JP2003163284A - 半導体素子のキャパシタ及びその製造方法 - Google Patents

半導体素子のキャパシタ及びその製造方法

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oxygen
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 酸素の拡散によるキャパシタ誤動作を效果的
に抑制する拡散防止膜を備えた半導体のキャパシタ及び
その製造方法を提供する。 【解決手段】 キャパシタは、基板１０上に形成された
ルテニウム（Ｒｕ）、チタニウム（Ｔｉ）及び酸素
（０）の三元系元素から構成された拡散防止膜２０と、
前記拡散防止膜上に形成された下部電極３０、前記下部
電極上に形成された誘電体４０及び前記誘電体上に形成
された上部電極５０とから構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体素子及びそ
の製造方法に関し、特に、キャパシタに用いられる拡散
防止膜及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体メモリ素子のうちもっとも広く用
いられているＤＲＡＭ（DynamicRandom Access Memor
y）、またはＦｅＲＡＭ（Ferroelectric RAM）における
キャパシタは、通常、ポリシリコン、拡散防止膜、下部
電極、高誘電率の誘電体そして上部電極などから構成さ
れる。
【０００３】半導体メモリ素子のうちダイナミックラム
（Dynamic RAM：以下、ＤＲＡＭという）は、１個の単
位セル（unit cell）が１個のトランジスタと１個のキ
ャパシタとから構成されて集積度に優れたメモリ素子で
ある。
【０００４】メモリ素子において、高集積化の進展に伴
って３年ごとにメモリの容量が４倍ずつ増加して、現在
では、２５６Ｍｂ（Mega bit）ＤＲＡＭ及びＧＢ（giga
bit）級のＤＲＡＭも開発されている。このようにＤＲ
ＡＭの集積度が高くなるほど電気信号を読み出して記録
する役割を果たすセルの面積は、ますます減少してい
る。例えば、２５６ＭｂのＤＲＡＭの場合、セルの面積
は、０．５μｍ2であり、この場合、セルの基本構成要
素のうちの一つであるキャパシタの面積は、０．３μｍ
2以下に小さくなるべきである。
【０００５】このように小さい面積で高いキャパシタン
スを確保するために、高い誘電率を有する誘電膜により
キャパシタを形成するか、誘電膜を薄く形成するか、ま
たはキャパシタの断面積を増加させる方法が提案されて
いる。
【０００６】キャパシタの断面積（電荷貯蔵電極の表面
積）を増加させるために、スタック（stack）型キャパ
シタ、またはトレンチ（trench）型キャパシタを形成す
る技術、または半球型のポリシリコン膜を用いる技術な
ど種々の技術が提案されたが、このような技術は、キャ
パシタの構造を複雑化して工程があまりにも複雑である
ので、製造コストの上昇と収率を低下させるなどの問題
点がある。
【０００７】キャパシタの誘電膜には、通常、ＳｉＯ2
／Ｓｉ3Ｎ4系誘電物質を用いるが、ＳｉＯ2／Ｓｉ3Ｎ4
系誘電膜の厚さを減少させてキャパシタンスを増加させ
る方法は、技術上限界がある。したがって、ＳｉＯ2／
Ｓｉ3Ｎ4系より誘電率の高いＴａ2Ｏ5、ぺロブスカイト
構造を有するＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9（以下、ＳＢＴとい
う）、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3（以下、ＰＺＴとい
う）、（Ｂｉ，Ｌａ）4Ｔｉ3Ｏ12（以下、ＢＬＴとい
う）などの高誘電率の誘電物質を利用したキャパシタの
製造方法が提示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】素子の高集積化に伴っ
て前述したような高誘電率の誘電体物質を用いることに
よって、これらの電極材料として、電極材料の酸化によ
る特性の低下を防止するために、耐酸化性に優れたＰ
ｔ、Ｒｕ、ＲｕＯ2、Ｉｒ、ＩｒＯ2などの複合構造を有
する電極に対する研究も活発化している。
【０００９】一方、前述したような下部電極を適用する
ためには、下部電極とポリシリコンプラグとの間に拡散
