KR100371991B1 - 단일진공챔버내에서반도체기판을회전정렬시키고탈가스화하기위한장치및방법 - Google Patents

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Abstract

반도체 처리 장치와 그 가공 처리는 반도체 회로기판의 탈가스와 동일 진공 챔버에서 회로기판을 정위치에 설치하는 것이 가능함을 도시하고 있다. 본 장치는 진공 챔버에서 반도체 회로기판의 하부면 전체에 열전달이 되도록 하기 위한 정전기적 고정 구조물과, 이 구조물의 탈가스화를 위해 정전기적으로 고정된 회로기판의 가열용 정전기적 고정 구조물 내에 위치된 가열기, 진공 챔버에서 회로기판을 위한 회전 전달용 회전 장치, 그리고 회로기판의 회전에 반응하는 회로기판의 회전 정렬 감시용 검출기를 포함한다. 상기의 실시예에서, 회로기판은 탈가스를 위해 가열되는 것과 같이 회전 정렬을 위해 회전된다.

Description

단일 진공 챔버 내에서 반도체 기판을 회전 정렬시키고 탈가스화하기 위한 장치 및 방법
본 발명은 반도체 기판의 처리에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 동일한 진공 챔버에서 반도체 기판을 회전 정렬하고 가스를 배출시키는 장치와 방법에 관한 것이다.
집적회로 구조물의 형성시 반도체 기판 또는 웨이퍼를 처리함에 있어서, 예를 들어 진공 처리 챔버에 있는 표적으로부터 스퍼터링에 의해 웨이퍼 상에 물질을 증착하는 물리적 증착(PVD) 공정을 수행하기 이전에 웨이퍼로부터 흡착된 가스와 습기를 제거하기 위해 웨이퍼를 철저히 탈가스화하는 것이 중요하다. 진보된 화학적 증착(CVD) 공정과 같은 다른 방법들도 웨이퍼의 탈가스화가 요구될 수 있다. 상기 종래의 PVD 처리에 의한 탈가스화는 스퍼터링에 의한 만족한 증착을 보장하기 위해 웨이퍼로부터 충분히 가스를 제거하도록 약 40초 내지 2분의 주기로 350℃ 이상의 고온에서 수행된다. 알루미늄 PVD 공정동안 기판의 가스 유출은 PVD 공정이 아주 높은 진공도와 다소 높은 기판 온도에서 수행되므로 상기 CVD 단계 동안보다도 더 활발하며, 상기 두 조건은 보다 큰 가스 유출을 유도한다. 그러므로, 오염된 PVD 공정으로부터의 가스 유출을 방지하기 위해 제 1 PVD 단계 진의 웨이퍼의 가스 유출은 CVD 단계 전에 이루어진 가스 배출보다 더 팽창되어야 한다.
웨이퍼의 탈가스화는 일반적으로 두 가지 중 하나의 방법으로 실행된다. 웨이퍼를 탈가스화하는데 이용되는 한가지 방법은 웨이퍼를 구비한 진공 챔버의 외부에 위치하고, 열이 램프로부터 웨이퍼까지 복사되는 투명한 창에 인접 배치되는 열 램프를 사용함으로써 웨이퍼를 복사 가열하는 방법이 있다. 이 방법은 결과적으로 비용면에서 저렴하고 아주 빠르며 진공 챔버내의 웨이퍼 지지체에 웨이퍼를 고정시킬 필요가 없다. 그러나, 상기 복사 가열 방법은 웨이퍼의 온도가 쉽게 조절되지 않기 때문에 350℃ 이상의 온도에서는 만족스럽지 않고 웨이퍼의 전역에서 대체로 가열이 일정하지 않다. 350℃의 웨이퍼 전역에서 통상적인 온도 비균일 정도는 ±30℃ 이상이다. 더욱이, 탈가스화 단계 동안 웨이퍼의 회전 방향 정렬은 열 램프로부터의 복사선이 회전 정렬을 위해 사용되는 종래의 광학 측정기의 작동을 방해하기 때문에 통상적으로 불가능하다.
