DE10006257A1 - Dünnfilmtransistoren mit organisch-anorganischen Hybridmaterialien als halbleitende Kanäle - Google Patents

Dünnfilmtransistoren mit organisch-anorganischen Hybridmaterialien als halbleitende Kanäle

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Abstract

Eine FET-Struktur gemäß der erfindung verwendet ein organisch-anorganisches Hybridmaterial als halbleitenden Kanal zwischen Source- und Drain-Elektroden des Bauelements. Das organisch-anorganische Material kombiniert die Vorteile eines anorganischen, kristallinen Feststoffes mit jenen eines organischen Materials. Die anorganische Komponente bildet ein ausgedehntes, anorganisches ein,- zwei- oder dreidimensionales Netzwerk, um die Eigenschaft hoher Trägerbeweglichkeiten von anorganischen, kristallinen Feststoffen bereitzustellen. Die organische Komponente erleichtert den Selbstaufbau dieser Materialien und ermöglicht, daß die Materialien durch einfache Niedertemperatur-Prozeßbedingungen aufgebracht werden können, wie Aufschleudern, Eintauchbeschichtung oder thermische Verdampfung. Die organische Komponente wird außerdem dazu verwendet, die elektronischen Eigenschaften des anorganischen Netzwerkes maßzuschneidern, indem sie die Dimensonalität der anorganischen Komponente und die elektronische Kopplung zwischen anorganischen Einheiten definiert.

Description

GEBIET DER ERFINDUNG
Diese Erfindung bezieht sich auf Dünnfilm- Feldeffekttransistorstrukturen (thin film field effect transistor structures) und spezieller auf solche Transistorstrukturen, die organisch-anorganische Hybridmaterialien als halbleitende Kanäle darin verwenden.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Dünnfilmtransistoren (thin film transistors), bekannt als TFTs, werden vielfach als Schaltelemente in der Elektronik verwendet, insbesondere für großflächige Anwendungen, wie Flüssigkristallanzeigen mit aktiver Matrix. Der TFT ist ein Beispiel für einen Feldeffekttransistor (FET: field effect transistor). Der am besten bekannte FET ist der MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-FET) (Metal-Oxide-Semiconductor- FET), das herkömmliche Schaltelement von heute für elektronische Hochgeschwindigkeitsanwendungen. Während sich der MOSFET speziell auf SiO2/Volumen-Si-Transistoren bezieht, sind allgemeinere Kombinationen von Metall-Isolator- Halbleitern als MISFETs bekannt. Der TFT ist ein MISFET, bei dem die aktive Halbleiterschicht als Dünnfilm aufgebracht ist.
Gegenwärtig werden TFTs in den meisten Bauelementen unter Verwendung von amorphem Silicium als dem Halbleiter hergestellt. Amorphes Silicium stellt eine billigere Alternative gegenüber kristallinem Silicium bereit - eine notwendige Bedingung für eine Reduzierung der Kosten von Transistoren, die in großflächigen Anwendungen verwendet werden. Die Anwendung von amorphem Silicium ist auf Bauelemente mit geringeren Geschwindigkeiten beschränkt, da seine Beweglichkeit, ~10-1 cm2/V.sec, 15.000 × kleiner als jene von kristallinem Silicium ist. Wenngleich amorphes Silicium kostengünstiger aufzubringen ist als kristallines Silicium, erfordert die Deposition von amorphem Silicium dennoch kostspielige Prozesse, wie plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (plasma enhanced chemical vapour deposition).
In der letzten Zeit haben organische Halbleiter Beachtung als potentielle Halbleiterkomponenten für TFTs gefunden. Siehe zum Beispiel US-Patent 5 347 144 für Garnier et al. mit dem Titel "Thin-Layer Field Effect Transistors With MIS Structure Whose Insulator and Semiconductor Are Made of Organic Materials". Organische Materialien (z. B. kleine Moleküle, kurzkettige Oligomere und Polymere) können eine weniger kostenintensive Alternative zu anorganischen Materialien für TFT-Strukturen sein, da sie durch Verfahren wie Aufschleudern (spin-coating), Eintauchbeschichtung (dip- coating) aus einer Lösung, thermische Verdampfung (thermal evaporation) oder Siebdrucken (screen printing) einfacher herzustellen sind. Wenngleich die Beweglichkeiten von organischen Materialien verbessert wurden, sind ihre Beweglichkeiten dennoch weiterhin gering, und lediglich die besten Materialien weisen Beweglichkeiten auf, die jenen von amorphem Silicium nahekommen.
Organische Halbleiter sind weniger teuer und leichter aufzubringen als herkömmliches, amorphes Silicium. Derartige organische Materialien sind entweder kleine Moleküle (z. B. Pentacen, Metall-Phthalocyanine), kurzkettige Oligomere (z. B. n-Thiophene mit n = 3 bis 8), oder langkettige Polymere (z. B. Polyalkylthiophene oder Polyphenylenvinylene). Ein atomares orbitales Überlappen zwischen benachbarten, mehrfach gebundenen Atomen, bekannt als Konjugation, ermöglicht den Transport von Ladung entlang von Molekülen, Oligomeren und Polymeren. Ein molekulares orbitales Überlappen zwischen benachbarten Molekülen ermöglicht einen intermolekularen Ladungstransport.
