KR100448036B1 - 하전입자선장치 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 162
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 16
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000012854 evaluation process Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/226—Optical arrangements for illuminating the object; optical arrangements for collecting light from the object
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/282—Determination of microscope properties
- H01J2237/2826—Calibration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30433—System calibration
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
본 발명의 목적은 광학현미경과 입자선광학계와의 광축간 거리를 정확하게 교정하는 것을 가능하게 하는 데 적합한 하전입자선장치를 제공하는 데 있다. 주사전자현미경을 예로서 설명한다. X, Y스테이지(2)상에 광학현미경(5)과 전자광학계와의 상호광축간 거리(L)에 상당하는 거리만큼 간격을 두고 배치된 기준패턴(10, 11)을 설치하고, 이들 패턴의 화상신호를 화상처리회로(12)에 도입하고, 기준패턴(10, 11)에 대한 광학현미경(5)의 광축, 전자광학계의 광축의 위치어긋남을 각각 연산하여 구하고, 이 어긋남을 주사전자현미경의 실제 측정시 오프셋함으로써 정확한 위치결정이 이루어진다.
Description
본 발명은 하전입자선장치, 특히 반도체소자를 제조하기 위한 반도체제조장치나 반도체를 제조하는 데 있어서 그 측정평가공정에서 사용되는 측정평가장치로서 가장 적합한 하전입자선장치에 관한 것이다.
최근 반도체소자의 제조나 그 특성의 평가, 측정공정에 있어서는 하전입자인 전자빔 또는 이온빔을 이용한 장치가 사용되고 있다. 예를 들면, 전자빔을 피측정물체인 시료에 조사하였을 때 발생하는 이차전자를, 조사하는 전자빔의 주사에 동기하여 검출함으로써 화상을 형성시켜 미세패턴을 관찰하고, 다시 형성된 화상으로부터 소정 패턴의 치수를 측정하는 주사형 전자현미경이 있다. 또 전자빔에 의하여 레지스트를 감광시켜 웨이퍼상에 미세패턴을 형성하는 전자빔묘화장치가 있다. 또 이온빔을 이용하여 반도체소자의 관찰 및 가공을 행하는 이온빔장치가 있다.
이들 장치는, 전자빔 또는 이온빔이라는 소위 하전입자선의 발생원 및 하전입자선을 시료에 향하게 하는 수단을 포함하는 하전입자선 광학계, 시료를 소정위치로 위치결정하기 위한 XY스테이지 및 그것들을 제어하는 제어계로 구성된다.
또한 미세패턴의 측정기능을 갖는 주사형 전자현미경 등에 있어서는 전자광학계 외에 광학현미경을 설치하고, 웨이퍼상의 패턴을 저배율로 관찰, 측정할 수 있게 되어 있다(예를 들어 특공평 3-52178호 공보). 이 기능을 이용함으로써 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
즉, 전자광학계로 미세패턴을 높은 배율로 관찰, 측정할 때, 전자광학계로 직접 관찰을 행하기에는 배율이 높기 때문에 소망의 패턴을 용이하게 위치결정할 수 없었다. 따라서 광학현미경을 이용함으로써 소정의 패턴 및 그 주변의 패턴을 관찰, 위치결정시키고, 다음에 광학현미경으로 위치결정된 소정의 패턴을 전자광학계의 관찰영역에 위치결정하고, 전자광학계로 고배율로 미세부의 관찰 및 측정을 행할 수 있게 하고 있다.
또 주사형 전자현미경에 있어서는, 웨이퍼상의 미리 결정된 위치에 있는 패턴을 측정하기 위하여 웨이퍼의 XY스테이지상에서의 위치를 정확하게 파악하는 것이 필요하다. 따라서 웨이퍼상의 패턴의 측정에 앞서 웨이퍼상의 특정 얼라인먼트패턴을 사용하여 웨이퍼의 위치측정을 행하여 웨이퍼의 얼라인먼트를 행한다. 이 측정은 광학현미경을 이용하여 행할 수 있다.
광학현미경과 전자광학계와의 상호 광축간 거리는 정확하게 유지되어 있을 필요가 있다. 그 광축간 거리는 약 50㎜정도이고, 장치의 조립조정시에 스테이지의 위치결정 검출기를 기준으로 교정된다. 그러나 스테이지의 위치결정정도에 한계가 있어 ±2㎛∼±5㎛의 오차가 생기는 것은 피하기 어렵다. 따라서 상호 광축간 거리를 정확하게 교정하는 것은 실제상 곤란하다. 또 이 교정에는 시행착오적인 작업을 요하여 상당한 시간이 소요된다.
