KR100351651B1 - 전계 효과 트랜지스터 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 FET 구조는 유기물-무기물 혼성 재료를 디바이스의 소스와 드레인 전극사이에 반도전성 채널로서 사용한다. 이 유기물-무기물 재료는 무기성 결정 고체의 장점과 유기물 재료의 장점을 결합시킨 것이다. 이 무기물 성분은 무기성 결정 고체의 고 캐리어 이동도 특성을 제공하기 위해, 연장된 무기물 1-, 2-, 또는 3-차원의 네트워크를 형성한다. 이 유기물 성분은 이러한 재료들의 자기-어셈블리(self-assembly)를 용이하게 하고 이 재료들이 스핀-코팅, 딥-코팅, 또는 열 증발과 같은 간단한 저온 처리 조건에 의해 증착될 수 있게 해준다. 이 유기물 성분은 또한, 무기물 성분의 차원과 무기물 단위간의 전기적 결합을 정의함으로써, 무기물 구조의 전기적 특성을 조절하는데 사용된다.
Description
본 발명은 박막 전계 효과 트랜지스터(TET) 구조와, 특히 그 내부에 유기물-무기물 혼성 재료를 반도전성 채널로서 사용한 트랜지스터 구조에 관한 것이다.
TFT로 알려진 박막 트랜지스터는 전자공학 분야에서, 특히, 액티브 매트릭스 액정 디스플레이와 같은 대 영역 애플리케이션의 경우에 스위칭 요소로서 널리 사용된다. 이 TFT는 전계 효과 트랜지스터(FET)의 실시예이다. 가장 잘 알려진 FET는 고속 전자 애플리케이션을 위한 오늘날의 통상적인 스위칭 요소인 MOSFET이다. 이 MOSFET는 특히 SiO2/벌크-Si 트랜지스터를 지칭하는 반면에, 금속-절연-반도체의 일반적인 결합은 MISFET로 알려져 있다. 이 TFT는 액티브 반도전성 층이 얇은 막으로 증착되어 있는 MISFET이다.
대부분의 디바이스에서 현재의 TFT는 비정질(amorphous) 실리콘을 반도체로서 사용하여 만든다. 비정질 실리콘은 결정 실리콘을 대체할 수 있는 값싼 재료이다. 이것은 대 영역 애플리케이션에서, 트랜지스터의 비용을 절감하는데 필수 조건이다. 비정질 실리콘의 애플리케이션은 그것의 이동도 ~10-1㎠/V*sec이 결정 실리콘의 이동도 보다 15000배 작으므로 저속 디바이스로 제한된다. 비정질 실리콘이 결정 실리콘보다 증착하는데 있어 저렴함에도 불구하고, 비정질 실리콘의 증착은 여전히 플리즈마 강화 화학적 기상 증착(PECVD)과 같은 고비용의 프로세스를 요구한다.
최근의 유기물 반도체는 TFT를 위한 잠재적인 반도체 구성요소로서 주목 받고 있다. 예를 들면,"Thin-Layer Field Effect Transistors With MIS Structure Whose Insulator and Semiconductor Are Made of Organic Materials" 이란 명칭의 가니얼 등에 허여된 미국 특허 5,347,144을 참조한다. (예를 들면, 소분자, 단쇄 올리고머 및 폴리머(small molecules, short-chain oligomers, and polymers)와 같은 유기 재료는 용액으로부터의 스핀 코팅 혹은 딥(dip) 코팅, 열적 증발, 또는 스크린 프린팅과 같은 방법에 의해 간단히 처리되기 때문에, TFT 구조를 위해 무기 재료를 대체하는 덜 비싼 대체물을 제공할 것이다. 그러나, 유기물의 이동도가 개선될 지라도, 그들의 이동도는 여전히 낮고, 다만 최적의 물질이라도 비정질 실리콘의 이동도에 근접하는 이동도를 가질 뿐이다.
