JPS5848915A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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Publication number
JPS5848915A
JPS5848915A JP14626081A JP14626081A JPS5848915A JP S5848915 A JPS5848915 A JP S5848915A JP 14626081 A JP14626081 A JP 14626081A JP 14626081 A JP14626081 A JP 14626081A JP S5848915 A JPS5848915 A JP S5848915A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
ceramic heater
preheating
preheating temperature
electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP14626081A
Other languages
English (en)
Inventor
Norio Kanai
金井 謙雄
Katsuaki Nagatomo
長友 克明
Fumio Shibata
柴田 史雄
Minoru Soraoka
稔 空岡
Yutaka Kaneko
豊 金子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP14626081A priority Critical patent/JPS5848915A/ja
Publication of JPS5848915A publication Critical patent/JPS5848915A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明拡、半導体製造装置に係シ、特に、クエーハを予
熱し処理するのに好適な半導体製造装置に関するもので
あ墨。
従来公知の半導体製造装置をプラズマCVD装置を例に
と9第1図によシ説明する。
第1図で、ウェーハ処理室(以下、処理室と略)1には
、高周波電源2で発生する高周波が印加される電極3と
回転可能な電極で、かつ、ウニーノ14が載置されるテ
ーブル5が上下方向に対向して内設されている。また、
処理室lには、反応ガスの導入管6と排出管7がそれぞ
れ設けられ、処理室1の外側には、テーブル5と相対す
る位置にテーブル5の予熱用即ちウェーハ4の予熱用の
ヒータ8が設けられている。
反応ガスを導入管6よシ処理室!内へ導入し矢印9の方
向に流動させ、この状態で電極3に高周波電源2で発生
する高周波を印加させることによシミ極3とテーブル5
の間にガスプラズマが発生する。このガスプラズマの作
用にょ〕回転中のテーブル5に載置されたウェーハ4の
表面に薄膜が形成処理されるが、ウェーハ4は薄膜形成
処理前にウェーハ4の表面に形成される薄膜の成長促進
並びに品質向上を目的として処理室lの壁を介してヒー
タ8でテープ/L15を間接的に予熱することによル予
熱される。この場合、ウェーハ4の予熱温度の制御は赤
外線温度計(図示省略)の赤外線受光軸をウェーハ4の
面封して垂直に固定し、その赤外線受光軸上のウェーハ
4の温度を検出し、ヒータ8への電力供給量を調節して
行われる。
このような従来公知の半導体製造装置では次のような欠
点があつた〇 (1)  処理室の外側にヒータを設置し、該ヒータで
テーブルを間接的に予熱するため熱効率が極めて悪く、
シ比がって、ウェーハを適正温度まで予熱するにはヒー
タの発熱容量を大容量化しなければならずヒータでの消
費電力量が増大する。
(2)テーブル上にウェーハを複数局載置する場合拡、
ある周に載置されたウェーハの予熱温度のみしか制御で
きない。
(3)シたがって、ウェーハの表面に形成される薄膜が
ウェーハ内並びにウェーハごとに不均一となシ、品質を
向上、安定させることができない。
半発明は、上記欠点の除去を目的としたもので、テーブ
ルに直接、がっ、ウェーハの配列に対応し次位置に七う
ζツクヒータを取けた半導体製造装置を提供するもので
ある◇ 本発明の一実施例をwi2図〜第4図によシ説明する。
なお、第2図、第3図で、第1図と同一装置9部品等は
同一符号で示し説明を省略する。
第2図で、テーブル5の裏頁で、かつ、ウェーハ4の配
列に対応した位置にはセラミックヒータ10が第3図に
示すように固定具11とネジ戎で直接取付けられている
。セラミックヒータlOに直接ロー接されるか、又は、
第4図に示すようにセラミ・ツクヒータ10に配線材n
が座面に露出するように段付穴14を設け、段付穴14
に頭部の下面が配線材13に当接するように貫通させた
ネジ巧に座金16を介しナツト(資)で固定されたリー
ド線17が処理室lに設けられた気密封止端子18と処
理室1の外側からセラミックヒータ10に電力が供給で
きるようにスイッチ19を介して接続されている。電極
3と処理室lにはウェーハ4からの赤外@ff5を処理
室lの外側に透過させる透過穴頷と透明板4がそれぞれ
設けられ、赤外線受光軸上にはウェー)S4の予熱温度
検出器を構成する反射鏡ごと赤外線温度計囚が配置され
ている。なお、反射鏡4にはセンサー24aとエンコー
ダ25mが設けられテーブル5に複数局載置され九ウェ
