JPS63117418A

JPS63117418A - Ｃｖｄ装置

Info

Publication number: JPS63117418A
Application number: JP26466386A
Authority: JP
Inventors: Izumi Nakayama; 泉中山; Akitoshi Suzuki; 鈴木　章敏; Hiroyuki Nawa; 名和　浩之; Tomohiko Kaneko; 智彦金子
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 1986-11-05
Filing date: 1986-11-05
Publication date: 1988-05-21
Anticipated expiration: 2010-04-19
Also published as: JPH0736388B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕（以下余白）不発明は與４赫ＣＶ　Ｄ装置　　　　て　１．：：二・
・。

→に関する。

〔従来の技術及びその問題点〕

第１１図は第１の従来例によるＣＶＤ装置田を示し、ウ
ェハー（９０）は複数枚、マウントされているが、−枚
だけをマウントするだけでも以下の問題は同様である。

ウェハー（９０１をその表面にマウントしたステージ本
体３１Ｉはアースジ−ルート（８２１と共に回転伝達機
構（９１）を介してモーター（８６１Ｋより回転駆動さ
れる。ステ（以　　下　　余　　白　　） −ジ本体（８１１とアースシールドのｚは絶縁碍子のに
よりミ気的に絶縁されており、ステージ本体姐）にはＤ
Ｃ又はＲＦ電力導入部（ハ）（回転接触式、コンデンサ
ーカップリング式等°の方法がちる）によりＤＣ又はＲ
Ｆ電力が印加される。回転の際の真空シール及び回転軸
の芯プレ防止は真空１ｖ壁（財）の開口に嵌着された真
空回転シール（８５）によって行なわれる。

（シール方法にはＯ’Ｊングシール、ウィルソンシール
又は磁性流体シール等が用いられる）。

ステージ本体（８２１には加熱ヒーター、冷却水路の両
方又は片方が設けられてお９ヒーター電力、冷却水の導
入は導入部）ｇｌ（ロータリージヨイント等）により行
なわれる。第１２図は第２の従来例（８０１′を示すが
第１１図の従来例Ｇ３■との差異は加熱ヒーター機構姉
をステージ本体（８１１とは切、シ離して真空槽（８４
Ｊに固定して設置している点であシ、回転に関する機構
等は同様である。なお、第１１図に対応する部分につい
ては同一の符号を付すものとする。

然るに第１１図やアースシールド機構を付加した第１２
図の機構においてステージ本体（８ｕＫｒｂｐＩＨヵを
与え真空槽内にグロー放電によるプラズマを発が本番で
は同じとみなして説明を進める）に実効的に発生するＤ
Ｃバイアスを可変とするにはＲＦ電力自体を変化させる
か、別にＲＦ電力伝達回路内にステージ機構全体のイン
ピーダンスを変化させる機構（コンデンサー、コイル、
抵抗等）を設ける等、電気的に変化させるしか方法がな
い。また、ＤＣ又は几Ｆ電力導入部關には回転体に電力
を供給するための機構が採用されなければならずこの保
守、点検の面でも難点がある。また、インピーダンスを
変化させる機構の要素としてのコンデンサー、コイル、
抵抗に特性変化などがあってはＤＣバイアスの倣妙な調
整は困難となる。

また、成膜やエツチング等の処理を行なった場合、ステ
ージ本体（８１１表面のみならず第１１図ではアースシ
ールドＳｚの表面全体及び真空槽壁（至）が、また第１
２図ではステージ本体［Ｆ］υ裏側やヒーターアッセン
ブリ（９４表面等に成膜物質や反応ガス等が付着堆積し
、汚染されるが、このような場合はクリーニングかやυ
にくい。また第１１図の場合では適当な反応性ガスや不
活性ガスを真空槽内に導入してプラズマをステージ本体
８９表面にＲＦ（又はＤＣ）電力を印加することにより
発生し、クリーニングしたとしてもステージ本体６１１
表面及びプラズマにさらされている近傍の構成材表面は
クリーニングされるが前記のような箇所はされにくい。

