KR100276660B1 - 무선주파수(rf)태그의제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 스탬핑된 금속 리드프레임 안테나를 가지는 신규의 얇은 플렉시블 무선주파수(RF) 태그의 제조에 관한 것이다. 이 태그는 칩이 리드프레임 안테나에 기계적 및 전기적으로 직접 부착되는 지점에 대해 리드프레임 안테나 "컷아웃"을 가지는 리드프레임 스트립을 운송시키므로써 만들어 진다. 배터리는 공정시에 칩에 부착될 수 있다. 리드프레임 스트립에 리드프레임 안테나를 유지시키는 지지 바를 절단하고, (적층 또는 성형으로써) 패키지를 밀봉하고, 밀봉된 소자를 절개하는 공정이 다양한 순서로 수행되어 최종 제품을 생산한다. 패키지를 덮는 데 보호용 포위부재가 부가되어, 밀봉된 소자가 여전히 얇고 플렉시블하도록 하면서 패키지에 구조적 지지를 더 제공한다.

Description

무선주파수 태그의 제조방법{METHOD OF MAKING A THIN RADIO FREQUENCY TRANSPONDER}
본 발명은 얇은 플렉시블 패키지(thin flexible package)로 무선주파수 회로를 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 무선주파수 태그(tag)로서 사용되는 얇은 리드프레임 안테나 및 무선주파수 회로의 제조에 관한 것이다.
종래기술에서는 얇은 금속 호일(metallic foils), 예를 들어 리드프레임에 집적회로칩(chip)을 접속시킨다. 이들 방법에서, 칩은 리드프레임의 상부상에 부착되므로, 리드프레임은 와이어본딩(wirebonding) 기법에 의해 칩상의 전기접속부에 연결된다. 약한 결합특성으로 인하여, 접속부는 지지를 위하여 캡슐화된다.
사용되는 본딩 유형은 통상적으로 초음파, 열음파(thermosonic) 또는 열압착(thermocompression) 와이어본딩이다. 얇은 금 또는 알루미늄 와이어는 한 기법에 의해 호일 리드프레임에 본딩된다.
전형적으로 리드프레임은 칩 접촉부와 다른 전기적 접속부 사이에 연결을 제공하기 위한 접속 및 지지 소자이다. 따라서, 그들은 소정의 강성율(rigidity)을 제공하기 위해 150 내지 200 미크론의 두께를 가진다.
종래기술의 방법에서는 특히 트랜스폰더(transponders)가 리드프레임 구조를 가지는 경우에 얇고 플렉시블한 트랜스폰더를 생산하는 데 어려움이 있었다. 이것은 종래의 리드프레임 구조는 (패키지에 칩 및 리드프레임의 두께를 부가되도록) 칩을 리드프레임에 부착시킬 것을 요구하고, (패키지에 부가적인 층 및 두께를 부가시키는 경향이 있는) 중간 접속부로서 리드프레임을 사용하며, [또한, 와이어본드의 "루프 높이(loop height)"로 인해 패키지 두께를 부가시키는] 와이어본딩을 요구하였기 때문이다. 또한, 종래기술에 사용된 리드프레임은 패키지에 대해 지지 및 강성률을 제공하는 최소의 두께여야 한다.
본 발명의 목적은 얇은 무선주파수 트랜스폰더를 제조하는 개선된 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 리드프레임 안테나를 가지는 얇은 무선주파수 트랜스폰더를 제조하는 개선된 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또다른 목적은 얇은 플렉시블 보호용 적층(protective lamination)을 가지는 플렉시블 무선주파수 태그장치를 제조하는 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은 리드프레임 구조(안테나)를 가지는 얇은 플렉시블 트랜스폰더를 제조하는 방법에 관한 것이다. 낮은 열질량 및 낮은 열전도성을 가지는 얇은(75-100 미크론) 리드프레임 스트립(leadframe strip)이 사용된다. 리드프레임 안테나는 리드프레임 스트립에서의 패턴으로 생성되며, 리드프레임 안테나에 대한 접속부는 회로칩 접속부에 직접 부착된다. 중간 접속층 또는 배선은 필요치 않으며, 리드프레임 스트립에서의 패턴은 트랜스폰더의 집적 소자, 안테나가 될 수 있다.