또한 장치를 사용하고 있을 때, 광학현미경과 전자광학계와의 상호 광축간 거리가 변동하는 것을 생각할 수 있다. 만약 광축간 거리가±5㎛변동한 경우, 광학 현미경으로 검출, 측정을 행하여 웨이퍼의 위치좌표를 결정한 후, 전자광학계로 소정의 패턴을 고배율로 관찰, 측정할 때, XY 스테이지에서 위치결정을 행하였던 위치에 있어서 패턴이 전자광학계의 관찰시야내에 위치결정되지 않게 된다고 하는 결점이 있다.
또 광축간 거리가 변동한 경우, 다시 광축간 거리의 교정을 행할 필요가 있으나, 통상은 측정에 이용하고 있는 웨이퍼상의 패턴을 이용하여 장치의 조립조정시와 같은 방법으로 시행착오적으로 교정작업을 행하기 때문에, 그 조정에 장시간을 필요로 한다고 하는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 광학현미경과 입자선 광학계의 광축간 거리를 정확하게 교정하는 것을 가능하게 하는 데 적합한 하전입자선장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또다른 목적은 제 1 및 제 2의 하전입자선광학계의 광축간 거리를정확하게 교정하는 데 적합한 하전입자선장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 목적을 달성하기 위하여 하전입자선을 발생시키는 수단과 상기 하전입자선을 편향하는 수단을 포함하는 하전입자선광학계와 시료에 광을 조사하는 광학계를 구비한 하전입자선장치에 있어서, 적어도 제 1 및 제 2의 기준패턴이 마련된 상기 시료 또는 상기 시료를 얹어놓는 스테이지에서 상기 기준패턴의 각각을 상기 하전입자선광학과 광학계로 독립적으로 검지하도록 구성하였다.
이것에 의하면, 시료에 광을 조사하는 광학계(광학현미경 등) 및 하전입자선광학계의 광축간 거리의 교정을 행하는 것이 제 1 및 제 2의 기준패턴을 광학현미경 및 하전입자선광학계를 이용하여 각각 독립적으로 검지, 관찰하여 위치측정하는 것이 가능하게 되기 때문에 그 교정이 정확하게 행하여질 수 있게 된다.
본 발명의 또다른 측면에 의하면, 하전입자선을 발생시키는 하전입자선과 상기 하전입자선을 스테이지에 얹어놓은 시료에 향하게 하는 수단을 포함하는 제 1 및 제 2의 하전입자선광학계를 가지는 하전입자선장치에 있어서, 상기 스테이지에 제 1 및 제 2의 기준패턴을 마련하고 상기 제 1 및 제 2의 기준패턴을 각각 상기 제 1 및 제 2의 하전입자선광학계를 이용하여 각각 독립으로 관찰하여 위치결정하도록 구성한 것을 특징으로 하는 하전입자선장치가 제공된다.
이 경우도 양하전입자선광학계의 광축간 거리의 교정을 행하는 것이, 제 1 및 제 2의 기준패턴을 각각의 하전입자선광학계를 이용하여 각각 독립적으로 관찰하여 위치측정하는 것을 통하여 가능하게 되기 때문에 그 교정이 정확하게 행하여질 수 있게 된다.
본 발명의 다른 목적 및 특징은 도면을 참조하여 이루어진 실시예의 기재로부터 분명하게 될 것이다.
도 1은 하전입자선 장치의 일실시예로서 광학현미경을 가지는 주사전자현미경의 구성도,
도 2는 시료스테이지부분의 또다른 실시예의 사시도,
도 3은 제어계의 정면개념도,
도 4는 하전입자선의 또다른 실시예로서 전자빔묘화장치의 구성도이다.
도 1은 본 발명에 의거하는 하전입자선장치의 일실시예로서의 광학현미경을 가지는 주사형 전자현미경의 구성을 나타낸 것이다. 시료실(1)에 있어서는 시료가 되는 웨이퍼(도시생략)가 시료홀더(8)에 얹혀지고, 상기 시료홀더는 이것에 얹혀져 있는 웨이퍼를 X, Y방향으로 움직이는 X, Y스테이지(2)에 얹혀져 있다. 시료실(1)의 위에 있는 경체(3)내에는 전자광학계가 있고, 상기 전자광학계는 전자빔을 발생시키는 전자총(4), 그 발생한 전자빔을 웨이퍼에 집속하기 위하여 필요한 전자렌즈(13, 14), 전자빔을 X, Y방향으로 편향하는 편향코일(9) 등을 포함한다.