防止膜を必然的に形成すべきである。
【００１０】拡散防止膜は、６００℃以上の高温の酸素
雰囲気下で進行される誘電体形成工程で発生する酸素の
拡散を防止する特性に優れなければならない。
【００１１】既に開発された拡散防止膜は、酸素と反応
して酸化が発生したし、このような拡散防止膜の酸化
は、不導体の生成物を形成するので、キャパシタの誤動
作を誘発する問題点があった。
【００１２】そこで、本発明は、上記従来の技術の問題
点に鑑みてなされたものであって、酸素の拡散によるキ
ャパシタ誤動作を效果的に抑制する拡散防止膜を備えた
半導体のキャパシタ及びその製造方法を提供することに
その目的がある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、半導体基板上に形成されたルテニウム
（Ｒｕ）、チタニウム（Ｔｉ）及び酸素（０）の三元系
元素から構成された拡散防止膜と、前記拡散防止膜上に
形成された下部電極、前記下部電極上に形成された誘電
膜及び前記誘電膜上に形成された上部電極とから構成さ
れたことを特徴とする半導体素子のキャパシタを提供す
る。
【００１４】また、前記目的を達成するため、本発明
は、半導体基板上にルテニウム（Ｒｕ）−チタニウム
（Ｔｉ）−酸素（Ｏ）の三元系元素により拡散防止膜を
形成するステップと、前記拡散防止膜をアニーリングす
るステップと、前記拡散防止上に下部電極、誘電体、上
部電極を積層するステップとを含むことを特徴とする半
導体素子のキャパシタ製造方法を提供する。
【００１５】本発明は、ルテニウム−チタニウム−酸素
の三元系元素から構成された拡散防止膜を形成して、高
誘電率の誘電体工程(蒸着及び後処理)途中に発生する酸
素の拡散を效果的に遮断することができるので、信頼性
があり電気的特性に優れたキャパシタをＤＲＡＭ及びＦ
ｅＲＡＭ半導体素子において製造することを可能にした
ものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
を、添附する図面を参照しながら、詳細に説明する。
【００１７】図１と図２は、本発明の一実施形態により
形成された半導体素子のキャパシタを示す図面であっ
て、まず、図１に示すキャパシタは、トランジスタのソ
ース／ドレイン１１と連結されたポリシリコンプラグ１
４と、前記ポリシリコンプラグ１４上にチタニウムを蒸
着してポリシリコンプラグ１４のシリコンとチタニウム
との反応により生成されたチタニウムシリサイド１５
と、前記チタニウムシリサイド１５上に形成されたルテ
ニウム−チタニウム−酸素の三元系元素から構成された
拡散防止膜２０と、この拡散防止膜上に順に積層されて
形成された下部電極３０、誘電体４０、上部電極５０と
から構成されている。なお、図１において、符号１０は
半導体基板（基板ともいう）を示し、符号１３は、層間
絶縁膜を示す。
【００１８】チタニウムシリサイド１５は、ポリシリコ
ンプラグ１４から下部電極３０にシリコンが拡散される
ことを防止する役割を果たしており、上部電極、下部電
極の各物質には、Ｐｔ、Ｒｕ、ＲｕＯ2、Ｉｒ、ＩｒＯ2
などの物質を利用し、誘電体には、Ｔａ2Ｏ5、ぺロブス
カイト構造を有するＳＢＴ、ＰＺＴ、ＳＢＴＮ、ＢＬＴ
などのような物質を利用する。
【００１９】図２は、チタニウムシリサイド１５上にチ
タニウム窒化膜１６をさらに形成し、また、ルテニウム
−チタニウム−酸素の三元系元素から構成された拡散防
止膜２０を備えた半導体素子のキャパシタを示す図面で
ある。
【００２０】以下では、本発明の一実施形態に係るルテ
ニウム−チタニウム−酸素の三元系元素から構成された
拡散防止膜を形成する方法について述べる。
【００２１】半導体素子のキャパシタ製造工程は、６０
０℃以上の高温工程を伴うので、誘電体内の酸素が外部
に拡散される。したがって、拡散防止膜は、酸素の拡散
を防止すべきであるのみでなく、酸化に対して相当な抵
抗を有するべきである。
【００２２】拡散防止膜の酸化を防止するためには、拡
散防止膜を構成する物質間に強い化学的結合がなされて
あるべきである。最後に、拡散防止膜は、酸素との反応
後にも導電性を維持しなければ、キャパシタが誤作動す
る問題が発生する。
【００２３】このような要求条件を満足させるために、
拡散防止膜をなす基本物質は、高融点金属が適当であ
る。なぜならば、高融点金属と酸素との反応によって形