Dünne Filme aus kleinen Molekülen oder kurzkettigen Oligomeren zeigen die höchsten Beweglichkeiten für organische Materialien. Die kleinen Moleküle/kurzkettigen Oligomere, die diese hohen Beweglichkeiten zeigen, wurden durch thermische Verdampfung aufgebracht, wobei sie als hochgradig geordnete Dünnfilme abgeschieden werden. Der hohe Grad an Ordnung in den Filmen liefert eine orbitale Überlappung und daher einen Ladungstransport zwischen benachbarten Molekülen. Langkettige Polymere sind vorteilhaft, da sie löslicher sind, was eine Deposition durch preiswerte Techniken, wie Aufschleudern und Eintauchbeschichtung, ermöglicht, sie weisen jedoch geringere Beweglichkeiten auf, da sie ungeordneter sind.
Wenngleich organische Materialien die Möglichkeit der Aufbringung von Halbleitern für TFTs durch kostengünstigere und einfachere Depositionstechniken eröffnen, wie thermische Verdampfung, Aufschleudern und Eintauchbeschichtung, sind ihre Beweglichkeiten dennoch geringer als erwünscht. Typische Beweglichkeiten für kleine Moleküle/kurzkettige Oligomere liegen im Bereich von 10-3 cm2/V.sec bis 10-1 cm2/V.sec, und für langkettige Polymere liegen sie im Bereich von 10-8 cm2/V.sec bis 10-2 cm2/V.sec. Die höchsten Beweglichkeiten, die berichtet wurden, sind 0,7 cm2/V.sec für Dünnfilme aus Pentacen und 0,13 cm2/V.sec für Dünnfilme aus Dihexyl,α-sexithiophen. Eine Beweglichkeit von 0,3 cm2/V.sec, die für einkristallines α-Sexithiophen gemessen wurde, repräsentiert die Obergrenze der Beweglichkeit für dieses Material. Die Beweglichkeiten von organischen Halbleitern konkurrieren mit jenen von amorphem Silicium.
Organisch-anorganische Hybridmaterialien sind eine bestimmte Klasse von Materialien, die das Kombinieren der nützlichen Eigenschaften von organischen und anorganischen Komponenten innerhalb eines einzigen Materials ermöglichen. Einige Elemente dieser Klasse von Materialien zeigen halbleitende Eigenschaften. Für die Zwecke dieser Beschreibung ist ein organisch-anorganisches Hybridmaterial ein Material, das besteht aus: organischen Komponenten und anorganischen Komponenten, die auf einem molekularen Niveau zusammengemischt werden, wobei (i) das Material durch ein im wesentlichen festes Verhältnis von jeder organischen Komponente zu jeder anorganischen Komponente charakterisiert ist; wobei (ii) wenigstens eine Komponente halbleitend ist; und wobei (iii) sowohl organische als auch anorganische Komponenten Kräfte zeigen, die einen Selbstaufbau zwischen diesen in eine vorhersagbare Anordnung ermöglichen.
Ein Beispiel für ein organisch-anorganisches Hybridmaterial besitzt die Form einer organisch-anorganischen Perovskit- Struktur. Geschichtete Perovskite bilden natürlicherweise eine Quantenmuldenstruktur, bei der eine zweidimensionale Halbleiterschicht aus Metall-Halogenid-Oktaedern mit gemeinsamen Ecken und eine organische Schicht abwechselnd gestapelt sind.
Für die Herstellung derartiger organisch-anorganischer Hybridmaterialien sind Aufschleuder-Techniken geeignet, da viele organisch-anorganische Perovskite in herkömmlichen wäßrigen oder organischen Lösungsmitteln löslich sind. Unter Verwendung dieses Verfahrens wurden geschichtete Perovskit- Dünnfilme mit hoher Orientierung und hoher Qualität erzielt. Außerdem wurden Vakuum-Aufdampfungstechniken verwendet, um Filme aus geschichteten Perovskiten aufzuwachsen. Die gleichzeitig anhängige US-Patentanmeldung, Seriennr. 192 130 mit dem Titel "Single-Source Thermal Ablation Method for Depositing Organic-Inorganic Hybrid Films" und die US- Patentanmeldung Nr. 5 871 579 mit dem Titel "Two-Step Dipping Technique for the Preparation of Organic-Inorganic Perovskite Thin Films", die auf den Anmelder dieser Anmeldung übertragen wurden, beziehen sich beide auf alternative Depositionsverfahren für organisch-anorganische Hybridmaterialien. Die Offenbarung der zuvor erwähnten Anmeldungen wird hierin durch Verweis aufgenommen.
Demgemäß besteht eine Aufgabe dieser Erfindung darin, eine verbesserte FET-Struktur bereitzustellen, die ein organisch- anorganisches Hybridmaterial als halbleitenden Kanal verwendet.
Eine weitere Aufgabe dieser Erfindung besteht in der Bereitstellung einer verbesserten FET-Struktur, die mit geringen Kosten gefertigt werden kann.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Eine FET-Struktur gemäß der Erfindung verwendet ein organisch-anorganisches Hybridmaterial als den halbleitenden Kanal zwischen Source- und Drainelektrode des Bauelements. Das organisch-anorganische Material kombiniert die Vorteile eines anorganischen, kristallinen Feststoffes mit jenen eines organischen Materials. Die anorganische Komponente bildet ein ausgedehntes, anorganisches ein-, zwei- oder dreidimensionales Netzwerk, um die Eigenschaft hoher Trägerbeweglichkeiten von anorganischen, kristallinen Feststoffen bereitzustellen. Die organische Komponente erleichtert den Selbstaufbau dieser Materialien und ermöglicht es, daß die Materialien durch einfache Niedertemperatur-Prozeßbedingungen, wie durch Aufschleudern, Eintauchbeschichtung oder thermische Verdampfung, aufgebracht werden. Die organische Komponente wird außerdem dazu verwendet, die elektronischen Eigenschaften des anorganischen Netzwerks maßzuschneidern, indem sie die Dimensionalität der anorganischen Komponente und die elektronische Kopplung zwischen anorganischen Einheiten definiert.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Fig. 1 stellt die Struktur eines Beispiels eines organisch- anorganischen Hybridmaterials dar, in diesem Fall basierend auf der Perovskit-Struktur.
