KR100321694B1 - 반도체소자의캐패시터전극용백금막형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 반도체 소자의 캐패시터 전극용 백금(Pt)막 형성방법에 관한 것이며, 표면 거칠음의 증가, 미세 홀 형성 등과 같이 고온 공정에 의해 야기되는 백금막의 물리적 특성 열화를 방지할 수 있는 반도체 소자의 캐패시터 전극용 백금막 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 백금막 증착을 위한 스퍼터링시 플라즈마 가스로서 Ar/O2가스를 사용하여, 증착되는 백금막에 약간의 산소가 침입형으로 고용되도록 하며, 증착된 백금막에 대해 Ar 플라즈마 처리를 실시하여 막질을 더욱 치밀하게 함으로써 고온 열공정에 의해 유발되는 백금막의 물질적 특성 열화를 더욱 억제하는 기술이다. 백금막은 산소와 거의 반응하지 않는 노블 메탈(noble metal)로서 침입한 산소 원자는 박막내에 고용된 상태로 존재하게 되며, 침입형으로 고용된 산소 원자(O)는 고온 열공정 중에 백금 원자(Pt)들의 운동성을 방해하여 백금 결정립들이 조대하게 성장하는 것을 억제하여 백금막 표면 및 유전체와의 계면 거칠기가 개선되고, 열공정 후 냉각시 유전체 박막과의 열팽창 계수 차이에 의해 백금막에 유발되는 미세 홀을 억제한다.
Description
본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 반도체 소자의 캐패시터 전극용백금(Pt)막 형성방법에 관한 것이다.
DRAM(Dynamic Random Access Memory)을 비롯한 반도체 소자의 고집적화에 따라 캐패시터의 충분한 정전용량을 확보하는 것이 큰 문제로 부각되었으며, 이를 해결하는 하나의 방안으로서 캐패시터의 하부 전극인 전하저장 전극의 표면적을 증가시키는 기술에 대한 많은 연구·개발이 진행되어 왔다. 그러나, 역시 고집적화에 수반되는 공정 마진의 저하 때문에 전하저장 전극의 표면적을 증가시키는데는 한계가 있다.
이러한 한계를 극복하기 위하여 초고집적 DRAM에는 고유전체인 BST 등의 고유전 물질을 캐패시터 유전막으로 사용하는 고유전체 캐패시터를 적용하고 있다. 이는 캐패시터의 정전용량이 유전율에 비례하는 원리를 적용한 것이다.
한편, 차세대 비휘발성 메모리 소자로서 각광 받고 있는 강유전체 메모리 소자(FeRAM)에서는 캐패시터를 구성하는 유전물질로서 SrBi2Ta2O9(SBT), Pb(ZrxTi1-x)O3(PZT) 등의 강유전 물질이 사용되고 있다.
이와 같이 고유전체 캐패시터 또는 강유전체 캐패시터를 제조함에 있어서, 우수한 유전체 박막 특성을 확보하기 위해서는 상·하부 전극 및 그 주변 물질의 선택과 적절한 공정의 제어가 필수적이다.
현재, 고유전체 캐패시터 또는 강유전체 캐패시터의 상·하부 전극 재료로서 전극 특성이 우수한 백금(Pt)을 주로 사용하고 있다. 백금막은 산소와의 반응성이 거의 없어 옥사이드계 유전체와 접합에서 옥사이드 화합물을 형성하지 않고, 또한유전체 특성을 향상시키기 위해 행해지는 산소 분위기에서의 고온 열공정 등에 대해서도 우수한 화학적 안정성을 가지고 있다.
그러나, 고유전체 캐패시터 또는 강유전체 캐패시터 형성 공정의 특성상 여러 차례의 고온 공정을 거치게 되는데, 이러한 여러 차례의 고온 공정을 거치면서 백금(Pt) 원자들의 고온에서의 높은 운동성에 의해 결정립계가 크게 성장하여 백금막의 표면이 거칠어지며, 열공정 후 냉각시 백금막의 열팽창 계수가 유전체보다 크기 때문에 백금막이 크게 수축하면서 백금막에 부분적으로 미세한 홀(hole)이 발생하게 된다.
이와 같은 백금막의 물리적 특성 열화는 곧 전기적 특성의 열화로 이어져 궁극적으로 소자 특성을 저하시키고, 반도체 소자 제조 공정의 난이도를 증가시키는 문제점이 있었다.
첨부된 도면 도 1은 종래기술에 따라 형성된 강유전체 캐패시터의 단면을 도시한 것으로, 백금막(12a, 12b)의 거친 표면(A)과 미세 홀(B)이 유발된 상태를 나타내고 있다. 미설명 도면 부호 '10'은 층간절연 산화막, '11'은 접착층인 TiO2막, '13'은 강유전체 박막을 각각 나타낸다.
본 발명은 표면 거칠음의 증가, 미세 홀 형성 등과 같이 고온 공정에 의해 야기되는 백금막의 물리적 특성 열화를 방지할 수 있는 반도체 소자의 캐패시터 전극용 백금막 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래기술에 따라 형성된 강유전체 캐패시터의 단면도.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 강유전체 캐패시터 제조 공정도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
20 : 층간절연 산화막
21 : Ti막
22 : 하부 전극용 백금막
23 : 백금막 내에 침입형으로 고용된 산소
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 소정의 하부층 상에 백금막을 증착하되, Ar/O2플라즈마 분위기에서 스퍼터링하여 증착하는 제1 단계와, 증착된 상기 백금막의 막질을 치밀화 하기 위하여 Ar 플라즈마 처리를 실시하는 제2 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자의 캐패시터 전극용 백금막 형성방법이 제공된다.
