KR100246200B1 - 광디스크기판의 제조방법 - Google Patents

광디스크기판의 제조방법 Download PDF

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다께히꼬 기따무라
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오자와 미토시
스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤
나까니시 히로유끼
미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤
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Abstract

부하 5kg, 온도 260℃하에 ASTM D 1238에 의해 측정한 용융유속(MFR)이 240~1200g/10분, DSC에 의해 측정한 융점이 234~240℃인 4-메틸-1-펜텐 중합체 또는 공중합체의 페레트를 실린더의 적어도 일부의 온도가 320~370℃이고, 모울드 온도가 55℃ 이하인 조건하에서 기판으로 사출성형하는 것이 특징인 광디스크 기판의 제조방법.

Description

광디스크기판의 제조방법
제1도는 광디스크의 휨량 측정방법 설명도.
본 발명은 광디스크 기판의 제조방법에 관한 것이며 특히 4-메틸-1-펜텐 단독중합체 또는 4-메틸-1-펜텐/α-올레핀 공중합체로 제조된 전사성이 우수한 광디스크 기판의 제조방법에 관한 것이다.
광디스크는 대기억용량 및 휴대 간편성 때문에 음성기록 및 비데오 테이프 기록용 CD, LD, 1회기입 광디스크 및 MO디스크등의 정보기록 분야에서 광범위하게 사용되고 있다.
광디스크 스탬퍼(stamper)를 갖는 모울드 속으로 사출 성형기에 의해 출발물질인 중합체를 주입하여 스탬퍼에 의해 기판표면상에 전사되는 피트(pit) 또는 트랙들을 갖는 광디스크용 기판을 제조한 다음, 상기 기판상에 광기록층 또는 광기록층 및 반사층(금속층)에 보호층을 더 형성하거나 또는 기판의 사출성형과 동시에 기판위에 정보비트들을 형성한후 그 위에 반사층을 그리고 필요할 경우 보호층을 형성함으로써 제조할 수 있다. 양호한 기록 및 재생감도를 갖는 광디스크를 얻기 위해, 상기 기판성형시에 기판 표면상에 스탬퍼의 표면에 있는 미소한 비평탄성을 재현해야 한다. 또한 상술한 바와 같은 광디스크용 기판은 우수한 투명성, 보다 적은 복굴절, 성형시의 무왜곡, 휨없는 우수한 칫수 안정성, 우수한 금속화 용이성 또는 유기막에 대한 우수한 점착성, 우수한 내열성 및 내습성등의 각종 특성을 갖고 있어야 한다.
근년에, 대기억용량을 갖는 광디스크에 대한 수요가 증가되고 있었다. 동일 직경의 기판을 갖는 광디스크에서 기억용량을 증대시키기 위해서는 트랙 또는 피트의 간격을 좁혀줌으로써 기판내의 기록밀도를 향상시킬 수 밖에 없다. 상술한 바와같은 고기록 밀도를 갖는 광디스크를 제조하기 위해서는 본 발명에 따라서 광디스크용 출발물질로서 특정 중합체 또는 공중합체를 사용해야 하고 또한 특정한 광디스크 기판의 제조방법을 사용해야 한다.
본 발명은 상술한 바와같은 종래기술을 극복하기 위해 창출되었으며, 본 발명의 목적은 4-메틸-1-펜텐 중합체류로 제조되는 전사성이 우수하고 휨이 적은 광디스크용 기판의 제조방법들을 제공하는데 있다.
본 발명에 의한 광디스크기판의 제조방법은 부하 5kg 및 온도 260℃하에서 ASTM D 1238에 따라 측정하여 240~1200g/10분의 용융유속(MFR)과, DSC에 의해 측정하여 234~240℃의 용융점을 갖는 4-메틸-1-펜텐 중합체 또는 공중합체로된 페레트들을 실린더의 적어도 일부의 온도가 320~370℃이고, 모울드 온도가 55℃이하인 조건하에서 기판으로 사출성형하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 광디스크용 기판을 성형하기 위한 상술한 바와같은 4-메틸-1-펜텐 중합체류는 4-메틸-1-펜텐으로부터 유도된 반복단위 94~99.5중량%와 α-올레핀, 바람직하게는 4~24탄소수의 α-올레핀으로부터 유도된 반복단위 6~0.5중량%를 함유하는 것이 좋다.