웨이퍼의 탈가스화에 통상적으로 이용되는 다른 방법은 특히, 약 350℃ 이상의 온도에서 탈가스화를 필요로 하는 다음의 PVD 처리를 수행해야 하는 경우의 진공 챔버 내에서 웨이퍼 지지체에 웨이퍼를 물리적(기계적)으로 고정시킨 후 웨이퍼 지지체 상에 놓인 웨이퍼의 하부면에 인접하게 위치된 저항 히터를 이용하여 웨이퍼를 가열하는 단계를 포함한다. 하지만, 웨이퍼가 단지 물리적으로 고정된 웨이퍼의 원주나 모서리에서 웨이퍼 지지체와 접촉할 뿐이고, 웨이퍼 지지체 내의 가열기로부터 대류를 통한 웨이퍼의 하부면까지의 열전달이 매우 빈약하기 때문에, 열전도성 있는 가스는 가스를 적어도 부분적으로 유지하는 역할을 하는 웨이퍼의 모서리 및 보통 웨이퍼와 웨이퍼의 하부면 사이의 공간 내로 흡수된다. 이 가열법은 약 500-600℃만큼 높은 온도에서의 탈가스화를 가능하게 한다.
상기의 방법은 350℃를 초과하는 온도에서의 탈가스화를 가능하게 하고, 웨이퍼 온도의 측정과 조절을 가능하게 한다. 그러나, 회전 방향의 정렬은 열전도성 가스용 도관이 척의 회전을 저지하기 때문에 일반적으로 탈가스화 단계 동안 실행될 수가 없다. 클램핑 링은 또한 자체 무게 때문에 회전을 억제한다. 또한 고정된 웨이퍼의 회전은 웨이퍼의 손상 및 미립자화를 초래한다. 따라서, 웨이퍼 회전 방향의 정렬은 종래의 탈가스화 단계 이전에 분리 챔버에서 실행된다. 더욱이, 이러한 탈가스화가 PVD 챔버(즉, 이 챔버는 진공 펌프, 가열된 척, 웨이퍼 기중기, 극저온 차단 밸브, 교환 챔버, 차단 밸브, 클램프 링 등을 포함함)와 매우 비슷한 챔버내에서 형성되기 때문에, 비용이 매우 많이 소요된다. 또한 이러한 형태의 탈가스화 장치에 의해 수행되는 통상적인 온도 균일성은 대략 ±10 내지 15℃이다: 진보된 장치에서의 온도 균일화는 ±5℃이다.
게다가, 어느 가열 방법이 사용되었던지 간에 PVD 처리 이전의 탈가스화에 필요한 연장된 시간 주기로 인해 탈가스화 단계는 처리량이 감소될 수 있다. 이 특별한 문제를 해결하기 위해 고려되어 온 한 종래의 방법은 병렬 탈가스화 챔버를 제공하는 것이다. 즉, 두 개의 탈가스화 챔버는 각각의 PVD 처리 챔버를 위한 반도체 웨이퍼 처리 장치에 제공된다. 그러나, 이는 상당한 추가 비용을 요구한다. 또한, 웨이퍼의 회전 방향이 또한 분리 챔버에서 실행되어야만 할 때, 병렬 탈가스화 챔버가 자체의 분리 회전방향 챔버에 결합되어 있는가의 여부에 따라 사용되는 처리 챔버가 셋이든 넷이든 장치의 전체 비용을 크게 추가시키게 된다.
그러므로, 회전 정렬과 분리 챔버의 경비와 한 챔버로부터 다른 챔버까지 이동하는 동안 추가로 소요된 시간을 줄일 수 있는 단일 챔버 내측으로의 웨이퍼의 회전 정렬 및 탈가스화를 공고히 할 수 있도록 하는 것이 바람직하다. 웨이퍼 지지체에 웨이퍼를 기계적으로 고정시키지 않고, 또한 웨이퍼의 균일하고 조절가능한 가열과 그 상태를 여전히 유지하면서 탈가스화가 고온, 즉, 약 350℃를 초과하는 온도에서 실행될 수 있다면, 이는 또하나의 잇점일 수 있다. 만일 탈가스화와 웨이퍼의 회전 방향 두 가지 모두 고온상태의 같은 챔버에서 웨이퍼 지지체에 웨이퍼를 기계적으로 고정시키지 않고 실행될 수 있다면 더 유리하게 될 수도 있다.