리드프레임 안테나 "컷아웃(cutouts)"을 가지는 리드프레임 스트립은 칩이 리드프레임 안테나에 기계적 및 전기적으로 직접 부착되는 지점으로 운송된다. 칩 및 리드프레임 안테나 부분은 선택사양적으로 캡슐화된다. 또한, 공정시에 배터리가 칩에 부착될 수 있다. 실시예에 따라, 리드프레임 스트립에 리드프레임 안테나를 유지시키는 지지 바(support bars)가 절단되고, 패키지가 밀봉되고[적층 또는 성형(molding)], 밀봉된 소자는 상이한 순서로 절개(excise)되어 최종 제품을 생산한다.
얇은 리드프레임을 위한 중간 지지부[배치장치(positioner)]가 선택사양적으로 제공되어, 칩이 리드프레임 안테나의 연결 단부(end)에 위치될 수 있고, 얇은 리드프레임 안테나가 어셈블리 공정동안 기하학적으로 변형(단락)되지 않도록 한다. 예를 들면, 다중 소자 안테나의 간격이 유지된다.
패키지를 덮는 데 보호용 포위부재(protective surround)가 부가될 수 있어, 패키지를 얇고 플렉스시블하게 유지시키면서 패키지에 부가적인 구조적 지지부를 제공할 수 있다.
본 발명의 각종 구조는 본 명세서에 참조로서 인용되는, 브레디(Brady)등에 의한 "Thin Radio Frequency Transponder with Leadframe Antenna Structure"란 명칭의 미합중국 특허 출원번호 Y0996-031에 개시되어 있다.
도 1은 무선주파수 태그(트랜스폰더 구성요소)를 제조하는 단계를 도시하는 흐름도.
도 2는 무선주파수 태그를 위한 얇은 안테나를 만드는데 사용되는 얇은 리드프레임 스트립의 바람직한 실시예를 도시하는 도면.
도 3은 무선주파수 태그를 위한 얇은 안테나의 리드프레임 스트립의 다른 바람직한 실시예를 도시하는 도면.
도 4a 내지 도 4c는 하나의 얇은 리드프레임 안테나에 회로칩을 본딩시키는 방법을 도시하는 도면.
도 5는 얇은 리드프레임 안테나(들)에 본딩된 칩(도 5A)의 캡슐화(도 5B)의 방법에 대한 바람직한 실시예를 도시하는 도면.
도 6은 얇은 안테나에 본딩된 칩의 캡슐화 방법에 대한 다른 바람직한 실시예를 도시하는 도면.
도 7은 얇은 리드프레임 구조에 배터리를 부착하는 방법을 도시하는 도면.
도 8은 리드프레임 스트립에 대해 개개의 얇은 안테나를 유지시키는 지지바를 절단하는 방법을 도시하는 도면.
도 9는 본딩된 칩을 가지는 얇은 리드프레임 안테나의 스트립을 밀봉(적층)하는 방법의 바람직한 실시예를 도시하는 도면.
도 10은 본딩된 칩을 가지는 얇은 리드프레임 안테나의 스트립을 밀봉(성형)하는 다른 방법을 도시하는 도면.
도 11은 적층된 리드프레임 스트립으로부터 개개의 무선주파수 태그를 절개하여 소자 트랜스폰더를 생산하는 방법을 도시하는 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
100: 리드프레임 안테나 스트립 120: 지지바
240: 배치장치 440: 칩
700: 배터리
도 1은 무선주파수 태그의 제조시의 단계를 도시하는 흐름도이다. 단계(400)에서, 칩은 운송된(150) 리드프레임 안테나 스트립(100)상의 각 안테나에 접합된다. 칩은 반도체 와이퍼(200)의 일체화된 부분으로서 제조되고, 칩상에 I/O가 돌출(bump)되며(210), 웨이퍼는 세선화되고(220) 다이스(dice)되며, 각각의 칩이 빼내어진다(230). 반도체 산업에서 단계(200, 210, 220, 230)는 잘 알려져 있으며, 본 명세서에 참조로서 인용되는 에쓰 울프(S. Wolf) 및 알 엔 타우버(R. N. Tauber)에 의한 "Silicon Processing for The VLSI Era", Vol. 1, Lattis Pserr, Sunset Beach, CA, 1986, ISBN 0-961672-3-7; 에스 루이스(S. Lewis)에 의한 "Backgrinding Wafers For Maximum Die Strength", Semiconductor International July, p.86; 존 에이치 라우(John H. Lau)에 의해 편집된 "Chip On Board Technologies For Multichip Modules", Van Nostrand Reinhold Publishing Company, New York 1994, ISBN 0-442-01441-4에 상세히 기술되어 있다.