본 발명의 광디스크 기판의 제조방법과 관련하여, 우선 상기 방법에서 사용된 4-메틸-1-펜텐 중합체 또는 공중합체류를 이후 설명한다.
본 발명의 기판용으로 사용되는 수지류로는 4-메틸-1-펜텐 중합체, 바람직하게는 4-메틸-1-펜텐의 단독중합체 또는 4-메틸-1-펜텐과 4~24탄소수의 α-올레핀의 공중합체, 바람직하게는 4-메틸-1-펜텐과 이로부터 유도된 반복단위를 적어도 94중량%를 포함하는 4~24탄소수의 α-올레핀의 공중합체등이 이다. 그러나 본 발명에서 목적하는 바와같이 전사성이 우수한 광디스크용 기판을 얻기 위해 특히 4-메틸-1-펜텐으로부터 유도된 반복단위 94~99.5중량%, 바람직하게는 96~99.5중량%와 4~24탄소수의 α-올레핀으로부터 유도된 반복단위의 6~0.5중량%, 바람직하게는 4~0.5중량%로된 4-메틸-1-펜텐/α-올레핀 공중합체류를 사용하는 것이 요망된다.
명세서에서 용어 “4-메틸-1-펜텐 중합체”는 4-메틸-1-펜텐의 단독중합체 및 4-메틸-1-펜텐과 α-올레핀이외의 소량의 단량체의 공중합체를 뜻하며, 또한 용어 “4-메틸-1-펜텐”공중합체(”4-메틸-1-펜텐/α-올레핀 공중합체)”는 4-메틸-1-펜텐과 α-올레핀의 공중합체 또는 4-메틸-1-펜텐, α-올레핀 및 α-올레핀 이외의 소량의 단량체의 공중합체를 뜻한다.
4-메틸-1-펜텐과 α-올레핀의 공중합체는 α-올레핀이외의 단량체로부터 유도된 소량의 반복단위를 포함할 수도 있다.
α-올레핀이외의 공중합성 단량체를 구체적으로 예로들면 부타디엔, 디시클로펜타디엔, 에티리덴노르보르넨, 메틸아크릴에이트, 메틸메타크릴에이트, 에틸 아크릴에이트, 에틸메타크릴에이트등이 있다.
α-올레핀을 예로들면 2이상의 탄소수를 갖는 α-올레핀류, 바람직하게는 4~24탄소수를 갖는 α-올레핀등이 있다.
상술한 α-올레핀으로는 구체적으로 에틸렌, 프로피렌, 1-부텐, 1-펜텐, 1-헥센, 1-헵텐, 1-옥텐, 1-데센, 1-테트라데센, 1-헥사데센, 1-옥타데센 및 1-에이코센등이 있다.
위에 예시한 α-올레핀류들중 6~18탄소수를 갖는 것들이 좋으며 특히 1-데센, 1-헥사데센 및 1-옥타데센이 좋다. 이들 예시한 α-올레핀류는 단독 또는 2 이상 조합하여 사용할 수 있다.
상술한 바와같은 4-메틸-1-펜텐의 단독 중합체 또는 4-메틸-1-펜텐/α-올레핀 공중합체류는 예를들어 후술되는 바와같은 공지의 촉매와 방법을 사용하여 제조할 수 있다.
즉, 4-메틸-1-펜텐의 단독중합체 또는 4-메틸-1-펜텐/α-올레핀 공중합체류는 하기성분들로 형성된 중합촉매의 존재하에서 약 20~100℃의 온도에서 4-메틸-1-펜텐의 단독중합 또는 4-메틸-1-펜텐과 전술한 α-올레핀의 공중합에 의해 얻어진다.