렌즈(13, 14) 및 편향코일(9)은 제어계(15)에 의하여 제어된다. 또 전자총(4)은 고압전원(16)에 접속되고, 상기 고압전원은 제어계(15)에 의하여 제어된다. 시료실(1)에는 전자조사에 의하여 웨이퍼 또는 후기하는 기준패턴에서 발생되는 이차전자를 검출하기 위한 이차전자검출기(18)가 설치되고, 또한 경체(3)의 측부에 위치하도록 광학현미경(5)이 설치되어 있다.
스테이지(2)에 얹혀져 있는 시료홀더(8)상에는 기준패턴(10, 11)이 설치되어 있다. 양 기준패턴은 시료인 웨이퍼가 얹혀지는 위치이외의 위치, 즉 시료홀더(8)의 주위부에 설치된다. 기준패턴(11)은 전자광학계의 전용 패턴, 기준패턴(10)은 광학현미경(5)의 전용패턴이다. 기준패턴(10, 11)의 설치거리는 전자광학계의 광축중심과 광학현미경(5)의 광축중심의 거리와 같아지도록 설정하고 있다. 그 광축간 거리는 예를 들어 50㎜이다.
기준패턴(10)이 광학현미경(5)의 광축중심에 위치가 부여되었을 때는 기준패턴(11)이 전자광학계의 광축중심으로 위치부여된다. 그때의 광학현미경(5)에 의하여 얻어지는 기준패턴(10)의 화상신호는 화상처리회로(12)로 도입된다. 또 편향코일(9)을 이용하여 전자빔을 X, Y방향으로 편향하였을 때의 이차전자검출기(18)에 의하여 검출되는 이차전자에 의거하는 기준패턴(11)의 화상신호도 화상신호처리회로(12)로 도입된다. 화상처리회로(12)의 화상처리신호는 제어계(15)에 주어지고, 그중, 디스플레이부에는 기준패턴(10, 11)의 화상이 표시된다.
시료실(1)은 소정의 진공도를 유지하도록 배기된다. 이것은 터보분자펌프(6)와 진공펌프인 로터리펌프(7)에 의하여 행하여진다.
다음에 기준패턴(10, 11)을 사용하여 전자광학계와 광학현미경의 광축간 거리를 교정하는 방법에 관하여 설명한다. 주사형 전자현미경으로 패턴의 관찰 및 치수측정을 개시하기 전에 전자광학계와 광학현미경의 상호 위치관계를 교정한다.
먼저 X, Y스테이지를 이동하여 위치결정함으로써 기준패턴(10, 11)을 각각 대응하는 광학현미경 및 전자광학계시야내로 보낸다. 다음에 전자광학계와 광학현미경으로 각 기준패턴의 화상을 처리회로(12)로 도입하고 기준패턴과 각 광축중심과의 위치관계(어긋남)(A1, A2)를 연산으로 구한다. 여기에서 2개의 기준패턴간 거리(A)는 미리 전자광학계 광축과 광학현미경의 광축의 거리(L)로 설정되어 있다. 즉 설계치가 L = 50㎜이면, A = 50㎜가 된다. 따라서 상기 위치관계(A1, A2)는 X, Y스테이지의 위치결정오차와, 전자광학계광축과 광학현미경의 광축의 거리(L)의 변동치를 포함하고 있다. 단 정확하게 L = A이면 A1 = A2가 된다. 그러나 L이 변동하면, L = A로는 되지않기 때문에 A1 = A2로는 되지 않고, 변동분은 A1 - A2로 주어진다. 이것을 식으로 나타내면 다음과 같이 된다.