成された反応物は、導電性酸化物であるので、電気的に
は何ら問題がないためである。
【００２４】また、非晶質の拡散防止膜を形成して、拡
散防止膜を構成する物質間に強い結合を形成させるため
には、金属を添加すべきであるが、このような添加金属
は、金属自体が熱的に安定し酸素に対する親和力がある
べきである。こういう性質を有する金属は、高融点金属
である。そして、拡散防止膜を構成する物質間に強い化
学的結合をさせるためには、高融点金属に耐熱金属以外
にも酸素が添加されるべきである。
【００２５】高融点金属に酸素が添加された新しい組成
の拡散防止膜は、高融点金属と酸素との強い化学的結合
のために、非晶質の微細構造をなすことができ、高温ま
で非晶質の微細構造が維持されることができる。また、
新しい組成の拡散防止膜は、酸素と反応して酸化された
以後にも、高融点金属のために電気的な特性が低下され
ないだろう。
【００２６】本発明に係る実施形態では、高融点金属物
質に、ルテニウム（Ｒｕ）を用い、添加される高融点金
属には、チタニウム（Ｔｉ）を用いた。本発明において
は、Ｒｕ前駆物質とＴｉ前駆物質を利用して、有機金属
化学蒸着法（Metal OrganicChemical Vapor Depositio
n：ＭＯＣＶＤ）を用いて拡散防止膜を形成した。
【００２７】このように、有機金属化学蒸着法を利用し
た理由は、半導体素子が益々微細化することに伴って、
キャパシタの製造に用いられるストレージノードコンタ
クト孔の直径が０．１μｍ程度に小さくなって、従来に
用いられた物理気相成長法（Phisical Vapor Depositio
n：ＰＶＤ）では、優れた埋め込み特性を得ることがで
きないためである。
【００２８】有機金属化学蒸着法に用いられる反応気体
には、種々の気体が用いられ得るが、以下では、酸素を
反応気体に用いて拡散防止膜を形成する場合を参照し
て、本発明に係る一実施形態を説明する。
【００２９】反応気体に酸素を利用する場合に、酸素
は、Ｒｕ前駆物質及びＴｉ前駆物質と反応して、ＲｕＯ
A及びＴｉＯA膜を作り、揮発性の強い反応生成物を生成
するが、揮発性の強い反応生成物は、真空で容易に除去
することができる。
【００３０】Ｒｕ前駆物質にＲｕＸ2を用い、Ｔｉ前駆
物質にＴｉＸ4を用いる場合には、次の化１及び化２に
て示すような反応式によって反応して拡散防止膜を形成
することになる。ここで、Ｘはリガンド（regand）を意
味し具体的な物質名は詳細に後述する。
【００３１】
【化１】 ＲｕＸ2 ＋ Ｏ2 −−−−−→ ＲｕＯA ＋ ２ＸBＯ2（↑）
【００３２】
【化２】 ＴｉＸ4 ＋ Ｏ2 −−−−−→ ＴｉＯA ＋ ４ＸBＯ2（↑） Ｒｕ前駆物質には、ＲｕＸ2の他にもＲｕＸ3を用いるこ
とができるが、この場合には、Ｔｉ前駆物質にＴｉＸ4
の代りにＴｉＸ2を用い、これによる化学反応は次の化
３及び化４の反応式で示す通りである。
【００３３】
【化３】 ＲｕＸ3 ＋ Ｏ2 −−−−−→ ＲｕＯA ＋ ３ＸBＯ2（↑）
【００３４】
【化４】 ＴｉＸ2 ＋ Ｏ2 −−−−−→ ＴｉＯA ＋ ２ＸBＯ2（↑） この場合にもやはり反応気体である酸素は、Ｒｕ前駆物
質及びＴｉ前駆物質と反応して、ＲｕＯA及びＴｉＯAの
膜を作り、揮発性の強い反応生成物を生成するが、揮発
性の強い反応生成物は真空で容易に除去することができ
る。
【００３５】以下、このような反応原理に基づいて本発
明の一実施形態に係る化学気相蒸着法により拡散防止膜
を形成する方法について細部実施例を述べる。
【００３６】まず、Ｒｕ前駆物質（ＲｕＸ2またはＲｕ
Ｘ3）及びＴｉ前駆物質（ＴｉＸ4またはＴｉＸ2）を１
００℃〜９００℃で加熱した基板上に供給して、基板表
面に吸着させる。蒸着厚さは、２００Å〜１０００Åに
し、蒸着されるＲｕＴｉＯ膜内のＲｕの原子比は、５０
ａｔ％〜９０ａｔ％、Ｔｉの原子比は、１ａｔ％〜５０
ａｔ％になるようにし、Ｏの原子比は、１ａｔ％〜８０
ａｔ％になるようにする。
【００３７】Ｒｕ前駆物質にＲｕＸ2またはＲｕＸ3を用
いる場合において、Ｘは水素（Ｈ）、Ｃ1−Ｃ10アルキ
ル、Ｃ2−Ｃ10アルケニル、Ｃ1−Ｃ8アルコキシ、Ｃ6−
Ｃ12アリル、β−ジケトネート（β-diketonates）、シ
クロペンタジエニル（cyclopentadienyl）、Ｃ1−Ｃ8ア
ルキルシクロペンタジエニル（alkylcyclopentadieny