（プラズマが発生しない、またはしても極めて密度が薄
い）。

更にまた、第１１図の従来例ではステージ本体ｔａｎを
アースシールド曽と共に回転させるので回転体の重量が
大きく、回転トルクの大きなモータ測を必要とする。ま
たステージ本体のり及びヒータ電力や冷却水の導入部形
状が複雑になり取り外しのメンテナンス等が厄介である
。

（以　　下　　余　　白　　）また以上の従来例では、これら機構にウェハー搬送のた
めの受は渡し機構を設けようとするステージ本体の機構
が極めて複雑となる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は上述の従来の種々の欠点を一挙に克服し、簡単
な構成であシながらきわめて機能性に富んだＣＶＤ装置
を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

以上の目的は、本発明の第１発明によれば、減圧槽の壁
部に固定された電極部材；該電極部材を摺動かつ回転自
在に挿通する駆動軸；該駆動軸の前記減圧槽側の端部に
固定された板状の基板ホルダー；前記駆動軸をその軸方
向に駆動するための第１直線駆動装置；前記駆動軸を回
転させるための回転駆動装置ツ前記電極部材に形成され
た複数の貫通孔にそれぞれ摺動自在に挿通している基板
リフトピン；該基板リフトピンをその軸方向に駆動する
ための第２直線駆動装置；前記基板ホルダーに前記電極
部材の貫通孔にそれぞれ整列可能に形成され前記基板リ
フトピンが挿通可能な開口；から成ることを特徴とする
Ｃ’ＶＤ装置によりて達成される。

また、以上の目的は本発明の第２発明によれば、減圧槽
の壁部に固定された電極部材；該電極部材を摺動かつ回
転自在に挿通する駆動軸；該駆動軸の前記減圧槽側の端
部に固定された板状の基板ホルダー；前記駆動軸をその
軸方向に駆動するための第１７［線駆動装置；前記駆動
軸を回転させるための回転駆動装置；前記減圧槽の壁部
又はこれに固定された部材に形成された複数の貫通孔に
それぞれ摺動自在に挿通している基板リフトピン；該基
板リフトピンの前記減圧槽側端部にほゞ垂亘方向に固定
された支持アーム；前記基板リフトピンをその軸方向に
駆動するための第２直線駆動装置；前記支持アームの先
端部を収容するために前記電極部材の外周縁部に形成さ
れた切欠き部；前記支持アームの先端部と整列可能に前
記基板ホルダーの外周縁部に形成され；前記先端部が通
過自在である切欠部；から成ることを特徴とするＣＶＤ
装置によって達成される。

〔作　用〕

電極部材（ＢＰ’！ｌ圧を印加されている）に対し基板
（ウェハー）を支持する基板ホルダーを相対的に移動し
て相互間の距離を変えるだけで、基板ホルダー、従りて
基板のＤＣバイアスを変えることができる。

距離に応じてＤＣバイアスを変えることができるので、
その調節は容易であシ、従来例のよりなＲＦ電力部にロ
ータリジ冒インド機構を用いることが不要とし得る。よ
って全体の構成を保守、点検のインターバルを短かくし
得るものとする。

また、電極部材と基板ホルダとの間の距離が所定値以下
に６るときはプラズマは基板ホルダーの上方、もしくは
基板ホルダーに関し電極部材とは反対側の空間に発生し
、これにより基板ホルダーの基板を支持させる方の面及
びこれに近在する各部材をプラズマによりフリーニング
する。

次いで、電極部材と基板ホルダーとの間の距離を所定値
以上にするとプラズマは電極部材と基板ホルダーとの間
の空間内へと転移し、主として基板ホルダーの背面及び
電極部材の上面（従来、クリーニングしにくかりた部所
）がプラズマによ）クリーニングされる。勿論、このと
きプラズマが及ぶ他の部所もクリーニングされる。

また、基板ホルダーは板状であシ、第１従来例のように
アースシールド、あるいは電極部材も共に回転させる必
要はなく、このような軽量とし得る基板ホルダーのみを
回転させるだけでよいので回転連動装置の負荷を小さく
することができる。