L = A + (A1 - A2)
이것에 의하여 기준패턴을 검출함에 의한 변동치가 (A1 - A2)인 것을 알 수 있다. 이후, 주사형전자현미경에 있어서의 측정을 행할 때, 광학현미경과 전자광학계의 위치관계는 양광학계의 거리(L)의 변동치(A1 - A2)를 오프셋으로 함으로써 정확한 값이 된다. 전자광학계로 관찰, 측정하는 미세패턴을 먼저 광학현미경을 사용하여 위치결정하고, 다음에 이미 구하고 있는 오프셋을 가미하여 X, Y스테이지로 전자광학계의 광축상으로 위치결정할 수 있다. 오프셋은 전자광학계의 광축을 기준으로 취한 경우는 광학현미경의 광축위치로 주어진다. 또 광학현미경의 광축을 기준으로 취한 경우는 전자광학계의 광축을 상기 편향코일로 흐르는 전류에 오프셋을 부여함으로써 편향시켜 광축의 중심으로 오프셋을 부여한다.
또 기준패턴과 각 광축중심과의 위치관계를 (A1x, A1y), (A2x, A2y)로 한 경우는 이하와 같이 구하여진다. 여기에서 2개의 기준패턴간 거리(Ax, Ay)는 미리 상기 전자광학계 광축과 광학현미경의 광축의 거리(Lx, Ly)로 설정되어 있다. 따라서 상기 위치관계(A1x, A1y), (A2x, A2y)는 XY스테이지의 위치결정오차와 상기 전자광학계광축과 광학현미경의 광축거리(Lx, Ly)의 변동치를 포함하고 있다. 단 XY스테이지의 위치결정오차는 양기준패턴에 공통으로 들어가 있기 때문에 위치관계(A1x, A1y), (A2x, A2y)는 그대로 상기 전자광학계광축과 광학현미경의 광축거리(Lx, Ly)의 변화치가 된다.
이 결과, 광축간의 변동치(Lx, Ly)는 다음식으로 나타낸다.
Lx = Ax + (A1x - A2x)
Ly = Ay + (A1y - A2y)
이것에 의하여 기준패턴을 검출함으로써 변동치가
ΔX = (A1x - A2x)
ΔY = (A1y - A2y)
인 것을 알 수 있다.
이후, 주사전자현미경에 있어서의 측정을 행할 때, 광학현미경과 전자광학계의 위치관계는 양광학계거리(Lx, Ly)의 변동치(ΔX, ΔY)를 오프셋으로 함으로써 정확한 값이 된다.
따라서 전자광학계에 있어서는 고배율에 있어서도 위치어긋남이 없이 소정의 미세패턴을 정확하게 위치결정하는 것이 가능하게 된다.
한편 도 2에 나타낸 바와같이 2개의 기준패턴(10, 11)을 스테이지(2)상의 시료홀더(8)상에 설치된 1개의 부재(22)상에 형성시킴으로써 기준패턴(10, 11)의 거리를 더욱 정확하게 설정하는 것이 가능하게 된다. 또한 24는 웨이퍼, 20은 X, Y스테이지(2)의 위치를 검출하는 위치검출기이다.
또 상기 기준패턴을 전자광학계와 광학현미경으로 관찰할 때, 디스플레이부의 모니터가 하나만으로 되어 있는 경우, 모니터를 변환하여 관찰할 수 있으나, 변환이 번잡하게 되기 때문에 도 3도에 나타낸 바와 같이, 제어계의 디스플레이부의표시화면(31)내의 서로 다른 부분 즉 서로 다른 모니터의 표시면(32, 33)에 두화면이 동시에 표시되게 한다. 통상은 하나의 화면표시뿐이나, 두화면을 동시에 표시함으로써 모니터표시면(32)으로 전자광학계에 의한 화상(34)을, 모니터표시면(33)에서 광학현미경에 의한 화상(35)을 동시에 관찰할 수 있게 된다. 또 위치관계의 모습을 동시에 모니터하는 것이 가능하게 된다. 또한 도 3에 있어서, 36 및 37은 아이콘을 나타낸다.
또한 상기 광학현미경을 가지는 주사형전자현미경에 있어서, 웨이퍼상의 소정의 패턴을 측정하기 전에 X, Y스테이지상에 설정된 웨이퍼의 위치관계를 미리 파악하기 위하여 광학현미경을 이용하여 웨이퍼의 대표적인 패턴으로 X, Y스테이지의 좌표에 대한 위치관계를 측정한다. 다음에 위치관계가 명확하게 된 시점에서 광학현미경에 대하여 웨이퍼의 좌표계는 X, Y스테이지와 동일하게 되도록 좌표변환된다. 이때, 전자광학계와 광학현미경의 상호거리는 본 발명이 되는 기준패턴으로 엄밀하게 교정되어 있기 때문에 마찬가지로 전자광학계의 광축에 대해서도 웨이퍼의 좌표계는 정확하게 좌표변환되게 된다. 따라서 이 이후의 전자광학계를 이용하여 행하는 웨이퍼상의 소정의 패턴의 관찰 및 측정에 있어서는 높은 배율에 있어서도 상당히 단시간으로 패턴을 위치결정하는 것이 가능하게 된다.