Fig. 2 ist ein Röntgenbeugungsmuster (X-ray diffraction pattern) eines Phenethylammonium-Zinniodid((PEA)2SnI4)-Films, der durch Aufschleudern in einer TFT-Bauelementstruktur aufgebracht wurde.
Fig. 3 ist eine Querschnittansicht einer ersten TFT- Struktur, in die ein organisch-anorganisches Hybridmaterial als halbleitender Kanal eingebaut ist.
Fig. 4 ist eine Querschnittansicht einer zweiten TFT- Struktur, in die ein organisch-anorganisches Hybridmaterial als halbleitender Kanal eingebaut ist.
Fig. 5 ist eine graphische Darstellung von IDS in Abhängigkeit von Vers für einen TFT mit dem organisch- anorganischen Hybridmaterial (PEA)2SnI4 als dem aktiven Halbleitermaterial.
Fig. 6 ist eine graphische Darstellung von IDS in Abhängigkeit von VDS für einen TFT mit dem organisch- anorganischen Hybridmaterial (PEA)2SnI4 als dem aktiven Halbleitermaterial, das die besten bis heute erreichten Charakteristika zeigt.
Fig. 7 ist eine graphische Darstellung von IDS in Abhängigkeit von VDS für einen TFT mit dem organisch- anorganischen Hybridmaterial, das ein Alkyldiammonium-Kation (d. h. BDASnI4 (Butyldiammoniumzinniodid)) als das aktive Halbleitermaterial enthält.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
Diese Erfindung verwendet organisch-anorganische Hybridmaterialien als halbleitende Kanäle in Dünnfilm-FETs. Organisch-anorganische Hybridmaterialien, die Komposite von organischen und anorganischen Materialien im molekularen Maßstab beinhalten, bieten potentiell höhere Trägerbeweglichkeiten als amorphes Silicium, während sie außerdem kostengünstig und leicht aufzubringen sind. Die anorganische Komponente liefert die Eigenschaft der hohen Beweglichkeit eines kristallinen, anorganischen Halbleiters, während die organische Komponente zum Selbstaufbau des Materials entweder aus einer Lösung oder aus der Gasphase beiträgt. Die organisch-anorganischen Hybridmaterialien können durch eine Anzahl von Techniken aufgebracht werden, die Aufschleuder-, Eintauchbeschichtungs- oder thermische Verdampfungstechniken umfassen. Wie bei organischen Halbleitern sind diese Verfahren kompatibel mit den Anforderungen sowohl hinsichtlich geringer Kosten als auch großflächiger Deposition für großflächige Anwendungen. Die Niedertemperatur-Prozeßbedingungen dieser Depositionstechniken eröffnen außerdem die Möglichkeit, diese Materialien auf Kunststoffsubstraten für flexible Anwendungen aufzubringen. Im Allgemeinen können organisch- anorganische Hybridmaterialien in allen Anwendungen ersetzend eingesetzt werden, die für organische Halbleitermaterialien entwickelt wurden. Zusätzlich zur Einfachheit der Fertigung können die potentiell höheren Beweglichkeiten dieser Materialien ihre Anwendung auf Bauelemente mit höherer Geschwindigkeit ausdehnen, als es gegenwärtig mit entweder amorphem Silicium oder organischen Halbleitern möglich ist.
Die Erfindung beinhaltet einen Dünnfilm-FET mit einem organisch-anorganischen Hybridmaterial als der aktiven Halbleiterschicht. Fig. 1 stellt ein Beispiel eines organisch-anorganischen Hybridmaterials 10 dar, das auf einer dreidimensionalen Perovskit-Struktur ABX3 basiert. Die Perovskit-Struktur beinhaltet BX6-Oktaeder 12 mit gemeinsamen Ecken. Jeder Oktaeder 12 ist durch sechs X-Anionen an den Vertices und einem B-Kation in der Mitte definiert (siehe Kristallschema 18). Die A-Kationen sitzen in den großen Lücken zwischen den Oktaedern 12.
Anorganische geschichtete Verbindungen, die auf der dreidimensionalen Perovskit-Struktur basieren, kann man sich vorstellen, indem man einen "Schnitt" einer Dicke von n Schichten (n = 1 bis unendlich) entlang den <100<- oder <110<-Ebenen des Perovskits nimmt. In den organisch- anorganischen Hybridmaterialien werden die anionischen, anorganischen BX6-Oktaeder der Perovskit-Lagen durch kationische, organische Moleküle 20 ladungsmäßig ausgeglichen, die alternierende Schichten bilden und/oder in den A-Kation-Zwischengitterplätzen sitzen. Beispiele für diese Materialien beinhalten B = Gruppe 14 (IV A), Übergangsmetallelemente und Elemente der seltenen Erden; X = Halogen (Cl, Br oder I) und A = organisches Ammonium- oder Diammonium-Kation. Das organische Ammonium- oder Diammonium- Kation kann aliphatisch, wie ein Alkan, oder aromatisch sein, wie in dem bereitgestellten Beispiel. Andere aromatische Moleküle beinhalten heterozyklische Moleküle. Die organischen Moleküle können isolierend, wiederum wie in dem bereitgestellten Beispiel, oder halbleitend sein, wie Oligothiophene.