l）、及び上記の物質にハロゲンが添加された誘導体の
うちいずれか一つを用いる。
【００３８】Ｔｉ前駆物質に、ＴｉＸ4またはＴｉＸ2を
用いる場合には、Ｘは水素（Ｈ）、Ｃ1−Ｃ10アルキ
ル、Ｃ2−Ｃ10アルケニル、Ｃ1−Ｃ8アルコキシ、Ｃ6−
Ｃ12アリル、β−ジケトネート、シクロペンタジエニ
ル、Ｃ1−Ｃ8アルキルシクロペンタジエニル、及び上記
の物質にハロゲンが添加された誘導体のうちいずれか一
つを使用する。
【００３９】反応気体には、酸素気体以外にも、Ｏ2、
ＮＨ3、Ｈ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2、ＲＯＨ、ＲＣＯＯＨ、Ｃ2−Ｃ
10ジオール（diol）の中で少なくとも酸素を含むように
混合された気体を使用し、ＲはＣ1−Ｃ10アルキル、Ｃ2
−Ｃ10アルケニル、Ｃ1−Ｃ8アルコキシ、Ｃ6−Ｃ12ア
リル、及び上記の物質にハロゲンが添加された誘導体の
うちいずれか一つを用いる。
【００４０】また、化学気相蒸着法で用いられるパージ
気体には、Ｎ2、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｈ2またはこれらの
混合気体を用いる。
【００４１】このような方法でルテニウム−チタニウム
−酸素の三元系元素から構成された拡散防止膜を蒸着し
た後に、蒸着された前記ルテニウム−チタニウム−酸素
の三元系元素から構成された拡散防止膜の性質を改善す
るために、種々の工程が適用され得るが、イオンやプラ
ズマなどを利用して拡散防止膜の表面をより稠密化する
工程と、拡散防止膜の表面に酸素を充填させるか、均一
な酸化層を形成する工程が適用されることができる。
【００４２】以下、このような方法について詳細に説明
する。まず、Ｏ2雰囲気またはＡｒ＋Ｏ2雰囲気、または
Ｎ2＋Ｏ2雰囲気下で、１００℃〜６５０℃の温度範囲と
１分〜５分の時間の間急速熱処理を行なって拡散防止膜
の表面に酸素を充填させて膜質を改善することができ
る。
【００４３】Ａｒ＋Ｏ2雰囲気またはＮ2＋Ｏ2雰囲気下
で、酸素を充填させる場合には、ＡｒとＯ2の組成比を
変化させながら急速熱処理を行なうこともでき、Ｎ2＋
Ｏ2雰囲気である場合には、Ｎ2とＯ2の組成比を変化さ
せながら急速熱処理を行なうことができる。
【００４４】前述した方法以外にも、イオンを利用して
拡散防止膜の表面を稠密にし、酸素イオンを利用して均
一な酸化層を形成して膜質を改善する方法がある。
【００４５】すなわち、酸素イオンを基板側の電界で加
速させて、これを利用して１００℃〜６５０℃の温度範
囲で１分〜５分間拡散防止膜の表面にイオンを衝突させ
ると、表面を稠密化させて膜質を改善することができ
る。酸素イオンは、前記のように表面を稠密化すること
に用いられることができるのみでなく、均一な酸化層を
形成して膜質を改善することにも利用することができ
る。
【００４６】拡散防止膜の表面を稠密化することに用い
られるイオンには、酸素イオン以外にも種々のイオンを
用いることができるが、反応室内でＡｒまたはＮ2をイ
オン化させて、１００℃〜６５０℃、１分〜５分の条件
下でＡｒイオンまたはＮ2イオンが蒸着膜に衝突されて
膜質を稠密にした後、酸素イオンでは均一な酸化層を形
成して膜質を改善する方法がある。
【００４７】この場合、ＡｒとＮ2をイオン化させる時
に、酸素も同時にイオン化させて酸素イオンも膜質を稠
密にする工程に使用し、後続に酸素イオンを利用して均
一な酸化層を形成して膜質を改善する方法も適用するこ
とができる。
【００４８】ＮＨ4を利用して膜質を改善する場合に
は、反応室内でＮＨ4またはＮＨ4プラズマを利用して熱
処理をした後（工程条件は１００℃〜６５０℃、１分〜
５分）、酸素イオンで均一な酸化層を形成する方法と、
ＮＨ4プラズマと酸素プラズマを利用して熱処理を行な
った後、酸素イオンで均一な酸化層を形成する方法を使
用することもできる。
【００４９】また、ＮＨ4プラズマまたは酸素プラズマ
の代りに、反応室内でＵＶ（UltraViolet）オゾンを利
用して拡散防止膜の表面を稠密にし、均一な酸化層を形
成させて膜質を改善することもできる（工程条件は１０
０℃〜６５０℃、１分〜５分）。
【００５０】尚、本発明は、本実施形態に限られるもの
ではない。本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で多様に
