KR100830745B1 - 기판 처리 장치, cor 처리 모듈 및 기판 리프트 장치 - Google Patents

기판 처리 장치, cor 처리 모듈 및 기판 리프트 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 성막 불량의 발생을 방지하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다. CVD 처리 장치(10)의 PM(11)은 챔버(23)를 구비하고, 상기 챔버(23)는 용기(32), 상기 용기(32)내에 배치된 ESC(33), 및 용기(32)내에 배치된 웨이퍼 리프트 장치(80)를 구비하고, 웨이퍼 리프트 장치(80)는 용기(32)내에 있어서 ESC(33)을 둘러싸도록 배치되어 있는 원환상의 핀 홀더(81)와, 핀 홀더(81)에 접속되는 3개의 리프트 아암(83)과, 각 리프트 아암(83)에 헐거운 끼워맞춤(遊嵌) 결합되어서 지지되는 3개의 리프트 핀(42)을 구비하고, 각 리프트 핀(42)은 핀 홀더(81)의 승강에 연동해서 승강한다.

Description

기판 처리 장치, COR 처리 모듈 및 기판 리프트 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, COR PROCESSING MODULE AND SUBSTRATE LIFT APPARATUS}
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치로서의 CVD 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 평면도,
도 2는 도 1에 있어서의 웨이퍼에 COR 처리를 실시하는 PM의 개략 구성을 도시하는 사시도,
도 3은 도 2에 있어서의 챔버의 개략 구성을 도시하는 단면도,
도 4는 도 2에 있어서의 가스 박스의 가스 공급 계통을 도시하는 배관도,
도 5는 도 2의 PM에 있어서의 배기 계통을 도시하는 배관도,
도 6은 도 3의 챔버내에 배치되는 웨이퍼 리프트 장치의 개략 구성을 도시한 도면으로서, 도 6a는 웨이퍼 리프트 장치의 도 3에 있어서의 화살표(A)의 평면도이며, 도 6b는 도 6a에 있어서의 선 B-B에 따른 단면도,
도 7은 도 6에 있어서의 리프트 핀 돌출량 조절 장치의 개략 구성을 도시한 도면으로서, 도 7a는 분해 사시도이며, 도 7b는 리프트 핀 돌출량 조절 장치에 있어서의 높이 조정용 블록의 확대 사시도,
도 8은 도 7의 리프트 핀 돌출량 조절 장치를 이용한 리프트 핀 돌출량 조정 방법을 도시하는 공정도,
도 9는 도 1의 CVD 처리 장치에 있어서의 시스템 컨트롤러의 개략 구성을 도시한 도면,
도 10은 본 발명의 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치로서의 PM의 챔버내에 배치되는 웨이퍼 리프트 장치의 개략 구성을 도시한 도면으로서, 도 10a는 웨이퍼 리프트 장치의 평면도이며, 도 10b는 도 10a에 있어서의 선 C-C에 따른 단면도,
도 11은 도 10에 있어서의 리프트 핀 돌출량 조절 장치의 개략 구성을 도시하는 분해 사시도,
도 12는 도 11의 리프트 핀 돌출량 조절 장치를 이용한 리프트 핀 돌출량 조정 방법을 도시하는 공정도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : CVD 처리 장치 11 내지 14 : PM
15 : TM 16 : LM
17, 18 : LLM 19 : FOUP 탑재대
20 : 오리엔터 21 : 가스 박스
22 : ECS 전원 23 : 챔버
24 : APC 밸브 25 : TMP
26 : 본 배기관 27 : 트랩
28 : ESC 칠러 29 : 모듈 온도 제어부
30 : 프레임 31 : 챔버 리드
32 : 용기 33 : ESC
34 : 샤워헤드 35 : 전극판
36 : 하층부 37 : 상층부
38 : 제 1 버퍼실 39 : 제 2 버퍼실
40, 41 : 가스 통기 구멍 42 : 리프트 핀
43 : 웨이퍼 결합 오목부 44 : 반출입구
45 : 게이트 밸브 46 : 불화수소 가스 공급 계통
47 : 암모니아 가스 공급 계통 48 내지 50, 64, 65 : 도입관
51, 52, 55 내지 58, 66, 67, 70 내지 73 : 분기관
53, 54, 59, 60, 68, 69, 74 : MFC 61, 76 : 진공 흡입관
62, 75 : 혼합관 63, 79 : 히터
77 : DP 78 : 바이패스관
80, 120 : 웨이퍼 리프트 장치 81, 121 : 핀 홀더
82, 122 : 리프트 핀 돌출량 조절 장치
83, 123 : 리프트 아암 84, 124 : 리프트 아암 수용 홈
85, 125 : 리프트 핀 수용 구멍 86 : 높이 조정용 블록
87 : 블록 고정용 너트 88 : 블록 각도 고정 와셔
89 : 평 와셔 90 : 스프링 와셔
91 : 높이 규제 볼트 92, 95 : 나사 구멍
93 : 블록 각도 고정 와셔 결합 홈 94 : 높이 조정용 블록 수용 구멍
96, 97 : 관통 구멍 98 : 볼트
99 : 냉각실 100 : EC
101, 102, 103 : MC 104 : 스위치 허브
105 : LAN 106 : PC
107 : DIST 보드 108 : GHOST 네트워크
109, 110, 111 : I/O 모듈 112 : I/O부
121a : 보스 부재용 나사 구멍 121b : 나사 구멍
123a : 단부 123b, 133 : 관통 구멍
126 : 높이 조정용 보스 부재 127 : 조절 장치 조립 볼트
128 : 리프트 아암 회전 스토퍼 128a : 스토퍼 벽부
128b : 돌출부 129, 130 : 와셔
131 : 회전 스토퍼용 볼트 132 : 조립 볼트용 와셔
본 발명은 기판 처리 장치, COR 처리 모듈 및 기판 리프트 장치에 관한 것이며, 특히 기판에 COR 처리를 실시하는 COR 처리 모듈이 구비하는 기판 리프트 장치에 관한 것이다.
종래부터, 기판, 예컨대 반도체 디바이스용의 웨이퍼(이하, 간단히 "웨이퍼"라고 한다)의 표면에 CVD(Chemical Vapor Deposition)에 의해 원하는 막을 형성하는 CVD 장치가 알려져 있다.
이 CVD 장치는 CVD 처리 및 이것에 부수되는 처리(예컨대, 웨이퍼 세정 처리나 열 처리)를 시퀀셜로 실행하기 위해서, 복수의 프로세스 모듈(이하, "PM"이라고 한다)을 구비한다. 각 PM은 웨이퍼를 수용하고, 상기 수용된 웨이퍼에 CVD 처리나 이것에 부수되는 처리를 각각 실시한다. 또한, 각 PM은 웨이퍼를 반송하는 반송 아암을 내장하는 반송 모듈(이하, "TM"이라고 한다)과 방사상으로 연결하고, 웨이퍼는 각 PM에 있어서 대응하는 처리가 실시되면, TM을 경유해서 다음 PM에 반입된다.
최근, 반도체 디바이스의 위에 형성되는 배선층은 회로의 고밀도화 및 고집적화에 대응해서 다층 배선 구조를 갖는다. 반도체 디바이스와 배선층과의 전기적 접속에는, 배선층의 일부를 적층 방향을 향해서 관통하고, 반도체 디바이스에 도달하는 콘택트 홀이 이용되고, 배선층에 있어서의 배선간의 전기적 접속에는 배선층의 일부를 적층 방향을 향해서 관통하는 비아 홀을 사용할 수 있다. 콘택트 홀이나 비아 홀은 에칭에 의해 형성되고, 각 홀내에는 알루미늄(Al)이나 텅스텐(W) 등의 금속 또는 상기 금속을 주성분으로 하는 합금이 충전된다. 각 홀에 있어서 충전되는 금속 또는 합금과, 반도체 디바이스에 있어서의 실리콘(Si) 기판이나 폴리 실리콘(Poly silicon)층과의 접촉(콘택트)을 확보하기 위해서, 금속 또는 합금의 충전에 앞서, 각 홀의 내측에 티탄(Ti)층이 성막되고, 또한 그 위에 배리어층으로 서 질화티탄(TiN)층이 성막된다. 일반적으로, CVD에 의해 성막된 막에서는 전기 저항이 증가하는 일이 없고, 막 두께도 균일하게 되기(스텝 커버리지가 양호하게 됨) 때문에, 상술한 Ti 층이나 TiN 층의 성막에는 CVD가 이용되고 있다. 특히, TiC14를 이용한 CVD에서는 Ti막의 성장 시에, Ti가 기판의 Si와 반응해서 홀 바닥부의 Si 확산층상에 TiSi2가 자기 정합적으로 선택 성장한다. 이에 의해, 홀 바닥부에 있어서 도전성에 관한 오믹(Ohmic) 저항을 저감할 수 있다.
그런데, TiCl4의 결합 에너지는 매우 높고, TiCl4를 열 에너지만으로 분해할 경우, 분위기 온도를 1200℃ 이상으로 할 필요가 있다. 여기에서, Ti막의 성막에는 TiCl4의 분해에 열 에너지 뿐만 아니라 플라즈마 에너지를 병용하는 플라즈마 CVD를 이용할 수 있다. 이 플라즈마 CVD에서는 분위기 온도가 650℃ 정도라면 좋다.
한편, 기판의 실리콘이나 폴리 실리콘층의 위에는 자연 산화막이 형성되기 쉽기 때문에, 성막되는 Ti 층과 실리콘 등과의 콘택트 저항을 저감하기 위해서, 상술한 플라즈마 CVD에 앞서 자연 산화막의 제거 처리를 실행할 필요가 있다.
종래, 자연 산화막의 제거 처리로서는, 희불산 가스에 의한 제거 처리나, 수소(H2) 가스 및 아르곤(Ar) 가스를 이용하여 유도 결합 플라즈마를 형성해서 상기 플라즈마에 의해 제거하는 처리가 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
그런데, 최근 반도체 디바이스의 미세화에 따라, Si 확산층의 두께(깊이)도 작아지게 되고, Ti 막의 CVD에 있어서 TiSi2 막의 성장이 진행하지 않고, 콘택트 저항을 소망값까지 저감시키는 것이 곤란하게 되어 있다. 얇은 TiSi2 막에 있어서 낮은 콘택트 저항을 실현하기 위해서는, 상기 막에 있어서 C54상(결정 구조)을 갖는 TiSi2를 많이 형성할 필요가 있지만, 상술한 열 에너지만을 이용하는 CVD에서는 분위기 온도가 높기 때문에, 저온에서 형성되기 용이한 C54상의 TiSi2를 많이 형성하는 것은 곤란하다. 또한, 상술한 플라즈마 CVD에서는 서로 입경이 상이한 TiSi2의 결정이 많이 형성된다. 특히, Ti 막의 CVD에 앞서 아르곤 가스의 플라즈마를 이용하여 자연 산화막의 제거 처리를 실행할 경우, 상기 제거 처리에 있어서 Si 확산층이 플라즈마에 의해 손상을 받아서 불균일하게 아모퍼스화하고 있기 때문에, 상기 Si 확산층위에 형성되는 TiSi2 막에 있어서 형성되는 TiSi2의 각 결정의 입경은 크게 상이하게 된다. 입경이 크게 상이한 TiSi2의 결정에 의해 형성된 TiSi2 막에서는 결정 밀도가 거칠게 되기 때문에, 비저항이 높게 되고, 또한 Si 확산층과의 접촉 상태가 안정하지 않게 된다. 그 결과, 콘택트 저항이 증가한다.
여기에서, 현재 자연 산화막을 화학 반응에 의해 제거하는 COR(Chemical Oxide Removal) 처리를 Si 확산층(디퓨젼층)에 실시하는 것이 검토되고 있다.
COR 처리를 웨이퍼에 실시하는 PM은, 웨이퍼를 수용하는 챔버와, 상기 챔버내에 배치되어 웨이퍼를 탑재하는 탑재대(스테이지)를 구비하고, 상기 탑재대는 웨이퍼의 반출입시에 웨이퍼를 리프트업하는 복수의 리프트 핀을 갖는다. 각 리프트 핀은 탑재대를 관통하고, 각 리프트 핀 아래에 배치된 리프트 핀 어셈블리(리프트 핀 승강 장치)에 의해 승강한다(예컨대, 특허문헌 2 참조). 이 PM에서는 리프트 핀 어셈블리는 챔버 외부, 즉 대기중에 배치되고, 리프트 핀은 감압 분위기인 챔버내에 돌출하기 때문에, 탑재대내의 리프트 핀 수용 구멍이 대기와 챔버내를 연통한다. 그 때문에, 리프트 핀 수용 구멍에 그리스를 충전해서 챔버내를 대기로부터 밀봉한다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 평성 제 1992-336426 호 공보
[특허문헌 2] 미국 특허 출원 공개 제 2004/0182315 호 명세서
그러나, CVD 장치로는 각 PM이 TM을 거쳐서 연통하기 때문에, COR 처리의 PM 으로부터 증발한 유기물인 그리스가, Ti 층이나 TiN 층을 형성하는 CVD 처리의 PM에 침입해서 Ti 층이나 TiN 층의 성막 불량이 발생한다고 하는 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 성막 불량의 발생을 방지할 수 있는 기판 처리 장치, COR 처리 모듈 및 기판 리프트 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 청구항 1 기재의 기판 처리 장치는, 기판에 COR 처리를 실시하는 COR 처리 모듈과, 상기 기판에 CVD 처리를 실시하는 CVD 처리 모듈과, 상기 COR 처리 모듈 및 상기 CVD 처리 모듈을 연결하고, 또한 상기 기판을 반송하는 반송 모듈을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 COR 처리 모듈은 상기 기판을 수용하는 챔버와, 상기 챔버내에 배치되어 상기 기판을 탑재하는 탑재 대와, 상기 기판을 상기 탑재대로부터 리프트하는 기판 리프트 장치를 구비하고, 상기 기판 리프트 장치가 상기 챔버내에 배치되는 것을 특징으로 한다.