본 발명에 따르면, 기계적인 클램핑 링과 열전도성 가스를 이용하지 않으면서도, 동일한 진공 챔버내에서 500℃ 정도의 높은 온도에서 반도체 기판의 탈가스화를 수행할 수 있고, 또한 기판을 회전 정렬시킬 수 있는 반도체 처리 시스템이 제공된다. 이러한 반도체 처리 시스템 장치는 반도체 웨이퍼를 지지하고 상기 기판을 진공 챔버 내에 열적으로 연통 상태로 유지하기 위한 가열된 정전기적 고정 구조물과, 기판을 탈가스화하도록 정전기적으로 고정된 기판을 가열하기 위한 정전기적 고정 구조물 내부의 가열기와, 동일한 진공 챔버 내에서 기판을 회전시키는 회전 기구 및, 기판의 회전에 대응하여 진공 챔버 내부에서 기판의 회전 정렬을 검지하는 검지기를 포함한다. 양호한 실시예에 있어서, 기판 지지체에 기판을 고정하는기계식 고정 장치를 사용함이 없이 기판을 탈가스화시키도록 가열될 때 기판을 회전식으로 정렬시킨다. 다른 실시예에 있어서, 기판은 동일한 챔버 내에서 탈가스화 이전 또는 이후에 정렬되도록 회전될 수도 있다.
본 발명은 이미 웨이퍼 상에 있는 다른 물질에 대한 온도 감지에 따라 500℃나 그 이상의 놓은 온도에서 반도체 기판이나 웨이퍼의 탈가스화를 가능하게 하고, 또한 기계식 클램핑 링과 열전도성 가스를 사용하지 않고도 동일한 진공 챔버에서 웨이퍼를 회전식으로 정렬시킬 수 있는 반도체 처리 시스템을 포함한다. 상기 시스템은 웨이퍼가 탈가스화하기 위해 웨이퍼 지지체내의 가열기에 의해 가열되는 동안, 진공 챔버내의 웨이퍼 지지체와 열적으로 연통할 수 있는 상태로 반도체 웨이퍼를 유지하기 위한 정전기적 고정 수단을 이용한다. 진공 챔버에서 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전 기구 및 웨이퍼의 회전에 대응하여 웨이퍼의 회전 정렬을 검지하는 검지기가 또한 제공된다. 하나의 양호한 실시예에 있어서, 탈가스화되도록 가열되고 있는 동안 웨이퍼는 회전 정렬되도록 동시에 회전된다.
제 1도를 참조하면, 스테인레스 금속 재료로 제조될 수 있고 축받이(12) 위에 고정되는 웨이퍼 지지체(10)가 진공 챔버(2)에 제공되어 있는 본 발명에 따른 시스템의 한 실시예가 도시되어 있다. 웨이퍼 지지체(10)의 상면을 이루는 것은 도면에 도시되어 있는 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 또는 다른 세라믹 재료로 이루어진 정전기적 고정 수단이나 척(20)이며, 그것들은 웨이퍼 지지체(10)의 상면상과 진공 챔버(2)에 도시되지 않은 높은 전원에 도선(28 및 29)을 통해 연결된 금속 전극(26 및 27) 속에 끼워져 있다. 또한, 척(20) 속에 끼워진 것은 저항식 가열기와 같은 가열기(14)이고, 그것은 진공 챔버에서 도시되지 않은 전원에 도선(16)을 통해 연결될 수도 있다. 웨이퍼 지지체(10)와 축받이(12)의 내부는 대기압 상태에 있다. 웨이퍼 지지체(10)는 진공 밀봉을 제공하기 위해 세라믹 척(20)에 납땜으로 접착되어 있다.