유기물 반도체는 통상적인 비정질 실리콘보다 증착하는데 있어 비용이 저렴하고 용이하다. 그러한 유기물 재료로는 (예를 들면 펜타센, 금속-프탈로시아닌 같은) 소 분자, (예를 들면 n=3 내지 8인 n-티오펜 같은) 단쇄 올리고머, 또는 (예를 들면 알킬티오펜 또는 폴리-페닐렌비닐렌 같은) 장쇄(long-chain) 폴리머가 있다. 공액(conjugation)이라 불리는, 인접한 다중 결합된 원자들 간의 원자 오비탈 중첩은, 분자, 올리고머 및, 폴리머를 따라 전하의 전송을 가능하게 한다. 인접한 분자들간의 분자 오비탈 중첩은, 분자간 전하의 전송을 가능하게 한다.
소 분자 또는 단쇄 올리고머의 박막은 유기물 재료의 경우에 최고의 이동도를 보인다. 이같은 높은 이동도를 보이는 소 분자/단쇄 올리고머는 열적 증발에 의해 증착되는데, 이 경우 이 박막내에서의 높은 질서도는 오비탈 중첩을 제공하여 인접한 분자들 사이에서의 전하 전송을 제공한다. 장쇄 폴리머는 잘 용해하고 스핀-코팅과 딥-코팅과 같은 저비용 기술에 의한 증착이 가능하다는 장점이 있지만, 그들의 무질서로 인해 낮은 이동도를 갖는다.
유기물 재료는 TFT를 위한 반도체를 열 증발, 스핀-코팅 및 딥-코팅과 같은 저가의 용이한 증착에 따라 증착할 수 있게 해 주지만 그들의 이동도는 여전히 바람직한 것보다 낮다. 소 분자/단쇄 올리고머에 대한 전형적인 이동도는 10-3내지 10-1㎠/V*sec사이의 범위이고 장쇄 폴리머의 전형적인 이동도는 10-8내지 10-2㎠/V*sec사이의 범위이다. 기록되어진 최상의 이동도는 펜타센의 박막인 경우에는 0.7㎠/V*sec이고 디헥실, α-섹시티오펜의 박막의 경우에는 0.13㎠/V*sec이다. 단일 결정 α-섹시티오펜에 대해 측정된 0.3㎠/V*sec의 이동도는 이 재료에 대한 이동도에 있어서 상한을 나타낸다. 유기물 반도체의 이동도는 비정질 실리콘의 이동도와 필적한다.
유기물-무기물 혼성 재료는 단일 재료내에 유기물 및 무기물 성분의 유용한 특성을 결합할 수 있게 하는 독특한 부류의 재료이다. 이러한 부류의 재료 중 몇몇 멤버들은 반도전성 특성을 나타낸다. 이러한 기술을 위해, 유기물-무기물 혼성 재료는 분자 레벨상에서 함께 혼합된 유기물 및 무기물 성분으로 이루어져 있는데, 이 경우 1) 상기 재료는 각각의 유기성분 대 각각의 무기성분의 비율이 실질적으로 고정되어 있는 특징이 있고 2) 적어도 하나의 성분이 반도전성이고 3) 상기 유기물과 무기물 성분은 모두, 그들간의 자기 어셈블리를 예측 가능한 배열로 가능하게 하는 힘을 발휘한다.
유기물-무기물 혼성 재료의 일례는 유기물-무기물 페로브스카이트 구조의 형태를 취한다. 층상 페로브스카이트는 자연스럽게, 모서리를 공유하는 금속 할로겐화물 8면체의 2차원 반도체 층과 유기물 층이 번갈아 적층된 양자 웰 구조를 형성한다.
그러한 유기물-무기물 혼성 재료를 마련하기 위하여, 스핀 코팅이 적합한데, 이는 많은 유기물-무기물 페로브스카이트가 통상적인 수용액 또는 유기물 용매에 잘 용해하기 때문이다. 이 방법을 사용하면, 고품질, 고도로 배향된 층상 페로브스카이트 박막이 획득된다. 진공 증발 기술은 또한 층상 페로브스카이트의 박막을 성장시키는데 사용되고 있다. "Single-Source Thermal Ablation Method for Deposition Organic-Inorganic Hybrid Films"이란 명칭의 계류중인 미국 특허 출원(도켓 번호 Y09-98-451)과 "Two-Step Dipping Technique for the Preparation of Organic-Inorganic Perovskite Thin Films"이란 명칭의 계류중인 미국 특허 출원(도켓 번호 Y09-97-327)은 본 출원인과 동일한 양수인에게 양도되어 있는 것으로, 모두 유기물-무기물 혼성 재료를 위한 대안적인 증착 방법에 대해 기술한다. 전술한 출원들의 개시내용은 본 명세서에 참조로서 인용된다.