청구항 2 기재의 기판 처리 장치는, 제 1 항에 있어서, 상기 기판 리프트 장치는 막대 형상의 리프트 핀과, 상기 탑재대의 주위에 있어서 승강하는 승강 부재와, 상기 리프트 핀 및 상기 승강 부재를 연동시키는 연동 부재를 구비하며, 상기 탑재대는, 상기 승강 부재의 승강 방향을 따라서 천공설치되는 동시에, 상기 연동 부재의 적어도 일부를 수용하는 연동 부재 수용 홈과, 상기 연동 부재 수용 홈과 연통하고 또한 상기 탑재대에 있어서 상기 기판이 탑재되는 탑재면으로 개구되는 동시에, 상기 리프트 핀을 수용하는 리프트 핀 수용 구멍을 구비하고, 상기 리프트 핀이 상기 연동 부재 수용 홈내에 있어서 상기 연동 부재에 탑재되는 것을 특징으로 한다.
청구항 3 기재의 기판 처리 장치는, 제 2 항에 있어서, 상기 승강 부재는 상기 리프트 핀의 상기 탑재면으로부터의 돌출량을 조정 가능한 돌출량 조정 기구를 구비하는 것을 특징으로 한다.
청구항 4 기재의 기판 처리 장치는, 제 3 항에 있어서, 상기 돌출량 조정 기구는, 상기 연동 부재에 연결되는 동시에, 측면의 적어도 일부에 수나사를 갖는 다각형 기둥모양의 블록재와, 상기 블록재의 상기 승강 부재로부터의 높이를 규정하는 높이 규정 부재와, 상기 블록재의 수나사와 나사 결합된 암나사를 갖는 동시에, 상기 승강 부재에 착좌하는 너트 부재와, 상기 블록재의 상기 승강 부재에 대한 회전을 규제하는 회전 규제 부재를 구비하는 것을 특징으로 한다.
청구항 5 기재의 기판 처리 장치는, 제 3 항에 있어서, 상기 연동 부재는 소정의 형상을 나타내는 단부를 구비하고, 상기 돌출량 조정 기구는, 상기 단부의 소정의 형상과 상보적인 형상을 나타내는 회전 규제부를 갖고, 또한 상기 승강 부재에 체결되는 회전 규제 부재와, 상기 승강 부재에 연결되고, 또한 상기 단부를 탑재하는 높이 조정 부재와, 상기 연동 부재, 상기 높이 조정 부재 및 상기 승강 부재를 서로 체결시키는 볼트를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 청구항 6 기재의 COR 처리 모듈은, 기판에 CVD 처리를 실시하는 CVD 처리 모듈과 상기 기판을 반송하는 반송 모듈을 거쳐서 연결되며, 상기 기판에 COR 처리를 실시하는 COR 처리 모듈에 있어서, 상기 기판을 수용하는 챔버와, 상기 챔버내에 배치되어 상기 기판을 탑재하는 탑재대와, 상기 기판을 상기 탑재대로부터 리프트하는 기판 리프트 장치를 구비하고, 상기 기판 리프트 장치가 상기 챔버내에 배치되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 청구항 7의 기판 리프트 장치는, 기판을 수용하는 챔버와, 상기 챔버내에 배치되어 상기 기판을 탑재하는 탑재대를 구비하는 기판 처리 모듈의 상기 챔버내에 배치되는 동시에, 상기 기판을 상기 탑재대로부터 리프트하는 기판 리프트 장치에 있어서, 막대 형상의 리프트 핀과, 상기 탑재대의 주위에 있어서 승강하는 승강 부재와, 상기 리프트 핀 및 상기 승강 부재를 연동시키는 연동 부재를 구비하고, 상기 탑재대는, 상기 승강 부재의 승강 방향을 따라서 천공설치되는 동시에, 상기 연동 부재의 적어도 일부를 수용하는 연동 부재 수용 홈과, 상기 연동 부재 수용 홈과 연통하고 또한 상기 탑재대에 있어서 상기 기판이 탑재되는 탑재면으로 개구되는 동시에, 상기 리프트 핀을 수용하는 리프트 핀 수용 구멍을 구비하고, 상기 리프트 핀이 상기 연동 부재 수용 홈내에 있어서 상기 연동 부재에 탑재되는 것을 특징으로 한다.
청구항 8 기재의 기판 리프트 장치는, 제 7 항에 있어서, 상기 승강 부재는 상기 리프트 핀의 상기 탑재면으로부터의 돌출량을 조정 가능한 돌출량 조정 기구를 구비하는 것을 특징으로 한다.
청구항 9 기재의 기판 리프트 장치는, 제 8 항에 있어서, 상기 돌출량 조정 기구는, 상기 연동 부재에 연결되는 동시에, 측면의 적어도 일부에 수나사를 갖는 다각형 기둥모양의 블록재와, 상기 블록재의 상기 승강 부재로부터의 높이를 규정하는 높이 규정 부재와, 상기 블록재의 수나사와 나사 결합된 암나사를 갖는 동시에, 상기 승강 부재에 착좌하는 너트 부재와, 상기 블록재의 상기 승강 부재에 대한 회전을 규제하는 회전 규제 부재를 구비하는 것을 특징으로 한다.
청구항 10 기재의 기판 리프트 장치는, 제 8 항에 있어서, 상기 연동 부재는 소정의 형상을 나타내는 단부를 갖고, 상기 돌출량 조정 기구는, 상기 단부의 소정의 형상과 상보적인 형상을 나타내는 회전 규제부를 갖고, 또한 상기 승강 부재에 체결되는 회전 규제 부재와, 상기 승강 부재에 연결되고, 또한 상기 단부를 탑재하는 높이 조정 부재와, 상기 연동 부재, 상기 높이 조정 부재 및 상기 승강 부재를 서로 체결시키는 볼트를 구비하는 것을 특징으로 한다.
청구항 11 기재의 기판 처리 장치는, 제 5 항에 있어서, 상기 높이 조정 부재의 일부는 상기 회전 규제부의 상보적인 형상과 계합하는 형상을 나타내는 것을 특징으로 한다.
청구항 12 기재의 기판 리프트 장치는, 제 10 항에 있어서, 상기 높이 조정 부재의 일부는 상기 회전 규제부의 상보적인 형상과 계합하는 형상을 나타내는 것을 특징으로 한다.
발명의 효과
청구항 1 기재의 기판 처리 장치 및 청구항 6 기재의 COR 처리 모듈에 의하면, 기판에 CVD 처리를 실시하는 CVD 처리 모듈과 반송 모듈을 거쳐서 연결되는 COR 처리 모듈이 기판을 수용하는 챔버와, 상기 챔버내에 배치된 기판을 탑재하는 탑재대와, 기판을 탑재대로부터 리프트하는 기판 리프트 장치를 구비하고, 상기 기판 리프트 장치가 챔버내에 배치되므로, 탑재대에 있어서 챔버내와 대기를 연통하는 구멍을 설치할 필요가 없고, 그리스를 사용할 필요를 없앨 수 있다. 따라서, 기판에 CVD 처리를 실시할 때, 기판에 있어서 성막 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
청구항 2 기재의 기판 처리 장치에 의하면, 막대 형상의 리프트 핀이 탑재대에 있어서 승강 부재의 승강 방향을 따라서 천공설치되는 연동 부재 수용 홈내에 있어서, 상기 리프트 핀을 탑재대의 주위에 있어서 승강하는 승강 부재에 연동시키는 연동 부재에 탑재되고, 상기 리프트 핀은, 연동 부재 수용 홈과 연통하고, 또한 탑재대에 있어서의 기판이 탑재되는 탑재면으로 개구되는 리프트 핀 수용 구멍에 수용되므로, 리프트 핀은 탑재면에 있어서 돌출 가능하게 되고, 이에 의해 탑재면상에 있어서 기판을 안정하게 리프트할 수 있다.
청구항 3 기재의 기판 처리 장치 및 청구항 8 기재의 기판 리프트 장치에 의하면, 승강 부재는, 리프트 핀의 탑재면으로부터의 돌출량을 조정 가능한 돌출량 조정 기구를 구비하므로, 복수의 리프트 핀이 배치되어 있을 경우, 각 리프트 핀의 탑재면으로부터의 돌출량을 조정하는 것에 의해, 탑재면상에 있어서 기판을 보다 안정하게 리프트할 수 있는 동시에, 탑재대의 바로 아래에 돌출량 조정 기구를 배치하기 때문에 탑재대를 크게 도려낼 필요를 없앨 수 있고, 따라서 탑재대에 냉각 계통이나 정전 흡착용의 전극판을 내장시켜서 기판에 원하는 처리를 안정하게 실시할 수 있다.
청구항 4 기재의 기판 처리 장치 및 청구항 9 기재의 기판 리프트 장치에 의하면, 돌출량 조정 기구는, 연동 부재에 연결되는 동시에, 측면의 적어도 일부에 수나사를 갖는 다각형 기둥모양의 블록재와, 상기 블록재의 승강 부재로부터의 높이를 규정하는 높이 규정 부재와, 블록재의 수나사와 나사 결합하는 암나사를 갖는 동시에, 승강 부재에 착좌하는 너트 부재와, 블록재의 승강 부재에 대한 회전을 규제하는 회전 규제 부재를 구비하므로, 너트 부재를 블록재에 나사 결합시키면서, 상기 너트 부재를 승강 부재에 착좌시킬 때, 블록재의 회전을 규제해서 블록재의 승강 부재로부터의 높이를 변환시키는 일 없이 블록재를 승강 부재에 지착(止着)시키는 것이 가능하며, 따라서 용이하고 또한 확실하게, 연동 부재의 승강 부재로부터의 높이, 나아가서는 리프트 핀의 탑재면으로부터의 돌출량을 조정할 수 있다.
청구항 5 기재의 기판 처리 장치 및 청구항 10 기재의 기판 리프트 장치에 의하면, 연동 부재는 소정의 형상을 나타내는 단부를 갖고, 돌출량 조정 기구는, 연동 부재의 단부의 소정의 형상과 상보적인 형상을 나타내는 회전 규제부를 갖고, 또한 승강 부재에 체결되는 회전 규제 부재와, 승강 부재에 연결되고, 또한 연동 부재의 단부를 탑재하는 높이 조정 부재와, 연동 부재, 높이 조정 부재 및 승강 부재를 서로 체결시키는 볼트를 구비하므로, 승강 부재에 높이 조정 부재를 연결되고, 또한 상기 높이 조정 부재에 연동 부재의 단부를 탑재해서 볼트에 의해 연동 부재, 높이 조정 부재 및 승강 부재를 서로 체결시킬 때, 연동 부재의 승강 부재에 대한 회전을 규제할 수 있다. 또한, 높이 조정 부재의 승강 부재로부터의 돌출량을 조정하는 것에 따라 연동 부재의 승강 부재로부터의 높이를 조정할 수 있다. 그 결과, 용이하고 또한 확실하게, 리프트 핀의 탑재면으로부터의 돌출량을 조정할 수 있다.
청구항 7 기재의 기판 리프트 장치에 의하면, 기판 리프트 장치가, 챔버와 탑재대를 구비하는 기판 처리 모듈의 챔버내에 배치되어, 막대 형상의 리프트 핀이 탑재대에 있어서 승강 부재의 승강 방향을 따라서 천공설치되는 연동 부재 수용 홈에 있어서, 상기 리프트 핀을 탑재대의 주위에 있어서 승강하는 승강 부재에 연동시키는 연동 부재에 탑재하고, 상기 리프트 핀은 연동 부재 수용 홈과 연통하고 또한 탑재대에 있어서의 기판이 탑재되는 탑재면으로 개구되는 리프트 핀 수용 구멍에 수용되므로, 탑재대에 있어서 챔버내와 대기를 연통하는 구멍을 설치할 필요가 없고, 그리스를 사용할 필요를 없앨 수 있다. 따라서, 기판에 성막 처리를 실시할 때, 기판에 있어서 성막 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 리프트 핀은 탑재면에 있어서 돌출 가능하게 되고, 이에 의해 탑재면상에 있어서 기판을 안 정하게 리프트할 수 있다.
