DE102004010094B3 - Halbleiterbauelement mit mindestens einer organischen Halbleiterschicht und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Halbleiterbauelement mit mindestens einer organischen Halbleiterschicht und Verfahren zu dessen Herstellung Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit mindestens einer organischen Halbleiterschicht und ein Verfahren zu dessen Herstellung, gekennzeichnet durch mindestens eine Schutzschicht (1) zur mindestens teilweisen Abdeckung der mindestens einen organischen Halbleiterschicht (24) als Schutz vor Umgebungseinflüssen, wobei die mindestens eine Schutzschicht (1) einen Anteil eines Alkans mit C¶n¶H¶2n+1¶ und n größer gleich 15 aufweist oder ganz aus einem solchen Alkan oder einem Gemisch solcher Alkane, insbesondere einem Paraffinwachs, besteht. Damit wird eine hohe Resistenz gegenüber Feuchtigkeit erreicht.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und ein Verfahren zu dessen Herstellung nach Anspruch 7.
  • Für die Markttauglichkeit von Elektronikprodukten basierend auf organischen Feldeffekttransistoren (OFET) und Schaltungen ist eine je nach Anwendung mehr oder weniger lange Lebensdauer der elektrischen Schaltungen erforderlich.
  • Die besten Schaltungseigenschaften werden mit der Bottom-Kontakt Architektur erzielt (siehe H. Klauk, M. Halik, U. Zschieschang, F. Eder, G. Schmid, und C. Dehm, "Pentacene organic transistors and ring oscillators on glass and on flexible polymeric substrates," Appl. Phys. Lett., vol. 82, p. 4175 (2003)).
  • Es hat sich gezeigt, dass Transistoreigenschaften, z.B. von OFETs, die in der Bottom-Kontakt Architektur hergestellt wurden bei der Verwendung verschiedener organischer Halbleiterverbindungen (z. B. Pentazen, Oligothiophene, Polythiophenderivate) empfindlich gegenüber Feuchtigkeit sind. Dies beruht darauf, dass bei den Bottom-Kontakt-OFETs die organische Halbleiterschicht als letzte Schicht abgeschieden wird (d.h. als oberste Schicht) und somit direkt mit der Umwelt, also auch mit der Umgebungsfeuchtigkeit, in Kontakt steht.
  • Dies hat zur Folge, dass Wassermoleküle, begünstigt durch die Morphologie vieler organischer Halbleiterschichten (Pentazen als organischer Halbleiter bildet beispielsweise keine homogenen amorphen Schichten sondern Mikrokristallite, an deren Korngrenzen die Schichtdicke nur einige Moleküllagen beträgt) sehr nah an oder in den Ladungsträgerkanal gelangen können und dort als Ladungsträgerfallen wirken bzw. die freie Oberflächenenergie der Grenzfläche Halbleiter/Dielektrikum durch ihren polaren Charakter erhöhen können.
  • Zu beobachtende Effekte sind unter anderem eine Verschiebung der Schwellspannung, eine Verschlechterung des Unterschwellenanstiegs ("subthreshold swing"), eine Verringerung des Ein-/Ausschaltverhältnisses ("on/off ratio") und eine Vergrößerung der Hysterese der Transistoren. Diese Effekte erschweren den Entwurf integrierter Schaltungen auf der Basis organischer Transistoren oder machen die Anfertigung funktionstüchtiger Schaltungen gänzlich unmöglich.
  • Eine Möglichkeit diese ungewünschten Effekte zu vermeiden ist die Verwendung von Schutzschichten, die auf die organischen Halbleiterschichten zum Schutz der Halbleiterschicht vor Umwelteinflüssen aufgebracht ist. So beschreibt die WO 2004/001855 A1 ein Halbleiterbauelement mit einer derartigen Schutzschicht. Jedoch wird hier weder auf die Zusammensetzung noch ein Verfahren zu deren Herstellung eingegangen.