基板ホルダーの回転により、これＫｍ！！されているウ
ェハーに形成される薄膜の均一性が得られるのは従来と
同様である。

基板に所望の薄膜形成後は第２ＴＩ線駆動装置を駆動す
れば、基板リフトピン又は支持アームは上昇し、これに
よって基板が受けられるので、この下方に搬送手段、例
えばフォークを導いて、これを上昇させれば、このフォ
ークで受けて搬送することができる、〔以下余白〕〔実施例〕以下、本発明の実施例によるＣＶＤ装置について図面を
参照して説明する。

第１図は本実施例のＣＶＤ装置の全体を示すが、口にお
いて真空槽（１）の−側端壁部には反応ガス導入用ノズ
ル（２）が取シ付けられ、他端側の底壁部忙は排気孔（
３）が形成されている。排気孔（３）は排気パイプ（４
）及びメインダクト（５］を介して図示しない排気装置
に接続されている。また、他側壁部にはつ、エバー堆出
用の開口σ■が形成され、これは図示せずとも気密なゲ
ートパルプにょシ開閉自在となっている。

真空槽（１）の下方には本發明に係わる上下回転駆動機
構（６）が配設され、カバー（７）は・これをＭ、０て
いる。これらは真空５（１）に対し固定され、また真空
１（１）は架台Ｉ１３α（部分的に図示）にポル）０３
１１にょシ固定されている。

真空槽（１）内には第２図及び第３図に明示されるよう
に円板形状のサセプター（９）が臨んでおり、この直下
にはステージ本体（８）が配設され、その外周縁部にお
いて、絶縁フ・ランジ東を介して、これと同心的に配設
されたアースシ・−ルド体０Ｑにボルト（ロ）により気
密に固定されている。アースシールド体ＯＯは外周縁部
で気密°に°ポル）　＋４：１１により真空槽（υの底
壁部ａ優に固定されている。アースシールド体ＯＱの上
面には石英製リング（至）が貼着されている。

サセプター（９）には、これと一体的にその中心部で回
転軸Ｏ０が固定されておシ、ステージ本体（８）の中心
孔（８ａ）を押通して、べΩ−（至）を有する真空回転
シール装ａａ力により気密に、かつ回転可能に支承され
ている。真空回転シール装置αηは更に上下一対のベア
リング（１８ａ）（１８ｂ）を有し、これらで回転軸Ｃ
Ｆツを支承するのであるが、これらベアリング（１８ａ
）（１８ｂ）を嵌着させたベアリングケースαりは下端
部で中間取付板面に固定されている。

回転軸（ト）の下端部近くに□はプーリ（２１１が固、
定され、またこの下方に位儂する下段取付板＋２６１に
は、尚板面を介して七−タ■が固定されている。尚板面
はボルト５１）によりモータ（２つに固定され、第５図
に示すように該当板面はその壬直部（２７ａ）がアング
ル部材（１２０）にボルト（１２１）により固定される
ことにより取付飯田に対し固定される。七−タ■の回転
軸ＣＩ！４１の先端部にはプーリ＠がキー（１２２）と
六角孔付止めねじ（１２３）により固定されており、こ
れと上述のプーリ（２υとの間にタイミングベル）Ｃ１
２１が巻装されている。

下段取付板（至）の下方には更に基台板のが配設され、
これは第３図〜第５０に明示されるように等角度間、隔
で配設された３本のガイドシャツ）　ｒ３５１により上
方のステージ本体（８）と一体的に固定される。

ガ・イドシャフト０９の上端部のねじ部（３８ａ）がス
テージ本体（８）のねじ孔に螺着固定され、下端部のね
じ部（３ｓｂ）にはナラ）’（１２４）が螺着締めつけ
られることにより基台板Ｃ８１に固定される。上段取付
板−及び中間取付板（イ）、下役取付板ＣＩ＋６１には
リニアボールベアリング（至）６でが固定されておυ、
ガイドシャフト回を摺動自在に案内しておシ、これによ
り上段取付板０９、中間取付仮置、下段取付板に））は
ガイドシャツ）　Ｃ３Ｓに漬って正確に上下動すること
ができるようになってい°る。