탈가스화와 회전 정렬을 위해 웨이퍼(30)는 정전기적 척(20)과 높은 전압, 예를 들어, 약 DC 500 내지 5000 볼트의 전압이 가해진 전극(26 및 27) 상에 정전기적 척(20)의 표면에 웨이퍼(30)를 정전기적으로 고정시킴으로 해서 설치될 수도 있다. 웨이퍼(30)는 지지체 판(51)에 부착된 (또한, 도시되지 않은) 링 위에 집게 핀(도시되지 않은) 이나 핑거에 의해 (제거된 후) 정전기적 척(20) 상에 배치하기 위해 (도시되지 않은) 시스템 이동 로봇으로부터 제거진다. 웨이퍼는 진공 차단 벨로우즈(54)를 통해 공기 압축식 또는 전동 운전식 상승 모터(48)와 주축(50)에 차례로 연결되어 있다.
가열기(14)는 직접 전도를 통해 웨이퍼(30)를 가열한 후 정전기적 척을 가열함으로써 전압이 가해진다. 종래 기술과는 달리, 웨이퍼를 가열하는 동안 웨이퍼 지지체의 상부면에 웨이퍼를 고정하는 것은 (그 사이에 열접촉을 제공하는) 정전기적 척(20)과 열접촉하고 있는 웨이퍼의 둘레이며, 또한 정전기적 척(20) 전체 표면의 정전기력의 균일함으로 인해 웨이퍼(30)의 하부면 전체가 정전기적 척(20)과 기계적으로 접촉하고 있다는 것에 주목해야 한다. 유리하게도, 가열기(10)는 정전기적 척(20)을 예열하고 그로 인해 가열 처리를 가속시키기 위해 정전기적 척(20)에 웨이퍼(30)를 정전기적으로 고정하기 전에 작동시키는 것이 유리하다. 가열된 정전기적 척에 웨이퍼의 긴밀한 접촉 때문에 웨이퍼와 척 사이의 가스는 필요하지 않다.
웨이퍼(30)는 또한 진공 챔버(2)에서 회전식으로 정렬되어 있다. 당업자들에게 공지된 바와 같이, 반도체 웨이퍼의 회전 방향이나 모서리 방향의 정렬은 처리 챔버에 있는 반도체 웨이퍼의 올바른 회전 중심 정렬을 제공하기 위해 필요하다. 그와 같은 회전 정렬은 웨이퍼 자체 상에 몇몇 정렬 표시기구를 제공함으로써 촉진된다. 일반 정렬 도구는 원형 웨이퍼의 원주 부분상의 한 부분에 평면과 노치를 제공하는 것이다. 광원으로부터 나온 광선은 그후 대체로 웨이퍼 주변 모서리를 차단하기 위해 웨이퍼의 날개에 수직 방향으로 향한다. 웨이퍼는 광점이 웨이퍼의 다른 면 위에 설치된 영상 감지기에 투과되는 것과 같이 회전하기 때문에, 빛은 평면과 노치 부분이 만날 때까지 광원으로 재반사된다.
제 1도에 도시된 것과 같이 링(40)은 진공 챔버(2)에서 웨이퍼(30)의 회전 중심 정렬을 위해 웨이퍼(30)를 회전시킬 수도 있다. 웨이퍼(30)를 회전시키도록 요구될 때 웨이퍼는 회전링(40) 위에 더 낮추어진다. 웨이퍼(30)는 제 1도에 도시된 것과 같이, 축받이(12) 내부 중심에 고정되어 있고 축(92)에 부착된 유압 모터(90)의 작동에 의해 링(40) 위에 낮게 설치되어 있다. 축받이 상의 벨로우즈(13)는 챔버(2) 내부의 진공 상태를 유지하는 동안 지지체(10)와 정전기적 척(2)을 가진 축받이(12)의 상부가 수직으로 상승 및 하강할 수 있게 한다. 이는, 회전 링(40) 위로 웨이퍼(30)가 소정량 만큼 하강할 수 있게 한 후에, 배향 단계가 완료될 때, 링(40)에서 떨어진 웨이퍼(30)의 상승을 가능하게 한다.