도 2의 리드프레임(안테나) 스트립(100)은 얇게 에칭되거나 또는 스탬핑된 호일이며, 전형적으로 스탬핑(stamping) 또는 에칭(etching)에 의한 얇은 구리 호일, 구리합급 호일 또는 니켈-철합급 호일로부터 제조된다. 에칭 또는 스탬핑은 리드프레임 스트립(100)상에 리드프레임 안테나(110)가 될 패턴을 생성한다. 리드프레임 스트립(100)은 스프로켓 구멍(sprocket holes)(135)을 가지는 지지 프레임(130), 각각의 리드프레임 안테나(110), 지지 바(120), 지지 레일(850) 및 내부 본딩 리드(115)를 포함한다. 바람직한 실시예에서, 안테나 스트립(100)은 2.8밀에서 10밀(즉, 70미크론에서 250미크론) 사이의 두께이다. 보다 바람직하게는, 안테나 스트립은 75미크론에서 110미크론 사이, 전형적으로 100미크론 두께이다. 이러한 두께의 리드프레임 스트립(100)은 낮은 열질량과 낮은 열전도성을 가지므로, 회로칩은 리드프레임 스트립(100)에 직접 부착될 수 있다(아래의 도 4를 참조).
도 2 및 도 3에 도시된 안테나(110)는 루프 안테나임에 주목하여야 한다. 그러나, 리드프레임 안테나(110)는 예를 들어, 전술한 "Thin Radio Frequency Transponder with Leadframe Antenna Structure"란 명칭의 특허출원에서 개시된 유형과 같은 어떠한 유형도 될 수 있다. 안테나의 유형은 예를 들어, 리드프레임 안테나 스트립(100)에 스탬핑/에칭에 의한 패턴화에 의해 결정된다. 이 방법은 상기 및 다른 안테나 패턴에 적용될 수 있다.
도 3의 바람직한 실시예에서, 리드프레임 스트립(100)은 도 2에 도시된 바와 같은 지지 프레임(130), 각각의 안테나(110), 지지 바(120), 지지 레일(850) 및 내부 본딩 리드(115)를 포함한다. 또한, 스트립(100)은 배치장치 스트립(또는 배치장치)(240)을 가진다. 스트립(100)은 기지의 수단에 의해 운송된다(200). 배치장치 스트립(240)은 스트립(100)의 제조 공정동안 부가될 수 있고, 뷰티랄 페놀릭(butyral phenolic)과 같은 접착제에 의해 안테나(110) 및 지지 프레임(130)에 부착되는, 좁은 바람직하게는 2㎜내지 5㎜ 폭 스트립의 폴리이미드(polyimide) 또는 다른 플래스틱으로 구성된다. 사용될 수 있는 다른 접착제로는 아크릴(acrylics), 실리콘(silicones) 또는 변형된 에폭시(modified epoxies)가 있다.
배치장치(240)는 또한 회로칩이 부착되는 위치에 하나 이상의 개구(apertures)를 가지는 시트(sheet)일 수 있다.
배치장치 스트립(240)은 기지의 방법에 의해 리드프레임 스트립상에 스풀(spool)된다(250). 본 명세서에 참조로서 인용되는, 알 터말라(R.Tummala)에 의해 편집된 "Microelectronics Packaging Handbook", Van Nostrand Rheinhold, New York, 1989을 참조하라. 리드프레임 스트립(100)이 에칭 또는 스탬핑된 후에, 배치장치 스트립(240)이 리드스페임 스트립(100)상에 스풀된다(250)는 점에 주목해야 한다. 또한, 대부분의 실시예에서, 배치장치 스트립(240)은 리드스프레임 스트립(100)의 일부만을 지지한다.