또한 본원발명에서는 다른 실시예로서 이하에 나타낸 바와같은 구성으로도 개시하고 있다.
기준패턴중, 하전입자로 검지되는 측의 패턴을 복수개 설치하여 이들 패턴을 다른 크기를 가지고 형성하고 있다.
이들 패턴의 크기는 하전입자선의 측정배율에 의거하여 설정되고 있다. 이와같이 형성함으로써 하전입자선장치를 소정의 배율로 설정한 후, 위치맞춤을 행하는 것이 가능하게 된다. 위치맞춤을 행한 후, 배율변경을 하는 빔의 조사위치가 변할 우려가 있어 배율변경을 행한 다음 위치맞춤을 행한 쪽이 좋으며, 상기한 구성은 그 때문이다.
또 본 발명에 있어서는 이들 서로다른 패턴위치에 따라 광학현미경에 의해 검지되는 패턴을 배치할 필요가 있다.
즉 하전입자선으로 관찰 또는 검지되는 패턴의 각각으로부터 동일거리에 광학현미경을 위한 복수의 패턴이 형성되어 있다.
또한 하전입자선장치를 위한 패턴의 배치에 의해서는 광학현미경을 위한 패턴형성을 하나로 끝내는 것도 가능하다.
이것은 하전입자선장치를 위한 패턴을 1개소에 모아 배치함으로써 달성된다. 구체적으로는 커다란 마크상에 작은 마크를 순서대로 배치하여 두는 것을 생각할 수 있다.
큰 마크와 작은 마크의 중심이 만나있으면 이것들을 상대하는 광학현미경의 마크를 1개로 끝낼 수 있다.
또한 이외의 실시예로서 이온빔을 이용하여 미세패턴의 관찰이나 분석, 가공을 행하는 이온빔장치에 있어서도 이온빔광학계외에 광학현미경을 이용하고 있는 경우, 마찬가지로 본 발명에 의하여 이온빔광학계와 광학현미경의 광축간거리를 정확하게 교정, 위치맞춤을 행할 수 있다.
또 지금까지 설명한 실시예와는 서로 다른 실시예로서 2개이상의 전자광학계를 가지는 주사형 전자현미경 또는 전자빔묘화장치가 있다. 이것들은 2개이상의 전자광학계에 의하여 시료의 관찰 또는 측정 및 가공을 행하는 장치이다.
도 4에 2개의 전자광학계를 가지는 전자빔묘화장치로의 실시예를 나타낸다. 이 장치에 있어서는 2개의 전자광학계(41, 42)의 상호위치가 항상 고정도로 유지되어 있는 것이 필요하다. 그래서 각 전자광학계의 상호거리(S)를 정확하게 유지하기 위해 X, Y스테이지(43)상에 각 전자광학계간의 거리와 동일한 거리(Sp)를 가지는 본 발명이 되는 2개의 기준패턴(44, 45)을 설치한다. 기준패턴을 이용함으로써 2개의 전자광학계의 상호거리를 고정도로 유지하는 것이 가능하게 된다. 이 결과, 전자빔묘화장치에서는 2개이상의 전자광학계에서 동시에 패턴을 묘화할 때 묘화된 패턴의 위치관계를 고정도로 할 수 있다. 또 마찬가지로 2개의 전자광학계를 가지는 주사전자현미경에서는 각 전자광학계에 의하여 관찰, 검지, 측정되는 경우, 동일패턴의 상호검출을 고정도로 또한 고속으로 행할 수 있다.
또한 46은 시료홀더, 47 및 48은 이차전자검출기, 49 및 50은 편향코일, 55∼58은 전자렌즈, 52는 전자총용 고압전원, 51은 X, Y스테이지구동기구, 53은 제어계, 54는 화상처리회로이고, 도 1에 있는 것과 동일명칭인 것은 실질적으로 같은 작용을 한다.