청구항 11 기재의 기판 처리 장치 및 청구항 12 기재의 기판 리프트 장치에 의하면, 높이 조정 부재의 일부는 회전 규제부의 상보적인 형상과 계합하는 형상을 나타내므로, 높이 조정 부재의 승강 부재에 대한 회전을 규제할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
우선, 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 대해서 설명한다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치로서의 CVD 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 평면도이다.
도 1에 있어서, CVD 처리 장치(10)는 4개의 프로세스 모듈(이하, "PM"이라고 한다)(11 내지 14)과, 반송 모듈(이하, "TM"이라고 한다)(15)과, 로터 모듈(이하, "LM"이라고 한다)(16)과, 2개의 로드록 모듈(이하, "LLM"이라고 한다)(17, 18)을 구비한다. 이 CVD 처리 장치(10)에서는, 4개의 PM(11 내지 14)은 TM(15)에 방사상으로 접속되고, TM(15)과 LM(16)은 2개의 LLM(17, 18)을 거쳐서 접속된다.
LM(16)에는, 상술한 LLM(17, 18)의 것 외에, 25매의 반도체 디바이스용의 웨이퍼(이하, 간단히 "웨이퍼"라고 한다)를 수용하는 용기로서의 FOUP(Front Opening Unified Pod)가 탑재되는 3개의 FOUP 탑재대(19)와, FOUP로 반출된 웨이퍼의 위치를 프리얼라인먼트하는 오리엔터(20)가 접속된다. 또한, LM(16)은 웨이퍼를 반송하는 반송 아암(도시하지 않음)을 내장하고, 상기 반송 아암은 미처리 또는 처리완 료의 웨이퍼를 FOUP, 오리엔터(20) 및 LLM(17, 18)의 사이에 있어서 반송한다.
PM(11)은 후술하는 챔버(23)를 구비하고, 상기 챔버(23)에 수용된 웨이퍼에 COR 처리를 실시한다. PM(12)도 챔버(도시하지 않음)를 갖고, 상기 챔버에 수용된 웨이퍼에 후술하는 PHT(Post Heat Treatment) 처리를 실시한다. 또한, PM(13)도 챔버(도시하지 않음)를 구비하고, 상기 챔버에 수용된 웨이퍼의 표면에 Ti 층을 형성하는 CVD 처리를 실시한다. 또한, PM(14)도 챔버(도시하지 않음)를 구비하고, 상기 챔버에 수용된 웨이퍼의 표면에 TiN 층을 형성하는 CVD 처리를 실시한다.
TM(15)은 웨이퍼를 반송하는 반송 아암(도시하지 않음)을 내장하고, 상기 반송 아암은 미처리 또는 처리완료의 웨이퍼를 PM(11 내지 14) 및 LLM(17, 18)의 사이에 있어서 반송한다. LLM(17, 18)은 웨이퍼를 탑재하는 탑재대(도시하지 않음)를 내장하고, LM(16)의 반송 아암 또는 TM(15)의 반송 아암에 의해 반입된 웨이퍼를 일시적으로 보관한다.
이 CVD 처리 장치(10)에서는, TM(15)의 반송 아암에 의해 웨이퍼가 PM(11 내지 14)에 이 순서로 반출입된다. 이에 의해, 웨이퍼에는 COR 처리, PHT 처리, Ti 층 형성을 위한 CVD 처리, 및 TiN 층 형성을 위한 CVD 처리가 순차로 실시된다. 또한, 이들의 일련의 처리는 후술하는 CVD 처리 장치(10)의 시스템 컨트롤러(도시하지 않음)가 일련의 처리에 응한 프로그램을 실행함으로써 행하여진다.
COR 처리는, 웨이퍼의 디퓨젼 층상의 이물, 예컨대 산화막과 가스 분자를 화학 반응시켜서 생성물을 생성하는 처리이며, PHT 처리는, COR 처리가 실시된 웨이퍼를 가열하고, COR 처리의 화학 반응에 의해 웨이퍼에 생성한 생성물을 기화 및 열산화(Thermal Oxidation)시켜서 웨이퍼로부터 제거하는 처리이다. 이상과 같이, COR 처리 및 PHT 처리는 물 성분을 사용하지 않고 디퓨젼 층상의 산화막을 제거하는 처리이기 때문에, 드라이 클리닝 처리(건조 세정 처리)에 해당한다.
CVD 처리 장치(10)의 PM(11)에서는, 가스로서 암모니아 가스 및 불화 수소(무수 HF) 가스를 사용한다. 여기에서, 불화 수소 가스는 디퓨젼 층상의 산화막의 부식을 촉진하고, 암모니아 가스는, 산화막과 불화 수소 가스와의 반응을 필요에 응해서 제한하고, 최종적으로는 정지시키기 위한 반응 부생성물(By-product)을 합성한다. 구체적으로는, PM(11)에서는, COR 처리 및 PHT 처리에 있어서 이하의 화학반응을 이용함으로써, 산화막, 예를 들면 SiO2를 제거한다.
(COR 처리)
SiO2 + 4HF → SiF4 + 2H2O ↑
SiF4 + 2NH3 + 2HF → (NH4)2 SiF6
(PHT 처리)
(NH4)2 SiF6 → SiF4 ↑ + 2NH3 ↑+ 2HF ↑
또한, PHT 처리에 있어서는, N2 및 H2도 약간량 발생한다. 또한, 상술한 화학 반응을 이용한 COR 처리 및 PHT 처리는 이하의 특성을 갖는다.
1) 열 산화막의 선택비(제거 속도)가 높음
구체적으로는, COR 처리 및 PHT 처리는 열 산화막의 선택비가 높은 한편, 실 리콘의 선택비가 낮다. 따라서, 열 산화막이 주성분인 이물을 효율적으로 제거 할 수 있다.
2) 이물이 제거된 디퓨젼 층의 표면에 있어서의 자연 산화막의 성장 속도가 느림
구체적으로는, COR 처리 및 PHT 처리에 의해 상층이 제거된 디퓨젼 층의 표면은 수소 또는 불소로 덮여 있기(디퓨젼 층이 수소 또는 불소로 종단함) 때문에 상기 표면은 부동태화(passivation)해서 화학적으로 안정하다. 그 결과, 상기 표면상에서는 자연 산화막의 성장이 억제되고, 구체적으로는, 두께 3Å의 자연 산화막의 성장 시간은 2시간 이상으로 된다. 따라서, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서 불필요한 산화막이 발생하는 일이 없고, 반도체 디바이스에 있어서 도통 불량의 발생을 방지해서 신뢰성을 향상시킬 수 있다
3) 드라이 환경에 있어서 반응이 진행함
구체적으로는, COR 처리에 있어서 물을 반응에 이용하는 일이 없고, 또한 COR 처리에 의해 발생한 물도 PHT 처리에 의해 기화되기 때문에, 상층이 제거된 디퓨젼 층의 표면에 OH기가 배치되는 일이 없다. 따라서, 디퓨젼 층의 표면이 친수성으로 되는 일이 없고, 따라서 상기 표면은 흡습하는 일이 없기 때문에, 반도체 디바이스의 배선 신뢰성의 저하를 방지할 수 있다.
4) 생성물의 생성량은 소정 시간이 경과하면 포화함
구체적으로는, 소정 시간이 경과하면, 그 이후, 디퓨젼 층을 암모니아 가스 및 불화수소 가스의 혼합 기체에 계속해서 폭로해도, 생성물의 생성량은 증가하지 않는다. 또한, 생성물의 생성량은 혼합 기체의 압력, 체적 유량비 등의 혼합 기체의 파라메터에 의해 결정된다. 따라서, 디퓨젼 층상의 산화막의 제거량 제어를 용이하게 실행할 수 있다.
5) 파티클의 발생이 매우 적다.
구체적으로는, PM(11)에 있어서, 다량의 웨이퍼에 있어서의 웨이퍼 디퓨젼 층상의 산화막의 제거를 실행해도, 챔버(23)의 측벽의 내측 등에 이물의 발생 요인인 파티클의 부착이 거의 관측되지 않는다. 따라서, 반도체 디바이스에 있어서 도통 불량이 발생하는 일이 없고, 반도체 디바이스의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이상과 같이, CVD 처리 장치(10)에서는, 웨이퍼에 Ti 층 형성 및 TiN 층 형성을 위한 CVD 처리를 실시하기 전에, 상기 웨이퍼에 COR 처리 및 PHT 처리를 실시한다. 이에 의해, 파티클의 발생을 억제하고 또한 폴리 실리콘의 게이트를 깎는 일이 없이, 웨이퍼의 디퓨젼 층상의 이물(산화막)을 제거할 수 있고, 따라서 반도체 디바이스에 있어서의 도통 불량의 발생을 확실하게 억제할 수 있다.
도 2는 도 1에 있어서의 웨이퍼에 COR 처리를 실시하는 PM의 개략 구성을 도시하는 사시도이다.
도 2에 있어서, PM(11)은, 웨이퍼를 수용하고, 상기 웨이퍼에 COR 처리를 실시하는 챔버(23)와, 챔버(23)의 후술하는 용기(32)내에 암모니아 가스 및 불화수소 가스를 공급하는 가스 공급 장치인 가스 박스(21)와, 용기(32)내에 배치되는 웨이퍼의 탑재대로서의 후술하는 ESC(33)의 전극판(35)에 직류 전압을 전압을 가하는 ECS 전원(22)과, 가변식 나비 밸브로 이루어지며, 용기(32)내의 압력을 제어하기 위한 자동 압력 제어 밸브(Automatic Pressure Control Valve)(이하, "APC 밸브"라고 한다)(24)와, 상기 APC 밸브(24)를 거쳐서 용기(32)내를 진공 흡입하며, 진공 흡입용의 배기 펌프인 터보 분자 펌프(Turbo Molecular Pump)(이하, "TMP"라고 한다)(25)와, 상기 TMP(25)와 후술하는 DP(Dry Pump)(77)와 접속하는 본 배기관(26)과, 상기 본 배기관(26)의 도중에 배치되어 배기중의 생성물을 포집하는 트랩(27)과, ESC(33)내의 후술하는 냉매실(99)에 소정 온도의 냉매, 예컨대 냉각수를 공급하는 ESC 칠러(28)와, PM(11) 전체의 온도를 제어하는 모듈 온도 제어부(29)와, PM(11)의 각 구성요소(21 내지 29)의 동작을 제어하는 후술의 MC(Module Controller)(101)를 구비한다. 또한, 이들의 PM(11)의 각 구성요소(21 내지 29)는 프레임(30)에 고정되어서 1개의 모듈로서 취급된다.
PM(11)에서는, 프레임(30)에 의해 TMP(25), APC 밸브(24), 챔버(23) 및 가스 박스(21)가 도면중 상하 방향에 관해서 대략 일직선상에 배치된다. 이에 의해, PM(11)의 크기를 작게 할 수 있고, CVD 처리 장치(10)에 있어서의 PM(11)의 배치를 쉽게 하고 있다.
챔버(23)는 상부에 챔버 리드(커버)(31)를 구비하고, 또한 측부에 용기(32)내의 상태를 모니터하는 게이지(도시하지 않음)를 갖는다. 챔버 리드(31)의 개폐 각도는 180°이며, 챔버(23)의 유지보수의 시에, 작업자의 유지보수 작업, 예컨대 습식 클리닝이나 챔버내 부품의 교환을 방해하는 일이 없으므로, 챔버 리드(31)는 챔버(23)의 유지보수성을 향상시킬 수 있다.
도 3은 도 2에 있어서의 챔버의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.
도 3에 있어서, 챔버(23)는 알루미늄제의 원통형의 용기(32)와, 상기 용기(32)내의 아래쪽으로 배치된 원주형상의 ESC(33)와, 용기(32)내의 상방에 배치된 샤워헤드(34)를 구비한다. ESC(33)는 도면중 하방으로부터 알루미늄 부재, Al2O3 부재, 알루미늄 부재가 적층된 구조를 갖는다.
ESC(33)는 내부에 ECS 전원(22)으로부터의 직류 전압이 인가되는 전극판(35)을 구비하고, 상기 인가된 직류 전압에 의해 발생하는 쿨롱력 또는 존슨 라벡(Johnsen-Rahbek)력에 의해 웨이퍼를 흡착해서 유지한다. 또한, ESC(33)는, 예컨대 원주방향으로 연재하는 환상의 냉매실(99)을 구비한다. 이 냉매실(99)에는, ESC 칠러(28)로부터 냉매용 배관(도시하지 않음)을 거쳐서 소정 온도의 냉매, 예컨대 냉각수가 순환 공급되어, 상기 냉매의 온도에 의해 ESC(33) 상면에 흡착 유지된 웨이퍼(W)의 처리 온도가 제어된다. 또한, ESC(33)는, ESC(33) 상면과 웨이퍼의 이면과의 사이에 열전도 가스(헬륨 가스)를 빈틈없이 공급하는 열전도 가스 공급 계통(도시하지 않음)을 갖는다. 열전도 가스는, COR 처리의 사이에, 냉매에 의해 원하는 지정 온도로 유지된 ESC(33)와 웨이퍼와의 열교환을 실행하고, 웨이퍼를 효율적으로 또한 균일하게 냉각한다.