도 4에 도시된 단계(400)에서의 칩 본딩은 각각의 안테나(110)를 칩(440)과 정렬되도록 먼저 배치하므로써, 도 4a에 도시된 바와 같이 안테나(110)의 내부 본딩 리드(115)를 칩(440)상의 돌출부(bump)에 대해 정렬시키므로써 성취된다. 다음, 도 4b에서, 본딩 헤드(430)가 내부 리드(115)와 접촉하도록 배치되고, 내부 리드(115)는 돌출부(420)에 대해 눌려진다. 열 및 압력이 가해져 본딩이 완료되고, 도 4c에 도시된 바와 같이 칩 및 안테나의 결합이 유지장치(retention apparatus)(450)로부터 들어올려진다. 다른 본딩 방법은 열음파, 레이저음파, 납땜 및 와이어본딩을 포함한다. 본 명세서에 참조로서 인용되는 1990년 11월 13일에 출원되어 Chalco에게 허여된 "Method and Apparatus for Bonding Components Leads to Pads Located on a Non-rigid Substrate"라는 명칭의 미합중국 특허 제4,970,365호를 참조하라.
도 5에 도시된 단계(500)에서의 칩 캡슐화는 리드프레임 스트립(100)에 부착되는 칩(440)상에 칩표면 캡슐제(도 5B)를 도포하므로써 성취된다. 전형적으로, 덱스터 하이솔(Dexter Hysol) 4323과 같은 에폭시(520)가 도포된다. 에폭시(520)는 칩 표면(515)에 가장 근접하게 이동되는 디스펜서(dispenser)(510)내에 포함된다. 에폭시(505)는 방울(520)지게 투여되어 칩 표면(515)위에 캡슐 돔(530)을 형성한다. 에폭시의 경화는 대략 4시간동안 높은 온도, 예를 들어, 150℃에서 행해진다. 다른 칩 캡슐제는 예를 들어, 신속한 경화 사이클을 가지는 캡슐제인, 덱스터 하이솔, 아벨스틱(Abelstik) 및 에포텍(Epotek)에 의해 제조되는 사용가능한 변형된 에폭시 수지들중에 선택될 수 있다.
단계(500)의 칩 캡슐화의 다른 바람직한 실시예는 도 6에 도시되어 있으며, 이는 리드프레임(615)의 표면에 신규한 상부층(overlayer)(610)을 부가하므로써 성취된다. 상부층(610)은 폴리이미드 또는 다른 적당한 중합체이다. 상부층(610)과 칩(440) 사이의 간격(640)은 캡슐제(505)의 모세관작용에 의해 채워진다. 디스펜서(510)의 노즐(nozzle)(620)이 간격(640)에 인접하게 배치된다. 그다음, 캡슐제(505)이 간격(640)으로 흘러들어가 이곳을 채운다. 캡슐제의 경화는 Hysol 4511에 대해 4시간동안 높은 온도, 예를 들어 150℃에서 행해진다. 다른 적당한 캡슐제가 전술한 회사에 의해 제조된다. 도 5A에서 칩은 리드프레임 안테나의 하부에 도시된 반면에, 도 6에서 칩은 리드프레임 안테나(110)의 상부에 도시되어 있다는 데에 주목하여야 한다.
바람직한 실시예에서, 상부층(610)은 칩의 에지(edges)를 지나 연장되도록, 즉, 적어도 전체 칩 표면(515)에 걸쳐 위치되는 크기 및 위치를 가진다. 상부층(610)은 캡슐제가 투여되어 모세관작용을 일으키도록 "댐(dam)"을 형성하여, 캡슐제가 전체 칩 표면(515)에 걸쳐 역류(reflow)하도록 한다. 캡슐제가 경화된 후에, 캡슐제는 리드프레임 안테나(110)를 칩 표면(515) 및 돌출부(420)에 접속시키는 기계적 접속을 제공한다. 이 기계적 접속은 안테나(110)와 본딩 리드(115)가 깨어짐이 없이 휘도록 허용하면서, 안테나(110), 본딩 리드(115), 칩 표면(515) 및 돌출부(420)에 지지를 제공한다. 또한, 경화된 캡슐제는 칩 표면이 기계적 및 화학적 손상을 입지 않도록 환경적 보호를 제공한다.
