JP3046446B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、反応室の中でウエハ
を加熱し、反応ガスを分解することによりウエハ表面に
薄膜を形成する半導体製造装置に関する。
を加熱し、反応ガスを分解することによりウエハ表面に
薄膜を形成する半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、図６は、特開昭６１−２７９１
２０号公報に開示され従来の半導体製造装置の概要を示
す断面図である。図において、符号１はウエハ、２はウ
エハ１を収容する反応室、３はウエハ１を載せる回転可
能なサセプタ、４は光透過性のガラス窓、５は光透過性
のガラス窓４のカバー板、６はウエハ１の表面に赤外線
を照射してウエハ１を加熱する赤外線ランプ、７は赤外
線ランプ６を収納するランプハウジング、８は反応室２
に反応ガスを供給する反応ガス供給口、９は反応室２に
反応ガスを含まないキャリアガスを供給するガス供給
口、そして、符号１０は反応室２内の反応後のガスを排
気するガス排気口である。
２０号公報に開示され従来の半導体製造装置の概要を示
す断面図である。図において、符号１はウエハ、２はウ
エハ１を収容する反応室、３はウエハ１を載せる回転可
能なサセプタ、４は光透過性のガラス窓、５は光透過性
のガラス窓４のカバー板、６はウエハ１の表面に赤外線
を照射してウエハ１を加熱する赤外線ランプ、７は赤外
線ランプ６を収納するランプハウジング、８は反応室２
に反応ガスを供給する反応ガス供給口、９は反応室２に
反応ガスを含まないキャリアガスを供給するガス供給
口、そして、符号１０は反応室２内の反応後のガスを排
気するガス排気口である。
【０００３】このような構成において、ウエハ１の表面
に例えば、シリコン多結晶膜を形成するには、回転する
サセプタ３の上にウエハ１を載せ、赤外線ランプ６より
赤外線を光透過性のガラス窓４を透過してウエハ１の表
面に赤外線を照射することによりウエハ１を加熱する。
同時に、反応ガス供給口８より反応ガスとしてシランガ
スを反応室２内に供給する。また、ガス供給口９よりシ
ランガスを含まないキャリアガスを反応室２内に供給す
るとともに、光透過性のガラス窓４側をウエハ１に平行
に流し、ガス排気口１０より排出する。
に例えば、シリコン多結晶膜を形成するには、回転する
サセプタ３の上にウエハ１を載せ、赤外線ランプ６より
赤外線を光透過性のガラス窓４を透過してウエハ１の表
面に赤外線を照射することによりウエハ１を加熱する。
同時に、反応ガス供給口８より反応ガスとしてシランガ
スを反応室２内に供給する。また、ガス供給口９よりシ
ランガスを含まないキャリアガスを反応室２内に供給す
るとともに、光透過性のガラス窓４側をウエハ１に平行
に流し、ガス排気口１０より排出する。
【０００４】このような工程において、ウエハ１の上で
シランガス（Ｓi Ｈ4 などの原料ガス）は分解され、膜
前駆ラジカル（Ｓi Ｈ2 などの活性ガス）が生成され、
この膜前駆ラジカルがウエハ１の表面に接し、シリコン
多結晶の膜がウエハ１の表面に形成される。係る工程に
おいて、ウエハ１の温度は膜質および膜形成速度を支配
する重要なバロメーターの一つであるため、ウエハ表面
に形成される薄膜の膜質および膜厚の均一性の向上を図
るためには、ウエハ１の面内温度分布を均一化すること
がきわめて重要である。
シランガス（Ｓi Ｈ4 などの原料ガス）は分解され、膜
前駆ラジカル（Ｓi Ｈ2 などの活性ガス）が生成され、
この膜前駆ラジカルがウエハ１の表面に接し、シリコン
多結晶の膜がウエハ１の表面に形成される。係る工程に
おいて、ウエハ１の温度は膜質および膜形成速度を支配
する重要なバロメーターの一つであるため、ウエハ表面
に形成される薄膜の膜質および膜厚の均一性の向上を図
るためには、ウエハ１の面内温度分布を均一化すること
がきわめて重要である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装置
では、ウエハ１がサセプタ３の上に直接載せられている
ため、ウエハ１の面内にサセプタ３に接する部分と接し
ない部分とで放熱形態が異なり、均一なウエハ面内温度