또한, ESC(33)에 있어서, 웨이퍼가 탑재되는 상면(이하, "탑재면"이라 한다)으로부터 복수의 리프트 핀(42)이 돌출한다. 이들의 리프트 핀(42)은, 후술하는 웨이퍼 리프트 장치(80)의 구성요소이며, 동일하게 웨이퍼 리프트 장치(80)의 구성요소인 핀 홀더(81)의 용기(32)내에 있어서의 승강에 연동해서 탑재면에서 돌출하 고, 또는 탑재면에 매립된다. 구체적으로는, 리프트 핀(42)은, 웨이퍼가 ESC(33)에 흡착 유지된 때, ESC(33)에 매립하고, COR 처리가 실시된 웨이퍼를 용기(32)로부터 반출할 때, ESC(33)의 상면으로부터 돌출해서 웨이퍼를 상방으로 들어올린다.
ESC(33)의 탑재면에는, 웨이퍼의 직경보다 소정값만큼 큰 직경의 카운터보어(counterbore) 가공이 실시되어서 웨이퍼 결합 오목부(43)가 형성되어 있다. 웨이퍼는 COR 처리가 실시되는 사이에 웨이퍼 결합 오목부(43)에 유지되므로, 웨이퍼가 움직이는 일이 없다. 이에 의해, 웨이퍼의 표면에 의해 균일하게 COR 처리를 실시할 수 있다.
용기(32)의 내측면에는 소정의 표면 처리가 실시되어 있다. 실시되는 표면 처리로서는, 알루마이트 피막 처리, OGF(Out Gas Free) 알루마이트 피막 처리, 또는 기계 연마, 불소패시베이션 처리 등이 해당한다. 또한, 용기(32)의 측면에 표면 처리를 실시하지 않고, 알루미늄을 용기(32) 내부에 폭로하여도 좋다.
또한, 용기(32)의 측벽의 내측에는, 리프트 핀(42)에 의해 ESC(33)로부터 상방으로 들어 올린 웨이퍼의 높이에 대응하는 위치에 웨이퍼 반출 입구(44)가 설치되고, 용기(32)의 측벽의 외측에는 반출 입구(44)를 개폐하는 게이트 밸브(45)가 장착되어 있다. PM(11)은 상기 게이트 밸브(45)를 거쳐서 TM(15)에 접속된다.
용기(32)의 측벽 및 게이트 밸브(45)는 히터(도시하지 않음), 예컨대 가열 소자를 내장하고, 용기(32)내나 TM(15)내의 분위기 온도가 저하하는 것을 방지한다. 이에 의해, COR 처리의 재현성을 향상시킬 수 있다. 또한, 측벽내의 가열 소자는 측벽의 온도를 제어하는 것에 따라 반응 부생성물이 측벽의 내측에 부착되는 것을 방지한다.
샤워 헤드(34)는 2층 구조를 갖고, 하층부(36) 및 상층부(37)의 각각 제 1 버퍼실(38) 및 제 2 버퍼실(39)을 갖는다. 제 1 버퍼실(38) 및 제 2 버퍼실(39)은 각각 가스 공기통(40, 41)을 거쳐서 용기(32)내에 연통한다. 즉, 샤워헤드(34)는, 제 1 버퍼실(38) 및 제 2 버퍼실(39)에 공급되는 가스의 용기(32)내로의 내부 통로를 갖고, 계층 형상으로 중첩시킨 판형상체로 되어 있다.
웨이퍼에 COR 처리를 실시할 때, 제 1 버퍼실(38)에는 암모니아 가스를 포함하는 혼합 가스가 후술하는 암모니아 가스 공급 계통(47)의 혼합관(75)으로부터 공급되고, 상기 공급된 혼합 가스는 가스 공기통(40)을 거쳐서 용기(32)내로 공급된다. 또한, 제 2 버퍼실(39)에는 불화수소 가스를 포함하는 혼합 가스가 후술하는 불화 수소 가스 공급 계통(46)의 혼합관(62)으로부터 공급되고, 상기 공급된 혼합 가스는 가스 공기통(41)을 거쳐서 용기(32)내에 공급된다. 또한, 샤워헤드(34)는 히터(도시하지 않음), 예컨대 가열 소자를 내장한다. 이 가열 소자는, 바람직하게는 상층부(37)위에 배치되어 제 2 버퍼실(39)내의 불화 수소 가스를 포함하는 혼합 가스의 온도를 제어한다.
이 챔버(23)에서는, 용기(32)내의 압력과, 암모니아 가스 및 불화 수소 가스의 체적 유량비가 조정되어서, 적절한 조건하에 있어서 웨이퍼에 COR 처리가 실시된다. 또한, 이 챔버(23)는 용기(32)내에 있어서 처음에 암모니아 가스를 포함하는 혼합 가스 및 불화수소 가스를 포함하는 혼합 가스가 혼합되도록 설계되어 있기(포스트 믹스 설계) 때문에, 용기(32)내에 상기 2종류의 혼합 가스가 도입될 때 까지, 상기 2종류의 혼합 가스가 혼합되는 것을 방지하고, 불화 수소 가스와 암모니아 가스가 용기(32)내에의 도입전에 반응하는 것을 방지할 수 있다.
도 4는 도 2에 있어서의 가스 박스의 가스 공급 계통을 도시하는 배관도이다.
도 4에 있어서, 가스 박스(21)는 불화 수소 가스 공급 계통(46)과 암모니아 가스 공급 계통(47)을 구비한다.
불화수소 가스 공급 계통(46)은 가스 박스(21)의 외부로부터 불화 수소 가스, 질소(N2) 가스, 아르곤 가스를 도입하는 도입관(48, 49, 50)을 구비한다. 도입관(48)은 분기관(51, 52)으로 분기하고, 분기관(51, 52)은 MFC(Mass Flow Controller)(53, 54)를 구비한다. 도입관(49)은 분기관(55, 56)으로 분기하고, 분기관(55, 56)은 분기관(51, 52)에 접속된다. 따라서, 분기관(51, 52)에 있어서 불화 수소 가스 및 질소 가스가 혼합된다. 또한, MFC(53, 54)는 불화 수소 가스 및 질소 가스의 혼합 가스의 유량을 제어한다. 도입관(50)은 분기관(57, 58)으로 분기하고, 분기관(57, 58)은 MFC(59, 60)를 구비한다. MFC(59, 60)는 아르곤 가스의 유량을 제어한다. 또한, MFC를 갖지 않은 분기관(55, 56)은 오리피스를 구비하고, 흐르는 가스의 양을 조정하고 있다.
분기관(51, 52, 57, 58)은 혼합관(62)에 접속된다. 따라서, 혼합관(62)에 있어서 불화 수소 가스 및 질소 가스의 혼합 가스에, 또한 아르곤 가스가 혼합된다. 이 혼합관(62)은, 샤워헤드(34)의 상층부(37)에 있어서의 제 2 버퍼실(39)에 연통하고, 상기 제 2 버퍼실(39)에 불화 수소 가스, 질소 가스 및 아르곤 가스의 혼합 가스를 공급한다.
또한, 각 분기관(51, 52, 55 내지 58)은 직접적 또는 간접적으로 진공 흡입관(에베큐 라인)(61)에 접속된다. 진공 흡입관(61)은 TMP(25)에 접속된다(도 5 참조). 따라서, 각 분기관(51, 52, 55 내지 58)은 TMP(25)에 의해 진공 흡입가능하고, 예컨대 웨이퍼에 COR 처리를 실시하기 전에 있어서, 각 분기관(51, 52, 55 내지 58)은 진공 흡입되어 각 관내의 잔존 가스가 제거된다.
불화 수소 가스 공급 계통(46)에서는, MFC(53, 54, 59, 60)에 의한 유량 제어 및 분기관(51, 52, 55 내지 58)의 진공 흡입에 의해, 불화 수소 가스, 질소 가스 및 아르곤 가스를 소정의 혼합비로 정확하게 혼합할 수 있고, 따라서 COR 처리에 있어서의 생성물의 생성량 등을 정확하게 제어할 수 있다.
일반적으로, 불화 수소 가스는 단열 팽창에 의해 액화하기 쉽기 때문에, 불화 수소 가스 공급 계통(46)에서는, MFC(53, 54)의 근방에 있어서 액화할 우려가 있다. 본 실시 형태에서는 이것에 대응해서, 불화 수소 가스가 유동하는 관, 즉 도입관(48), 분기관(51, 52), 분기관(55, 56)의 일부, 및 혼합관(62)을 도면중 파선으로 도시하는 히터(63)에 의해 덮는다. 히터(63)는 각 관내의 온도를 불화 수소의 비점 이상, 구체적으로는 40℃ 이상, 바람직하게는 60℃로 유지한다. 이에 의해, 불화 수소 가스 공급 계통(46)에 있어서의 불화 수소의 액화를 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 불화 수소 가스 공급 계통(46)에서는 각 관이 밸브를 구비하고, 이들의 밸브의 개폐는 MC(101)에 의해 제어된다. 이에 의해, 각 가스의 유로를 변경할 수 있다.
암모니아 가스 공급 계통(47)은 가스 박스(21)의 외부로부터 암모니아 가스, 질소 가스를 각각 도입하는 도입관(64, 65)을 구비한다. 도입관(64)은 분기관(66, 67)으로 분기하고, 분기관(66, 67)은 각각 MFC(68, 69)를 구비한다. 도입관(65)은 분기관(70 내지 73)으로 분기하고, 분기관(70, 71)은 분기관(66, 67)에 접속된다. 따라서, 분기관(66, 67)에 있어서 암모니아 가스 및 질소 가스가 혼합된다. 또한, MFC(68, 69)는 암모니아 가스 및 질소 가스의 혼합 가스의 유량을 제어한다. 분기관(72)은 MFC(74)를 구비하고, 분기관(70, 71, 73)은 각각 오리피스를 갖는다. MFC(74)는 질소 가스의 유량을 제어한다. 분기관(70, 71, 73)의 오리피스는 흐르는 가스의 양을 조정하고 있다.
분기관(66, 67, 72, 73)은 혼합관(75)에 접속된다. 이 혼합관(75)은 샤워헤드(34)의 하층부(36)에 있어서의 제 1 버퍼실(38)에 연통하고, 상기 제 1 버퍼실(38)로 암모니아 가스 및 질소 가스의 혼합 가스를 공급한다.
또한, 각 분기관(66, 67, 70, 71)은 직접적 또는 간접적으로 진공 흡입관(76)에 접속된다. 진공 흡입관(76)도 불화 수소 가스 공급 계통(46)의 진공 흡입관(61)과 마찬가지로, TMP(25)에 접속된다(도 5 참조). 따라서, 각 분기관(66, 67, 70, 71)은 TMP(25)에 의해 진공 흡입 가능하며, 예컨대 웨이퍼에 COR 처리를 실시하기 전에 있어서, 각 분기관(66, 67, 70, 71)은 진공 흡입되어서 각 관내의 잔존 가스가 제거된다.
암모니아 가스 공급 계통(46)에서는, MFC(68, 69, 74)에 의한 유량 제어 및 분기관(66, 67, 70, 71)의 진공 흡입에 의해, 암모니아 가스 및 질소 가스를 소정의 혼합비로 정확하게 혼합할 수 있고, 따라서 COR 처리에 있어서의 생성물의 생성량 등을 정확하게 제어할 수 있다.
또한, 암모니아 가스 공급 계통(47)에서도, 각 관이 밸브를 갖고, 이들의 밸브의 개폐는 MC(101)에 의해 제어된다. 이에 의해, 각 가스의 유로를 변경할 수 있다.
도 5는 도 2의 PM에 있어서의 배기 계통을 도시하는 배관도이다.
도 5에 있어서, 본 배기관(26)은 용기(32)내에 연통하고, APC 밸브(24), TMP(25), 트랩(27) 및 배기 펌프인 DP(77)를 순차로 접속한다. 또한, 본 배기관(26)은 챔버(23) 및 APC 밸브(24)의 사이에 있어서 바이패스관(78)으로 분기한다. 이 바이패스관(78)은 APC 밸브(24), TMP(25) 및 트랩(27)을 바이패스하고, 트랩(27) 및 DP(77)의 사이에 있어서 본 배기관(26)에 합류한다.
용기(32)내 등을 거칠게 흡입하는 경우, 바이패스관(78)에만 배기를 흐르게 하는 것에 의해 DP(77)만에서 배기한다. 용기(32)내 등을 진공 흡입하는 경우, 본 배기관(26)에 배기를 흐르게 하는 것에 의해 TMP(25) 및 DP(77)에서 배기하고, 본 배기관(26)에 배치된 APC 밸브(24)에 의해 용기(32)내의 압력을 제어한다.