変更実施することが可能である。
【００５１】
【発明の効果】上述したようになされる本発明による新
しい拡散防止膜は、高誘電率の誘電体膜工程（蒸着及び
後処理）途中に発生する酸素の拡散を效果的に遮断する
ことができるために、特性が優れたキャパシタをＤＲＡ
Ｍ及びＦｅＲＡＭ半導体素子において製造することを可
能にして、信頼性があり電気的特性に優れたキャパシタ
特性を確保することのできる効果があり、現在の半導体
素子及び今後にも用いることができると期待される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態に係る半導体素子のキャ
パシタを示す図である。
【図２】 本発明の一実施形態に係る半導体素子のキャ
パシタを示す図である。
【符号の説明】 １０ 基板 １１ ソース／ドレイン １２ ゲート １３ 層間絶縁膜 １４ ポリシリコンプラグ １５ チタニウムシリサイド １６ チタニウム窒化膜 ２０ ルテニウム−チタニウム−酸素拡散防止膜 ３０ 下部電極 ４０ 誘電体 ５０ 上部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F058 BA05 BC03 BF06 BF27 BF29 BH02 BH07 BJ04 5F083 AD21 AD49 FR02 GA25 GA27 JA06 JA15 JA17 JA35 JA38 JA39 JA40 JA43 MA05 MA06 MA17 PR21 PR34

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板上に形成されたルテニウム
    （Ｒｕ）、チタニウム（Ｔｉ）及び酸素（０）の三元系
    元素から構成された拡散防止膜と、 前記拡散防止膜上に形成された下部電極、前記下部電極
    上に形成された誘電膜及び前記誘電膜上に形成された上
    部電極とから構成されたことを特徴とする半導体素子の
    キャパシタ。
  2. 【請求項２】 前記拡散防止膜内のＲｕの原子比は、５
    ０ａｔ％〜９０ａｔ％、Ｔｉの原子比は、１ａｔ％〜５
    ０ａｔ％であり、Ｏの原子比は１ａｔ％〜８０ａｔ％で
    あることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のキ
    ャパシタ。
  3. 【請求項３】 前記拡散防止膜の厚さは、２００Å〜１
    ０００Åであることを特徴とする請求項１に記載の半導
    体素子のキャパシタ。
  4. 【請求項４】 前記拡散防止上に形成された表面酸化膜
    をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体
    素子のキャパシタ。
  5. 【請求項５】 半導体素子のキャパシタ製造方法におい
    て、 半導体基板上にルテニウム（Ｒｕ）−チタニウム（Ｔ
    ｉ）−酸素（Ｏ）の三元系元素により拡散防止膜を形成
    するステップと、 前記拡散防止膜をアニーリングするステップと、 前記拡散防止上に下部電極、誘電体、上部電極を積層す
    るステップとを含むことを特徴とする半導体素子のキャ
    パシタ製造方法。
  6. 【請求項６】 前記拡散防止膜を有機金属化学気相蒸着
    法により形成することを特徴とする請求項５に記載の半
    導体素子のキャパシタ製造方法。
  7. 【請求項７】 前記拡散防止膜内のＲｕ原子比は、５０
    ａｔ％〜９０ａｔ％、Ｔｉの原子比は、１ａｔ％〜５０
    ａｔ％であり、Ｏの原子比は１ａｔ％〜８０ａｔ％であ
    ることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子のキャ
    パシタ製造方法。
  8. 【請求項８】 前記拡散防止膜をＲｕＸ2前駆物質とＴ
    ｉＸ4前駆物質とにより形成することを特徴とする請求
    項６に記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
  9. 【請求項９】 Ｘは水素、Ｃ1−Ｃ10アルキル、Ｃ2−Ｃ
    10アルケニル、Ｃ1−Ｃ8アルコキシ、Ｃ6−Ｃ12アリ
    ル、β−ジケトネート、シクロペンタジエニル、Ｃ1−
    Ｃ8アルキルシクロペンタジエニル及び上記の物質にハ