(A) 고활성 티타늄 촉매성분
(B) 유기금속 화합물 촉매성분
(C) 하기식으로 나타낸 유기실리콘 화합물촉매성분
RnSi(OR′)4-n
식 중 R과 R′는 각각 탄화수소기,
0＜n＜4
더우기, 본 발명에서는 전술한 4-메틸-1-펜텐/α-올레핀 공중합체로서 특히 MFR이 높은 4-메틸-1-펜텐 단독중합체류 또는 4-메틸-1-펜텐/α-올레핀 공중합체류를 열분해에 의해 감성시켜 얻은 것들을 사용할 수도 있다. 단독중합체와 공중합체의 혼합물을 사용할 수도 있다.
기판들을 단독중합체와 공중합체의 혼합물로 구성할 경우에, 4-메틸-1-펜텐/α-올레핀 공중합체의 양은 4-메틸-1-펜텐/α-올레핀 공중합체와 4-메틸-1-펜텐 단독중합체의 총중량을 기준하여 일반적으로 0.5중량% 이상을 사용하며 30중량% 이상이 바람직하며, 40중량% 이상이 더 좋으며, 또한 4-메틸-1-펜텐 단독중합체의 양은 일반적으로 99.5중량% 이하를 사용하며, 70중량% 이하가 좋고, 60중량% 이하가 더 좋다.
본 발명에서 사용된 4-메틸-1-펜텐 단독 중합체류 또는 4-메틸-1-펜텐/α-올레핀 공중합체류의 페레트들은 부하 5kg와 온도 260℃하에서 ASTM D 1238에 따라 측정하여 240~1200g/10분, 바람직하게는 240~1000g/10분, 보다 바람직하게는 300~950g/10분 및 가장 바람직하게는 350~900g/10분의 용융유속(MFR)과, 234~240℃ 바람직하게는 235~239℃의 DSC에 의한 융점을 갖는 것이 좋다. 본 발명에서 사용되는 상술한 단독중합체류 또는 공중합체류는 0.830~0.835g/cm3, 바람직하게는 0.831~0.834g/cm3의 밀도를 갖는 것이 좋다. 상술한 단독중합체류 또는 공중합체류는 겔침투크로마토그라피(GPC)(용제:0-디클로로벤젠, 140℃)법으로 측정한 수평균분자량(Mn)이 15,000~10,000이고, 분자량 분포가 2.3~5.0인 갖는 것이 좋다.
상술한 융점은 차동주사열량계를 사용하여 하기의 수순으로 측정한다. 즉, 퍼킨-엘머사의 DSC모델 II를 사용하여 약 3mg의 중합체 샘플을 4mm×4mm×0.2mm의 알미늄판 둘레에 감아서 샘플의 배향방향을 구하고 또한 그렇게 감은 샘플을 샘플홀더로서 사용되는 알미늄 팬에 넣고 또한 빈 알미늄 팬을 기준 홀더로서 사용하여 이들 2샘플 각각의 열평형을 기록한다. 이들 샘플을 약 1분동안 30℃로 유지시킨 다음 온도를 10℃/분의 속도로 250℃까지 상승시키고 이 측정에서 기록된 각 샘플의 최대 흡열피크 위치를 그의 융점으로서 했다.
본 발명에서 얻은 4-메틸-1-펜텐 단독중합체 또는 4-메틸-1-펜텐/α-올레핀 공중합체류로 구성된 광디스크 기판들은 0.830~0.835g/cm3, 바람직하게는 0.831~0.834g/cm3의 밀도와 ASTM D 1238에 의해 측정한 300~3000g/10분, 바람직하게는 350~2000g/10분의 용융유속(MFR)을 갖는 것이 좋다.