分布を得ることができず、ウエハ表面の膜質および膜厚
の均一性の向上が図れないという課題があった。
では、ウエハ１がサセプタ３の上に直接載せられている
ため、ウエハ１の面内にサセプタ３に接する部分と接し
ない部分とで放熱形態が異なり、均一なウエハ面内温度
分布を得ることができず、ウエハ表面の膜質および膜厚
の均一性の向上が図れないという課題があった。
【０００６】この発明はこのような前記従来の課題を解
決するために提案されたもので、ウエハの面内温度分布
の均一化を図ることによってウエハ表面に形成される薄
膜の膜厚および膜質の均一性の向上を可能にした半導体
製造装置を提供することを目的とする。
決するために提案されたもので、ウエハの面内温度分布
の均一化を図ることによってウエハ表面に形成される薄
膜の膜厚および膜質の均一性の向上を可能にした半導体
製造装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項第
１項記載の半導体製造装置においては、ウエハの上方に
加熱手段を配置し、前記ウエハと前記加熱手段との間に
前記加熱手段の熱を前記ウエハに均一に伝える均熱板を
設け、また前記ウエハおよび前記均熱板を支持した支持
部材を設け、かつ前記均熱板の下部にウエハを収容可能
なようにウエハの外径および厚さを越える内径および深
さを有する凹部を設けるとともに、この凹部に前記ウエ
ハを均熱板より離して設けたものである。
１項記載の半導体製造装置においては、ウエハの上方に
加熱手段を配置し、前記ウエハと前記加熱手段との間に
前記加熱手段の熱を前記ウエハに均一に伝える均熱板を
設け、また前記ウエハおよび前記均熱板を支持した支持
部材を設け、かつ前記均熱板の下部にウエハを収容可能
なようにウエハの外径および厚さを越える内径および深
さを有する凹部を設けるとともに、この凹部に前記ウエ
ハを均熱板より離して設けたものである。
【０００８】この発明に係る請求項第２項記載の半導体
製造装置においては、加熱手段は均熱板にウエハを加熱
するための光を照射する光照射手段であり、かつ、反応
室に設けられた光透過性のガラス窓の外側に設けられて
いる。
製造装置においては、加熱手段は均熱板にウエハを加熱
するための光を照射する光照射手段であり、かつ、反応
室に設けられた光透過性のガラス窓の外側に設けられて
いる。
【０００９】この発明に係る請求項第３項記載の半導体
製造装置においては、加熱手段は内部に発熱体を有する
セラミックヒータであり、かつ、均熱板に近接若しくは
密着して取り付けられている。
製造装置においては、加熱手段は内部に発熱体を有する
セラミックヒータであり、かつ、均熱板に近接若しくは
密着して取り付けられている。
【００１０】この発明に係る請求項第４項記載の半導体
製造装置においては、加熱手段は均熱板の中に発熱体を
モールドしたセラミックヒータである。
製造装置においては、加熱手段は均熱板の中に発熱体を
モールドしたセラミックヒータである。
【００１１】
【作用】この発明に係る請求項第１項記載の半導体製造
装置においては、均熱板の働きによって加熱手段の熱が
ウエハに均一に伝えられる。
装置においては、均熱板の働きによって加熱手段の熱が
ウエハに均一に伝えられる。
【００１２】この発明に係る請求項第２項記載の半導体
製造装置においては、光照射手段より照射される光によ
って均熱板が加熱され、この均熱板によってウエハが加
熱される。
製造装置においては、光照射手段より照射される光によ
って均熱板が加熱され、この均熱板によってウエハが加
熱される。
【００１３】この発明に係る請求項第３項記載の半導体
製造装置においては、均熱板に近接若しくは密着して設
けられたセラミックヒータによって均熱板が加熱され、
この均熱板によってウエハが均一に加熱される。
製造装置においては、均熱板に近接若しくは密着して設
けられたセラミックヒータによって均熱板が加熱され、
この均熱板によってウエハが均一に加熱される。
【００１４】この発明に係る請求項第４項記載の半導体
製造装置においては、均熱板の中に発熱体をモールドし
たセラミックヒータによってウエハが直接加熱される。
製造装置においては、均熱板の中に発熱体をモールドし