基台板（２８１にはエアシリンダ装置Ｃ２９が固定され
ており、その駆動ロッド叩の先端部はボルトＧｕにより
下段取付板Ｑａに固定されている。回転軸（ハ）の下端
部は下段取付板ｒ２６１の開口（２６ａ）を押通してお
υ、これに軸部水冷導入装置ｒ５ｒＪが′取シ付けられ
ている。

これは主としてロータリー−ニオンから成りておυ、図
示せずとも、と＼から冷媒が導入され、回転軸αつの中
空部を通って、ステージ本体（８）の中空部に供給され
、更に回転軸（イ）の他方の中空部を通？で循環するよ
うになりている。（矢印で冷媒の導入、導出を示す）上段取付飯田には更にウェハー・リフトピン（４（１が
第４図に明示されるように３本その下端部で螺着、固定
されておシ、その上端部はステージ本体（８）の周縁部
に形成うた貫通孔（８ｂ）を挿通している。

ステージ本体（８）の底部と上段取付板Ｃ３！Ｊとの間
にはウェハー・リフトピン（４（ｌを被覆するようにベ
ロース（４Ｉ）が張設されている。これにょシ、ウェハ
ー・リフトピン（４（１は大気とは遮断した状態におか
れる。

基台板のには更にウェハー上下駆動シリンダー装置のが
固定され、その駆動ロッド曽の先・端部はリンクボール
図を介して上段取付板（１９に結合されている。

第２図に示すようにす゛セブタ（９）には中心の周シに
等角度間隔で３個の長孔（４つが形成され、これらは上
述のウェハー・リフトビ°ン（４Ｇが配設されている円
周と同一の円周上に、あって、第３図では整列していな
いが、サセプター（９）をステージ本体（８）に対し回
動させることによ１）第２図に示すように整列するよう
になっている。各１図でウェハーは図示されていないが
、サセプター（９）の上に載置されたウェハーはシリン
ダ装置ｃ３３の駆動により駆動ロッド６ｙは上昇し、従
って上段取付板−及びウェハーリフトピン（４（ｌが、
上昇するとウェハーを押し上げるようになっている。サ
セプター（９）はモータのによυ回転駆動されるのでち
るが、その長孔（４りがウェハー・す７トビン（４Ｇと
整列する位置で停止するようにするための位詮決め手段
（１０２）はプーリ（２℃の下方に配設されている。

またステージ本体（８）の外周縁部にはセン、サー取付
支柱圓の上端部が固定されておシ、これにはセンサー（
４５１（［ｉＺが取付けられていて、センサー□□□は
下段取付板（２６１の上昇位置、従りてす七ブタ−（９
）の上昇位置を検出し、センサー口は上段取付板ｒ３３
、従ってウェハー・リフトピン（４（ｌの上昇位置を検
出するようになりている。

なお、第３図に概略的に示すが、ステージ本体（８ンＫ
Ｕｔ路（ｔｏｌ）を介してｆｌ、Ｆ電力供給部（１００
）からＢＰ電力が供給されるようになっている。

某上、本発明の実施例について説明したが、次に、この
作用、効果などについて説明する。

図示せずともサセプター（９）の上にはウェハーもしく
は基板が載置されているものとする。また、真空槽（１
）内は所望の圧力に排気され、またグロー放７Ｍ、！／
ｃよるプ２ズマ発生に必要なガス気体が所定の圧力迄導
入されて込るものとする。

（以下余白）シリンダ装置（２９を駆動すると、ロッド（３０）の上
昇と共に下段取付板（２印、上段取付板−、これとベア
リングケーシングα９及びベアリング（１８ａ）（１８
りを介して一体的な回転軸α時は上昇する。従って、こ
れと一体的なサセプター（９）も上昇し、ステージ本体
（８）の上面からの距離ｄが増大する。ステージ本体（
３）には交流（高周波）電圧を印加しているものとする
。