    ロゲンが添加された誘導体のうちいずれか一つを用いる
    ことを特徴とする請求項８に記載の半導体素子のキャパ
    シタ製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記拡散防止膜は、ＲｕＸ3前駆物質
    とＴｉＸ2前駆物質により形成されることを特徴とする
    請求項６に記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
  11. 【請求項１１】 Ｘは水素、Ｃ1−Ｃ10アルキル、Ｃ2−
    Ｃ10アルケニル、Ｃ 1−Ｃ8アルコキシ、Ｃ6−Ｃ12アリ
    ル、β−ジケトネート、シクロペンタジエニル、Ｃ1−
    Ｃ8アルキルシクロペンタジエニル及び上記の物質にハ
    ロゲンが添加された誘導体のうちいずれか一つを用いる
    ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子のキャ
    パシタ製造方法。
  12. 【請求項１２】 パージ（purge）気体には、Ｎ2、Ｈ
    ｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｈ2、またはこれらの混合気体を用い
    ることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子のキャ
    パシタ製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記拡散防止膜をＯ2、ＮＨ3、Ｈ
    2Ｏ、Ｈ2Ｏ2、ＲＯＨ、ＲＣＯＯＨ、Ｃ2−Ｃ10ジオール
    （diol）のうちいずれか一つの反応気体により形成する
    ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子のキャ
    パシタ製造方法。
  14. 【請求項１４】 Ｒは、Ｃ1−Ｃ10アルキル、Ｃ2−Ｃ10
    アルケニル、Ｃ1−Ｃ8アルコキシ、Ｃ6−Ｃ12アリル及
    び上記の物質にハロゲンが添加された誘導体のうちいず
    れか一つであることを特徴とする請求項１３に記載の半
    導体素子のキャパシタ製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記拡散防止膜をアニーリングするス
    テップにおいて１００℃〜６５０℃の温度範囲で急速熱
    処理を１分〜５分間行うことを特徴とする請求項５に記
    載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記急速熱処理をアルゴンと酸素との
    混合ガス、または窒素と酸素との混合ガス、及び酸素雰
    囲気下で行うことを特徴とする請求項１５に記載の半導
    体素子のキャパシタ製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記拡散防止膜の表面の稠密性を増大
    させるための表面処理をさらに含むことを特徴とする請
    求項５に記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記表面処理は、酸素イオン、アンモ
    ニウムガス、アンモニウムプラズマ、酸素プラズマ、ま
    たは酸素及び窒素の混合イオンを用いて行うことを特徴
    とする請求項１７に記載の半導体素子のキャパシタ製造
    方法。
  19. 【請求項１９】 前記拡散防止膜の表面に酸化膜を形成
    する過程をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記
    載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記半導体素子のキャパシタ製造方法
    は、前記拡散防止膜の表面の稠密度を向上させ、前記拡
    散防止膜の表面に酸化膜を形成するための過程をさらに
    含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体素子のキ
    ャパシタ製造方法。
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