TMP(25)는 불화 수소 가스 공급 계통(46) 및 암모니아 가스 공급 계통(47)의 진공 흡입관(61, 76)에 접속되고, 분기관(51, 52, 55 내지 58, 66, 67, 70, 71)을 진공 흡입한다. 또한, TMP(25)는 열전도 가스 공급 계통에도 접속되고, 상기 열전도 가스 공급 계통을 진공 흡입한다. 또한, 열전도 가스 공급 계통은 TMP(25) 및 트랩(27)의 사이에 있어서 본 배기관(26)에 접속하고, DP(77)에 의해 거칠게 흡입된다.
트랩(27)은 외부로부터 공급된 냉매에 의해 냉각되어, 배기중의 생성물(바이 프로세스)을 응고시켜서 포집한다. 이에 의해, 생성물이 CVD 처리 장치(10)의 외부로 유출하는 것을 방지하는 것이 가능하고, 따라서 환경 보전을 확실하게 실행할 수 있다.
일반적으로, 배기중의 생성물은 온도가 낮고 액화하기 쉬우며, 액화한 생성물은 디포지션으로서 각 관내에 퇴적해서 배기의 흐름을 저해한다. 본 실시 형태에서는 이것에 대응해서, 용기(32)내로부터의 배기가 흐르는 관, 즉 본 배기관(26) 및 바이패스 관(78)을 도면중 파선에서 도시하는 히터(79)에 의해 덮는다. 이에 의해, 배기중의 생성물의 액화를 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 본 배기 계통에서는, 각 관이 밸브를 갖고, 이들의 밸브의 개폐는 MC(101)에 의해 제어된다. 이에 의해, 배기의 유로[본 배기관(26), 바이패스 관(78)]를 변경할 수 있다.
도 6은 도 3의 챔버내에 배치되는 웨이퍼 리프트 장치의 개략 구성을 도시한 도면이며, 도 6a는 웨이퍼 리프트 장치의 도 3에 있어서의 화살표(A)의 평면도이며, 도 6b는 도 6a에 있어서의 선 B-B에 따른 단면도이다.
도 6a 및 도 6b에 있어서, 웨이퍼 리프트 장치(80)(기판 리프트 장치)는, 용기(32)내에 있어서 ESC(33)를 둘러싸도록 배치되어 있는 원환상의 핀 홀더(81)(승강 부재)와, 핀 홀더(81)의 원주 방향을 따라서 균등하게 배치되고, 또한 후술하는 3개의 리프트 핀 돌출량 조절 장치(82)(돌출량 조정 기구)를 거쳐서 상기 핀 홀더(81)에 접속되는 3개의 리프트 아암(83)(연동 부재)과, 각 리프트 아암(83)의 후술하는 리프트 핀 구멍에 삽입되는, 둥근 막대형 부재인 3개의 리프트 핀(42)을 갖는다. 여기에서, 웨이퍼 리프트 장치(80)의 구성 요소인 핀 홀더(81), 리프트 핀 돌출량 조절 장치(82), 리프트 아암(83) 및 리프트 핀(42)의 어느 것이 용기(32)내에 배치되어 있으므로, 결과적으로 웨이퍼 리프트 장치(80)는 용기(32)내에 배치되어 있다.
핀 홀더(81)는 도시하지 않는 모터의 회전 운동이 볼 나사에 의해 변환되어서 발생하는 직선 운동에 기인해서 승강하는, 즉 도 6b중의 상하 방향으로 이동한다. 볼 나사 및 모터는 챔버(23)의 외측, 즉 대기측에 배치된다. 또한, 볼 나사 및 모터가 발생하는 직선 운동은 핀 홀더(81)를 지지하는 지지 부재(도시하지 않음)에 전달되고, 상기 지지 부재가 핀 홀더(81)를 승강시킨다. 따라서, 지지 부재용의 구멍(도시하지 않음)은 대기와 용기(32)내를 연통하지만, 지지 부재 및 상기 지지 부재용의 구멍은 벨로즈 커버 등에 의해 덮여 있다. 이에 의해, 용기(32)내는 그리스를 이용하지 않고 대기로부터 밀봉된다.
리프트 아암(83)은 팔형상 부재이며, 일단에 있어서, 상기 리프트 아암(83)을 리프트 핀 돌출량 조절 장치(82)에 체결하는 나사가 관통하는 관통 구멍(97)(도 8 참조)을 구비하고, 타단에 있어서, 리프트 핀(42)의 하단을 수용하고 또한 지지하는 리프트 핀 구멍을 갖는다. 상기 리프트 핀 구멍의 직경은 리프트 핀(42)의 직경보다 소정값만큼 크므로 리프트 핀 구멍은 리프트 핀(42)의 하단과 헐거운 끼 워맞춤 결합한다. 즉, 실질적으로 리프트 아암(83)의 타단은 리프트 핀(42)을 탑재한다. 리프트 아암(83)은 핀 홀더(81) 및 리프트 핀(42)의 사이에 개재해서 핀 홀더(81) 및 리프트 핀(42)을 연동시킨다. 따라서, 리프트 아암(83)은 핀 홀더(81)의 승강에 따라 승강하는 동시에, 리프트 핀(42)을 승강시킨다.
또한, 3개의 리프트 아암(83)은 핀 홀더(81)의 중심을 향해서 돌출하고, 그 일부(타단측)는 ESC(33)의 측면에 있어서 상기 리프트 아암(83)의 승강 방향을 따라서 천공설치된 리프트 아암 수용 홈(84)(연동 부재 수용 홈)에 수용된다. 리프트 아암 수용 홈(84)은 각 리프트 아암(83)에 대응해서 천공설치되고, 리프트 아암(83)의 승강 방향에 관한 개구 길이는 리프트 아암(83)의 승강 범위 이상이다. 따라서, 리프트 아암(83)은 리프트 아암 수용 홈(84)내에 있어서 자유롭게 승강 가능하다.
ESC(33)는, 리프트 아암 수용 홈(84)에 수용된 리프트 아암(83)의 리프트 핀 구멍과 대향하는 위치에 있어서 상기 리프트 아암 수용 홈(84)과 연통하고, 또한 ESC(33)의 탑재면에 있어서 개구되는 리프트 핀 수용 구멍(85)을 갖는다. 리프트 핀 수용 구멍(85)은 원 구멍이며, 각 리프트 아암(83)에 대응해서 설치된다. 또한, 리프트 핀 수용 구멍(85)의 직경은 리프트 핀(42)의 직경보다 소정값만큼 크다. 따라서, 리프트 핀 수용 구멍(85)은 리프트 핀(42)을 수용 가능하다.
리프트 핀(42)은 탑재면에서 리프트 핀 수용 구멍(85)을 거쳐서 리프트 아암(83)의 리프트 핀 구멍에 삽입된다. 따라서, 리프트 핀(42) 및 리프트 아암(83)은 리프트 아암 수용 홈(84)내에 있어서 헐거운 끼워맞춤 결합하고, 리프트 핀(42) 은 리프트 아암(83), 즉 핀 홀더(81)의 승강에 연동해서 탑재면에서 돌출하거나, 또는 매립된다.
웨이퍼 리프트 장치(80)에 의하면, 상기 웨이퍼 리프트 장치(80)가, PM(11)의 용기(32)내에 배치되어, 리프트 핀(42)과, 상기 리프트 핀(42)을 ESC(33)의 주위에 있어서 승강하는 핀 홀더(81)와 연동시키는 연동 부재가, ESC(33)에 있어서 핀 홀더(81)의 승강 방향을 따라서 천공설치되는 리프트 아암 수용 홈(84)내에 있어서 헐거움 끼워맞춤 결합하고, 상기 리프트 핀(42)은 리프트 아암 수용 홈(84)과 연통하고 또한 ESC(33)에 있어서의 탑재면으로 개구되는 리프트 핀 수용 구멍(85)에 수용되므로, ESC(33)에 있어서 용기(32)내와 대기를 연통하는 리프트 핀 수용 구멍을 설치할 필요가 없고, 그리스를 사용할 필요를 없앨 수 있다. 따라서, 웨이퍼에 CVD 처리를 실시할 때, 웨이퍼에 있어서 성막 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 리프트 핀(42)은 탑재면에 있어서 돌출이 자유롭고, 이에 의해 탑재면상에 있어서 웨이퍼를 안정하게 리프트할 수 있다.
웨이퍼 리프트 장치(80)에서는, 3개의 리프트 핀(42)의 탑재면으로부터의 돌출량은 핀 홀더(81)에 의해 결정되기 때문에, 핀 홀더(81)가 경사하고 있을 경우, 3개의 리프트 핀(42)의 돌출량이 불균일하게 되고, 웨이퍼를 안정하게 리프트하는 것을 할 수 없는 우려가 있다. 웨이퍼 리프트 장치(80)는, 이것에 대응해서 하기에 설명하는 리프트 핀 돌출량 조절 장치(82)를 구비한다.
도 7은 도 6a 및 도 6b에 있어서의 리프트 핀 돌출량 조절 장치의 개략 구성을 도시한 도면이며, 도 7a는 분해 사시도이며, 도 7b는 리프트 핀 돌출량 조절 장치에 있어서의 높이 조정용 블록의 확대 사시도이다.
도 7a 및 도 7b에 있어서, 리프트 핀 돌출량 조절 장치(82)는 높이 조정용 블록(86)(블록재)과, 블록 고정용 너트(87)(너트 부재)와, 블록 각도 고정 와셔(88)(회전 규제 부재)와, 평 와셔(89)와, 스프링 와셔(90)와, 높이 규제 볼트(91)(높이 규제 부재)를 구비한다.
높이 조정용 블록(86)은 사각 기둥모양 부재이며, 측면의 각 모서리부에 있어서 수나사가 형성되어 있다. 또한, 높이 조정용 블록(86)의 상면에는 리프트 아암(83)을 리프트 핀 돌출량 조절 장치(82)에 체결하는 볼트(98)가 나사 결합하는 나사 구멍(92)이 천공되고, 높이 조정용 블록(86)의 하면에는 높이 규제 볼트(91)가 나사 결합하는 나사 구멍(95)(도 8 참조)이 천공되어 있다.
블록 고정용 너트(87)는 높이 조정용 블록(86)의 수나사와 나사 결합하는 암나사를 구비한다. 블록 각도 고정 와셔(88)의 내주 형상은 높이 조정용 블록(86)의 4측면에 대향하는 변으로 이루어지는 정방형이며, 와셔(88)의 외주 형상은 후술하는 핀 홀더(81)의 블록 각도 고정 와셔 결합 홈(93)의 폭보다 소정값만큼 작은 폭을 갖는 대략 정방형이다.
핀 홀더(81)는, 각 리프트 핀 돌출량 조절 장치(82)가 배치되는 위치에 있어서, 블록 각도 고정 와셔 결합 홈(93)과, 높이 조정용 블록 수용 구멍(94)을 갖는다. 블록 각도 고정 와셔 결합 홈(93)은 핀 홀더(81)의 표면에 있어서 핀 홀더(81)의 외주로부터 내주를 향해서 형성된 얕은 홈이며, 홈(93) 외주로부터 내주에 걸쳐서 폭은 균일하다. 또한, 블록 각도 고정 와셔 결합 홈(93)의 폭은 블록 각도 고정 와셔(88)의 외형이 나타내는 정방형의 폭보다 소정값만큼 크다. 높이 조정용 블록 수용 구멍(94)은 블록 각도 고정 와셔 결합 홈(93)의 바닥부에 천공되어서 설치된 바닥이 있는 원주 형상 구멍이며, 그 직경은 높이 조정용 블록(86)의 나사의 유효 직경보다 소정값만큼 크다. 또한, 높이 조정용 블록 수용 구멍(94)의 바닥부에는 높이 규제 볼트(91)가 관통 가능한 관통 구멍(96)(도 8 참조)이 설치된다.
도 8은 도 7의 리프트 핀 돌출량 조절 장치를 이용한 리프트 핀 돌출량 조정 방법을 도시하는 공정도이다. 본 방법은 웨이퍼 리프트 장치(80)가 갖는 3개의 리프트 핀 돌출량 조절 장치(82)에 모두 적용되지만, 이하 하나의 리프트 핀 돌출량 조절 장치(82)에 대해서만 설명한다.
우선, 핀 홀더(81)의 높이 조정용 블록 수용 구멍(94)에 높이 조정용 블록(86)의 하부를 수용하는 동시에, 핀 홀더(81)의 도면중 하방으로부터 평 와셔(89), 스프링 와셔(90)를 개재하도록 높이 규제 볼트(91)를 높이 조정용 블록 수용 구멍(94)의 바닥부의 관통 구멍(96)에 삽입한다(도 8a).
다음에, 높이 조정용 블록(86)의 하면의 나사 구멍(95)과 높이 규제 볼트(91)를 나사 결합시킨다. 이 때, 높이 규제 볼트(91)의 머리부로부터 높이 조정용 블록(86)까지의 거리가 리프트 핀의 원하는 돌출량에 대응하도록 나사 결합량을 조정한다. 그 후, 높이 조정용 블록(86)에 블록 각도 고정 와셔(88)를 헐거움 끼워맞춤 결합하고(도 8b), 상기 블록 각도 고정 와셔(88)를 그대로 도면중 아래쪽으로 강하시키고, 블록 각도 고정 와셔(88)를 블록 각도 고정 와셔 결합 홈(93)에 수 용한다. 이 때, 블록 각도 고정 와셔(88)가 블록 각도 고정 와셔 결합 홈(93)내로 회전하려고 해도, 블록 각도 고정 와셔 결합 홈(93)의 측벽이 블록 각도 고정 와셔(88)의 외주에 있어서의 어느 하나의 변에 접촉하기 때문에, 블록 각도 고정 와셔(88)는 블록 각도 고정 와셔 결합 홈(93)에 있어서 회전하는 일이 없다. 즉, 블록 각도 고정 와셔 결합 홈(93)은 블록 각도 고정 와셔(88)를 결합한다.