Anorganische Perovskit-Lagen 12 und organische Schichten 20 sind durch starke, ionische und Wasserstoff-Bindungen gebunden. Die ionische Bindung erfordert, daß die organisch- anorganische Verbindung eine spezifische Stöchiometrie aufweist und die organischen Moleküle an gut definierten kristallographischen Stellen sitzen. Die Bindung zwischen den organischen und anorganischen Schichten bewirkt, daß diese Hybridmaterialien als kristalline Dünnfilme aufgebracht werden oder als Einkristalle aufwachsen.
Fig. 2 ist ein Röntgenbeugungsmuster des organisch- anorganischen Hybridmaterials Phenethylammoniumzinniodid (PEA)2SnI4, das in einer TFT-Bauelementstruktur aufgebracht ist. Das Vorhandensein lediglich der (001)-Reflektionen demonstriert, daß sich das Material als gut orientierter, kristalliner Dünnfilm abscheidet, wobei die organischen und anorganischen Lagen parallel (oder mit senkrechter c-Achse der Struktur) zu dem Halbleitersubstrat liegen.
Die oben beschriebenen organisch-anorganischen Perovskite ebenso wie andere organisch-anorganische Hybridmaterialien kombinieren die Vorteile eines anorganischen, kristallinen Halbleiters mit jenen eines organischen Materials. Die anorganische Komponente bildet ein ausgedehntes, anorganisches ein-, zwei- oder dreidimensionales Netzwerk, um potentiell die Eigenschaft der hohen Trägerbeweglichkeiten von anorganischen, kristallinen Feststoffen bereitzustellen. Die organische Komponente erleichtert den Selbstaufbau dieser Materialien. Dies ermöglicht, daß die Materialien durch einfache Niedertemperatur-Prozeßbedingungen, wie Aufschleudern, Eintauchbeschichtung oder thermische Verdampfung, aufgebracht werden. Die organische Komponente wird außerdem dazu verwendet, die elektronischen Eigenschaften des anorganischen Netzwerks maßzuschneidern, indem sie die Dimensionalität der anorganischen Komponente und die elektronische Kopplung zwischen anorganischen Einheiten definiert.
Fig. 3 zeigt eine Querschnittansicht einer typischen TFT- Bauelementstruktur 30. Der TFT 30 beinhaltet eine Schicht 32 aus organisch-anorganischem Hybridmaterial. Die Schicht 32 ist ein organisch-anorganischer Perovskit und dient als halbleitender Kanal zwischen Source- und Drainelektroden 34 und 36. Die Orientierung des Materials, wie aus der Röntgenstrahlbeugung ersichtlich, ist derart, daß die zweidimensionalen anorganischen Lagen 12 die elektrische Verbindung zwischen Source- und Drainelektroden 34 und 36 liefern. Die Konduktanz des organisch-anorganischen Halbleiters wird über eine elektrisch isolierende Schicht 38 hinweg, wie einen dünnen SiO2-Film, durch eine Gate-Elektrode 40 (wie eine entartet dotierte n++-Siliciumschicht) moduliert, die sämtlich von dem Substrat 42 getragen sind.
Das organisch-anorganische Hybridmaterial 32 kann entweder vor oder nach der Metalldeposition der Source- und Drainelektroden 34 und 36 aufgebracht werden. Eine erst danach erfolgende Aufbringung von organisch-anorganischem Hybridmaterial 32 reduziert das Maß, in welchem das Material potentiell schädigenden, hohen Temperaturen während einer Metallisierung ausgesetzt ist.
Wenngleich Fig. 3 eine typische FET-Strukturanordnung darstellt, werden auch alternative Strukturen als innerhalb der Grenzen der Erfindung angesehen. Siehe Fig. 4, in der die jeweiligen Elemente einer alternativen FET-Struktur dargestellt und identisch zu Fig. 3 bezeichnet sind. Alternative Substrate umfassen Kunststoffe, wie Polyimid und Polycarbonat, die dazu verwendet werden können, flexible Bauelemente aufzubauen. In einer derartigen Anordnung werden strukturierte Metall-Gateelektroden auf dem Substrat entweder durch eine Schattenmaske oder durch Photolithographie aufgebracht. Der Gate-Isolator wird dann durch eines einer Vielzahl von Verfahren aufgebracht, die Aufschleudern, chemische Gasphasenabscheidung, Sputtern oder Vakuumdeposition umfassen, jedoch nicht darauf beschränkt sind. Das organisch-anorganische Hybridmaterial sowie Source- und Drain-Elektroden werden dann aufgebracht, wie oben beschrieben.
In Fig. 5 sind vorläufige Daten gezeigt, welche die gewünschte feldmodulierte Konduktanz und Stromsättigung für einen TFT darstellen, der mit dem organisch-anorganischen Hybridmaterial (PEA)2SnI4 hergestellt wurde. In dem vermessenen Bauelement wurde eine (PEA)2SnI4-Schicht von ~ 100 Å aus Acetonitril auf ein 5.000 Å dickes SiO2-Gateoxid aufgeschleudert. Der halbleitende Kanal war durch Au- Elektroden zu einer Länge von 70 µm und einer Breite von 1.500 µm definiert. Im Allgemeinen bilden Metalle mit hoher Austrittsarbeit, wie Au, Pd und Pt, "gute" ohmsche Kontakte zu diesem organisch-anorganischen Hybridmaterial. (PEA)2SnI4 ist ein "p-leitendes" Material, da es Löcher durch die Halbleiterschicht transportiert. Dies ist offensichtlich, da der Stromfluß durch den halbleitenden Kanal (ID) mit zunehmender negativer Gate-Vorspannung (VG) und Source-Drain- Spannung (VDS) zunimmt. Fig. 6 ist eine graphische Darstellung von IDS in Abhängigkeit von VDS für einen TFT mit dem organisch-anorganischen Hybridmaterial (PEA)2SnI4 als dem aktiven Halbleitermaterial, das die besten Eigenschaften zeigt, die bis heute erzielt wurden.