따라서, 본 발명의 목적은 유기물-무기물 혼성 재료를 반도전성 채널로서 사용하는 개선된 FET 구조를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 저비용으로 처리될 수 있는 개선된 FET 구조를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 FET 구조는 유기물-무기물 혼성 재료를 디바이스의 소스와 드레인 전극 사이의 반도전성 채널로 사용한다. 이 유기물-무기물 재료는 무기성 결정 고체의 장점과 유기물 재료의 장점을 결합한다. 무기물 성분은 무기성 결정 고체의 고 캐리어 이동도 특성을 제공하기 위해 연장된 무기물 1-,2- 또는 3-차원 네트워크를 형성한다. 이 유기물 성분은 이러한 재료들의 자기-어셈블리를 용이하게 하고, 이 재료들이 스핀-코팅, 딥-코팅 또는 열 증발과 같은 간단한 저온 처리 조건에 의해 증착될 수 있게 해준다. 유기물 성분은 또한 무기물 단위간의 전자 결합을 정의하고 무기물 성분의 차원을 정의함으로써, 무기물 구조의 전기적 특성을 조절하는데 사용된다.
도 1은 페로브스카이트 구조에 기반한 경우에 있어서, 유기물-무기물 혼성 재료 중 일례의 구조를 도시한 도면,
도 2는 TFT 디바이스 구조내의 스핀 코팅에 의해 증착된 페네틸암모늄 주석 요오드화물((PEA)2SnI4) 박막의 X-레이 회절 패턴도,
도 3은 유기물-무기물 혼성 재료를 반도전성 채널로서 채택하는 제 1 TFT 구조의 단면도,
도 4는 유기물-무기물 혼성 재료를 반도전성 채널로서 채택하는 제 2 TFT 구조의 단면도,
도 5는 유기물-무기물 혼성 재료 (PEA)2SnI4를 액티브 반도체 재료로서 갖는 TFT에 대한 IDS대 VDS의 그래프,
도 6은 유기물-무기물 혼성 재료 (PEA)2SnI4를 액티브 반도체 재료로서 가지는 TFT에 대한 IDS대 VDS의 그래프와 이 시점에 따라 획득된 최상의 특성을 도시한도면,
도 7은 알킬기 디암모늄 양이온을 액티브 반도체 재료로서 포함하는 유기물-무기물 혼성 재료를 갖는 TFT에 대한 IDS대 VDS의 그래프.
본 발명은 박막 FET에서 유기물-무기물 혼성 재료를 반도전성 채널로서 사용한다. 유기물 및 무기물 재료의 분자 규모의 혼성물을 포함하는 유기물-무기물 혼성 재료는 잠재적으로 비정질 실리콘 보다 높은 캐리어 이동도를 제공하면서, 아울러 증착하는데 있어 저렴하고 용이하다. 무기물 성분은 결정형 무기물 반도체의 고 이동도 특성을 제공하면서, 동시에 유기물 성분은 용액 또는 가스 페이즈(gas phase)로부터 재료의 자기-어셈블리에 기여한다. 유기물-무기물 혼성 재료는 스핀-코팅, 딥-코팅 또는 열 증발 기술을 포함하는 다수의 기술들에 의해 증착될 수 있다. 유기물 반도체에서와 같이, 이러한 방법은 대 영역 애플리케이션의 경우에 있어서, 저비용과 대 영역 증착의 요건에 부합될 수 있다. 이러한 증착 기술의 저온 처리 조건은 또한 가요성(flexible) 애플리케이션의 경우에 있어서, 플라스틱 기판상에 이러한 재료들이 증착될 수 있게 해준다. 일반적으로, 유기물-무기물 혼성 재료는 유기물 반도전성 재료를 위해 발표된 모든 애플리케이션에서 대체될 수 있다. 프로세싱의 용이함 이외에도, 이러한 물질의 잠재적인 고 이동도는 그들의 응용을 현재 비정질 실리콘 또는 유기물 반도체에서 가능한 것 보다 더 높은 속도의 디바이스로 연장할 수 있다.