다음에, 높이 조정용 블록(86)에 블록 고정용 너트(87)를 나사 결합시킨다. 이 때, 블록 고정용 너트(87)의 체결부착 토크에 의해 높이 조정용 블록(86)도 회전하려고 한다. 그러나, 높이 조정용 블록(86)의 각 측면이 블록 각도 고정 와셔(88)의 내주에 있어서의 각 변에 접촉한다. 또한, 블록 각도 고정 와셔(88)는 상술한 바와 같이 블록 각도 고정 와셔 결합 홈(93)에 의해 결합되어 있으므로, 높이 조정용 블록(86)은 회전하는 일이 없다. 즉, 블록 각도 고정 와셔(88)는 높이 조정용 블록(86)의 핀 홀더(81)에 대한 회전을 규제한다(도 8c). 따라서, 블록 고정용 너트(87)를 높이 조정용 블록(86)에 나사 결합시켜도, 높이 조정용 블록(86)은 회전하지 않으므로, 높이 규제 볼트(91)의 머리부로부터 높이 조정용 블록(86)까지의 거리는 변하지 않는다.
그 후, 블록 고정용 너트(87)가 블록 각도 고정 와셔(88)를 거쳐서 핀 홀더(81)에 착좌했을 때, 블록 고정용 너트(87)가 핀 홀더(81)로부터 받는 반력(도면중 상향의 힘)이 높이 조정용 블록(86)을 거쳐서 높이 규제 볼트(91)에 전달되고, 높이 규제 볼트(91)의 머리부가 평 와셔(89), 스프링 와셔(90)를 거쳐서 핀 홀더(81)의 하면에 착좌하고, 높이 조정용 블록(86)은 높이 규제 볼트(91) 및 블록 고정용 너트(87)를 거쳐서 핀 홀더(81)에 지착된다(도 8d). 이 때, 높이 조정용 블록(86)의 핀 홀더(81)로부터의 높이는 높이 규제 볼트(91)의 머리부로부터 높이 조정용 블록(86)까지의 거리에 의해 규제된다. 따라서, 높이 규제 볼트(91)의 머리부로부터 높이 조정용 블록(86)까지의 거리를 조정하는 것에 따라 높이 조정용 블록(86)의 핀 홀더(81)로부터의 높이를 조정할 수 있다.
다음에, 볼트(98)를 리프트 아암(83)의 일단에 있어서의 관통 구멍(97)을 거쳐서, 높이 조정용 블록(86)의 나사 구멍(92)에 나사 결합한다(도 8e).
볼트(98)의 머리부가 리프트 아암(83)에 착좌해서 리프트 아암(83)이 리프트 핀 돌출량 조절 장치(82)에 체결된다. 그 후, 리프트 아암(83)의 다른 단부에 있어서의 리프트 핀 구멍에 리프트 핀(42)의 하단을 삽입한다(도 8f). 이 때, 리프트 핀(42)의 탑재면으로부터의 돌출량은 리프트 아암(83)의 위치, 즉 높이 조정용 블록(86)의 핀 홀더(81)로부터의 높이에 의해 규제되므로, 리프트 핀(42)의 탑재면으로부터의 돌출량은 규제 볼트(91)의 머리부로부터 높이 조정용 블록(86)까지의 거리를 조정하는 것에 의해 조정하는 것이 가능하다.
리프트 핀 돌출량 조절 장치(82)에 의하면, 리프트 아암(83)에 연결되는 동시에, 측면의 각 모서리부에 있어서 수나사가 형성된 사각 기둥모양 부재인 높이 조정용 블록(86)과, 상기 높이 조정용 블록(86)의 핀 홀더(81)로부터의 높이를 규정하는 높이 규제 볼트(91)와, 높이 조정용 블록(86)의 수나사와 나사 결합해서 핀 홀더(81)에 착좌하는 블록 고정용 너트(87)와, 높이 조정용 블록(86)의 핀 홀더(81)에 대한 회전을 규제하는 블록 각도 고정 와셔(88)를 구비하므로, 블록 고정 용 너트(87)의 암나사를 높이 조정용 블록(86)의 수나사에 나사 결합시키면서, 상기 블록 고정용 너트(87)를 핀 홀더(81)에 착좌시킬 때, 높이 조정용 블록(86)의 회전을 규제해서 높이 조정용 블록(86)의 핀 홀더(81)로부터의 높이를 바꾸는 일이 없이 높이 조정용 블록(86)을 핀 홀더(81)에 지착하는 것이 가능하고, 따라서 용이하고 또한 확실하게 리프트 아암(83)의 핀 홀더(81)로부터의 높이, 나아가서는 리프트 핀(42)의 탑재면으로부터의 돌출량을 조정할 수 있다.
또한, 웨이퍼 리프트 장치(80)는, 핀 홀더(81)위, 즉 ESC(33)의 주위에 있어서, 리프트 핀(42)의 탑재면으로부터의 돌출량을 조정 가능한 리프트 핀 돌출량 조절 장치(82)를 구비하므로, 각 리프트 핀(42)의 탑재면으로부터의 돌출량을 조정하는 것에 의해, 탑재면상에 있어서 웨이퍼를 보다 안정하게 리프트할 수 있는 동시에, ESC(33)의 바로 아래에 리프트 핀 돌출량 조절 장치를 배치하기 때문에 ESC(33)를 크게 도와줄 필요를 없앨 수 있고, 따라서 ESC(33)에 냉매실(99)이나 전극판(35)을 내장시켜서 웨이퍼에 안정하게 COR 처리를 실시할 수 있다.
또한, 도 1의 CVD 처리 장치(10)에 있어서의 PM(12)은 상술한 챔버 이외에, 챔버내와 외부 분위기를 차단하는 개폐가 자유로운 커버로서의 PHT 챔버 리드(도시하지 않음)와, 챔버내에 배치되어 웨이퍼를 탑재하는 탑재대로서의 스테이지(도시하지 않음)를 갖는다.
PHT 챔버 리드에는 실리콘 고무제의 시트 히터가 배치된다. 또한, 챔버의 측벽에는 카트리지 히터(도시하지 않음)가 내장되고, 상기 카트리지 히터는 챔버의 측벽의 벽면 온도를 25 내지 80℃로 제어한다. 이에 의해, 챔버의 측벽에 반응 부 생성물이 부착되는 것을 방지하고, 따라서 부착된 반응 부생성물에 기인하는 파티클의 발생을 방지해서 챔버의 클리닝 주기를 연장시킨다.
또한, 스테이지상에는 스테이지 히터가 배치되며, 상기 스테이지 히터는 스테이지에 탑재된 웨이퍼를 적어도 1분간에 걸쳐서 100 내지 200℃, 바람직하게는 약 135℃로 직접 가열한다. 또한, PM(12)의 챔버의 외주는 열 실드(shield)에 의해 덮어져 있다.
도 9는 도 1의 CVD 처리 장치에 있어서의 시스템 컨트롤러의 개략 구성을 도시한 도면이다.
도 9에 있어서, 시스템 컨트롤러는, EC(Equipment Controller)(100)와, 복수, 예컨대 3개의 MC(101, 102, 103)와, EC(100) 및 MC(101, 102, 103)를 접속하는 스위칭 허브(104)를 구비하고 있다. 상기 시스템 컨트롤러는 EC(100)로부터 LAN (Local Area Network)(105)을 거쳐서, CVD 처리 장치(10)가 설치되어 있는 공장 전체의 제조 공정을 관리하는 MES(Manufacturing Execution System)로서의 PC(106)에 접속되어 있다. MES는 시스템 컨트롤러와 연계해서 공장에 있어서의 공정에 관한 리얼 타임 정보를 기간 업무 시스템(도시하지 않음)에 피드백하는 동시에, 공장 전체의 부하 등을 고려해서 공정에 관한 판단을 실행한다.
EC(100)는 MC(101, 102, 103)를 통괄해서 CVD 처리 장치(10) 전체의 동작을 제어하는 통괄 제어부이다. 또한, EC(100)는 CPU, RAM, HDD 등을 구비하고, 유저 등에 의해 지정된 웨이퍼의 처리 방법의 메뉴, 즉 레시피에 대응하는 프로그램에 따라 CPU가 MC(101, 102, 103)에 제어 신호를 송신함으로써, PM(11 내지 14), TM(15) 및 LM(16) 등의 동작을 제어한다.
스위칭 허브(104)는 EC(100)로부터의 제어 신호에 따라 EC(100)의 접속처로서의 MC를 바꾼다.
MC(101, 102, 103)는 PM(11 내지 14), TM(15) 및 LM(16) 등의 동작을 제어하는 제어부이다. MC(101, 102, 103)도 CPU, RAM, HDD 등을 구비하며, 후술하는 엔드 디바이스로 제어 신호를 송신한다. 또한, CVD 처리 장치(10)가 갖는 시스템 컨트롤러는 CVD 처리 장치(10)의 각 모듈을 제어하기 위해서, 모듈의 수에 대응한 수의 MC를 갖지만, 도 9에서는 3개의 MC가 표시되어 있다.
MC(101, 102, 103)는 DIST(Distribution) 보드(107)에 의해 GHOST 네트워크(108)를 거쳐서 I/O(입출력) 모듈(109, 110, 111)에 각각 접속된다. GHOST 네트워크(108)는 MC가 갖는 MC 보드에 탑재된 GHOST(General High-Speed Optimum Scalable Transceiver)라 불리는 LSI에 의해 실현되는 네트워크이다. GHOST 네트워크(108)에는 최대로 31개의 I/O 모듈을 접속 가능하고, GHOST 네트워크(108)에서는, MC가 마스터에 해당하고, I/O 모듈이 슬레이브(slave)에 해당한다.
I/O 모듈(109)은 PM(11)의 각 구성 요소(이하, "엔드 디바이스"라고 한다)에 접속된 복수의 I/O부(112)로 이뤄지고, 각 엔드 디바이스로의 제어 신호 및 각 엔드 디바이스로부터의 출력 신호의 전달을 실행한다. I/O 모듈(109)에 있어서 I/O부(112)에 접속되는 엔드 디바이스에는, 예컨대 PM(11)의 각 구성요소이며, 가스 박스(21), ECS 전원(22), APC 밸브(24), TMP(25), DP(77), 또한 불화 수소 가스 공급 계통(46), 암모니아 가스 공급 계통(47) 및 배기계에 있어서의 각 밸브 등이 해 당한다.
또한, I/O 모듈(110, 111)은 I/O 모듈(109)과 마찬가지의 구성을 갖고 있기 때문에, 이들의 설명을 생략한다.
또한, 각 GHOST 네트워크(108)에는, I/O부(112)에 있어서의 디지탈 신호, 아날로그 신호 및 시리얼 신호의 입출력을 제어하는 I/O 보드(도시하지 않음)도 접속된다.
CVD 처리 장치(10)에 있어서, COR 처리를 실행하는 때는, 상기 처리에 대응하는 프로그램에 따라 EC(100)의 CPU가, 스위칭 허브(104), MC(101), GHOST 네트워크(108) 및 I/O 모듈(109)에 있어서의 I/O부(112)를 거쳐서, PM(11)의 각 엔드 디바이스에 제어 신호를 송신함으로써, PM(11)에 있어서 COR 처리를 실행한다.
도 9의 시스템 컨트롤러에서는, 복수의 엔드 디바이스가 EC(100)에 직접 접속되는 일이 없이, 상기 복수의 엔드 디바이스에 접속된 I/O부(112)가 모듈화되어, I/O 모듈을 구성하고, 상기 I/O 모듈이 MC(101, 102, 103) 및 스위칭 허브(104)를 거쳐서 EC(100)에 접속되기 때문에, 통신 계통을 간소화할 수 있다.
또한, EC(100)의 CPU가 송신하는 제어 신호에는, 원하는 엔드 디바이스에 접속된 I/O부(112)의 어드레스, 및 상기 I/O부(112)를 포함하는 I/O 모듈의 어드레스가 포함되어 있기 때문에, 스위칭 허브(104)는 제어 신호에 있어서의 I/O 모듈의 어드레스를 참조하고, MC(101, 102, 103)의 GHOST가 제어 신호에 있어서의 I/O부(112)의 어드레스를 참조함으로써, 스위칭 허브(104)나 MC(101, 102, 103)가 CPU에 제어 신호의 송신처의 문의를 할 필요를 없앨 수 있고, 이에 의해 제어 신호의 원활한 전달을 실현할 수 있다.