또한 본 발명에서 얻은 4-메틸-1-펜텐 단독중합체 또는 4-메틸-1-펜텐/α올레핀 공중합체류로 구성된 광디스크 기판들은 GPC법(용제:0-디클로로벤젠, 140℃)으로 측정하여 10,000~80,000의 수평균 분자량(Mn)과 2.0~5.0의 분자량 분포를 갖는 것이 좋다.
상술한 바와같이 광디스크기판 제조에 사용되는 4-메틸-1-펜텐 단독중합체 또는 4-메틸-1-펜텐/α-올레핀 공중합체류는 내열성, 투명성 용융유동특성 및 정밀성형가공성이 우수하고 또한 성형 및 가공시에 의율이 없는 특성을 갖는다.
4-메틸-1-펜텐/α-올레핀 공중합체로는 단독으로 사용할 수도 있고 또한 4-메틸-1-펜텐/α-올레핀 공중합체와 4-메틸-1-펜텐 중합체로 구성한 조성물의 형으로 사용할 수도 있다.
상술한 공중합체류 또는 조성물은 필요할 경우, 열안정화제, 기후 안정화제, 염산흡수제 및 정전방지제등의 각종 첨가제를 혼합할 수도 있다.
본 발명에서는 광디스크용 기판들을 상술한 공중합체류 또는 조성물류로부터 성형할 수 있다.
본 발명에 의한 광디스크용 기판들은 실린더의 적어도 일부의 온도가 통상 320°~370℃, 바람직하게는 330~355℃, 보다 바람직하게는 330~350℃ 및 가장 바람직하게는 335~350℃이고, 성형온도는 55℃이하, 바람직하게는 10~50℃의 조건하에서 상술한 중합체 또는 공중합체 또는 조성물의 사출성형에 의해 얻을 수 있다.
사출성형시의 사용된 냉각시간은 바람직하게는 5.0~11초, 보다 바람직하게는 6.0~8.0초이고, 성형사이클은 10.0~18.0초, 바람직하게는 12.0~18.0초, 보다 바람직하게는 13.0~15.0초이다.
이와같이 얻은 광디스크기판은 통상 0.1~5mm, 바람직하게는 0.5~1.5mm의 두께를 갖는 것이 좋다.
본 발명에 의해 얻은 광디스크용 기판들을 사용하여, 예를들어 기판상에 3d천이금속 및 Fe-Co-Tb층, Fe-Co-Gd층등의 희토류 금속으로된 광자기 기록층 또는 Te-C-H층, Te-Cr층등의 1회 기입형 광기록층을 형성하거나 또는 기판상에 상기 기판의 성형과 동시에 정보피트(예 독출전용형 광기록매체)를 형성하고 또한 필요할 경우, 반사층 또는 반사층과 보호층을 형성하여 광디스크를 제조할 수 있다.
특별히 제한되지 않지만 반사층은 Aℓ, Cr, Au, Ag 또는 Cu등의 금속으로된 층일 수도 있다. 이 반사층은 500~1000Å, 바람직하게는 800~1000Å의 두께를 갖는 것이 좋다.
보호층은 자외선경화수지, 에폭시 수지, 메타크릴에이트 수지, 실리콘 니트라이드(SiNx), 실리콘 카바이드(SiCx) 및 알미늄 니트라이드(AlN)로된 것들이 좋다.
이 보호층은 3.7μm, 바람직하게는 5.7μm의 두께를 갖는 것이 좋다.
이들 기록층, 반사층 및 보호층은 예를 들어 진공증착, 스퍼터링 또는 스핀코트법등 공지된 방법으로 기판상에 형성할 수 있다.