링(40)은 자기 결합 기구(52)의 일부분을 이루는 제 1자석(46) 세트에 부착되는 중앙 실린더(44)에 연결된 아암(42)과 함께 제공된다. 축받이(12)속에 위치한 중공형 축(60)은 자기 결합 기구(52)의 다른 부분을 형성하는 곳에 장착되는 제 2자석(62) 세트를 가지고 있다. 모터(64)는 벨트(66)를 매개로 하여 축(60)을 회전시키고, 이 회전은 회전 웨이퍼(30)에 의해 실린더(44)와 링(40)에 자기 결합 기구(52)를 거쳐 전달된다.
웨이퍼(30)가 모터(64)에 의해 링(40) 위에서 회전할 때, 진공 챔버(2)의 외측에 있는 광원(70)은 광선(72)이 진공 챔버(2)의 최상부 벽에서 제 1 창을 거쳐 원주에 인접한 웨이퍼(30)의 상면을 향할 수 있게 한다. 제 2도에서 도시된 것처럼 웨이퍼(30)의 평면부나 노치부(32)가 만날때, 광선(72)은 진공 챔버(2)의 내벽에 위치한 제 2 창(6)쪽으로 통과하고 웨이퍼(30)의 회전 평면부나 노치부(32)를 표시하는 광 검지기(80)에 의해 감지된다.
제 1도와 제 2도에 도시된 실시예에 있어서, 웨이퍼(30)의 회전 정렬은 웨이퍼(30)의 탈가스화와 같이 동일한 진공 챔버에서 실행된다. 그러나, 회전 정렬과 탈가스화는 동시적이라기 보다는 연속적으로 실행된다. 회전 정렬은 웨이퍼(30)의 탈가스화 이전 또는 이후에 실행될 수 있다.
그러나, 만약 웨이퍼의 회전 정렬 및 탈가스화 단계를 동시에 수행할 수 있는 동일한 진공 챔버를 제공한다면 더욱 유리하게 될 수도 있다. 제 3 도는 고정된 웨이퍼를 가진 웨이퍼 지지체와 정전기적 척을 회전시킴으로써 반도체 웨이퍼가 동시에 회전 및 탈가스화 작용을 수행할 수 있도록 함으로써 웨이퍼의 회전 방향이광원과 광 검지기에 의해 실행되는 동안 웨이퍼는 계속해서 가열되고 탈가스화되는 본 발명의 또다른 실시예를 도시하고 있다.
동일한 소자에 동일한 도면 부호가 병기되어 있는 제 3도에 있어서, 웨이퍼 지지체(10) 아래의 축받이는 자기 결합 장치를 통해 기계적으로 결합된 원통형 벽을 가진 중공 실린더(112)나, 또는 진공 챔버(2) 외부에 중공축(160)을 위한 클러치(152)를 포함한다. 원통축(160)은 중공축(160)을 회전시키는 모터(164)에 차례로 연결되어, 그 회전은 웨이퍼 지지체(10), 정전기적 척(20) 및, 거기에 고정된 웨이퍼(30)를 회전시키도록 자기 결합체(152)를 통해 원통형 축받이(112)로 전송된다.
가요성 가열기 도선(116)은 외부 가열기 도선(118)을 위해 진공 챔버(2)내에 가열기 도선(16)을 연결하고, 가요성 고전압 도선(128 및 129)은 외부 고전압 도선(138 및 139)을 가진 고전압 도선(28 및 29)을 연결한다. 상기 가요성 도선의 이러한 공급은 웨이퍼 지지체(10)의 회전, 예를 들면, 가열기(14)와 정전기적 척 전극(26 및 27)에 각각 전기적 접촉을 계속 유지하는 동안 각 방향에서 180° 회전을 허용한다.