또한, MC(101)은, COR 처리에 있어서, GHOST 네트워크(108) 및 I/O 모듈(109)에 있어서 I/O부(112)를 거쳐서 PM(11)을 감시하고, 소정의 에러 조건을 검지한 경우에는, 이후의 PM(11)에의 웨이퍼의 반입을 금지하는 취지를 전하기 위한 인터로크(I/L) 신호를, 스위칭 허브(104)를 거쳐서 EC(100)에 송신한다. 상기 인터 로크 신호를 수신한 EC(100)는 스위칭 허브(104)를 거쳐서, TM(15)의 동작을 제어하는 MC(도면에서는 MC(103))에 웨이퍼 반입을 금지하는 웨이퍼 반입 금지 신호를 송신한다. 상기 웨이퍼 반입 금지 신호를 수신한 MC(103)는 웨이퍼의 반입에 관련되는 엔드 디바이스의 동작을 제어해서 PM(11)에의 웨이퍼의 반입을 중지한다.
상술한 바와 같이, PM(11)은 3개의 리프트 핀(42)을 구비하고 있지만, 리프트 핀(42)의 수는 이것에 한정되지 않고, 4개 이상이 바람직하다. 이에 의해, 더욱 웨이퍼를 안정하게 리프트할 수 있다.
또한, 웨이퍼 리프트 장치(80)를 구비하는 PM은 웨이퍼에 COR 처리를 실시하는 PM으로 한정되지 않고, 어떠한 처리를 실시하는 PM에서도 좋다.
또한, 높이 조정용 블록(86)은 사각 기둥모양 부재이었지만, 높이 조정용 블록(86)의 형상은 이것으로 한정되지 않고, 적어도 다각형 기둥모양으로 되어 있으면 좋다. 이 때, 블록 각도 고정 와셔(88)의 내주 형상은 높이 고정용 블록(86)의 형상에 대응한 다각형으로 변경되는 것은 말할 필요도 없다.
다음에, 본 발명의 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 대해서 설명한다.
본 실시 형태는, 그 구성이나 작용이 상술한 제 1 실시 형태와 기본적으로 동일하며, 웨이퍼 리프트 장치의 구조만이 상술한 제 1 실시 형태와 상이하다. 따라서, 중복되는 구성, 작용에 대해서는 설명을 생략하고, 이하에 상이한 구성, 작용에 관한 설명을 행한다.
도 10은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치로서의 PM의 챔버내에 배치되는 웨이퍼 리프트 장치의 개략 구성을 도시한 도면이며, 도 10a는 웨이퍼 리프트 장치의 평면도이며, 도 10b는 도 10a에 있어서의 선 C-C에 따른 단면도이다.
도 10a 및 도 10b에 있어서, 웨이퍼 리프트 장치(120)(기판 리프트 장치)는 챔버의 용기내에 있어서 ESC(113)를 둘러싸도록 배치되어 있는 원환상의 핀 홀더(121)(승강 부재)와, 핀 홀더(121)의 원주 방향을 따라서 균등하게 배치되고, 또한 후술하는 3개의 리프트 핀 돌출량 조절 장치(122)(돌출량 조정 기구)를 거쳐서 상기 핀 홀더(121)에 접속되는 3개의 리프트 아암(123)(연동 부재)과, 각 리프트 아암(123)에 탑재되며, 원환상 부재인 3개의 리프트 핀(42)을 구비한다. 여기에서, 웨이퍼 리프트 장치(120)의 구성 요소인 핀 홀더(121), 리프트 핀 돌출량 조절 장치(122), 리프트 아암(123) 및 리프트 핀(42)의 어느 것이 용기내에 배치되어 있으므로, 결과적으로 웨이퍼 리프트 장치(120)는 용기내에 배치되어 있다.
핀 홀더(121)는 도 10b의 상하 방향으로 이동하는데, 즉 승강한다. 리프트 아암(123)은 팔형상 부재이며, 단부(123a)에 있어서, 이 리프트 아암(123)을 리프트 핀 돌출량 조절 장치(122)에 체결하는 조절 장치 조립 볼트(127)가 관통하는 관통 구멍(123b)(도 11 참조)을 갖고 있고, 다른 단부에 있어서 리프트 핀(42)의 하 단을 탑재한다. 또한, 리프트 아암(123)의 단부(123a)는 평면에서 볼 때에 4각 형상을 나타내고, 상기 4각 형상의 각 모서리부는 모따기되어 있다. 리프트 아암(123)은 핀 홀더(121) 및 리프트 핀(42)의 사이에 개재되어 핀 홀더(121) 및 리프트 핀(42)을 연동시킨다. 따라서, 리프트 아암(123)은 핀 홀더(121)의 승강에 수반해서 승강하는 동시에, 리프트 핀(42)을 승강시킨다.
또한, 3개의 리프트 아암(123)은 핀 홀더(121)의 중심으로 향해서 돌출하고, 그 일부(타 단부)는 ESC(113)의 측면에 있어서 상기 리프트 아암(123)의 승강 방향에 따라서 돌출 설치된 리프트 아암 수용 홈(124)(연동 부재 수용 홈)에 수용된다. 리프트 아암 수용 홈(124)은 각 리프트 아암(123)에 대응해서 돌출 설치되고, 리프트 아암(123)의 승강 방향에 관한 개구 길이는 리프트 아암(123)의 승강 범위 이상이다. 따라서, 리프트 아암(123)은 리프트 아암 수용 홈(124)내에 있어서 자유롭게 승강 가능하다.
ESC(113)는, 리프트 아암 수용 홈(124)에 수용된 리프트 아암(123)의 타 단부와 대향하는 위치에 있어서 상기 리프트 아암 수용 홈(124)과 연통하고, 또 ESC(113)의 탑재면에 있어서 개구되는 리프트 핀 수용 구멍(125)을 구비하고 있다. 리프트 핀 수용 구멍(125)은 원형 구멍이며, 각 리프트 아암(123)에 대응해서 설치되어 있다. 또한, 리프트 핀 수용 구멍(125)의 직경은 리프트 핀(42)의 직경보다 소정값만큼 크다. 따라서, 리프트 핀 수용 구멍(125)은 리프트 핀(42)을 수용 가능하다.
리프트 핀(42)은 탑재면에서 리프트 핀 수용 구멍(125)을 거쳐서 리프트 아 암(123)의 다른 단부에 탑재된다. 따라서, 리프트 핀(42)은 리프트 아암(123), 즉 핀 홀더(121)의 승강에 연동해서 탑재면에서 돌출하거나, 또는 매립된다.
도 11은 도 10에 있어서의 리프트 핀 돌출량 조절 장치의 개략 구성을 도시하는 분해 사시도이다.
도 11에 있어서, 리프트 핀 돌출량 조절 장치(122)는 높이 조정용 보스 부재(126)(높이 조정 부재)와, 조절 장치 조립 볼트(127)와, 리프트 아암 회전 스토퍼(128)(회전 규제 부재)와, 평 와셔(129, 130)와, 2개의 회전 스토퍼용 볼트(131)와, 조립 볼트용 와셔(132)를 구비한다.
높이 조정용 보스 부재(126)는 상부가 8각 기둥으로 이뤄지고, 하부가 나사로 이뤄지는 볼트 부재이며, 중심축과 동일축의 관통 구멍(133)을 갖는다. 관통 구멍(133)의 내경은 조절 장치 조립 볼트(127)의 나사부의 직경보다 소정값만큼 크다.
리프트 아암 회전 스토퍼(128)는 화살표(B)에 있어서 L자형 형상을 나타내는 스토퍼 벽부(128a)와, 상기 스토퍼 벽부(128a)의 하부로부터 화살표(B)의 방향에 대하여 수직하게 돌출하는 돌출부(128b)를 갖는다. 스토퍼 벽부(128a)의 L자형 형상은 리프트 아암(123)의 단부(123a)의 사각형상에 적합하다. 즉, 스토퍼 벽부(128a)와 단부(123a)는 화살표(B)에 있어서 상보적 관계에 있다. 또한, 스토퍼 벽부(128a)의 L자형 형상의 각 변은 높이 조정용 보스 부재(126)의 8각 기둥모양부에 있어서의 측면중 2측면과 접촉한다. 즉, 높이 조정용 보스 부재(126)의 상부의 형상(8각 기둥모양)은 스토퍼 벽부(128a)의 L자형 형상과 결합한다. 돌출부(128b) 는 2개의 관통 구멍(128c)을 갖는다. 상기 관통 구멍(128c)의 내경은 회전 스토퍼용 볼트(131)의 나사부의 직경보다 소정값만큼 크다.
조절 장치 조립 볼트(127)는 조립 볼트용 와셔(132)와 협동해서 와셔(129), 리프트 아암(123), 높이 조정용 보스 부재(126), 핀 홀더(121), 및 와셔(130)를 서로에 체결한다. 조절 장치 조립 볼트(127)의 나사부의 길이는 와셔(129), 리프트 아암(123), 높이 조정용 보스 부재(126), 핀 홀더(121), 및 와셔(130)의 두께의 합계보다 길다.
핀 홀더(121)는 각 리프트 핀 돌출량 조절 장치(122)가 배치되는 위치에 있어서 보스 부재용 나사 구멍(121a)과, 회전 스토퍼용 볼트(131)용의 2개의 나사 구멍(121b)을 구비한다. 보스 부재용 나사 구멍(121a)은 높이 조정용 보스 부재(126)의 나사부와 나사 결합한다. 또한, 각 나사 구멍(121b)은 회전 스토퍼용 볼트(131)의 나사부와 나사 결합한다.
도 12는 도 11의 리프트 핀 돌출량 조절 장치를 이용한 리프트 핀 돌출량 조정 방법을 도시하는 공정도이다. 본 방법은 웨이퍼 리프트 장치(120)가 갖는 3개의 리프트 핀 돌출량 조절 장치(122)에 모두 적용되지만, 이하 1개의 리프트 핀 돌출량 조절 장치(122)에 대해서만 설명한다.
우선, 보스 부재용 나사 구멍(121a)과 높이 조정용 보스 부재(126)의 나사부를 나사 결합시키는 것에 따라 핀 홀더(121)에 높이 조정용 보스 부재(126)를 연결한다. 이 때, 높이 조정용 보스 부재(126)의 핀 홀더(121)로부터의 돌출량은 보스 부재용 나사 구멍(121a)과 높이 조정용 보스 부재(126)의 나사부와의 나사 결합량 에 의해 조정된다. 그리고, 연결된 높이 조정용 보스 부재(126)상에 리프트 아암(123)의 단부(123a) 및 와셔(129)를 탑재하고, 보스 부재용 나사 구멍(121a), 관통 구멍(133), 관통 구멍(123b), 및 와셔(129)의 구멍을 직선상에 배치한다. 이어서, 조절 장치 조립 볼트(127)의 나사부를 와셔(129)의 구멍, 관통 구멍(123b), 관통 구멍(133), 및 보스 부재용 나사 구멍(121a)에 상방으로부터 삽입한다(도 12a).
그 후, 핀 홀더(121)의 이면에서 돌출한 조절 장치 조립 볼트(127)의 나사부에 와셔(130)를 헐거운 끼워맞춤 결합시키고, 또한 상기 나사부에 조립 볼트용 와셔(132)를 나사 결합시킨다(도 12c).
다음에, 리프트 아암 회전 스토퍼(128)의 돌출부(128b)에 있어서의 각 관통 구멍(128c)에 회전 스토퍼용 볼트(131)를 삽입하고, 돌출부(128b)의 이면에서 돌출하는 회전 스토퍼용 볼트(131)의 나사부를 핀 홀더(121)의 나사 구멍(121b)에 나사 결합시킨다. 이에 의해, 리프트 아암 회전 스토퍼(128)를 핀 홀더(121)에 체결한다. 또한, 이 때, 스토퍼 벽부(128a)의 L자형 형상의 2변이 리프트 아암(123)에 있어서의 단부(123a)의 사각형상의 2변 및 높이 조정용 보스 부재(126)의 8각 기둥모양부에 있어서의 측면중 2측면에 접촉한다. 그 후, 조절 장치 조립 볼트(127)를 토크렌치(도시하지 않음) 등으로 체결 부착시켜서 와셔(129), 리프트 아암(123), 높이 조정용 보스 부재(126), 핀 홀더(121), 및 와셔(130)를 서로 체결시킨다. 이 때, 조절 장치 조립 볼트(127)의 조임 장치 부착 토크가 리프트 아암(123) 및 높이 조정용 보스 부재(126)에 전달되고, 상기 리프트 아암(123) 및 높이 조정용 보스 부재(126)는 조절 장치 조립 볼트(127)의 축 주위로 회전하려고 한다. 그러나, 상 술한 바와 같이, 리프트 아암 회전 스토퍼(128)에 있어서의 스토퍼 벽부(128a)의 L자형 형상의 2변이 리프트 아암(123)에 있어서의 단부(123a)의 사각 형상의 2변 및 높이 조정용 보스 부재(126)의 8각 기둥모양부에 있어서의 측면중 2측면에 접촉하기 때문에, 리프트 아암(123) 및 높이 조정용 보스 부재(126)는 회전하는 일이 없다. 즉, 리프트 아암 회전 스토퍼(128)는 리프트 아암(123) 및 높이 조정용 보스 부재(126)의 핀 홀더(121)에 대한 회전을 규제한다(도 12c).