Fig. 7 ist eine graphische Darstellung von IDS in Abhängigkeit von VDS für einen TFT mit dem organisch- anorganischen Hybridmaterial, das ein Alkyldiammonium-Kation (d. h. BDASnI4 (Butyldiammoniumzinniodid) als aktives Halbleitermaterial enthält.
Wenngleich Beweglichkeiten von 0,06 cm2/V.sec bis 0,25 cm2/V.sec niedriger als die erwarteten intrinsischen Werte sind, kommen sie bereits jenen von amorphem Silicium und jenen der besten organischen Halbleiter nahe.
Bemerkenswerterweise sind diese Beweglichkeiten höher als für aufgeschleuderte organische Halbleiter. Es wird erwartet, daß die Erzielung der höheren intrinsischen Beweglichkeiten erreichbar ist. Wenngleich Feldeffektbeweglichkeiten nicht gemessen wurden, liegen Berichte von Hall-Effekt-Beweglichkeiten im Bereich von ~1 cm2/V.sec bis 100 cm2/V.sec. Wenngleich die Beziehung zwischen Hall-Beweglichkeiten und Feldeffektbeweglichkeiten komplex sein kann, wird in einer einfachen Theorie angenommen, daß sie proportional sind. Daher legen es diese hohen Hall-Effekt-Beweglichkeiten nahe, daß ähnlich hohe Feldeffekt-Beweglichkeiten erzielt werden können, die jene von amorphem Silicium übersteigen. Zusätzlich dazu, daß die organisch-anorganischen Hybridmaterialien hohe Beweglichkeiten versprechen, können sie auch durch kostengünstigere Prozeßtechniken als jene aufgebracht werden, die für anorganische Feststoffe üblich sind. Die Techniken umfassen Aufschleudern, Eintauchbeschichtung oder thermische Verdampfung.
Die elektronischen Eigenschaften von organisch-anorganischen Hybridmaterialien können durch die Chemie maßgeschneidert werden. Es gibt einen weiten Bereich von organischen und anorganischen Komponenten, die als das organisch- anorganische Hybridmaterial verwendet werden können. Die einzige Anforderung für diese Anwendung besteht darin, daß eine oder beide der organischen und anorganischen Komponenten halbleitend ist/sind. Materialien mit gewünschten Eigenschaften können durch Wählen der Chemie, der Kristallstruktur und der Dimensionalität der anorganischen Komponente sowie der Länge und der chemischen Funktionalität der organischen Komponente entworfen werden. Die Flexibilität der Chemie von organisch-anorganischen Hybridmaterialien kann dazu verwendet werden, sowohl n- als auch p-leitende Transportmaterialien herzustellen, die für komplementär-logische und normale Ein- oder Aus-TFTs erwünscht sind.
Es versteht sich, daß die vorstehende Beschreibung lediglich illustrativ für die Erfindung ist. Verschiedene Alternativen und Modifikationen können durch einen Fachmann ohne Abweichung von der Erfindung in Betracht gezogen werden. Demgemäß ist die vorliegende Erfindung so gedacht, daß sie alle derartigen Alternativen, Modifikationen und Variationen umfaßt, die in den Umfang der beigefügten Ansprüche fallen.

Claims (11)

1. Feldeffekttransistor mit:
einem Source-Bereich und einem Drain-Bereich;
einer Kanalschicht, die sich zwischen dem Source- Bereich und dem Drain-Bereich erstreckt, wobei die Kanalschicht ein halbleitendes, organisch-anorganisches Hybridmaterial beinhaltet;
einem Gate-Bereich, der in beabstandeter Nachbarschaft zu der Kanalschicht angeordnet ist, und
einer elektrisch isolierenden Schicht zwischen dem Gate-Bereich und dem Source-Bereich, dem Drain-Bereich und der Kanalschicht.
2. Feldeffekttransistor, wie in Anspruch 1 angegeben, wobei der Source-Bereich, die Kanalschicht und der Drain-Bereich auf einer Oberfläche eines Substrates angeordnet sind, wobei die elektrisch isolierende Schicht über der Kanalschicht angeordnet ist und sich von dem Source-Bereich zu dem Drain-Bereich erstreckt und wobei der Gate-Bereich über der elektrisch isolierenden Schicht angeordnet ist.
3. Feldeffekttransistor, wie in Anspruch 1 angegeben, wobei der Gate-Bereich als Gateschicht auf einer Oberfläche eines Substrates angeordnet ist, die elektrisch isolierende Schicht auf der Gate-Schicht angeordnet ist und der Source-Bereich, die Kanalschicht sowie der Drain-Bereich auf der elektrisch isolierenden Schicht angeordnet sind.
4. Feldeffekttransistor, wie in Anspruch 1 angegeben, wobei das organisch-anorganische Hybridmaterial ein Material ist, das besteht aus: organischen Komponenten und anorganischen Komponenten, die auf einem molekularen Niveau zusammengemischt sind, und wobei (i) das Material durch ein im wesentlichen festes Verhältnis jeder organischen Komponente zu jeder anorganischen Komponente charakterisiert ist; wobei (ii) wenigstens eine Komponente halbleitend ist; und wobei (iii) sowohl die organische als auch die anorganische Komponente Kräfte zeigen, die einen Selbstaufbau zwischen diesen in eine vorhersagbare Anordnung ermöglichen.
5. Feldeffekttransistor, wie in Anspruch 1 angegeben, wobei das halbleitende, organisch-anorganische Hybridmaterial eine anorganische Komponente mit einer kristallinen Perovskit-Struktur beinhaltet.