도 6에 도시된 실시예는 상부층(610)과 칩(440) 사이에 "끼워지는" 리드프레임 안테나(110)를 가지는 구조를 사용한다. 이것은 중합체 태이프(585) 스트립으로부터 상부층(610)을 잘라내고(582), 칩(440) 표면(515)에 걸쳐 소정 위치에서 리드프레임 안테나(110)상에 상부층(610)을 배치(587)하는 절단 툴(580)을 사용하므로써 행해진다(도 5A를 참조).
선택사양적으로, 배터리가 리드프레임 구조(110)에 부착될 수 있다(710). 도 7에 도시된 바와 같은 배터리(700)는 전형적으로, 리드프레임 스트립(740)상의 접촉패드(730)와 정렬되도록 이동되는 돌출된 접촉 탭(contact tab)(720)을 가진다. 이 리드프레임 스트립(740)은 능동 칩(440A)상의 전력입력 접촉부(770)에 배터리(700)를 기계적 및 전기적으로 접속시키기 위하여 그의 패턴에 있어, 부가적인 접속 구조(730, 735)를 가진다. 본딩 헤드(750)는 본딩을 위한 위치로 이동된다. 이 본딩은 납땜, 열음파 또는 레이저음파 본딩으로써 성취될 수 있다.
바람직한 일 실시예에서, 스폿 용접(spot welding)은 접촉 패드(720)와 접속 구조(730)를 구성하는 금속을 융합(fuse)시키므로써 접속 구조(730)에 배터리(700)의 접촉 패드(720)를 부착시키는 데 사용된다. 스폿 용접을 사용하므로써, 유사하거나 또는 비유사한 금속이 함께 융합될 수 있다. 스폿 용접은 신속하며, 칩(440A) 또는 배터리(700)를 과열시키지 않고 융합 영역으로 열을 집중시킨다. 또한, 스폿 용접(770)은 유동이 없으며, 부식제가 전기접촉부로 도입되지 않도록 한다. 스폿 용접(770)은 낮은 임피던스 접속을 형성하며, 융합 영역에 양질의 기계적 강도를 제공하여 융합 영역에 구조적인 지지부가 생기도록 한다.
도 8에 도시된 단계(800)에서, 각 지지 바(120)는 절단 툴(820)에 의해 절단된다. 이러한 절단(830)동안, 안테나(110)는 지지 바(120)를 절단하므로써 리드프레임 스트립(100) 및 지지 프레임(130)으로부터 전기적 및 기계적으로 분리된다. 이대신에, 절단 툴(820)은 (특히 2극 안테나 구조를 위해) 소정 지점에서 안테나(110)를 절단하여, 상이한 공진 안테나 길이를 정리 또는 설정할 수 있다(830). 비록 안테나(110)가 리드프레임 스트립(100)으로부터 기계적으로 분리되지만, 바람직한 실시예에서 리드프레임 안테나(110)은 여전히 배치장치 스트립(240)에 의해 기계적으로 지지된다. 이것에 의해 안테나(110)가 기계적인 뒤틀림없이 계속 처리될 수 있다. 즉, 배치장치 스트립(240)은 안테나의 기하학적 보전성을 유지한다. 지지 레일(850), 지지 프레임(130) 부분은 바람직한 실시예에서 잘려나가지(830) 않으므로, 지지 프레임(130)은 여전히 구성요소[리드프레임 안테나(110) 및 칩(440)]를 운송하는 데 사용될 수 있다는 데에 주목하여야 한다.
단계(900)에서, 패키지가 밀봉된다. 도 9의 바람직한 실시예에서, 구성요소(860)의 스트립(910)은 가열된 두 롤러(930) 사이로 공급된다. 스트립(910)은 부착된 칩을 가지며 소정의 실시예에서 절단된(800) 리드프레임 스트립(100)이다.