第８図Ａ、　Ｂ、　Ｃはこのときのｄの変化と、プラズ
マＰ（グロー放電）の発生状況及びサセプター（９）又
はこの上のウェハーＷに発生する電位Ｖとの関係を示し
ているが、第８図人ではｄがｄ、と小さいがＤＣバイア
ス電圧Ｖｄｃ、はル較的大きい。第８図Ｂに示すように
ｄがｄ２と大きくなるとＤＣバイアス電圧Ｖｄｃ、は小
さくなる。然しなからプラズマＰはいずれの場合でもサ
セプター（９）の上方にあるが更に第８図Ｃに示すよう
にｄが更に犬ちくなるとプラズマＰはサセプター（９）
とステージ本体（８）との間に転移する。すなわち、サ
セプター（９）の上昇距離ｄに応じて、これに加えられ
る電位及びＤＣバイアス電圧を変化させることができる
と共ｉ／Ｃｄを更に大きくするとプラズマＰの発生状況
を第８図Ｃに示す如く大きく変えることができる。

一般に、スパッター、エツチング、Ｐ−ＣｖＤ等の処理
中にはウェハーにＲＦバイアスを与え、マタ膜質、ステ
ップカバレージ、エツチングの異方性等に対する処理効
果を図るために適切なりＣバイアス電圧をウェハーに供
給するようにしているが、従来はこれを電気的な調節に
より行なっていた。然しなから、本実施例によれば、サ
セプター（９）を上下に移動させてステージ本体（８）
からの上下方向の距離ｄを変えることによυ容易にこの
ＤＣバイアス電圧を変えることができる。

従って、本実施例ではサセプター（９）の上に載置させ
るウェハーの表面に形成される膜質、その他の特性を考
慮してサセプター（９）の上昇位置が決められる。中間
取付板（イ）、下段取付板（２６１”働→→−はガイド
シャフト３５）により案内されて上昇する。

従って回転軸αつはガイドシャフト６５に沿っテ正確に
芯ぶれすることなく上昇し、所定高さに至ると、これが
センサー取付支柱（ロ）に取シ付けられたセンサー（４
９がこれを検知し、この検知信号をシリンダ装ｆｊＵ２
９に供給する。これによりリンダ装置（２９１の駆動は
停止し、サセプター（９）はステージ本体（８）から所
定距離、離れた高さで停止する。

次いでモータ（２５１が駆動される。この回転力はタイ
ミングベル）　（２Ｚ、ブーＩＪ　（２１１を介して回
転軸αＱに伝達され、サセプターク９）が回転する。反
応ガス導入用ノズル（２）から真空槽（１）内に反応ガ
スが導入され、サセプター（９）の上に載置されたウェ
ハーの表面に反応ガスの成分で成る薄膜が回転により一
様な厚さで形成される。

所定の厚さの薄膜が形成されると、反応ガスの導入を停
止し、モータ１２５１の駆動は停止される。すなわち、
サセプター（９）の回転は停止される。次いでシリンダ
装置（２９）が、駆動され、駆動ロッドｃ３０＋は下降
され、サセプター（９）は下降され、センサー（旬の検
知信号によりシリンダ装置（２９）は停止させられる。

よって、サセプター（９）は第３図に示す位置をとる。

なお、モータのの駆動停止時には位置決め手段（１０２
）によりサセプター（９）はその長孔（４２１が下方の
次いで、ウェハー上下駆動シリンダ装置８ｚが駆動され
、上段取付仮置が上昇させられる。従って、ウェハー・
リフトピン（４０が共に上昇し、サセプター（９）の長
孔（４′ｌＪから突出し、ウェノ・−を押し上げる。

図示せずとも、開口１′７０）よυ真空槽（１）内に導
入された搬送用フォークがウェハーの下に挿入され、次
いで該フォークが若干上昇し、ウェハーをウェノ１−．
リフトピン（４０１から離脱させ、かつこのウェハーを
受けて、真空槽（１）の−側壁部に形成した開口（７０
を通って隣接する取出室へと導出される。

取出室では、次のウェハーがフォークにのセラれ、開口
嶽よシ真空槽（１）内−Ｓ搬送され、突出しているウェ
ハー・リフトピン（４Ｇの上で停止し、次いでフォーク
を下降させてウェハーをウェハー、リフトピン（４ｔ）
の上にのせる。フォークは更に若干、下降した後、開口
釦から取出室へと退却する。