ーハ4からの赤外#謳を各局ごとに赤外線温度計あの赤
外線受光軸と一致させるように反射鏡nでの赤外線反射
角度が適正に変換、設定できるようになっている。また
、予熱温度が検出されるウェーハ4の各局における位置
制御は反応ガスの導入管6を内設したテーブル5の駆動
軸(図示省略)に設けられたセンサー24bとエンコー
ダ25bにより行われる。υはセラミックヒータ10と
赤外線温度計為にそれぞれ接aされた電力供給量制御装
置で、赤外線温度計2で検出されたウェーハ4の予熱温
度をもとに比較、演算しセラミックヒータlOへの電力
供給量を調節する機能の他に反射鏡=での赤外線反射角
度の適正変換、設定および各局におけるつz”4の位置
制御機能も付与されている。
回転又は停止しているテーブル5に載置されたウェーハ
4は、セラミックヒータ10によシテーブル5を直接予
熱することによシ予熱されるOウェーハ4がテーブル5
に11[#!tJIl載置されている場合は、つ、+7
%4の予熱温度は次のようにして適正温度に制御される
センサー241とエンコーダ25m並びに電力供給量制
御装W27で反射鏡区の赤外線反射角度を適正に変換、
設定した後に、センサ=24bとエン=r −ダ25b
並びに電力供給量制御装@2:lで各局におけるウェー
ハ4の位置制御を行わせなからウェー/〜4の予熱11
度をウニーノ・4からの赤外線篇により赤外線温度計2
で検出するO検出されたウニーノ・4の予熱温度は電力
供給量制御装置暗こ入力され、電力供給量制御装置12
7で比較・演算された後暑こその結果によシセラミック
ヒータlOへの電力供給量が調節されウェーハ4の予熱
温度は適正温度に制御される。このような操作によシー
周に載置され九ウェーハ4の予熱温度の検出、制御が完
了すれば次局に載置されたウェー/N 4の予熱温度の
検出。
制御を行うべく反射鏡nの赤外線反射角度はセンサー2
4aとエンコーダ25m並びに電力供給量制御装置で適
正に変換、設定される。;その後、上りと同様にセンサ
ー24bとエンコーダ25b並びに電力供給量制御装置
nでその局におけるウェーハ4の位置制御を行わせなが
らウェーハ4の予熱温度の検出、制御が行われる0上記
のような操作を繰返し行うことによシテーブル5に複数
局載置された全てのウェーハ4の予熱温度は適正温度に
制御される。なお、本実施例では同一周上にウェーハ4
の配列に対応した位置に取付けられたセラミックヒータ
10への電力供給量を1個ごとに調節する場合につき説
明したが、この他にセラミックヒータioへの電力供給
量を複数個まとめて調節するようにしても良い。また、
セラミックヒータ10をテーブル5の表面又は両面に直
接取付けても良い。
このように、テーブルにセラミックヒータを直接取付け
、ウェーハの予熱温度検出器を電力供給量制御装置に接
続すると共に、電力供給量制御装置とセラミックヒータ
を接続した半導体製造装置では、セラミックヒータでテ
ーブルを直接予熱できるため熱効率が向上できセラミッ
クヒータでの消費電力量が節減でき、また、テーブル上
の複数局載置された全てのウェー/Sの予熱温度を適正
温度に制御できるためつ、−ノ・の表面に形成される薄
膜が均一化でき品質を向上、安定させることがで自る0 第5図は、予熱温度検出器の他の実施例を説明するもの
で、テーブル5には、ウニーノ14が載置され並びにセ
ラミックヒータ(図示省略)が取付けられる各周位置に
近接する深さの孔28a〜28cがテーブル50側端面
から穿設され、それぞれの孔3底にはスイッチ(図示省
略)、気密封止端(図示省略)を介して温度計(図示省
略)に接続されている熱電対四が固着されている0この
ように、テーブルの予熱温度を検出するように予熱温度
検出器を構成した場合は、反射鏡。
センサー、エンコーダの設置が不用となるので予熱温度
検出器が簡略化でき、ま九、透過穴を電極に、透明板を
処理室にそれぞれ設ける必要もないので半導体製造装置
を更に容易に製造できる。
本発明は、以上説明したように、半導体製造装置のテー
ブルに直接、かつ、ウェーハの配列に対応した位置にセ
ラミックヒータを取付けたので、ウェーハ予熱の消費電
力量が節減でき、また、ウェーハの予熱温度検出器又は
テーブルの予熱温度検出器と電力供給量制御装置を接続
し、かつ、電力供給量制御装置とセラミックヒータを接
続したので、クエーハの表面に形成される薄膜を均一化
でき品質を向上、安定させることができるという効果が
ある0
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来公知の半導体製造装置を説明するもので
、プラズマCVD装置の断面図、第2図から第4図は、
本発明の一実施例を説明するもので、第2図は本発明に
よるプラズマCVD装置の断面図、第3図はテーブルへ
のセラミックヒータの取付状況を示す部分断面図、第4
図はセラミ”ツクヒータへのリード線の取付状況を示す
斜視断面図、第5図は、予熱温度検出器の他の実施例を
説明するもので、熱電対を固着したテーブルの千藺図で
ある。 l・・・・・・処理室、3・・・・・・電極、4・・・
・・・ウェーノー、5・・・・・・テーブル、10・・
・・・・セラミックヒータ、U・・・固定具、稔・・・
・・・ネジ、17・・・・・・リード線、l訃・・・・
・気密封止端、19・・・・・・スイッチ、粉・・・・
・・透過穴、4・・・透明板、n・・・・・・反射鏡、
n・・・・・・赤外線温度針、2a、24b・・・・・
・センサー、25a、25b・・−・・エンコーダ、I