본 발명의 광디스크기판의 제조방법에 의하면, 특히 전사성이 양호한 광디스크기판을 얻을 수 있다. 왜냐하면 실린더내에서 고온으로 용융된 저점도의 4-메틸-1-펜텐 중합체 또는 공중합체가 저온을 유지하는 모울드속으로 단시간에 충전될 수 있어 모울드에 부착된 스탬퍼의 패턴이 상기 스탬퍼에 의해 성형 스탬프되는 기판의 표면에 확실하게 전사될 수 있으므로 균일한 깊이의 홈들이 기판상에 형성되기 때문이다. 이 방법에서 사용된 낮은 모울드 온도때문에 성형 사이클이 단축될 수 있으므로 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한 공정 진행중 4-메틸-1-펜텐 중합체 또는 공중합체가 열에 의해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 왜냐하면 실린더내의 수지의 체류시간이 단축될 수 있기 때문이다. 또한 이와같이 얻은 광디스크 기판은 휘지 않고 치수안정성이 우수하다.
본 발명에 의한 광디스크 기판의 제조방법에서는 출발 수지 페레트로서, ASTM D 1238에 따라 측정하여 234~240℃의 융점을 갖는 4-메틸-1-펜텐 단독중합체 또는 4-메틸-1-펜텐/α-올레핀공중합체, 특히 4-메틸-1-펜텐으로부터 유도된 반복단위 94-100중량%, 바람직하게는 94~99.5중량%(더 바람직하게는 96~99.5중량%)와 4~24탄소수의 α-올레핀으로부터 유도된 반복단위 6~0.5중량%, 바람직하게는 4~0.5중량%로 구성되는 4-메틸-1-펜텐/α-올레핀 공중합체류로부터 얻은 페레트들을 사용하여 320~370℃의 실린더온도와 55℃이하의 온도로 유지되는 모울드에서 기판형으로 사출성형하여 제조하며, 그에 의해 얻은 광디스크기판은 특히 전사성이 우수한 것으로 밝혀졌다.
상술한 바와같은 방법으로 성형된 광디스크기판은 휘지않고, 치수 안정성과 내열성이 우수하고, 또한 표면상에 유동 흔적을 남기지 않고, 투명성이 우수하고 복굴절이 작다.
본 발명에 의한 광디스크 기판의 제조방법은 CD, MD, CD-ROM, LD 또는 MO디스크와 1회 기입형 디스크등의 투명기판 제조방법에도 광범위하게 사용될 수 있다.
본 발명의 광디스크기판 제조방법에 대해 이하에 실시예들을 참조하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 이들 실시예에만 한정되지는 않는다.
본 발명에서 제조되는 광디스크의 휨과 전사성은 하기와 같은 방식으로 평가한다.
[휨]
제1도에 보인 바와같이 광디스크의 오목부의 외주변과 접촉하는 평면과 기판의 중심간의 거리(n)를 측정하고 측저한 거리(n)을 광디스크의 휨(mm)으로 했다.
[전사성]
광디스크 기판의 전사성은 광디스크의 변조(I3/ITOP와 I11/TOPI)를 측정하여 평가했다.
즉, 반사층과 보호층을 이미 피트를 전사한 광디스크 기판 표면에 상술한 순서대로 형성한다. 그렇게 얻은 광디스크를 재생용 레이저 빔으로 조사하여 피트가 형성않된 광디스크로부터 반사되어 되돌아오는 레이저빔의 광량(ITOP)과, 최단 피트길이를 갖는 피트로부터 반사되는 레이저빔의 광량(I3)과, 최장피트길이를 갖는 피트로부터 반사되는 레이저빔의 광량(I11)을 측정하여 I3/ITOP와 I11/ITOP의 값을 구했다.
I3와 I11의 값은 기판의 전사성이 높을수록 높기 때문에 I3/ITOP와 I11/ITOP의 값이 높아질수록 광디스크의 전사성이 우수하다.
일반적으로, I3/ITOP은 약 40%이고 I11/ITOP은 약 60%이다.