たセラミックヒータによってウエハが直接加熱される。
【００１５】
【実施例】実施例１． 図１はこの発明の実施例１の半導体製造装置を示す断面
図、図２は図１の要部拡大図であり、図６に示す従来の
半導体製造装置と同一または相当部分には同一符号を付
す。符号１１は反応室２内のウエハ１の表面に反応ガス
を照射する反応ガスノズル、１２は反応ガスノズル１１
に反応ガスを供給する反応ガス供給口、１３は赤外線ラ
ンプ６の照射熱をウエハ１に均一に照射する均熱板、１
４はウエハ１および均熱板１３を支持する支持部材、１
５は支持部材１４の保持部材である。
図、図２は図１の要部拡大図であり、図６に示す従来の
半導体製造装置と同一または相当部分には同一符号を付
す。符号１１は反応室２内のウエハ１の表面に反応ガス
を照射する反応ガスノズル、１２は反応ガスノズル１１
に反応ガスを供給する反応ガス供給口、１３は赤外線ラ
ンプ６の照射熱をウエハ１に均一に照射する均熱板、１
４はウエハ１および均熱板１３を支持する支持部材、１
５は支持部材１４の保持部材である。
【００１６】反応室２のほぼ中央部に反応ガスノズル１
１が真上に向けて設置されている。また、反応室２の上
端部にランプハウジング７が設置され、このランプハウ
ジング７の中に赤外線ランプ６が収納されている。ラン
プハウジング７と反応室２との間には赤外線透過性ガラ
ス窓４が設置され、この赤外線透過性ガラス窓４によっ
てランプハウジング７は反応室２から完全に遮蔽られて
いる。
１が真上に向けて設置されている。また、反応室２の上
端部にランプハウジング７が設置され、このランプハウ
ジング７の中に赤外線ランプ６が収納されている。ラン
プハウジング７と反応室２との間には赤外線透過性ガラ
ス窓４が設置され、この赤外線透過性ガラス窓４によっ
てランプハウジング７は反応室２から完全に遮蔽られて
いる。
【００１７】反応ガスノズル１１と赤外線ランプ６との
間に、ウエハ１が処理面を反応ガスノズル１１側に向け
て水平に設置され、このウエハ１の上側に均熱板１３が
ウエハ１に触れないようにウエハ１より少し離して水平
に設置されている。ウエハ１および均熱板１３は支持部
材１４によって支持され、支持部材１４は保持部材１５
によって支持されている。
間に、ウエハ１が処理面を反応ガスノズル１１側に向け
て水平に設置され、このウエハ１の上側に均熱板１３が
ウエハ１に触れないようにウエハ１より少し離して水平
に設置されている。ウエハ１および均熱板１３は支持部
材１４によって支持され、支持部材１４は保持部材１５
によって支持されている。
【００１８】支持部材１４は石英ガラスなどの熱伝導率
の低い材料より形成され、その先端部に略真上に突出す
る突起１６が形成され、この突起１６，１６の上にウエ
ハ１が水平に載せられている。また、支持部材１４の略
中央部に真上に突出する突起１７が形成され、この突起
１７の上に均熱板１３が載せられている。
の低い材料より形成され、その先端部に略真上に突出す
る突起１６が形成され、この突起１６，１６の上にウエ
ハ１が水平に載せられている。また、支持部材１４の略
中央部に真上に突出する突起１７が形成され、この突起
１７の上に均熱板１３が載せられている。
【００１９】さらに、均熱板１３の下側の略中央部には
ウエハ１を収容可能な凹部１８、すなわち、ウエハ１の
外径および厚さを越える内径および深さを有する凹部１
８が形成され、ウエハ１はこの凹部１８の中に収納さ
れ、ウエハ１は均熱板１３に触れないようになってい
る。
ウエハ１を収容可能な凹部１８、すなわち、ウエハ１の
外径および厚さを越える内径および深さを有する凹部１
８が形成され、ウエハ１はこの凹部１８の中に収納さ
れ、ウエハ１は均熱板１３に触れないようになってい
る。
【００２０】なお、均熱板１３は窒化シリコン、炭化シ
リコン、窒化アルミニウム、カーボングラファイトなど
の熱伝導率の高い材料より形成されている。
リコン、窒化アルミニウム、カーボングラファイトなど
の熱伝導率の高い材料より形成されている。
【００２１】このような構成において、薄膜の形成方法
について説明すると、まず、保持部材１５の上に複数個
の支持部材１４を設置し、この支持部材１４の突起１
６，１６間にウエハ１を処理面を下にして水平に載せ