  • Die Möglichkeiten, organische Halbleiterschichten mit einer Schutzschicht zu versehen, durch die die Halbleiterschichten vor Umwelteinflüssen, insbesondere vor Feuchtigkeit, geschützt werden, sind begrenzt. Grund hierfür ist die Empfindlichkeit der organischen Halbleiterschichten gegenüber organischen Lösungsmitteln, aus denen entsprechende polymere Schutzschichten abgeschieden werden könnten, sowie die Empfindlichkeit der organischen Halbleiterschichten gegenüber thermischer Beanspruchung, wie sie bei der Abscheidung anorganischer Schutzschichten aus der Gasphase (z.B. bei Verwendung von Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Aluminiumoxid) auftritt.
  • Bekannt ist eine Variante zum Aufbringen einer polymeren Schutzschicht auf einem organischen Halbleiter, die entwickelt wurde, um organische Halbleiterschichten zu strukturieren, d.h. Einzeltransistoren in integrierten Schaltungen voneinander zu isolieren, um Leckströme zwischen den Transistoren zu vermeiden (siehe C. D. Sheraw, L. Zhou, J. R. Huang, D. J. Gundlach, T. N. Jackson, M. G. Kane, I. G. Hill, M. S. Hammond, J. Camps, B. K. Greening, J. Franc, und J. West, "Organic thin-film transistor-driven polymer- dispersed liquid crystal displays on flexible polymeric substrates," Appl. Phys. Lett, vol. 80, p. 1088 (2002)). Diese photostrukturierbare Polymerformulierung beruht auf dem System Polyvinylalkohol/Ammoniumdichromat (PVA/ADC) und wird aus neutraler wässriger Lösung appliziert. Die meisten organischen Halbleiter tolerieren dieses wässrige System auf Grund ihres starken hydrophoben Charakters, d. h. die organischen Transistoren bleiben nach der Behandlung funktionstüchtig, im Gegensatz zur Behandlung mit organischen Lösungsmitteln (siehe D. J. Gundlach, T. N. Jackson, D. G. Schlorr, and S. F. Nelson "Solvent-induced phase transition in thermally evaporated pentacene films," Appl. Phys. Lett., p. 3302 (1999)).
  • Nach der Behandlung mit diesem System sind die gleichen nachteiligen Effekte zu beobachten (Verschiebung der Schwellspannung, Verschlechterung des Unterschwellenanstiegs ("subthreshold swing"), Verringerung des Ein-/Ausschaltverhältnisses und Vergrößerung der Hysterese der Transistoren), wie sie unter Einwirkung von Feuchtigkeit eines vergleichbaren, unbehandelten Substrates im Laufe der Zeit auftreten.
    •
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung und ein Verfahren zu schaffen, die eine hohe Resistenz gegenüber Feuchtigkeit aufweist bzw. mit dem eine entsprechende Vorrichtung herstellbar ist.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Halbleiterbauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
  • Das Halbleiterbauelement weist mindestens eine Schutzschicht zur mindestens teilweisen Abdeckung der mindestens einen organischen Halbleiterschicht als Schutz vor Umgebungseinflüssen auf, wobei die mindestens eine Schutzschicht einen Anteil eines Alkans mit CnH2n+1 und n größer gleich 15 aufweist oder ganz aus einem solchen Alkan oder einem Gemisch solcher Alkane, insbesondere einem Paraffinwachs besteht.
  • Alkane und Paraffinwachs sind preiswert und lassen sich auch bei relativ niedrigen Temperaturen unzersetzt verdampfen. Somit ist die Applikation einer Parafinschicht preiswert realisierbar. Der auf die Oberfläche der aktiven organischen Schicht (organische Halbleiterschicht) aufgedampfte Paraffinfilm bietet nicht nur einen nahezu hundertprozentigen Schutz gegenüber Luftfeuchtigkeit (Diffusionsbarriere), sondern schützt auch vor direktem Kontakt mit Wasser und allen Lösungsmitteln, die die Paraffinschicht nicht angreifen bzw. durch die sie nicht diffundieren, und erlaubt somit auch Folgeprozesse auf der so geschützten organischen aktiven Schicht, wie beispielsweise eine nachträgliche Strukturierung der organischen Schicht mit dem wässrigen System PVA/ADC, ohne die ursprüngliche Eigenschaften des Bauelements zu verändern.