次いで、シリンダ装置０２１が駆動されてウェハー・リ
フトピン（４Ｇは第３図に示す位置まで下降する、よっ
てウェノ・−はサセプター（９）の上に載置される。

なお、センサー（６２１により下降位置は検知され、こ
の検知信号によりシリンダ装置（３′ｌＪの駆動は停止
される。以下、再び上述の作用が繰り返される。

次に、本発明に係わるサセプター（９）などのクリーニ
ング作用について説明する。

この場合にはウニ／Ｓ−はサセプター（９）には載置さ
せておらず、第８図人又はＢに示す位置でサセプター（
９）及びこれに近在する部材、例えば真空槽（１）の壁
部がプラズマＰの衝げきによりクリーニングされる。然
しなから、このときプラズマＰは第８図Ａ、Ｂに示され
るようにサセプタ（９）の背面やステージ本体（８）の
上面近傍には存在しないか、殆んど存在しないので、こ
れら部分はクリーニングされない。

次いでシリンダ装置（２印を駆動してサセプター（９）
を更に大きく上昇させる。するとｄが所定値を越えたと
ころでプラズマＰの存在領域が大きく変移し、第８図Ｃ
に示すようにサセプタ（９）とステージ本体（８）との
間に存在するようになる。よってこれまでクリーニング
され得なか′）７１ｃサセプター（９）の背面、ステー
ジ本体（８）の上面、側面、真空槽（１）の壁部までプ
ラズマによりフリーニングされることができる。

（以　　下　　余　　白　　）本実施νりは以上のような作用を行ない、効果を奏する
ものであるが、更に次のような効果をも奏するものであ
る、すなわちポル）ｔ４３を取シ除けばアースシールド体０
０．ステージ本体（８）、サセプター（９）以下の上下
回転駆動機構（６）全体を一度に取り外すことができる
。従って何らかの保守、点検、その他、部材の交換など
を極めて迅速に行うことができる。

また回転駆動されるのは板状の基板ホルダー（９）のみ
でちるので第１１図の従来例のように重いアースシール
ド体まで回転させることがなく、モータのの負荷を小さ
くすることができ回転駆動機構の小型化を計ることがで
きる。

（以　　下　　余　　白　　）第９図及び第１θ図は本発明の他実施例を示すが、上記
実施例と対応する部分については同一の符号を付すもの
とする。

すなわち、本実施例は上記実施例とは主としてウェハー
Ｗの加熱方法及びウエノ・−Ｗのリフト方法において異
なる。

ステージ本体（１１５）の大気側には取付部材（１１３
）を介して等角度間隔で配設されたヒータアセンプ＋７
　（１１１）が固定され、これらはヒータとして赤外線
ランプ（１１２）を備えている。ステージ本体（１１５
）には、これらヒータアセンブリ（１１１）に対応して
複数個の開口（１１５ｂ）が形成され、これらには赤外
線の吸収の少ない透明な物質で成る、例えば石英で成る
窓ガラス（１１６）が気密に嵌着されている。

リニアベアリング（３力を取付けている取付板臼′の延
長部（３９ａ）にはウエノ１−．リフトピン（１１７）
が第１０図で明らかなように等角度間隔で３本、固定さ
れており、この先端部（１１７りは真空槽（１）内にあ
り、これには水平アーム（１１９）が固定されている。

ウェハー・す７トピン（１１７）は気密にではちるが、
摺動自在に真空槽（１）の底壁部（ロ）を挿通している
。

ステージ本体（１１５）の外周縁部にはウェハー・す７
トビン（１１７）の取付位置に対応して切欠き（１１５
Ｍ）が形成され、これに水平アーム（１１９）の先端部
（１１９ａ）が収容されている。またサセプター（１１
０）にも第１０図に明示されるように上記切欠き（１１
５ａ）と同一の角度間隔で外周縁部に切欠き（ｎｏｎ）
が形成され上記切欠き（１１５ａ）とは第１０図に示す
ように整列可能となりている。第１実施例で述べた回転
位置決め手段（１０２）によりサセプタ−（ｌｉｏ）は
この整列位置で停止可能とされている。また、第１Ｏ図
に示されるようにサセプター（１１０）の上に載置され
るウェハーＷの外周縁部は水平アーム（１１９）の先端
部（１１９りよシ径外方にあるものとする。