본 발명은 유기물-무기물 혼성 재료를 액티브 반도체 층으로 갖는 박막 FET를 포함한다. 도 1은 3-차원 페로브스카이트 구조 ABX3에 기반한 유기물-무기물 혼성 재료(10)의 일례를 도시한다. 이 페로브스카이트 구조는 모서리 공유형(corner-sharing) BX6정팔면체(12) 구조를 갖는다. 각각의 정팔면체(12)는 꼭지점에서 6개의 음이온(X)과 중심에서 하나의 양이온(B)에 의해 정의된다(결정 개략도(18)를 참조할 것). 양이온(A)은 정팔면체(12)사이의 공간내에 위치한다.
3차원 페로브스카이트 구조에 기반한 층상 무기 화합물 페로브스카이트는 <100> 또는 <110> 평면을 따라 n-층(n=1에서 무한대)의 두께로 절단함으로써 시각화할 수 있다. 유기물-무기물 혼성 재료에서, 페로브스카이트 판의 음이온 무기물 BX6정팔면체는 교번층을 형성하고/하거나 양이온(A) 격자 위치내에 위치하는 양이온 유기 분자(20)에 의해 전하 밸런싱 된다. 이러한 물질들의 예로서 B=14족 (ⅣA)의 전이 금속 및 희토류 원소, X=할로겐(Cl,Br 또는 I), A= 유기물 암모늄 또는 디암모늄 양이온을 포함한다. 유기물 암모늄과 디암모늄 양이온은 알칸 등의 지방족이거나 예에서 제시된 바와 같은 방향족일 수 있다. 다른 방향족 분자는 헤테로시클릭(heterocyclic) 분자를 포함한다. 이 유기물 분자는 제시된 예에서와 같이 절연성이거나 올리고-티오펜과 같은 반도전성일 수 있다.
무기물 페로브스카이트 판(12)과 유기물 층(20)은 강한 이온 및 수소 결합에 의해 결합된다. 이온 결합은 유기물-무기물 혼성물이 특정 화학량(stoichiometry)을 갖도록 하며, 유기물 분자가 잘 정의된 결정학적인 사이트에 위치할 것을 요구한다. 유기물과 무기물 층 사이의 결합은 이러한 혼성 물질이 박막 결정질로서 증착되도록, 또는 단결정으로서 성장되도록 한다.
도 2는 TFT 디바이스 구조내에 증착된 유기물-무기물 혼성 재료 페네틸암모늄 주석 요오드화물((PEA)2SnI4)의 X-레이 회절 패턴이다. 단지 (001)반사만이 존재한다는 것은, 이 재료가 잘 배향된 결정 박막으로서 증착되고, 유기물 및 무기물판이 반도체 기판에 대해 평행함(또는, 그 구조의 C-축이 반도체 기판에 대해 수직임)을 입증한다.
상술한 유기물-무기물 페르보스카이트뿐만 아니라 다른 유기물-무기물 혼성 재료는 무기성 결정질 반도체의 장점과 유기물 재료의 장점을 결합한다. 이 무기물 성분은 무기성 결정질 고체의 높은 캐리어 이동도 특성을 제공하기 위해, 연장된 무기물 1-, 2-, 또는 3-차원 네트워크를 형성한다. 이 유기물 성분은 이러한 재료의 자기-어셈블리를 용이하게 한다. 이것은 이 재료가 스핀-코팅, 딥-코팅 또는 열 증발과 같은 간단한 저온 처리 조건에 의해 증착될 수 있도록 한다. 이 유기물 성분은 무기물 단위 사이에서의 전기적 결합 및 무기물 성분의 차원을 정의함으로써, 무기물 구조의 전기적 특성을 조절하는데 또한 사용된다.
도 3은 전형적인 TFT 디바이스 구조(30)의 단면도를 도시한다. TFT(30)는 유기물-무기물 혼성 재료 층(32)을 포함한다. 층(32)은 유기물-무기물 페로브스카이트이고, 소스(34)와 드레인 전극(36)사이의 반도전성 채널로서 작용한다. X-레이 회절에 의해 도시된 이 재료의 배향(orientation)은 이 2차원 무기물 판(12)이 소스(34)와 드레인 전극(36)사이에서 전기적 접속을 마련하도록 하는 것이다. 이 유기물-무기물 반도체의 콘덕턴스(conductance)는 기판(42)에 의해 지지되는 (축퇴 도핑된 n++ 실리콘 층과 같은)게이트 전극(40)에 의해, 얇은 SiO2막과 같은 전기적인 절연 층(38)에 걸쳐 변조된다.