6. Feldeffekttransistor, wie in Anspruch 5 angegeben, wobei das halbleitende, organisch-anorganische Hybridmaterial ein Alkylmonoammonium-Kation beinhaltet.
7. Feldeffekttransistor, wie in Anspruch 5 angegeben, wobei das halbleitende, organisch-anorganische Hybridmaterial Phenethylammoniumzinniodid (PEA)2SnI4 ist.
8. Feldeffekttransistor, wie in Anspruch 5 angegeben, wobei das halbleitende, organisch-anorganische Hybridmaterial ein Alkyldiammonium-Kation beinhaltet.
9. Feldeffekttransistor, wie in Anspruch 8 angegeben, wobei das halbleitende, organisch-anorganische Hybridmaterial BDASnI4 (Butyldiammoniumzinniodid) als Halbleitermaterial ist.
10. Feldeffekttransistor, wie in Anspruch 1 angegeben, wobei das Substrat ein flexibles Material beinhaltet.
11. Feldeffekttransistor, wie in Anspruch 1 angegeben, wobei das Substrat ein Kunststoffmaterial beinhaltet.
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DE (1) DE10006257B8 (de)
SG (1) SG82680A1 (de)
TW (1) TW461116B (de)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002065557A1 (de) * 2001-02-09 2002-08-22 Siemens Aktiengesellschaft Organischer feldeffekt-transistor mit fotostrukturiertem gate-dielektrikum, ein verfahren zu dessen erzeugung und die verwendung in der organischen elektronik
EP1413897A1 (de) * 2001-07-31 2004-04-28 Japan Science and Technology Corporation Strahlungsdetektor
US6960489B2 (en) 2000-09-01 2005-11-01 Siemens Aktiengesellschaft Method for structuring an OFET
US7064345B2 (en) 2001-12-11 2006-06-20 Siemens Aktiengesellschaft Organic field effect transistor with off-set threshold voltage and the use thereof
US7223995B2 (en) 2002-03-21 2007-05-29 Polyic Gmbh & Co. Kg Logic components comprising organic field effect transistors
US7229868B2 (en) 2000-12-08 2007-06-12 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic field-effect transistor, method for structuring an OFET and integrated circuit
DE102005059608A1 (de) * 2005-12-12 2007-06-14 Polyic Gmbh & Co. Kg Redoxsysteme zur Stabilisierung und Lebensdauerverlängerung von polymeren Halbleitern
US7329559B2 (en) 2003-01-21 2008-02-12 Polyic Gmbh & Co. Kg Use of conductive carbon black/graphite mixtures for the production of low-cost electronics
US7442954B2 (en) 2002-11-19 2008-10-28 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic electronic component comprising a patterned, semi-conducting functional layer and a method for producing said component
US7641857B2 (en) 2002-11-14 2010-01-05 Polyic Gmbh & Co. Kg Measuring apparatus used for determining an analyte in a liquid sample, comprising polymer electronic components
US7786818B2 (en) 2004-12-10 2010-08-31 Polyic Gmbh & Co. Kg Electronic component comprising a modulator
US7875975B2 (en) 2000-08-18 2011-01-25 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic integrated circuit completely encapsulated by multi-layered barrier and included in RFID tag

Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6344662B1 (en) * 1997-03-25 2002-02-05 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages
US6429318B1 (en) * 2000-02-07 2002-08-06 International Business Machines Corporaiton Layered organic-inorganic perovskites having metal-deficient inorganic frameworks
KR100477394B1 (ko) * 2000-11-01 2005-03-17 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 저 동작 전압을 요하는 유기-무기 하이브리드 반도체를갖춘 박막 전계 효과 트랜지스터
US6838198B2 (en) * 2000-12-07 2005-01-04 Industrial Research Limited Organic/inorganic-oxide multilayer materials
US6809955B2 (en) * 2001-05-07 2004-10-26 Advanced Micro Devices, Inc. Addressable and electrically reversible memory switch
US6437422B1 (en) * 2001-05-09 2002-08-20 International Business Machines Corporation Active devices using threads
US7105360B2 (en) 2002-03-08 2006-09-12 International Business Machines Corporation Low temperature melt-processing of organic-inorganic hybrid
DE10226370B4 (de) 2002-06-13 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Substrat für ein elektronisches Bauteil, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET)
JP4635410B2 (ja) * 2002-07-02 2011-02-23 ソニー株式会社 半導体装置及びその製造方法
WO2004017439A2 (de) 2002-07-29 2004-02-26 Siemens Aktiengesellschaft Elektronisches bauteil mit vorwiegend organischen funktionsmaterialien und herstellungsverfahren dazu
DE50313445D1 (de) * 2003-01-09 2011-03-10 Polyic Gmbh & Co Kg Ikgerät, sowie verwendung dazu
US20040183070A1 (en) * 2003-03-21 2004-09-23 International Business Machines Corporation Solution processed pentacene-acceptor heterojunctions in diodes, photodiodes, and photovoltaic cells and method of making same
JP4586334B2 (ja) * 2003-05-07 2010-11-24 ソニー株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4547864B2 (ja) * 2003-05-20 2010-09-22 ソニー株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4470398B2 (ja) * 2003-06-23 2010-06-02 Ｔｄｋ株式会社 電界効果トランジスタ
US6875661B2 (en) * 2003-07-10 2005-04-05 International Business Machines Corporation Solution deposition of chalcogenide films
CN100490205C (zh) * 2003-07-10 2009-05-20 国际商业机器公司 淀积金属硫族化物膜的方法和制备场效应晶体管的方法
KR100694947B1 (ko) 2003-07-17 2007-03-14 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