스트립(910)은 이 스트립(910)을 이동시키는(915) (도시되지 않은) 운송기 또는 히치 피더(hitch feeder)에 의해 운송된다. 참조로서 본 명세서에 인용되는 1991년 10월1일에 출원된 사이폴라(Cipolla) 등의 "Tape Automated Bonding Feeder"라는 명칭의 미합중국 특허 제5,052,606호를 참조한다.
구성요소(860)의 스트립(910)이 롤러(930)를 통해 이동됨에 따라, 밀봉제(920)가 또한 롤러(930)들 사이로 향한다. 샌드위치 모양의 물질상에 롤러(930)에 의한 압력이 가해진다. 가열된 롤러(930)로부터 열이 전송되어 밀봉부를 만들고, 하나 또는 양면상에 적층을 생성한다. 전형적으로 물질은 200℃로 가열된다. 적층물로서 사용되는 물질은 폴리에스테르/에틸 비닐 아세테이트(polyester/ethyl vinyl acetate: PET/EVA), 폴리프로필렌 술폰(polypropylene sulfone: PPS) 또는 폴리에스테르(PET)를 포함한다. 다른 적층재료는 종이(paper), 판지(cardboard), 중합체(polymer), 폴리에틸렌(polyethylene)이 있다. 밀봉(적층)제는 또한 다중층을 가질 수 있으며, 각 층은 전술한 소정 물질일 수 있다. 이 대신에, 스트립(910)은 하나 이상의 적층 밀봉공정(900)을 통하여 운송될 수 있다.
도 10의 다른 실시예에서, 패키지(900)의 밀봉은 도 9의 적층 대신에 사출 성형(1000)에 의해 성취된다. 구성요소 스트립(1005)은 틀(mold)(1010)에 배치된다. 틀의 두 절반부(1030, 1040)는 함께 운송되고, 성형물질(1025)은 홈(1020)을 통해 도입된다.
다른 성형 기법(1000)은 리액션 사출 성형(reaction injection molding: RIM), 압축 성형, 블로우 성형(blow molding) 또는 전사 성형(transfer molding)을 포함한다. 또한, 성형(1000)은 왁스(wax) 또는 도우-코닝 실리콘 고무(Dow-Corning silicon rubber) 또는 허미실(Humiseal)과 같은 유동 밀봉제에 디핑(dipping)으로써 수행될 수 있다. 패키지 밀봉을 위한 이들 및 다른 기법은 전술한 "Microelectronics Packaging Handbook"에 기술되어 있다.
다른 실시예에서, 지지 바(120)는 절단되지 않으므로, 즉, 공정(900)전의 공정(800)이 생략된다. 이 실시예에서, 배치장치(240)는 부착될 수 있거나 또는 이와 달리 부착될 필요가 없다. (도 3을 참조). 소자(860)상의 리드프레임 안테나(110)는 공정(900)시 적층으로써 구조적으로 지지되므로써, 배치장치(240)를 가질 필요가 없다. 차후의 단계에서(아래의 도 11을 참조), 구성요소(860)가 절개된다. 이 실시예에서, 안테나(110)가 절개되는 지점에서, 리드프레임 안테나의 작은 부분이 주위에 노출된다. 그러나, 구성요소(860)는 노출된 단부를 완벽하게 밀봉하기 위하여 절개 후에 디핑될 수 있다. 디핑 기법은 잘 알려져 있다.
또다른 실시예에서, 지지 바(120)가 잘려지지 않으므로, 즉, [적층(900)대신에]성형 공정(1000)전에 공정(800)이 생략된다. 이 실시예에서, 배치장치(240)는 부착될 수 있거나 또는 이와달리 부착될 필요가 없다. (도 3을 참조) 이 실시예에서, 소자(860)상의 리드프레임 안테나(110)는 공정(1000)시 성형에 의해 구조적으로 지지된다. 차후 단계에서(아래의 도 11을 참조), 성형된 소자(860)가 리드프레임 스트립으로부터 잘려진다(1100). 이 실시예에서, 안테나(110)의 단부(성형된 외부면 또는 틀의 잘려진 에지)가 주위에 노출된다. 안테나(110)를 완전히 덮기 위하여, 성형된 구성요소(860)가 픽업(pick up) 및 디핑되거나 또는 적층되어 안테나(110)를 완전히 덮을 수 있다.
