 검출회로에서, 스위칭 회로의 출력신호가 소정 전압을 넘었을 때 제어신호의 전압 극성이 반전되므로 스위칭 회로는 EL 소자에 대하여 소정 전압의 교류 신호를 확실하게 출력할 수 있다.

또, 인가전압은 소정 전압을 넘었을 때 반전되므로 EL 소자에 대한 출력단자가 해방 상태가 되었을 때에도 이 소정 전압을 스위칭 수단을 구성하는 트랜지스터의 내압 이하로 설정하면 이 트랜지스터가 파괴되지 않는다.

제 8 발명에 따른 표시장치의 구동회로에 의하면 EL 소자 구동용 교류 신호를 생성하는 스위칭 회로의 출력신호는 그 출력 파형이 둔화되어 있기 때문에 인가전압의 급격한 하강이 완만하게 되므로 인가전압의 교류 성분에 기인하는 EL 소자의 진동이 완화되고, 그 결과 진동에 의한 노이즈가 억제된다.

제 9 발명에 따른 표시장치의 구동회로에 의하면 스위칭 회로와 EL 소자 사이에 접속되고, 스위칭 회로로부터 방전되는 전하의 방전 시간을 지연시키는 저항기를 추가로 포함하고 있기 때문에 스위칭 회로에서의 방전시의 출력신호의 출력 파형을 저항기의 저항 성분으로부터 생기는 신호 지연에 의해 쉽고 확실하게 둔화시킬 수 있다.

상술한 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 첨부된 특허청구의 범위에 개시된 본 발명의 사상과 범위를 통해 각종 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이다.

Claims

(정정) 발진회로에서 출력되는 펄스 신호에 따라 전원 전압을 승압하여 승압 신호를 생성하는 승압신호 생성수단과,

입력되는 제어신호의 하이레벨에 대응하여 상기 승압 신호에 따른 제 1 출력신호를 출력하고, 상기 제어신호의 로우레벨에 대응하여 상기 승압 신호의 극성을 반전시킨 제 2 출력신호를 출력하는 스위칭 회로와,

상기 스위칭 회로의 출력측에 접속된 일렉트로루미네슨스 소자(EL 소자)와,

상기 스위칭 회로로부터 상기 제 1 출력신호 및 상기 제 2 출력신호의 미리 정해진 전압에 기초하여 신호레벨이 전환되는 상기 제어신호를 상기 스위칭 수단에 출력함으로써 상기 스위칭 회로의 상기 제 1출력신호 및 상기 제 2출력신호의 극성을 반전시키는 전압 검출회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 일렉트로루미네슨스 표시장치.
제 1 항에 있어서,

상기 승압신호 생성수단은, 코일과 다이오드가 접속부에서 직렬로 접속되어 이루어지는 직렬 회로와,

주전극이 상기 직렬 회로의 접속부에 접속되고, 제어 전극이 상기 펄스 신호의 입력을 받는 승압 트랜지스터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 일렉트로루미네슨스 표시장치.
(정정) 제 1 항에 있어서,

상기 스위칭 회로는 복수의 트랜지스터로 이루어지며, 상기 전압 검출회로로부터의 제어신호가 상기 복수의 트랜지스터의 제어 전극에 입력되는 것을 특징으로 하는 일렉트로루미네슨스 표시장치.
(삭제)
(정정) 제 1 항에 있어서,

상기 스위칭 회로와 상기 일렉트로루미네슨스 소자 사이에 직렬로 접속되어 상기 스위칭 회로로부터 방전되는 전하의 방전 시간을 지연시키는 저항기를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 일렉트로루미네슨스 표시장치.
(정정) 발진회로에서 출력되는 펄스신호에 따라 전원전압을 승압하여 승압신호를 생성하는 승압신호 생성수단과,

상기 승압신호가 입력되는 드레인 전극끼리를 서로 접속한 제 1의 N 채널형 MOS 트랜지스터 및 제 2의 N 채널형 MOS 트랜지스터와, 소스 전극이 접지되고, 드레인 전극이 상기 제 1의 N 채널형 MOS 트랜지스터의 소스 전극과 접속되고, 게이트 전극이 상기 제 2의 N 채널형 MOS 트랜지스터의 게이트 전극과 접속된 제 3의 N 채널형 MOS 트랜지스터와, 소스 전극이 접지되고, 드레인 전극이 상기 제 2의 N 채널형 MOS 트랜지스터의 소스 전극과 접속되고, 게이트 전극이 상기 제 1의 N 채널형 MOS 트랜지스터의 게이트 전극과 접속된 제 4의 N 채널형 MOS 트랜지스터와, 상기 제 3의 N 채널형 MOS 트랜지스터의 드레인 전극에 접속된 제 1출력단자와, 상기 제 4의 N 채널형 MOS 트랜지스터의 드레인 전극에 접속된 제 2출력단자를 갖는 스위칭 회로와,

상기 스위칭 회로의 제 1 출력단자 및 제 2 출력단자로부터의 출력신호의 입력을 받고, 상기 스위칭 회로의 출력신호가 미리 정해진 전압을 초과할 때 전압극성이 반전되는 서로 역상의 제어신호를, 상기 제 1 및 제 4 의 N 채널형 MOS 트랜지스터의 공통의 게이트 전극과 상기 제 2 및 제 3 의 N 채널형 MOS 트랜지스터의 공통의 게이트 전극에 송출하는 전압 검출회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 구동회로.
(삭제)
(정정) 제 6 항에 있어서,

상기 스위칭 회로의 출력신호는 그 출력 파형이 둔화되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치의 구동회로.
(정정) 제 6 항에 있어서,

상기 스위칭 회로와 상기 제 1 및 제 2 출력단자 중 적어도 한쪽과의 사이에직렬로 접속되고, 상기 스위칭 회로로부터 방전되는 전하의 방전 시간을 지연시키는 저항기를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 구동회로.