る。また、均熱板１３を、凹部１８を下側にし、かつ、
この凹部１８内にウエハ１が収まるように支持部材１４
の突起１７，１７の上に載せる。
について説明すると、まず、保持部材１５の上に複数個
の支持部材１４を設置し、この支持部材１４の突起１
６，１６間にウエハ１を処理面を下にして水平に載せ
る。また、均熱板１３を、凹部１８を下側にし、かつ、
この凹部１８内にウエハ１が収まるように支持部材１４
の突起１７，１７の上に載せる。
【００２２】この状態で、赤外線ランプ６より光透過性
ガラス７を通して均熱板８に赤外線を照射して均熱板１
３を加熱し、この均熱板１３を介してウエハ１を加熱す
る。同時に、反応ガスノズル１１より反応ガスとしてシ
ランガスをウエハ１の処理面に向けて噴射する。反応後
のガスは、ガス排気口１０から排気される。その結果と
して、ウエハ１の処理面下でシランガスは分解され、膜
前駆ラジカルが生成され、この膜前駆ラジカルがウエハ
１の処理面に到達し、ウエハ１の表面にシリコン多結晶
膜が形成される。
ガラス７を通して均熱板８に赤外線を照射して均熱板１
３を加熱し、この均熱板１３を介してウエハ１を加熱す
る。同時に、反応ガスノズル１１より反応ガスとしてシ
ランガスをウエハ１の処理面に向けて噴射する。反応後
のガスは、ガス排気口１０から排気される。その結果と
して、ウエハ１の処理面下でシランガスは分解され、膜
前駆ラジカルが生成され、この膜前駆ラジカルがウエハ
１の処理面に到達し、ウエハ１の表面にシリコン多結晶
膜が形成される。
【００２３】また、ウエハ１は均熱板１３に接触してお
らず、しかも、ウエハ１と均熱板１３間の間隔は均一に
保持されているので、ウエハ１と均熱板１３間の熱伝導
形態は輻射と両者間に存在するガスによる熱伝導の二つ
に限られるので、ウエハ１が均熱板１３より受ける熱量
は面内で均一にされ、ウエハ１の面内の温度分布の均一
化が図れる。さらに、ウエハ１は均熱板１３に設けられ
た凹部１８の中に収納され、ウエハ１の周囲外側部１ａ
と凹部１８の段差部１８ａとが対向する構造になってい
るので（図２参照）、ウエハ１の周囲外側部１ａからの
放熱が抑制され、ウエハ１の面内の温度の均一化の向上
が図れる。したがって、ウエハ表面に形成される薄膜の
膜厚および膜質の均一性を向上させることが可能とな
る。
らず、しかも、ウエハ１と均熱板１３間の間隔は均一に
保持されているので、ウエハ１と均熱板１３間の熱伝導
形態は輻射と両者間に存在するガスによる熱伝導の二つ
に限られるので、ウエハ１が均熱板１３より受ける熱量
は面内で均一にされ、ウエハ１の面内の温度分布の均一
化が図れる。さらに、ウエハ１は均熱板１３に設けられ
た凹部１８の中に収納され、ウエハ１の周囲外側部１ａ
と凹部１８の段差部１８ａとが対向する構造になってい
るので（図２参照）、ウエハ１の周囲外側部１ａからの
放熱が抑制され、ウエハ１の面内の温度の均一化の向上
が図れる。したがって、ウエハ表面に形成される薄膜の
膜厚および膜質の均一性を向上させることが可能とな
る。
【００２４】また、加熱手段として赤外線ランプ６が使
用され、かつ、赤外線ランプ６は光透過性ガラス窓４に
よって反応室２と完全に遮蔽されているランプハウジン
グ７の中に収納されているので、赤外線ランプ６によっ
てウエハ１およびウエハ１の表面に形成される薄膜への
汚染を防止することができる。
用され、かつ、赤外線ランプ６は光透過性ガラス窓４に
よって反応室２と完全に遮蔽されているランプハウジン
グ７の中に収納されているので、赤外線ランプ６によっ
てウエハ１およびウエハ１の表面に形成される薄膜への
汚染を防止することができる。
【００２５】実施例２． 図３は、同じく、この発明の実施例２の半導体製造装置
の断面図であり、図において、図６に示す従来の半導体
製造装置および図１に示す実施例１の半導体製造装置と
同一または相当部分には同一符号を付す。均熱板１３の
下面の略中央部にウエハ１の外径よりやや小径の凹部１
８、すなわち、ウエハ１の外径未満の内径を有する凹部
１８が形成されている。そして、均熱板１３は凹部１８
の周縁部がウエハ１の周縁部によって支持されるように
ウエハ１の上に載せられている。
の断面図であり、図において、図６に示す従来の半導体