성형(1000)의 또다른 실시예에서, 틀은 회로칩(440) 및 리드프레임 안테나(110)의 모든 부분이 성형에 의해 밀폐봉합되도록 충분히 클 수 있다. 성형(1000)전에 배치장치(240)가 사용될 때, 배치장치(240)는 성형(1000)동안 압축되는 물질로 만들어질 수 있다. 또한, 성형(1000)은 배치장치(240)가 성형동안 역류되도록 할 수 있다. 폴리이미드로 만들어진 배치장치(240)는 성형(1000)동안 압축되지만 역류되지 않는다. 소정의 열가소성 물질로 만들어진 배치장치(240)는 또한 성형(1000)동안 압축되지만 역류되지 않는다. 다른 열가소성 물질로 만들어진 배치장치(240)는 성형(1000)동안 압축되고 역류되도록 만들어 질 수 있다.
도 11의 단계(1100)에서, 완벽하게 밀봉된[적층(920) 및/또는 성형된] 소자(1110)가 기지의 절단 툴(1130)에 의해 스트립(1120)으로부터 절단되거나 또는 절개된다(1100). 절단 툴(1130)은 적층(920)을 절단하여, 밀봉된 구성요소(1110)가 적층된 리드프레임 스트립(1120)으로부터 분리되도록 한다. 따라서, 구성요소(1110)는 절단 툴(1130)에 의해 절단되는 적층(920) 부분인 보호용 포위부재(920A)에 의해 덮혀진다. (전술한 특허출원 "Thin Radio Frequency Transpoder with Leadframe Antenna Structure"를 참조.) 이 보호용 포위부재(920A)는 환경으로부터 밀봉된 구성요소(1110)의 모든 부분을 밀봉한다.
당업자라면 개시된 및 다른 이와 동등한 실시예를 명백히 알 것이다. 이들 실시예는 본 발명의 범주내에 있다.

Claims (16)

  1. 무선주파수(RF) 태그 제조 방법에 있어서,
    동작 안테나를 형성하는 하나 이상의 도체들을 포함하는 리드프레임을 형성하는 단계,
    회로칩상의 하나 이상의 커넥터(connector)를 상기 리드프레임에 형성된 상기 동작 안테나에 전기적으로 직접 접속시킴으로써 상기 회로 칩을 상기 리드프레임에 직접 결합시키는 단계,
    상기 회로칩 및 상기 리드프레임에 형성된 동작 안테나를 덮는 단계,
    상기 리드프레임 내에 형성된 상기 접속된 동작 안테나와 함께 상기 회로 칩을 분리하는 단계를 포함하는 무선주파수(RF) 태그 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 덮는 단계는 상기 회로 칩 및 상기 리드프레임에 형성된 상기 동작 안테나를 두 개의 유기 적층사이에 밀봉함으로써 행해지는 무선주파수(RF) 태그 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 유기 적층은 종이, 판지, 중합체(polymer), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리에스테르(polyester), 폴리에스테르/에틸 비닐 아세테이트(polyester/ethyl vinyl acetate) 또는 폴리프로필렌 술폰(polypropylene sulfone)중의 임의의 것을 포함하는 무선주파수(RF) 태그 제조 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    유기 적층으로 밀봉하기 전에, 상기 회로칩을 캡슐제로 캡슐화하는 단계를 더 포함하는 무선주파수(RF) 태그 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 덮는 단계는 성형(molding)에 의해 행해지는 무선주파수(RF) 태그 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 성형은 전사 성형(transfer molding), 사출 성형(injection molding), 리액션 사출 성형(reaction injection molding), 압축 성형(compression molding), 블로우 성형(blow molding) 및 디핑(dipping)중 임의의 것을 포함하는 무선주파수(RF) 태그 제조 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 회로칩 및 상기 리드프레임에 형성된 상기 동작 안테나가 또한 적층화되는 무선주파수(RF) 태그 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 리드프레임 내에 형성된 상기 동작 안테나는 하나 이상의 배치장치(positioners)에 의해 지지되는 무선주파수(RF) 태그 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 배치장치는 하나 이상의 스트립인 무선주파수(RF) 태그 제조 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 배치장치는 상기 회로칩이 부착되는 위치에 개구(aperture)를 가지는 시트(sheet)인 무선주파수(RF) 태그 제조 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 리드프레임 내에 형성된 상기 동작 안테나는 열압착 본딩, 초음파 본딩, 레이저음파 본딩, 도전성 접착제, 와이어본딩 및 레이저음파 본딩 중 어느 하나에 의해 상기 하나 이상의 커넥터에 전기 접속되는 무선주파수(RF) 태그 제조 방법.