[실시예 1]
1.2mm의 두께와 120mmø의 직경을 갖는 CD용 기판을 4-메틸-1-펜텐 98중량%와 n-데센(1-데센)2중량%로된 4-메틸-1-펜텐/α-올레핀 공중합체(ADTM D 1238에 의해 측정한 MFR:400g/10분, DSC에 의해 측정한 융점 235℃, Mn:47000, GPC에 의해 측정한 분자량 분포:2.38, 용제:0-디클로로벤젠, 140℃)를 실린더 최고온도가 350℃, 모울드 온도가 40℃, 냉각시간이 5초, 스크류 회전이 200rpm, 성형사이클이 13초인 조건하에서 사출성형기(스미또모 쥬우기까이사의 스미또모-넷스탈 디스크 5M III)에 의해 사출성형하여 디스크형으로 사출성형하에 제조했다.
그렇게 얻은 기판의 표면을 스퍼터링법에 의해 Aℓ으로 700Å의 두께로 금속화 피복한 다음 아크릴에이트 자외선 경화수지(다이니혼 잉크앤드 케미칼사의 제품, DAICURE CLEAR SD-17)로 구성된 보호층을 Aℓ층위에 스핀코트법에 의해 7μm의 두께로 형성했다.
그렇게 얻은 광디스크의 특성을 측정한 결과를 표 1에 나타낸다.
[비교예 1]
1.2mm의 두께와 120mmø의 직경을 갖는 CD용 기판을 실시예 1에서 사용된 것과 동일한 사출성형기에 의해 실시예 1에서와 동일조건하에서 4-메틸-1-펜텐 수지(미쓰이 세끼유가가꾸사의 TPX-RT, MFR:26g/10분, DSC로 측정한 용융점:231℃)를 디스크형으로 사출성형하여 제조했다. 다만 실린더 온도는 300℃로 변경했고, 모울드 온도는 60℃로 변경했다.
그렇게 얻은 기판의 표면을 실시예 1에서와 동일한 방법으로 금속화 피복하여 광디스크를 얻었다. 그렇게 얻은 광디스크의 특성을 측정한 결과를 표 1에 나타냈다.
사용되는 수지의 MFR이 작으므로 광디스크의 휨이 커서 사용할 수 없었다.
[비교예 2]
실시예 1에서 사용된 동일 사출성형기를 사용하여, 실린더 온도 335℃, 모울드 온도 85℃ 냉각시간 5초, 스크류회전 200rpm 및 성형사이클 9초로 디스크용 폴리카보네이트(MFR:52g/10분)를 디스크형으로 성형한 다음 기판을 실시예 1에서와 동일한 방법으로 금속화 피복하여 광디스크를 얻었다.
얻어진 광디스크의 특성을 측정하여 그 결과를 표 1에 나타냈다.
[표 1]
[실시예 2]
두께가 1.2mm, 직경이 120mmø인 CD용기판을 실린더 온도 345℃, 모울드 온도 50℃, 냉각시간 5초, 스크류회전 200rpm 및 성형사이클 10초인 조건하에서 4-메틸-1-펜텐 98.5중량%와 n-헥사데센(1-헥사데센)1.5중량%로된 4-메틸-1-펜텐/α-올레핀 공중합체(ASTM D 1238에 의해 측정한 MFR:420g/10분, DSC로 측정한 융점:235℃)를 사출성형기(스미또모 쥬우기까이사의 스미또모-넷스탈 DISK 5M III)에 의해 디스크형으로 사출성형하여 제조했다.
그렇게 얻은 기판을 스퍼터링법에 의해 Aℓ으로 700Å의 두께로 표면 금속화한 다음 스핀코트법에 의해 아크릴에이트 자외선 경화수지(다이니혼 잉크 앤드 케미칼사의 제품 DAICURE CLEAR SD-17)로 구성된 보호층을 7μm의 두께로 형성한후, 광디스크의 특성을 측정하여 그 결과를 표 2에 나타냈다.
[실시예 3]
두께가 1.2mm, 직경이 120mmø인 CD용 기판을 실린더 온도 355℃, 모울드 온도 43℃, 냉각시간 5초, 스크류회전 200rpm 및 성형 사이클 13초인 조건하에서 사출성형기(스미또모 쥬우기까이사의 스미또모-넷스탈 DISK 5 M III)에 의해 4-메틸-1-펜텐 단독중합체(MFR:490g/10분, 융점:235℃)를 디스크형으로 사출성형하여 제조했다.