製造装置および図１に示す実施例１の半導体製造装置と
同一または相当部分には同一符号を付す。均熱板１３の
下面の略中央部にウエハ１の外径よりやや小径の凹部１
８、すなわち、ウエハ１の外径未満の内径を有する凹部
１８が形成されている。そして、均熱板１３は凹部１８
の周縁部がウエハ１の周縁部によって支持されるように
ウエハ１の上に載せられている。
【００２６】このようにすれば、ウエハ１はきわめて一
部分である周縁部を除いて均熱板１３と離れており、か
つ、ウエハ１と均熱板１３間の間隔が一定に保たれてい
るので、実施例１と同様の効果が期待できる。
部分である周縁部を除いて均熱板１３と離れており、か
つ、ウエハ１と均熱板１３間の間隔が一定に保たれてい
るので、実施例１と同様の効果が期待できる。
【００２７】実施例３． 図４は、この発明の実施例３の半導体製造装置の断面図
であり、図において、符号１９は内部に発熱体をモール
ドしたセラミックヒータであり、２０はセラミックヒー
タ１９を支持するヒータ支持部材である。セラミックヒ
ータ１９は反応室２の中に均熱板１３に近接若しくは密
着して設置されている。
であり、図において、符号１９は内部に発熱体をモール
ドしたセラミックヒータであり、２０はセラミックヒー
タ１９を支持するヒータ支持部材である。セラミックヒ
ータ１９は反応室２の中に均熱板１３に近接若しくは密
着して設置されている。
【００２８】このように構成されていることにより、セ
ラミックヒータ１９の内部における熱の拡散により、均
熱板１３の上部面内が受ける熱量の分布は均一化され、
ウエハ１が均熱板１３より受ける熱量は、さらにウエハ
面内で均一化され、したがって、ウエハ面内の温度分布
は均一化されるので、ウエハ１の表面に形成される薄膜
の膜厚および膜質の均一性の向上が図れる。
ラミックヒータ１９の内部における熱の拡散により、均
熱板１３の上部面内が受ける熱量の分布は均一化され、
ウエハ１が均熱板１３より受ける熱量は、さらにウエハ
面内で均一化され、したがって、ウエハ面内の温度分布
は均一化されるので、ウエハ１の表面に形成される薄膜
の膜厚および膜質の均一性の向上が図れる。
【００２９】実施例４． 図５は、この発明の実施例４の半導体製造装置の断面図
であり、図において、符号２１は発熱体をモールドした
セラミックヒータからなる均熱板であり、セラミックヒ
ータと均熱板とを兼ねたものである。このように構成さ
れていることにより、熱損失を可能な限り少なくするこ
とができるとともに、部品の省略化および装置の小型化
が可能である。
であり、図において、符号２１は発熱体をモールドした
セラミックヒータからなる均熱板であり、セラミックヒ
ータと均熱板とを兼ねたものである。このように構成さ
れていることにより、熱損失を可能な限り少なくするこ
とができるとともに、部品の省略化および装置の小型化
が可能である。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の請求項
第１項記載の半導体製造装置によれば、ウエハと加熱手
段との間に前記加熱手段の熱を前記ウエハに均一に伝え
る均熱板を設け、かつ、前記均熱板にウエハを収容可能
な凹部を設けるとともに、この凹部に前記ウエハを均熱
板より離して設けたので、ウエハと均熱板間の熱伝導形
態は主に輻射と両者間に存在するガスによる熱伝導の二
つであり、ウエハが均熱板より受ける熱量は面内で均一
化され、ウエハ面内の温度分布の均一化が図れる。
第１項記載の半導体製造装置によれば、ウエハと加熱手
段との間に前記加熱手段の熱を前記ウエハに均一に伝え
る均熱板を設け、かつ、前記均熱板にウエハを収容可能
な凹部を設けるとともに、この凹部に前記ウエハを均熱
板より離して設けたので、ウエハと均熱板間の熱伝導形
態は主に輻射と両者間に存在するガスによる熱伝導の二
つであり、ウエハが均熱板より受ける熱量は面内で均一
化され、ウエハ面内の温度分布の均一化が図れる。
【００３１】また、ウエハを均熱板に設けられた凹部の
中に収納したときには、ウエハの周囲外側部と凹部の段
差部とが対向する構造になっているので、ウエハの周囲
外側部からの放熱が抑制され、ウエハ面内の温度分布の
均一化の向上が図れ、ウエハ下面に形成される薄膜の膜