상기의 실시예에서 설명된 것처럼, 웨이퍼(30)는 모터(164), 광원(70), 진공 챔버(2)의 외부에 의해 회전되기 때문에 그 원주 부근 웨이퍼(30)의 최상단면을 향해 진공 챔버(2)의 맨 윗벽에서 제 1 창(4)을 통해 광선(12)을 비춘다. 웨이퍼(30)의 평면부(32)가 만나게 될 때, 제 2도에서 먼저 도시되고 설명된 것처럼 광선(72)은 진공 챔버(2)의 아래쪽에 위치한 제 2 창(6)을 통과하여 지나고 평면의 회전부나 웨이퍼(30)의 노치부(32)를 표시하는 광 검지기에 의해 감지된다.
이와 같은, 본 발명의 반도체 웨이퍼 처리 시스템은 탈가스화와 웨이퍼 지지체에 웨이퍼를 기계적으로 고정시키지 않고 사용가능한 350℃ 이상의 온도를 갖는 동일한 진공 챔버 내에서 실행되는 반도체 웨이퍼의 회전 정렬을 가능하게 한다. 상기의 실시예에서, 반도체 웨이퍼의 회전 정렬과 탈가스화는 동일한 챔버에서 동시에 실행될 수도 있다.
제 1도는 진공 챔버 내에서 기판을 회전시키도록 리프트 링을 사용하여 기판이 회전식으로 정렬된 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치의 탈가스화 및 회전 정렬 챔버를 개략적으로 도시하는 종단면도.
제 2도는 기판의 회전식으로 정렬시키기 위한 도 1 에 도시된 광학적 배향 장치를 도시한 등축도.
제 3도는 기판이 기판 지지체와 정전기적 척의 회전에 의해 회전 정렬되는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 기판 처리 장치의 탈가스화 및 회전 정렬 챔버를 도시한 종단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
2 : 진공 챔버 4,6 : 창
10 : 웨이퍼 지지체 12,112 : 축받이
13,54 : 벨로우즈 16,28,29,118,128,129 : 도선
14 : 가열기 20 : 정전기적 척
30 : 웨이퍼 32 : 노치부
40 : 링 42 : 아암
44 : 실린더 52 : 자기 연결 기구
60,160 : 중공축 62 : 자석
64,164 : 모터 66 : 벨트
70 : 광원 72 : 광선
80 : 광 검지기 152 : 클러치

Claims (14)

  1. 동일한 진공 챔버 내에서 반도체 기판을 탈가스화하고 회전 정렬시킬 수 있는 반도체 처리 장치에 있어서,
    진공 챔버와,
    상기 진공 챔버 내에서 상기 기판과 열적으로 연통하는 상태로 상기 기판을 유지하기 위한 기판 지지체로서 작용하는 가열된 정전기적 고정 구조물과,
    상기 정전기적으로 고정된 기판을 가열하여 상기 기판을 탈가스화하도록 상기 정전기적 고정 구조물 내에 배치된 가열기와,
    상기 진공 챔버 내에서 상기 기판을 회전시키기 위한 회전 기구와, 그리고
    상기 기판의 회전에 대응하여 상기 기판의 회전 정렬을 검지하는 검지기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 가열기는 상기 기판과 열적으로 연통하는 상기 기판 지지체의 표면에 인접하게 상기 정전기적 고정 구조물 내에 배치된 저항식 가열기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 정전기적 고정 구조물은 상기 기판의 하부면을 향하는 표면 상의 절연체 및 상기 절연체 내의 하나 이상의 고전압 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 회전 기구는 진공 챔버 내에 회전링을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 회전 기구는 상기 회전링을 상기 진공 챔버 외측의 회전 공급원에 연결시키기 위한 자기 커플링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.
  6. 제 3항에 있어서, 상기 회전 기구는 상기 기판을 탈가스화하도록 가열하는 동안 상기 기판이 회전식으로 정렬되도록 회전가능한 정전기적 고정 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.