  • Dabei ist es vorteilhaft, wenn mindestens eine Schutzschicht eine Dicke zwischen 50 nm und 5 μm aufweist.
  • Für eine weitere Prozessierung ist es vorteilhaft, wenn auf mindestens einer Schutzschicht eine Polyvinylalkohol-Schicht als Ätzmaske angeordnet ist.
  • Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung weist eine organische Feldeffekttransistorstruktur mit mindestens eine Gateelektrodenschicht, eine Gatedieelektrikumsschicht, eine Sourceschicht, eine Drainschicht und eine organische halbleitende Schicht auf.
  • Mit Vorteil weist die organische Halbleiterschicht einen Anteil an Pentazen, Oligothiophen und/oder einem Polythiophen auf oder besteht aus diesen Substanzen oder einem Gemischen aus diesen Substanzen.
  • Wenn das Substrat als flexibles Material ausgebildet ist, kann ein OFET z.B. auf eine Folie oder einem Papier angeordnet sein oder in dieses integriert sein.
  • Die Aufgabe wird auch durch das Verfahren gemäß Anspruch 7 gelöst. Die Schutzwirkung wird dadurch erreicht, dass mindestens teilweise auf mindestens einer organischen Halbleiterschicht mindestens eine Schutzschicht als Schutz vor Umgebungseinflüssen aufgebracht wird, wobei die mindestens eine Schutzschicht einen Anteil eines Alkans mit CnH2n+1 und n größer gleich 15 aufweist oder ganz aus einem solchen Alkan oder einem Gemisch solcher Alkane, insbesondere einem Paraffinwachs besteht.
  • Mit Vorteil wird mindestens eine Schutzschicht durch eine Gasphasenabscheidung aufgebracht. Dabei ist es vorteilhaft, wenn die Temperatur zwischen 80 und 200 °C liegt. Besonders vorteilhaft ist eine Temperatur zwischen 120 und 150°C. Diese Temperatur liegt oberhalb der überlicherweise verwendeten Betriebsgrenzen, aber unterhalb der Temperaturen, bei denen Schädigungen der anderen Schichten zu erwarten sind.
  • Vorteilhaft ist es auch, wenn in einem Vakuumverdampfer bei einem Druck zwischen 10–2 und 10–4 Torr abgeschieden wird, besonders vorteilhaft bei einem Druck von 10–3 Torr.
  • Zum Schutz der unter der Schutzschicht liegenden Schichten ist vorteilhaft, wenn die darunterliegende Schicht oder die darunterliegenden Schichten gekühlt werden, insbesondere auf eine Temperatur zwischen 25 und 50 °C.
  • Auch ist es vorteilhaft, wenn nach dem Aufbringen oder Abscheiden der mindestens einen Schutzschicht eine Polyvinylalkohol-Schicht als Ätzmaske für weitere Prozessschritte angeordnet wird.
    •
  • Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren der Zeichnungen an mehreren Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 schematische Schnittansicht eines bekannten organischen Feldeffekttransistors;
  • 2 schematische Schnittansicht eines organischen Feldeffekttransistors mit einer Schutzschicht;
  • 3 schematische Schnittansicht eines organischen Feldeffekttransistors mit Schutzschicht und einer PVA-Schicht;
  • 4A–4c Darstellung von Messwerten zum Beispiel 3;
  • 5–6 Darstellung von Messwerten zum Beispiel 4.
  • Bevor auf Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäßen Vorrichtung und des erfindungsgemäßen Verfahrens eingegangen wird, soll anhand der 1 der Aufbau eines an sich bekannten organischen Feldeffekttransistors erläutert werden.
  • 1 zeigt dabei eine schematische Schnittansicht durch einen organischen Feldeffekttransistor (OFET).
  • Organische Feldeffekttransistoren sind elektronische Bauteile, die aus mehreren Schichten (Lagen) bestehen, welche strukturiert sind, um durch Verbindungen einzelner Schichten integrierte Schaltungen zu generieren. Dabei zeigt 1 den prinzipiellen Aufbau eines solchen Transistors in einer Bottom-Kontakt Architektur.