厚および膜質の均一化の向上が可能となる。
中に収納したときには、ウエハの周囲外側部と凹部の段
差部とが対向する構造になっているので、ウエハの周囲
外側部からの放熱が抑制され、ウエハ面内の温度分布の
均一化の向上が図れ、ウエハ下面に形成される薄膜の膜
厚および膜質の均一化の向上が可能となる。
【００３２】また、この発明の請求項第２項記載の半導
体製造装置によれば、加熱手段として光照射手段が使用
され、光照射手段は光透過性のガラス窓によって反応室
と完全に遮蔽されたランプハウジングの中に収納されて
いるので、加熱手段によるウエハおよびウエハの表面に
形成される薄膜への汚染を防止することができる。
体製造装置によれば、加熱手段として光照射手段が使用
され、光照射手段は光透過性のガラス窓によって反応室
と完全に遮蔽されたランプハウジングの中に収納されて
いるので、加熱手段によるウエハおよびウエハの表面に
形成される薄膜への汚染を防止することができる。
【００３３】また、この発明の請求項第３項記載の半導
体製造装置によれば、加熱手段として、内部に発熱体を
モールドしたセラミックヒータが均熱板に近接若しくは
密着して設けられているので、セラミックヒータ内部に
おける熱の拡散により均熱板の上部面内が受ける熱量は
均一化され、ウエハが均熱板から受ける熱量はさらに面
内で均一化され、ウエハ面内の温度の均一化が図れ、ウ
エハ表面に形成される薄膜の膜厚および膜質の均一化を
向上させることがてきる。
体製造装置によれば、加熱手段として、内部に発熱体を
モールドしたセラミックヒータが均熱板に近接若しくは
密着して設けられているので、セラミックヒータ内部に
おける熱の拡散により均熱板の上部面内が受ける熱量は
均一化され、ウエハが均熱板から受ける熱量はさらに面
内で均一化され、ウエハ面内の温度の均一化が図れ、ウ
エハ表面に形成される薄膜の膜厚および膜質の均一化を
向上させることがてきる。
【００３４】また、この発明の請求項第４項記載の半導
体製造装置によれば、加熱手段であるセラミックヒータ
と加熱手段の熱をウエハに均一に伝える均熱板とが兼用
されているので、部品の省略化による装置の小型化およ
び製作費の低減化が図れる。
体製造装置によれば、加熱手段であるセラミックヒータ
と加熱手段の熱をウエハに均一に伝える均熱板とが兼用
されているので、部品の省略化による装置の小型化およ
び製作費の低減化が図れる。
【図１】 この発明の実施例１の半導体製造装置の断面
図である。
図である。
【図２】 図１に示す半導体製造装置の要部拡大図であ
る。
る。
【図３】 この発明の実施例２の半導体製造装置の断面
図である。
図である。
【図４】 この発明の実施例３の半導体製造装置の断面
図である。
図である。
【図５】 この発明の実施例４の半導体製造装置の断面
図である。
図である。
【図６】 従来の半導体製造装置の一例を示す断面図で
ある。
ある。
１ ウエハ、２ 反応室、４ 光透過性のガラス窓、６
赤外線ランプ（光照射手段）、１３ 均熱板、１８
凹部、１９ セラミックヒータ（加熱手段）。
赤外線ランプ（光照射手段）、１３ 均熱板、１８
凹部、１９ セラミックヒータ（加熱手段）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 令幸 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 生産技術研究所内 (72)発明者 神田 智幸 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 生産技術研究所内 (72)発明者 町田 一道 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 生産技術研究所内 (72)発明者 北野 勝久 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 生産技術研究所内 (72)発明者 木之下 儀美 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 生産技術研究所内 (72)発明者 古森 秀樹 