本実施例のその他の構成は第１実施例と全く同様である
が、この作用、効果などＫついても殆んど共通している
ので、以下、異なる点についてのみ説明する。

第１実施例と同様に、サセプター（１１０）を回転させ
ながら、これに載置されているウニノー−Ｗの上に均一
に薄膜が形成される。この形成中には、ヒータアセンブ
リ（１１１）から赤外線でウニノー−Ｗは加熱され（サ
セプター（１１０）が透明な材質で成る場合には、直接
、そうでない場合には伝熱により）、良質の薄膜が形成
される。

所定の厚さの薄膜を形成させると、サセプター（１１０
）の回転は停止させられる。第１実施例と同様の回転位
置決め手段（１０２）によりサセプター（ｌｔｏ）はそ
の切欠き（ｌｉｏａ）をステージ本体（ｕｓ）の切欠き
（工１５りに整列させて停止させられる。

次いで、サセプター（１１０）が第１実施例の第３図に
示されるシリンダー装置ｃ１９により上昇させられてい
たならば、この駆動により下降させられ、第９図に示す
位置をとらされる。次いで、第１実施例の第６図に示さ
れるシリンダ装置Ｃ３２１が駆動され、第９図に示す取
付板口′は上昇させられる。これによりてウェハー・リ
フトピン（１１７）は第９図に示す位置から上昇する。

第９図ではステージ本体（１１５）の切欠き（ｎｓａ）
とサセプター（ｔｌｏ）の切欠き（１１ｏａ）とは整列
するようには図示していないが、今は整列しているもの
とする。

ウェハー・リフトピン（１１７）の上昇と共に水平アー
ム（１１９）も上昇し、ウェハーＷはこれら３本の水平
アーム（１１９）　（第１０図参照）により持ち上げら
れる。所定高さ持ち上げられるとシリンダ装置（至）の
駆動は停止する。次いで、図示しないフォークが第１図
に示す開口（７Ｇから導入され、これがウェハーＷの下
方に位置した後、若干上昇してウェハーＷを持ち上げ、
開口σαを通って取出室へと後退する。こ＼で次のウェ
ハーと取り、換えられ、真空槽（１）内へフォークで導
入され下降して水平アーム（１１９）上に新しいウェハ
ーがのせられる。フォークは開口σαを通りて取出室・
＼と退却し、再びシリンダ装置０３の駆動によりウエノ
為−・す７トピ：／　（１１７）は下降して第９図に示
す位置をとシ、ウェハーＷはサセプター（１１０）の上
に載置される。

、なお、クリーニング作用やＤＣバイアス調整作用は第
１実施例と同様に行われる。この場合には透明な石英（
１１６）も充分にクリーニングされるので、その透明度
を再確保することができる。なおまた、構成の説明では
省略したが、本実施例の場合、ステージ本体（１１５）
及びヒータアセンブリ（１１１）　、その他、必要な箇
所は冷却されているものとする。

以上１本発明の各実施例について説明したが、勿論、本
発明はこれらに限定することなく本発明の技術的思想に
もとづいて種々の変形が可能である。

例えば、以上の実施例では真空による減圧ＣＶＤ装置で
ウェハーに薄膜を形成する場合を説明したが、これに限
ることなくスパッター、プラズマエツチング、Ｐ−ＣＶ
Ｄ装置など広範囲の基板の表面処理装置に本発明は適用
可能である。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明のＣＶＤ装置によれば、真空
を維持して、基板ホルダーの背面、その他、従来方式で
はクリーニングされなかったが、されにくかった部所や
部材まで容易にクリーニングすることができる。また、
純粋に機械的に基板に対するＤＣバイアスを変えること
ができ、従来の電気的な方法及び装置によるものがもっ
ていた種々の欠点を克服することができる。