  • Auf einem Basis-Substrat 20 ist eine Gateelektrode 21 angeordnet, die von einer Gatedielektrikumsschicht 22 überdeckt ist. Derartige Dielektrika besitzen eine Schichtdicke von weniger als 5 nm (Bottom up).
  • Seitlich zu der Gatedielektrikumsschicht 22 sind eine Sourceschicht 23a und eine Drainschicht 23b angeordnet, die beide ebenfalls mit der darüberliegenden aktiven halbleitenden Schicht 24 in Verbindung stehen. Als organischer Halbleiter wird hier Pentazen verwendet.
  • Bei dieser Bottom-Kontakt Architektur ist die organische Halbleiterschicht 24 auf dem Schichtenstapel angeordnet und somit Umgebungseinflüssen ausgesetzt.
  • Das Verfahren zur Herstellung dieser Struktur ist an sich bekannt. Die Schichten werden nacheinander auf dem Substrat 20 abgeschieden.
  • 2 zeigt den Aufbau einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes in schematischer Weise. Der Schichtenaufbau entspricht dabei im Wesentlichen dem Aufbau des Halbleiterbauelementes gemäß 1, so dass auf die obige Beschreibung Bezug genommen wird.
  • Die Ausführungsform der Erfindung betrifft eine Schicht zum Schutz der organischen Halbleiterschicht 24 gegenüber Feuchtigkeit und zur Reduktion von Parameterschwankungen, wie sie bei der Strukturierung des organischen Halbleitermaterials in OFETs mittels PVA/ADC entstehen.
  • Der Schutz der empfindlichen organische Halbleiterschicht 24 vor Feuchtigkeit wird dadurch realisiert, dass diese mit einer Schutzschicht 1 aus einem Alkan oder einem Alkangemisch (z.B. Paraffinwachs) beschichtet wird.
  • Das Aufbringen der Schutzschicht 1 erfolgt durch Abscheidung aus der Gasphase, d.h. ohne organische Lösungsmittel, welche die organische Halbleiterschicht 24 zerstören könnten. Dabei werden moderate Temperaturen im Vakuum (max. 200°C/10–2 bis 10–4 Torr) verwendet.
  • Falls die organische Halbleiterschicht 24 eine Empfindlichkeit gegenüber den Prozesstemperaturen zeigt, lässt sich dies durch eine entsprechende Kühlung des Substrats 20 mit den darüberliegenden Schichten 21, 22, 23a, 23b während der Abscheidung vermeiden.
  • Unter Paraffinen werden hier langkettige, extrem hydrophobe Alkane verstanden, wobei die Paraffine reine Alkane oder Alkangemische aufweisen können. Paraffine sind in verschiedenen Kettenlängen und somit verschiedenen Schmelzbereichen kommerziell verfügbar. Bevorzugt für diese Erfindung sind Paraffine, die bei Raumtemperatur fest sind und einen Schmelzbereich oberhalb der maximalen Einsatztemperatur der Halbleiterbauelemente haben (ca. 80°C).
  • Obwohl Paraffine aus organischen Molekülen bestehen (ähnlich wie organische Lösungsmittel, z. B. Alkohole, Aceton, Hexan, Petrolether), schädigen aufgedampfte Paraffinschichten die molekulare Anordnung der aktiven organischen Schichten nicht und bewahren damit deren elektrischen Eigenschaften.
  • Dies liegt zum einen an der Größe (Länge >= C15, insbesondere > C17) der Alkane und zum anderen am Aggregatzustand der Paraffine (wachsartig bis fest). Im Gegensatz zu kleinen organischen Lösungsmittelmolekülen ist bei großen Molekülen die Diffusion durch eine Schicht bzw. ein Kristallgitter aus sterischen Gründen deutlich erschwert. Außerdem sind die Paraffine fest und damit deutlich demobilisiert.
  • Das beschriebene Verfahren zum Aufbringen einer Schutzschicht 1 ist prinzipiell für alle organischen Halbleiterbauelemente auf starren oder flexiblen Substraten 20 geeignet, bei denen die organische Halbleiterschicht 24 (aktive Schicht) in irgendeiner Weise empfindlich auf Feuchtigkeit reagiert.