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 生産技術研究所内 (72)発明者 鷲谷 明宏 伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機株式 会社 北伊丹製作所内 (72)発明者 江島 泰蔵 福岡市西区今宿東一丁目１番１号 三菱 電機株式会社 福岡製作所内 (72)発明者 西本 章 伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機株式 会社 北伊丹製作所内 (72)発明者 吉田 和夫 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 平３−95924（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−61117（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−121430（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/52
Claims (4)
- 【請求項１】 薄膜が下面に形成されるウエハを収容す
る反応室と、前記ウエハを加熱する加熱手段とを備えて
なる半導体製造装置において、前記ウエハの上方に前記
加熱手段を配置し、前記ウエハと前記加熱手段との間に
前記加熱手段の熱を前記ウエハに均一に伝える均熱板を
設け、また前記ウエハおよび前記均熱板を支持した支持
部材を設け、かつ前記均熱板の下部にウエハを収容可能
なようにウエハの外径および厚さを越える内径および深
さを有する凹部を設けるとともに、この凹部に前記ウエ
ハを均熱板より離して設けたことを特徴とする半導体製
造装置。 - 【請求項２】 加熱手段は均熱板にウエハを加熱するた
めの光を照射する光照射手段であり、かつ、反応室に設
けられた光透過性のガラス窓の外側に設けられているこ
とを特徴とする請求項第１項記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 加熱手段は内部に発熱体を有するセラミ
ックヒータであり、かつ、均熱板に近接若しくは密着し
て設けられていることを特徴とする請求項第１項記載の
半導体製造装置。 - 【請求項４】 加熱手段は均熱板の中に発熱体をモール
ドしたセラミックヒータであることを特徴とする請求項
第１項記載の半導体製造装置。
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|---|---|---|---|
| JP4060536A JP3046446B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4060536A JP3046446B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 半導体製造装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
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ID=13145127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4060536A Expired - Fee Related JP3046446B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 半導体製造装置 |
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| JP (1) | JP3046446B2 (ja) |
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-
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|---|---|
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