・・・・・・電力供給量制御装置、28mから28c・
・・孔、コ・・・・・・熱電対 生I 口 才2図 L                       J
′1′5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、電極で、かつ、回転可能なテーブル上に載置された
    ウェーハを予熱し処理する半導体製造装置において、前
    記テーブルにセラミックヒータを直接取付けたことを特
    徴とする半導体製造装置1゜ 2、 前記セラミックヒータを、前記ウェー/1の配列
    に対応した位置に取付けた特許請求の範囲第1項記載の
    半導体製造装置。 3、前記ウェーへの予熱温度検出器を電力供給量・制御
    装置に接続すると共に、該電力供給量制御装置と前記セ
    ラミックヒータを接続し7’(特許請求の範囲第1項又
    は纂2項記載の半導体製造装置。 4、前記テーブルの予熱温度検出器を電力供給量制御装
    置に接続すると共に、該電力供給量制御装置と前記セラ
    ミックヒータを接続し九特許請求の範囲第1項又は第2
    項記載の半導体製造装置。
JP14626081A 1981-09-18 1981-09-18 半導体製造装置 Pending JPS5848915A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05275434A (ja) * 1992-03-24 1993-10-22 Ngk Insulators Ltd 半導体加熱用セラミックスヒーター及びその製造方法
US6171641B1 (en) 1989-12-11 2001-01-09 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus, and a film deposition apparatus and a film deposition method both using the vacuum processing apparatus
US6222991B1 (en) 1995-02-03 2001-04-24 Applied Materials Inc. Method for rotationally aligning and degassing semiconductor substrate within single vacuum chamber

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5084936A (ja) * 1973-11-23 1975-07-09
JPS534735A (en) * 1976-07-05 1978-01-17 Denki Kagaku Kogyo Kk Adhesive for joining metal having high melting point and conductive ceramics
JPS55121649A (en) * 1979-03-14 1980-09-18 Pioneer Electronic Corp Cvd device
JPS55126989A (en) * 1979-03-24 1980-10-01 Kyoto Ceramic Ceramic heater

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5084936A (ja) * 1973-11-23 1975-07-09
JPS534735A (en) * 1976-07-05 1978-01-17 Denki Kagaku Kogyo Kk Adhesive for joining metal having high melting point and conductive ceramics
JPS55121649A (en) * 1979-03-14 1980-09-18 Pioneer Electronic Corp Cvd device
JPS55126989A (en) * 1979-03-24 1980-10-01 Kyoto Ceramic Ceramic heater

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6171641B1 (en) 1989-12-11 2001-01-09 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus, and a film deposition apparatus and a film deposition method both using the vacuum processing apparatus
JPH05275434A (ja) * 1992-03-24 1993-10-22 Ngk Insulators Ltd 半導体加熱用セラミックスヒーター及びその製造方法
US6222991B1 (en) 1995-02-03 2001-04-24 Applied Materials Inc. Method for rotationally aligning and degassing semiconductor substrate within single vacuum chamber

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