  • Im Folgenden werden einige Beispiel für Ausführungsformen der Erfindung angegeben:
  • Beispiel 1 – Aufbringen einer Paraffinschutzschicht aus der Gasphase
  • Ein frisch hergestelltes Halbleiterbauelement (Transistoren und integrierte Schaltungen auf der Basis organischer Halbleiter auf beliebigen Substraten), bei dem im letzten Prozess-Schritt eine organische Halbleiterschicht 24 (z. B. Pentazen) abgeschieden wurde (siehe z.B. 1), wird in einen Vakuumverdampfer mit Substratkühlung verbracht. Der Substrathalter wird auf 25–50°C (vorzugsweise 25°C) temperiert. Die Verdampferquelle wird je nach Substratgröße mit max. 1 g Paraffinwachs (Festpunkt 73–80 °C - Aldrich) beladen, und anschließend evakuiert. Bei einem Druck von 10–2 bis 10–4 Torr (bevorzugt 10–3 Torr) wird die Quelle beheizt. Bei max. 200 °C (bevorzugt 120 bis 150 °C) sublimiert das Paraffin und schlägt sich auf dem gekühlten Substrat als Schutzschicht 1 nieder. Über die Verdampfungsdauer lässt sich die Schichtdicke der Schutzschicht 1 einstellen (bevorzugt 50 nm bis 5 μm).
  • Beispiel 2 – Folgeprozesse auf der Paraffinschutzschicht (Strukturierung der organischen Halbleiterschicht)
  • Ein Halbleiterbauelement wird wie in Beispiel 1 mit einer Schutzschicht 1 aus Paraffin versehen. Anschließend wird eine wässrige Formulierung PVA/ADC (siehe oben zitierten Artikel von Sheraw et al.) aufgeschleudert (siehe 3, PVA-Schicht 25), unter Verwendung einer Fotomaske belichtet und in Wasser entwickelt. Danach werden die Paraffinschicht und die organische Halbleiterschicht 24 in einem Sauerstoffplasma geätzt, wobei die W-gehärtete PVA-Schicht 25 als Ätzmaske dient. Alternativ kann die PVA-Ätzmaske auf die Paraffinschicht gedruckt und durch Flutbelichtung gehärtet werden.
  • Beispiel 3 – Verringerung des Einflusses von Feuchtigkeit auf den Unterschwellenanstieg und das Ein/Ausschaltverhältnis
  • Die Wirkung der erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiele wird anhand von Messwerten demonstriert.
  • Zwei Substrate (wobei Substrat A wie in Beispiel 1 beschrieben mit einer Schutzschicht 1 mit Paraffin beschichtet wurde und Substrat B unbehandelt blieb) wurden für 10 Tage bei 72% Luftfeuchtigkeit gelagert. Die Substrate wurden vor (z.B. 4A für Bfrisch) und nach der Lagerung (4B für A und 4C für B) elektrisch vermessen. Dargestellt ist jeweils der Drain-Strom gegen die Gate-Source-Spannung bei gegebener Drain-Source-Spannung. Aus dieser Kurve lassen sich der Unterschwellenanstieg und das Ein-/Ausschaltverhältnis der Transistoren bestimmen. Während bei Substrat B eine deutliche Verschlechterung durch die Einwirkung der Feuchtigkeit zu beobachten war, blieb die Kennlinie von Substrat A nahezu unverändert.
  • Beispiel 4 – Verringerung der Hysterese in OFET nach Strukturierung des organische Halbleiters mittels PVA ADC durch Einbringen einer Parafinschutzschicht
  • Auf zwei Substraten C und D wurde die Hysterese von Pentazen-OFETs vor und nach dem Strukturieren der Pentazenschicht bestimmt. Substrat C wurde dabei mit einer Paraffinschutzschicht 1 versehen (siehe Beispiel 1), während bei Substrat D die Strukturierung direkt auf der Pentazenschicht 24 erfolgte. Vor der Strukturierung waren beide Substrate nahezu hysteresefrei (ca. 1 V, siehe 5).