DE10338277A1 (de) * 2003-08-20 2005-03-17 Siemens Ag Organischer Kondensator mit spannungsgesteuerter Kapazität
DE10339036A1 (de) 2003-08-25 2005-03-31 Siemens Ag Organisches elektronisches Bauteil mit hochaufgelöster Strukturierung und Herstellungsverfahren dazu
DE10340644B4 (de) * 2003-09-03 2010-10-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Mechanische Steuerelemente für organische Polymerelektronik
DE10340643B4 (de) * 2003-09-03 2009-04-16 Polyic Gmbh & Co. Kg Druckverfahren zur Herstellung einer Doppelschicht für Polymerelektronik-Schaltungen, sowie dadurch hergestelltes elektronisches Bauelement mit Doppelschicht
US7242041B2 (en) * 2003-09-22 2007-07-10 Lucent Technologies Inc. Field-effect transistors with weakly coupled layered inorganic semiconductors
DE102004002024A1 (de) * 2004-01-14 2005-08-11 Siemens Ag Organischer Transistor mit selbstjustierender Gate-Elektrode und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1724028B1 (de) * 2004-03-10 2012-02-29 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Verfahren zur herstellung eines dünnfilms für eine kondensierte polycyclische aromatische verbindung
ATE518258T1 (de) * 2004-04-27 2011-08-15 Creator Technology Bv Verfahren zur bildung eines organischen halbleiterbauelements durch eine schmelztechnik
GB2416428A (en) * 2004-07-19 2006-01-25 Seiko Epson Corp Method for fabricating a semiconductor element from a dispersion of semiconductor particles
DE102004040831A1 (de) * 2004-08-23 2006-03-09 Polyic Gmbh & Co. Kg Funketikettfähige Umverpackung
KR20070053157A (ko) * 2004-08-31 2007-05-23 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 전계 효과 트랜지스터, 그 제조방법 및 그것을 이용한전자기기
JP4622424B2 (ja) * 2004-09-29 2011-02-02 ソニー株式会社 絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法
US7811438B2 (en) * 2004-12-08 2010-10-12 Palo Alto Research Center Incorporated Bio-enrichment device to enhance sample collection and detection
DE102004059467A1 (de) * 2004-12-10 2006-07-20 Polyic Gmbh & Co. Kg Gatter aus organischen Feldeffekttransistoren
DE102004059465A1 (de) * 2004-12-10 2006-06-14 Polyic Gmbh & Co. Kg Erkennungssystem
DE102004063435A1 (de) 2004-12-23 2006-07-27 Polyic Gmbh & Co. Kg Organischer Gleichrichter
DE102005009820A1 (de) * 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe mit organischen Logik-Schaltelementen
DE102005009819A1 (de) 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe
DE102005017655B4 (de) * 2005-04-15 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion
WO2007005618A2 (en) * 2005-06-30 2007-01-11 The Regents Of The University Of California High performance organic thin film transistor
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
DE102005035590A1 (de) * 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronisches Bauelement
DE102005035589A1 (de) 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE102005042166A1 (de) * 2005-09-06 2007-03-15 Polyic Gmbh & Co.Kg Organisches Bauelement und ein solches umfassende elektrische Schaltung
US7681738B2 (en) * 2005-09-12 2010-03-23 Palo Alto Research Center Incorporated Traveling wave arrays, separation methods, and purification cells
DE102005044306A1 (de) * 2005-09-16 2007-03-22 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
KR100684926B1 (ko) * 2005-09-26 2007-02-20 연세대학교 산학협력단 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
JP2007150097A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Toshiba Corp 半導体素子およびその製造方法
KR100674575B1 (ko) 2006-02-01 2007-01-29 한양대학교 산학협력단 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR101117006B1 (ko) 2006-12-26 2012-04-12 아사히 가세이 케미칼즈 가부시키가이샤 인쇄판용 수지 조성물
KR101288841B1 (ko) * 2006-12-29 2013-07-23 엘지디스플레이 주식회사 액티브층을 가진 박막 트랜지스터 어레이기판 및 그제조방법
KR101425131B1 (ko) * 2008-01-15 2014-07-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
US7879678B2 (en) * 2008-02-28 2011-02-01 Versatilis Llc Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby
US8686404B2 (en) 2008-12-08 2014-04-01 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Organic semiconductors capable of ambipolar transport
CN101752499B (zh) * 2008-12-12 2012-08-08 北京化工大学 一种无机-并五苯类物质复合半导体材料及其制备方法
US8164089B2 (en) * 2009-10-08 2012-04-24 Xerox Corporation Electronic device
GB201208793D0 (en) 2012-05-18 2012-07-04 Isis Innovation Optoelectronic device
EP2850669B1 (de) 2012-05-18 2016-02-24 Isis Innovation Limited Photovoltaische vorrichtung mit perowskiten
PL2850627T3 (pl) 2012-05-18 2016-10-31 Urządzenie optoelektroniczne zawierające porowaty materiał rusztowania oraz perowskity
EP3413365B1 (de) 2012-09-18 2022-06-29 Oxford University Innovation Limited Optoelektronische vorrichtung
US10297754B2 (en) 2014-08-01 2019-05-21 International Business Machines Corporation Techniques for perovskite layer crystallization
KR101655648B1 (ko) * 2015-01-30 2016-09-07 포항공과대학교 산학협력단 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 트랜지스터 및 이의 제조방법
CN104680054A (zh) * 2015-02-11 2015-06-03 成都布林特信息技术有限公司 一种rfid数据处理方法
CN104766893B (zh) * 2015-04-17 2018-11-30 南开大学 一种薄膜晶体管及其制备方法
US9711760B2 (en) 2015-06-30 2017-07-18 Nanyang Technological University Light-emitting device, method of forming and operating the same