유기물-무기물 혼성 재료(32)는 소스(34)와 드레인 전극(36)의 금속 증착 이전 또는 이후에 증착될 수 있다. 이후에 유기물-무기물 혼성 재료(32)를 증착하는 것은 금속화 공정 동안 잠재적으로 손상을 입히는 고온으로의 이 재료의 노출을 감소시킨다.
도 3이 전형적인 FET 구조 배열을 설명하지만, 대안적인 구조들이 본 발명의 범위내에서 예상된다. 대안적인 FET 구조의 각각의 요소가 도 3과 동일한 참조 부호로서 매겨져 도시된 도 4를 보자. 대안적인 기판은 폴리이미드와 폴리카보네이트와 같은 플라스틱을 포함하며, 이것들은 가요성 디바이스를 형성하는데 사용될 수 있다. 그러한 배열에서, 패턴화된 금속 게이트 전극은 음영 마스크를 통해 또는 포토리소그래피에 의해 기판상에 증착된다. 다음에, 이 게이트 절연체는 스핀-코팅, 화학적 기상 증착 , 스퍼터링 또는 진공 증착과 같은 다양한 방법 ―여기에 한정되는 것은 아님 ―중 하나에 의해 증착된다. 다음에, 이 유기물-무기물 혼성 재료 및 소스와 드레인 전극은 상술한 바와 같이 증착된다.
유기물-무기물 혼성 재료 (PEA)2SnI4로 마련된 TFT를 위해 원하는 전계-변조 콘덕턴스와 전류 포화 상태를 나타내는 예비 데이터가 도 5에 도시된다. 측정된 디바이스에서, ~100A (PEA)2SnI4 층은 5000A 두께의 SiO2게이트 산화물 상에 아세토니트릴로부터 스핀-코팅된다. 이 반도체 채널은 길이가 70㎛이고 폭이 1500㎛인 Au전극에 의해 정의된다. 일반적으로, Au, Pd 및 Pt와 같은 고 일 함수 금속(high work function metal)은 이 유기물-무기물 혼성 재료에 대한 "양호한" 오옴 콘택트를 형성한다. (PEA)2SnI4는 홀(정공)을 반도체 층을 통하여 전송하므로 "p-형" 재료이다. 이는, 네거티브 게이트 바이어스(VG)와 소스-드레인 전압(VDS)이 증가함에 따라 반도전성 채널(ID)에 흐르는 전류가 증가하므로, 분명하다. 도 6은 액티브 반도체 재료로서 유기물-무기물 혼성 재료 (PEA)2SnI4를 구비한 TFT에 대한 IDS대 VDS의 그래프이고 데이트(date)에 따라 획득된 최상의 특성을 도시한다.
도 7은 액티브 반도체 재료로서 알킬 디암모늄 양이온(즉 BDASnI4:부틸 디암모늄 주석 요오드화물)을 포함하는 유기물-무기물 혼성 재료를 구비한 TFT에 대한 IDS대 VDS의 그래프이다.
0.06 내지 0.25㎠/V*sec의 이동도는 기대한 고유값 보다 낮음에도 불구하고, 이미 비정질 실리콘의 이동도와 최상의 유기물 반도체에 근접하고 있다. 특히, 이러한 이동도는 스핀-코팅된 유기물 반도체의 경우보다 높다. 보다 높은 고유 이동도의 획득이 달성되리라 예상된다. 전계 효과 이동도가 측정되지 않았지만, 홀 효과 이동도의 기록은 ~1내지 100 ㎠/V*sec사이의 범위를 갖는다. 홀 이동도와 전계 효과 이동도 사이의 관계는 복잡할 수도 있지만, 매우 단순한 이론상, 이들은 비례한다고 예상된다. 따라서, 이러한 대규모 홀 효과 이동도는 비정질 실리콘의 이동도를 능가하는 유사한 대규모 전계 효과 이동도가 달성될 수 있음을 암시한다. 고 이동도를 보장하는 유기물-무기물 혼성 재료이외에도, 이들은 또한 무기물 고체에 통용되는 것 보다 저렴한 처리 기술에 의해 증착될 수 있다. 이 기술은 스핀-코팅, 딥-코팅, 또는 열 증발 기술을 포함한다.