  • Substrat C zeigt auch nach der Strukturierung mit der wässrigen Formulierung PVA/ADC eine Hysterese von ca. 1 V.
  • Bei Substrat D (ohne Paraffinschicht) steigt die Hysterese auf ca. 11 V an.
  • Die Erfindung beschränkt sich in ihrer Ausführung nicht auf die vorstehend angegebenen bevorzugten Ausführungsbeispiele. Vielmehr ist eine Anzahl von Varianten denkbar, die von dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement und dem Verfahren zu dessen Herstellung auch bei grundsätzlich anders gearteten Ausführungen Gebrauch machen.
    • 1
    Schutzschicht aus Paraffin
    20
    Basis-Substrat für OFET
    21
    Gateelektrode
    22
    Gatedielektrikumsschicht
    23a
    Sourceschicht
    23b
    Drainschicht
    24
    organische Halbleiterschicht
    25
    PVA-Schicht

Claims (16)

  1. Halbleiterbauelement mit mindestens einer organischen Halbleiterschicht (24) und einer Schutzschicht (1) zum Schutz der Halbleiterschicht (24), gekennzeichnet durch mindestens eine Schutzschicht (1) zur mindestens teilweisen Abdeckung der mindestens einen organischen Halbleiterschicht (24) als Schutz vor Umgebungseinflüssen, wobei die mindestens eine Schutzschicht (1) einen Anteil eines Alkans mit CnH2n+1 und n größer gleich 15 aufweist oder ganz aus einem solchen Alkan oder einem Gemisch solcher Alkane besteht.
  2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Schutzschicht (1) eine Dicke zwischen 50 nm und 5 m aufweist.
  3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass auf der mindestens einen Schutzschicht (1) eine Polyvinylalkohol-Schicht (25) als Ätzmaske für weitere Prozessschritte angeordnet ist.
  4. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Schutzschicht (1) aus Paraffinwachs besteht.
  5. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine organische Feldeffekttransistorstruktur mit mindestens einer Gateelektrodenschicht (21), einer Gatedieelektrikumsschicht (22), einer Sourceschicht (23a), einer Drainschicht (23b) und einer organischen halbleitenden Schicht (24).
  6. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die organische Halbleiterschicht (24) einen Anteil an Pentazen, Oligothiophen und/oder einem Polythiophen aufweist oder aus diesen Substanzen oder einem Gemischen aus diesen Substanzen besteht.
  7. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (20) als flexibles Material ausgebildet ist.
  8. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit mindestens einer organischen Halbleiterschicht (24) und einer Schutzschicht (1) zum Schutz der Halbleiterschicht (24), dadurch gekennzeichnet, dass mindestens teilweise auf mindestens einer organischen Halbleiterschicht (24) mindestens eine Schutzschicht (1) als Schutz vor Umgebungseinflüssen aufgebracht wird, wobei die mindestens eine Schutzschicht (1) einen Anteil eines Alkans mit CnH2n+1 und n größer gleich 15 aufweist oder ganz aus einem solchen Alkan oder einem Gemisch solcher Alkane besteht.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Schutzschicht (1) durch eine Gasphasenabscheidung aufgebracht wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Schutzschicht (1) bei einer Temperatur zwischen 80 und 200 °C aus der Gasphase abgeschieden wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Schutzschicht (1) bei einer Temperatur zwischen 120 und 150°C abgeschieden wird.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Schutzschicht (1) in einem Vakuumverdampfer bei einem Druck zwischen 10–2 und 10–4 Torr abgeschieden wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Schutzschicht (1) in einem Vakuumverdampfer bei einem Druck von 10–3 Torr abgeschieden wird.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass während des Aufbringens oder des Abscheidens der Schutzschicht (1) die darunterliegende Schicht oder die darunterliegenden Schichten gekühlt werden, insbesondere auf eine Temperatur zwischen 25 und 50 °C.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Aufbringen oder Abscheiden der mindestens einen Schutzschicht (1) eine Polyvinylalkohol-Schicht (25) als Ätzmaske für weitere Prozessschritte angeordnet wird.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Schutzschicht (1) aus Paraffinwachs besteht.
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