그 후, 리프트 아암(123)의 다른 단부에 리프트 핀(42)의 하단을 탑재시킨다(도 12d). 이 때, 리프트 핀(42)의 탑재면으로부터의 돌출량은 리프트 아암(123)의 핀 홀더(121)로부터의 높이, 즉 높이 조정용 보스 부재(126)의 핀 홀더(121)로부터의 돌출량에 의해 규제되므로, 리프트 핀(42)의 탑재면으로부터의 돌출량은 높이 조정용 보스 부재(126)의 핀 홀더(121)로부터의 돌출량, 나아가서는 보스 부재용 나사 구멍(121a)과 높이 조정용 보스 부재(126)의 나사부와의 나사 결합량을 조정하는 것에 따라 조정할 수 있다.
리프트 핀 돌출량 조절 장치(122)에 의하면, 핀 홀더(121)에 체결되고, 또한 리프트 아암(123)의 단부(123a)의 사각형상과 상보적인 형상인 L자형 형상을 나타내는 스토퍼 벽부(128a)를 갖는 리프트 아암 회전 스토퍼(128)와, 핀 홀더(121)에 연결되고, 또한 리프트 아암(123)의 단부(123a)를 탑재하는 높이 조정용 보스 부재(126)와, 리프트 아암(123), 높이 조정용 보스 부재(126) 및 핀 홀더(121)를 서로 체결시키는 조절 장치 조립 볼트(127)를 구비하므로, 핀 홀더(121)에 높이 조정용 보스 부재(126)를 연결되고, 또한 상기 높이 조정용 보스 부재(126)에 리프트 아암(123)의 단부(123a)를 탑재해서 조절 장치 조립 볼트(127)에 의해 리프트 아암(123), 높이 조정용 보스 부재(126) 및 핀 홀더(121)를 서로 체결시킬 때, 리프트 아암(123)의 핀 홀더(121)에 대한 회전을 규제할 수 있다. 또한, 높이 조정용 보스 부재(126)의 핀 홀더(121)로부터의 돌출량[보스 부재용 나사 구멍(121a)과 높이 조정용 보스 부재(126)의 나사부와의 나사 결합량]을 조정하는 것에 따라 리프트 아암(123)의 핀 홀더(121)로부터의 높이를 조정할 수 있다. 그 결과, 용이하고 또한 확실하게 리프트 핀(42)의 탑재면으로부터의 돌출량을 조정할 수 있다.
또한, 스토퍼 벽부(128a)의 L자형 형상의 2변이 높이 조정용 보스 부재(126)의 8각 기둥모양부에 있어서의 측면중 2측면에 접촉하므로, 높이 조정용 보스 부재(126)의 핀 홀더(121)에 대한 회전을 규제할 수 있다.
또한, 웨이퍼 리프트 장치(120)를 구비하는 PM은 웨이퍼에 COR 처리를 실시하는 PM에 한정되지 않고, 어떠한 처리를 실시하는 PM이여도 좋다.
또한, 리프트 아암(123)의 단부(123a)는 사각형상이었지만, 상기 단부(123a)의 형상은 이것에 한정되지 않고, 적어도 리프트 아암 회전 스토퍼(128)의 스토퍼 벽부(128a)의 형상과 상보적인 형상이면 좋다. 또한, 높이 조정용 보스 부재(126)의 상부의 형상도 8각 기둥모양에 한정되지 않고, 적어도 리프트 아암 회전 스토퍼(128)의 스토퍼 벽부(128a)의 형상과 계합하는 형상이라면 좋다.
상술한 CVD 처리 장치(10)에서는, 처리되는 기판이 반도체 디바이스용의 웨이퍼이었지만, 처리되는 기판은 이것에 한정되지 않고, 예컨대 LCD(Liquid Crystal Display)이나 FPD(Flat Panel Display) 등의 유리 기판이여도 좋다.
본 발명의 COR 처리 모듈에 의하면, 기판에 CVD 처리를 실시하는 CVD 처리 모듈과 반송 모듈을 거쳐서 연결되는 COR 처리 모듈이 기판을 수용하는 챔버와, 상기 챔버내에 배치된 기판을 탑재하는 탑재대와, 기판을 탑재대로부터 리프트하는 기판 리프트 장치를 구비하고, 상기 기판 리프트 장치가 챔버내에 배치되므로, 탑재대에 있어서 챔버내와 대기를 연통하는 구멍을 설치할 필요가 없고, 그리스를 사용할 필요를 없앨 수 있다. 따라서, 기판에 CVD 처리를 실시할 때, 기판에 있어서 성막 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

Claims (12)

  1. 기판에 COR 처리를 실시하는 COR 처리 모듈과, 상기 기판에 CVD 처리를 실시하는 CVD 처리 모듈과, 상기 COR 처리 모듈 및 상기 CVD 처리 모듈을 연결하고, 또한 상기 기판을 반송하는 반송 모듈을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 COR 처리 모듈은 상기 기판을 수용하는 챔버와, 상기 챔버내에 배치되어 상기 기판을 탑재하는 탑재대와, 상기 기판을 상기 탑재대로부터 리프트하는 기판 리프트 장치를 구비하고,
    상기 기판 리프트 장치가 상기 챔버내에 배치되며,
    상기 기판 리프트 장치는 막대 형상의 리프트 핀과, 상기 탑재대의 주위에 있어서 승강하는 승강 부재와, 상기 리프트 핀 및 상기 승강 부재를 연동시키는 연동 부재를 구비하며,
    상기 탑재대는, 상기 승강 부재의 승강 방향을 따라서 천공설치되는 동시에 상기 연동 부재의 적어도 일부를 수용하는 연동 부재 수용 홈과, 상기 연동 부재 수용 홈과 연통하고 또한 상기 탑재대에 있어서 상기 기판이 탑재되는 탑재면으로 개구되는 동시에 상기 리프트 핀을 수용하는 리프트 핀 수용 구멍을 구비하고,
    상기 리프트 핀이 상기 연동 부재 수용 홈내에 있어서 상기 연동 부재에 탑재되는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 승강 부재는 상기 리프트 핀의 상기 탑재면으로부터의 돌출량을 조정 가능한 돌출량 조정 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 돌출량 조정 기구는, 상기 연동 부재에 연결되는 동시에 측면의 적어도 일부에 수나사를 갖는 다각형 기둥모양의 블록재와, 상기 블록재의 상기 승강 부재로부터의 높이를 규정하는 높이 규정 부재와, 상기 블록재의 수나사와 나사 결합된 암나사를 갖는 동시에 상기 승강 부재에 착좌하는 너트 부재와, 상기 블록재의 상기 승강 부재에 대한 회전을 규제하는 회전 규제 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 연동 부재는 소정의 형상을 나타내는 단부를 구비하고,
    상기 돌출량 조정 기구는, 상기 단부의 소정의 형상과 상보적인 형상을 나타내는 회전 규제부를 갖고 또한 상기 승강 부재에 체결되는 회전 규제 부재와, 상기 승강 부재에 연결되고 또한 상기 단부를 탑재하는 높이 조정 부재와, 상기 연동 부재, 상기 높이 조정 부재 및 상기 승강 부재를 서로 체결시키는 볼트를 구비하는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  6. 기판에 CVD 처리를 실시하는 CVD 처리 모듈과 상기 기판을 반송하는 반송 모듈을 거쳐서 연결되며, 상기 기판에 COR 처리를 실시하는 COR 처리 모듈에 있어서,
    상기 기판을 수용하는 챔버와, 상기 챔버내에 배치되어 상기 기판을 탑재하는 탑재대와, 상기 기판을 상기 탑재대로부터 리프트하는 기판 리프트 장치를 구비하고,
    상기 기판 리프트 장치가 상기 챔버내에 배치되며,
    상기 기판 리프트 장치는 막대 형상의 리프트 핀과, 상기 탑재대의 주위에 있어서 승강하는 승강 부재와, 상기 리프트 핀 및 상기 승강 부재를 연동시키는 연동 부재를 구비하며,
    상기 탑재대는, 상기 승강 부재의 승강 방향을 따라서 천공설치되는 동시에 상기 연동 부재의 적어도 일부를 수용하는 연동 부재 수용 홈과, 상기 연동 부재 수용 홈과 연통하고 또한 상기 탑재대에 있어서 상기 기판이 탑재되는 탑재면으로 개구되는 동시에 상기 리프트 핀을 수용하는 리프트 핀 수용 구멍을 구비하고,
    상기 리프트 핀이 상기 연동 부재 수용 홈내에 있어서 상기 연동 부재에 탑재되는 것을 특징으로 하는
    COR 처리 모듈.
  7. 기판을 수용하는 챔버와, 상기 챔버내에 배치되어 상기 기판을 탑재하는 탑재대를 구비하는 기판 처리 모듈의 상기 챔버내에 배치되는 동시에 상기 기판을 상기 탑재대로부터 리프트하는 기판 리프트 장치에 있어서,
    막대 형상의 리프트 핀과, 상기 탑재대의 주위에 있어서 승강하는 승강 부재와, 상기 리프트 핀 및 상기 승강 부재를 연동시키는 연동 부재를 구비하고,
    상기 탑재대는, 상기 승강 부재의 승강 방향을 따라서 천공설치되는 동시에 상기 연동 부재의 적어도 일부를 수용하는 연동 부재 수용 홈과, 상기 연동 부재 수용 홈과 연통하고 또한 상기 탑재대에 있어서 상기 기판이 탑재되는 탑재면으로 개구되는 동시에 상기 리프트 핀을 수용하는 리프트 핀 수용 구멍을 구비하고,
    상기 리프트 핀이 상기 연동 부재 수용 홈내에 있어서 상기 연동 부재에 탑재되는 것을 특징으로 하는
    기판 리프트 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 승강 부재는 상기 리프트 핀의 상기 탑재면으로부터의 돌출량을 조정 가능한 돌출량 조정 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는
    기판 리프트 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 돌출량 조정 기구는, 상기 연동 부재에 연결되는 동시에 측면의 적어도 일부에 수나사를 갖는 다각형 기둥모양의 블록재와, 상기 블록재의 상기 승강 부재로부터의 높이를 규정하는 높이 규정 부재와, 상기 블록재의 수나사와 나사 결합된 암나사를 갖는 동시에 상기 승강 부재에 착좌하는 너트 부재와, 상기 블록재의 상기 승강 부재에 대한 회전을 규제하는 회전 규제 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는
    기판 리프트 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 연동 부재는 소정의 형상을 나타내는 단부를 갖고,
    상기 돌출량 조정 기구는, 상기 단부의 소정의 형상과 상보적인 형상을 나타내는 회전 규제부를 갖고 또한 상기 승강 부재에 체결되는 회전 규제 부재와, 상기 승강 부재에 연결되고 또한 상기 단부를 탑재하는 높이 조정 부재와, 상기 연동 부재, 상기 높이 조정 부재 및 상기 승강 부재를 서로 체결시키는 볼트를 구비하는 것을 특징으로 하는
    기판 리프트 장치.
  11. 제 5 항에 있어서,
    상기 높이 조정 부재의 일부는 상기 회전 규제부의 상보적인 형상과 계합하는 형상을 나타내는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 높이 조정 부재의 일부는 상기 회전 규제부의 상보적인 형상과 계합하는 형상을 나타내는 것을 특징으로 하는
    기판 리프트 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100970113B1 (ko) * 2008-05-08 2010-07-15 주식회사 테스 기판 리프트 어셈블리
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JP6279276B2 (ja) * 2013-10-03 2018-02-14 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板処理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63117418A (ja) 1986-11-05 1988-05-21 Ulvac Corp Ｃｖｄ装置
KR20000051210A (ko) * 1999-01-19 2000-08-16 윤종용 씨브디 설비의 웨이퍼 리프트 장치
KR20040040963A (ko) * 2002-11-08 2004-05-13 삼성전자주식회사 리프트 핀을 구비한 반도체 소자 제조 장치
US20040182315A1 (en) 2003-03-17 2004-09-23 Tokyo Electron Limited Reduced maintenance chemical oxide removal (COR) processing system
US20040185670A1 (en) * 2003-03-17 2004-09-23 Tokyo Electron Limited Processing system and method for treating a substrate

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63117418A (ja) 1986-11-05 1988-05-21 Ulvac Corp Ｃｖｄ装置
KR20000051210A (ko) * 1999-01-19 2000-08-16 윤종용 씨브디 설비의 웨이퍼 리프트 장치
KR20040040963A (ko) * 2002-11-08 2004-05-13 삼성전자주식회사 리프트 핀을 구비한 반도체 소자 제조 장치
US20040182315A1 (en) 2003-03-17 2004-09-23 Tokyo Electron Limited Reduced maintenance chemical oxide removal (COR) processing system
US20040185670A1 (en) * 2003-03-17 2004-09-23 Tokyo Electron Limited Processing system and method for treating a substrate

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