그렇게 얻은 기판의 표면을 스퍼터링법에 의해 Aℓ으로 700Å의 두께로 금속화 피복한 다음 그위에 전술한 아크릴에이트 자외선 경화수지로 스핀코트법에 의해 7μm의 두께로 보호층을 형성했다. 그렇게 얻은 광디스크의 특성을 측정하여 표 1에 나타냈다.
[실시예 4]
두께가 1.2mm, 직경이 120mmø인 CD용기판을 실린더 온도 350℃, 모울드 온도 40℃, 냉각시간 5초, 스크류회전 200rpm 및 성형사이클 18초인 조건하에서 4-메틸-1-펜텐 98중량%와 n-데센 2중량%로 된 4-메틸-1-펜텐/α-올레핀 공중합체(ASTM D 1238에 의해 측정한 MFR:800g/10분, DSC로 측정한 융점:235℃)를 사출성형기(스미또모쥬우기까이사의 스미또모-넷스탈 DISK 5M III)에 의해 디스크형으로 사출성형하여 제조했다.
그렇게 얻은 기판을 스퍼터링법에 의해 Aℓ으로 700Å의 두께로 표면 금속화한 다음 스핀코트법에 의해 아크릴에이트 자외선 경화수지(다이니혼 잉크 앤드 케미칼사의 제품 DAICURE CLEAR SD-17)로 구성된 보호층을 7μm의 두께로 형성한 후, 광디스크의 특성을 측정하여 그 결과를 표 2에 나타냈다.
[표 2]
표 1로부터 명백한 바와같이, 본 발명의 방법에 의해 얻은 기판을 갖는 광디스크는 I3/ITOP과 I11/ITOP의 값이 높으며, 그에 따라 본 발명의 제조방법은 전사성이 우수한 기판을 제공할 수 있음을 알 수 있다.

Claims (7)

  1. 부하 5kg, 온도 260℃하에 ASTM D 1238에 의해 측정한 용융유속(MFR)이 240~1200g/10분, DSC에 의해 측정한 융점이 234~240℃인 4-메틸-1-펜텐 중합체 또는 공중합체의 페레트를 실린더의 적어도 일부의 온도가 320~370℃이고, 모울드 온도가 55℃이하인 조건하에서 기판으로 사출성형하는 것이 특징인 광디스크기판의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 4-메틸-1-펜텐 공중합체는 4-메틸-1-펜텐과 α-올레핀의 공중합체인 것이 특징인 광디스크기판의 제조방법.
  3. 제1 또는 제2항에 있어서, 실린더 온도가 335~350℃이고, 모울드온도가 10~50℃인 것이 특징인 광디스크 기판의 제조방법.
  4. 부하 5kg, 온도 260℃하에 ASTM D 1238에 의해 측정한 용융유속(MFR)이 240~1200g/10분, DSC에 의해 측정한 융점이 234~240℃이며, 4-메틸-1-펜텐으로부터 유도된 반복단위 94~99.5중량%와 4~24탄소수의 α-올레핀으로부터 유도되는 반복단위 6~0.5중량%로 된 4-메틸-1-펜텐 공중합체의 페레트를 실린더의 적어도 일부의 온도가 320~370℃이고, 모울드 온도가 55℃이하인 조건하에서 기판으로 사출성형하는 것이 특징인 광디스크기판의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 실린더 온도가 335~350℃이고 모울드온도가 10~50℃인 것이 특징인 광디스크기판의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 4-메틸-1-펜텐의 단독중합체 페레트를 사용하는 것이 특징인 광디스크기판의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 실린더의 온도가 335~350℃이고, 모울드 온도가 10~50℃인 것이 특징인 광디스크기판의 제조방법.
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