更に回転駆動装置の負荷を小さくすることができると共
に減圧槽への組み込み、これからの取外しが極めて容易
とすることができる、など種々の効果を奏することがで
きる。更にまた、表面処理済の基板を簡単に搬出するこ
とができ、新しい基板も簡単に基板ホルダー上にもたら
すことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例によるＣＶＤ装置の部分破断正
面図、第２図は第１図における■−■線第線図５図■−
ｖ線方向断面図、第６図は第５図における■−■線方向
断面図、第７図は本ＣＶＤＣＶＤ装置の要部の断面図、
第１Ｏ図は同平面図汲−一、第１１図は従来例のＣＶＤ
装置の側面図及び第１２図は他従来例のＣＶＤ装置の側面
図である。なお図において、

Claims

【特許請求の範囲】

（１）減圧槽の壁部に固定された電極部材；該電極部材
を摺動かつ回転自在に挿通する駆動軸；該駆動軸の前記
減圧槽側の端部に固定された板状の基板ホルダー；前記
駆動軸をその軸方向に駆動するための第１直線駆動装置
；前記駆動軸を回転させるための回転駆動装置；前記電
極部材に形成された複数の貫通孔にそれぞれ摺動自在に
挿通している基板リフトピン；該基板リフトピンをその
軸方向に駆動するための第２直線駆動装置；前記基板ホ
ルダーに前記電極部材の貫通孔にそれぞれ整列可能に形
成され前記基板リフトピンが挿通可能な開口；から成る
ことを特徴とするＣＶＤ装置。
（２）前記回転駆動装置は、前記駆動軸を真空シールし
、かつ回転可能に支承する真空回転シール装置に対し固
定され、前記第１、第２直線駆動装置は共通の基台板に
固定され、前記第１直線駆動装置は前記真空回転シール
装置を直線的に駆動することにより、これを介して前記
駆動軸を直線的に駆動するようにしたことを特徴とする
前記第１項に記載のＣＶＤ装置。
（３）前記第１、第２直線駆動装置を取付けた前記基台
板は前記電極部材又は前記減圧槽の壁部とガイドシャフ
トにより一体的に結合され、該ガイドシャフトはリニア
ベアリングにより直線的に摺動自在に支承されているこ
とを特徴とする前記第２項に記載のＣＶＤ装置。
（４）前記駆動軸の中空部にロータリ・ジョイト機構を
介して冷媒又は熱媒が循環供給されることを特徴とする
前記第１項乃至第３項のいづれかに記載のＣＶＤ装置。
（５）減圧槽の壁部に固定された電極部材；該電極部材
を摺動かつ回転自在に挿通する駆動軸；該駆動軸の前記
減圧槽側の端部に固定された板状の基板ホルダー；前記
駆動軸をその軸方向に駆動するための第１直線駆動装置
；前記駆動軸を回転させるための回転駆動装置；前記減
圧槽の壁部又はこれに固定された部材に形成された複数
の貫通孔にそれぞれ摺動自在に挿通している基板リフト
ピン；該基板リフトピンの前記減圧槽側端部にほゞ垂直
方向に固定された支持アーム；前記基板リフトピンをそ
の軸方向に駆動するための第２直線駆動装置；前記支持
アームの先端部を収容するために前記電極部材の外周縁
部に形成された切欠き部；前記支持アームの先端部と整
列可能に前記基板ホルダーの外周縁部に形成され、前記
先端部が通過自在である切欠部；から成ることを特徴と
するＣＶＤ装置。
（６）前記回転駆動装置は、前記駆動軸を真空シールし
、かつ回転可能に支承する真空回転シール装置に対し固
定され、前記第１、第２直線駆動装置は共通の基台板に
固定され、前記第１直線駆動装置は前記真空回転シール
装置を直線的に駆動することにより、これを介して前記
駆動軸を直線的に駆動するようにしたことを特徴とする
前記第５項に記載のＣＶＤ装置。
（７）前記第１、第２直線駆動装置を取付けた前記基台
板は前記電極部材又は前記減圧槽の壁部とガイドシャフ
トにより一体的に結合され、該ガイドシャフトはリニア
ベアリングにより直線的に摺動自在に支承されているこ
とを特徴とする前記第６項に記載のＣＶＤ装置。
（８）前記駆動軸の中空部にロータリ・ジョイト機構を
介して冷媒又は熱媒が循環供給されることを特徴とする
前記第５項乃至第６項のいづれかに記載のＣＶＤ装置。