이상의 설명으로 이해되는 바와같이 광학현미경을 가지는 주사형 전자현미경에서는 광학현미경과 전자현미경의 상호위치관계를 고정도로 유지하는 것이 가능하게 되고, 광학현미경으로 관찰, 측정한 패턴을 상당히 고정도로 또한 고속으로 전자광학계의 고배율의 시야내로 보내는 것이 가능하게 된다. 이 결과, 소정의 패턴의 관찰 및 치수측정을 행할 때, 통상적으로 관찰배율을 몇 단계로도 변경하여 패턴을 찾기위하여 많은 시간을 필요로 하는 것에 대하여 본 발명예에 의하여 1개소에 관하여 15 내지 20초의 동작시간을 필요로 하는 것을 10초이하로 행할 수 있게 되어 상당히 짧은 시간에 조작할 수 있게 된다. 또 광학현미경을 가지는 전자빔묘화장치는 이온빔장치에 있어서도 마찬가지의 효과를 얻는 것이 가능하게 된다.
한편, 2개의 전자광학계를 가지는 전자빔묘화장치를 사용하여 웨이퍼상에 동시에 묘화한 패턴의 상호위치정도를 상당히 고정도로 배치하는 것이 가능하게 된다. 이온빔묘화장치에 있어서도 같은 효과를 얻을 수 있다.
Claims (12)
- 하전입자선을 발생시키는 수단과, 상기 하전입자선을 편향하는 수단을 포함하는 하전입자선광학계와, 시료에 광을 조사하는 광학계를 구비하는 하전입자선장치에 있어서,적어도 제 1 및 제 2의 기준패턴이 설치된 상기 시료 또는 상기 시료를 얹혀 놓는 스테이지에서 상기 기준패턴의 각각을 상기 하전입자선광학과 광학계로 독립적으로 검지하며, 상기 시료를 관찰하는 광학현미경을 포함하여 상기 광학현미경의 광축중심을 기준으로 하여 상기 하전입자선광학계의 광축중심의 위치에 오프셋을 주어 그 위치변경을 행하도록 구성한 것을 특징으로 하는 하전입자선장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 및 제 2의 기준패턴은 이들의 간격이 상기 광학현미경 및 상기 하전입자선광학계의 광축간 거리와 동일하게 되도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 하전입자선장치.
- 제 1항 또는 2항에 있어서,상기 제 1 및 제 2의 기준패턴은 상기 스테이지에 설치된 동일한 부재상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 하전입자선장치.
- 제 1항 내지 3항 중 어느 한항에 있어서,상기 제 1 및 제 2의 기준패턴의 관찰 및 위치측정을 행하여 그 결과에 의거하여 상기 광축간 거리를 교정하도록 구성한 것을 특징으로 하는 하전입자선장치.
- 제 4항에 있어서,상기 하전입자선광학계의 광축중심으로 기준으로하여 상기 광학현미경의 광축 중심의 위치에 오프셋을 주어 그 위치변경을 행하도록 구성한 것을 특징으로 하는 하전입자선장치.
- 제 1항 내지 4항중 어느 한 항 또는 5항에 있어서,제 1 및 제 2의 표시면을 가지는 디스플레이부를 구비하고, 상기 제 1 표시면에는 상기 광학계를 이용하여 얻어지는 상기 제 1기준패턴의 화상을, 상기 제 2 표시면에는 상기 하전입자선광학계를 이용하여 얻어지는 상기 제 2기준패턴의 화상을 각각 동시에 표시하도록 구성한 것을 특징으로 하는 하전입자선장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 또는 제 2의 기준패턴중 한쪽을 복수개의 서로 다른 크기의 패턴으로 형성함과 동시에 상기 제 1 또는 제 2의 기준패턴중 다른 쪽을 상기 복수개의 서로 다른 크기의 패턴으로부터 각각 일정한 간격을 두고 배치한 것을 특징으로 하는 하전입자선장치.
- 제 7항에 있어서,상기 복수개의 서로 다른 크기의 패턴은 각각 하전입자선장치의 측정배율에 적합한 크기를 가지고 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 하전입자선장치.