유기물-무기물 혼성 재료의 전기적 특성은 화학성질(chemistry)을 통하여 조절될 수 있다. 유기물-무기물 혼성 재료로서 사용가능한 유기물과 무기물 성분의 범위는 넓다. 이 애플리케이션에 대한 유일한 요건은, 유기물과 무기물 성분 중 어느 하나 혹은 양쪽이 반드시 반도전성이여야 한다는 것이다. 바람직한 특성을 갖고 있는 물질은 화학, 결정 구조, 무기물 성분의 차원, 유기물 성분의 길이 및 화학적 기능성을 선택함으로써 설계될 수 있다. 유기물-무기물 혼성 재료의 화학에서의 융통성을 사용하여, 상보형 로직과 통상의 온(on)- 또는 오프(OFF) TFT에 바람직한 n-형 및 p-형 전송 재료를 마련할 수 있다.
상술한 기술은 다만 발명의 설명 목적으로 이해되어야 한다. 다양한 대체물과 변형은 본 발명으로부터 벗어남이 없이 당업자에 의해 고안될 수 있다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구 범위의 범주내에 포함되는 모든 대체물과 변형 및 변경을 포함하는 것으로 한다.
본 발명은 유기물-무기물 혼성 재료를 반도전성 채널로서 사용하는 개선된 FET 구조를 제공하고, 저비용으로 처리할 수 있는 개선된 FET 구조를 제공한다.
Claims (11)
- 전계 효과 트랜지스터(FET)에 있어서,소스 영역 및 드레인 영역과,상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 연장되는 채널 층과,상기 채널에 이격되어 인접하게 배치된 게이트 영역과,상기 게이트 영역과 상기 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 층 사이의 전기 절연 층을 포함하되,상기 채널 층은 반도체 유기물-무기물 혼성 재료를 포함하는 전계 효과 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 소스 영역, 채널 층과 드레인 영역은 기판의 표면 상에 배치되며, 상기 전기적 절연 층은 상기 채널 층상에 배치되고 상기 소스 영역으로부터 상기 드레인 영역까지 연장되며, 상기 게이트 영역은 상기 전기적 절연 층 위에 배치되는 전계 효과 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 영역은 기판의 표면상의 게이트 층으로서 배치되고, 상기 전기적 절연 층은 상기 게이트 층상에 배치되고, 상기 소스 영역, 채널 층과 드레인 영역은 상기 전기적 절연 층상에 배치되는 전계 효과 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기물-무기물 혼성 재료는 분자 레벨상에서 함께 혼합된 유기물 성분과 무기물 성분으로 구성되며,상기 재료는 각각의 유기물 성분 대 각각의 무기물 성분의 비율이 실질적으로 고정되어 있는 것을 특징으로 하고,적어도 하나의 성분은 반도전성이며,유기물과 무기물 성분은 이들간의 자기 어셈블리(self-assembly)를 예측 가능한 배열로 가능하게 하는 힘을 발휘하는 전계 효과 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 반도체 유기물-무기물 혼성 재료는 페로브스카이트 결정 구조를 갖는 무기물 성분을 포함하는 전계 효과 트랜지스터.
- 제 5 항에 있어서,상기 반도체 유기물-무기물 혼성 재료는 알킬 모노암모늄 양이온을 포함하는 전계 효과 트랜지스터.
- 제 5 항에 있어서,상기 반도체 유기물-무기물 혼성 재료는 페네틸암모늄 주석 요오드화물((PEA)2SnI4)을 포함하는 전계 효과 트랜지스터.
- 제 5 항에 있어서,상기 반도체 유기물-무기물 혼성 재료는 알킬 디암모늄 양이온을 포함하는 전계 효과 트랜지스터.
- 제 8 항에 있어서,상기 반도체 유기물-무기물 혼성 재료는 반도체 재료로서 BDASnI4( 부틸기 디암모늄 주석 요오드화물)를 포함하는 전계 효과 트랜지스터.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 기판은 가요성(flexible) 재료를 포함하는 전계 효과 트랜지스터.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 기판은 플라스틱 재료를 포함하는 전계 효과 트랜지스터.
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