본 발명은 백금막 증착을 위한 스퍼터링시 플라즈마 가스로서 Ar/O2가스를 사용하여, 증착되는 백금막에 약간의 산소가 침입형으로 고용되도록 하며, 증착된 백금막에 대해 Ar 플라즈마 처리를 실시하여 막질을 더욱 치밀하게 함으로써 고온 열공정에 의해 유발되는 백금막의 물질적 특성 열화를 더욱 억제하는 기술이다. 백금막은 산소와 거의 반응하지 않는 노블 메탈(noble metal)로서 침입한 산소 원자는 박막내에 고용된 상태로 존재하게 되며, 침입형으로 고용된 산소 원자(O)는 고온 열공정 중에 백금 원자(Pt)들의 운동성을 방해하여 백금 결정립들이 조대하게 성장하는 것을 억제하여 백금막 표면 및 유전체와의 계면 거칠기가 개선되고, 열공정 후 냉각시 유전체 박막과의 열팽창 계수 차이에 의해 백금막에 유발되는 미세 홀을 억제한다.
이하, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 보다 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예를 소개하기로 한다.
첨부된 도면 도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 강유전체 캐패시터 제조 공정을 도시한 것으로, 이하 이를 참조하여 설명한다.
본 실시예에 따른 공정은, 우선 도 2a에 도시된 바와 같이 소정의 하부층 공정을 마치고, 평탄화된 층간절연 산화막(20)이 형성된 웨이퍼 상에 접착층인 Ti막(21)을 형성한 다음, 그 상부에 스퍼터링(sputtering)법을 사용하여 캐패시터 하부 전극용 백금막(22)을 증착한다. 이때, 스퍼터링은 300∼600℃의 온도에서 이루어지며, Ar/O2플라즈마 분위기에서 스퍼터링을 실시함으로써 백금막(22) 내에 약간의 산소가 침입형으로 고용되도록 한다. 도면 부호 '23'은 백금막(22) 내에 침입형으로 고용된 산소를 나타낸다.
다음으로, 도 2b에 도시된 바와 같이 백금막(22)을 플라즈마 처리하여 막질을 더욱 치밀하게 만들어 준다. 이때, 플라즈마 처리는 백금막(22)을 증착한 챔버에서 증착이 끝난 후 플라즈마 상태의 Ar 이온(Ar+)이 웨이퍼 쪽을 향하도록 고주파 전원(RF power)을 공급하여 웨이퍼에 인가되는 전위를 조절함으로써 백금막(22)이 재 스퍼터링되지 않을 정도의 에너지로 백금막(22)을 두들겨 주어 막질을 치밀하게 만든다. 물론 플라즈마 처리는 다른 챔버에서 수행할 수도 있다.
이어서, 도 2c에 도시된 바와 같이 백금막(22) 상에 강유전체 박막(24)을 증착하고, 강유전체 박막(24)을 결정화시키기 위한 열처리 공정을 실시한 다음, 백금막(22) 형성시와 같은 공정 조건으로 캐패시터 상부 전극용 백금막(25)을 형성한다. 이후, 일련의 사진 및 식각 공정을 통해 캐패시터를 패터닝하고, 캐패시터 특성을 안정화하기 위한 열처리를 실시한다. 도면 부호 '21a'는 열공정에 위해 Ti막(21)이 산화되어 형성된 TiOx막을 나타낸다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
예를 들어, 전술한 실시예에서는 강유전체 캐패시터의 전극으로 백금막을 사용하는 경우를 일례로 들어 설명하였으나, 본 발명은 고유전체 캐패시터 제조시에 백금막을 캐패시터 전극으로 사용하는 경우에도 적용될 수 있다.
전술한 본 발명은 고온 열공정에 의한 백금막의 물리적 특성 열화를 방지할 수 있으며, 이에 따라 캐패시터 특성 및 소자의 신뢰도를 향상시키는 효과를 기대할 수 있다.
Claims (7)
- 소정의 하부층 상에 백금막을 증착하되, Ar/O2플라즈마 분위기에서 스퍼터링하여 증착하는 제1 단계와,증착된 상기 백금막의 막질을 치밀화 하기 위하여 Ar 플라즈마 처리를 실시하는 제2 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자의 캐패시터 전극용 백금막 형성방법.
- 제2항에 있어서,상기 제1 단계 및 제2 단계는 동일 장비 내에서 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 전극용 백금막 형성방법.
- 제2항에 있어서,상기 제1 단계에서,산소 원자가 상기 백금막 내에 침입형으로 고용되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 전극용 백금막 형성방법.
- 제2항에 있어서,상기 제1 단계는,300∼600℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 전극용 백금막 형성방법.
- 제2항 또는 제3항에 있어서,상기 제2 단계에서,상기 Ar 플라즈마에 포함된 Ar 이온(Ar+)이 상기 백금막 쪽으로 가속되도록 고주파 전원을 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 전극용 백금막 형성방법.
- 제2항에 있어서,상기 하부층은,층간절연 산화막 상에 접착층으로 제공되는 Ti막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 전극용 백금막 형성방법.
- 제2항에 있어서,상기 하부층은,유전체 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 전극용 백금막 형성방법.
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