US10665797B2 (en) * 2015-11-09 2020-05-26 Wake Forest University Hybrid halide perovskite-based field effect transistors
JP6714412B2 (ja) * 2015-11-17 2020-06-24 国立大学法人九州大学 ２次元ペロブスカイト形成用材料、積層体、素子およびトランジスタ
WO2017086337A1 (ja) * 2015-11-17 2017-05-26 国立大学法人九州大学 ２次元ペロブスカイト形成用材料、積層体、素子およびトランジスタ
US9793056B1 (en) 2016-08-10 2017-10-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method for producing high quality, ultra-thin organic-inorganic hybrid perovskite
US10431393B2 (en) 2017-03-08 2019-10-01 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Defect mitigation of thin-film hybrid perovskite and direct writing on a curved surface
CN108609659A (zh) * 2018-05-31 2018-10-02 青岛科技大学 一种改性的半导电复合材料及其制备方法
CN110767807A (zh) * 2018-07-27 2020-02-07 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 具有通过使用钙钛矿薄单晶形成的光敏场效应晶体管
US10734582B1 (en) 2018-08-23 2020-08-04 Government Of The United States As Represented By The Secretary Of The Air Force High-speed hybrid perovskite processing
WO2021125335A1 (ja) * 2019-12-20 2021-06-24 三菱マテリアル株式会社 トランジスタセンサ及び生体物質検出方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3135899B2 (ja) * 1989-06-06 2001-02-19 株式会社リコー 電気素子
US5168024A (en) * 1989-03-31 1992-12-01 Fuji Xerox Corporation, Ltd. Inorganic-organic or semiconductive inorganic-organic composite material, production process thereof, and electrophotographic photoreceptor using the composite material
US5206525A (en) * 1989-12-27 1993-04-27 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials
FR2664430B1 (fr) 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
JPH06151872A (ja) * 1992-11-09 1994-05-31 Mitsubishi Kasei Corp Ｆｅｔ素子
EP1347518A3 (de) * 1995-11-28 2005-11-09 International Business Machines Corporation Organische/anorganische Legierungen zur Verbesserung organischer elektroluminiszierender Vorrichtungen
US5882548A (en) * 1997-05-08 1999-03-16 International Business Machines Corporation Luminescent organic-inorganic perovskites with a divalent rare earth metal halide framework
US5871579A (en) * 1997-09-25 1999-02-16 International Business Machines Corporation Two-step dipping technique for the preparation of organic-inorganic perovskite thin films
US6117498A (en) * 1998-11-13 2000-09-12 International Business Machines Corporation Single source thermal ablation method for depositing organic-inorganic hybrid films

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7875975B2 (en) 2000-08-18 2011-01-25 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic integrated circuit completely encapsulated by multi-layered barrier and included in RFID tag
US6960489B2 (en) 2000-09-01 2005-11-01 Siemens Aktiengesellschaft Method for structuring an OFET
US7229868B2 (en) 2000-12-08 2007-06-12 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic field-effect transistor, method for structuring an OFET and integrated circuit
US7238961B2 (en) 2001-02-09 2007-07-03 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic field effect transistor with a photostructured gate dielectric, method for the production and use thereof in organic electronics
WO2002065557A1 (de) * 2001-02-09 2002-08-22 Siemens Aktiengesellschaft Organischer feldeffekt-transistor mit fotostrukturiertem gate-dielektrikum, ein verfahren zu dessen erzeugung und die verwendung in der organischen elektronik
EP1413897A4 (de) * 2001-07-31 2009-10-28 Japan Science & Tech Agency Strahlungsdetektor
EP1413897A1 (de) * 2001-07-31 2004-04-28 Japan Science and Technology Corporation Strahlungsdetektor
US7064345B2 (en) 2001-12-11 2006-06-20 Siemens Aktiengesellschaft Organic field effect transistor with off-set threshold voltage and the use thereof
US7223995B2 (en) 2002-03-21 2007-05-29 Polyic Gmbh & Co. Kg Logic components comprising organic field effect transistors
US7641857B2 (en) 2002-11-14 2010-01-05 Polyic Gmbh & Co. Kg Measuring apparatus used for determining an analyte in a liquid sample, comprising polymer electronic components
US7442954B2 (en) 2002-11-19 2008-10-28 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic electronic component comprising a patterned, semi-conducting functional layer and a method for producing said component
US7329559B2 (en) 2003-01-21 2008-02-12 Polyic Gmbh & Co. Kg Use of conductive carbon black/graphite mixtures for the production of low-cost electronics
US7786818B2 (en) 2004-12-10 2010-08-31 Polyic Gmbh & Co. Kg Electronic component comprising a modulator
DE102005059608B4 (de) * 2005-12-12 2009-04-02 Polyic Gmbh & Co. Kg Organisches elektronisches Bauelement mit verbesserter Spannungsstabilität und Verfahren zur Herstellung dazu
DE102005059608A1 (de) * 2005-12-12 2007-06-14 Polyic Gmbh & Co. Kg Redoxsysteme zur Stabilisierung und Lebensdauerverlängerung von polymeren Halbleitern

Also Published As

Publication number Publication date
KR100351651B1 (ko) 2002-09-11
SG82680A1 (en) 2001-08-21
TW461116B (en) 2001-10-21
CN1266287A (zh) 2000-09-13
KR20000062567A (ko) 2000-10-25
US6180956B1 (en) 2001-01-30
DE10006257B8 (de) 2006-12-14
CN1145218C (zh) 2004-04-07
JP3872246B2 (ja) 2007-01-24
DE10006257B4 (de) 2006-06-29
JP2000260999A (ja) 2000-09-22

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