  12. 무선주파수(RF) 태그 제조 방법에 있어서,
    동작 안테나를 형성하는 하나 이상의 도체들을 포함하되, 리드프레임 내에 형성된 상기 동작 안테나가 상기 리드프레임에 기계적으로 접속하기 위한 하나 이상의 지지 바(support bar)를 갖는 상기 리드프레임을 형성하는 단계,
    회로 칩상의 하나 이상의 커넥터를 상기 리드프레임 내에 형성된 상기 동작 안테나에 전기적으로 직접 접속시킴으로써 상기 회로 칩을 상기 리드프레임에 직접 결합시키는 단계,
    상기 회로 칩 및 상기 리드프레임 내에 형성된 동작 안테나를 덮는 단계,
    상기 지지 바를 절단하여 상기 회로 칩과 상기 리드프레임에 형성된 상기 접속된 동작 안테나를 분리하는 단계를 포함하는 무선주파수(RF) 태그 제조 방법.
  13. 무선주파수(RF) 태그 제조 방법에 있어서,
    동작 안테나를 형성하는 하나 이상의 도체들을 포함하는 상기 리드프레임을 형성하는 단계,
    회로 칩상에 또는 상기 리드프레임 내에 형성된 상기 동작 안테나에 접속되는 더 이상의 어떤 안테나가 없이도 상기 회로칩상의 하나 이상의 커넥터(connector)들을 상기 리드프레임 내에 형성된 상기 동작 안테나에 전기적으로 직접 접속시킴으로써 상기 회로 칩을 상기 리드프레임에 직접 결합시키는 단계,
    상기 회로칩 및 상기 커넥터들의 표면을 덮은 상부층(overlayer)을 상기 리드프레임 내에 형성된 상기 동작 안테나 및/ 그위에 부착하는 단계,
    상기 상부층과 상기 회로칩의 표면 사이에 캐슐화 물질을 투입하는 단계를 포함하는 무선주파수(RF) 태그 제조 방법.
  14. 무선주파수(RF) 태그 제조 방법에 있어서,
    동작 안테나를 형성하는 하나 이상의 도체들을 포함하는 상기 리드프레임을 형성하는 단계,
    회로칩상의 하나 이상의 도체들을 상기 리드프레임 내에 형성된 상기 동작 안테나에 전기 접속시킴으로써 상기 회로칩을 상기 리드프레임 내에 형성된 상기 동작 안테나에 결합시키는 단계,
    상기 회로 칩에 전력을 제공하는 배터리 상의 하나 이상의 배터리 커넥터들을 상기 리드프레임 상의 대응하는 커넥터들에 전기 접속시킴으로써 상기 배터리를 상기 리드프레임에 결합시키는 단계,
    상기 회로칩, 배터리, 및 상기 리드프레임 내에 형성된 동작 안테나를 덮는 단계,
    상기 접속된 배터리 및 상기 리드프레임 내에 형성된 동작 안테나와 함께 상기 회로칩을 분리하는 단계를 포함하는 무선주파수(RF) 태그 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 배터리는 납땜, 열음파 본딩(thermosonic bonding), 레이저음파 본딩, 스폿 용접(spot welding) 중 임의의 하나에 의해 상기 배터리 커넥터들에 전기 접속되는 무선주파수(RF) 태그 제조 방법.
  16. 무선주파수(RF) 태그 제조 방법에 있어서,
    상기 RF 태그용 안테나 소자를 형성하는 리드프레임부에 회로칩을 직접 부착하는 단계를 포함하는 무선주파수(RF) 태그 제조 방법.
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