KR960032593A - 반도체 회로기판을 단일 진공 챔버내에 회전 정렬시키고 탈가스화하는 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

반도체 처리 장치와 그 가공 처리는 반도체 회로기판의 탈가스와 동일 진공 챔버에서 회로기판을 정위치에 설치하는 것이 가능함을 도시하고 있다. 본 장치는 진공 챔버에서 반도체 회로기판의 하부면 전체에 열전달이 되도록 하기 위한 정전기적 고정 구조물과, 이 구조물의 탈가스화를 위해 정전기적으로 고정된 ghl로기판의 가열용 정전기적 고정 구조물 내에 위치된 가열기, 진공 챔버에서 회로기판을 위한 회전 전달용 회전 장치. 그리고 회로기판의 회전에 반응하는 회로기판의 회전 정렬 감시용 검출기를 포함한다. 강기의 실시예에서, 회로기판은 탈가스를 위해 가열되는 것과 같이 회전 정렬을 위해 회전된다.

Description

반도체 회로기판을 단일 진공 챔버내에 회전 정렬시키고 탈가스화하는 장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 회로기판을 회전시키도록 회전기판이 리프트 링을 사용함으로써 진공 챔버 내부에서 회전 정렬되는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 회로기판 가공처리 장치의 회전 정렬 챔버를 개략적으로 도시하는 수직 횡단면도.

Claims (14)

  1. 동일 진공 챔버내에서 반도체 회로기판의 탈가스화와 회로기판의 회전 정렬이 가능한 반도체 가공 처리 장치에 있어서, 진공 챔버와, 상기 진공 챔버와 함께 열전달 상태의 반도체 회로기판을 보유하기 위한 웨이퍼 지지체와 같은 기능을 하는 가열된 정전기적 고정 구조물과, 상기 회로기판의 탈가스를 위해 상기의 정전기적으로 고정된 회로기판의 가열용 정전기적 고정 구조물 내에 있는 가열기와, 상기 진공 챔버에서 회로기판으로 회전을 전달하기 위한 회전 기구 및, 상기 회로기판의 회전에 반응하는 회로기판의 회전 정렬을 감시하는 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가열기는 회로기판과 열전달 가능한 상태로 회로기판 지지체의 표면에 인접해 있는 상기 정전기적 고정 구조물내에 있는 저항 가열기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 정전기 고정 구조물은 회로기판의 하부면과 대향하는 표면상에 있는 절연체와 상기 절연체내에 있는 하나 이상의 고전압 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 회전 기구는 진공 챔버내에 회전 가능한 링을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 회전 장치는 진공 챔버 외측의 회전 공급원에 상기 회전링을 결합시키는 자기 커플링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 처리 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 회전 기구는 회로기판이 탈가스되도록 가열되는 동안 상기 기판이 회전 정렬될 수 있게 하는 회전 가능한 정전기적 고정 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 처리 장치.
  7. 반도체 회로기판의 탈가스화를 가능하게 하고 동일 진공 챔버에서 상기 회로기판의 회전 정렬이 가능한 반도체 가공 처리 장치에 있어서, 진공 챔버와, 회로기판의 하부면에 면하는 회로기판 지지체의 표면상에 있는 절연체와 강기 절연체 내부의 고압의 전극을 포함하며, 상기 진공 챔버에서 회로기판 지지체와의 열전달이 가능한 상태로 반도체 기판을 보유하기 위한 진공 챔버내에 있는 회로기판 지지체상의 정전기적 고정기구와, 상기 회로기판의 가스를 제거하기 위해 정전기적으로 고정된 회로기판을 가열하기 위한 정전기 고정 장치 내의 가열기와, 상기 회로기판 지지체에서 회로기판을 분리하여 들어올릴 수 있는 진공 챔버내의 회전링과 진공챔버의 외측 회전 공급원에 회전링을 결합시키기 위한 자기 커플링을 포함하는 상기 진공 챔버에서 회로기판에 회전을 전달하는 회전 기구 및, 상기 회로기판의 회전에 대응하는 회로기판의 회전 정렬을 감시하는 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 처리 장치.
  8. 반도체 웨이퍼의 탈가스화를 가능하게 하고 동일 진공 챔버내에서 웨이퍼쪽으로 향하고 있는 반도체 가공처리 장치에 있어서, 진공 챔버와, 상기 웨이퍼의 하부면에 면하는 표면상의 절연체와 상기 절연체 내부에 있는 고전압 전극을 포함하며, 상기 진공 챔버에서 반도체 웨이퍼의 열전달이 이루어지도록 반도체 웨이퍼를 보유하기 위한 진공 챔버내의 정전기적 고정 구조물과, 상기의 정전기적 고정 구조물과, 상기 웨이퍼의 탈가스를 위해 정전기적으로 고정된 웨이퍼를 가열하기 위한 정전기적 고정 구조물내의 가열기와, 상기 진공 챔버내에 있는 웨이퍼 지지체에 회전을 전달하기 위한 회전 기구 및, 상기 웨이퍼 지지체의 회전에 대응하는 웨이퍼의 회전 정렬을 감시하는 검출기를 포함함으로서, 상기 반도체 웨이퍼는 웨이퍼를 탈가스화 하도록 동시에 가열되는 동안 회전 정렬될 수 있음을 특징으로 하는 반도체 가공 처리 장치.
  9. 동일 진공 챔버내에 있는 반도체 회로기판을 탈가스시키고 정 위치에 놓는 방법에 있어서, 진공 챔버를 제공하는 단계와, 상기 진공 챔버내에 정전기적 고정 구조와의 열전달이 가능한 상태로 반도체 회로기판을 유지하는 단계와, 상기 정전기적 고정 구조내에 가열기를 공급함으로써 정전기적으로 고정된 상기 회로기판을 탈가스화 하도록 회로기판을 가열시키는 단계와, 상기 진공 챔버에서 회로기판을 회전시키는 단계 및, 상기 회로기판의 회전에 대응하는 회로기판의 회전 정렬을 감시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 회로기판의 가열 단계는 상기 회로기판을 구비한 열전달 면에 인접한 정전기적 고정 구조물에 저항 가열기를 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 정전기적 고정 구조물은 상기 회로기판의 하부면에 면하는 표면상에 있는 절연체와, 상기 절연체 내부의 고전압 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 회로기판의 회전 단계는 상기 진공 챔버내에 회전링을 사용하는 회로기판 지지체에서 분리된 회로기판을 들어올리는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 회로기판의 회전 단계는 상기 회전링을 상기 진공 챔버의 외측에 있는 회전 공급원에 자기 결합시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 회로기판의 회전 단계는 회로기판의 회전 정렬 감시 단계가 회로기판의 탈가스를 위한 가열단계 동안 실행될 수 있게 하도록 상기 정전기적 고정 구조물을 회전시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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