  7. 동일한 진공 챔버 내에서 반도체 기판을 탈가스화하고 회전식으로 정렬시킬 수 있는 반도체 처리 장치에 있어서,
    진공 챔버와,
    상기 진공 챔버 내에서 상기 기판 지지체와 열적으로 연통하는 상태로 상기 기판을 유지하기 위한 상기 기판 지지체 상의 정전기적 고정 기구로서, 상기 기판의 하부면을 향하는 상기 기판 지지체의 표면 상의 절연체 및 상기 절연체 내부의 고전압 전극을 포함하는 정전기적 고정 기구와,
    상기 정전기적으로 고정된 기판을 가열하여 상기 기판을 탈가스화하도록 상기 정전기적 고정 구조물 내에 배치된 가열기와,
    상기 진공 챔버 내에서 상기 기판을 회전시키기 위한 회전 기구와, 그리고
    상기 기판의 회전에 대응하여 상기 기판의 회전 정렬을 검지하는 검지기를 포함하며,
    상기 회전 기구는, 상기 기판 지지체로부터 상기 기판을 들어올릴 수 있는 진공 챔버 내의 회전링, 및 상기 진공 챔버의 외측 회전 공급원에 상기 회전링을 연결시키기 위한 자기 커플링을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.
  8. 동일한 진공 챔버 내에서 반도체 웨이퍼를 탈가스화하고 회전 정렬시킬 수 있는 반도체 처리 장치에 있어서,
    진공 챔버와,
    상기 진공 챔버 내에서 상기 웨이퍼 지지체와 열적으로 연통하는 상태로 상기 웨이퍼를 유지하기 위한 정전기적 고정 기구로서, 상기 웨이퍼의 하부면을 향하는 상기 웨이퍼 지지체의 표면 상의 절연체 및 상기 절연체 내부의 고전압 전극을 포함하는, 정전기적 고정 기구와,
    상기 정전기적으로 고정된 웨이퍼를 가열하여 상기 웨이퍼를 탈가스화하기 위해 상기 정전기적 고정 구조물 내에 배치된 가열기와,
    상기 진공 챔버 내에서 상기 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전 기구와, 그리고
    상기 웨이퍼의 회전에 대응하여 상기 웨이퍼의 회전 정렬을 검지하는 검지기를 포함하며,
    상기 반도체 웨이퍼는 웨이퍼를 탈가스화하도록 가열되는 동시에 회전식으로 정렬될 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.
  9. 동일한 진공 챔버 내에서 반도체 기판을 탈가스화하고 배향시키는 방법에 있어서,
    진공 챔버를 제공하는 단계와,
    상기 진공 챔버 내에서 정전기적 고정 구조물과 열적으로 연통하는 상태로 상기 반도체 기판을 유지하는 단계와,
    상기 정전기적 고정 구조물 내에 가열기를 제공함으로써 상기 정전기적으로 고정된 상기 기판을 탈가스화하도록 상기 기판을 가열시키는 단계와,
    상기 진공 챔버에서 상기 기판을 회전시키는 단계와, 그리고
    상기 기판의 회전에 대응하여 상기 기판의 회전 정렬을 검지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 기판의 가열 단계는 상기 기판과 열적으로 연통하는 상기 정전기적 고정 구조물 부근에 저항식 가열기를 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 9항에 있어서, 상기 정전기적 고정 구조물은 상기 기판의 하부면을 향하는 표면 상의 절연체 및 상기 절연체 내부의 고전압 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 기판의 회전 단계는 상기 진공 챔버 내에서 회전링을 사용하여 상기 기판 지지체로부터 상기 기판을 들어올리는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 기판의 회전 단계는 상기 회전링과 상기 진공 챔버의 외측에 있는 회전 공급원을 자기적으로 연결시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 11항에 있어서, 상기 기판의 회전 단계는 상기 기판의 가열 단계동안 상기 기판의 회전 정렬을 검지하는 단계를 수행할 수 있도록 상기 정전기적 고정 구조물을 회전시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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