- 하전입자선을 발생시키는 하전입자선과 상기 하전입자선을 스테이지에 얹혀진 시료를 향하는 수단을 포함하는 하전입자선광학계를 가짐과 동시에 상기 시료를 관찰하는 광학현미경을 가지는 하전입자선장치에 있어서,상기 스테이지에 제 1 및 제 2의 기준패턴을 설치하고, 상기 제 1 및 제 2의 기준패턴을 상기 광학현미경 및 상기 하전입자선광학계를 이용하여 각각 독립적으로 관찰하여 위치측정하도록 구성하며, 상기 광학현미경의 광축중심을 기준으로 하여 상기 하전입자선광학계의 광축중심의 위치에 오프셋을 주어 그 위치변경을 행하도록 구성한 것을 특징으로 하는 하전입자선장치.
- 하전입자선을 발생시키는 수단과, 상기 하전입자선을 편향하는 수단을 포함하는 하전입자선광학계와, 시료에 광을 조사하는 광학계를 구비하는 하전입자선장치에 있어서,상기 시료 또는 상기 시료를 얹어놓는 스테이지에 적어도 제 1 및 제 2의 기준패턴을 설치하고, 상기 제 1 및 제 2의 기준패턴의 각각을 상기 하전입자선광학계와 광학계를 이용하여 관찰하고, 상기 관찰결과를 대비하여 표시하며, 상기 시료를 관찰하는 광학현미경을 포함하여 상기 광학현미경의 광축중심을 기준으로 하여 상기 하전입자선광학계의 광축중심의 위치에 오프셋을 주어 그 위치변경을 행하도록 구성한 것을 특징으로 하는 하전입자선장치.
- 하전입자선을 발생시키는 하전입자선과, 상기 하전입자선을 스테이지에 얹어 놓은 시료를 향하는 수단을 포함하는 제 1 및 제 2의 하전입자선광학계를 가지는 하전입자선장치에 있어서,상기 스테이지에 제 1 및 제 2의 기준패턴을 설치하고, 상기 제 1 및 제 2의 기준패턴을 각각 상기 제 1 및 제 2의 하전입자선광학계를 이용하여 각각 독립적으로 관찰하여 위치결정하도록 구성하며, 상기 시료를 관찰하는 광학현미경을 포함하여 상기 광학현미경의 광축중심을 기준으로하여 상기 하전입자선광학계의 광축중심의 위치에 오프셋을 주어 그 위치변경을 행하도록 구성한 것을 특징으로 하는 하전입자선장치.
- 하전입자선을 발생시키는 수단과, 상기 하전입자선을 편향하는 수단을 포함하는 하전입자선광학계와, 시료에 광을 조사하는 광학계를 구비하는 하전입자선장치에 있어서,상기 시료 또는 상기 시료를 얹어놓는 스테이지에 상기 하전입자선의 조사위치와 광의 조사위치간의 거리와 대략 같은 간격을 가지는 제 1 및 제 2의 기준패턴을 구비하며, 상기 시료를 관찰하는 광학현미경을 포함하여 상기 광학현미경의 광축중심을 기준으로하여 상기 하전입자선광학계의 광축중심의 위치에 오프셋을 주어 그 위치변경을 행하도록 구성한 것을 특징으로 하는 하전입자선장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07-169759 | 1995-07-05 | ||
| JP07169759A JP3141732B2 (ja) | 1995-07-05 | 1995-07-05 | 荷電粒子線装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970008302A KR970008302A (ko) | 1997-02-24 |
| KR100448036B1 true KR100448036B1 (ko) | 2004-12-13 |
Family
ID=15892332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960027008A KR100448036B1 (ko) | 1995-07-05 | 1996-07-04 | 하전입자선장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5747816A (ko) |
| EP (1) | EP0752715B1 (ko) |
| JP (1) | JP3141732B2 (ko) |
| KR (1) | KR100448036B1 (ko) |
| DE (1) | DE69613050T2 (ko) |
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| KR101818406B1 (ko) * | 2017-12-05 | 2018-01-15 | 한국기초과학지원연구원 | 복합현미경 장치 |
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- 1996-06-27 DE DE69613050T patent/DE69613050T2/de not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| DE69613050D1 (de) | 2001-07-05 |
| JPH0922676A (ja) | 1997-01-21 |
| KR970008302A (ko) | 1997-02-24 |
| EP0752715B1 (en) | 2001-05-30 |
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| US5747816A (en) | 1998-05-05 |
| JP3141732B2 (ja) | 2001-03-05 |
| EP0752715A1 (en) | 1997-01-08 |
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| GRNT | Written decision to grant | ||
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|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140826 Year of fee payment: 11 |
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| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |